NL162250C - Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen. - Google Patents
Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen.Info
- Publication number
- NL162250C NL162250C NL6715753.A NL6715753A NL162250C NL 162250 C NL162250 C NL 162250C NL 6715753 A NL6715753 A NL 6715753A NL 162250 C NL162250 C NL 162250C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- semiconductor
- situally
- planary
- coated
- manufacturing
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/511—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
- H01L27/0883—Combination of depletion and enhancement field effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0638—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for preventing surface leakage due to surface inversion layer, e.g. with channel stopper
Landscapes
- Power Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL6715753.A NL162250C (nl) | 1967-11-21 | 1967-11-21 | Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen. |
ES360408A ES360408A1 (es) | 1967-11-21 | 1968-11-09 | Un dispositivo semiconductor. |
SE15645/68A SE354378B (nl) | 1967-11-21 | 1968-11-18 | |
CH1719568A CH527497A (de) | 1967-11-21 | 1968-11-18 | Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper, bei welchem eine Oberfläche mindestens teilweise mit einer Oxydschicht bedeckt ist, und Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung |
GB1250509D GB1250509A (nl) | 1967-11-21 | 1968-11-18 | |
AT1121968A AT320737B (de) | 1967-11-21 | 1968-11-19 | Halbleittervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung |
US776922A US3649886A (en) | 1967-11-21 | 1968-11-19 | Semiconductor device having a semiconductor body of which a surface is at least locally covered with an oxide film and method of manufacturing a planar semiconductor device |
JP8461568A JPS5528217B1 (nl) | 1967-11-21 | 1968-11-20 | |
DE19681809817 DE1809817A1 (de) | 1967-11-21 | 1968-11-20 | Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkoerper,von dem eine Oberflaeche wenigstens oertlich mit einer Oxydhaut bedeckit ist,und Verfahren zur Herstellung einer planaeren Halbleitervorrichtung |
BE724277D BE724277A (nl) | 1967-11-21 | 1968-11-21 | |
BR204218/68A BR6804218D0 (pt) | 1967-11-21 | 1968-11-21 | Processo de fabricacao de um dispositivo semicondutor e seu produto |
FR1592750D FR1592750A (nl) | 1967-11-21 | 1968-11-21 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL6715753.A NL162250C (nl) | 1967-11-21 | 1967-11-21 | Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen. |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL6715753A NL6715753A (nl) | 1969-05-23 |
NL162250B NL162250B (nl) | 1979-11-15 |
NL162250C true NL162250C (nl) | 1980-04-15 |
Family
ID=19801764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL6715753.A NL162250C (nl) | 1967-11-21 | 1967-11-21 | Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen. |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3649886A (nl) |
JP (1) | JPS5528217B1 (nl) |
AT (1) | AT320737B (nl) |
BE (1) | BE724277A (nl) |
BR (1) | BR6804218D0 (nl) |
CH (1) | CH527497A (nl) |
DE (1) | DE1809817A1 (nl) |
ES (1) | ES360408A1 (nl) |
FR (1) | FR1592750A (nl) |
GB (1) | GB1250509A (nl) |
NL (1) | NL162250C (nl) |
SE (1) | SE354378B (nl) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4089992A (en) * | 1965-10-11 | 1978-05-16 | International Business Machines Corporation | Method for depositing continuous pinhole free silicon nitride films and products produced thereby |
DE2047998A1 (de) * | 1970-09-30 | 1972-04-06 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Planaranordnung |
US3856587A (en) * | 1971-03-26 | 1974-12-24 | Co Yamazaki Kogyo Kk | Method of fabricating semiconductor memory device gate |
US3853496A (en) * | 1973-01-02 | 1974-12-10 | Gen Electric | Method of making a metal insulator silicon field effect transistor (mis-fet) memory device and the product |
