DE19732837A1 - Legierung auf Kupferbasis - Google Patents
Legierung auf KupferbasisInfo
- Publication number
- DE19732837A1 DE19732837A1 DE19732837A DE19732837A DE19732837A1 DE 19732837 A1 DE19732837 A1 DE 19732837A1 DE 19732837 A DE19732837 A DE 19732837A DE 19732837 A DE19732837 A DE 19732837A DE 19732837 A1 DE19732837 A1 DE 19732837A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- copper
- alloy
- conductivity
- nickel
- alloys
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/06—Alloys based on copper with nickel or cobalt as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/08—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of copper or alloys based thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft Kupferlegierungen für
die Anwendung in der Elektronik für die Herstellung von
Träger von Bauteilen.
Das Kupfer, hervorragender elektrischer Leiter, wie das
hinreichend bekannt ist, wird für die verschiedensten
Anwendungen gebraucht, insbesondere in der Elektronik; es
dient als Platine Träger für Bauteile von elektronischen
Schaltungen (Lead Frame) für die verschiedensten Bauteile
und insbesondere für elektronische Chips. Bei der
Herstellung der Leiterplatten werden die Bauteile im
allgemeinen hartgelötet, geklebt und/oder eingefaßt, dann
mit einem Überzug aus Kunststoffmasse auf dem Kupferträger
heiß ummantelt, der so der Temperatur widerstehen und
seine charakteristischen mechanischen Eigenschaften be
halten soll.
Wegen dieser Hitzebeständigkeit (Restaurationsbeständig
keit) werden Legierungen auf Kupferbasis verwendet; dies
erlaubt die Restaurationsbeständigkeit zu erhöhen, jedoch
unter Wahrung einer guten Leitfähigkeit.
Die Hitzebeständigkeit oder das was man Restauration nennt,
entspricht einem Ablauf, welcher zum Anlassen der
Kupferlegierung, durch Aktivierung der Aufhebung der
Dislokationen durch Wiedererwärmung mit hoher Temperatur
führt. Die Restaurationsbeständigkeit kennzeichnet sich
durch die maximale Dauer (beispielsweise oberhalb von 10
mn) einer Aufrechterhaltung einer angehobenen Temperatur
(beispielsweise ca. 450°C), nach der die Härte des Metalls
oberhalb eines vorbestimmten Wertes bleibt.
Die gemessene Leitfähigkeit der Legierung, in Prozent
angegeben, bezieht sich auf die Leitfähigkeit des reinen
Kupfers gleich 100%. Dieser Prozentsatz von Leitfähigkeit
wird Leitfähigkeit IACS genannt.
Entsprechend dem Beispiel verwendet man die Legierung Cu Sn
0,15, welches eine Legierung aus Kupfer und Zinn ist.
Die in der Elektronik verwendeten Kupferträger sollen nicht
nur eine gute mechanische Widerstandsfähigkeit und
Hitzebeständigkeit aufweisen, sondern sollten auch eine
hervorragende Schweißbarkeit und/oder Lötbarkeit
aufweisen. Dafür ist die Kupferlegierung mit einer
Nickelschicht überzogen. Diese Nickelschicht wird vor dem
Zuschneiden der Produkte sowie der Träger auf die Legierung
aufgebracht. Dies führt zu einer erheblichen Menge an
Abfallstücken mit vernickelten Kupferlegierung, deren
Wiederaufbereitung kostspielig ist. Man muß in der Tat die
Elektrolyse anwenden, um das Kupfer vom Nickel zu trennen
und es wiederzuverwenden.
Die vorliegende Erfindung hat die Aufgabe, die Legierungen
auf Kupferbasis für die Elektronik zu verbessern, um
Legierungen zu erhalten, welche einen guten
Temperaturwiderstand und eine erhöhte Leitfähigkeit
aufweisen und die Wiederaufbereitung von Fabrikations
abfällen erleichtern.
Zu diesem Zwecke beinhaltet die Erfindung das Verfahren zur
Herstellung von Trägern für Bauteile von elektronischen
Schaltungen, die dazu bestimmt sind, auf den Träger aus
einer Legierung auf Kupferbasis gelötet, geklebt und/oder
heißgefaßt zu werden, welche in Masseprozent 0,1% bis 1%
Nickel und 0,005% bis 0,1% Phosphor enthält, wobei der Rest
aus Kupfer oder hauptsächlich Kupfer ist.
