DE2220807A1

DE2220807A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von polykristallinen Duennfilmen aus Silicium und Siliciumdioxid auf Halbleitersubstraten

Info

Publication number: DE2220807A1
Application number: DE19722220807
Authority: DE
Inventors: Victor Harrap
Original assignee: Texas Instruments Inc
Current assignee: Texas Instruments Inc
Priority date: 1971-04-30
Filing date: 1972-04-27
Publication date: 1972-11-16

Description

Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von polykristallinen Dünnfilmen aus Silicium und Siliciumdioxid auf Halbleitersubstraten Die Erfindung betrifft ganz allgemein Verfahren und Vorrichtungen zur Abscheidung von Materialschichten auf Halbleiterplättchen und insbesondere betrifft sie ein verbessertes Verfahren und eine Vorrichtung zur Abscheidung von Schichten aus Silicium und Siliciumdioxid.
In der Fachterininologie wird ein induktionsbeheizter Reaktor als "Kaltwandreaktor" bezeichnet. Bei einem typischen Kaitwandreaktor sind Hochfrequenzinduktions wicklungen außerhalb der Reaktorwand und diese urngebend in einem innerhalb der Reaktionskammer angeordneten Suszeptor, typischerweise Graphit, gekoppelt, so daß uf dem Suszeptor angeordnete Plättchen selektiv erhitzt wurden. Den Wänden eines solchen Reaktors wird keine Wärme zugeführt. Im Gegensatz dazu betrifft der Ausdruck "Heißwandreaktor" einen Reaktor, in welchem der Reaktorwand und durch diese hindurch direkt Wärme zugeführt wird, so daß innerhalb des Reaktors befindliche Halbleiterplättchen erhitzt werden. Dieser Reaktor wird in typischer Weise durch elektrische Widerstandswicklungen erhitzt.
Eine Hauptaufgabe der Halbleitertechnik besteht in der Entwicklung einfacherer, schnellerer und wirtschaftlicherer Verfahren zur Erhöhung der Produktion und Senkung der Kosten. Viele Verfahrensstufen der bekannten Verfahren werden in Kaltwandreaktoren durchgeführt; HeißwandreaFtoren sind jedoch wesentlich billiger als die Kaltwan#-reaktoren. Die hohen Investierungskosten werden desllalb durch die Entwicklung von Verfahrensstufen herabgE3.t#:etzt, die in Heißwandreaktoren durchführbar sind. Führt man mehrere Verfahrensstufen in situ durch, d.h. ohne ein Plättchen aus dem Reaktor zu entnehmen, wird die Herstellungsfolge kontrollierbarer und die Möglichkeit, Verunrciniun einzuführen, wird verringert. Somit können stabilere und zuverlässiger arbeitende Vorrichtungen mit geringeren Kosten hergestellt werden. Wünschenswert ist auch die Durchführung von Verfahrensstufen bei der Halbleiterherstellung bei verhältnismässig niedrigen Temperaturen, da eine wiederholte Einwirkung verhältnismässig hoher Temperaturen zur Herabsetzung der brauchbaren Lebensdauer der hergestellten Vorrichtung führt.
Es gibt zwei Typen von üblichen Heißwandreaktoren, nämlich solche mit offenem und solche mit geschlossenem Ende. Bei einem Ofen mit offenem Ende treten Abscheidungsgase in die Abscheidungskammer ein und die Restgase gelangen durch das offene Ende des Reaktors in die Atmosphäre. Ein Reaktor mit geschlossenem Ende umfasst in der Regel ein Endteil, das gleitbar in einem konischen Ende eines Abscheidungsteils sitzt. In einem Reaktor mit geschlossenem Ende treten die Restgase durch ein mit dem Endteil verbundenes Austrittsrohr aus. Bei beiden Arten der üblichen Heißwandreaktoren besteht die Neigung, daß Reststoffe, insbesondere Oxide,sich abscheiden und sich an den Innenwänden des Reaktors ansetzen. Plättchen werden daher häufig durch feinteilige Rückstände verunreinigt, wenn sie in den Reaktor eingebracht oder daraus entnommen werden.
Ein Merkmal der Erfindung besteht somit in einem verbesserten Heißwandreaktor mit einer Ab sche idung slrammcr mit einem konischen Ende, in welchem gleitbar ein lDndteil sitzt. Dieses Endteil besteht aus einem Innellrolzr, welches-in das Abscheidungsteil hineinragt und konische Randteile besitzt, welche auf die Innenwand der Absclleidungskammer zu verlaufen, jedoch einen Abstand davon besitzen.
Abscheidungsgase treten an einem Ende der Abscheidungs kammer ein, fließen durch das Innenrohr und durch ein Austrittsrohr heraus, welches sich in das Innenrohr durch eine Wand desselben nahe am Ende des Innenrohrs öffnet. Ein Strom aus inerten Gas tritt in das Endteil durch ein Rohr in der Wand desselben ein und fließt durch den freien Raum zwischen dem Innenrohr und der Abscheidungskammer und in die Abscheidungskammer. Das inerte Gas mischt sich mit den Abscheidungsgasen und tritt durch das Austrittsrohr aus. Der inerte Gasstrom verhindert die Abscheidung von Rückständen auf der Innenseite der Abscheidungskammer. Obwohl eine Rückstandsabscheidung auf der Innenseite des Innenrohrs erfolgen kann, wird d-as ganze Endteil vor dem Einbringen oder Entnehmen von Plättchen in die Abscheidungskammer entfernt. Eine Verunreinigung durch feinteilige Rückstände wird somit nahezu ganz vermieden.
Eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens umfasst die Pyrolyse von Silan in Argon oder Stickstoff als Verdünnungsmittel bei Temperaturen von etwa 600 bis 7000 a in einem verbesserten Heißwandreaktor. Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird eine Siliciumdioxidschicht auf einem Halbleiterplättchen in einem HeißWandreaktor durch Reaktion von Silan mit Sauerstoff in einem Stickstoffträger bei einer Temperatur von etwa 480°C abgeschieden. Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird eine Siliciumschicht auf die vorstehend gerade beschriebene Weise gebildet, worauf auf die ebenfalls vorstehend beschriebene Weise eine Siliciumdioxidschicht ohne Entnahme des Plättchens aus dem Heißwandreaktor gebildet wird. Eine weitere Ausführungsform der Erfindung umfasst eine Methode für die aufeinanderfolgende Bildung in situ einer Siliciumnitridschicht, einer polykristallinen Siliciumschicht und einer Siliciumdioxidschicht auf einem Halbleitersubstrat. Gemäß noch einer weiteren Ausführungsform der Erfindung werden relativ nominelle Mengen Ammoniak in die Abscheidungskammer eingeführt und polykristalline Siliciumschichten mit anomal hohem Schichtwiderstand werden abgeschieden.
Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines verbesserten Heißwandreaktors.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung einer Methode zur Abscheidung von Silicium und/oder Siliciumdioxid in einem Heißwandreaktor.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung einer Methode für die in situ Abscheidung einer Silicium-und einer Siliciumdioxidschicht in einem Heißwandreaktor.
Noch eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung einer Methode zur Abscheidung von Silicium-und Siliciumdioxidschichten auf einem Halbleiterplattchen bei verhältnismäßig niedrigen Temperaturen und mit verhältnismäßig hohen Abscheidungsge schwindigkeiten in einem Heißwandreaktor.
