DE69028334T2 - Herstellungsverfähren für elektronische Module - Google Patents

Herstellungsverfähren für elektronische Module

Info

Publication number
DE69028334T2
DE69028334T2 DE69028334T DE69028334T DE69028334T2 DE 69028334 T2 DE69028334 T2 DE 69028334T2 DE 69028334 T DE69028334 T DE 69028334T DE 69028334 T DE69028334 T DE 69028334T DE 69028334 T2 DE69028334 T2 DE 69028334T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
grid
shield
ring
strip
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69028334T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69028334D1 (de
Inventor
Francis Steffen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SA
Original Assignee
SGS Thomson Microelectronics SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=9380480&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE69028334(T2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by SGS Thomson Microelectronics SA filed Critical SGS Thomson Microelectronics SA
Application granted granted Critical
Publication of DE69028334D1 publication Critical patent/DE69028334D1/de
Publication of DE69028334T2 publication Critical patent/DE69028334T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49855Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01028Nickel [Ni]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01057Lanthanum [La]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01058Cerium [Ce]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121Beam lead frame or beam lead device

Landscapes

  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

  • Die Erfindung betriffi die Kapselung integrierter Schaltungschips, insbesondere im Hinblick auf ihre Anbringung auf einem portablen Träger.
  • Das übliche Verfähren zum Kapseln integrierter Schaltungen, die beispielsweise auf einer Chipkarte angebracht werden sollen, ist das folgende:
  • - der Schaltungschip wird entweder auf ein Gitter von Leitern aus Metall oder auf einen dielektrischen Träger aus mehrlagigem, gedruckte und photogeätzte Leiter tragendem Epoxydglas aufgebracht; diese Leiter umfässen einerseits einen Kontaktbereich, auf welchen die Rückseite des Schaltungschips aufgelötet wird, und andererseits Kontaktbereiche, auf welche Gold- oder Alumiunmdrähte aufgelötet werden, die außerdem auf den Kontakten des Schaltungschips verlötet werden; diese Leiter bilden darüber hinaus äußere Anschlußklemmen der integrierten Schaltung nach der Kapselung; die Kontaktbereiche können auch direkt auf dem Schaltungschip verlötet werden (sogenanntes TAB-Verfahren);
  • - der Schaltungschip und seine Anschlußdrähte werden teilweise oder vollständig mit einem Schutz gegen mechanische und chemische Angriffe bedeckt; dieser kann ein Epoxydharz oder ein Silikonharz sein;
  • - das die durch das Harz geschützten Schaltungschips tragende Band wird in einzelne Mikromodule zerschnitten;
  • - das Mikromodul wird so in eine in einem portablen Träger aus Kunststoff ausgeformte künstliche Vertiefling eingeklebt, daß die Anschlußdrähte an der Oberfläche zugänglich bleiben.
  • Der Kunststofffräger kann durch Spritzgießen hergestellt werden (der Kunststoff ist dann beispielsweise ABS-Harz); er kann auch durch spanabhebendes Formen hergestellt werden; er kann durch Laminieren zuvor zurechtgeschnittener Kunststoffolien hergestellt werden (wobei die Schnitte vor allem der Herstellung der das Mikromodul aufnehmenden Vertiefung dienen); in diesem Fall kann der Kunststoff Polyvinylchlorid sein.
  • Bei diesen Verhren zum Befestigen des Moduls auf seinem Halteträger treten mehrere Probleme auf; ein erstes Problem ist die Gefahr, daß das Harz zum Schutz des Schaltungschips während dessen Anbringung zwschen die Leiter ffießt; das Überfließen behindert die Vorgänge zum Befestigen des Moduls auf seinem Träger; bei einer Karte ist ein zweites Problem die Notwendigkeit, das Mikromodul durch Kleben zu befestigen, da die Zuverlässigkeit dieser Befestigungsweise unter Berücksichtigung des Unterschieds zwischen den die Karte und den das Mikromodul bildenden Materialien nicht ideal ist; ein drittes Problem ist die Reproduzierbarkeit der äußeren Abmesssngen des Mikromoduls, welches in eine Vertiefung gegebener (bevorzugt sehr wenig tiefer) Abmessungen in der gedruckten Schaltung mit Schaltungschips eingepaßt werden muß.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, die Zuverlässigkeit der Montage, die Reproduzierbarkeit der Abmessungen des Mikromoduls und die Verringerung seiner Höhe unter Beibehaltung eines leicht durchhhhrbaren Herstellungsverflihrens zu verbessern.
  • Aus der europäischen Patentanmeldung EP-A-0197438 ist ein Verfähren bekannt, welches darin besteht, einerseits ein Metallgitter mit einer Vielhahl von Öffiiungen, in welche Zungen hineinragen, die Kontaktbereiche bilden sollen, und andererseits Kunststoffplättchen herzustellen, die auf den Zungen jeder Öffhung angeordnet werden, um einen integrierten Schaltungschip auf den Boden der Aussparung jedes Plättchens zu kleben und die Anschlußklemmen des Schaltungschips mit den Zungen zu verbinden.
  • Es ist auch ein Mikromodul bekannt mit einer Form, die durch ein auf die Kontaktbereiche des Mikromoduls geklebtes ringförmiges, metallverkleidetes Endstück bestimmt wird (Patentanmeldung EP-A-023 1937).
  • Erfindungsgemäß wird ein Verfähren zur Kapselung einer integrierten Schaltung vorgeschlagen, welches im wesentlichen darin besteht, daß von einem Mischsubstrat aus Kunststoff und Metall ausgegangen wird, welches durch Übertragung (Kleben oder Übertragung durch Wärme) einer zuvor perforierten, dielektrischen Abschirmung auf ein vorgeschnittenes Metallgitter ausgebildet wurde. Diese dielektrische Abschimung ist beispielsweise ein Kunststoffband. In einem anderen Beispiel ist diese Abschimung ein gegossener, geschnittener oder spanabhebend bearbeiteter Vorformling.
  • Wie beansprucht, betriffl die Erfindung ein Verfähren zur Herstellung eines Mikromoduls, umfässend die Schritte:
  • - Schneiden eines leitfähigen Gitters aus Metall, um zukünftige elektrische Anschlußklemmen festzulegen, wobei das Gitter in Form eines Bandes ausgebildet wird, um eine Mehrzahl von Mikromodulen in Reihe auf diesem Band zu erzeugen;
  • - Perforieren einer dieelektrischen Abschirmung;
  • - Übertragen der Abschirmung auf das Gitter;
  • - Anordnen eines integrierten Schaltungschips in einer Perforation der Abschirmung und Ausbilden elektrischer Verbindungen zwischen dem Chip und sich in anderen Perforationen der Abschirmung befindenden Zonen des Gitters.
  • Erfindungsgemäß ist diese Abschirmung in Form eines Bandes ausgebildet, um eine Mehrzahl von Mikromodulen in Reihe auf diesem Band zu erzeugen.