Entsprechend der Erfindung kann eine solche Legierung im
übrigen bis zu 0,1% Eisen und/oder bis zu 0,5% Zink
enthalten.
Diese Legierung auf Kupferbasis zeigt eine gute
Leitfähigkeit, im allgemeinen über 80% IACS in dem
angegebenen Bereich der Mischung, sowie eine hervorragende
Hitzebeständigkeit, d. h., ein Restaurationswiderstand,
hauptsächlich zurückzuführen auf die Zusatzelemente Nickel
und Phosphor.
Die Legierung auf Kupferbasis gemäß der Erfindung ist
gleichermaßen auf wirtschaftlicher Ebene interessant, denn
sie erleichtert das Recyclieren der Abfälle der
Trägerfabrikation oder der Elemente für die Elektronik,
denn in diesem Fall ist die Legierung erfindungsgemäß mit
einem Nickelüberzug versehen. Die mechanischen
Eigenschaften dieser Legierung sind außerordentlich
interessant.
Die Legierungen gemäß der vorliegenden Erfindung bieten
zahlreiche Vorteile. Z.B. ist ihre elektrische
Leitfähigkeit sehr gut. Es ist leicht, eine elektrische
Leitfähigkeit höher als 70% IACS zu erhalten.
Es ist sogar möglich, wie die folgenden Beispiele zeigen,
eine elektrische Leitfähigkeit oberhalb 80% IACS sicherzu
stellen, indem der Zusatz von Phosphor im Zusammenhang mit
dem von Nickel und von Eisen variiert und indem der Gehalt
der restlichen Elemente (Zink, . . . ) begrenzt wird: Die
speziellen Produktionsprogramme sind also für die
Optimierung der Glühzyklen und die Bildung von feinen
NiaPβ-Niederschläge zu berücksichtigen.
Der restliche Gehalt von Nickel und von Phosphor in Lösung
nach der größtmöglichen Ausfällung gewährleistet einen
sehr guten Restaurationswiderstand: Die Anlaßvorgänge
bleiben, wie das die folgenden Beispiele bezeugen, während
der Durchführung in einem Ofen selbst jenseits von 450°C
schwach und sind bei der Schweißung, Lötung oder der
Verkapselung mit Kunststoff bei Temperaturen im Bereich
zwischen 370° und 425°C vernachlässigbar.
Die gebildeten Ausfällungen (aus Ni₅P₂ gemäß den
aktuellsten thermodynamischen Berechnungen oder sicherer
aus Ni₂P gemäß den durchgeführten Analysen durch
Energieverlust in Transmissionsmikroskopie) erlauben eine
signifikante Härtung der erfindungsgemäßen Legierungen.
Sie erhöhen parallel den Relaxationswiderstand.
Die erfindungsgemäßen Legierungen sind wenig
kostenintensiv. Sie benötigen nur gebräuchliche
Zusatzelemente. Sie erlauben darüberhinaus das preiswerte
Recyclieren der Abfälle aus vernickeltem Kupfer. Kleine
Mengen Unreinheiten (Zink, Silizium, . . .) können toleriert
werden: Sie stufen gemäß den bekannten Gesetzen die
Leitfähigkeit des Produktes ab. Die marginale Zuführung von
anderen Legierungselementen, wie Eisen (bis zu 1.000 ppm
aber bevorzugt weniger als 100 ppm) kann dazu führen, daß
die Glühungen beschleunigt und die mechanischen
Eigenschaften erlangt werden, wobei die Leitfähigkeit nur
wenig berührt wird.
Die erfindungsgemäßen Legierungen eignen sich somit
insbesondere für die elektronischen Anwendungen (Gitter,
Leitungsbauteile, . . .) und ersetzen somit vorteilhafter
weise die Legierungen, wie Cu Sn 0,15.
Die erfindungsgemäße Legierung kann im Gießverfahren
hergestellt werden, welches im allgemeinen für die
Legierungen auf Kupferbasis angewendet wird. Der
eigentliche Prozeß, der für das Gießen der Legierung
gewählt wird, hat keinen besonderen kritischen Einfluß auf
das gewonnene Produkt.
