DE19706682A1 - Anisotropes fluorbasiertes Plasmaätzverfahren für Silicium - Google Patents

Anisotropes fluorbasiertes Plasmaätzverfahren für Silicium

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Description

Stand der Technik
Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zum an­ isotropen Plasmaätzen von lateral definierten Strukturen in einem Siliciumsubstrat gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Das Ausbilden von Strukturen, beispielsweise Aus­ nehmungen in einem Siliciumsubstrat mittels des Plasmaätzverfahrens ist bekannt. Bekannt ist es auch, beispielsweise für Anwendungen in der Mikro­ mechanik, Fluorverbindungen zum anisotropen Plas­ maätzen einzusetzen. Die im Plasma erzeugten Fluor­ radikale agieren allerdings gegenüber Silicium iso­ trop, das heißt die laterale Ätzrate entspricht im wesentlichen der vertikalen, was zu entsprechend großen Maskenhinterschneidungen und abgerundeten Profilformen führt. Um mittels eines Ätzverfahrens unter Verwendung von Fluorverbindungen eine verti­ kale Seitenwand zu erzielen, sind zusätzlich Vor­ kehrungen zu treffen, um die Seitenwand selektiv vor dem Ätzangriff zu schützen und die Ätzung auf den Strukturgrund, das heißt den Boden der Ausneh­ mung, zu beschränken. Die Diskriminierung zwischen der Seitenwand der Ausnehmung und dem Ätzgrund kommt durch einen stark gerichteten vertikalen Ein­ fall energetischer Ionen zustande, die neben den chemisch aktiven neutralen Radikalen gleichzeitig im Plasma produziert werden. Die Ionen treffen auf die Oberfläche des Substrates, wobei der Ätzgrund stark und die Seitenwände der Ausnehmung dagegen nur relativ schwach von Ionen bombardiert werden. Es ist bekannt, als Schutzmechanismus für die Sei­ tenwände polymerbildende Gase wie CHF3 einzusetzen, die direkt mit dem fluorliefernden Ätzgas gemischt werden. Aus den im Plasma vorhandenen polymerbil­ denden Monomeren wird eine Polymerschicht auf der Seitenwand abgeschieden, während die im Plasma pro­ duzierten Fluorradikale gleichzeitig am infolge Io­ neneinfalls polymerfreien Ätzgrund das Siliciumsub­ strat ätzen. Als nachteilig erweist sich, daß es im Plasma beziehungsweise auf dem Weg zum zu ätzenden Substrat zu einer intensiven Rekombination zwischen ungesättigten polymerbildenden Monomeren und den Fluorradikalen kommt. Zur Überwindung dieses Nach­ teils ist es bekannt, die störende Rekombination von ungesättigten polymerbildenden Monomeren und den zur Siliciumätzung fähigen Fluorradikalen zu verhindern, indem das Plasmaätzen in Ätzschritte, bei denen ausschließlich fluorliefernde Gase einge­ setzt werden, und Depositionsschritte, bei denen ausschließlich Depositionsgase, wie die polymerbil­ denden Gase, eingesetzt werden, getrennt wird. Die beiden eingesetzten Gassorten begegnen sich auf­ grund der zeitlichen Trennung ihrer Verwendung im Plasma nicht, so daß auch keine nennenswerte Rekom­ bination erfolgen kann.
Es ist auch bekannt, die Seitenwände zu passivie­ ren, indem im Plasma neben den ätzenden Fluorradi­ kalen Sauerstoffradikale beziehungsweise Stick­ stoffradikale eingesetzt werden, die das Silicium der Seitenwand oberflächlich in Siliciumoxid bezie­ hungsweise Siliciumnitrid umwandeln. Da die dielek­ trische Oberfläche durch die Fluorradikale beson­ ders stark mit Ionenunterstützung und weniger stark ohne Ionenunterstützung geätzt wird, schreitet die Ätzung im wesentlichen auf dem Ätzgrund voran, wäh­ rend die Seitenwand relativ geschützt bleibt. Ein wesentlicher Nachteil dieses Verfahrens besteht darin, daß die oberflächlich erzeugten Silicium­ oxid- beziehungsweise -nitridschichten nur atomare Dicken aufweisen, das heißt im Bereich von 1 nm und darunter liegen. Die oberflächlich erzeugten Sili­ ciumoxid- beziehungsweise Siliciumnitridschichten sind daher nicht sehr dicht und bieten nur unvoll­ ständigen Schutz. Dies führt dazu, daß die Prozeß­ kontrolle erschwert wird beziehungsweise das Pro­ zeßergebnis durch sekundäre Effekte stark beein­ flußt wird. Die Profilformen der auszubildenden Strukturen sind nie vollständig senkrecht, da es immer Seitenwandangriffe und folglich auch Masken­ randhinterschneidungen gibt. Um die Wirksamkeit dieser Passivierung zu steigern, werden kryogene Verfahren eingesetzt, wobei durch Tiefkühlen der Siliciumsubstrate auf Temperaturen bis unter -100°C zusätzlich zur Sauerstoffpassivierung oder Stick­ stoffpassivierung die Seitenwandreaktion ausgefro­ ren wird. Diese Verfahren sind im US-Patent 4,943,344 beschrieben. Als nachteilig erweist sich der hohe apparative Aufwand und die damit verbun­ denen Kosten, sowie die vergleichsweise geringe Zu­ verlässigkeit der Komponenten.
Vorteile der Erfindung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum anisotro­ pen Plasmaätzen von lateral definierten Strukturen in einem Siliciumsubstrat, wobei vor und/oder wäh­ rend des Plasmaätzens auf den Seitenwänden der la­ teral definierten Strukturen Schutz schichten aus mindestens einer Siliciumverbindung abgeschieden werden. In besonders vorteilhafter Ausgestaltung sieht die Erfindung vor, auf den Seitenwänden der lateral definierten Strukturen, insbesondere Bal­ ken, Gräben, Kämmen oder Zungen, Siliciumoxid- und/oder Siliciumnitridschichten abzuscheiden. Die Strukturen sind vorzugsweise mit Hilfe einer Ätz­ maske definiert. Die erfindungsgemäße Vorgehens­ weise führt in vorteilhafter Weise zu einer dicken, das heißt einige nm bis einige 10 nm dicken, Sili­ ciumoxid- beziehungsweise Siliciumnitridschicht auf den Seitenwänden der Struktur. Diese Schutzschicht hält bereits bei Zimmertemperatur dem Ätzangriff der im Plasma gebildeten Radikale, insbesondere der vorzugsweise eingesetzten Fluorradikale, stand und ermöglicht damit einen besonders sicheren und stör­ unanfälligen Ätzvorgang. In vorteilhafter Weise ist das Verfahren auch bei tieferen Substrattempe­ raturen durchführbar, wobei bei jeder Temperatur eines Substrates ein bestimmter Parameterbereich der Gaszusammensetzung zu verwenden ist, der zum Erhalt senkrechter Ätzprofile führt.
Die Erfindung sieht in vorteilhafter Weise vor, daß das im Plasma Fluorradikale freisetzende Ätzgas Schwefelhexafluorid SF6 oder Stickstofftrifluorid NF3 gegebenenfalls als Gemisch zusammen mit Argon ist. Dem die Fluorradikale liefernden Ätzgas werden zur Bereitstellung der die Schutzschicht bildenden Komponenten Oxid- und/oder Nitridbildner sowie ein sekundärer Reaktant zugefügt. Als Oxid- beziehungs­ weise Nitridbildner wird Sauerstoff O2, Distick­ stoffoxid N2O, ein anderes Stickoxid NO, NOx, Koh­ lendioxid CO2, oder Stickstoff N2 zugesetzt. In vorteilhafter Weise sieht die Erfindung bei der Verwendung von NF3 als Ätzgas vor, keinen gesonder­ ten Nitridbildner einzusetzen, da der bei dem Zer­ fall des Ätzgases NF3 freiwerdende Stickstoff zur Nitrifizierung dient. Als sekundärer Reaktant, das heißt als die die Silicium-Komponente der Schutz­ schicht liefernde Verbindung, wird vorteilhafter­ weise Siliciumtetrafluorid SiF4 eingesetzt. Aus dem sekundären Reaktant, also vorzugsweise SiF4, und dem aus dem Oxid- oder Nitridbildner stammenden Re­ aktionspartner Sauerstoff beziehungsweise Stick­ stoff wird erfindungsgemäß auf der Seitenwand der Struktur das Reaktionsprodukt SiO2, SixNy oder eine Mischung aus SixOyNz abgeschieden. Der sekundäre Reaktant SiF4 reagiert nicht mit den aus dem SF6- Zerfall stammenden Fluorradikalen, sondern aus­ schließlich mit Sauerstoff beziehungsweise Stick­ stoff, wobei sogar zusätzlich Fluorradikale freige­ setzt werden (SiF4 + O2 ↔ SiO2 + 4 F*; SiF4 + x O* ↔ SiOxF4-x + x F*).
