DE2407133B2 - Verfahren und vorrichtung zur bestimmung von stickoxid - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur bestimmung von stickoxid

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DE2407133B2 DE19742407133 DE2407133A DE2407133B2 DE 2407133 B2 DE2407133 B2 DE 2407133B2 DE 19742407133 DE19742407133 DE 19742407133 DE 2407133 A DE2407133 A DE 2407133A DE 2407133 B2 DE2407133 B2 DE 2407133B2
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Description

Stickoxidgas bei einem Druck von einer Atmosphäre enthält.
5. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß in der zweiten Ausnehmung (15) ein im Aufbau mit der Filterküvette (16) übereinstimmendes Gefäß (17) eingesetzt ist, das mit Luft gefüllt ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Filterküvette (16) und das Gefäß (17) eine zylindrische Form sowie UV-durchlässige Ein- und Austrittsfenster aufweisen.
7. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausdehnung der Filterküvette (16) sowie des Gefäßes (17) in Richtung des Strahlengangs 2 bis 3 mm beträgt.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung der Stickoxidkonzentration in einem Gasgemisch, bei dem durch eine Hohlkathodenlampe zur Bildung angeregter Stickoxidmoleküle Luft unter Unterdruck hindurchgeführt und in der Hohlkathodenlampe ein solch geringer Entladungsstrom aufrechterhalten wird, daß das Gas in der Hohlkathodenlampe nicht über Raumtemperatur erwärmt wird, bei dem die von der Hohlkathodenlampe emittierte Stickoxidresonanzstrahlung als Meßstrahlung in periodischem Wechsel mit einer von dem Stickoxid im Gasgemisch im wesentlichen unbeeinflußten Referenzstrahlung durch das Gasgemisch geleitet wird und bei dem ein dem Quotienten der Absorptionen der Meß- und Referenzstrahlung entsprechendes Ausgangssignal erzeugt wird, nach Hauptpatent 22 46 365.
Ferner betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens mit einer Lichtquelle in Form einer Stickoxidresonanzstrahlung emittierenden Hohlkathodenlampe, welche zwecks Bildung von angeregten Stickoxidmolekülen von Luft unter Unterdruck durchströmt und bei einem solch geringen Entladungsstrom betrieben ist, daß die Temperatur des Gases in der Hohlkathodenlampe nahe der Raumtemperatur liegt, mit einer im Wege der emittierten Stickoxidresonanzstrahlung angeordneten, das zu untersuchende Gasgemisch enthaltenden Absorptionszelle, mit Einrichtungen zur Erzeugung einer von dem Stickoxid im Gasgemisch im wesentlichen unbeeinflußten Referenzstrahlung, Einrichtungen zur periodisch wechselweisen Beaufschlagung der Absorptionszelle mit der als Meßstrahlung dienenden Stickoxidresonanzstrahlung und der Referenzstrahlung und mit Auswerteschaltungen zur Erzeugung eines dem Quotienten der Absorptionen der Meß- und Referenzstrahlung entsprechenden Ausgangssignals, nach Hauptpatent 22 46 365.
Im Hauptpatent ist eine Meßmethode zur Bestimmung des NO-Gehaltes in Gasgemischen beschrieben, welche auf der Resonanzabsorption einer von angeregten NO-Molekülen ausgesandten und von in dem zu analysierenden Gasgemisch enthaltenden NO-Molekülen absorbierten Strahlung beruht. Die zu absorbierende NO-Strahlung wird dabei von einer spektralen Strahlungsquelle des Hohlkathoden-Typs emittiert. Zur Selektion eines spezifischen Spektralbereiches, in dem NO absorbiert, im vorliegenden Fall der NO-Resonanzbande bei 2269 AE (Angström-Einheiten), wird ein interferenzfilter oder Monochromator mit einer Bandbreite von ca. 20AE verwendet. Messungen nach
diesem Verfahren sind gekennzeichnet durch einen einfachen Aufbau der Meßapparatur, durch hohe Selektivität, Empfindlichkeit, Stabilität und Genauigkeit.