  • Bevorzugt sind die Ausschnitte des Gitters und die Pefforationen der Abschirmung derart ausgebildet, daß das Gitter sämtliche Perforationen des Bands zumindest im Nutzbereich der Kontakte des auf diese Weise hergestellten, gekapselten Moduls vollständig ausfüllt.
  • Unter "Übertragung" der dielektrischen Abschirmung auf das Gitter "durch Wärme" wird ein Vorgang verstanden, durch welchen die dielektrische Abschirmung als Band abgewickelt und bei einer Temperatur, bei der das Band weich wird oder schmilzt, auf das Gitter aufgebracht wird; das Band haftet während der Abkühlung auf dem Gitter an. In diesem Fall ist bevorzugt vorgesehen, daß das Gitter Unebenheiten und Schnitte aufweist, die das Anhaften begunstigen. Solche Unebenheiten sind beispielsweise nicht entfernte Schnittgrate, über das Gitter ragende Vorsprünge, Löcher etc.
  • Das Kunststoffband kann aus einem Flachband bestehen. In diesem Fall ist bevorzugt vorgesehen, daß vor dem Aufbringen eines Schutzmaterials oder sogar vor dem Aufbringen des Schaltungschips der den Schaltungschip umfassende Bereich und seine Anschlüsse von einem Schutzring umgeben werden, dessen Höhe so gering wie möglich, jedoch ausreichend ist, um die Höhe des Schaltungschips und der Anschlüsse zu überschreiten (besonders dann, wenn diese Anschlüsse gelötete Drähte sind). Dieser Ring dient der Bildung einer Vertiefung, in welche das Schutzinaterial eingegossen wird, und kann ein Metallring sein.
  • Das Kunststoffband kann auch aus einem Flachband bestehen, welches von Zeit zu Zeit ringförmige Erhöhungen oder Ausstülpungen aufweist: an dem Ort, an dem auf dem Band später der Ring angebracht würde, wird sie in einem Durchgang ausgebildet, beispielsweise durch Gießen oder spanabhebende Bearbeitung.
  • Das Schutzmaterial kann ein thermoplastisches Harz (ein Polyurethanharz) oder ein warmaushärtendes Harz (ein Silikonharz) sein. Es ist grundsätzlich isolierend, kann jedoch bevorzugt ein nicht verlustloses Dielektrikum sein (um zu einem Widerstand von etwa 10 bis 10000 MΩ zu führen). Dies erlaubt die Ableitung elektrostatischer Ladungen über die Leiterdrähte
  • Wenn das Schutzharz aufgebracht wird, verflüchtigt es sich nicht durch die Zwischenräume des ausgeschnittenen Gitters, da bevorzugt die Vorsichtsmaßnahme getroffen wurde, daß zumindest in den Nutzabschnitten diese Zwischenräume alle durch das Kunststoffband abgedichtet sind.
  • Somit wird ein Mikromodul hergestellt, welches einerseits ein isolierendes Material (Kunststoff), welches durch das perforierte, mittels Kleben oder Wärmeübertragung auf dem geschnittenen Leitergitter befestigte Band repräsentiert wird, und andererseits bevorzugt ein Schutzinaterial (Harz) umfaßt, um den Schutz des Schaltungschips gegen mechanische und chemische Angriffe zu vervollständigen. Die Perforationen des Bandes bedecken die Leiterbereiche des geschnittenen Gitters, ohne die Zwischenräume zwischen diesen Bereichen zu überdecken; ein integrierter Schaltungschip wird in einer Perforation des Bandes plaziert und elektrisch mit sich in anderen Perforationen des Bandes befindenden Leiterbereichen verbunden.
  • Zur Anbringung auf einer Karte oder gedruckten Schaltung ist bevorzugt vorgesehen, daß das Material der zugeordueten Kunststoff-Abschirmung mit dem Kunststoff der Karte (beispielsweise Polyvinylchlorid) verträglich ist; somit kann dann das Mikromodul direkt in einer auf der Karte ausgebildeten Vertiefinig plaziert werden, wobei das Kunststoffband des Mikromoduls direkt in Berürung mit dem Kunststoff der Karte steht; die Montage erfolgt durch beispielsweise Kleben oder Ultraschall-Löten, was im Stand der Technik mit den wenig verträglichen Materialien auf der Karte und dem Mikromodul schwer möglich war.
  • Weitere Eigenschaften und Vorteile der Erfindung ergeben sich während des Lesens der nachfolgenden, detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefligten Zeichnungen, in welchen:
  • Fig. 1 in einer Ansicht von oben und im Schnitt ein erfindungsgemäß geschnittenes Metallgitter zeigt;
  • Fig. 2 in einer Ansicht von oben und im Schnitt ein Band von erfindungsgemäß verwendeten, vorperforierten, dielektrischen Abschirmungen zeigt;
  • Fig. 3 im Schnitt das durch Kleben oder Wärmeübertragung auf das Gitter übertragene Band zeigt;
  • Fig. 4 einen auf dem Gitter positionierten und mit diesem verbundenen integrierten Schaltungschip zeigt;
  • Fig. 5 das Aufbringen eines Rings und eines Schutzharzes zeigt, wobei der Ring sogar bevorzugt vor dem Schaltungschip angebracht werden kann; und
  • Fig. 6 eine Ausfirungsvariante zeigt, in welcher der Schutzring in das Band integriert und nicht auf diesem befestigt ist.
  • Nachstehend wird nun das erfindungsgemäße Verhren unter Bezugnahme auf die Figuren im eizelnen beschrieben. Es wird von einem vorgeschnittenen Metallgitter 10 ausgegangen, welches die zukünftigen elektrischen Anschlußklemmen des herzustellenden Mikromoduls definiert. In der Praxis wird nicht ein isoliertes Gitter für ein einzelnes Mikromodul erzeugt, sondern ein Gitter in Form eines fortlaufenden Bandes; die Mikromodule werden in Reihe auf diesem Band erzeugt; sie werden erst am Ende des Herstel- lungsprozesses voneinander getrennt, bei für Chipkarten bestimmten Mikromodulen sogar erst zum Zeitpunkt der Anbringung auf der Karte.
  • Das Metallgitter wird durch mechanisches Schneiden oder Ausschneiden (Ausstanzen) hergestellt. Es hat eine Dicke von etwa einigen Zehntel Millimetern. Es ist infolgedessen verhältnismäßig widerstandsfähig. Es kann beispielsweise aus einer Eisen-Nickel- Verbindung, Kupfer oder auch reinem Nickel bestehen; es kann auf der Rückseite und auf der Vorderseite an der Stelle, an der die Verbindungen zu einem Schaltungschip gelötet werden, mit Gold oder Silber überzogen sein.
  • Das Gitter umfäßt grundsätzlich einen leitenden Mittenbereich 12, der einen Schaltungschip aufhimt, und äußere Leiterbereiche 14, die diesen Mittenbereich umgeben. Die Bereiche sind durch Zwischenräume 16, die durch den Schneidevorgang erzeugt werden, voneinander getrennt. Diese Zwischenräume sind in der Aufsicht und dem Schnitt gemäß Fig. 1 sichtbar.
  • Außerdem wird ein Band 20 von dielektrischen Abschirmungen aus perforiertem Kunststoff in Form eines im wesentlichen ebenen Bandes hergestellt (Fig. 2). Die Perforierungen in diesem Band werden an sinnvoll gewählten Stellen beispielsweise durch Kaltverformung erzeugt. Diese Perforationen umfassen im prip ein Mittenloch 22 (um einen integrierten Schaltungschip aufzunehmen) und äußere Löcher 24 (für den Zugang zu den Anschlußklemmen).
