DE19807920A1 - Speicherzellenanordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren - Google Patents

Speicherzellenanordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren

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DE19807920A1
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Ulrich Zimmermann
Thomas Boehm
Manfred Hain
Armin Kohlhase
Yoichi Otani
Andreas Rusch
Alexander Trueby
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    • H10B20/27—ROM only
    • H10B20/40—ROM only having the source region and drain region on different levels, e.g. vertical channel
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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