NL183260C - Halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met een op een oppervlak van het halfgeleiderlichaam aangebrachte passiveringslaag van polykristallijn silicium met 2-45 atoom% zuurstof. - Google Patents

Halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met een op een oppervlak van het halfgeleiderlichaam aangebrachte passiveringslaag van polykristallijn silicium met 2-45 atoom% zuurstof.

Info

Publication number
NL183260C
NL183260C NLAANVRAGE7512559,A NL7512559A NL183260C NL 183260 C NL183260 C NL 183260C NL 7512559 A NL7512559 A NL 7512559A NL 183260 C NL183260 C NL 183260C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semicon
crystalline
device containing
layer applied
semiconductor device
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7512559,A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7512559A (nl
NL183260B (nl
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of NL7512559A publication Critical patent/NL7512559A/xx
Publication of NL183260B publication Critical patent/NL183260B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL183260C publication Critical patent/NL183260C/xx

Links

Classifications

    • H10W74/147—
    • H10P14/662—
    • H10P14/683—
    • H10P14/6903—
    • H10W74/131—
    • H10W74/137—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H10P14/6306—
    • H10P14/6309—
    • H10P14/6322—
    • H10P14/6334—
    • H10P14/6342—
    • H10P14/6682—
    • H10P14/69215—
    • H10P14/6922—
    • H10P14/6929—
    • H10P14/69391—
    • H10P14/69433—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
    • Y10S257/905—Plural dram cells share common contact or common trench
NLAANVRAGE7512559,A 1974-10-26 1975-10-27 Halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met een op een oppervlak van het halfgeleiderlichaam aangebrachte passiveringslaag van polykristallijn silicium met 2-45 atoom% zuurstof. NL183260C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP49123765A JPS6022497B2 (ja) 1974-10-26 1974-10-26 半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7512559A NL7512559A (nl) 1976-04-28
NL183260B NL183260B (nl) 1988-04-05
NL183260C true NL183260C (nl) 1988-09-01

Family

ID=14868714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7512559,A NL183260C (nl) 1974-10-26 1975-10-27 Halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met een op een oppervlak van het halfgeleiderlichaam aangebrachte passiveringslaag van polykristallijn silicium met 2-45 atoom% zuurstof.

Country Status (15)

