DE19653681C2 - Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Kupferschichten mit gleichmäßiger Schichtdicke und guten optischen und metallphysikalischen Eigenschaften und Anwendung des Verfahrens - Google Patents
Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Kupferschichten mit gleichmäßiger Schichtdicke und guten optischen und metallphysikalischen Eigenschaften und Anwendung des VerfahrensInfo
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10259362A1 (de) * | 2002-12-18 | 2004-07-08 | Siemens Ag | Verfahren zum Abscheiden einer Legierung auf ein Substrat |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19915146C1 (de) * | 1999-01-21 | 2000-07-06 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum galvanischen Bilden von Leiterstrukturen aus hochreinem Kupfer bei der Herstellung von integrierten Schaltungen |
| JP4394234B2 (ja) * | 2000-01-20 | 2010-01-06 | 日鉱金属株式会社 | 銅電気めっき液及び銅電気めっき方法 |
| US6503375B1 (en) * | 2000-02-11 | 2003-01-07 | Applied Materials, Inc | Electroplating apparatus using a perforated phosphorus doped consumable anode |
| JP2001267726A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Toyota Autom Loom Works Ltd | 配線基板の電解メッキ方法及び配線基板の電解メッキ装置 |
| US6491806B1 (en) * | 2000-04-27 | 2002-12-10 | Intel Corporation | Electroplating bath composition |
| US6776893B1 (en) * | 2000-11-20 | 2004-08-17 | Enthone Inc. | Electroplating chemistry for the CU filling of submicron features of VLSI/ULSI interconnect |
| JP4806498B2 (ja) * | 2001-08-01 | 2011-11-02 | 凸版印刷株式会社 | プリント配線基板の製造装置および製造方法 |
| EP1310582A1 (en) * | 2001-11-07 | 2003-05-14 | Shipley Company LLC | Process for electrolytic copper plating |
| US8002962B2 (en) | 2002-03-05 | 2011-08-23 | Enthone Inc. | Copper electrodeposition in microelectronics |
| US7316772B2 (en) * | 2002-03-05 | 2008-01-08 | Enthone Inc. | Defect reduction in electrodeposited copper for semiconductor applications |
| KR20040073974A (ko) * | 2003-02-14 | 2004-08-21 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. | 전기도금 조성물 |
| EP1598449B1 (en) * | 2004-04-26 | 2010-08-04 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Improved plating method |
| TWI400365B (zh) | 2004-11-12 | 2013-07-01 | 安頌股份有限公司 | 微電子裝置上的銅電沈積 |
| EP1717351A1 (de) * | 2005-04-27 | 2006-11-02 | Enthone Inc. | Galvanikbad |
| US20070158199A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-12 | Haight Scott M | Method to modulate the surface roughness of a plated deposit and create fine-grained flat bumps |
| US20070178697A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-02 | Enthone Inc. | Copper electrodeposition in microelectronics |
| JP5073736B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2012-11-14 | アトテック・ドイチュラント・ゲーエムベーハー | 孔及びキャビティの金属による電解充填法 |
| US7887693B2 (en) * | 2007-06-22 | 2011-02-15 | Maria Nikolova | Acid copper electroplating bath composition |
| US7905994B2 (en) | 2007-10-03 | 2011-03-15 | Moses Lake Industries, Inc. | Substrate holder and electroplating system |
| JP2009167506A (ja) * | 2008-01-21 | 2009-07-30 | Ebara Udylite Kk | 酸性電解銅めっき液およびこれを用いる微細配線回路の作製方法 |
| DE102008031003B4 (de) | 2008-06-30 | 2010-04-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Erzeugen einer CNT enthaltenen Schicht aus einer ionischen Flüssigkeit |