Jedoch ist unterdessen eine vorhergehende Homogenisierung
der Legierung durch Einbringen aller Legierungselemente in
eine Lösung bei hoher Temperatur (800°C oder mehr)
wünschenswert, besonders im Fall von beispielsweise
Eisenzugabe.
Zur Herstellung von Platten ist es möglich, beispielsweise
die Legierung in Streifen zu gießen, sie abzufräsen, um
dann, nach einer leichten Kalkverfestigung, ein
Homogenisierungsglühen (800° bis 850°C während etwa 1
Stunde) durchzuführen, gefolgt von einer Härtung. Es ist
ebenso möglich - und zu bevorzugen -, diese Legierung in
Platten der gängigen Größe zu gießen, sie dann zuerst
heiß (650° bis 1.000°C entsprechend den
Legierungselementen) bis zu einer Dicke von einigen
Millimetern und dann kalt zu walzen.
Danach kann die Legierung bis zu einer gewünschten Dicke
mit zwischenzeitlichen Glühungen kalt gewalzt werden. Eine
größtmögliche Reduktion und um mindestens von 50% ist
zwischen zwei aufeinanderfolgenden Glühungen zu bevorzugen:
Die Dauer jeder Glühung ist folglich für eine letztlich
erhöhte Leitfähigkeit sensibel zu vermindern. Die
Temperaturen der optimalen Glühungen liegen in einem
Bereich zwischen 400° und 600°C bei Einhaltung der
Glühtemperatur während mindestens zwei Stunden, wenn
möglich vier Stunden. Die wesentlichen Zeitabläufe gewähr
leisten im allgemeinen eine erhebliche Leitfähigkeit,
außer im ungünstigen Fall von konkurrierenden Ausfällungen
von Zusatzelementen mit beispielsweise dem Phosphor.
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend mit Hilfe von
zwei Beispielen für die Herstellung von Legierungen auf
Kupferbasis erklärt.
Die Meßresultate der Härte und der Leitfähigkeit sind in
den beigefügten Fig. 1 und 2 wiedergegeben. Die Fig. 1
ist ein Diagramm des Temperaturverhaltens bei 450°C; in
der Abszisse ist die Zeit gezeigt und in der Ordinate die
Härte HV. Das Diagramm zeigt die Kurven von Cu Sn, Cu Ni
0,4, Cu Ni 0,2 und die Legierung FPG, d. h., eine
Kupferlegierung, welche zwischen 950 und 1.000 ppm Fe und
zwischen 330 und 370 ppm P enthält.
Der Versuch bestand darin, auf eine Temperatur von 450°C
hochzufahren und bei dieser Temperatur über einen Zeitraum
hinweg zu verbleiben, der sich über die Skalierung des
Diagramms hinaus erstreckt hat.
Die Fig. 2 zeigt die Kurven der Leitfähigkeit für
verschiedene Prozentwerte IACS, wobei die Abszisse die
Masse in ppm von Nickel und die Ordinate die Masse ppm von
P in der Legierung auf Kupferbasis darstellt.
Die Legierungen, entsprechend dem Beispiel, sind, wie
nachfolgend aufgezeichnet, hergestellt. Entnahmen von
Kupferlegierungen mit Phosphor (Cu-b1, Cu-b2), mit Nickel
überzogen, werden in einem Rinnenofen geschmolzen: Am Ende
der Verschmelzung, ausgehend von einer Spektrometeranalyse,
garantiert ein Dazumischen in Form von Phosphor die
gewünschte Zusammensetzung. Die Schmelzmasse wird nun
einige Minuten bei einer Temperatur (ungefähr 1.200°C)
unter einer Decke von Holzkohle als Reduktionsmittel
gehalten. Der Guß wird in einer wassergekühlten
Blockkokille von beispielsweise 200×400 mm durchgeführt.
Die Zusammensetzung der für dieses Beispiel präparierten
Legierungen wird in der folgenden Tabelle wiedergegeben.