DE2316096B2 (de) * | 1973-03-30 | 1975-02-27 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung von integrierten Schaltungen mit Feldeffekttransistoren unterschiedlichen Leltungszustandes |
US3924024A (en) * | 1973-04-02 | 1975-12-02 | Ncr Co | Process for fabricating MNOS non-volatile memories |
JPS6022497B2 (ja) * | 1974-10-26 | 1985-06-03 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
JPS5922381B2 (ja) * | 1975-12-03 | 1984-05-26 | 株式会社東芝 | ハンドウタイソシノ セイゾウホウホウ |
JPS54149469A (en) * | 1978-05-16 | 1979-11-22 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JPS5627935A (en) * | 1979-08-15 | 1981-03-18 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
GB2087147B (en) * | 1980-11-06 | 1985-03-13 | Nat Res Dev | Methods of manufacturing semiconductor devices |
US4412242A (en) * | 1980-11-17 | 1983-10-25 | International Rectifier Corporation | Planar structure for high voltage semiconductor devices with gaps in glassy layer over high field regions |
US5043293A (en) * | 1984-05-03 | 1991-08-27 | Texas Instruments Incorporated | Dual oxide channel stop for semiconductor devices |
US5260233A (en) * | 1992-11-06 | 1993-11-09 | International Business Machines Corporation | Semiconductor device and wafer structure having a planar buried interconnect by wafer bonding |
JPH1187663A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-03-30 | Nec Corp | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
US6168859B1 (en) * | 1998-01-29 | 2001-01-02 | The Dow Chemical Company | Filler powder comprising a partially coated alumina powder and process to make the filler powder |
US6303972B1 (en) | 1998-11-25 | 2001-10-16 | Micron Technology, Inc. | Device including a conductive layer protected against oxidation |
US7067861B1 (en) * | 1998-11-25 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Device and method for protecting against oxidation of a conductive layer in said device |
DE19923466B4 (de) * | 1999-05-21 | 2005-09-29 | Infineon Technologies Ag | Junctionsisolierter Lateral-MOSFET für High-/Low-Side-Schalter |
JP2007165492A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Seiko Instruments Inc | 半導体集積回路装置 |
US10211326B2 (en) * | 2016-03-31 | 2019-02-19 | Stmicroelectronics (Tours) Sas | Vertical power component |
FR3049770B1 (fr) * | 2016-03-31 | 2018-07-27 | Stmicroelectronics (Tours) Sas | Composant de puissance vertical |
FR3049769B1 (fr) * | 2016-03-31 | 2018-07-27 | Stmicroelectronics (Tours) Sas | Composant de puissance vertical |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA667423A (en) * | 1963-07-23 | Northern Electric Company Limited | Semiconductor device and method of manufacture | |
US3477886A (en) * | 1964-12-07 | 1969-11-11 | Motorola Inc | Controlled diffusions in semiconductive materials |
US3484313A (en) * | 1965-03-25 | 1969-12-16 | Hitachi Ltd | Method of manufacturing semiconductor devices |
US3463974A (en) * | 1966-07-01 | 1969-08-26 | Fairchild Camera Instr Co | Mos transistor and method of manufacture |
US3455020A (en) * | 1966-10-13 | 1969-07-15 | Rca Corp | Method of fabricating insulated-gate field-effect devices |
US3475234A (en) * | 1967-03-27 | 1969-10-28 | Bell Telephone Labor Inc | Method for making mis structures |
US3550256A (en) * | 1967-12-21 | 1970-12-29 | Fairchild Camera Instr Co | Control of surface inversion of p- and n-type silicon using dense dielectrics |
-
1967
- 1967-11-21 NL NL6715753.A patent/NL162250C/nl not_active IP Right Cessation
-
1968
- 1968-11-09 ES ES360408A patent/ES360408A1/es not_active Expired
- 1968-11-18 SE SE15645/68A patent/SE354378B/xx unknown
- 1968-11-18 GB GB1250509D patent/GB1250509A/en not_active Expired
- 1968-11-18 CH CH1719568A patent/CH527497A/de not_active IP Right Cessation
- 1968-11-19 AT AT1121968A patent/AT320737B/de not_active IP Right Cessation
- 1968-11-19 US US776922A patent/US3649886A/en not_active Expired - Lifetime