Als Referenzstrahl zur Kompensation von zusätzlicher Störabsorption durch Partikel oder Molekülkonti- d nua in dem zu analysierender. Gasgemisch dient im Hauptpatent eine von NO nicht absorbierte, der NO-Resonanzbande benachbarte Wismutatomlinie aus einer Wismut-Hohlkathodenlampe. Dabei kann, abgesehen von dem zusätzlichen apparativen Aufwand (Hohiicathodenlampe mit Spannungsversorgung), eine Langzeitdrift der emittierten Intensitäten infolge unterschiedlicher Alterung der beiden Lichtquellen zu beobachten sein, was eine manuelle oder elektronische Nachjustierung erforderlich macht. Darüber hinaus muß infolge der begrenzten Lebensdauer einer abgeschmolzenen Wismut-Hohlkathodenlampe von rund 1000 Betriebsstunden infolge Gasaufzehrung das Gerät in relativ kurzen Zeitabständen gewartet werden.
Aus der US-PS 36 78 262 ist es bereits bekannt, in die von einer Strahlungsquelle ausgehende Strahlung in periodischer Folge ein Referenzfilter einzuschieben und dadurch diese Strahlung in einen Referenz- und einen Meßstrahl aufzuspalten, die periodisch abwechselnd in die eigentliche Meßzelle geleitet werden. Als Referenzfilter wird dabei ein Gasvolumen des Gases verwendet, dessen Konzentration in der Meßzelle bestimmt werden soll. Bei dem beschriebenen besonderen Verfahren strahlt die Lichtquelle ein Kontinuum ab; nur dadurch ist es möglich, durch Einschalten des genannten Referenzfilters einen Referenzstrahl zu erhalten. Bei Strahlungsquellen, die anstelle eines Kontinuums ein Linienspektrum aussenden, ist der Erzeugung eines Referenzstrahles durch Einschalten eines mit dem nachzuweisenden Gas gleichen Gases jedoch an sich vom Prinzip her unmöglich, da in diesen Fällen der Referenzstrahl — der ja nur die den Absorptionslinien des nachzuweisenden Gases entsprechenden Linien enthält — vom Referenzfilter vollständig absorbiert würde. Das bekannte Verfahren ist also auf ein Kontinuum aussendende Strahlungsquellen beschränkt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das im Hauptpatent beschriebene Meßverfahren zu verbessern und einen Referenzstrahl zu verwenden, dessen Intensität der Intensität des von der Hohlkathodenlampe emittierten Meßstrahles immer proportional ist.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung verfahrensmäßig dadurch gelöst, daß die Referenzstrahlung durch Filterung der Stickoxidresonanzstrahlung mittels Stickoxidgas, dessen Temperatur unter der Besetzungstemperatur der angeregten Stickoxidmoleküle in der Hohlkathodenlampe liegt, gewonnen wird.
Vorrichtungsmäßig wird diese Aufgabe gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß die Einrichtungen zur Erzeugung der Referenzstrahlung eine Filterküvette umfassen, welche mit Stickoxidgas bei einer Temperatur gefüllt ist, die unter der Besetzungstemperatur der angeregten Stickoxidmoleküle in der Hohlkathodenlampe liegt.
Die vorliegende Erfindung beschreibt also ein Verfahren, bei dem auch bei Aussendung eines Linienspektrums — also bei Anwendung der wesentlich selektiveren Resonanzabsorptionsmethode — durch Einschalten eines dem zu analysierenden Gas gleichen Gasvolumens in den Strahlengang ein Referenzstrahl erzeugt werden kann. Dabei ist wesentlich, daß die Temperatur des Referenzgases im Referenzfilter unterhalb der Besetzungslemperaiur der angeregten Moleküle in der Hohlkathodenlampe liegt Nur dann nämlich absorbiert das Referenzfilter nicht die gesamte Strahlung der Hohlkathodenlampe, sondern nur einen Teil davon, es bleibt also im Gegensatz zu den bekannten Kontinuum-Verfahren ein Referenzstrahl übrig, der dann in an sich bekannter Weise abwechselnd mit einem ungefilterten Meßstrahl durch die Meßzelle geleitet werden kann.