| US20100206737A1 (en) * | 2009-02-17 | 2010-08-19 | Preisser Robert F | Process for electrodeposition of copper chip to chip, chip to wafer and wafer to wafer interconnects in through-silicon vias (tsv) |
| US8262894B2 (en) | 2009-04-30 | 2012-09-11 | Moses Lake Industries, Inc. | High speed copper plating bath |
| EP2392694A1 (en) * | 2010-06-02 | 2011-12-07 | ATOTECH Deutschland GmbH | Method for etching of copper and copper alloys |
| EP2518187A1 (en) * | 2011-04-26 | 2012-10-31 | Atotech Deutschland GmbH | Aqueous acidic bath for electrolytic deposition of copper |
| PL2620529T3 (pl) * | 2012-01-25 | 2014-09-30 | Atotech Deutschland Gmbh | Sposób wytwarzania matowych warstw miedzianych |
| JP6216522B2 (ja) * | 2013-03-14 | 2017-10-18 | 大日本印刷株式会社 | インターポーザー基板の製造方法。 |
| CN109072468B (zh) * | 2016-05-19 | 2020-04-07 | 德国艾托特克公司 | 监测增亮剂在酸性铜/铜合金电镀浴中的总量的方法和受控的电镀过程 |
| JP6909582B2 (ja) * | 2017-01-18 | 2021-07-28 | 株式会社Jcu | 着色用めっき液および着色方法 |
| KR20210062369A (ko) * | 2019-11-21 | 2021-05-31 | 에스케이넥실리스 주식회사 | 찢김 또는 주름 불량을 방지할 수 있는 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법 |
| TW202342827A (zh) * | 2022-03-31 | 2023-11-01 | 日商奧野製藥工業股份有限公司 | Pr脈衝電解用銅鍍敷液、及利用pr脈衝電解法之銅鍍敷方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD215589A1 (de) * | 1983-05-11 | 1984-11-14 | Leipzig Galvanotechnik | Verfahren zur elektrolytischen metallabscheidung bei erzwungener konvektion |
| DD261613A1 (de) * | 1987-06-05 | 1988-11-02 | Leipzig Galvanotechnik | Verfahren zur elektrolytischen kupferabscheidung aus sauren elektrolyten mit dimensionsstabiler anode |
| WO1989007162A1 (en) * | 1988-01-27 | 1989-08-10 | Jct Controls Limited | Electrochemical processes |
| DE4344387A1 (de) * | 1993-12-24 | 1995-06-29 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von metallischen Schichten mit vorbestimmten physikalischen Eigenschaften und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB662217A (en) * | 1948-10-13 | 1951-12-05 | Westinghouse Electric Int Co | Improvements in or relating to the electrodeposition of copper |
| CN1045770A (zh) * | 1989-03-18 | 1990-10-03 | 王英 | 用膜法蒸馏技术分离浓缩醋酸铵与氢氧化铵的系统 |
| GB8913561D0 (en) * | 1989-06-13 | 1989-08-02 | Learonal Uk Plc | Method of stabilising an organic additive in an electroplating solution |
| JP2866300B2 (ja) * | 1994-03-07 | 1999-03-08 | 生物系特定産業技術研究推進機構 | 運搬作業車 |
| JPH0967693A (ja) * | 1995-08-29 | 1997-03-11 | Nikko Gould Foil Kk | 電解銅箔の製造方法 |
-
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD215589A1 (de) * | 1983-05-11 | 1984-11-14 | Leipzig Galvanotechnik | Verfahren zur elektrolytischen metallabscheidung bei erzwungener konvektion |
| DD261613A1 (de) * | 1987-06-05 | 1988-11-02 | Leipzig Galvanotechnik | Verfahren zur elektrolytischen kupferabscheidung aus sauren elektrolyten mit dimensionsstabiler anode |
| WO1989007162A1 (en) * | 1988-01-27 | 1989-08-10 | Jct Controls Limited | Electrochemical processes |
| DE4344387A1 (de) * | 1993-12-24 | 1995-06-29 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von metallischen Schichten mit vorbestimmten physikalischen Eigenschaften und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Metal Finishing, 1991, S. 21-27 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10259362A1 (de) * | 2002-12-18 | 2004-07-08 | Siemens Ag | Verfahren zum Abscheiden einer Legierung auf ein Substrat |
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| DE3012168C2 (https=) | ||
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