Selbstverständlich ist es auch möglich, das erfin­ dungsgemäße Plasmaätzen in voneinander getrennte Ätz- und Abscheideschritte zu trennen, wobei wäh­ rend des Ätzschrittes lediglich geätzt und während des Abscheideschrittes das vorstehend beschriebene Abscheiden der Siliciumverbindung durchgeführt wird. In besonders bevorzugter Weise werden die Ätzschritte alternierend mit den Abscheideschritten durchgeführt.
Die Affinität der erfindungsgemäß bevorzugten Oxid­ beziehungsweise Nitridbildner gegenüber dem sekun­ dären Reaktanten, also vorzugsweise SiF4, ist ge­ ring genug, daß in der Gasphase insbesondere unter den erfindungsgemäß bevorzugten niedrigen Prozeß­ drücken und den erfindungsgemäß vorgesehenen Verfahrensbedingungen, insbesondere dem Überschuß an freien Fluorradikalen im Plasma, selbst unter hochdichter Plasmaanregung keine nennenswerte Um­ setzung zwischen den Oxid- beziehungsweise Nitrid­ bildnern und dem sekundären Reaktanten stattfindet. Dadurch wird in vorteilhafter Weise vermieden, daß eine Reaktion beispielsweise eines Oxidbildners mit SiF4 zu SiO2 bereits in der Gasphase erfolgt, wobei der gebildete Feststoff auf die Oberfläche des Sub­ strats herab fallen würde und dort eine Mikromaskie­ rung mit Ätzgrundrauhigkeiten beziehungsweise Na­ delbildung bewirken kann. Der erfindungsgemäß vor­ gesehene niedrige Prozeßdruck bewirkt durch große freie Weglängen eine Reduktion der Umsetzungswahrscheinlichkeit in der Gasphase sowie eine Reduktion von Mikroloading-Effekten bei der Siliciumätzung in schmalen Trenchgräben.
Die Erfindung führt also in vorteilhafter Weise zur Abscheidung von ätzbeständigen Siliciumverbindungen an den Seitenwänden der lateral definierten Struk­ turen, die als Schutzschicht wirken. Im Verlauf des erfindungsgemäßen Verfahrens treffen kontinuierlich aktivierte Siliciumfluoridverbindungen und Sauer­ stoff- beziehungsweise Stickstoffradikale sowie ein hoher Anteil an Fluorradikalen auf der Silici­ umoberfläche auf. Dabei wird eine dicke dielektri­ sche Schicht dort ausgebildet, wo die in vorteil­ hafter Weise erfindungsgemäß vorgesehene intensive Ioneneinwirkung nicht erfolgt, das heißt auf den Seitenwänden. Auf ionenbombardierten Flächen, das heißt dem Boden der Strukturen, insbesondere Aus­ nehmungen oder dem Ätzgrund dominiert der Einfluß der Fluorradikale und die Ätzreaktion, so daß das Siliciumsubstrat dort abgetragen wird. Die Erfin­ dung stellt demgemäß ein Passivierungssystem für die Seitenwände lateral definierter Strukturen bereit, das ohne besondere Zusatzmaßnahmen mit den reakti­ ven Fluorradikalen verträglich ist.
Die Erfindung sieht in besonders vorteilhafter Aus­ gestaltung vor, das Verfahren mittels einer hoch­ dichten Plasmaquelle, zum Beispiel PIE (Propagation Ion Etching), ICP (Inductive Coupled Plasma), ECR (Electron Cyclotron Resonance) durchzuführen, wo­ durch es ermöglicht wird, hohe Flüsse von Ätz- und Passivierspezies sowie von Ionen mit niedriger En­ ergie einzusetzen. Dadurch wird eine hohe Ätzrate und Maskenselektivität erreicht, was letztendlich zu einem hohen Siliciumabtrag bei gleichzeitig ge­ ringem Maskenmaterialabtrag führt.