Nachstehend wird die Erfindung anhand von in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsbeispieten näher erläutert. Es zeigen:
F i g. 1 eine schematische Ansicht einer Vorrichtung zur Bestimmung der Stickoxidkonzentration;
F i g. 2 eine Draufsicht einer bei dieser Vorrichtung verwendeten Modulatorscheibe und
Fig.3 ein den zeitlichen Verlauf der am Entmischer auftretenden elektrischen Signale angebendes Diagramm.
In Fig. 1 ist schematisch eine Meßvorrichtung zur Bestimmung des NO-Gehaltes in einem Gasgemisch dargestellt. Von einer Wohlkathodenlampe 1 wird Strahlung über einen Hohlspiegel 2 in eine Absorptionszelle 3 gelenkt. Die Zelle 3 ist vorzugsweise zylindrisch ausgebildet und hat an den beiden Enden je ein für UV-Strahlung durchlässiges Fenster aus einem Spezialquarzglas. Durch einen Einlaß 4 und einen Auslaß 5 wird die Absorptionszelle 3 von dem zu analysierenden Gas oder Gasgemisch durchströmt. Die Strahlung der Hohlkathodenlampe tritt durch das eine Quarzglasfenster in die Absorptionszelle 3 ein und durch das gegenüberliegende Quarzglasfenster nach Durchlaufen des zu analysierenden Gasgemisches wieder aus dieser aus und wird mittels einer Linse 6 auf dem Spalt eines Monochromators 7 gesammelt, der nur im Bereich der langwelligsten NO-Resonanzbande bei 2269 AE durchlässig ist und eine Bandbreite von etwa 20 AE aufweist. Die aus dem Monochromator austretende Strahlung trifft dann auf eine strahlenempfindliche Vorrichtung, z. B. auf einen Photomultiplier 8, der ein der auffallenden Strahlungsintensität proportionales elektrisches Signal abgibt. Dies wird in einem Verstärker 9 verstärkt und einem Entmischer 11 zugeführt.
Im Strahlengang ist zwischen der Hohlkathodenlampe 1 und dem Hohlspiegel 2 eine Modulationseinrichtung, nämlich eine rotierende Modulatorscheibe 12 vorgesehen, die um eine im wesentlichen parallel zur Achse des Strahlenbündels verlaufende, neben diesem angeordnete Achse 13 drehbar gelagert ist. Die Modulatorscheibe 12 weist auf einem Durchmesser liegende Ausnehmungen 14 und 15 auf, in denen je eine Küvette 16 bzw. 17 angeordnet ist (Fig. 1 und 2). Die beiden Küvetten 16 und 17 sind gleich aufgebaut: Es handelt sich um zylindrische Gefäße, deren Stirnseiten mit UV-durchlässigen Fenstern aus Spezialquarzglas versehen sind. Die eine der Küvetten, z. B. die Küvette 16, ist verschlossen und mit Stickoxid (NO) gefüllt, welches vorzugsweise unter einem Druck von einer Atmosphäre steht. Die andere Küvette 17 ist offen und enthält Luft.
Die Modulatorscheibe 12 wird von einem nicht dargestellten Synchronmotor angetrieben, z. B. mit einer Umdrehungsgeschwindigkeit von 10 bis 50 Umdrehungen in der Sekunde. Dabei werden die Gasküvetten 16 und 17 periodisch abwechselnd in den von der Hohlkathodenlampe 1 ausgehenden Strahlengang eingebracht, so daß periodisch abwechselnd ein im wesentlichen ungefilterter, das heißt nur durch die mit Luft gefüllte Küvette 17 laufender Strahl, im folgenden
als Meßstrahl bezeichnet, und ein durch die mit Stickoxid NO gefüllte Küvette 16 laufender und dadurch gefilterter im folgenden als Referenzstrahl bezeichneter Strahl in die Absorptionszelle 3 gelangt.
Die beiden Küvetten 16 und 17 sind so gleich wie möglich ausgebildet. Absorptions-, Reflexions- und Streuverluste an den Quarzglasfenstern der Küvetten werden dadurch in der gleichen Größe gehalten. Es ist auch möglich, die mit Luft gefüllte Küvette 17 wegzulassen oder diese Küvette zu evakuieren, etc. Wesentlich ist, daß die von der Hohlkathodenlampe 1 ausgehende Strahlung in einen Meß- und in einen Referenzstrahl aufgespalten wird, die sich dadurch unterscheiden, daß der Referenzstrahl ein NO-Volumen durchläuft und darin gefiltert wird, während dies bei dem Meßstrahl nicht der Fall ist.
Die Modulatorscheibe 12 weist ferner einen halbkreisförmigen Schlitz 18 auf. Auf der einen Seite der Modulatorscheibe 12 ist vor diesem Schlitz eine Lampe 19, auf der anderen Seite eine lichtempfindliche Einrichtung, z. B. eine Photozelle 21 angeordnet. Wenn der Schlitz 18 bei der Drehung der Modulatorscheibe 12 an der Lampe 19 vorbeiläuft, kann von dieser ausgesandtes Licht auf die Photozelle 21 fallen, die dabei ein elektrisches Signal erzeugt. Nach einer Drehung der Modulatorscheibe 12 um 180 Grad befindet sich der lichtundurchlässige Teil der Modulatorscheibe 12 zwischen der Lampe 19 und der Photozelle 21, so daß kein Licht auf diese fällt und auch kein elektrisches Signal erzeugt wird.
Der Schlitz 18 ist derart angeordnet, daß von der Photozelle 21 immer dann ein elektrisches Signal erzeugt wird, wenn sich eine bestimmte der beiden Küvetten 16 oder 17 im Strahlengang der Hohlkathodenlampenstrahlung befindet, während bei der Einschaltung der anderen Küvette in den Strahlengang kein elektrisches Signal erzeugt wird. In der dargestellten Ausführungsform wird bei Einschaltung der Küvette 17 in den Strahlengang ein elektrisches Signal erzeugt. Von der Photozelle 21 führt eine Leitung 22 zum Entmischer 11, dem immer dann ein elektrisches Signal zugeführt wird, wenn der Meßstrahl die Absorptionszelle 3 durchsetzt und immer dann kein Signal, wenn der Referenzstrahl die Absorptionszelle 3 durchsetzt.
Das von der Photozelle 21 über die Leitung 22 dem Entmischer 11 zugeführte elektrische Signal dient zur Steuerung des Entmischers 11. Dieser ist in bekannter Weise so ausgebildet, daß er beim Auftreten eines elektrischen Signals in der Leitung 22 also beim Durchgang des Meßstrahles durch die Zelle 3, das von dem Photorruiltiplier 8 über den Verstärker 9 dem Entmischer 11 zugeführte strahlungsproportionale elektrische Signal mit einer Leitung 23 einer Speicherund Recheneinheit 25, beim Fehlen eines elektrischen Signales auf der Leitung 22 dagegen mit einer zweiten Leitung 24 der Steuer- und Recheneinheit 25 verbindet Dadurch wird ein von dem Meßstrahl herrührendes elektrisches Signal immer der Leitung 23, ein vom Referenzstrahl herrührendes Signal dagegen immer der Leitung 24 zugeführt
Die dem Meßstrahl zugeordnete Leitung 23 ist über einen Speicher 26, die dem Referenzstrahl zugeordnete Leitung 24 Ober einen Speicher 28 und einen Verstärker 29 mit einem elektrischen Dividierer 27 verbunden, dem seinerseits eine Anzeigevorrichtung 31 zugeordnet ist
Beim Betrieb der Vorrichtung strömt das auf seinen NO-Gehalt zu analysierende Gas durch die Absorptionszelle 3, Die Absorptionszelle 3 könnte im übrigen auch ein ruhendes, nichtströmendes Gas enthalten. Be einer entsprechenden Stellung der Modulatorscheibe W fällt der im wesentlichen ungefilterte Meßstrahl in di< Absorptionszelle und wird entsprechend dem dor vorhandenen NO-Gehalt mehr oder weniger starl absorbiert. Das von dem geschwächten Meßstrah erzeugte elektrische Signal wird über den Entmischer 11 dem Speicher 26 zugeführt und dort gespeichert.