Die Erfindung umfaßt auch die Schaffung eines Verfahrens für die aufeinanderfolgende in situ Bildung einer Siliciumnitridschicht, einer polykristallinen Siliciumschicht und einer Siliciumdioxidschicht auf einem Halt leitersubstrat zum Beispiel bei der Herstellung eines Feldeffekttransistors mit Silicium-Steuerelektrode.
Noch eine weitere Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung einer Methode zur Abscheidung polykristalliner Siliciumschichten mit einem regelbaren, hohen Schichtwiderstande Weitere Aufgaben und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit der Zeichnung ersichtlich0 In der Zeichnung zeigen: Fig. 1 einen Längsschnitt durch den verbesserten Heißwandreaktor; Fig. 2 ein schematiches Flußdiagramm eines bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendeten Ab scheidungssystems und Fig. 3 - 5 Schnittansichten durch ein Halbleiterplättchen, die aufeinanderfolgende Stufen-bei der Herstellung eines Feldeffekttransistors mit Silicium-Steuerelektrode gemäß einer Ausführungsform der Erfindung erläutern.
Der verbesserte Heißwandreaktor gemäß der Erfindung ist in Fig. 1 dargestellt. Der Reaktor besitzt ein Reaktionsteil 1 und ein Endteil 2. Das Endteil 2 sitzt gleitbar in einem konischen Ende 11 des Reaktionsteils 1. Das Endteil 2 besitzt ein Innenrohr 6, das in das Reaktionsteil 1 hineinragt und eine nach außen konisch auf die Innenwand des Reaktionsteils 1 zu verlaufende Kante 12 besitzt, die sich jedoch von dieser Innenwand in einem Abstand befindet. Der hier beschriebene Reaktor ist 137 cm lang und der Innendurchmesser des Reaktors beträgt 69 mm. In diesem Reaktor befindet sich der konische Rand des Innenrohrs in einem Abstand von etwa 1 bis 2 mm von der Innen wand des Reaktors.
Ein Schiffchen 4 mit mehreren Halbleiterplättchen darauf ist innerhalb der Abscheidungskammer 5 des Abscheidungsteils 1 dargestellt. Der Ofen 3 umgibt den Abscheidungsraum 5. Abscheidungsgase treten durch das Rohr 9 in den beheizten Abscheidungsraum ein und strömen über die Plättchen auf dem Schiffchen, wo die gewünschte Materialschicht auf diesen Plättchen abgeschieden wird. Diese Gase strömen dann durch das Innenrohr 6 und durch das Austrittsrohr 7 aus, welches einen wahlweisen Abstand vom geschlossenen Ende EO besitzt. Ein inertes Gas, typischerweise Stickstoff, tritt in ein Rohr 8 ein, üblicherweise mit einer Strömungsgeschwindigkeit von etwa 4 Liter/Minute, und fließt durch den freien Raum zwischen dem Reaktionsteil 1 und dem Innenrohr 6 und rund um das konische Ende 12 in die Abscheidungskammer und von da in gleicher Weise wie die Abscheidungsgase in das Austrittsrohr 7. Dieser inerte Gasstrom verhindert, daß sich Rückstände auf der Innenwand des Abscheidungsteils 1 absetzen. Obwohl eine Rückstandsschicht 13 auf der Innenwand des Innenrohrs abgeschieden werden kann, wird. doch das ganze Endteil 2 vor dem Einsetzen oder Entnehmen von Plättchen in die Abscheidungskammer entfernt, so daß eine Verunreinigung durch feinteilige Rückstände im wesentlichen vermieden wird. Ein weiterer Vorteil gegenüber üblichen Reaktoren mit offenem Ende besteht darin, daß keine Luft zurück in den Reaktionsraum strömen kann.
In Fig. 2 ist schematisch ein zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens verwendetes Ofensystem dar gestellt. Verschiedene Träger-und Abscheidungsgase treten in den Reaktionsraum 5 durch das Anschlußrohr 9 ein und durch das Austrittsrohr 7 aus. Der Sauerstoffbehälter 31, der Stickstoffbehälter-32, der Silanbehälter 33 und der Ammoniakbehälter 34 sind über Strömungsmesser an den Reaktionsraum angeschlossen. Die Strömungsmesser 21 - 27 dienen zur Steuerung der Strömungsgeschwindigkeit der Gase.
Die verschiedenen Ausführungsformen #er Erfindung sowie die Benutzungsweise des Systems von Fig. 1 werden nachstehend im einzelnen unter Bezugnahme auf spezifische Beispiele der verschiedenen Ausführungsformen beschrieben.
Der in den folgenden Beispielen verwendete Reaktor war 137 cm lang und besaß einen Innendurchmesser von 69 mm.
Beispiel 1 Eine polykristalline Siliciumschicht wird auf einem Halbleiterplättchen durch Pyrolyse von Silan in einem Argonverdünnungsmittel bei etwa 600 bis 7000 C abgeschieden.
Ein aus dem Behälter 33 zugeführtes Silan/Argon-Gemisch enthält etwa 99 Gew.# Argon. Stickstoff wird als Trägergas mit einer Strömungsgeschwindigkeit von etwa 25 1/Min.
und das Silan/Argon-Gemisch wird mit einer Strömungsgeschwindigkeit von etwa 2 1/Min. in den Reaktionsraum eingeleitet. Das Silan zersetzt sich unter Bildung von Silicium und Wasserstoff. Auf dem Plättchen wird eine Siliciumschicht abgeschieden und der Wasserstoff und der Stickstoff strömen durch das Rohr 7 aus. Siliciumschichten mit einer Dicke von einigen wenigen Hundert Angström bis zu mehreren Tausend Angström können auf diese Weise abgeschieden werden. Eine auf diese Weise abgeschiedene polykristalline Siliciumschicht mit einer Dicke von etwa 1000 Angström besitzt in typischer Weise einen Schichtwiderstand von etwa 1011 Ohm pro Quadrat. Kennzahlen z.B.
Oberflächenrauhigkeit, Porosität, Orientierung und Polykristallinität sind extrem gut.
Beispiel 2 Silan wird mit Sauerstoff unter Abscheidung einer Siliciumdioxidschicht auf den auf dem Schiffchen befindlichen Plättchen umgesetzt, wobei Wasserdampf als Nebenprodukt entsteht, das durch das Rohr 7 abfließt. Stickstoff als Trägergas wird durch den Strömungsmesser 22 mit einer Geschwindigkeit von etwa 10 1/Min. in den Reaktionsraum 5 eingeleitet. Das Silan/Argon-Gemisch wird in den Reaktionsraum über den Strömungsmesser 23 mit einer Geschwindigkeit von etwa 1,05 1/Min. eingeleitet. Sauerstoff strömt durch den Strömungsmesser 21 mit einer Geschwindigkeit von etwa 0,6 1/Min. in den Reaktionsraum. Die sich abspielende Reaktion ist SiH4 + 202 - zu SiO2 + 2H20 Bei einer bevorzugten Temperatur von etwa 4800 a erzielt man eine Abscheidungsgeschwindigkeit von etwa 350 Angström pro Minute. Temperaturen von etwa 350 - 6000 C ergeben zufriedenstellende Si02-Schichten.
Beispiel 3 Eine polykristalline Siliciumschicht wird zuerst auf dem Plättchen gemäß Beispiel 1 gebildet. Dann wird der Silanzustrom abgeschaltet und der Stickstoffstrom wird verstärkt, um den Reaktionsraum auszuspülen. Ohne Eyitnahme der Plättchen aus dem Reaktionsraum wird der Silan strom wieder angestellt und man beginnt mit dem Zustrom von Sauerstoff, wobei sich eine Siliciumdioxidschicht auf der gemäß Beispiel 2 erhaltenen Siliciumschicht abw scheidet. Diese in situ Bildung der polykristallinen Schicht und der Oxidschicht ergibt zahlreiche Vorteile, einschl. der Freiheit von Verunreinigungen und Herabsetzung von Beschädigungen durch die Handhabung. Es gibt viele Anwendungszwecke, für welche die Bildung einer Siliciumdioxidschicht auf der polykristallinen Silicium schicht erwünscht ist. Zum Beispiel kann die Oxidschicht in Form eines Musters gebracht und als Ätzmaskierung verwendet werden, welche ein Ätzen des darunter befindlichen polykristallinen Siliciums und Substrats ermöglicht.
Kiese bei niedriger Temperatur verlaufenden Prozesse vermeiden unerwünschte Diffusionen und ergeben Vorrichtune gen mit langer Lebensdauer und Stabilität.
Eine auf dem Siliciumfilm abgeschiedene Siliciumdioxidschicht ermöglicht die Verwendung üblicher fotolitografischer Methoden zur Erzielung eines endgültigen Musters.
Negative und positive Ätzschutzschichten wurden erfolgreich zur Begrenzung des abgeschiedenen Oxids verwendet.
Die Ätzgeschwindigkeit des Oxids bei einer üblichen Netzätzung bei 340 C beträgt etwa 500 Angström pro Minute; und in einer 10 #igen Verdünnung von Fluorwasserstoffsäure bei Raumtemperatur beträgt sie etwa 2000 Angström pro Minute, d.h. sie ist viermal größer als bei thermischem Oxid. Das so in Form eines Musters gebrachte Oxid dient dann als Ätzmaske zum Ätzen des darunter befindlichen Siliciums. Gute Ergebnisse erzielte man mit 25 gew.#Iger KOH bei 65 - 700 C. Die Atzgeschwindigkeit dieses polykristallinen Siliciums beträgt etwa 1500 Angström pro Minute Beispiel 4 Nominelle Mengen Ammoniak werden in den Abscheidungsraum während der Pyrolyse von Silan zur Erzeugung polykristalliner Siliciumschichten mit extra hohem spezifischen Widerstand eingeleitet. Stickstoff aus dem Behälter 32 wird über den Strömungsmesser 22 mit einer Strömungsgeschwindigkeit von etwa 25 1/Min. in den Reaktionsraum eingeführt. Ein Silan/Argon-Gemisch wird durch den Strömungsmesser 23 mit einer Strömungsgeschwindigkeit von etwa 2,5 1/Min. eingeleitet. Ammoniak aus dem Behälter 34 strömt über den Strömungsmesser 26 mit etwa 50 cm3/Min..
Das aus dem Strömungsmesser 26 kommende Ammoniak Kird mit Stickstoff mit einer Strömungsgeschwindigkeit von etwa 500 cm3/Min. aus dem Behälter 32 über den Strömungsmesser 25 gemischt und dadurch verdm nt Dieses zusammengesetzte Gas ( enthaltend-1 Teil Ammoniak auf 10 Teile Stickstoff) wird mit einer Strömungsgeschwindigkeit von etwa 40 cm3/Min. durch den Strömungsmesser 27 in den Reaktionsraum 5 eingeleitet und das überschüssige Gas wird durch die Entlüftung 39 abgeführt. Auf diese Weise wurden polykristalline -Schichten mit einem Schichtwiderstand in der Größenordnung von 1013 Ohm pro Quadrat, verglichen mit dem Schichtwiderstand einer typischen polykristallinen Siliciumschicht von etwa 1011 Ohm pro Quadrat, abgeschieden. Der spezifische Widerstand kann leicht durch Änderung der relativen Konzentration an Silan und Ammoniak gesteuert werden. Der spezifische Widerstand sowie die Abscheidungsgeschwindigkeit hängen auch von der Temperatur ab. Beste Ergebnisse wurden bei einer Temperatur von etwa 600 bis 7000 C erzielt.
Offensichtlich wird Siliciumnitrid durch die ganze abgeschiedene polykristalline Siliciumschicht hindurch dispergiert, was als Modifizierungsmittel des Widerstands und der Erhöhung desselben dient. Ähnliche Ergebnisse erzielt man bei Einführung von Sauerstoff anstatt Ammoniak.
Beispiel 5 Eine Schicht aus Siliciumnitrid, eine Schicht aus polykristallinem Silicium und eine Schicht aus Siliciumdioxid werden nacheinander in situ bei der Herstellung eines Feldeffekttransistors mit Silicium-Stewerelektrode gebildet.
In Fig. 3 wird eine Isolierschicht, z.B. die Oxidschicht 43, zunächst auf dem Substrat 41 gebildet. Die Oxidschicht 43 kann gemäß Beispiel 1 oder nach üblichen Methoden, z.B.
durch thermisches Wachstum in einer trockenen Sauerstoffatmosphäre bei etwa 12000 C, erhalten werden. Die Oxidschicht 43 ist in typischer Weise etwa 1080 Angström dick.
Dann wird auf der Oxidschicht 43 die Siliciumn.itridschicht 45 gebildet. Diese Nitridschicht entsteht bei einer Temperatur von etwa 800 bis 9000 C unter Verwendung der Vorrichtung von Fig. 2. Bei einer Temperatur im Abscheidungsraum von etwa 8500 C und einer Strömungsgeschwindigk-eit des Stickstoffs von etwa 128 1/Min0, einer Stromungsgeschwindigkeit des Silan/Argon-Gemischs von etwa 0,6 1/Min.
und einer Ammoniak-Strömungsgeschwindigkeit von etwa 1,5 1/Min. erzielt man eine Abscheidungsgeschwindigkeit von etwa 70 Angström pro Minute. Die gebildete Nitridschicht ist durch gleichmäßige Dicke, einen typischen Brechungsindex von etwa 1,96 - 1,98 und eine Ätzgeschwindigkeit von etwa 120 - 150 Angström/Minute in konzentrierter HF gekennzeichnet.
Die Nitridschicht 45 wird in typischer Weise in einer Stärke von etwa 400 Angström gebildet. Nach dieser Verfahrensstufe wird der Reaktionsraum mit reinem Stickstoff ausgespült, worauf nacheinander gemäß Beispiel 3 die polykristalline Siliciumschicht 47 und die Siliciumdioxidschicht 49 gebildet werden. Die Siliciumschicht 47 erhält in der Regel eine Dicke von etwa 2700 Angström und die Oxidschicht 49 eine Dicke von etwa 3000 Angström.
Die gewünschten Quellen-und Senkenbereiche werden dann in dem die Oberschicht bildenden Oxid, für gewöhnlich durch Anwendung der KMER-Kontaktfotolithografie, definiert.
Der Fotolack wird dann entfernt und die ein Muster aufweisende Oxidschicht dient als Ätzmaske æur Xtzung des freigelegten polykristallinen Siliciums mit 25 %iger KOH bei etwa 65 - 700 C. Das freigelegte Nitrid und das darunter befindliche Oxid werden in einer0,5 #igen Lösung von HF in Wasser mit etwa 900 C in einer einzigen Verfahrensstufe geätzt. Die oberste Oxidschicht 49 wird dabei ebenfalls entfernt. Fig. 4 zeigt das Gebilde nach dieser Verfahrensstufe.
Nach einer Säurereinigung werden P-leitende Zonen 51 und 53 in das N-leitende Substrat unter Bildung eines P-Kanal-Feldeffekttransistors eindiffundiert ( ein N-Kanalfeideffekt würde durch Einduffusion von N-leitenden Zonen in ein P-leitendes Substrat erhalten). Beispielsweise kann hierfür eine Borabscheidung bei einer Temperatur von etwa 1125° C angewendet werden. Während dieser Diffusion kann auch die polykristalline Siliciumschicht 47 dotiert. werden und zwar in typischer Weise zu einem Schichte widerstand von etwa 40 Ohm pro Quadrat. Das nach dieser Diffusion erhaltene Gebilde ist in Fig. 5 dargestellt.
Die Vorrichtung wird dann durch übliche Kontaktmetallisierung fertiggestellt.
Natürlich hängen die vorstehend angegebenen Strömungsgeschwindigkeiten von der Größe des Reaktors ( insbesondere dessen Innendurchmesser) ab. Die Erfindung kann auch auf einen Reaktor anderer Größe angewendet werden, indem man die Strömungsgeschwindigkeiten proportional ändert, wobei man sie bei einer Vergrößerung des Reaktors erhöht und umgekehrt.
Obwohl die Erfindung unter Bezugnahme auf besondere Ausführungsformen beschrieben wurde, dienen die beschriebenen Ausführungsformen doch nur der Erläuterung und sind nicht als beschränkend aufzufassen. Der Fachmann kann Änderungen vornehmen, ohne daß dadurch der Rahmen der Erfindung verlassen wird.

Claims

ratentansprüche

1. Verfahren zur Herstellung einer polykristallinen Siliciumschicht auf einem Halbleitersubstrat in einem Heißwandreaktor, dadurch gekennzeichnet, daß man das-SuTstrat mit Silan in einem gasförmigen Verdünnungsmittel und einem gasförmigen Träger bei etwa 600 - 7000 a in Kontakt bringt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekelxnzeichnet, daß der gasförmige Träger in den Reaktor mit einer Geschwindigkeit von etwa 25 1/Min. eingeführt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mischung aus Silan und gasförmigem Verdünnungsmittel mit einer Geschwindigkeit von etwa 2 1/Min. eingeführt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine nominelle Menge eines den spezifischen Widerstand modifizierenden Mittels in den Reaktor unter Bildung einer polykristallinen Siliciumschicht mit einem extra hohen spezifischen Widerstand eingeführt wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Modifizierungsmittel des spezifischen Widerstands Ammoniak verwendet wird.

6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der gasförmige Träger mit einer Geschwindigkeit von etwa 22 1/Min., ein Gemisch aus Silan und gasförmigem Verdünnungsmittel mit einer Geschwindigkeit von etwa 2,5 1/Min. und ein Gemisch aus den spezifischen Widerstand modifizierendem Mittel und Trägergas mit einer Geschwindigkeit von etwa 40 cm3/Min. in den Reaktor eingeführt werden.

7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein inertes Gas entlang der Innenwand des Reaktors zirkuliert wird, um die Abscheidung von Rückständen auf dieser Wand zu verhindern.

8. Verfahren zur Heratellung eines Feldeffekttransistors mit Silicium-Steuerlektrode nach dem Verfahren von Anspruch ig dadurch gekennzeichnet, daß (a) nacheinander auf einem Halbleitersubstrat von einem Leitfähig#eitstyp in einem Heißwandofen eine Siliciumnitridschicht, eine polykristalline Siliciumschicht und eine Siliciumdioxidschicht gebildet werden; (b) die Nitridschicht, die polykristalline Siliciumschicht und die, ailiciumdioxidschicht von mehreren Bereichen selektiv unter Freilegung von Substratbereichen entfernt werden; (o) die Siliciumdioxidschicht entfernt wird und (d) Störstoffe vom entgegengesetzten Leitungstyp in die Substratzonen und in die polykristalline Siliciumschicht eingeführt werden.

9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliciumdioxidschicht zunächst selektiv unter Bildung eines Musters entfernt wird und daß die gemusterte Siliciumdioxidsc.hicht,dann aus Maske für die selektive Entfernung des polykristallinen Siliciums dient.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das polykristalline Silicium mit 25 %iger KOH bei etwa 65 - #0o o #e1e'ktiv entfernt wird.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet daß das Siliciumnitrld selektiv entfernt und daß die Silan ciumdioxidschicht gleichzeitig mit Ätzmittel aus etwa 0,5 % HF in Wasser von etwa 90° c entfernt wird.

12. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliciumnitridschicht bei einer Temperatur von etwa 800-- 9000 C durch Einführung von Silan, Ammoniak und eines Trägergases mit ausgewählten Strömungsgeschwindigkeiten in den Reaktor gebildet wird.

13. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die polykristalline Siliciumschicht bei etwa 600 bis 700° C durch Einleitung von Silan und einem Trägergas in den Reaktor mit selektiven Strömungsgeschwindigkeiten gebildet wird.

14. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliciumdioxidschicht bei einer Temperatur von etwa 400 - 6000 C durch Einführung'von Silan, Sauerstoff und einem Trägergas mit ausgewählten Strömungsgeschwindigkeiten in den Reaktor gebildet wird.

15. Verfahren zur Bildung der Siliciumdioxidschicht gemäß Anspruch 8 auf einem Halbleitersubstrat in einem Heißwind reaktor, dadurch gekennzeichnet, daß man das heiße Substrat mit Silan und Sauerstoff in einem Trägergas bei etwa 350 - 6000 C in Kontakt bringt.

16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß das. Trägergas in denReaktor mit einer Geschwindigkeit von etwa 10 1/Min., der Sauerstoff mit einer Geschwindigkeit von etwa 0,6 1/Min., das Gemisch aus Silan und gasförmigem Verdünnungsmittel mit einer Geschwindigkeit von etwa 1,05 1IMin, eingeführt werden und daß ein inertes Gas selektiv entlang der Innenwand des Reaktors zur Verhinderung#der Abscheidung von Rückständen auf dieser Wand zirkuliert wird.

17. Verfahren für die aufeinanderfolgende Bildung in situ einer polykristallinen Siliciumschicht und einer Siliciumdioxidschicht auf einem Halbleitersubstrat in einem Heißwandreaktor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß man (a) auf dem Substrat eine polykristalline Siliciumschicht durch Kontaktierèn des heißen Substrats mit Silan bei etwa 600 - 7000 C bildet; (b) den Reaktor ausspült und (c) auf der polykristallinen Siliciumschicht durch Kontaktieren des heißen Substrats mit Sauerstoff und Silan bei etwa 350 - 6000 C eine Siliciumdiotidschicht bildet.

18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die polykristalline Siliciumschicht durch Einführung von Stickstoff mit einer Geschwindigkeit von etwa 25 1/Min. und eines Silan/Argon-Gemischs mit einer Geschwindigkeit von etwa 2 1/Min. gebildet wird.

19. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliciumdioxidschicht durch Einführung von Stickstoff mit einer Geschwindigkeit von etwa 10 1/Min., Sauerstoff mit etwa 0,6 1/Min. und eines Si1an/Argon-Gemischs mit etwa 2 1/Min. in den Reaktor gebildet wird.

20. Heißwandreaktor zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Anspruche 1 - 19, gekennzeichnet durch (a) einen ersten Teil mit einer Abscheidungskammer und einem geschlossenen und einem offenen Ende; (b) einen zweiten mit dem offenem Ende des ersten Teils gekoppelten Teil mit einem partiell in den ersten Teil hineinragenden Innenrohr; wobei der zweite Teil und das Innenrohr ein geschlossenes Ende aufweisen, das von dem offenen Ende des ersten Teils einen Abstand besitzt; (c) Mittel zur Einführung gasförmiger Reaktionsteilnehmer in den Abscheidungsrauii; (d) Mittel zur Abführung gasförmiger Reste aus dem zweiten Teil und (e) den Abscheidungsraum umgebende Heizmittel

21. Reaktor nach, Anspruch 20, gekennzeichnet durch Mittel in der Nähe des geschlossenen Endes des zweiten Teils zur Einleitung eines inerten Gasstroms in einen freien Raum außerhalb des Innenrohrs zur Verhinderung der Abscheidung von'Rückständen auf den Innenwänden des Reaktionsraums L e e r s e i t e