  • Die Lagen des Mittenlochs 22 und des Mittenbereichs 12 entsprechen einander so, daß dann, wenn das Kunststoffband auf dem Metallgitter befestigt wird, das Mittenloch 22 über dem Mittenbereich 12 zu liegen kommt, bevorzugt, ohne über einem Zwischenraum 16 des ausgeschnittenen Gitters zu liegen zu kommen. Das Mittenloch 22 ist infolgedessen kleiner als der Bereich 12 und wird innerhalb dieses Bereichs angeordnet. Auf gleicher Weise entsprechen sich die Lagen der äußeren Löcher und der äußeren Leiterbereiche so, daß dann, wenn das Band 20 auf dem Gitter 10 befestigt wird, jedes äußere Loch 24 gegenüber einem Ende eines jeweiligen Leiterbereichs 14 zu liegen kommt. Auch hier überdecken bevorzugt die Löcher die Zwischenräume 16 zwischen Leiterbereichen nicht.
  • Ausgehend von dem vorgeschnittenen Gitter und dem vorperforierten Band wird das Band auf das Gitter übertragen, wobei auf die vorstehend angegebenen Relativlagen geachtet wird. Das Kunststoffband verschließt infolgedessen im Prinzip alle Zwischenräume zwischen Leiterbereichen des Gitters.
  • Das Übertragen kann durch einfäches Kleben erfolgen: das perforierte Kunststoffband und das ausgeschnittene Gitterband werden gleichzekig abgewickelt, wobei eine feine Kleberschicht zwischen diese beiden gebracht und das Band gegen das Gitter angedrückt wird. Das Übertragen kann auch durch Wärmeübertragung unter bloßem Andrücken des Bandes gegen das Gitter bei einer Temperatur, bei welcher das das Band bildende Material weich wird (beispielsweise bei 150 bis 200ºC entsprechend dem verwendeten Kunststoff), erfolgen. Dieses Andrücken im erwärmten Zustand errnöglicht ein wirksames Anhaften des Bandes auf dem Gitter während der Abkühlung.
  • Das Anhaften wird begünstigt, wenn die Oberfläche des Gitters Unebenheiten (Schnittgrate, senkrecht oder schräg aus der Oberfläche des Gitterbands herausragende Falten von Vorsprun gen etc.) aufweist.
  • Fig. 3 zeigt das Gitter und das Band überlagert im Schnitt und in vergrößertem (aber beliebigem) Maßstab (die relativen Dicken der Schichten und die dargestellten Breiten sind unbedeutend).
  • In Fig. 3 kann überprüft werden, daß Mittel und Wege gefunden wurden, um das Mittenloch 22 über dem Mittenbereich 12 anzuordnen, ohne über diesen Bereich hinauszutreten. Darüber hinaus sind die Löcher 24 über Enden der Leiterbereiche 14 angeordnet, ohne sich oberhalb der Zwischenbereiche 16 zu erstrecken.
  • Die Zwischenräume des Gitters sind infolgedessen alle verschlossen, aufjeden Fall im Nutzbereich des Mikromoduls.
  • Nun wird ein Schaltungschip 26 auf dem so gebildeten, Metall/Kunststoff-Mischband plaziert (Fig. 4).
  • In dem dargestellten Beispiel wird der Schaltungschip an seiner Rückseite innerhalb des Lochs 22 auf den mittigen Leiterbereich 12 geklebt oder gelötet; er wird mittels Verbindungsdrähten 28 (beispielsweise Gold- oder Aluminiumdrähten) mit den äußeren Leiterbereichen verbunden. Diese Drähte werden einerseits auf die Kontakte des Schaltungschips und andererseits auf die Leiterbereiche 14 innerhalb der Löcher 24 des Kunststoffbandes 20 gelötet.
  • Die rückwärtigen Flächen des geschnittenen Metallgitters, d.h. die nicht durch das Band 20 bedeckten Seiten, werden zu den Kontaklächen für den Zugang zu der integrierten Schaltung von außen, insbesondere in dem Fall, in dem das Mikromodul in eine Chipkarte bzw. eine gedruckte Schaltung mit Schaltungschips eingebaut wird.
  • Um den Schaltungschip 26 und die Verbindungsdrähte 28 wird ein Schutzring 30 angeordnet (Fig. 5). Dieser Ring besteht bevorzugt aus Metall (er könnte aber auch aus Kunststoff sein); er kann geklebt oder mittels Wärme auf das Kunststoffband 20 übertragen werden. In diesem Fall wird der Ring bevorzugt vor dem Anbringen des Schaltungschips angebracht. Der Ring umgibt die in dem Band 20 ausgebildeten und einem vorbestimmten Mikromodul entsprechenden mittigen und äußeren Perforationen. Es ist vorstellbar, daß ein Mikromodul mehrere angeschlossene oder nicht angeschlossene Schaltungschips umfaßt, in welchem Fall der Ring alle diesem Mikromodul entsprechenden Schaltungschips und Verbindungsdrähte umgibt. Die Höhe des Rings wird unter Berücksichtigung der Dicke des Bandes 20 so gewählt, daß der obere Rand des Rings höher ist als der Schaltungschip und die Drähte.
  • Der Ring und das Kunststoff/Metall-Mischband definieren dann eine Vertiefimg zum Schutz des Schaltungschips und der Drähte. Diese Vertiefinig wird mit einem Schutzmaterial 32 (beispielsweise einem thermoplastischen Harz wie etwa Polyurethan oder einem warmaushärtenden Harz wie etwa ein Silikonharz) gefüllt. Das Schutzmaterial umhüllt den Schaltungschip und die Leiterdrähte vollständig. Sein Volumen wird seitlich durch den Schutzring festgelegt. In Höhenrichtung füllt das Material den Ring bevorzugt vollstandig aus. Falls es beim Einfüllen über den Ring hinaus läuft, kann es danach plan abgeglichen werden.
  • Unter der Voraussetzung, daß so vorgegangen wurde, daß alle Perforationen des Kunststoffbandes 20 am Boden durch Abschnitte des Leitergitters 10 verschlossen sind, verflüchtigt sich das Harz - selbst wenn es sehr flüssig ist - nicht durch die Zwischenräume 16 zwischen den Leiterbereichen des Gitters.
  • In Fig. 6 ist eine Ausführungsvariante dargestellt, die sich von der vorangehenden dadurch unterscheidet, daß der Schutzing kein auf das Band 20 aufgebrachter Ring, sondem ein gegossener oder spanabhebend ausgeformter, integraler Teil des Bandes 20 ist. Dieser Abschnitt 34 erhebt sich von Zeit zu Zeit (am Ort jedes Mikromoduls) auf dem das Band 20 bildenden, ebenen Band.
  • Die Rückseite des Gitters liegt vollkommen bloß, ih. ist nicht von isolierendem Material bedeckt. Die Rückseite des Gitters bleibt für einen elektrischen Kontakt zwischen den Leitern und Kontakten eines Chipkartenlesers direkt zugänglich.
  • Es wurde somit ein Metall/Kunststoff-Mischband realisiert, welches von Zeit zu Zeit durch einen Ring und ein isolierendes Schutzmaterial geschützte Schaltungschips trägt. Man erzeugt demzufolge eine Rolle von Mikromodulen auf einem Band. Das Band wird erst am Ende der Herstellung der Mikromodule auch erst zum Zeitpunkt des Anbringens auf Chipkarten in einzelne Mikromodule oder zerschittten.
  • Die hinsichtlich der Abmessungen des Mikromoduls erzielte Genauigkeit ist sehr gut und von einem Mikromodul zum nächsten reproduzierbar; es besteht daher in Höhen- als auch in Breitenrichtung keine Behinderung durch auf die Größenungenauigkeit der Schutzharztropfen zurückzuführende Probleme wie in der Vergangenheit.
  • Die Höhe des Rings 30 kann auf das genaue Minimum reduziert werden, da sie genau gesteuert wird; bei einer Chipkarte ist besonders wichtig, daß das Mikromodul eine so weit wie möglich verringerte Höhe hat, jedoch ist hierzu ein sehr zuverlässiges Herstellungsverfahren erforderlich; dies wird durch die vorliegende Erfindung ermöglicht.