Bei der weiteren Drehung der Modulatorscheibe
ίο wird zunächst ein strahlenundurchlässiger Teil dei Scheibe in den Strahlengang eingebracht, so daß wedei ein Meß- noch ein Referenzstrahl in die Absorptionszel-Ie fällt. Sobald die mit NO-Gas gefüllte Küvette 16 in den Strahlengang eingeschaltet ist, fällt der Referenzstrahl in die Absorptionszelle. Dieser ist wegen seines Durchganges durch das in der Küvette 16 befindliche NO-Volumen soweit gefiltert, daß das NO-Gas in der Absorptionszelle den Referenzstrahl nicht weiter schwächt. Eine Schwächung des Referenzstrahles tritt nur von zusätzlicher Störabsorption, z. B. durch Partikel oder Molekülkontinua in dem zu analysierenden Gasgemisch oder durch Verschmutzung der Fenster der Absorptionszelle 3 auf. Dies wird weiter unten noch eingehend dargestellt. Das dem lediglich durch Störabsorption etc. geschwächten Referenzstrahl entsprechende elektrische Signal wird über den Entmischer 11, der durch das Abschalten des von der Photozelle 21 während des Durchgangs des Meßstrahles durch die Zelle 3 erzeugten elektrischen Signales inzwischen auf die Leitung 24 umgeschaltet hat, dem Speicher 28 zugeleitet und dort gespeichert.
Die dem Referenzstrahl sowie dem Meßstrahl entsprechenden elektrischen Signale treten, wie es in Fig. 3 dargestellt ist, nacheinander am Entmischer 11 auf. Dabei entspricht im allgemeinen das schwächere elektrische Signal 35 dem Referenzstrahl und das stärkere Signal 36 dem Meßstrahl. Durch den Entmischer 11 und die nachgeschalteten Speicher 26 und 28 können die entsprechenden Signale (das Referenzsignal nach einer weiteren Verstärkung durch den Verstärker 29) gleichzeitig dem nachgeschalteten Dividierer 27 zugeführt werden, der ein dem Quotienten der beiden Signale proportionales Signal bildet und der Anzeigevorrichtung 31 zuführt Dieser von der Anzeigevorrichtung 31 angezeigte Quotient ist ein Maß für die NO-Konzentration in dem zu analysierenden Gasgemisch.
Die von der Hohlkathodenlampe 1 emittierte Strahlung wird von angeregten NO-Molekülen in der Lampe 1 erzeugt Die NO-Moleküle sind dabei nicht von Anfang an in der Hohlkathodenlampe enthalten, sondern sie werden durch von einer an die Elektroden der Hohlkathodenlampe angelegten Spannung beschleunigte Elektronen über eine Anzahl von Zwischen- stufen aus der die Hohlkathodenlampe durchströmenden Luft gebildet Wichtig ist daß die NO-Moleküle dabei nicht im energetisch tiefsten Zustand, also im Grundzustand, entstehen, sondern in einem energetisch höheren, angeregten Zustand, aus welchem sie spontan
in den Grundzustand übergehen. Bei diesem Obergang wird die zum Nachweis des NO-Gases in der Absorptionszelle verwendete Strahlung emittiert
Durch diese Erzeugung der angeregten NO-Moleküle aus der die Hohlkathodenlampe durchströmenden Luft
ist es möglich, die Lampe mit einem sehr geringen Entladungsstrom von etwa i Milliampere oder weniger zu betreiben und trotzdem eine für den Nachweis von geringen Konzentrationen (in der Größenordnung von
¥
0,1 ppm) ausreichende Strahlungsintensität zu erhalten. Außerdem wird das Gas in der Lampe 1 durch diesen kleinen Entladungsstrom kaum erwärmt, so daß die Temperatur des Gases fast bei der Raumtemperatur liegt.
Aus der Strahlung der Hohlkathodenlampe 1 werden sowohl der Meß- als auch der Referenzstrahl gewonnen. Während der Meßstrahl im wesentlichen ungefiltert in die Absorptionszelle einfällt, wird der Referenzstrahl schon vorher durch NO-Gas geleitet und dort größtenteils absorbiert. Wesentlich ist, daß nicht die gesamte, von der Hohlkathodenlampe 1 ausgehende Strahlung beim Durchgang durch dieses NO-Volumen absorbiert wird, sondern nur ein bestimmter Teil. Dies ist physikalisch folgendermaßen zu erklären: Unter den Versuchsbedingungen zur optimalen NO-Emission in der Hohlkathodenentladung befinden sich die NO-Moleküle bezüglich des Freiheitsgrades der Rotation in einem Anregungszustand, den sie bei thermischer Anregung erst bei Temperaturen von ca. 1500 Grad Kelvin erreichen würden. Die emittierenden NO-Moleküle haben somit eine »Besetzungstemperatur« der Rotationszustände von 1500 Grad Kelvin. Die Temperatur des NO-Gases dagegen liegt ungefähr bei Raumtemperatur (300 Grad Kelvin), da die Hohlkathodenlampe mit sehr kleiner Leistung, z. B. von etwa 0,3 Watt, betrieben wird. Die emittierte Strahlung setzt sich somit aus einer Reihe von Rotationslinien zusammen, deren Gesamtstruktur einer Temperatur von 1500 Grad Kelvin entspricht, deren Einzelprofile aber durch eine Temperatur von 300 Grad Kelvin charakterisiert sind.
Die von den angeregten Molekülen emittierte Strahlung, die teilweise aus Rotationszuständen mit hohen Quantenzahlen emittiert wird, kann aufgrund von quantenphysikalischen Gesetzen (Auswahlregel für die Rotationsquantenzahlen) vollständig nur von NO-Molekülen absorbiert werden, die eine der Besetzungstemperatur der angeregten Moleküle entsprechende Temperatur aufweisen, insbesondere bei Strahlung aus hochangeregten Rotationszuständen ist eine Absorption der Strahlung durch Moleküle niederer Temperatur deswegen nicht möglich, weil entsprechende, zur Absorption geeignete Rotationszustände der »Kalten« Moleküle nicht besetzt sind. Auf diesem physikalischen Sachverhalt baut die Erfindung auf.
Der Meßstrahl umfaßt die gesamte von der Hohlkathodenlampe ausgehende Strahlung, der Referenzstrahl dagegen wird durch das NO-Volumen der Modulatorscheibc gefiltert. Dabei wird der größte Teil der Hohlkathodenlampenstrahlung absorbiert. Da aber das NO-Volumen der Modulatorscheibe sich etwa auf Raumtemperatur befindet, das heißt weit unterhalb der Besetzungstemperatur der angeregten Moleküle, wird nur ein Teil der von der Hohlkathodenlampe emittierten Strahlung absorbiert, während ein kleiner Teil dieser Strahlung, nämlich die aus Rotationszuständen mit hoher Quantenzahl emittierte Strahlung, von dem NO-Filter durchgelassen wird. Der Referenzstrahl hat etwa eine Intensität, die 10% der Intensität des Meßstrahles entspricht.
Der Meßstrahl wird in der Absorptionszelle entsprechend dem Gehalt an NO-Gas absorbiert. Der Referenzstrahl dagegen wird von dem NO-Gas in der Absorptionszelle nicht absorbiert, da der Referenzstrahl nur Strahlungsbestandteile enthält, die vor. einem kalten NO-Gas nicht absorbiert werden können. Das zu analysierende Gasgemisch hat im allgemeinen eine wesentlich unter der Besetzungstemperatur der angeregten NO-Moleküle in der Hohlkathodenlampe liegende Temperatur. Aufgrund der komplizierten Struktur der von den angeregten NO-Molekülen ausgesandten Rotationsspektren verteilen sich die Rotationslinien der im Referenzstrahl enthaltenen Strahlung über die gesamte NO-Resonanzbande. Die Intensität des Referenzstrahles ist damit in idealer Weise über die gesamte Breite der Resonanzbande der Intensität des Meßstrahles in jedem Zeitpunkt proportional, er stellt damit ein Maß für diese Intensität dar.