Country Link
US (1) US4063275A (cg-RX-API-DMAC10.html)
JP (1) JPS6022497B2 (cg-RX-API-DMAC10.html)
AT (1) AT370561B (cg-RX-API-DMAC10.html)
AU (1) AU504667B2 (cg-RX-API-DMAC10.html)
BR (1) BR7506996A (cg-RX-API-DMAC10.html)
CA (1) CA1046650A (cg-RX-API-DMAC10.html)
CH (1) CH608653A5 (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE (1) DE2547304A1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
DK (1) DK142758B (cg-RX-API-DMAC10.html)
ES (1) ES442102A1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
FR (1) FR2290040A1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
GB (1) GB1515179A (cg-RX-API-DMAC10.html)
IT (1) IT1044592B (cg-RX-API-DMAC10.html)
NL (1) NL183260C (cg-RX-API-DMAC10.html)
SE (1) SE411606B (cg-RX-API-DMAC10.html)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2632647A1 (de) * 1976-07-20 1978-01-26 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit passivierender schutzschicht
IN147578B (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1977-02-24 1980-04-19 Rca Corp
DE2730367A1 (de) * 1977-07-05 1979-01-18 Siemens Ag Verfahren zum passivieren von halbleiterelementen
US4174252A (en) * 1978-07-26 1979-11-13 Rca Corporation Method of defining contact openings in insulating layers on semiconductor devices without the formation of undesirable pinholes
CA1136773A (en) * 1978-08-14 1982-11-30 Norikazu Ohuchi Semiconductor device
FR2459551A1 (fr) * 1979-06-19 1981-01-09 Thomson Csf Procede et structure de passivation a autoalignement sur l'emplacement d'un masque
GB2071411B (en) * 1980-03-07 1983-12-21 Philips Electronic Associated Passivating p-n junction devices
US4344985A (en) * 1981-03-27 1982-08-17 Rca Corporation Method of passivating a semiconductor device with a multi-layer passivant system by thermally growing a layer of oxide on an oxygen doped polycrystalline silicon layer
US4420765A (en) * 1981-05-29 1983-12-13 Rca Corporation Multi-layer passivant system
AT384121B (de) * 1983-03-28 1987-10-12 Shell Austria Verfahren zum gettern von halbleiterbauelementen
JPS6042859A (ja) * 1983-08-19 1985-03-07 Toshiba Corp 高耐圧半導体装置の製造方法
JPS61222172A (ja) * 1985-03-15 1986-10-02 Sharp Corp Ｍｏｓｆｅｔのゲ−ト絶縁膜形成方法
JPS6276673A (ja) * 1985-09-30 1987-04-08 Toshiba Corp 高耐圧半導体装置
DE3542166A1 (de) * 1985-11-29 1987-06-04 Telefunken Electronic Gmbh Halbleiterbauelement
EP0388612B1 (en) * 1989-03-24 1994-11-30 International Business Machines Corporation Semiconductor device with self-aligned contact to buried subcollector
JPH04343479A (ja) * 1991-05-21 1992-11-30 Nec Yamagata Ltd 可変容量ダイオード
DE69427501T2 (de) * 1993-04-05 2002-05-23 Denso Corp., Kariya Halbleiteranordnung mit Dünnfilm-Widerstand
US6242792B1 (en) 1996-07-02 2001-06-05 Denso Corporation Semiconductor device having oblique portion as reflection
CN1293374C (zh) * 2002-04-17 2007-01-03 北京师范大学 能直接测量波长的新结构光电探测器及其探测方法
CN111816574B (zh) * 2020-05-29 2022-03-04 济宁东方芯电子科技有限公司 一种uv膜模板及利用uv膜模板实现洁净玻璃钝化的方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2789258A (en) * 1955-06-29 1957-04-16 Raytheon Mfg Co Intrinsic coatings for semiconductor junctions
DE1184178B (de) * 1960-02-20 1964-12-23 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zum Stabilisieren der Oberflaeche von Halbleiterkoerpern mit pn-UEbergaengen durch Vakuumbedampfen
CH428947A (fr) * 1966-01-31 1967-01-31 Centre Electron Horloger Procédé de fabrication d'un circuit intégré
GB1211354A (en) * 1966-12-01 1970-11-04 Gen Electric Improvements relating to passivated semiconductor devices
DE1614455C3 (de) * 1967-03-16 1979-07-19 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen einer teils aus Siliciumoxid, teils aus Siliciumnitrid bestehenden Schutzschicht an der Oberfläche eines Halbleiterkörpers
US3419746A (en) * 1967-05-25 1968-12-31 Bell Telephone Labor Inc Light sensitive storage device including diode array
US3440477A (en) * 1967-10-18 1969-04-22 Bell Telephone Labor Inc Multiple readout electron beam device
NL162250C (nl) * 1967-11-21 1980-04-15 Philips Nv Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen.
US3558348A (en) * 1968-04-18 1971-01-26 Bell Telephone Labor Inc Dielectric films for semiconductor devices
US3615913A (en) * 1968-11-08 1971-10-26 Westinghouse Electric Corp Polyimide and polyamide-polyimide as a semiconductor surface passivator and protectant coating
JPS497870B1 (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1969-06-06 1974-02-22
US3878549A (en) * 1970-10-27 1975-04-15 Shumpei Yamazaki Semiconductor memories
DE2220807A1 (de) * 1971-04-30 1972-11-16 Texas Instruments Inc Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von polykristallinen Duennfilmen aus Silicium und Siliciumdioxid auf Halbleitersubstraten
NL7204741A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1972-04-08 1973-10-10
JPS532552B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1974-03-30 1978-01-28

