DE3417273C2 - Kupfer-Nickel-Legierung für elektrisch leitendes Material für integrierte Schaltkreise - Google Patents
Kupfer-Nickel-Legierung für elektrisch leitendes Material für integrierte SchaltkreiseInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Kupfer-Nickel-Legierung
für elektrisch leitendes Material für integrierte Schalt
kreise und auf ein Verfahren zu ihrer Herstellung.
Auf dem Gebiet der Metallurgie werden Legierungen auf
Kupfer-Basis mit hohen Festigkeitswerten und großer
elektrischer Leitfähigkeit angestrebt. Ferner wird ein
Verfahren zur Herstellung von Legierungen auf Kupfer-Basis
mit hoher Zugfestigkeit und großer elektrischer Leitfähig
keit sowie von Kupfer-Legierungs-Platten angestrebt,
welches in wirtschaftlicher Weise mit gewünschten
Fabrikationseigenschaften für elektrische oder elektro
nische Teile anwendbar ist.
Es ist bekannt, daß Kupfer als solches eine ausgezeichnete
elektrische Leitfähigkeit und andere Eigenschaften
aufweist. Jedoch hat Kupfer für viele Anwendungsfälle eine
zu geringe Zugfestigkeit. Aus diesem Grunde sind seit
langem umfangreiche Forschungen durchgeführt worden, um die
Zugfestigkeit des Kupfers dadurch zu erhöhen, daß man
Legierungs-Elemente zugegeben hat, wie Zinn, Mangan,
Silber, Zink, Kobalt, Titan, Chrom und Zirkon. Insbesondere
wurde die Zugfestigkeit des Kupfers durch Zugabe von Zinn
als Legierungs-Element erhöht, wie in den japanischen
Patentanmeldungen 52-78621 und 53-89662 sowie in der US-PS
43 37 089 beschrieben wurde. Jedoch wurde auf diese Weise
die elektrische Leitfähigkeit der sich ergebenden Legie
rungen so vermindert, daß diese Legierungen nicht für
Leiterplatten von Transistoren oder für integrierte Schalt
kreise geeignet waren, für welche eine hohe Zugfestigkeit
und eine große elektrische Leitfähigkeit gewünscht werden.
Diese Zugfestigkeitswerte liegen in der Größenordnung von
mindestens etwa 400 N/mm². Diese elektrischen Leitfähig
keitswerte betrugen in der Größenordnung mindestens etwa
60% oder mehr der elektrischen Leitfähigkeit von reinem
Kupfer, auf welche als prozentuale Leitfähigkeit nach IACS
Bezug genommen ist, wie in der vorerwähnten US-PS 43 37 089
beschrieben ist.
Es wird ferner angestrebt, die Fabrikationseigenschaften
und das Verfahren zur Herstellung von Kupfer-Nickel-Legie
rungen zu verbessern, und zwar durch Verminderung der
Sprödigkeit, sowie die bisher bekannten Heißbearbeitungs
schritte zu verbessern und/oder auch die schlechte Bear
beitbarkeit in bisher bekannten Verhältnissen der Kaltbe
arbeitung zu verbessern, was sich dadurch ergibt, daß man
Legierungs-Elemente, wie Zinn oder zuviel von einigen
anderen oben erwähnten Elementen zugibt.
Es war außerdem vorteilhaft, die Kosten der bisher
bekannten Kupfer-Nickel-Legierungen durch Nichtverwendung
kostspieliger Legierungselemente, wie Zinn und/oder
Mangan, zu vermindern, oder durch Herabsetzung der Mengen
von Zuschlägen und/oder durch Auffinden preiswerterer
Zuschläge.
Schließlich wird angestrebt, die Dehnungseigenschaften der
bisher bekannten Kupfer-Nickel-Legierungen für die oben
erwähnten Anwendungsgebiete zu verbessern, einschließlich
für die erwähnten Leiterplatten für Transistoren und/oder
integrierten Schaltkreise.
In Übereinstimmung mit der Erfindung wurde herausgefunden,
daß gewisse Zuschläge aus den bisher bekannten Legierungen
eliminiert werden können. Diese Zuschläge sind Zinn, Mangan,
Silber, Zink, Kobalt, Titan, Chrom und Zirkonium.