Claims (10)

1. Verfähren zur Herstellnng eines Mikromoduls, umfässend die Schritte:
- Schneiden eines leitfähigen Gitters aus Metall (10), um zukünftige elektrische Anschlußklemmen festzulegen, wobei das Gitter in Form eines Bandes ausgebildet wird, um eine Mehrzahl von Mikromodulen in Reihe auf diesem Band zu erzeugen;
- Perforieren einer dieelektrischen Abschirmung (20);
- Übertragen der Abschirmung auf das Gitter;
- Anordnen eines integrierten Schaltungschips (26) in einer Perforation (22) der Abschirmung und Ausbilden elektrischer Verbindungen zwischen dem Chlp und sich in anderen Perforationen (24) der Abschirmung befindenden Zonen (14) des Gitters; dadurch gekennzeichnet, daß die Abschirmung in Form eines Bandes ausgebildet ist, um eine Mehrzahl von Mikromodulen in Reihe auf diesem Band zu erzeugen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Perforationen (22, 24) der Abschirmung und die Schnitte des Gitters derart ausgebildet sind, daß die Abschirmung sämtliche Zwischenräume (16) zwischen Leitern des Gitters in dem einem herzustellenden Modul entsprechenden Nutzbereich überdeckt und ausfüllt.
3. Verfähren nach einem der Ansprüche 1 und 2, gekennzeichnet durch einen Schritt des Anbringens eines Schutzes durch ein Schutzmaterial (32), welches den Chip. und die Verbindungen in den Perforationen (22, 24) des Bandes aus Kunststoff (20) überdeckt.
4. Verfähren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß es das Anordnen eines den Chlp (26) und seine Verbindungen (28) ringförmig einschließenden Schutzrings (30) auf der Abschirmung umfäßt, wobei der Ring nach seiner Anbringung mit isolierendem Schutzmaterial (32) gefüllt wird.
5. Verfähren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Abschirmung stellenweise eine Ausstülpung (34) in Form eines den für den Chip und seine Verbindungen reservierten Raum umschließenden Rings umfaßt, und daß dieser Ring nach dem Anbringen des Chips und seiner Verbindungen mit einem Schutzmaterial (32) gefüllt wird.
6. Verfähren nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Schutzmaterial ein thermoplastisches oder warmaushärtendes Harz ist.
7. Verfähren nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Schutzmaterial ein nicht verlustioses Dielektrikum ist zum Zulassen der Ableitung elektrostatischer Ladungen.
8. Verfähren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Abschirmung (20) durch Kleben oder Wärmeübertragung auf das Gitter übertragen wird.
9. Verfähren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, gekennzeichnet durch einen zusätzlichen Schritt des Trennens der Mikromodule zum Erzeugen einzelner Mikromodule.
10. Verfähren nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch einen Schritt der Kapselung zumindest eines der einzelnen Mikromodule in einen portablen Träger.
DE69028334T 1989-04-07 1990-04-03 Herstellungsverfähren für elektronische Module Expired - Lifetime DE69028334T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8904581A FR2645680B1 (fr) 1989-04-07 1989-04-07 Encapsulation de modules electroniques et procede de fabrication

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69028334D1 DE69028334D1 (de) 1996-10-10
DE69028334T2 true DE69028334T2 (de) 1997-01-16

Family

ID=9380480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69028334T Expired - Lifetime DE69028334T2 (de) 1989-04-07 1990-04-03 Herstellungsverfähren für elektronische Module

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5041395A (de)
EP (1) EP0391790B1 (de)
JP (1) JP2849594B2 (de)
DE (1) DE69028334T2 (de)
FR (1) FR2645680B1 (de)

Families Citing this family (116)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0336614A (ja) * 1989-07-03 1991-02-18 Mitsumi Electric Co Ltd 回路モジュール
JPH04330744A (ja) * 1990-09-14 1992-11-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
DE9100665U1 (de) * 1991-01-21 1992-07-16 TELBUS Gesellschaft für elektronische Kommunikations-Systeme mbH, 85391 Allershausen Trägerelement für integrierte Halbleiter-Schaltkreise, insbesondere zum Einbau in Chip-Karten
FR2673041A1 (fr) * 1991-02-19 1992-08-21 Gemplus Card Int Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant.
US5111277A (en) * 1991-03-29 1992-05-05 Aegis, Inc. Surface mount device with high thermal conductivity
US5188985A (en) * 1991-03-29 1993-02-23 Aegis, Inc. Surface mount device with high thermal conductivity
US5258650A (en) * 1991-08-26 1993-11-02 Motorola, Inc. Semiconductor device having encapsulation comprising of a thixotropic fluorosiloxane material
US5451813A (en) * 1991-09-05 1995-09-19 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device with lead frame having different thicknesses
JPH0529159U (ja) * 1991-09-24 1993-04-16 ローム株式会社 電子部品用リードフレームの構造
DE9113601U1 (de) * 1991-10-31 1993-03-04 Schneider, Edgar, 8057 Günzenhausen Multifunktionaler Schutzschild für mikroelektronische Schaltungen und Sensoren insbesondere für sog. Chip-Karten
US5276414A (en) * 1991-12-10 1994-01-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Moistureproof structure for module circuits
US5831836A (en) * 1992-01-30 1998-11-03 Lsi Logic Power plane for semiconductor device
US5386342A (en) * 1992-01-30 1995-01-31 Lsi Logic Corporation Rigid backplane formed from a moisture resistant insulative material used to protect a semiconductor device
US5313096A (en) * 1992-03-16 1994-05-17 Dense-Pac Microsystems, Inc. IC chip package having chip attached to and wire bonded within an overlying substrate
DE4224103A1 (de) * 1992-07-22 1994-01-27 Manfred Dr Ing Michalk Miniaturgehäuse mit elektronischen Bauelementen
FR2695234B1 (fr) * 1992-08-26 1994-11-04 Gemplus Card Int Procédé de marquage d'une carte à puce.
DE4232625A1 (de) * 1992-09-29 1994-03-31 Siemens Ag Verfahren zur Montage von integrierten Halbleiterschaltkreisen
CH686325A5 (de) * 1992-11-27 1996-02-29 Esec Sempac Sa Elektronikmodul und Chip-Karte.
US6205654B1 (en) 1992-12-11 2001-03-27 Staktek Group L.P. Method of manufacturing a surface mount package
US5409863A (en) * 1993-02-19 1995-04-25 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for controlling adhesive spreading when attaching an integrated circuit die
US5329159A (en) * 1993-08-03 1994-07-12 Motorola, Inc. Semiconductor device employing an aluminum clad leadframe
JPH07240479A (ja) * 1993-09-21 1995-09-12 Texas Instr Inc <Ti> 集積回路パッケージ化の方法およびパッケージ
US5581445A (en) * 1994-02-14 1996-12-03 Us3, Inc. Plastic integrated circuit card with reinforcement structure for protecting integrated circuit module
US5976912A (en) * 1994-03-18 1999-11-02 Hitachi Chemical Company, Ltd. Fabrication process of semiconductor package and semiconductor package
US5436203A (en) * 1994-07-05 1995-07-25 Motorola, Inc. Shielded liquid encapsulated semiconductor device and method for making the same
FR2727780B1 (fr) * 1994-12-01 1997-01-10 Solaic Sa Procede et installation pour traiter en surface une bande de matiere plastique portant des modules pour cartes electroniques
DE4446566A1 (de) * 1994-12-24 1996-06-27 Telefunken Microelectron Mehrpoliges, oberflächenmontierbares, elektronisches Bauelement
US5514907A (en) * 1995-03-21 1996-05-07 Simple Technology Incorporated Apparatus for stacking semiconductor chips
US5577319A (en) * 1995-03-31 1996-11-26 Motorola, Inc. Method of encapsulating a crystal oscillator
FR2733848B1 (fr) * 1995-05-05 1997-05-30 Schlumberger Ind Sa Procede d'enrobage d'un composant electronique et dispositif de mise en oeuvre dudit procede
FR2734983B1 (fr) * 1995-05-29 1997-07-04 Sgs Thomson Microelectronics Utilisation d'un micromodule comme boitier de montage en surface et procede correspondant
FR2734984B1 (fr) * 1995-05-29 1997-08-22 Sgs Thomson Microelectronics Utilisation d'un micromodule comme boitier de montage en surface et procede correspondant
FR2735283B1 (fr) * 1995-06-09 1997-08-29 Solaic Sa Module a circuit integre
US6072698A (en) * 1995-09-27 2000-06-06 Siemens Aktiengesellschaft Chip module with heat insulation for incorporation into a chip card
DE19535989C3 (de) * 1995-09-27 2003-03-27 Siemens Ag Chipmodul
FR2741191B1 (fr) * 1995-11-14 1998-01-09 Sgs Thomson Microelectronics Procede de fabrication d'un micromodule, notamment pour cartes a puces
DE19543427C2 (de) * 1995-11-21 2003-01-30 Infineon Technologies Ag Chipmodul, insbesondere zum Einbau in eine Chipkarte
DE19602436B4 (de) * 1996-01-24 2006-09-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Montage eines Rahmens auf ein Trägermaterial und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
UA42106C2 (uk) * 1996-06-14 2001-10-15 Сіменс Акцієнгезельшафт Спосіб виготовлення несучого елемента для напівпровідникового чипа
DE19623826C2 (de) * 1996-06-14 2000-06-15 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements für Halbleiterchips
TW345710B (en) * 1996-07-31 1998-11-21 Hitachi Chemical Co Ltd Chip supporting substrate for semiconductor package, semiconductor package and process for manufacturing semiconductor package
DE19639025C2 (de) 1996-09-23 1999-10-28 Siemens Ag Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls
FR2756648B1 (fr) * 1996-11-29 1999-01-08 Solaic Sa Carte a memoire du type sans contact
US5972738A (en) * 1997-05-07 1999-10-26 Lsi Logic Corporation PBGA stiffener package
US6088901A (en) * 1997-06-10 2000-07-18 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing a carrier element for semiconductor chips
US6096576A (en) 1997-09-02 2000-08-01 Silicon Light Machines Method of producing an electrical interface to an integrated circuit device having high density I/O count
US6787389B1 (en) * 1997-10-09 2004-09-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having pads for connecting a semiconducting element to a mother board
US5942798A (en) 1997-11-24 1999-08-24 Stmicroelectronics, Inc. Apparatus and method for automating the underfill of flip-chip devices
US5968386A (en) * 1997-12-18 1999-10-19 Ford Motor Company Method for protecting electronic components
US6109530A (en) * 1998-07-08 2000-08-29 Motorola, Inc. Integrated circuit carrier package with battery coin cell
US6303986B1 (en) 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
JP3301985B2 (ja) * 1998-10-07 2002-07-15 新光電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
DE19920593B4 (de) 1999-05-05 2006-07-13 Assa Abloy Identification Technology Group Ab Chipträger für ein Chipmodul und Verfahren zur Herstellung des Chipmoduls
US6291770B1 (en) * 1999-05-14 2001-09-18 Leoni Wiring Systems, Inc. Wiring system and method therefor
FR2794267B1 (fr) * 1999-05-27 2003-06-20 Gemplus Card Int Dispositif portable a circuit integre, de type carte a puce de format reduit par rapport au format standard des cartes a puces et procede de fabrication