Die Erfindung sieht in vorteilhafter Weise vor, den Durchbruch von möglicherweise auf dem Ätzgrund abgeschiedenen Siliciumverbindungen, vorzugsweise SiO2, zu beschleunigen, indem sogenannte SiO2-ver­ zehrende Gase wie CHF3, C4F8, CF4, C2F6 oder C3F6 dem Gasgemisch zugesetzt werden. Die SiO2-verzeh­ renden Gase ätzen aufgrund ihres Kohlenstoffgehal­ tes unter gleichzeitiger Ioneneinwirkung SiO2 be­ sonders gut. Auf diese Weise werden ein sauberer Ätzgrund und noch höhere Ätzraten erreicht. Über­ dies wird eine Nadelbildung auf dem Ätzgrund ver­ mieden. Diese Scavenger-Gase (Scavenger = oxidver­ zehrend) können kontinuierlich dem Plasma als kon­ stante Beimischung zugesetzt werden, oder aber von Zeit zu Zeit oder periodisch über eine kurze Zeit eingelassen werden, um während eines solchen Flashs Oxidverunreinigungen des Ätzgrundes abzutragen.
Die Erfindung sieht in besonders vorteilhafter Weise vor, daß das Plasmaätzen unter gleichzeitiger Ioneneinstrahlung durchgeführt wird, wobei die ein­ gesetzte Ionenenergie vorzugsweise bei 1 bis 100 eV, insbesondere bei 30 bis 50 eV liegt.
Vorzugsweise weisen die für das Plasmaätzen einge­ setzten Medien Gasflüsse von 10 bis 200 sccm auf bei einem Prozeßdruck von 1 bis 50 µbar.
Die Erfindung sieht in einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung vor, die Plasmaerzeugung durch Mikro­ welleneinstrahlung beziehungsweise Hochfrequenzein­ strahlung bei Leistungen von 500 bis 2000 W durch­ zuführen.
Die Erfindung sieht insbesondere vor, die Ionen­ dichte, die Ionenenergie und die Relation geladener zu ungeladener Teilchen unabhängig voneinander zu regeln.
In besonders vorteilhafter Ausgestaltung sieht die Erfindung vor, den Gasfluß für SF6 bei 20 bis 200 sccm einzustellen.
Die Erfindung sieht auch vor, den Gasfluß für SiF4 bei 10 bis 50 sccm einzustellen.
Die Erfindung sieht in einer weiteren Ausgestaltung vor, den Gasfluß für Sauerstoff bei 10 bis 100 sccm und den Gasfluß für die SiO2-verzehrenden Gase, insbesondere C4F8, bei kontinuierlichem Gasfluß bei 2 bis 10 sccm einzustellen. Bei gepulstem Scaven­ ger-Gasfluß kann dessen Fluß höher gewählt werden, beispielsweise 30 bis 60 sccm C4F8 alle 30 bis 60 Sekunden einmal über 5 Sekunden Dauer. Ein Pulsen des Scavenger Flusses führt in den Prozeß kurze Reinigungsschritte ein, die bei entsprechend höhe­ rem Fluß eine kurzzeitige, intensive Reinigungswir­ kung entfalten, ohne die Profilform störend zu be­ einflussen. Da der Scavenger nur kurzzeitig anwe­ send ist, kann er die Ätzprofile nicht nachteilig beeinflussen, aber trotzdem den Ätzgrund gut von Verunreinigungen befreien. Auf dem Ätzgrund werden durch intensiven Ioneneinfall Verunreinigungen ra­ scher abgetragen, als der Scavenger den Durchbruch durch das Seitenwand(schutz)oxid schafft.
Die Erfindung sieht in einer weiteren Ausgestaltung vor, das zur Ionenbeschleunigung an der Substrat­ elektrode eine Hochfrequenzleistung von 5 bis 50 W bereitgestellt wird, was Beschleunigungsspannungen von 20 bis 150 V entspricht.
Zeichnungen
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend in Ausführungsbeispielen anhand der zugehörigen Figuren näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen Längsschnitt durch ein Silicium­ substrat mit lateralen Strukturen und
Fig. 2 eine Darstellung des Prinzips des Ätz­ prozesses.
Die Fig. 1 zeigt eine mittels des erfindungsge­ mäßen Plasmaätzverfahrens hergestellte Struktur in einem Siliciumsubstrat.
Sie zeigt ein Substrat 1 mit einer durch die Sei­ tenwände 3 definierten Ausnehmung 2. Dargestellt ist ferner der Ätzgrund 4 sowie eine schmalere Aus­ nehmung 2'.