Aus der US-PS 21 55 405 sind bereits Kupfer-Nickel-Legie
rungen bekannt, bei welchen Kupfer, Nickel und Phosphor als
wesentliche Bestandteile benutzt werden, und zwar mit einem
Legierungsbestandteil an Phosphor von 0,05 bis 0,6
Gewichts-% und mit weiteren geringen Legierungsbestand
teilen an Silizium mit weiteren Bestandteilen an Aluminium
und Mangan von 0,01 Gewichts-% und weniger. Bei diesen
Legierungen sind noch weitere Bestandteile an Chrom von 0,1
Gewichts-% und weniger vor allem aber an Silber von 5,0
Gewichts-% und mehr vorgesehen. Auf Grund dieser Legie
rungsbestandteile ergeben sich besondere charakteristische
Eigenschaften, die in der Praxis als nicht wünschenswert
angesehen werden.
Desweiteren ist aus der DE-OS 17 83 164 ein Verfahren zur
Verbesserung der elektrischen Leitfähigkeit und Festigkeit
von Guß- und Schmiedestücken aus Kupfer-Legierungen
bekannt. Bei diesen bekannten Legierungen wird nur ein
geringer Bestandteil an Nickel im Rahmen weiterer Bestand
teile an Mn, Sn, Al, Ca, Ti, Cr, W, V und zusätzlich ein
Bestandteil Zn verwendet. Ein weiterer Legierungsbestand
teil an Fe mit 1,0 bis 3,5 Gewichts-% ist außerordentlich
hoch. Es hat sich in der Praxis gezeigt, daß bei Über
steigen des Fe-Anteiles über 1 Gewichts-% die Löslich
keitsgrenze für Fe überschritten wird, d. h. wenn der
Aggregatzustand von flüssig auf fest überführt wird, kann
sich Fe ausscheiden. Daraus ergeben sich dann schlechte
Plattenschichten in den ausgeschiedenen Teilen.
Der Erfindung liegt demgegenüber die Aufgabe zu Grunde,
eine Kupfer-Nickel-Legierung zu schaffen, die wirtschaft
lich herstellbar ist, hohe Zugfestigkeit, große elektri
sche Leitfähigkeit und verbesserte Dehnungseigenschaften
aufweist, so daß sie auch industriell einfach verarbeitet
werden kann.
Die gestellte Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Kupfer-
Nickel-Legierung aus 0,05 bis 3,0 Gewichts-% Nickel, 0,01
bis 1 Gewichts-% Silizium, 0,01 bis 0,04 Gewichts-%
Phosphor und Kupfer als Rest besteht.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung besteht darin, daß die
Kupfer-Nickel-Legierung zusätzlich 0,01 bis 0,9 Gewichts-%
Eisen enthält.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den
Unteransprüchen 3 und 4.
Die Erfindung betrifft ferner Verfahren zur Herstellung
einer Legierung in zwei Alternativen. Das eine Verfahren
ist durch folgende Verfahrensschritte gekennzeichnet:
- a) Gießen der Legierung;
- b) Heißwalzen des Gußkörpers bei einer Temperatur von etwa 750°C bis 950°C;
- c) schnelles Abkühlen des gewalzten Gußkörpers;
- d) Kaltwalzen des Gußkörpers bis zur Reduzierung
der Abmessungen von etwa 60% bis 80%;
Anlassen des Gußkörpers bei einer Temperatur von etwa 400°C bis 520°C über die Zeitdauer von etwa 2 Stunden; - f) schnelles Abkühlen des sich ergebenden Produktes;
- g) erneutes Kaltwalzen des Produktes bis zur Reduzierung der Abmessungen von etwa 50% bis 70%;
- h) Anlassen des sich ergebenden Produktes bei einer Temperatur von etwa 400°C bis 520°C über die Zeitdauer von etwa zwei Stunden;
- i) schnelles Abkühlen des sich ergebenden Produktes;
- j) abschließendes Kaltwalzen des Gußkörpers mit einer Reduzierung der Abmessungen von etwa 50% bis 70%;
- k) Anlassen bei niedriger Temperatur von etwa 250°C bis 400°C.