JP2001077500A (ja) * 1999-06-30 2001-03-23 Murata Mfg Co Ltd 電子部品、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、および電子部品の製造方法
US6437464B1 (en) 1999-07-29 2002-08-20 Encap Motor Corporation Motor and disc assembly for computer hard drive
US6362554B1 (en) 1999-07-29 2002-03-26 Encap Motor Corporation Stator assembly
US6501616B1 (en) 1999-07-29 2002-12-31 Encap Motor Corporation Hard disc drive with base incorporating a spindle motor stator
US6617721B1 (en) 1999-07-29 2003-09-09 Encap Motor Corporation High speed spindle motor
US6300695B1 (en) 1999-07-29 2001-10-09 Encap Motor Corporation High speed spindle motor with hydrodynamic bearings
US6753628B1 (en) * 1999-07-29 2004-06-22 Encap Motor Corporation High speed spindle motor for disc drive
FR2797977B1 (fr) * 1999-08-25 2004-09-24 Gemplus Card Int Procede de fabrication d'un dispositif electronique portable comportant une etape de surmoulage directement sur le film support
US6210992B1 (en) * 1999-08-31 2001-04-03 Micron Technology, Inc. Controlling packaging encapsulant leakage
US6572387B2 (en) 1999-09-24 2003-06-03 Staktek Group, L.P. Flexible circuit connector for stacked chip module
US6331453B1 (en) 1999-12-16 2001-12-18 Micron Technology, Inc. Method for fabricating semiconductor packages using mold tooling fixture with flash control cavities
AU2580301A (en) 1999-12-17 2001-06-25 Encap Motor Corporation Spindle motor with encapsulated stator and method of making same
ATE241253T1 (de) * 1999-12-17 2003-06-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kapselung für organische leds
US7394153B2 (en) * 1999-12-17 2008-07-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of electronic devices
US6376283B1 (en) * 2000-04-19 2002-04-23 Power Digital Card Co., Ltd. Mono-chip multimediacard fabrication method
AU2000274682A1 (en) * 2000-09-06 2002-03-22 Institute Of Materials Research And Engineering Encapsulation for oled devices
US6608763B1 (en) 2000-09-15 2003-08-19 Staktek Group L.P. Stacking system and method
US6892439B1 (en) 2001-02-01 2005-05-17 Encap Motor Corporation Motor with stator made from linear core preform
US7036207B2 (en) * 2001-03-02 2006-05-02 Encap Motor Corporation Stator assembly made from a plurality of toroidal core segments and motor using same
DE10111028A1 (de) * 2001-03-07 2002-09-19 Infineon Technologies Ag Chipkartenmodul
US6462408B1 (en) 2001-03-27 2002-10-08 Staktek Group, L.P. Contact member stacking system and method
US6707591B2 (en) 2001-04-10 2004-03-16 Silicon Light Machines Angled illumination for a single order light modulator based projection system
JP2002312746A (ja) * 2001-04-11 2002-10-25 Toshiba Corp Icモジュール及びその製造方法、並びに該icモジュールを装着した携帯可能電子装置
US6896778B2 (en) * 2001-06-04 2005-05-24 Epocal Inc. Electrode module
US6782205B2 (en) 2001-06-25 2004-08-24 Silicon Light Machines Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing
US6747781B2 (en) 2001-06-25 2004-06-08 Silicon Light Machines, Inc. Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle
US6765801B1 (en) * 2001-06-25 2004-07-20 Amkor Technology, Inc. Optical track drain package
US7015072B2 (en) 2001-07-11 2006-03-21 Asat Limited Method of manufacturing an enhanced thermal dissipation integrated circuit package
US6734552B2 (en) 2001-07-11 2004-05-11 Asat Limited Enhanced thermal dissipation integrated circuit package
US6829092B2 (en) 2001-08-15 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Blazed grating light valve
US6790710B2 (en) * 2002-01-31 2004-09-14 Asat Limited Method of manufacturing an integrated circuit package
DE10200382B4 (de) * 2002-01-08 2006-05-04 Infineon Technologies Ag Chipmodul für Chipkarten
US6800238B1 (en) 2002-01-15 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics
US6737002B1 (en) * 2002-02-04 2004-05-18 Lockheed Martin Corporation Fabrication of plastic module with exposed backside contact
US20030178719A1 (en) * 2002-03-22 2003-09-25 Combs Edward G. Enhanced thermal dissipation integrated circuit package and method of manufacturing enhanced thermal dissipation integrated circuit package
SG107584A1 (en) * 2002-04-02 2004-12-29 Micron Technology Inc Solder masks for use on carrier substrates, carrier substrates and semiconductor device assemblies including such masks
US7368391B2 (en) * 2002-04-10 2008-05-06 Micron Technology, Inc. Methods for designing carrier substrates with raised terminals
US6767751B2 (en) 2002-05-28 2004-07-27 Silicon Light Machines, Inc. Integrated driver process flow
US6728023B1 (en) 2002-05-28 2004-04-27 Silicon Light Machines Optical device arrays with optimized image resolution
US6822797B1 (en) 2002-05-31 2004-11-23 Silicon Light Machines, Inc. Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light
US6940154B2 (en) * 2002-06-24 2005-09-06 Asat Limited Integrated circuit package and method of manufacturing the integrated circuit package
US6829258B1 (en) 2002-06-26 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Rapidly tunable external cavity laser
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US6714337B1 (en) 2002-06-28 2004-03-30 Silicon Light Machines Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response
DE10237084A1 (de) * 2002-08-05 2004-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leiterrahmens und Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements
US6801354B1 (en) 2002-08-20 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses
US6712480B1 (en) 2002-09-27 2004-03-30 Silicon Light Machines Controlled curvature of stressed micro-structures
EP1554754A2 (de) * 2002-10-15 2005-07-20 Axalto SA Herstellungsmethode eines datenträgers
CN100371948C (zh) * 2002-10-15 2008-02-27 雅斯拓股份有限公司 用支承带制造数据载体的方法以及该方法中使用的支承带
US6806997B1 (en) 2003-02-28 2004-10-19 Silicon Light Machines, Inc. Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction
US6829077B1 (en) 2003-02-28 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane
DE10318688A1 (de) * 2003-04-24 2004-11-25 W. C. Heraeus Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Trennen der elektrischen Verbindungsknoten bei IC-Frames und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils sowie von Frames dafür
TWI275189B (en) * 2003-12-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting and/or radiation-receiving semiconductor component and method for producing such component
EP1785916B1 (de) * 2005-11-14 2009-08-19 Tyco Electronics France SAS Smartcard-Körper, Smartcard und Herstellungsverfahren
TWI325745B (en) 2006-11-13 2010-06-01 Unimicron Technology Corp Circuit board structure and fabrication method thereof
CN101533818B (zh) * 2008-03-12 2013-01-16 展晶科技(深圳)有限公司 集成电路元件的封装结构及其制造方法
US8080872B2 (en) * 2008-06-16 2011-12-20 Hcc Aegis, Inc. Surface mount package with high thermal conductivity
JP2011176112A (ja) * 2010-02-24 2011-09-08 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路及びその製造方法
CN102376855B (zh) * 2010-08-09 2015-08-19 Lg伊诺特有限公司 发光器件和具有发光器件的照明系统
KR101114719B1 (ko) * 2010-08-09 2012-02-29 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
DE102013202542A1 (de) 2013-02-18 2014-09-18 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Substrat zur Herstellung einer LED und Verfahren zu dessen Herstellung

