DE2547304A1 - Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung

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NL (1) NL183260C (cg-RX-API-DMAC10.html)
SE (1) SE411606B (cg-RX-API-DMAC10.html)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3608418A1 (de) * 1985-03-15 1986-09-18 Sharp Kk Verfahren zur herstellung eines mosfet-gateisolatorfilms

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2632647A1 (de) * 1976-07-20 1978-01-26 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit passivierender schutzschicht
IN147578B (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1977-02-24 1980-04-19 Rca Corp
DE2730367A1 (de) * 1977-07-05 1979-01-18 Siemens Ag Verfahren zum passivieren von halbleiterelementen
US4174252A (en) * 1978-07-26 1979-11-13 Rca Corporation Method of defining contact openings in insulating layers on semiconductor devices without the formation of undesirable pinholes
CA1136773A (en) * 1978-08-14 1982-11-30 Norikazu Ohuchi Semiconductor device
FR2459551A1 (fr) * 1979-06-19 1981-01-09 Thomson Csf Procede et structure de passivation a autoalignement sur l'emplacement d'un masque
GB2071411B (en) * 1980-03-07 1983-12-21 Philips Electronic Associated Passivating p-n junction devices
US4344985A (en) * 1981-03-27 1982-08-17 Rca Corporation Method of passivating a semiconductor device with a multi-layer passivant system by thermally growing a layer of oxide on an oxygen doped polycrystalline silicon layer
US4420765A (en) * 1981-05-29 1983-12-13 Rca Corporation Multi-layer passivant system
AT384121B (de) * 1983-03-28 1987-10-12 Shell Austria Verfahren zum gettern von halbleiterbauelementen
JPS6042859A (ja) * 1983-08-19 1985-03-07 Toshiba Corp 高耐圧半導体装置の製造方法
JPS6276673A (ja) * 1985-09-30 1987-04-08 Toshiba Corp 高耐圧半導体装置
DE3542166A1 (de) * 1985-11-29 1987-06-04 Telefunken Electronic Gmbh Halbleiterbauelement
EP0388612B1 (en) * 1989-03-24 1994-11-30 International Business Machines Corporation Semiconductor device with self-aligned contact to buried subcollector
JPH04343479A (ja) * 1991-05-21 1992-11-30 Nec Yamagata Ltd 可変容量ダイオード
EP0620586B1 (en) * 1993-04-05 2001-06-20 Denso Corporation Semiconductor device having thin film resistor
US6242792B1 (en) 1996-07-02 2001-06-05 Denso Corporation Semiconductor device having oblique portion as reflection
CN1293374C (zh) * 2002-04-17 2007-01-03 北京师范大学 能直接测量波长的新结构光电探测器及其探测方法
CN111816574B (zh) * 2020-05-29 2022-03-04 济宁东方芯电子科技有限公司 一种uv膜模板及利用uv膜模板实现洁净玻璃钝化的方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2789258A (en) * 1955-06-29 1957-04-16 Raytheon Mfg Co Intrinsic coatings for semiconductor junctions
DE1185896B (de) * 1960-02-20 1965-01-21 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zum Stabilisieren der Oberflaeche von Halbleiterkoerpern mit p-n-UEbergaengen
DE1614455A1 (de) * 1967-03-16 1970-03-05 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer teils aus Siliciumoxid,teils aus Siliciumnitrid bestehenden Schutzschicht an der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers,z.B.einer Halbleiteranordnung
DE1947067A1 (de) * 1968-09-18 1970-04-09 Sony Corp Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US3558348A (en) * 1968-04-18 1971-01-26 Bell Telephone Labor Inc Dielectric films for semiconductor devices
DE1589866A1 (de) * 1966-12-01 1971-03-04 Gen Electric Halbleiterbauelement mit einem Schutzueberzug und Verfahren zu seiner Herstellung
US3649884A (en) * 1969-06-06 1972-03-14 Nippon Electric Co Field effect semiconductor device with memory function

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH428947A (fr) * 1966-01-31 1967-01-31 Centre Electron Horloger Procédé de fabrication d'un circuit intégré
US3419746A (en) * 1967-05-25 1968-12-31 Bell Telephone Labor Inc Light sensitive storage device including diode array
US3440477A (en) * 1967-10-18 1969-04-22 Bell Telephone Labor Inc Multiple readout electron beam device
NL162250C (nl) * 1967-11-21 1980-04-15 Philips Nv Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen.
US3615913A (en) * 1968-11-08 1971-10-26 Westinghouse Electric Corp Polyimide and polyamide-polyimide as a semiconductor surface passivator and protectant coating
US3878549A (en) * 1970-10-27 1975-04-15 Shumpei Yamazaki Semiconductor memories
DE2220807A1 (de) * 1971-04-30 1972-11-16 Texas Instruments Inc Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von polykristallinen Duennfilmen aus Silicium und Siliciumdioxid auf Halbleitersubstraten
NL7204741A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1972-04-08 1973-10-10
JPS532552B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1974-03-30 1978-01-28

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2789258A (en) * 1955-06-29 1957-04-16 Raytheon Mfg Co Intrinsic coatings for semiconductor junctions
DE1185896B (de) * 1960-02-20 1965-01-21 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zum Stabilisieren der Oberflaeche von Halbleiterkoerpern mit p-n-UEbergaengen
DE1589866A1 (de) * 1966-12-01 1971-03-04 Gen Electric Halbleiterbauelement mit einem Schutzueberzug und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1614455A1 (de) * 1967-03-16 1970-03-05 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer teils aus Siliciumoxid,teils aus Siliciumnitrid bestehenden Schutzschicht an der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers,z.B.einer Halbleiteranordnung
US3558348A (en) * 1968-04-18 1971-01-26 Bell Telephone Labor Inc Dielectric films for semiconductor devices
DE1947067A1 (de) * 1968-09-18 1970-04-09 Sony Corp Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US3649884A (en) * 1969-06-06 1972-03-14 Nippon Electric Co Field effect semiconductor device with memory function

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3608418A1 (de) * 1985-03-15 1986-09-18 Sharp Kk Verfahren zur herstellung eines mosfet-gateisolatorfilms

Also Published As

Publication number Publication date
NL7512559A (nl) 1976-04-28
NL183260B (nl) 1988-04-05
IT1044592B (it) 1980-03-31
ES442102A1 (es) 1977-03-16
CH608653A5 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1979-01-15
ATA818475A (de) 1982-08-15
DE2547304C2 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1988-08-11
AT370561B (de) 1983-04-11
AU504667B2 (en) 1979-10-25
US4063275A (en) 1977-12-13
DK480275A (cg-RX-API-DMAC10.html) 1976-04-27
SE7511927L (sv) 1976-04-27
AU8599175A (en) 1977-04-28
NL183260C (nl) 1988-09-01
JPS5149686A (cg-RX-API-DMAC10.html) 1976-04-30
DK142758B (da) 1981-01-12
FR2290040B1 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1979-08-17
DK142758C (cg-RX-API-DMAC10.html) 1981-08-10
GB1515179A (en) 1978-06-21
JPS6022497B2 (ja) 1985-06-03
BR7506996A (pt) 1976-08-17
CA1046650A (en) 1979-01-16
SE411606B (sv) 1980-01-14
FR2290040A1 (fr) 1976-05-28

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