Die andere Verfahrensalternative weist folgende Verfahrens
schritte auf:
- a) Gießen der Legierung;
- b) Heißwalzen der Legierung bei einer Temperatur von etwa 750°C bis 950°C und schnelles Abkühlen;
- c) erstes Kaltwalzen der Legierung mit einer Reduzierung der Abmessungen von etwa 60% bis 80%;
- d) Anlassen der Legierung bei einer Temperatur von etwa 400°C bis 520°C über die Zeitdauer von etwa zwei Stunden und schnelles Abkühlen;
- e) zweites Kaltwalzen der Legierung mit einer Reduzierung der Abmessungen von etwa 50% bis 70%;
- f) Anlassen der Legierung bei einer Temperatur von etwa 400°C bis 520°C über die Zeitdauer von etwa zwei Stunden und schnelles Abkühlen;
- g) Kaltwalzen der Legierung mit einer Reduzierung der Abmessungen von etwa 30% bis 50%;
- h) Anlassen der Legierung bei einer Temperatur von 350°C bis 500°C für etwa zwei Stunden;
- i) abschließendes Walzen der Legierung mit einer Reduzierung der Abmessungen von etwa 10% bis 25%;
- j) Anlassen der Legierung bei niedriger Temperatur von etwa 250°C bis 400°C.
Die oben erläuterten Gegenstände der Erfindung werden aus
der folgenden ausführlichen Beschreibung von bevorzugten
Ausführungsbeispielen der Erfindung deutlich, wenn sie in
Verbindung mit den anhängenden Zeichnungen gelesen werden.
Es wird jedoch ausdrücklich bemerkt, daß die Zeichnungen
keine Definition der Erfindung darstellen sollen, sondern
nur der besseren Illustration dienen.
In den Zeichnungen bedeuten
Fig. 1 eine graphische Darstellung der Variation der
physikalischen Verhältnisse als Funktion von den Anlaß
temperaturen und -zeiten bei einem Ausführungsbeispiel
einer Kupfer-Nickel-Legierung A nach der Erfindung sowie
bei einer bekannten Kupfer-Legierung B, bei welcher
Elemente zugefügt sind, die durch die Erfindung eliminiert
sind;
Fig. 2 eine graphische Darstellung der Variation der
physikalischen Verhältnisse als Funktion der Anlaß
temperaturen und -zeiten bei einer Kupfer-Legierung A eines
anderen Ausführungsbeispieles der Erfindung sowie bei der
bekannten Legierung B gemäß Fig. 1.
Die Erfindung ist bevorzugt anwendbar für Leiterplatten und
elektrische Leiter für Transistoren und integrierte Schalt
kreise, die eine hohe Zugfestigkeit und eine große elektri
sche Leitfähigkeit erfordern. Die geforderte Zugfestigkeit
liegt in der Größenordnung von über mindestens etwa
400 N/mm² und die geforderte Leitfähigkeit liegt in der
Größenordnung von mindestens etwa 60% der elektrischen
Leitfähigkeit von reinem Kupfer. Die Erfindung ist aber
auch mit Vorteil in allen Anwendungsbereichen zu verwenden,
in denen solche Zugfestigkeiten und elektrischen Leitfähig
keiten oder auch höhere ausgewählte Werte dieser Eigen
schaften gefordert werden.
Nach einem bevorzugten Ausführungsbeispiel des erfindungs
gemäßen Verfahrens sind die folgenden Verfahrensschritte
und die Reihenfolge der Schmelz-, Heißbehandlungs- und
Kaltbehandlungsstationen vorgesehen:
Zuerst wird in der Schmelzstation ein Barren aus reinem Kupfer ohne Zuschläge in einen Schmelzkessel eines Schmelz ofens eingebracht und das Kupfer vollständig geschmolzen. Danach wird die Kupferschmelze auf annähernd 1300°C erhitzt. Nickel und gegebenenfalls Eisen werden dann der Schmelze zugege ben. Die Schmelze wird dann mit Phosphor und Silizium desoxidiert, welche von einer Kupferfolie umgeben sind und welche der Schmelze beigegeben und hiermit geschmolzen werden. Der letzte Schritt in dieser Station ist ein schnelles Abkühlen, um einen Gußkörper zu formen.