Die so gegossenen Platten werden bei einer Temperatur höher
als 840°C wieder aufgeheizt, dann warmgewalzt von 200 auf
13 mm. Sie können dann bei einer Temperatur höher als 600°
C gehärtet werden oder nicht. Der Rohling wird nun gefräst,
dann bis auf eine Dicke von 1,5 mm kaltgewalzt. Eine
Glühung unter Glocke bei Aufrechterhaltung von 480°C
während vier Stunden ist durchgeführt worden. Die Härte im
geglühten Zustand bewegt sich zwischen 54 und 57 HV. Die in
diesem Zustand gemessenen Leitfähigkeiten der Verbindung Cu
Ni 0,4 und Cu Ni 0,2 betragen entsprechend 78,1% IACS und
79,4% IACS. Der gewonnene Gehalt an Restzink beeinflußt
schwach die Leitfähigkeit. Ausgehend von der bekannten
Wirkung des Zinks in Lösung auf die Leitfähigkeit kann man
abschätzen, daß die Legierungen Cu Ni 0,2 und Cu Ni 0,4,
wenn sie einen anderen Zusatzstoffe als Nickel und Phosphor
in den aufgezeigten Werten enthalten, entsprechende
Leitfähigkeiten von 83% IACS und 79% IACS hätten.
In diesem metallurgischen Zustand, nach einer neuerlichen
Reduzierung durch Walzung um 20%, verändert sich die
Leitfähigkeit praktisch nicht und die Härte erreicht 107
bis 210 HV. Sie ist äquivalent zu der, die unter gleichen
Bedingungen mit einer Legierung Cu Sn 0,15 erreicht wird.
Bei diesem Grad der Kaltverfestigung werden die Proben der
Bänder während 10 Minuten mit unterschiedlichen
Temperaturen von 360° bis 480°C geglüht. Das Härtegefälle
mit der Temperatur im Fall der Legierung Cu Ni 0,4 wird
verglichen mit dem, welches für eine Legierung Cu Sn 0,15
gemessen wird. Die Anlaßtemperatur der Legierung Cu Ni 0,4
liegt oberhalb von 460°C, während die der Legierung Cu Sn
0,15 im Bereich von 440°C liegen.
Entsprechend diesem Beispiel sind neue Legierungen auf die
nachfolgend beschriebene Art hergestellt worden. Kupfer mit
einem hohen Reinheitsgehalt wird in einem Rinnenofen
geschmolzen: Die Zusatzstoffe zur Legierung sind in Form
von reinem Nickel, von Kupferphosphid 85-15 und
Siliziummetall vorgesehen, bis die beabsichtigte Verbindung
erreicht ist. Die Schmelzmasse wird nun unter einer
Holzkohlenschicht bei Temperatur (ca. 1.200°C) gehalten.
Die Verbindung wird schrittweise verändert, um eine breite
Palette von unterschiedlichen Legierungen zu erhalten. Die
Luppen werden der Schmelze entnommen und für jede neue
Verbindung gegossen (Durchmesser: 25 mm, Höhe: 40 mm). Die
Zusammensetzung jeder für dieses Beispiel hergestellten
Legierung ist in denen in der folgenden Tabelle
aufgeführten Werten enthalten.
Jede dieser Luppen wird durch eine Aufrechterhaltung von
850°C während einer Stunde und dann einer Wasserhärtung
homogenisiert. In diesem Zustand werden sie um mehr als 70%
(Reduktion der Höhe) durch Zerdrücken auf einer
hydraulischer Presse verformt. Sie werden nun so geglüht,
daß für jede Legierung die maximale Leitfähigkeit erreicht
wird. Nun werden Beziehungen zwischen diesen gemessenen
Werten der Leitfähigkeit und den Verbindungen der
Legierungen hergestellt. Diese Korrelationen zeigen auch
die früheren Eigenschaften, aufgeführt im Rahmen des
Beispiels 1.
Linien gleicher Leitfähigkeit können in den
Zusammensetzungsplan für Nickel und Phosphor, außer
anderer Zusatzstoffe, für die reinen Legierungen aus
Kupfer, Nickel, Phosphor eingezeichnet werden. Diese
Ergebnisse sind in Fig. 2 zusammengefaßt.
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung von Trägern für Bauteile von
elektrischen Schaltungen, die dazu bestimmt sind, auf den
Träger aus einer Legierung auf Kupferbasis gelötet, geklebt
und/oder heißgefaßt zu werden, welche in Masseprozent
0,1% bis 1% Nickel und 0,005% bis 0,1% Phosphor enthält,
wobei der Rest Kupfer oder hauptsächlich Kupfer ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Legierung Feinpräzipitate von NiαPβ enthält.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Legierung bis zu 0,1% Eisen
enthält.
4. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Legierung bis zu 0,5% Zink
enthält.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9609575A FR2751990B1 (fr) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | Alliage a base de cuivre a conductivite electrique et a temperature d'adoucissement elevees pour des applications dans l'electronique |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19732837A1 true DE19732837A1 (de) | 1998-03-05 |
DE19732837C2 DE19732837C2 (de) | 2003-01-16 |
Family
ID=9494626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19732837A Revoked DE19732837C2 (de) | 1996-07-30 | 1997-07-30 | Verfahren zur Herstellung von Trägern für Bauteile von Schaltungen, sowie ein nach dem Verfahren hergestellter Träger |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6149741A (de) |
JP (1) | JP4199320B2 (de) |
KR (1) | KR100429109B1 (de) |
DE (1) | DE19732837C2 (de) |
FR (1) | FR2751990B1 (de) |
IT (1) | IT1293454B1 (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000349085A (ja) * | 1999-06-01 | 2000-12-15 | Nec Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP3465108B2 (ja) * | 2000-05-25 | 2003-11-10 | 株式会社神戸製鋼所 | 電気・電子部品用銅合金 |
FR2880358B1 (fr) * | 2005-01-06 | 2007-12-28 | Trefimetaux | Alliages de cuivre et produits lamines correspondants pour applications electroniques |
WO2008010378A1 (en) * | 2006-07-21 | 2008-01-24 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Copper alloy sheets for electrical/electronic part |
US20140048587A1 (en) * | 2012-02-07 | 2014-02-20 | Paul Rivest | Brazing alloy and processes for making and using |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2375285A (en) * | 1943-01-22 | 1945-05-08 | Chase Brass & Copper Co | Spring |
SU490855A1 (ru) * | 1974-04-04 | 1975-11-05 | Предприятие П/Я В-2836 | Сплав на основе меди |
JPS5815528B2 (ja) * | 1975-07-04 | 1983-03-26 | 株式会社東芝 | セキシユツコウカガタドウゴウキン |
KR840001426B1 (ko) * | 1982-10-20 | 1984-09-26 | 이영세 | 전기전자 부품용 동합금 및 동합금판의 제조방법 |
JPH0674463B2 (ja) * | 1983-01-29 | 1994-09-21 | 古河電気工業株式会社 | リ−ドフレ−ム用銅合金 |
JPS60114546A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 電子機器材料用銅合金 |
GB2158095B (en) * | 1984-04-26 | 1988-04-20 | Poong San Metal Corp | Copper alloys for integrated circuit leads |
JPS62120450A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-06-01 | Nakasato Kk | 電気・電子機器用電気機械的接続ばね材料の製造法 |
JPS62278243A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-03 | Dowa Mining Co Ltd | リ−ドフレ−ム材用銅合金およびその製造法 |
ES2011467B3 (es) * | 1986-06-20 | 1990-01-16 | Km-Kabelmetal Ag | Empleo de una aleacion de cobre |
DE3620655A1 (de) * | 1986-06-20 | 1987-12-23 | Kabel Metallwerke Ghh | Verwendung einer kupferlegierung |
JPH0387341A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-12 | Nippon Mining Co Ltd | 曲げ加工性の良好な高強度りん青銅の製造方法 |
JPH03104845A (ja) * | 1989-09-18 | 1991-05-01 | Nippon Mining Co Ltd | 曲げ加工性の良好な高強度りん青銅の製造方法 |
JP2871801B2 (ja) * | 1990-04-13 | 1999-03-17 | 古河電気工業株式会社 | 析出硬化型銅合金の溶体化処理方法 |
JPH04165055A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-10 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用リードフレーム材 |
JPH04311544A (ja) * | 1991-04-08 | 1992-11-04 | Nikko Kyodo Co Ltd | 通電材料 |
JP3087341B2 (ja) | 1991-05-21 | 2000-09-11 | ミノルタ株式会社 | 積層型感光体 |
JPH05226543A (ja) * | 1991-11-19 | 1993-09-03 | Natl Semiconductor Corp <Ns> | リードフレーム用保護コーティング |
KR940010455B1 (ko) * | 1992-09-24 | 1994-10-22 | 김영길 | 고강도, 우수한 전기전도도 및 열적안정성을 갖는 동(Cu)합금 및 그 제조방법 |