Also Published As

Publication number Publication date
NL7512559A (nl) 1976-04-28
AU504667B2 (en) 1979-10-25
JPS5149686A (cg-RX-API-DMAC10.html) 1976-04-30
US4063275A (en) 1977-12-13
GB1515179A (en) 1978-06-21
FR2290040B1 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1979-08-17
SE411606B (sv) 1980-01-14
DE2547304C2 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1988-08-11
CA1046650A (en) 1979-01-16
AU8599175A (en) 1977-04-28
JPS6022497B2 (ja) 1985-06-03
DE2547304A1 (de) 1976-04-29
DK480275A (cg-RX-API-DMAC10.html) 1976-04-27
ATA818475A (de) 1982-08-15
DK142758B (da) 1981-01-12
NL183260B (nl) 1988-04-05
SE7511927L (sv) 1976-04-27
FR2290040A1 (fr) 1976-05-28
DK142758C (cg-RX-API-DMAC10.html) 1981-08-10
BR7506996A (pt) 1976-08-17
CH608653A5 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1979-01-15
AT370561B (de) 1983-04-11
IT1044592B (it) 1980-03-31
ES442102A1 (es) 1977-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL183260C (nl) Halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met een op een oppervlak van het halfgeleiderlichaam aangebrachte passiveringslaag van polykristallijn silicium met 2-45 atoom% zuurstof.
NL182681C (nl) Halfgeleiderinrichting met een passiveringslaag van polykristallijn silicium met hoge weerstand.
NL7710603A (nl) Inrichtingen met een laag van amorf silicium.
CA920284A (en) Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured according to the method
NL190255B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met ten minste een uit het oppervlak van het halfgeleiderlichaam uitstekend elektrodelichaam van polykristallijn silicium.
NL7607571A (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een actief gebied van amorf silicium.
NL153374B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting voorzien van een oxydelaag en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL171309C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, waarbij een laag van siliciumdioxyde wordt gevormd op een oppervlak van een monokristallijn lichaam van silicium.
CA1034263A (en) Silicon semiconductor device with stress-free electrodes
NL142283B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een op het halfgeleideroppervlak aangebrachte laag siliciumoxyde.
NL151270C (nl) Monokristallijn lichaam van alfa-aluminiumoxyde waarop een laag monokristallijn silicium is aangebracht.
NL144779B (nl) Werkwijze tot het vervaardigen van een halfgeleiderelement met een passiverende siliciumoxydelaag en halfgeleiderelement volgens die werkwijze.
CA956039A (en) Semiconductor device fabrication using nickel to mask cathodic etching
NL176379C (nl) Werkwijze voor het op een substraat van monokristallijn halfgeleidermateriaal afzetten van monokristallijn halfgeleidermateriaal met een kristalrooster dat vrijwel overeenkomt met het kristalrooster van het halfgeleidermateriaal van het substraat.
CA927978A (en) Fabrication of integrated semiconductor devices by electrochemical etching
NL171944C (nl) Halfgeleiderinrichting met een op het halfgeleiderlichaam aangebrachte isolerende laag van siliciumdioxyde en een beschermende laag van siliciumcarbide.
ZA727392B (en) Thin layer semiconductor device
NL163903C (nl) Halfgeleiderinrichting, waarbij een deel van het oppervlak is bedekt met een isolerende laag en een op de isolerende laag aangebrachte beschermende laag van gedoteerd siliciumdioxyde.
IT968985B (it) Metodo di fabbricazione di dispo sitivi semiconduttori incorporan ti silicio policristallino
JPS5228277A (en) Non-voltatile semiconductor memory device
DE3685020D1 (de) Strukturierter halbleiterkoerper.
GB1079046A (en) Improvements in and relating to semiconductor devices
NL7403470A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting met een in een halfgelei- derlichaam verzonken isolatielaag en halfge- leiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
FR2234646A1 (en) Semiconductor-photocathode working by transmission modes - by growing semiconductor layer and protective layer, and etching
IT947673B (it) Procedimento atto a impedire o at tenuare l autodrogaggio o diffusio ne spontanea di impurita in dispo sitivi semiconduttori

Legal Events

Date Code Title Description
BC A request for examination has been filed
A85 Still pending on 85-01-01
V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent

Free format text: 951027