Zuerst wird in der Schmelzstation ein Barren aus reinem Kupfer ohne Zuschläge in einen Schmelzkessel eines Schmelz ofens eingebracht und das Kupfer vollständig geschmolzen. Danach wird die Kupferschmelze auf annähernd 1300°C erhitzt. Nickel und gegebenenfalls Eisen werden dann der Schmelze zugege ben. Die Schmelze wird dann mit Phosphor und Silizium desoxidiert, welche von einer Kupferfolie umgeben sind und welche der Schmelze beigegeben und hiermit geschmolzen werden. Der letzte Schritt in dieser Station ist ein schnelles Abkühlen, um einen Gußkörper zu formen.
Die Heißverarbeitungsstation umfaßt einen Heißverarbeitungs
schritt bei einer Temperatur zwischen etwa 750°C und etwa
950°C. Dieser Schritt schließt ein Heißwalzen des Guß
körpers in ein in den Abmessungen reduziertes Element ein,
um die vorhergehende Behandlung in der flüssigen Phase der
schnell abgekühlten Schmelze aus der ersten Schmelzstation
bzw. -phase zu vervollkommnen. Anschließend auf diesen
Heißbehandlungsschritt wird dieses sich ergebende in
flüssiger Phase behandelte und in den Abmessungen redu
zierte Element schnell abgekühlt.
In der folgenden Kaltverarbeitungsstation wird eine zyklische
Kaltverarbeitung mit einer Verminderung der Abmessungen
(Querschnitt) von etwa 60% bis 80% durchgeführt. Nach dem
Kaltverabeitungszyklus wird das erhaltene kaltverarbeitete
Element in einem weiteren Zyklus bei einer Temperatur von
etwa 400°C bis 520°C angelassen, und zwar zum Zwecke
einer Vergütungsbehandlung und Rekristallisation. Der
Zyklus dieser aufeinanderfolgenden Kaltverarbeitungs- und
Anlaß-Schritte wird insgesamt dreimal ausgeführt.
Durch das vorbeschriebene Verfahren ergibt sich eine erfin
dungsgemäßes Material, welches eine elektrische Leitfähig
keit von mehr als 60% (IACS) der elektrischen Leitfähigkeit
von reinem Kupfer ohne Zuschläge aufweist, wobei die Zug
festigkeit etwa 400 bis 627 N/mm² und die Dehnung etwa
< 3% betragen. Diese Verhältnisse sind sehr geeignet für
die Forderungen, die an Leiterplatten für elektronische
Stromkreiselemente, wie Halbleiter, Transistoren und inte
grierte Schaltkreise, gestellt werden. Jedoch sei hervor
gehoben und nachfolgend näher erläutert, daß die Erfindung
und das Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen
Materials wegen des wünschenswerten Bereichs der Verhält
nisse ein weiteres Anwendungsgebiet erhalten können.
Darüberhinaus hat die beschriebene Erfindung den Vorteil,
daß die Herstellungskosten niedrig sind. Dies liegt vor
allem daran, daß das erfindungsgemäße Material verhältnis
mäßig kleine Mengen an kostspieligen Legierungselementen
enthält, vielmehr Zuschläge hat, die verhältnismäßig
kostengünstig sind. Ferner ist die Bearbeitbarkeit des
erfindungsgemäßen Materials gut.
Ferner kann die erhaltene Kupfer-Nickel-Legierung auf Grund
der großen Zugfestigkeit, der großen elektrischen Leit
fähigkeit und der großen Dehnung für viele Anwendungs
gebiete benutzt werden, in denen auch hohe Biegebeanspru
chungen gefordert bzw. gegeben sind.
Zum besseren Verständnis der Erfindung seien die folgenden
Beispiele erläutert:
Unter Verwendung eines Mittelfrequenz-Induktionsofens in
Luft wird eine Legierung mit den Bestandteilen der nach
folgenden Tabelle 1 bei etwa 1200°C geschmolzen und dann
unter schnellem Abkühlen gegossen. Bei diesem Schmelzvor
gang wird zunächst sehr reines Kupfer ohne Zuschläge in den
Ofen gegeben, und nach dem Herunterschmelzen wird die
Schmelze mit Holzkohle bedeckt.
Anschließend an dieses beschriebene Erhitzen und Schmelzen
bei ungefähr 1200°C wird die Holzkohle entfernt und die
Schmelze wird auf etwa 1320°C erhitzt, um Nickel oder
Nickel-Eisen zuzugeben, welches in Legierungsform vorliegen
kann. Nach dem Eingeben von Nickel oder Nickel-Eisen werden
alle diese Elemente geschmolzen und gründlich miteinander
gemischt.
Nach der Desoxidation mit Phosphor wird Silizium beigegeben
und die Schmelze auf Gußtemperatur gebracht. Die Schmelze
wird dann zu einem Barren bzw. Gußkörper gegossen.
Der Barren wird bei einer Temperatur von etwa 750°C bis
950°C heiß gewalzt, so daß er eine Dicke von etwa 7 bis
9 mm aufweist, und schließlich wird das Material schnell
abgekühlt.
Das heiß gewalzte und schnell abgekühlte Material wird kalt
gewalzt mit einer Verringerung der Abmessung von etwa 70%,
wobei die Abmessungen kontrolliert werden, so daß sich eine
Dicke von etwa 2 bis 2,5 mm ergibt. Das Material wird dann
auf eine Anlaßtemperatur von etwa 450°C bis 480°C
gebracht und erneut kalt gewalzt mit einer Verringerung der
Abmessungen von etwa 65%, was so gesteuert wird, daß sich
eine Dicke von etwa 0,8 mm ergibt. Sodann erfolgt ein An
lassen bei einer Temperatur von etwa 460°C bis 500°C und
in einem letzten Kaltwalzschritt eine Steuerung auf die
gewünschte Abmessung, wobei die Dicke ungefähr 0,25 mm
beträgt. Schließlich erfolgt ein Anlassen bei niedriger
Temperatur von etwa 250°C bis 400°C.
Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 aufgeführt und die Kurven
der physikalischen Verhältnisse bezogen auf die Tempera
turen und Zeiten des letzten Niedrig-Temperatur-Anlassens
sind in Fig. 1 dargestellt.
Unter Verwendung eines Mittelfrequenz-Induktionsofens wird
die Legierung mit der Zusammensetzung nach Tabelle 1 bei
etwa 1200°C geschmolzen, gegossen und schnell abgekühlt,
wie in dem obigen Beispiel 1 beschrieben ist. In diesem
Schmelzverfahrensschritt wird zuerst sehr reines Kupfer
ohne Zuschläge in den Ofen eingegeben, und zwar bei etwa
1200°C. Nach dem Herunterschmelzen wird die Schmelze mit
Holzkohle bedeckt, wie ebenfalls in dem obigen Beispiel 1
beschrieben ist.
Anschließend an den beschriebenen Verfahrensschritt des
Aufheizens und Schmelzens bei ungefähr 1200°C wird die
Holzkohle entfernt, die Schmelze wird erhitzt auf etwa
1320°C und sodann wird Nickel in die Schmelze eingegeben.
Nach vollständigem Schmelzen wird die Schmelze mit Phosphor
desoxidiert und dann auf eine niedrigere Temperatur
gebracht.
Daraufhin wird ein Silizium-Barren oder -Block, der von
einer sehr reinen Kupferfolie umgeben ist, ohne jede
Zuschläge in die Schmelze eingegeben. Nach vollständigem
Schmelzen wird die Schmelze zu einem Barren oder Block
gegossen.
Der Barren wird bei einer Temperatur von etwa 750°C bis
950°C bis auf eine Dicke von etwa 7 bis 9 mm heiß gewalzt
und anschließend wird das Material schnell abgekühlt.
Das heiß gewalzte Material wird anschließend mit einer
Verminderung der Abmessung von etwa 70% kalt gewalzt, und
zwar wird der Vorgang so gesteuert, daß sich eine Dicke von
etwa 2 bis 2,5 mm ergibt.
Das Material wird dann auf eine Anlaßtemperatur von etwa
470°C bis 520°C gebracht und erneut kalt gewalzt bis zu
einer Verringerung der Abmessung von etwa 65%, d. h. bis zu
einer kontrollierten Dicke von etwa 0,8 mm. Dann wird
dieses Material bei einer Temperatur von etwa 470°C bis
520°C angelassen bis zu einer Dicke von ungefähr 0,33 mm
kalt gewalzt, angelassen bei einer Temperatur von etwa
350°C bis 450°C, in einem abschließenden Kaltwalzvorgang
auf eine kontrollierte Dicke von etwa 0,254 mm gebracht und
schließlich bei einer niedrigen Temperatur angelassen.