Wenn nun in der Absorptionszelle eine zusätzliche Störabsorption, z. B. durch verschmutzte Fenster, durch Streupartikel etc. erfolgt, wird nicht nur der Meßstrahl, sondern auch der Referenzstrahl geschwächt, wobei die Schwächung der beiden Strahlen im selben Verhältnis zu ihrer jeweiligen Gesamtintensität erfolgt. Der Quotient der aus der Absorptionszelle austretenden Intensitäten des Meß- und des Referenzstrahles ist damit ein Maß für die Absorption des Meßstrahles, die ausschließlich durch in der Absorptionszelle enthaltenes NO-Gas entstanden ist, und damit ein Maß für den NO-Gehalt des zu analysierenden Gasgemisches. Einflüsse von Störabsorptionen, aber auch von Intensitätsschwankungen der Hohlkathodenlampe werden auf diese Weise ausgeschaltet.
In den beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung wird nach dem Durchlaufen des Meß- und des Referenzstrahles durch die Absorptionszelle der Quotient der Strahlenintensität im Bereich der Resonanzbande bei 2269 AE bestimmt. Es ist auch möglich, diesen Quotienten der Strahlenintensität im Bereich einer anderen Resonanzbande zu bestimmen, z. B. bei der Bande bei 2156 AE.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
609550/376

Claims (4)

Patentansprüche: 24
1. Verfahren zur Bestimmung der Stickoxidkonzentration in einem Gasgemisch, bei dem durch eine Hohlkathodenlampe zur Bildung angeregter Siickoxidmoleküle Luft unter Unterdruck hindurchgeführt und in der Hohlkathodenlampe ein solch geringer Entladungsstrom aufrechterhalten wird, daß das Gas in der Hohlkathodenlampe nicht über Raumtemperatur erwärmt wird, bei dem die von der Hohlkathodenlampe emittierte Stickoxidresonanzstrahlung als Meßstrahlung in periodischem Wechsel mit einer von dem Stickoxid im Gasgemisch im wesentlichen unbeeinflußten Referenzstrahlung durch das Gasgemisch geleitet wird und bei dem ein dem Quotienten der Absorptionen der Meß- und Referenzstrahlung entsprechendes Ausgangssignal erzeugt wird, nach Hauptpatent 22 46 365, d a durch gekennzeichnet, daß die Referenz-Strahlung durch Filterung der Stickoxidresonanzstrahlung mittels Stickoxidgas, dessen Temperatur unter der Besetzungstemperatur der angeregten Stickoxidmoleküle in der Hohlkathodenlampe liegt, gewonnen wird.
2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, mit einer Lichtquelle in Form einer Stickoxidresonanzstrahlung emittierenden Hohlkathodenlampe, welche zwecks Bildung von angeregten Stickoxidmolekülen von Luft unter Unterdruck durchströmt und bei einem solch geringen Entladungsstrom betrieben ist, daß die Temperatur des Gases in der Hohlkathodenlampe nahe der Raumtemperatur liegt, mit einer im Wege der emittierten Stickoxidresonanzstrahlung angeordneten, das zu untersuchende Gasgemisch enthaltenden Absorptionszelle, mit Einrichtungen zur Erzeugung einer von dem Stickoxid im Gasgemisch im wesentlichen unbeeinflußten Referenzstrahlung, Einrichtungen zur periodisch wechselweisen Beaufschlagung der Absorptionszelle mit der als Meßstrahlung dienenden Stickoxidresonanzstrahlung und der Referenzstrahlung und mit Auswerteschaltungen zur Erzeugung eines dem Quotienten der Absorptionen der Meß- und Referenzstrahlung entsprechenden Ausgangssignals, nach Patent 22 46 365, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtungen zur Erzeugung der Referenzstrahlung eine Filterküvette (16) umfassen, welche mit Stickoxidgas bei einer Temperatur gefüllt ist, die unter der Besetzungstemperatur der angeregten Stickoxidmoleküle in der Hohlkathodenlampe (1) liegt.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Einrichtungen zur periodisch wechselweisen Beaufschlagung der Absorptionszel-Ie (3) mit der Meß- und der Referenzstrahlung eine drehbare Scheibe (12) enthalten, welche zwei symmetrisch zur Drehachse (13) angeordnete Ausnehmungen (14, 15) aufweist, daß in eine der beiden Ausnehmungen (14) die Filterküvette (16) einsetzbar ist, und daß die Scheibe (12) relativ zum Strahlengang derart angeordnet ist, daß die beiden Ausnehmungen (14,15) bei Rotation der Scheibe (12) nacheinander von der von der Hohlkathodenlampe
(1) emittierten Stickoxidresonanzstrahlung durchsetzt sind.
4. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Filterküvette (16) das 133
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US05/457,643 US3947685A (en) 1974-02-15 1974-04-03 Method and arrangement for determining nitric oxide concentration
FR7504038A FR2261523B1 (de) 1974-02-15 1975-02-10
NLAANVRAGE7501622,A NL176974C (nl) 1974-02-15 1975-02-11 Werkwijze en inrichting voor het vaststellen van stikstofoxide.
JP1866375A JPS5719376B2 (de) 1974-02-15 1975-02-14
GB6456/75A GB1479110A (en) 1974-02-15 1975-02-14 Method and device for detecting nitric oxide

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Families Citing this family (326)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2553565C3 (de) * 1975-11-28 1980-02-07 Hartmann & Braun Ag, 6000 Frankfurt Vorrichtung zur Bestimmung der Stickoxidkonzentration in einem Gasgemisch
DE2655062A1 (de) * 1976-12-04 1978-06-08 Deutsche Forsch Luft Raumfahrt Vorrichtung zur bestimmung von stickoxid
DE2727976C3 (de) * 1977-06-22 1980-05-29 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe Vorrichtung zur Messung der Konzentration mindestens einer Komponente eines Gasgemisches und Verfahren zum Eichen derselben
JPS5425889A (en) * 1977-07-29 1979-02-27 Shimadzu Corp Atomic absorption analysis apparatus
US4236827A (en) * 1978-12-04 1980-12-02 Horiba, Ltd. Opto-acoustic gas analyzer
DE2939735A1 (de) * 1979-10-01 1981-04-16 Hartmann & Braun Ag, 6000 Frankfurt Fotoelektrisches gasanalysegeraet
GB2194333B (en) * 1986-07-01 1990-08-29 Electricity Council Detection method and device
US4782232A (en) * 1986-09-22 1988-11-01 Spectral Sciences, Inc. Infrared molecular species monitor
US4829183A (en) * 1987-09-11 1989-05-09 Andros Analyzers Incorporated Dual sample cell gas analyzer
DE3933043C1 (de) * 1989-10-04 1990-12-13 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe, De
US5155545A (en) * 1990-12-03 1992-10-13 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh Method and apparatus for the spectroscopic concentration measurement of components in a gas mixture
US5512757A (en) * 1992-04-06 1996-04-30 Rosemount Analytical, Inc. Spectrophotometer and optical system therefor
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) * 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
CN104458619A (zh) * 2014-12-12 2015-03-25 上海理工大学 一种测定空气中氮氧化物含量的方法
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
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TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
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USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
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TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US319A (en) * 1837-07-31 Improvement in machines for breaking and dressing hemp and flax
US2764692A (en) * 1952-08-11 1956-09-25 Phillips Petroleum Co Analyzer
US2984988A (en) * 1956-03-05 1961-05-23 Phillips Petroleum Co Gas analysis and control
NL280130A (de) * 1961-06-26
US3488491A (en) * 1967-07-31 1970-01-06 Melpar Inc Filter techniques for gas analyzers employing an inert gas to pressure broaden the absorption spectrum of gas being detected
US3593023A (en) * 1968-09-18 1971-07-13 Beckman Instruments Inc Apparatus and method for exhaust analysis
US3588496A (en) * 1968-12-26 1971-06-28 Gen Electric Radiation analysis apparatus having an absorption chamber with partially reflective mirror surfaces
JPS5610582B2 (de) * 1972-02-04 1981-03-09
US3793525A (en) * 1973-01-02 1974-02-19 Philco Ford Corp Dual cell non-dispersive gas analyzer

Also Published As

Publication number Publication date
DE2407133A1 (de) 1975-08-21
FR2261523A1 (de) 1975-09-12
JPS5719376B2 (de) 1982-04-22
FR2261523B1 (de) 1979-10-19
NL7501622A (nl) 1975-08-19
JPS50116087A (de) 1975-09-11
US3947685A (en) 1976-03-30
GB1479110A (en) 1977-07-06
NL176974C (nl) 1985-07-01
NL176974B (nl) 1985-02-01

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