- 1968-11-20 DE DE19681809817 patent/DE1809817A1/de not_active Ceased
- 1968-11-20 JP JP8461568A patent/JPS5528217B1/ja active Pending
- 1968-11-21 BR BR204218/68A patent/BR6804218D0/pt unknown
- 1968-11-21 FR FR1592750D patent/FR1592750A/fr not_active Expired
- 1968-11-21 BE BE724277D patent/BE724277A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL162250B (nl) | 1979-11-15 |
FR1592750A (nl) | 1970-05-19 |
BE724277A (nl) | 1969-05-21 |
AT320737B (de) | 1975-02-25 |
DE1809817A1 (de) | 1969-12-11 |
GB1250509A (nl) | 1971-10-20 |
SE354378B (nl) | 1973-03-05 |
NL6715753A (nl) | 1969-05-23 |
BR6804218D0 (pt) | 1973-04-17 |
ES360408A1 (es) | 1970-10-16 |
CH527497A (de) | 1972-08-31 |
JPS5528217B1 (nl) | 1980-07-26 |
US3649886A (en) | 1972-03-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL162250C (nl) | Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen. | |
NL152114B (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL144201B (nl) | Werkwijze voor het bekleden van het oppervlak van een substraat. | |
NL152895B (nl) | Werkwijze ter bereiding van bekledingsmaterialen, alsmede met behulp daarvan beklede substraten. | |
NL153947B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze. | |
NL7506594A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd met behulp van de werkwijze. | |
NL154819B (nl) | Inrichting voor het aanbrengen van een laag vloeistof met lage viscositeit tussen een stroom vloeistof met hoge viscositeit en de wand van een pijpleiding. | |
NL142526B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen. | |
NL7613893A (nl) | Halfgeleiderinrichting met gepassiveerd opper- vlak, en werkwijze voor het vervaardigen van de inrichting. | |
NL165975C (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een kunststoflaag met een reliefoppervlak. | |
NL153656B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een warmteisolerende bekleding voor een buis, alsmede de aldus vervaardigde bekleding. | |
NL144313B (nl) | Werkwijze voor het bekleden van een ondergrond met een lossende deklaag en de daarmede beklede gevormde voortbrengselen. | |
NL161591B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een vlakdrukvorm. | |
NL140656B (nl) | Werkwijze voor het vormen van een halfgeleiderlichaam van silicium met een dun gebied met bepaald geleidingsvermogen aan het oppervlak van het lichaam en inrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van silicium, vervaardigd door toepassing van de werkwijze. | |
NL148654B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL148079B (nl) | Werkwijze voor het bekleden van kunststofoppervlakken met een geleidende metaallaag. | |
NL148951B (nl) | Werkwijze voor het bekleden van een voorwerp met een gekleurde film en aldus bekleed voorwerp. | |
NL162148C (nl) | Werkwijze voor het bekleden van een niobiumhoudende onderlaag met een metaallaag. | |
NL154061B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. | |
NL161300B (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting met een zenerdiode en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van deze werkwijze. | |
NL173386C (nl) | Werkwijze voor het vormen van een metaaloxydebekleding op een ondergrond. | |
NL139776B (nl) | Werkwijze voor het aanbrengen van een fosfaatbekledingslaag op een zinkoppervlak en voorwerp met een zinkoppervlak, voorzien van een fosfaatbekledingslaag gevormd met de werkijze. | |
NL150171B (nl) | Werkwijze voor het elektrolytisch bekleden van een substraat en werkwijze voor het vervaardigen van een laminaat. | |
NL161515B (nl) | Inrichting voor de vervaardiging van een volumineus garen, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van dit garen met behulp van deze inrichting. | |
NL162710B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ladder en een met behulp van de werkwijze vervaardigde ladder. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |