DE19524344A1 - Bürstenanordnung zum Reinigen von Halbleiterwafern - Google Patents

Bürstenanordnung zum Reinigen von Halbleiterwafern

Info

Publication number
DE19524344A1
DE19524344A1 DE19524344A DE19524344A DE19524344A1 DE 19524344 A1 DE19524344 A1 DE 19524344A1 DE 19524344 A DE19524344 A DE 19524344A DE 19524344 A DE19524344 A DE 19524344A DE 19524344 A1 DE19524344 A1 DE 19524344A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
brush
holding
arrangement
pressure
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19524344A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19524344C2 (de
Inventor
David L Thrasher
Lynn Ryle
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Ontrak Systems Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ontrak Systems Inc filed Critical Ontrak Systems Inc
Publication of DE19524344A1 publication Critical patent/DE19524344A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19524344C2 publication Critical patent/DE19524344C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B08B1/32Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B08B1/32Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
    • B08B1/34Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members rotating about an axis parallel to the surface
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B21MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
    • B21BROLLING OF METAL
    • B21B45/00Devices for surface or other treatment of work, specially combined with or arranged in, or specially adapted for use in connection with, metal-rolling mills
    • B21B45/04Devices for surface or other treatment of work, specially combined with or arranged in, or specially adapted for use in connection with, metal-rolling mills for de-scaling, e.g. by brushing
    • B21B45/06Devices for surface or other treatment of work, specially combined with or arranged in, or specially adapted for use in connection with, metal-rolling mills for de-scaling, e.g. by brushing of strip material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich insgesamt auf eine Reinigungsma­ schine zum Reinigen der Oberflächen von Halbleiterwafern und insbesondere auf eine Bürstenanordnung zum Reinigen der Halb­ leiterwafer bzw. -plättchen.
Halbleiterwafer werden gewöhnlich in einer Reinigungsmaschine gereinigt, die eine oder mehrere Bürstenstationen mit einem Paar von in Rotation versetzbaren Bürsten zum Reinigen der Oberseite und Unterseite des Wafers aufweist. Wenn sich der Wafer zwischen den Bürsten befindet, üben die Bürsten einen Druck auf die Waferoberflächen für deren Reinigung aus. An dem vorderen Rand des Wafers greift ein Paar von Anschlaganord­ nungen an, um den Wafer zwischen den Bürsten zu halten und so zu drehen, daß die gesamte Oberfläche durch die Bürsten gerei­ nigt werden kann. Auf den Wafer oder auf die Bürsten werden ein oder mehrere flüssige Wirkstoffe aufgesprüht, um die Reinigung des Wafers zu erleichtern. Nach einem festgelegten Zeitraum werden die Anschlaganordnungen von dem Wafer wegge­ schwenkt. Der Wafer wird nach dem Durchgang durch die Bürsten­ station entweder in eine weitere Bürstenstation oder abschlie­ ßend in eine Rotationstrockungsstation geführt, wo er auf eine Drehzahl von etwa 2000 UpM gebracht wird, um ihn zu trocknen.
Der von den oberen und unteren Bürsten auf den Wafer ausgeübte Reinigungsdruck hängt von der Dicke des Wafers und dem Abstand zwischen den Bürsten ab. Vorzugsweise sind die Flächen der oberen und unteren Bürsten im wesentlichen parallel, so daß für die Reinigung der Waferflächen ein gleichförmiger Druck ausgeübt werden kann. In den Bürstenstationen der verfügbaren Reinigungsmaschinen wird die untere Bürste gewöhnlich in einer stationären Position gehalten. Die obere Bürste ist an einer starren Bürstenschlittenanordnung festgelegt, die eine Quer­ stange hat, die schwenkbar an dem Rahmen der Maschine ange­ bracht ist. Die Ausrichtung des Bürstenschlittens wird von Hand so eingestellt, daß die obere Bürste im wesentlichen parallel zur unteren Bürste ist. Zum manuellen Einstellen der Höhe des Bürstenschlittens zur Erzielung des gewünschten Abstands zwischen den Bürsten werden Mikrometer verwendet, die auf gegenüberliegenden Seiten des Bürstenschlittens angeordnet sind. Dieser Abstand bestimmt den Druck, der auf den Wafer ausgeübt wird. Die Kalibrierung bzw. Einstellung des Bürsten­ schlittens von Hand jedesmal, wenn Wafer unterschiedlicher Dicken gereinigt werden oder die Bürsten ausgewechselt werden, ist ein langwieriger, zeitraubender, ineffizienter und ar­ beitsintensiver Prozeß. Während des Betriebs der Reinigungs­ maschine werden die Mikrometer häufig in Vibrationen versetzt, wodurch der Bürstenschlitten sich aus der eingestellten Posi­ tion bewegt und eine Neueinstellung der Bürstenanordnung erforderlich wird, um zu gewährleisten, daß der Reinigungs­ druck gleichförmig auf die Waferflächen ausgeübt wird. Da der Bürstenschlitten eine starre Anordnung zu sein scheint, be­ schließt die Bedienungsperson häufig, nur ein Mikrometer zur Einstellung der Lage des Bürstenschlittens zu verwenden. Wenn dann zum Abstützen des Bürstenschlittens während des Reini­ gungsvorgangs nur ein Mikrometer verwendet wird, kann sich der Schlitten verformen, wodurch eine häufigere Kalibrierung des Bürstenschlittens erforderlich werden kann. Der auf die Wafer­ flächen ausgeübte Druck ändert sich mit dem Verschleiß der Bürsten, wodurch eine Neueinstellung des Abstands zwischen den Bürsten nötig wird. Wenn sich die Bürsten nicht gleichmäßig abnutzen, müssen sowohl die Ausrichtung als auch die Höhe der oberen Bürste neu eingestellt werden, um einen gleichförmigen Druck auf den Waferflächen aufrechtzuerhalten. Da sich die Dicke und die Oberflächentopologie der Halbleiterwafer ändern, kann auf einige Wafer ein stärkerer Druck als auf andere Wafer ausgeübt werden. Wenn darüber hinaus die Waferdicke nicht gleichförmig ist, üben die Bürsten keinen gleichmäßigen Druck auf die Waferflächen aus. Auch wenn die Reinigungsmaschine streng überwacht wird, können viele Wafer die Bürstenstation in einem nicht zufriedenstellenden Zustand verlassen.
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, eine Bürstenanordnung zum Reinigen von Halbleiterwafern be­ reitzustellen, die den Bürstenabstand abhängig von der Wafer­ dicke automatisch einstellt und den Bürstenverschleiß durch automatische entsprechende Nachstellung ausgleicht, so daß immer der gewünschte Reinigungsdruck auf die Waferflächen ausgeübt wird.
Die Erfindung stellt nun eine einstellbare Bürstenanordnung bereit, der eine automatisierte Druckeinstellungsanordnung, beispielsweise eine Halteanordnung, aufweist, die mit einem Steuersystem zum automatischen Einstellen des Drucks gekoppelt ist, der auf die Wafer von den Bürsten ausgeübt wird. Bei einer Ausführungsform kann das Steuersystem mit einem vorher festgelegten Höhenfahrplan versehen sein, der eine Anpassung an vorhergesagte Änderungen des Abstandes aufgrund von Bür­ stenverschleiß ermöglicht. Bei einer anderen Ausführungsform der Erfindung hat das Steuersystem eine Ausgestaltung mit ge­ schlossener Schleife, bei der der auf die Wafer während des Reinigungszyklus ausgeübte Druck gemessen und die Bürsten­ anordnung automatisch eingestellt werden, um zu gewährleisten, daß auf die Wafer während des gesamten Betriebszyklus der Reinigungsmaschine ein gleichförmiger Druck ausgeübt wird. Ein automatisches Einstellen der Höhe der oberen Bürste minimiert die Zeit und Mühe wesentlich, die erforderlich sind, um die Bürstenstation für den Betrieb vorzubereiten. Durch Einstellen der Bürstenanordnung während des Reinigungszyklus kann darüber hinaus der auf die Wafer ausgeübte Reinigungsdruck genau ge­ steuert werden.
Die erfindungsgemäße einstellbare Bürstenanordnung zum Reini­ gen von Halbleiterwafer hat eine erste in Rotation versetzbare Bürste und einen Bürstenschlitten mit einem ersten und einem zweiten Haltearm sowie eine zweite in Rotation versetzbare Bürste. Die zweite Bürste erstreckt sich zwischen dem ersten und dem zweiten Haltearm und ist parallel zu der ersten Bür­ ste. Die zweite Bürste ist in einem solchen Abstand von der ersten Bürste angeordnet, daß während des Betriebs der Bür­ stenanordnung die erste und die zweite Bürste einen ausgewähl­ ten Reinigungsdruck auf einen Halbleiterwafer ausüben, der zwischen der ersten und zweiten Bürste angeordnet ist. Die Bürstenanordnung hat weiterhin wenigstens eine Druckeinstell­ anordnung, die für einen Eingriff mit einem der Arme des Bürstenschlittens positioniert ist, um selektiv den auf die Waferflächen durch die Bürsten ausgeübten Druck zu erhöhen und zu verringern. Eine derartige Druckeinstellanordnung ist eine Halteanordnung, die den Bürstenschlitten in einer aus einer Vielzahl von Positionen ausgewählten Position hält. Die Hal­ teanordnung ist für eine Hin- und Herbewegung des Bürsten­ schlittens ausgestaltet, um den Abstand zwischen der ersten und der zweiten Bürste selektiv so zu erhöhen und zu verrin­ gern, daß der ausgewählte Reinigungsdruck auf die Flächen des Wafers ausgeübt werden kann. Ein mit der Halteanordnung gekop­ peltes Steuersystem steuert den Betrieb der Druckeinstell­ anordnung, um den auf die Wafer von der ersten und zweiten Bürste ausgeübten Druck selektiv zu erhöhen und zu verringern.
Anhand von Zeichnungen werden Ausführungsbeispiele der Erfin­ dung näher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 eine Draufsicht auf eine einstellbare Bürstenanord­ nung, die am Rahmen einer Reinigungsmaschine ange­ bracht ist,
Fig. 2 eine Seitenansicht der Bürstenanordnung von Fig. 1,
Fig. 3 eine Seitenansicht des Bürstenschlittens und der Hal­ teanordnung, wobei der Bürstenschlitten in einer ersten Position gehalten ist,
Fig. 4 in einer Ansicht wie Fig. 3 den Bürstenschlitten in einer zweiten Position gehalten,
Fig. 5 eine teilweise aufgebrochene Stirnansicht der Bürsten­ anordnung von Fig. 1,
Fig. 6 eine schematische Seitenansicht einer zweiten Ausfüh­ rungsform einer einstellbaren Bürstenanordnung,
Fig. 7 bis 9 in Ansichten wie Fig. 6 weitere Ausführungs­ formen der erfindungsgemäßen Bürstenanordnung,
Fig. 10 eine teilweise aufgebrochene Seitenansicht einer weiteren Ausführungsform einer einstellbaren Bürsten­ anordnung und
Fig. 11 eine teilweise aufgebrochene Stirnansicht der Bürsten­ anordnung von Fig. 10.
In Fig. 1 bis 5 ist ein Paar von Bürstenstationen 6 und 7 einer Reinigungsmaschine zum Reinigen von Halbleiterwafern 8 gezeigt. In jeder Bürstenstation 6 bzw. 7 ist eine automatisch einstellbare Bürstenanordnung 10 an einem Rahmen 12 der Reini­ gungsmaschine für eine gleichförmige Reinigung der Halbleiter­ wafer 8 angebracht. Während des Betriebs der Maschine führt eine nicht gezeigte Waferkassette, die rechts von der ersten Bürstenstation 6 positioniert ist, die Halbleiterwafer 8 einzeln in die erste Bürstenstation ein. Die Bürstenanordnung 10 greift an dem Halbleiterwafer 8 an und reinigt die Wafer­ flächen in der nachstehend beschriebenen Weise. Der Wafer 8 wird von der Bürstenstation 6 zur zweiten Bürstenstation 7 geführt, wo er durch eine zweite Bürstenanordnung 10 gereinigt wird. Dabei können flüssige Wirkstoffe für sich allein oder in Kombination, beispielsweise Zitronensäure, entionisiertes Wasser, Ammoniumhydroxid, Wasserstoffperoxid usw. in jede Bürstenstation durch ein Injektionssystem 9, das schematisch in Fig. 5 gezeigt ist, gesprüht oder injiziert werden, um die Reinigung der Wafer 8 zu erleichtern. Von der zweiten Bürsten­ station 7 wird der Wafer 8 zu einer nicht gezeigten Rotations­ trockungsstation bewegt, wo er für seine Trocknung auf hohe Drehzahlen gebracht wird. Der gereinigte Wafer wird aus der Rotationstrocknungsstation ausgeworfen und in einer zweiten nicht gezeigten Kassette deponiert. Aufbau und Arbeitsweise der Waferkassetten, der Sprühinjektoren und der Rotations­ trocknungsstation sind an sich bekannt.
Wie insbesondere in Fig. 1 und 2 gezeigt ist, hat die Bürsten­ anordnung 10 eine untere in Rotation versetzbare Bürste 14 und einen Bürstenschlitten 16 mit einer oberen in Rotation ver­ setzbaren Bürste 18 zum Reinigen der Flächen des Halbleiterwa­ fer 8. Bei der gezeigten Ausführungsform hat die untere Bürste 14 insgesamt eine von einer unteren Rolle 22 getragene Hülse 20. Die Rolle 22 wird am Rahmen 12 drehbar durch Lager 24 gehalten, wodurch die untere Bürste 14 in einer festgelegten Position bezüglich des Rahmens 12 fixiert ist. Ein von dem Rahmen getragener und mit einem Ende der unteren Rolle 22 gekoppelter nicht gezeigter Motor treibt die Bürste 14 im Gegenuhrzeigersinn an, wodurch die untere Seite des Wafers 8 poliert und der Wafer 8 nach vorne durch die Bürstenstation 6 bewegt wird.
Der Bürstenschlitten 16 hat ein Paar von im Abstand angeord­ neten Haltearmen 32 und 33, die an dem Rahmen 12 durch Schwenkelemente 34 angebracht sind. Die obere Bürste 18 er­ streckt sich zwischen den Haltearmen 32 und 33 und ist daran angebracht. Wie insbesondere in Fig. 1 und 3 gezeigt ist, ist die obere Bürste 18 im Abstand von den Schwenkelementen 34 angeordnet, um die horizontale Verschiebung der oberen Bürste 18 bezüglich der unteren Bürste 14 auf ein Minimum zu reduzie­ ren, wenn die Haltearme 32, 33 geschwenkt werden. Bei der gezeigten Ausführungsform hat die obere Bürste 18 eine Hülse 36, die an einer oberen Rolle 38 angebracht ist. Bevorzugt ist die obere Rolle 38 an den Haltearmen 32 und 34 durch sphäri­ sche Lager 40 kardanisch aufgehängt oder angebracht, die an den gegenüberliegenden Enden der Rolle 38 vorgesehen sind. Die sphärischen Lager 40 erlauben der oberen Bürste 16 eine multi­ direktionale Bewegung bezüglich der Haltearme 32 und 33.
Mit Hilfe der sphärischen Lager 40 kann die Höhe der Haltearme 32 und 33 unabhängig eingestellt werden. Wenn beispielsweise die Dicke einer Hülse oder beider Hülsen 20 und 36 nicht gleich ist, kann die obere Rolle 38 in einem Winkel so gekippt werden, daß die Oberflächen der Hülsen 20 und 36 parallel sind. Wenn die Haltearme 32 und 33 auf unterschiedlichen Höhen gehalten werden, sind die Haltearme 32 und 33 um einen Abstand getrennt, der größer ist als die Trennung zwischen den Halte­ armen, wenn die Arme 32 und 33 sich auf der gleichen Höhe befinden. Bei der gezeigten Ausführung gleichen die Toleranzen der sphärischen Lager 40 geringe Änderungen des die Haltearme 32 und 33 trennenden Abstands aus, wenn sie auf unterschiedli­ chen Höhen gehalten werden. Bei manchen Anwendungen kann es jedoch erwünscht sein, eine Keilanordnung vorzusehen, welche eine Längsverschiebung der oberen Bürste 18 ermöglicht, wenn einer der Haltearme 32 und 33 bezüglich des anderen Haltearms bewegt wird. Es können jedoch auch andere Einrichtungen zum Anbringen der oberen Rolle 38 an den Haltearmen 32, 33 ver­ wendet werden. So kann für manche Einsatzzwecke eine lose Anordnung von genormten Rollenhaltkomponenten für einen aus­ reichenden Bewegungsbereich sorgen.
Ein mit einem Ende der Rolle 38 gekoppelter Motor 39 treibt die obere Bürste 18 im Uhrzeigersinn bezüglich des Rahmens 12 an, wodurch die Oberseite des Wafers 8 poliert und der Wafer 8 nach vorne durch die Bürstenstation 6 bewegt wird. Die Dreh­ zahl der oberen und unteren Bürste 14 und 18 kann abhängig von mehreren Faktoren variieren, beispielsweise von der Nachgie­ bigkeit der Hülsen 20, 36, dem gewünschten Reinigungsgrad und der Länge des Reinigungszyklus. Bei der gezeigten Ausführung drehen sich die obere Bürste 18 und die untere Bürste 14 mit einer Drehzahl im Bereich von 80 bis 150 UpM.
Die Bürstenanordnung 10 hat weiterhin automatisierte Haltea­ nordnungen 41, die jedem Haltearm 32 und 33 zum Halten der oberen Bürste 18 in einer Vielzahl von angehobenen Positionen bezüglich der unteren Bürste 14 und zum automatischen Ein­ stellen des auf die Waferflächen durch die Bürsten 14 und 18 ausgeübten Drucks zugeordnet sind. Bei der gezeigten Ausfüh­ rung hat jede Halteanordnung 41 einen Schrittmotor 42, einen Haltestift 44 und einen Verbindungsmechanismus 46, der den Schrittmotor 42 mit dem Haltestift 44 verbindet, um den Halte­ stift 44 in vertikale Richtung ansprechend auf die Drehung des Schrittmotors 42 zu bewegen. Der Haltestift 44 greift an der Unterseite des Haltearms an, um den Arm in einer ausgewählten vertikalen Position zu halten. Vorzugsweise greift der Halte­ stift 44 an einem Abschnitt des Haltearms an, der von dem Schwenkpunkt 34 entfernt liegt, um eine bessere Steuerung über der Höhe der oberen Bürste 18 zu erreichen. Der Haltestift 44 kann auch so positioniert sein, daß er an einem anderen Ab­ schnitt des Haltearms angreift. Bei der in Fig. 1 bis 5 ge­ zeigten Ausführung kann der Haltestift 44 in 4000 diskreten Schritten 95 mm durch den Schrittmotor bewegt werden, was eine genaue Steuerung der vertikalen Position der oberen Bürste 18 ermöglicht. Die Verschiebung des Haltestifts 44 bei jedem Schritt des Schrittmotors 42 und die gesamte Vertikalverschie­ bung des Stifts kann gesteigert oder verringert werden. Der Betrieb des Schrittmotors 42 wird automatisch von einem Steu­ ersystem 52 gesteuert.
Bei der Ausführung der Fig. 1 bis 5 stellt die Bedienungs­ person die Höhe der Haltearme 32 und 33 von Hand ein, um die obere Bürste 18 so auszurichten, daß die Flächen der Hülsen 20 und 36 im wesentlichen parallel sind. Die Höhe der Haltearme bildet einen Nullpunkt oder Bezugspunkt, wenn die obere Bürste 18 richtig ausgerichtet ist. Die Ausrichtung der oberen Rolle 38 muß insgesamt immer dann neu vorgenommen werden, wenn die Hülsen ausgetauscht werden. Wenn die Anordnung einmal einge­ stellt bzw. kalibriert ist, stellen die Halteanordnungen 41 automatisch die Höhe der Haltearme bezüglich des Bezugspunkts ein, wodurch die Höhe der oberen Bürste 18 genau eingestellt ist, während der Parallelismus zwischen den Hülsen 20 und 36 beibehalten wird.
Der auf die Waferflächen durch die Bürsten 14 und 18 ausgeübte Druck ist abhängig von der Dicke des Wafers und von dem Ab­ stand zwischen den Hülsen 20 und 36. Die Stärke des auf den Wafer 8 ausgeübten Drucks kann durch Einstellen der Höhe der oberen Bürste 18 bezüglich der unteren Bürste 14 gesteigert oder verringert werden. Die Bedienungsperson mißt die Dicke von einem oder mehreren Wafern 8 in einer zu reinigenden Charge. Die Dicke des Wafers 8 und der gewünschte Reinigungs­ druck sind die Eingabe in das Steuersystem 52, welches den Schrittmotor 42 aktiviert, um die Haltearme 32 und 33 anzuhe­ ben oder abzusenken, wodurch der gewünschte Abstand zwischen der oberen und unteren Bürste erhalten wird. Durch die Halte­ anordnungen 41 und das Steuersystem 52 kann die obere Bürste 18 genau und effizient in die geeignete Höhe zum Reinigen einer speziellen Charge von Halbleiterwafer 8 bewegt werden.
Wenn die Hülsen 20 und 36 zu verschleißen beginnen, nimmt der Abstand zwischen der oberen Bürste 18 und der unteren Bürste 14 zu, wodurch der auf die Waferflächen ausgeübte Druck ver­ ringert wird. Um zu gewährleisten, daß ein ausreichender Reinigungsdruck auf die Wafer 8 aufgebracht wird, muß die Höhe des Bürstenschlittens 16 eingestellt werden, um den erforder­ lichen Abstand zwischen den Flächen der Hülsen 20 und 36 beizubehalten. Das Steuersystem 52 ist vorzugsweise so ausge­ staltet, daß es den Bürstenschlitten 16 entsprechend einem vorher festgelegten Plan periodisch absenkt, um einen Ver­ schleiß der Hülsen 20, 36 auszugleichen. Dadurch übt die Bürstenanordnung 10 einen im wesentlichen gleichförmigen Reinigungsdruck über die Fläche des Wafers 8 während der Lebensdauer der Hülsen 20 und 36 aus. Mit Ausnahme der anfäng­ lichen Einstellung des Bürstenschlittens 16 wird die Höhe der oberen Bürste 18 bezüglich der unteren Bürste 14 vollständig von dem Steuersystem 52 und den Halteanordnungen 41 gesteuert.
Unter Bezugnahme auf Fig. 1 und 2 wird im folgenden die Ar­ beitsweise der Bürstenstation 6 kurz erläutert. Wenn die Dicke der Wafer 8 in einer speziellen Charge bestimmt worden ist, werden die Dicke und der Reinigungsdruck in das Steuersystem 52 eingegeben. Das Steuersystem 52 aktiviert die Schrittmoto­ ren 42, um die Haltearme 32 und 33 auf die geeignete Höhe zu bewegen. Die Bedienungsperson läßt dann die Reinigungsmaschine anlaufen. Die Wafer 8 werden automatisch in die Bürstenstation 6 von der nicht gezeigten Zuführkassette eingeführt. Die Bür­ stenstation 6 hat Schienen oder Rollen, was an sich bekannt und nicht gezeigt ist, um den Wafer 8 zu tragen und durch die Bürstenstation 6 zu bewegen, damit er zwischen der oberen Bürste 18 und der unteren Bürste 14 positioniert wird. Auf den Wafer 8 und/oder die Bürsten 14 und 18 werden durch nicht gezeigte Injektordüsen flüssige Wirkstoffe aufgesprüht. Die Hülsen 20 und 36 greifen an den Flächen des Wafers 8 an und bewegen ihn nach vorne, bis er an einem Paar von Anschlag­ anordnungen 60 angreift, die schwenkbar an dem Rahmen 12 angrenzend an die Bürsten 18, 14 angebracht sind.
An dem Rand des Wafers 8 greifen Rollen 62 an, die an den Anschlaganordnungen 60 vorgesehen sind. Die Rollen 62 werden durch geeignete, nicht gezeigte Antriebseinrichtungen gedreht, um den Wafer bezüglich der oberen Bürste 18 und der unteren Bürste 14 zu drehen. Ein Drehen des Wafers 8 mit Drehzahlen im Bereich von 40 bis 100 UpM gewährleistet, daß die Bürsten 18, 14 die gesamte Fläche des Wafers gleichförmig reinigen. Nach einem vorgegebenen Zeitraum werden die Anschlaganordnungen 60 geschwenkt, um die Rollen 62 vom Rand des Wafers 8 weg zu bewegen. Der Wafer 8 kann sich nun vorwärts durch die Bürsten­ station 6 bewegen. Bei der gezeigten Ausführungsform gelangt der Wafer 8 von der ersten Bürstenstation 6 in die zweite Bürstenstation 7. Die Bürstenstationen 6 und 7 sind im wesent­ lichen identisch. Die in der zweiten Bürstenstation 7 ver­ wendeten flüssigen Wirkstoffe können sich jedoch erforderli­ chenfalls von denen der ersten Station 6 unterscheiden. Wenn eine vorgegebene Anzahl von Wafern 8 durch die Bürstenstation 6 hindurchgegangen ist, betätigt das Steuersystem 52 die Schrittmotoren 42 automatisch, wodurch die Haltestifte 44 und die Haltearme 32 und 33 abgesenkt werden, um den Verschleiß der Hülsen 20, 36 auszugleichen. Da das Steuersystem 52 und die Halteanordnungen 41 die Höhe der oberen Bürste 18 bezüg­ lich der unteren Bürste 14 automatisch einstellen, ist eine Einstellung der Bürstenanordnung 10 bis zum Austausch der Hülsen 20 und 36 insgesamt nicht erforderlich.
In Fig. 6 ist eine weitere Ausführungsform einer einstellbaren Bürstenanordnung 10a gezeigt, mit der sich ein gleichförmiger Druck auf den Wafer 8 während des Reinigungszyklus ausüben läßt. Dabei wird der auf den Wafer 8 ausgeübte Druck automa­ tisch gefühlt und erforderliche Einstellungen bezüglich Höhe und Ausrichtung der oberen Bürste 18a während des Reinigungs­ zyklus ausgeführt. Die Bürstenanordnung 10a berücksichtigt Unterschiede in der Waferdicke durch Feststellen des auf die Waferflächen ausgeübten erhöhten Drucks aufgrund eines dicke­ ren Halbleiterwafers und hebt die obere Bürste 18a an. Mit der Bürstenanordnung 10a können Wafer 8 mit verschiedenen Dicken gereinigt werden, ohne daß zunächst die Dicke des Wafers 8 gemessen und das Steuersystem eingestellt werden muß. Da die Enden der oberen Bürste 18a unabhängig gehalten sind, kann die Ausrichtung der oberen Bürste 18a so eingestellt werden, daß ein gleichförmiger Druck auf Wafer 8 mit einer nicht gleichen Dicke ausgeübt werden kann. Wenn die Hülsen 20a und 36a ver­ schleißen, wird die Druckabnahme festgestellt. Die Haltearme 32a, 33a werden dann automatisch abgesenkt, um den erforderli­ chen Reinigungsdruck auf die Waferflächen auszuüben.
Wie in Fig. 6 gezeigt ist, ist der rückwärtige Abschnitt des Haltearms 32a mit dem Rahmen 12a durch eine Federanordnung 70 gekoppelt. Die Federanordnung 70 wird verwendet, um den auf die Waferflächen von der oberen Bürste 18a und der unteren Bürste 14a ausgeübten Druck zu bestimmen. Die Federkonstante und der Dämpfungskoeffizient der Federanordnung 70 werden so gewählt, daß die Federanordnung 70 eine ausreichende Empfind­ lichkeit für eine genaue Messung des tatsächlichen auf die Waferoberflächen ausgeübten Reinigungsdrucks hat. Ein am vorderen Abschnitt des Haltearms 32a befestigtes einstellbares Gegengewicht 72 minimiert im wesentlichen jede Versetzung der Höhe der oberen Bürste 18a, die durch die Hinzufügung der Federanordnung 70 verursacht werden könnte. Die Biegung des Haltearms 32a während des Betriebs der Bürstenanordnung 10a wird von einem Positionssensor 74 gemessen, der an dem Halte­ arm 32a befestigt ist. Bei der in Fig. 6 gezeigten Ausfüh­ rungsform ist der Positionssensor 74 zum Messen der vertikalen Biegung des Haltearms 32a ein Linearwandler mit variabler Kennlinie. Es können jedoch auch andere Positionssensoren eingesetzt werden, welche die lineare Verschiebung oder Win­ kelauslenkung des Haltearms 32a erfassen. Ein mit dem Posi­ tionssensor 74 und dem Schrittmotor 42a gekoppeltes Steuersy­ stem 76 erhält den Ausgang aus dem Positionssensor und berech­ net die Größe des auf den Wafer 8 durch die obere Bürste 18a ausgeübten Drucks aus der Biegung des Haltearms 32a und dem Wert der Federkonstanten der Federanordnung 70. Wenn der tatsächliche, auf die Waferflächen ausgeübte Druck sich von dem erforderlichen Reinigungsdruck unterscheidet, betätigt das Steuersystem 76 den Schrittmotor 42a zur Einstellung der Höhe der Haltearme 32a, 33a.
Die in Fig. 6 gezeigte Federanordnung 70 hat eine Einrichtung zum Fühlen des auf die Waferflächen durch die obere Bürste 18b und die untere Bürste 14b ausgeübten Drucks. Anstelle einer Federanordnung 70 können andere Meßeinrichtungen verwendet werden, wie sie zum Beispiel in Fig. 7 bis 9 gezeigt sind. Gemäß Fig. 7 ist das distale Ende des Haltearms 32b der Bür­ stenanordnung 10b mit dem Rahmen 12b durch eine Federanordnung 82 gekoppelt. Die Federanordnung 82 hat einen Sensor 84, beispielsweise einen Dehnungsmeßstreifen, zum Messen der auf die Federanordnung 82 von dem Haltearm 32b ausgeübten Kraft. Ein mit dem Sensor 84 gekoppeltes Steuersystem 86 empfängt das Signal von dem Sensor und bestimmt den auf den Wafer 8 ausge­ übten Druck. Wenn der tatsächliche Druck von dem ausgewählten Reinigungsdruck verschieden ist, betätigt das Steuersystem 86 den Schrittmotor 42b, um die obere Bürste 18b anzuheben oder abzusenken, so daß der gewünschte Reinigungsdruck auf die Waferflächen ausgeübt wird.
Gemäß Fig. 8 ist das distale Ende des Haltearms 32c der Bür­ stenanordnung 10c mit dem Rahmen 12c der Reinigungsmaschine durch eine Balganordnung 92 gekoppelt. Während des Betriebs der Bürstenanordnung 10c wird der Druck in der Balganordnung 92 durch einen Luftdrucksensor 94 erfaßt. Das Signal von dem Luftdrucksensor 94 wird zu einem Steuersystem 96 übertragen, welches aus dem Luftdruck in der Balganordnung 92 den von den Bürsten 14c und 18c ausgeübten tatsächlichen Druck berechnet. Das Steuersystem 96 betätigt den Schrittmotor 42c, um die Höhe der oberen Bürste 18c zu ändern, wenn der tatsächliche auf die Waferflächen ausgeübte Druck anders als der geforderte Reini­ gungsdruck ist.
Bei der in Fig. 9 gezeigten Ausführungsform ist ein Sensor 102, beispielsweise eine Dehnungsmeßstreifenanordnung, lösbar mit dem distalen Ende des Haltearms 32d verbunden. Der Sensor 102 wird von dem Haltearm 32d getrennt, wenn die obere Bürste 18d in die anfängliche Ausrichtungsposition angehoben ist, und greift an dem Haltearm 32d an, wenn die obere Bürste 18d in ihre Arbeitsstellung abgesenkt ist. Während des Betriebs der Bürstenanordnung 10d mißt der Sensor 102 die Dehnung auf der Fläche des Haltearms 32d. Da der Haltearm 32d im wesentlichen ein Träger in Form eines Kragarms ist, ist die Dehnung propor­ tional zur Biegung des Trägers. Ein mit dem Sensor 102 gekop­ peltes Steuersystem 104 empfängt das von dem Sensor erzeugte Signal und berechnet den von den Bürsten 14d und 18d auf den Wafer ausgeübten Druck aus der von dem Sensor 102 gemessenen Dehnung. Das Steuersystem 104 vergleicht den gewünschten Reinigungsdruck mit dem tatsächlichen- Druck. Wenn irgendwelche Einstellungen erforderlich sind, betätigt das Steuersystem 104 den Schrittmotor 42d, um den Haltearm 32d anzuheben oder ab­ zusenken.
Die in Fig. 10 und 11 gezeigte Bürstenanordnung 10e hat einen Haltearm 32e, der schwenkbar in einem U-förmigen Lagerträger 112 gehalten ist, der an dem Rahmen 12e der Reinigungsmaschine befestigt ist. An dem U-förmigen Träger 112 ist eine Druckein­ stellanordnung, beispielsweise ein Gleichstrommotor 114, angebracht und mit dem Haltearm 32e durch eine Getriebeanord­ nung 115 gekoppelt, um den auf den Wafer 8 durch die obere Bürste 18e und die untere Bürste 14e ausgeübten Druck zu steuern. Wenn dem Motor 114 Strom zugeführt wird, veranlaßt das an den Haltearm 32e angelegte Drehmoment die obere Bürste 18e, eine nach unten gerichtete Kraft auf den Wafer 8 und die untere Bürste 14e auszuüben, wodurch Druck auf die obere und untere Fläche des Wafers 8 ausgeübt wird. Ein von dem Haltearm 32e gegenüber der oberen Bürste 18e getragenes Gewicht 117 gewährleistet, daß der an dem Wafer 8 anliegende Druck propor­ tional zu dem Drehmoment ist. Der auf die obere und untere Fläche durch die Bürsten 14e und 18e ausgeübte Druck ist proportional zu dem Drehmoment des Motors 114. Da das Drehmo­ ment proportional zu dem dem Motor 114 zugeführten Strom ist, kann der auf die Waferflächen von der oberen Bürste 18e und der unteren Bürste 14e ausgeübte Druck durch Einstellen der Stromzuführung zu dem Motor 114 gesteuert werden.
Ein mit dem Motor 114 gekoppeltes Steuersystem 118 steuert die Arbeitsweise des Motors 114 und veranlaßt den Motor 114, das erforderliche Drehmoment auf den Haltearm 32e auszuüben, damit der gewünschte Druck an den Flächen des Wafers 8 erreicht wird. Zum Messen des auf den Wafer 8 ausgeübten Drucks kann ein Sensor 120, beispielsweise eine Dehnungsmeßstreifenanord­ nung, verwendet werden, die an dem Haltearm 32e angebracht und mit einem Steuersystem 118 gekoppelt ist. Das Steuersystem 118 empfängt den Ausgang aus dem Sensor 120 und verwendet die Biegung des Haltearms 32e zur Bestimmung des auf die Wafer­ flächen ausgeübten tatsächlichen Drucks. Wenn der tatsächliche Druck sich von dem ausgewählten Reinigungsdruck unterscheidet, reguliert das Steuersystem 118 die Arbeitsweise des Motors 114 so, daß der auf den Wafer 8 durch die obere Bürste 18e und die untere Bürste 14e ausgeübte Druck justiert wird.

Claims (20)

1. Bürstenanordnung (10) zum Reinigen von Halbleiterwafern (8)
  • - mit einer ersten in Rotation versetzbaren Bürste (14), die von einem Rahmen (12) getragen wird,
  • - mit einem Bürstenschlitten (16), der einen ersten Halte­ arm (32) und einen zweiten Haltearm (33), die schwenkbar mit dem Rahmen (12) verbunden sind, und eine zweite in Rotation versetzbare Bürste (18) aufweist, die mit dem ersten Haltearm (32) und dem zweiten Haltearm (33) verbunden ist und sich quer zwischen den Haltearmen (32, 33) und parallel zur ersten Bürste (14) erstreckt, wobei die zweite Bürste (18) in einem solche Abstand von der ersten Bürste (14) angeordnet ist, daß während des Betriebs der Bürstenanordnung (10) die erste Bürste (14) und die zweite Bürste (18) einen ausgewählten Reini­ gungsdruck auf einen Halbleiterwafer (8) ausüben, der zwischen der ersten Bürste (14) und der zweiten Bürste (18) angeordnet ist,
  • - mit wenigstens einer Halteanordnung (41), die für ein Angreifen an einem der Haltearme (32, 33) positioniert ist, den Bürstenschlitten (16) in eine aus einer Viel­ zahl von Positionen trägt, für eine Hin- und Herbewegung des Bürstenschlittens (16) zwischen der Vielzahl von Positionen ausgestaltet ist, um den Abstand zwischen der ersten Bürste (14) und der zweiten Bürste (18) selektiv zu erhöhen und zu verringern, und an einem Abschnitt eines der Haltearme (32, 33) angreift, der von dem Abschnitt des einen der Haltearme (32, 33) angeordnet ist, der schwenkbar mit dem Rahmen (12) gekoppelt ist, und
  • - mit einem Steuersystem (52), das mit der Halteanordnung (41) zum Steuern der Arbeitsweise der Halteanordnung (41) gekoppelt ist, um den Bürstenschlitten (16) in eine ausgewählte Position der Vielzahl von Positionen zu bewegen.
2. Bürstenanordnung nach Anspruch 1, bei welcher die Halte­ anordnung (41) für den Eingriff mit dem ersten Haltearm (32) positioniert ist und bei welcher weiterhin eine zweite Halteanordnung (41) vorgesehen ist, die für das Angreifen an einem Abschnitt des zweiten Haltearms (33) positioniert ist, der einen Abstand zu dem Abschnitt des zweiten Haltearms (33) hat, der mit dem Rahmen (12) schwenkbar gekoppelt ist.
3. Bürstenanordnung zum Reinigen von Halbleiterwafern
  • - mit einer ersten in Rotation versetzbaren Bürste (14),
  • - mit einem Bürstenschlitten (16), der einen ersten Halte­ arm (32) und einen zweiten Haltearm (33) sowie eine zweite in Rotation versetzbare Bürste (18) hat, die sich zwischen den Haltearmen (32, 33) parallel zur ersten Bürste (14) erstreckt, wobei die zweite Bürste (18) in einem solchen Abstand von der ersten Bürste (14) an­ geordnet ist, daß während des Betriebs der Bürstenanord­ nung (10) die erste Bürste (14) und die zweite Bürste (18) einen ausgewählten Reinigungsdruck auf einen Halb­ leiterwafer (8) ausüben, der zwischen der ersten Bürste (14) und der zweiten Bürste (18) angeordnet ist,
  • - mit einer ersten und einer zweiten Halteanordnung (41), die so angeordnet sind, daß sie an dem ersten Haltearm (32) bzw. an dem zweiten Haltearm (33) angreifen und den Bürstenschlitten (16) in eine der Vielzahl von Positio­ nen tragen, wobei die Halteanordnungen (41) für eine Hin- und Herbewegung des Bürstenschlittens (16) zwischen der Vielzahl von Positionen ausgestaltet sind, um den Abstand zwischen der ersten Bürste (14) und der zweiten Bürste (18) selektiv zu erhöhen und zu verringern, und
  • - mit einem Steuersystem (52), das mit den Halteanordnun­ gen (41) zum Steuern der Arbeitsweise jeder der Halte­ anordnungen (41) gekoppelt ist, um den Bürstenschlitten (16) in eine ausgewählte Position der Vielzahl von Positionen zu bewegen,
  • - wobei die zweite Bürste (18) schwenkbar an dem ersten Haltearm (32) und zweiten Haltearm (33) für eine multi­ direktionale Bewegung der zweiten Bürste (18) bezüglich des ersten Haltearms (32) und des zweiten Haltearms (33) angebracht ist.
4. Bürstenanordnung nach Anspruch 3, bei welcher der Bürsten­ schlitten (16) ein Paar von sphärischen Lagern (40) auf­ weist, welche die zweite Bürste (18) an dem ersten Halte­ arm (32) und dem zweiten Haltearm (33) verschwenkbar halten.
5. Bürstenanordnung nach Anspruch 1, bei welcher die Halte­ anordnung (41) einen Schrittmotor (42) und einen Halte­ stift (44) aufweist, der an einem der Haltearme (32, 33) angreift und mit dem Schrittmotor (42) für eine lineare Hin- und Herbewegung des Haltestifts (44) relativ zur Umdrehung des Schrittmotors (42) gekoppelt ist, um den Bürstenschlitten (16) in eine Position der Vielzahl von Positionen zu tragen.
6. Bürstenanordnung nach Anspruch 1, bei welcher die erste Bürste (14) und die zweite Bürste (18) jeweils eine Rolle (22, 38) und eine an der Rolle (22, 38) angebrachte Hülse (20, 36) aufweisen.
7. Bürstenanordnung nach Anspruch 1, bei welcher das Steuer­ system (52) für ein Steuern der Arbeitsweise der Halte­ anordnung (41) ausgestaltet ist, um den Abstand zwischen der ersten Bürste (14) und der zweiten Bürste (18) ent­ sprechend einem vorgegebenen Zeitplan zu verringern.
8. Bürstenanordnung nach Anspruch 1 mit wenigstens einer Sensoranordnung (74), die mit dem Steuersystem (76) und einem der Haltearme (32, 33) gekoppelt ist, um den tat­ sächlichen, auf den Wafer (8) durch die erste Bürste (14) und die zweite Bürste (18) ausgeübten Druck zu bestimmen.
9. Bürstenanordnung nach Anspruch 8, bei welcher das Steuer­ system für ein Vergleichen des tatsächlichen Drucks mit dem ausgewählten Druck und für eine Betätigung der Halte­ anordnung (41) ausgestaltet ist, um den Bürstenschlitten (16) in eine andere Position der Vielzahl von Positionen zu bewegen, um den auf den Wafer (8) von der ersten Bürste (14) und der zweiten Bürste (18) ausgeübten Druck ein­ zustellen.
10. Bürstenanordnung zum Reiningen von Halbleiterwafern
  • - mit einer ersten in Rotation versetzbaren Bürste, die von einem Rahmen getragen wird,
  • - mit einem Bürstenschlitten, der einen ersten und einen zweiten Haltearm, die schwenkbar mit dem Rahmen gekop­ pelt sind, und eine zweite in Rotation versetzbare Bürste aufweist, die sich quer zwischen den Haltearmen parallel zu und im Abstand von der ersten Bürste so erstreckt, daß während des Betriebs der Bürstenanordnung die erste Bürste und die zweite Bürste einen Reinigungs­ druck auf einen Halbleiterwafer ausüben, der zwischen der ersten Bürste und der zweiten Bürste angeordnet ist,
  • - mit wenigstens einer Druckeinstellanordnung, die an dem ersten Haltearm oder an dem zweiten Haltearm des Bür­ stenschlittens angreift, wobei sich der in Eingriff befindliche Abschnitt des einen der Haltearme im Abstand von der zweiten Bürste befindet, und die für ein automa­ tisches Einstellen des Drucks ausgestaltet ist, der auf den Wafer von der ersten Bürste und der zweiten Bürste ausgeübt wird, und
  • - mit einem Steuersystem, das mit der Druckeinstellanord­ nung zum Einstellen der Arbeitsweise der Druckeinstell­ anordnung gekoppelt ist, um den auf den Wafer von der ersten Bürste und der zweiten Bürste ausgeübten Druck zu erhöhen und zu verringern.
11. Bürstenanordnung nach Anspruch 10, bei welcher die Druck­ einstellanordnung eine Halteanordnung aufweist, die so angeordnet ist, daß sie an einem der Haltearme des Bür­ stenschlittens angreift und den Bürstenschlitten in einer ausgewählten Position einer Vielzahl von Positionen trägt, wobei die Halteanordnung für eine Hin- und Herbewegung des Bürstenschlittens zwischen der Vielzahl von Positionen ausgestaltet ist, um den Abstand zwischen der ersten Bürste und der zweiten Bürste selektiv zu erhöhen und zu verringern.
12. Bürstenanordnung nach Anspruch 10, bei welcher die Druck­ einstellanordung einen Motor hat, der mit einem der Halte­ arme in einer Position gekoppelt ist, die sich im Abstand von der zweiten Bürste befindet, um ein Drehmoment auf einen der Haltearme auszuüben, damit der von der ersten Bürste und der zweiten Bürste auf den Wafer ausgeübte Druck selektiv erhöht und verringert wird.
13. Bürstenanordnung nach Anspruch 12 mit einer Sensoranord­ nung, die mit dem Bürstenschlitten und dem Steuersystem zum Messen des auf den Wafer ausgeübten Drucks gekoppelt ist, wobei das Steuersystem für die Aufnahme eines Signals aus der Sensoranordnung ausgestaltet ist und den Motor so steuert, daß das auf den einen der Haltearme ausgeübte Drehmoment selektiv zunimmt und abnimmt,
14. Bürstenanordnung nach Anspruch 10, bei welcher die Druck­ einstellanordnung so positioniert ist, daß sie an dem ersten Haltearm angreift, wobei eine zweite Druckeinstell­ anordnung vorgesehen ist, die für ein Angreifen an einem Abschnitt des zweiten Haltearms positioniert ist, der von der zweiten Bürste im Abstand angeordnet ist.
15. Bürstenanordnung zum Reinigen von Halbleiterwafern
  • - mit einer ersten in Rotation versetzbaren Bürste,
  • - mit einem Bürstenschlitten, der einen ersten Haltearm und einen zweiten Haltearm und eine zweite in Rotation versetzbare Bürste aufweist, die sich zwischen den Haltearmen parallel zu der ersten Bürste und im Abstand davon erstreckt, so daß während des Betriebs der Bür­ stenanordnung die erste Bürste und die zweite Bürste einen Reinigungsdruck auf einen Halbleiterwafer ausüben, der zwischen der ersten Bürste und der zweiten Bürste angeordnet ist,
  • - mit einer ersten und einer zweiten Druckeinstellanord­ nung, von denen jede an einem Haltearm des Bürsten­ schlittens angreift, wobei die Druckeinstellanordnungen für ein automatisches Einstellen des von der ersten Bürste und der zweiten Bürste auf den Wafer ausgeübten Drucks ausgestaltet sind, und
  • - mit einem Steuersystem, das mit den Druckeinstellanord­ nungen zum Einstellen der Arbeitsweise der Druckein­ stellanordnungen gekoppelt ist, um den auf den Wafer von der ersten Bürste und der zweiten Bürste ausgeübten Druck zu erhöhen und zu verringern,
  • - wobei die zweite Bürste schwenkbar an dem ersten und zweiten Haltearm für eine multidirektionale Bewegung der Bürste bezüglich des ersten und zweiten Haltearms an­ geordnet ist.
16. Bürstenanordnung nach Anspruch 10 mit wenigstens einer Sensoranordnung, die mit dem Steuersystem und einem der Haltearme gekoppelt ist, um den tatsächlichen, auf den Wafer von der ersten Bürste und der zweiten Bürste ausge­ übten Druck zu bestimmen.
17. Bürstenanordnung nach Anspruch 16, bei welcher die Sensor­ anordnung für ein Erfassen der Biegung eines der Haltearme relativ zum Rahmen während des Betriebs der Bürstenanord­ nung ausgestaltet ist.
18. Bürstenanordnung nach Anspruch 17, bei welcher das Steuer­ system für ein Berechnen des tatsächliche aus der Biegung des Haltearms auf den Wafer ausgeübten Drucks, für ein Vergleichen des tatsächlichen Drucks mit dem ausgewählten Druck und für das Einleiten der Funktion der Druckein­ stellanordnung ausgestaltet ist, um den auf den Wafer von der ersten Bürste und der zweiten Bürste ausgeübten Druck selektiv zu erhöhen und zu verringern.
19. Bürstenanordnung nach Anspruch 17, bei welcher die Sensor­ anordnung eine mit dem einen der Haltearme gekoppelte Feder aufweist.
20. Bürstenanordnung nach Anspruch 17, bei welcher die Sensor­ anordnung eine mit dem einen Haltearme gekoppelte Balgan­ ordnung aufweist.
21. Bürstenanordnung nach Anspruch 1, bei welcher die zweite Bürste mit einem der Haltearme in einer Position zwischen dem Abschnitt des schwenkbar mit dem Rahmen gekoppelten Haltearms und dem Abschnitt des Haltearms, an dem die Halteanordnung angreift, gekoppelt ist.
DE19524344A 1994-07-15 1995-07-04 Bürstenanordnung zum Reinigen von Halbleiterwafern Expired - Fee Related DE19524344C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/275,774 US5475889A (en) 1994-07-15 1994-07-15 Automatically adjustable brush assembly for cleaning semiconductor wafers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19524344A1 true DE19524344A1 (de) 1996-01-18
DE19524344C2 DE19524344C2 (de) 2003-12-24

Family

ID=23053741

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19524344A Expired - Fee Related DE19524344C2 (de) 1994-07-15 1995-07-04 Bürstenanordnung zum Reinigen von Halbleiterwafern

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5475889A (de)
JP (1) JP3397525B2 (de)
DE (1) DE19524344C2 (de)

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3328426B2 (ja) * 1994-05-12 2002-09-24 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
US6003185A (en) * 1994-07-15 1999-12-21 Ontrak Systems, Inc. Hesitation free roller
KR0171491B1 (ko) * 1994-09-20 1999-03-30 이시다 아키라 회전식 기판세정장치
JP3341872B2 (ja) * 1995-04-03 2002-11-05 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板洗浄装置
US5693148A (en) * 1995-11-08 1997-12-02 Ontrak Systems, Incorporated Process for brush cleaning
US5875507A (en) 1996-07-15 1999-03-02 Oliver Design, Inc. Wafer cleaning apparatus
US6230753B1 (en) 1996-07-15 2001-05-15 Lam Research Corporation Wafer cleaning apparatus
US5862560A (en) * 1996-08-29 1999-01-26 Ontrak Systems, Inc. Roller with treading and system including the same
US5924154A (en) * 1996-08-29 1999-07-20 Ontrak Systems, Inc. Brush assembly apparatus
KR19980022571A (ko) * 1996-09-23 1998-07-06 김광호 반도체 스크러버(Scrubber)장비
JP3540524B2 (ja) * 1996-10-28 2004-07-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JPH10329015A (ja) * 1997-03-24 1998-12-15 Canon Inc 研磨装置および研磨方法
US6079073A (en) * 1997-04-01 2000-06-27 Ebara Corporation Washing installation including plural washers
US5901400A (en) * 1997-04-09 1999-05-11 Omni Technical Products, Inc. Brushing apparatus
US5933902A (en) * 1997-11-18 1999-08-10 Frey; Bernhard M. Wafer cleaning system
US6070284A (en) 1998-02-04 2000-06-06 Silikinetic Technology, Inc. Wafer cleaning method and system
US5954888A (en) * 1998-02-09 1999-09-21 Speedfam Corporation Post-CMP wet-HF cleaning station
JP3949807B2 (ja) * 1998-03-09 2007-07-25 沖電気工業株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
US5937470A (en) * 1998-03-11 1999-08-17 Duncan; David Metal fitting cleaner
US6098867A (en) * 1998-03-17 2000-08-08 Advanced Micro Devices, Inc. Automated brush fluxing system for application of controlled amount of flux to packages
KR100619383B1 (ko) * 1998-03-30 2006-09-06 동경 엘렉트론 주식회사 스크러브 세정장치 및 스크러브 세정방법
US6652662B1 (en) * 1998-04-03 2003-11-25 Tokyo Electron Limited Substrate surface processing apparatus and method
US6076217A (en) 1998-04-06 2000-06-20 Micron Technology, Inc. Brush alignment platform
US6247197B1 (en) 1998-07-09 2001-06-19 Lam Research Corporation Brush interflow distributor
US6273100B1 (en) 1998-08-27 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Surface cleaning apparatus and method
US6269510B1 (en) 1999-01-04 2001-08-07 International Business Machines Corporation Post CMP clean brush with torque monitor
US6119294A (en) * 1999-01-14 2000-09-19 United Microelectronics Corp. Cleaning system with automatically controlled brush pressure
US6418828B1 (en) * 1999-06-24 2002-07-16 The Procter & Gamble Company Force-adjustable rotary apparatus for working webs or sheets of material
US20020187133A1 (en) 1999-10-01 2002-12-12 Hiroshi Kubota Methods of isolating bipotent hepatic progenitor cells
US7456017B2 (en) * 1999-10-01 2008-11-25 University Of North Carolina At Chapel Hill Processes for clonal growth of hepatic progenitor cells
US6446296B1 (en) * 2000-03-06 2002-09-10 Rite Track Equipment Services, Inc. Substrate cleaning apparatus with brush force control and method
US6616509B1 (en) 2000-03-31 2003-09-09 Lam Research Corporation Method for performing two wafer preparation operations on vertically oriented semiconductor wafer in single enclosure
AU2001251177A1 (en) * 2000-03-31 2001-10-15 Lam Research Corporation Methods for performing wafer preparation operations on vertically oriented semiconductor wafers
US6461224B1 (en) 2000-03-31 2002-10-08 Lam Research Corporation Off-diameter method for preparing semiconductor wafers
US6820298B2 (en) 2001-04-19 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Wafer scrubbing device having brush assembly and mounting assembly forming spherical joint
US6986185B2 (en) * 2001-10-30 2006-01-17 Applied Materials Inc. Methods and apparatus for determining scrubber brush pressure
KR101119961B1 (ko) * 2003-10-28 2012-03-15 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 스크러버 박스 및 그 사용 방법
CN100502722C (zh) * 2004-01-29 2009-06-24 应用材料公司 在心轴上安装洗涤器刷子的方法和设备
EP1570925A1 (de) * 2004-03-01 2005-09-07 Chih-Hung Chen Automatisierte Entzunderungsvorrichtung
US20050229950A1 (en) * 2004-04-14 2005-10-20 Ming-Chun Chou Brush positioning device for a wafer cleaning station
US7596395B2 (en) * 2004-10-21 2009-09-29 Nokia Corporation Depressible hinge and mobile stations using same
JP4537826B2 (ja) * 2004-10-22 2010-09-08 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置
US9439126B2 (en) 2005-01-25 2016-09-06 Sipco, Llc Wireless network protocol system and methods
US20070095367A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Yaxin Wang Apparatus and method for atomic layer cleaning and polishing
JP2009529241A (ja) * 2006-03-07 2009-08-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド スリーブを備えたスクラバブラシおよびスクラバブラシと共に用いるためのブラシマンドレル
US20070212983A1 (en) * 2006-03-13 2007-09-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for conditioning a polishing pad
US7836769B2 (en) * 2006-08-10 2010-11-23 Akrion Systems Llc Apparatus and method of measuring acoustical energy applied to a substrate
EP2308657B1 (de) * 2008-07-10 2019-09-04 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Roboter und sein lehrverfahren
US7962990B2 (en) * 2008-10-01 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Brush box cleaner module with force control
JP5323455B2 (ja) * 2008-11-26 2013-10-23 株式会社荏原製作所 基板処理装置のロール間隙調整方法
JP5229702B2 (ja) * 2008-12-11 2013-07-03 株式会社レヨーン工業 クリーンローラ装置
US8551253B2 (en) 2010-06-29 2013-10-08 WD Media, LLC Post polish disk cleaning process
US20130092186A1 (en) * 2011-10-18 2013-04-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Removal of particles on back side of wafer
US8992692B2 (en) 2012-02-03 2015-03-31 Stmicroelectronics, Inc. Adjustable brush cleaning apparatus for semiconductor wafers and associated methods
JP5878441B2 (ja) * 2012-08-20 2016-03-08 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板処理装置
JP6169891B2 (ja) * 2013-05-20 2017-07-26 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
WO2014204444A1 (en) * 2013-06-18 2014-12-24 Apple Inc. Pressure-sensing rollers for lamination systems
US10229842B2 (en) * 2013-07-26 2019-03-12 Applied Materials, Inc. Double sided buff module for post CMP cleaning
EP3142804B1 (de) * 2014-05-12 2019-05-01 Ensitech IP Pty Ltd Elektrolytische bürstenanordnung
JP2015220402A (ja) * 2014-05-20 2015-12-07 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および基板洗浄装置で実行される方法
JP6490202B2 (ja) * 2014-09-26 2019-03-27 エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド 半導体ウェハ洗浄装置及び半導体ウェハ洗浄方法
CN110095890A (zh) * 2019-05-05 2019-08-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 清洗装置及清洗方法
CN111604324A (zh) * 2020-05-15 2020-09-01 北京北方华创微电子装备有限公司 晶片清洗机的控制方法及晶片清洗机
CN114815917B (zh) * 2022-04-20 2024-09-10 北京晶亦精微科技股份有限公司 一种晶圆刷洗压力的控制方法、装置、设备及存储介质

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB850461A (en) * 1957-02-15 1960-10-05 Osborn Mfg Co A power driven rotary brushing mechanism
CA986262A (en) * 1971-11-29 1976-03-30 Joseph J. Martino Quick-change brush mounting
US4382308A (en) * 1981-02-18 1983-05-10 Chemcut Corporation Scrubbing torque monitoring and control system
SU1090462A1 (ru) * 1981-04-08 1984-05-07 Научно-Производственное Объединение "Атомкотломаш" Всесоюзного Промышленного Объединения "Союзэнергомашоснастка" Устройство дл зачистки проката
SU1389882A1 (ru) * 1986-06-30 1988-04-23 Проектно-Технологическо-Конструкторское Бюро Главного Управления Пути Мпс Ссср Устройство дл механической зачистки поверхности изделий
JP2683940B2 (ja) * 1989-08-09 1997-12-03 信越半導体 株式会社 ワークの自動洗浄装置
JP2884920B2 (ja) * 1992-06-17 1999-04-19 日本鋼管株式会社 洗浄ブラシロールの自動圧下制御装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5475889A (en) 1995-12-19
JP3397525B2 (ja) 2003-04-14
DE19524344C2 (de) 2003-12-24
JPH08306649A (ja) 1996-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19524344C2 (de) Bürstenanordnung zum Reinigen von Halbleiterwafern
DE3805363C2 (de)
DE10003240B4 (de) Verfahren zum Steuern einer Drahtsäge und Drahtsäge
DE2621564C2 (de) Vorrichtung zum Fördern stabförmiger Gegenstände
DE69407570T2 (de) Vorrichtung zum Führen eines Hängemessers in einer Schneidmaschine zum Schneiden von Blattmaterial
DE19510625A1 (de) Drahtsäge und Verfahren zum Abtrennen von Scheiben von einem Werkstück
DE3205776A1 (de) Vorrichtung zur regulierung der einer textilmaschine zuzufuehrenden fasermenge
DE3817583A1 (de) Verbesserte schneidmaschine
DE69210291T2 (de) Apparat zum Aufwickeln einer blattförmigen Materialbahn
EP1012097B1 (de) Vorrichtung zum führen einer endlospapierbahn
DE19611500A1 (de) Vorrichtung zum Füllen einer Kanne mit Faserband
DE4208117C2 (de) Tauchgerät zum Beschichten elektronischer Komponenten
DE4128944A1 (de) Aussenleiter-formungsvorrichtung fuer halbleitervorrichtungen
DE2911735C2 (de)
DE69407572T2 (de) Vorrichtung zum Führen eines Hängemessers in einer Schneidmaschine zum Schneiden von Blattmaterial
EP0146496A1 (de) Stetigfördervorrichtung und Verwendung derselben
DE3619070A1 (de) Vorrichtung zum herstellen von genadelten papiermaschinenfilzen
DE4210630C2 (de) Elektrodenherstellungsgerät
DE69321733T2 (de) Einstellbare streichrakel
DE3318482A1 (de) Geraet zum messen der dicke von ueberzuegen auf sich kontinuierlich bewegendem material
DE10062259A1 (de) Knopfloch-Nähmaschine
DE2602101C2 (de) Bandführung
DE2245616C3 (de) Vorrichtung zum Einrollen von Teigstücken
EP0199299B1 (de) Grossflächenstreuer, insbesondere Düngerstreuer
DE69502773T2 (de) Automatische Siebdruckmaschine

Legal Events

Date Code Title Description
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: LAM RESEARCH CORP.(N.D.GES.D.STAATES DELAWARE), FR

8110 Request for examination paragraph 44
8304 Grant after examination procedure
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20110201