JP3104845B2 (ja) | 1995-09-04 | 2000-10-30 | 株式会社小糸製作所 | 車両用灯具 |
KR0157258B1 (ko) * | 1995-12-08 | 1998-11-16 | 정훈보 | 석출 경화형 동합금의 제조방법 |
-
1996
- 1996-07-30 FR FR9609575A patent/FR2751990B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-07-15 IT IT97TO000641A patent/IT1293454B1/it active IP Right Grant
- 1997-07-30 KR KR1019970036208A patent/KR100429109B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-07-30 JP JP20459497A patent/JP4199320B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-30 DE DE19732837A patent/DE19732837C2/de not_active Revoked
-
1999
- 1999-06-10 US US09/329,906 patent/US6149741A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR980009485A (ko) | 1998-04-30 |
KR100429109B1 (ko) | 2004-07-12 |
JPH1068032A (ja) | 1998-03-10 |
JP4199320B2 (ja) | 2008-12-17 |
MX9705772A (es) | 1998-08-30 |
FR2751990B1 (fr) | 1998-10-02 |
IT1293454B1 (it) | 1999-03-01 |
FR2751990A1 (fr) | 1998-02-06 |
DE19732837C2 (de) | 2003-01-16 |
ITTO970641A1 (it) | 1999-01-15 |
US6149741A (en) | 2000-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE60101026T2 (de) | Silber enthaltende Kupfer-Legierung | |
DE10065735B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Kupferlegierung für ein Verbindungsstück und durch das Verfahren erhältliche Kupferlegierung | |
DE69327470T2 (de) | Kupferlegierung mit hoher festigkeit und guter leitfähigkeit und verfahren zu deren herstellung | |
DE3631119C2 (de) | ||
DE3107490C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Niob enthaltenden, rostfreien Chromferrit-Stahlblechs | |
DE2942345C2 (de) | ||
DE3629395A1 (de) | Kupferlegierung fuer elektronische bauteile und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE2007516A1 (de) | ||
DE10125586A1 (de) | Kupferlegierung zur Verwendung in elektrischen und elektronischen Teilen | |
DE1558720B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines kalt gewalzten stahlbleches mit ausgezeichneter tiefziehfaehigkeit und duktilitaet | |
DE69709610T2 (de) | Kupfer-Nickel-Beryllium Legierung | |
DE1533160A1 (de) | Legierung | |
DE2307464A1 (de) | Eisenlegierungen und verfahren zu deren herstellung | |
DE2116549C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Kupferlegierungen, die einen hohen Gehalt an Eisen, Kobalt und Phosphor aufweisen, mit hoher elektrischer Leitfähigkeit und gleichzeitig hoher Festigkeit | |
DE2809561C2 (de) | Verwendung einer Kupferlegierung für Halbzeug mit guten elektrischen und mechanischen Eigenschaften | |
DE3023798A1 (de) | Kupferlegierung | |
DE19732837C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Trägern für Bauteile von Schaltungen, sowie ein nach dem Verfahren hergestellter Träger | |
DE2948916C2 (de) | Kupfer-Zinn-Legierung, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung | |
DE2317994B2 (de) | Verwendung einer Aluminiumlegierung als Werkstoff für elektrische Leiter | |
DE2629838A1 (de) | Al-legierungsblech fuer finnen eines waermeaustauschers und verfahren zu seiner herstellung | |
DE3613594C2 (de) | ||
DE3729509C2 (de) | Verbesserte Kupferlegierung, insbesondere für die Herstellung elektronischer Bauteile | |
DE4497281C2 (de) | Eisenhaltige Kupferlegierung für elektrische und elektronische Bauteile | |
DE3417273C2 (de) | Kupfer-Nickel-Legierung für elektrisch leitendes Material für integrierte Schaltkreise | |
DE3930903C2 (de) | Kupferlegierung mit ausreichender Verformbarkeit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8363 | Opposition against the patent | ||
8331 | Complete revocation |