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4100675A (en) * 1976-11-01 1978-07-18 Mansol Ceramics Company Novel method and apparatus for hermetic encapsulation for integrated circuits and the like
FR2439438A1 (fr) * 1978-10-19 1980-05-16 Cii Honeywell Bull Ruban porteur de dispositifs de traitement de signaux electriques, son procede de fabrication et application de ce ruban a un element de traitement de signaux
JPS5568643A (en) * 1978-11-20 1980-05-23 Hitachi Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS6018145B2 (ja) * 1980-09-22 1985-05-09 株式会社日立製作所 樹脂封止型半導体装置
US4549247A (en) * 1980-11-21 1985-10-22 Gao Gesellschaft Fur Automation Und Organisation Mbh Carrier element for IC-modules
JPS58158953A (ja) * 1982-03-17 1983-09-21 Hitachi Ltd 樹脂封止半導体装置
JPS5916351A (ja) * 1982-07-19 1984-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子回路装置とその製造方法
JPS59143336A (ja) * 1983-02-04 1984-08-16 Fujitsu Ltd Icチツプのパツケ−ジ方法
DE3466108D1 (en) * 1983-06-09 1987-10-15 Flonic Sa Method of producing memory cards, and cards obtained thereby
FR2547440B1 (fr) * 1983-06-09 1986-02-07 Flonic Sa Procede de fabrication de cartes a memoire et cartes obtenues suivant ce procede
FR2579798B1 (fr) * 1985-04-02 1990-09-28 Ebauchesfabrik Eta Ag Procede de fabrication de modules electroniques pour cartes a microcircuits et modules obtenus selon ce procede
JPS61287125A (ja) * 1985-06-13 1986-12-17 Toshiba Corp 電子部品の封止方法
JPS6292331A (ja) * 1985-10-18 1987-04-27 Hitachi Maxell Ltd 半導体チツプの封止方法
JP2502511B2 (ja) * 1986-02-06 1996-05-29 日立マクセル株式会社 半導体装置の製造方法
US4820658A (en) * 1986-04-14 1989-04-11 Gte Products Corporation Method of making a packaged IC chip