Das Verfahren zum anisotropen Plasmaätzen von late­ ral definierten Ausnehmungen 2, 2' in einem Silici­ umsubstrat 1 wurde mit dem Ätzgas SF6 und einem Gasfluß von 75 sccm (SF6) durchgeführt. Als Oxid­ bildner wurde O2 mit einem Gasfluß von 38 sccm und als sekundärer Reaktant SiF4 mit einem Gasfluß von 38 sccm eingesetzt. Das Abscheiden der Schutz­ schicht, also der Siliciumverbindung SiO2, geschah gleichzeitig mit dem Plasmaätzen von selbst. Die Temperatur des Substrats 1 lag bei 10°C. Der Pro­ zeßdruck lag bei 20 µbar und die eingesetzte PIE- Quelle lieferte eine Mikrowellenleistung von 650 W (2,45 GHz). Zur Erzeugung einer Ionenbeschleuni­ gungsspannung wurde an der Substratelektrode eine Hochfrequenzleistung von 5 W (13,56 MHz) einge­ setzt, wobei die Ionenbeschleunigungsspannung (DC-bias) 40 V betrug.
Die Fig. 1 zeigt, daß mittels der vorstehend genannten Verfahrensbedingungen in vorteilhafter Weise senkrechte Seitenwände 3 der Ausnehmungen 2, 2' im Substrat 1 erzeugt wurden. In besonders vorteilhafter Weise ergeben sich ausgesprochen ge­ ringe Ätzratenunterschiede zwischen breiten Ausneh­ mungen 2 und schmaleren Ausnehmungen 2'.
In der Fig. 2 ist das Prinzip des Ätzprozesses dargestellt. Gleiche Teile sind mit denselben Be­ zugsziffern wie in Fig. 1 versehen. Es ist ein Substrat 1 dargestellt, in das durch den Ätzprozeß eine laterale Ausnehmung 2' eingebracht wird. Für die Seitenwandpassivierung werden in das Plasma, zusätzlich zu den in diesem ausgebildeten Fluorra­ dikalen und positiv geladenen Ionen Siliciumte­ trafluorid SiF4 und Sauerstoff eingeführt, die eine fluorverträgliche Seitenwandpassivierung gewährlei­ sten. Am Ätzgrund 4 findet durch Ionenunterstützung die Umsetzung von Silicium und Fluorradikalen zu flüchtigem Siliciumtetrafluorid statt, welches den Ätzgrund verläßt, was die erwünschte Ätzreaktion darstellt. Die Ätzung erfolgt am Ätzgrund 4 spontan und benötigt also an sich keine Ionenunterstützung. Aufgrund des starken Ioneneinfalls wird dort jedoch die Bildung von die Ätzung hemmenden Siliciumoxiden oder Oxyfluoriden unterdrückt.
An den Seitenwänden 3, die nur einem vergleichs­ weise geringen Ionenbombardement ausgesetzt sind, kann dagegen eine Reaktion von Siliciumtetrafluorid mit Sauerstoff zu einem die Ätzung hemmenden Sili­ ciumoxid oder -oxyfluorid erfolgen, das sich als Film auf den Seitenwänden 3 abscheidet. Zu einem geringen Teil wird dabei das auf dem Ätzgrund ge­ bildete Siliciumtetrafluorid, das den Trenchgra­ ben verlassen will, in einer Rückreaktion zur Film­ bildung auf den Seitenwänden 3 verbraucht, was durch die gestrichelten Linien in Fig. 2 angedeu­ tet ist. Der wesentliche Teil des zum Seitenwand­ filmaufbau benötigten Siliciumtetrafluorids wird jedoch aus der Plasmachemie geliefert, das heißt Siliciumtetrafluorid wird als das wesentliche Pas­ siviergas zusammen mit Sauerstoff ins Plasma einge­ leitet, was in der Fig. 2 durch die durchgezogenen Linien gekennzeichnet ist. Wie man in Fig. 2 er­ kennen kann, wird bei dieser Filmbildungsreaktion aus SiF4 sogar zusätzlich Fluor freigesetzt, das zusätzlich die Ätzreaktion auf dem Ätzgrund unter­ stützen kann. Deswegen ist das Microloading bezie­ hungsweise der RIE-lag, das heißt die Abnahme der Ätzrate in schmalen Trenches verglichen mit brei­ ten, bei dieser Chemie relativ moderat ausgeprägt, da sich im Trench durch die Wandfilmbildungsreak­ tion zusätzliches Fluor bildet.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel wurden unter ICP-Anregungsbedingungen (ICP: Induktiv gekoppeltes Plasma) mit Hochfrequenzanregung die nachfolgenden vorteilhaften Parameter gefunden. Die Gasflüsse be­ trugen 40 sccm SF6, 60 sccm O2, 21 sccm SiF4 und 5 sccm C4F8 als konstanter Gasfluß. Der Druck betrug 15 mTorr = 20 µbar und die ICP-Hochfrequenzleistung 800 W bei 13.56 Mhz, sowie die Substratleistung (Bias-Power) 10 bis 15 W bei 13.56 Mhz. Die Bias­ spannung wurde auf 40 bis 100 V eingestellt. Bei einem gepulsten C4F8-Fluß wurden folgende Gasflüsse eingestellt: 40 sccm SF6, 60 sccm O2, 21 sccm SiF4, 30-60, vorzugsweise 45 sccm C4F8. Dabei wurde C4F8 periodisch alle 30-60 Sekunden, vorzugsweise alle 45 Sekunden einmal über eine Zeitdauer von 5 Sekunden zugeführt. Die ICP-Hochfrequenzleistung betrug dabei 800 W und die Substratleistung 12 W.