Die Ergebnisse sind in der Tabelle 3 aufgeführt. Die
Änderungen bzw. Unterschiede der physikalischen Verhält
nisse bezogen auf die Temperaturen und Zeiten des letzten
Anlassens bei niedriger Temperatur sind aus Fig. 2 zu
ersehen.
Bei einem anderen Beispiel wurden die Verfahrensschritte
und Vorgänge nach den vorhergehenden Beispielen vollzogen.
Die Zuschläge wurden so ausgewählt, daß eine Legierung mit
der folgenden gewichtsprozentualen Zusammensetzung herge
stellt wurde:
Nickel = 1%,
Phosphor = 0,03%,
Silizium = 0,2% und
Rest = Kupfer.
Nickel = 1%,
Phosphor = 0,03%,
Silizium = 0,2% und
Rest = Kupfer.
Bei einem anderen Beispiel wurden die Verfahrensschritte
und Vorgänge nach den vorhergehenden Beispielen 1 und 2
vollzogen. Die Zuschläge wurden so ausgewählt, daß eine
Legierung mit der folgenden gewichtsprozentualen Zusam
mensetzung hergestellt wurde:
Eisen = 0,7%,
Nickel = 0,5%,
Phosphor = 0,03%,
Silizium = 0,1% und
Rest = Kupfer.
Eisen = 0,7%,
Nickel = 0,5%,
Phosphor = 0,03%,
Silizium = 0,1% und
Rest = Kupfer.
Die Erfindung bringt den Vorteil mit sich, eine neue wirt
schaftliche Kupfer-Legierung mit hoher Zugfestigkeit und
großer Leitfähigkeit für elektrische und elektronische
Ausrüstungsteile, wie Leiter und Leiterplatten für Tran
sistoren und integrierte Schaltkreise zu schaffen. In
diesem Zusammenhang ergibt die Erfindung den Vorteil, daß
bestimmte Mengen einer Gruppe von wenig kostspieligen
Elementen, bestehend aus Nickel, Silizium, Phosphor, Eisen
und Kupfer, verwendet werden kann. Die Erfindung bringt
auch den Vorteil mit sich, ein verbessertes Verfahren zu
schaffen, um solche Legierungen herzustellen, einschließ
lich einer bestimmten Reihenfolge bestimmter Verfahrens
schritte. Die bestimmten Verfahrensschritte ergeben eine
Ausscheidungshärte, was anhand der obigen Beschreibung für
einen Fachmann verständlich ist. Auch die Legierungen und
Verfahren nach der Erfindung haben andere wünschenswerte
Eigenschaften, einschließlich der Schaffung von günstigen
wirtschaftlichen Dehnungs- oder Streckungseigenschaften,
wobei auch vorteilhafterweise Biegebeanspruchungen statt
finden können.
Gemäß der Erfindung werden
wenig kostspielige Elemente mit folgenden
Gewichtsprozenten vorgesehen:
0,05 bis 3,0 Gewichts-% Nickel,
0,01 bis 1,0 Gewichts-% Silizium und
0,01 bis 0,1 Gewichts-% Phosphor.
0,05 bis 3,0 Gewichts-% Nickel,
0,01 bis 1,0 Gewichts-% Silizium und
0,01 bis 0,1 Gewichts-% Phosphor.
Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der
Erfindung ergibt sich der Vorteil, daß wenig kostspieliges
Eisen in bestimmten Gewichtsprozenten beigegeben wird, um
ein Ausscheidungshärten zu erreichen und bisher in Kupfer-
Legierungen verwendete Elemente zu eliminieren. Diese durch
die Erfindung eliminierten Elemente umfassen Zinn, Mangan,
Silber, Zink, Kobalt, Titan, Chrom und Zirkonium.
Claims (6)
1. Kupfer-Nickel-Legierung für elektrisch leitendes
Material für integrierte Schaltkreise, dadurch
gekennzeichnet, daß sie aus 0,05 bis 3,0 Gewichts-%
Nickel, 0,01 bis 1,0 Gewichts-% Silizium, 0,01 bis 0,04
Gewichts-% Phosphor und Kupfer als Rest besteht.
2. Kupfer-Nickel-Legierung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß sie zusätzlich 0,01 bis 0,9
Gewichts-% Eisen enthält.
3. Kupfer-Nickel-Legierung nach Anspruch 1, gekenn
zeichnet durch folgende Bestandteile in Gewichts-%:
Nickel = 1%,
Phosphor = 0,03%,
Silizium = 0,2% und
Rest = Kupfer.
Nickel = 1%,
Phosphor = 0,03%,
Silizium = 0,2% und
Rest = Kupfer.
4. Kupfer-Nickel-Legierung nach Anspruch 2, gekenn
zeichnet durch folgende Bestandteile in Gewichts-%:
Eisen = 0,7%,
Nickel = 0,5%,
Phosphor = 0,03%,
Silizium = 0,1% und
Rest = Kupfer.
Eisen = 0,7%,
Nickel = 0,5%,
Phosphor = 0,03%,
Silizium = 0,1% und
Rest = Kupfer.
5. Verfahren zur Herstellung einer Legierung nach einem
der Ansprüche 1 bis 4 mit folgenden Verfahrens
schritten:
- a) Gießen der Legierung;
- b) Heißwalzen des Gußkörpers bei einer Temperatur von etwa 750°C bis 950°C;
- c) schnelles Abkühlen des gewalzten Gußkörpers;
- d) Kaltwalzen des Gußkörpers bis zur Reduzierung
der Abmessungen von etwa 60% bis 80%;
Anlassen des Gußkörpers bei einer Temperatur von etwa 400°C bis 520°C über die Zeitdauer von etwa 2 Stunden; - f) schnelles Abkühlen des sich ergebenden Produktes;
- g) erneutes Kaltwalzen des Produktes bis zur Reduzierung der Abmessungen von etwa 50% bis 70%; h) Anlassen des sich ergebenden Produktes bei einer Temperatur von etwa 400°C bis 520°C über die Zeitdauer von etwa zwei Stunden;
- i) schnelles Abkühlen des sich ergebenden Produktes;
- j) abschließendes Kaltwalzen des Gußkörpers mit einer Reduzierung der Abmessungen von etwa 50% bis 70%;
- k) Anlassen bei niedriger Temperatur von etwa 250°C bis 400°C.
6. Verfahren zur Herstellung einer Legierung nach einem
der Ansprüche 1 bis 4 mit folgenden Verfahrens
schritten:
- a) Gießen der Legierung;
- b) Heißwalzen der Legierung bei einer Temperatur von etwa 750°C bis 950°C und schnelles Abkühlen;
- c) erstes Kaltwalzen der Legierung mit einer Reduzierung der Abmessungen von etwa 60% bis 80%;
- d) Anlassen der Legierung bei einer Temperatur von etwa 400°C bis 520°C über die Zeitdauer von etwa zwei Stunden und schnelles Abkühlen;
- e) zweites Kaltwalzen der Legierung mit einer Reduzierung der Abmessungen von etwa 50% bis 70%;
- f) Anlassen der Legierung bei einer Temperatur von etwa 400°C bis 520°C über die Zeitdauer von etwa zwei Stunden und schnelles Abkühlen;
- g) Kaltwalzen der Legierung mit einer Reduzierung der Abmessungen von etwa 30% bis 50%;
- h) Anlassen der Legierung bei einer Temperatur von 350°C bis 500°C für etwa zwei Stunden;
- i) abschließendes Walzen der Legierung mit einer Reduzierung der Abmessungen von etwa 10% bis 25%;
- j) Anlassen der Legierung bei niedriger Temperatur von etwa 250°C bis 400°C.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843417273 DE3417273C2 (de) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | Kupfer-Nickel-Legierung für elektrisch leitendes Material für integrierte Schaltkreise |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
DE19843417273 DE3417273C2 (de) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | Kupfer-Nickel-Legierung für elektrisch leitendes Material für integrierte Schaltkreise |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3417273A1 DE3417273A1 (de) | 1985-11-14 |
DE3417273C2 true DE3417273C2 (de) | 1995-07-20 |
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ID=6235433
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19843417273 Revoked DE3417273C2 (de) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | Kupfer-Nickel-Legierung für elektrisch leitendes Material für integrierte Schaltkreise |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3417273C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19643379A1 (de) * | 1995-12-08 | 1997-06-12 | Poongsan Corp | Verfahren zum Herstellen einer Kupferlegierung |
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