Also Published As

Publication number Publication date
EP0391790B1 (de) 1996-09-04
JPH03202400A (ja) 1991-09-04
FR2645680A1 (fr) 1990-10-12
JP2849594B2 (ja) 1999-01-20
FR2645680B1 (fr) 1994-04-29
DE69028334D1 (de) 1996-10-10
US5041395A (en) 1991-08-20
EP0391790A1 (de) 1990-10-10
US5147982A (en) 1992-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69028334T2 (de) Herstellungsverfähren für elektronische Module
DE68921179T2 (de) Elektronisches Modul mit einer integrierten Schaltung für ein kleines tragbares Objekt, z.B. eine Karte oder ein Schlüssel und Herstellungsverfahren für solche Module.
DE68910385T3 (de) Herstellungsverfahren einer elektronischen Speicherkarte und elektronische Speicherkarte, die nach diesem Verfahren hergestellt ist.
DE69735361T2 (de) Harzverkapselte halbleiteranordnung und herstellungsverfahren dafür
EP0554916B1 (de) Baustein mit integrierten Schaltkreisen
EP0299530B1 (de) Trägerelement zum Einbau in Ausweiskarten
EP0843358B1 (de) Elektronikmodul in Flachbauweise und Chipkarte
EP0484353B1 (de) Trägerelement mit wenigstens einem integrierten schaltkreis, insbesondere zum einbau in chip-karten
DE69528335T2 (de) Leiterrahmen mit Stufen, Halbleiterbaulelement und Herstellungsmethode
DE69512137T2 (de) Herstellungsverfahren und Montage für IC-Karte.
DE69331406T2 (de) Herstellungsverfahren und vorrichtung einer dreidimensionalen verdrahtung von gehaeusen fuer elektronische komponenten
EP0071255A2 (de) Tragbare Karte zur Informationsverarbeitung
DE3300693A1 (de) Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung
EP0902973B1 (de) Trägerelement für einen halbleiterchip
DE2942422A1 (de) Traegerplatte fuer integrierte schaltkreise
DE4422216A1 (de) Mehrlagige metallische Leiterplatte und gegossener Baustein
DE69322477T2 (de) 3D-Verbindungsverfahren für Gehäuse von elektronischen Bauteilen und resultierendes 3D-Bauteil
DE19801312A1 (de) Halbleiterbauelement mit mehreren Substratlagen und zumindest einem Halbleiterchip und einem Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterbauelementes
DE69216452T2 (de) Halbleiteranordnung mit elektromagnetischer Abschirmung
DE10002852A1 (de) Abschirmeinrichtung und elektrisches Bauteil mit einer Abschirmeinrichtung
EP0493738B1 (de) Datenträger mit integriertem Schaltkreis
DE19618976C2 (de) Mit Harz abgedichtete Halbleitervorrichtung
DE10016135A1 (de) Gehäusebaugruppe für ein elektronisches Bauteil
EP0219627B1 (de) Mehrschichtige gedruckte Schaltungsplatte
DE602004004647T2 (de) Verfahren zum zusammenbauen eines elektronischen komponent auf einem substrat

Legal Events

Date Code Title Description
8363 Opposition against the patent
8365 Fully valid after opposition proceedings
8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: PATENTANWALTSKANZLEI LIERMANN-CASTELL, 52349 DUEREN