Claims (22)

1. Verfahren zum anisotropen Plasmaätzen von late­ ral definierten Strukturen in einem Siliciumsub­ strat, wobei vor und/oder während des Plasmaätzens auf den Seitenwänden der lateral definierten Struk­ turen Schutz schichten aus mindestens einer Silici­ umverbindung abgeschieden werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß die Siliciumverbindung Siliciumoxid oder Siliciumnitrid oder Siliciumoxynitrid ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich­ net, daß die Siliciumoxidschicht oder Siliciumni­ tridschicht aus einer dem Ätzgas zugesetzten Sili­ ciumverbindung und Sauerstoff und/oder Stickstoff als Reaktionspartner abgeschieden wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß die dem Ätzgas zu­ gesetzte Siliciumverbindung zu diesem verträglich ist, das heißt nicht mit der Ätzchemie, wohl aber mit Sauerstoff und/oder Stickstoff reagiert.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß die dem Ätzgas zu­ gesetzte Siliciumverbindung SiF4 ist.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß dem Ätzgas O2, N2O, NO, NOx, CO2 oder N2 zugesetzt wird.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß als Reaktionspart­ ner O2 und/oder N2 zugesetzt wird.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß der Reaktionspart­ ner O2 und/oder N2 aus dem Ätzgas geliefert wird.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß das zum Plasmaät­ zen eingesetzte Ätzgas ein fluorlieferndes Gas, vorzugsweise SF6 oder NF3, ist.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß dem Ätzgas SiO2-ver­ zehrende Gase, insbesondere CHF3, CF4, C2F6, C3F6 oder C4F8, kontinuierlich zugesetzt werden.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß das SiO2-verzeh­ rende Gas nur kurzzeitig und periodisch zugeführt wird, um während solcher Reinigungsschritte den Ätzgrund intensiv zu reinigen.
12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasmaätzen in voneinander getrennten Ätz- und Abscheideschritten durchgeführt wird, wobei der Ätzschritt alternie­ rend mit dem Abscheideschritt durchgeführt wird.
13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasmaätzen unter gleichzeitiger Ioneneinstrahlung durchgeführt wird, vorzugsweise mit einer Ionenenergie von 1 bis 100 eV, vorzugsweise von 30 bis 50 eV.
14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß die für das Plas­ maätzen eingesetzten Medien Gasflüsse von 10 bis 200 sccm und Prozeßdrücke von 1-50 µbar (0.1-5 Pa) aufweisen.
15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß das Siliciumsub­ strat während des Plasmaätzens gekühlt wird.
16. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß die Plasmaerzeu­ gung durch Mikrowelleneinstrahlung beziehungsweise Hochfrequenzeinstrahlung (HF) bei Leistungen von 500-2000 Watt erfolgt.
17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß die Ionendichte, die Ionenenergie und die Relation geladener (= Io­ nen) zu ungeladenen Teilchen (= Neutralspezies) un­ abhängig voneinander geregelt wird.
18. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß der Gasfluß für Schwefelhexafluorid SF6 20-200 sccm beträgt.
19. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß der Gasfluß für Siliciumtetrafluorid SiF4 10-50 sccm beträgt.
20. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß der Gasfluß für Sauerstoff O2 10-100 sccm beträgt.
21. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß der Gasfluß für die SiO2-verzehrenden Gase, insbesondere C4F8, 2-10 sccm beträgt.
22. Verfahren nach einem der vorhergehenden Anspru­ che, dadurch gekennzeichnet, daß C4F8 periodisch alle 30 bis 60 Sekunden einmal über eine Zeitdauer von jeweils 5 Sekunden und mit einem Fluß von 30 bis 60 sccm eingelassen wird.
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