NL176379C - Werkwijze voor het op een substraat van monokristallijn halfgeleidermateriaal afzetten van monokristallijn halfgeleidermateriaal met een kristalrooster dat vrijwel overeenkomt met het kristalrooster van het halfgeleidermateriaal van het substraat. - Google Patents

Werkwijze voor het op een substraat van monokristallijn halfgeleidermateriaal afzetten van monokristallijn halfgeleidermateriaal met een kristalrooster dat vrijwel overeenkomt met het kristalrooster van het halfgeleidermateriaal van het substraat.

Info

Publication number
NL176379C
NL176379C NLAANVRAGE7208261,A NL7208261A NL176379C NL 176379 C NL176379 C NL 176379C NL 7208261 A NL7208261 A NL 7208261A NL 176379 C NL176379 C NL 176379C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor material
crystal lattice
monocrystalline semiconductor
freely
sub
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7208261,A
Other languages
English (en)
Other versions
NL7208261A (nl
Original Assignee
Rca Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rca Corp filed Critical Rca Corp
Publication of NL7208261A publication Critical patent/NL7208261A/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL176379C publication Critical patent/NL176379C/nl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02463—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/02546—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02581—Transition metal or rare earth elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
NLAANVRAGE7208261,A 1971-06-18 1972-06-16 Werkwijze voor het op een substraat van monokristallijn halfgeleidermateriaal afzetten van monokristallijn halfgeleidermateriaal met een kristalrooster dat vrijwel overeenkomt met het kristalrooster van het halfgeleidermateriaal van het substraat. NL176379C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15455371A 1971-06-18 1971-06-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7208261A NL7208261A (nl) 1972-12-20
NL176379C true NL176379C (nl) 1985-04-01

Family

ID=22551786

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL190774D NL190774A (nl) 1971-06-18
NLAANVRAGE7208261,A NL176379C (nl) 1971-06-18 1972-06-16 Werkwijze voor het op een substraat van monokristallijn halfgeleidermateriaal afzetten van monokristallijn halfgeleidermateriaal met een kristalrooster dat vrijwel overeenkomt met het kristalrooster van het halfgeleidermateriaal van het substraat.

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL190774D NL190774A (nl) 1971-06-18

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3692593A (nl)
JP (1) JPS5132530B1 (nl)
CA (1) CA955832A (nl)
DE (1) DE2227883C2 (nl)
FR (1) FR2142010B1 (nl)
GB (1) GB1375269A (nl)
IT (1) IT955495B (nl)
NL (2) NL176379C (nl)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3727115A (en) * 1972-03-24 1973-04-10 Ibm Semiconductor electroluminescent diode comprising a ternary compound of gallium, thallium, and phosphorous
NL7306004A (nl) * 1973-05-01 1974-11-05
CA1049127A (en) * 1974-03-05 1979-02-20 Kunio Itoh Semiconductor devices with improved heat radiation and current concentration
JPS5329508B2 (nl) * 1974-03-27 1978-08-21
US4008106A (en) * 1975-11-13 1977-02-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of fabricating III-V photocathodes
US4273609A (en) * 1978-10-25 1981-06-16 Sperry Corporation Rinse melt for LPE crystals
US4233090A (en) * 1979-06-28 1980-11-11 Rca Corporation Method of making a laser diode
US4373989A (en) * 1981-11-30 1983-02-15 Beggs James M Administrator Of Controlled in situ etch-back
DE3345214A1 (de) * 1983-12-14 1985-06-27 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Diode
US5185288A (en) * 1988-08-26 1993-02-09 Hewlett-Packard Company Epitaxial growth method
KR900013612A (ko) * 1989-02-17 1990-09-05 프레데릭 얀 스미트 두 물체의 연결 방법 및 장치

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3429756A (en) * 1965-02-05 1969-02-25 Monsanto Co Method for the preparation of inorganic single crystal and polycrystalline electronic materials
US3537029A (en) * 1968-06-10 1970-10-27 Rca Corp Semiconductor laser producing light at two wavelengths simultaneously
US3565702A (en) * 1969-02-14 1971-02-23 Rca Corp Depositing successive epitaxial semiconductive layers from the liquid phase

Also Published As

Publication number Publication date
DE2227883A1 (de) 1972-12-21
NL190774A (nl)
IT955495B (it) 1973-09-29
FR2142010B1 (nl) 1977-12-23
NL7208261A (nl) 1972-12-20
DE2227883C2 (de) 1983-11-24
FR2142010A1 (nl) 1973-01-26
JPS5132530B1 (nl) 1976-09-13
US3692593A (en) 1972-09-19
GB1375269A (nl) 1974-11-27
CA955832A (en) 1974-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL161305B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL170901C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL161302B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL7502901A (nl) Magnetisch bandapparaat met een inrichting voor bepaling van het type van de magnetische laag op een te gebruiken magneetband.
NL158025B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
SE387057B (sv) Sett att odla ett epiyaxiellt kristallskikt pa ett substrat samt anordning for genomforande av settet
NL176379C (nl) Werkwijze voor het op een substraat van monokristallijn halfgeleidermateriaal afzetten van monokristallijn halfgeleidermateriaal met een kristalrooster dat vrijwel overeenkomt met het kristalrooster van het halfgeleidermateriaal van het substraat.
NL7612006A (nl) Werkwijze voor het laten groeien van een monokris- tal van een halfgeleiderverbinding.
NL172741C (nl) Gevormd preparaat voor het langzaam afgeven van voedingsstoffen voor planten.
NL158022B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7509213A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van laagstruc- turen.
NL145527B (nl) Werkwijze voor het disproportioneren van alkenen.
BE776481A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleidermonokristallen
NL165240C (nl) Werkwijze voor het afdichten van een waterkerend opper- vlak.
NL172803C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een primair trefelement op basis van uraanmateriaal, dat aan uraan-235 is verrijkt.
NL7507389A (nl) Werkwijze voor het bereiden van materiaal met immu- nologische werking.
BE779166A (nl) Werkwijze voor het kweken van microorganismen
NL148484B (nl) Automatische inrichting voor het produceren van flensjes.
CA948075A (en) Method of depositing a layer of semiconductor material
NL7407256A (nl) Werkwijze voor het bekleden van een substraat.
NL7411911A (nl) Werkwijze voor het groeien van kristallen.
NL7406964A (nl) Inrichting voor het inspecteren van magne- tische kristallen.
NL148863B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een ferriet met een kristalstructuur van het granaattype en magnetische inrichting, voorzien van dit ferriet.
NL7608427A (nl) Substraat voor het kweken van microoerganismen.
NL7500638A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een vloei- bare-kristalinrichting en inrichting vervaar- digd volgens deze werkwijze.

Legal Events

Date Code Title Description
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
A85 Still pending on 85-01-01
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee