DE102012109460A1 - Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays und Leuchtdioden-Display - Google Patents
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Abstract
In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays (1) eingerichtet. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2), B) Aufbringen einer Pufferschicht (4) mittelbar oder unmittelbar auf eine Substratoberseite (20), C) Erzeugen einer Vielzahl von separaten Anwachspunkten (45) auf oder an der Pufferschicht (4), D) Erzeugen von einzelnen, strahlungsaktiven Inseln (5), ausgehend von den Anwachspunkten (45), wobei die Inseln (5) jeweils eine anorganische Halbleiterschichtenfolge (50) mit mindestens einer aktiven Zone (55) umfassen und ein mittlerer Durchmesser der Inseln (5), in Draufsicht auf die Substratoberseite (20) gesehen, zwischen einschließlich 50 nm und 20 μm liegt, und E) Verschalten der Inseln (5) mit Transistoren (6) zu einer elektrischen Ansteuerung der Inseln (5).
Description
- Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays angegeben. Darüber hinaus wird ein Leuchtdioden-Display angegeben.
- Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren anzugeben, mit dem ein mikropixeliertes Leuchtdioden-Display mit einer hohen Qualität herstellbar ist.
- Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein Verfahren und durch ein Leuchtdioden-Display mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays vorgesehen. Leuchtdioden-Display kann bedeuten, dass im Betrieb von dem Display emittierte Strahlung vollständig oder überwiegend mittels Leuchtdioden, kurz LEDs, erzeugt wird. Bei dem Leuchtdioden-Display kann es sich um ein Aktiv-Matrix-Display handeln. Es ist möglich, dass das Leuchtdioden-Display frei ist von einer Flüssigkristallmatrix.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Bereitstellens eines Aufwachssubstrats. Das Aufwachssubstrat weist eine Substratoberseite auf. Bei dem Aufwachssubstrat handelt es sich beispielsweise um ein Saphirsubstrat oder um ein Siliziumsubstrat.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Aufbringens einer oder mehrerer Pufferschichten mittelbar oder unmittelbar auf die Substratoberseite. Die mindestens eine Pufferschicht kann in direktem Kontakt zu der Substratoberseite stehen oder durch eine oder mehrere Zwischenschichten von der Substratoberseite beabstandet sein.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren den Schritt des Erzeugens einer Vielzahl von separaten Anwachspunkten auf. Die Anwachspunkte werden an, in und/oder auf der Pufferschicht erzeugt. Beispielsweise handelt es sich bei den Anwachspunkten um bestimmte, lokale Bereiche der Pufferschicht.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren den Schritt des Erzeugens von einzelnen, strahlungsaktiven Inseln auf. Die Inseln werden ausgehend von den Anwachspunkten erzeugt, beispielsweise mittels epitaktischem Wachsen.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfassen die Inseln jeweils eine anorganische Halbleiterschichtenfolge oder bestehen aus einer solchen Halbleiterschichtenfolge. Die Halbleiterschichtenfolge der Inseln beinhaltet eine oder mehrere aktive Zonen zur Erzeugung einer Strahlung im Betrieb des Leuchtdioden-Displays. Bei der aktiven Zone kann es sich um eine Einfach-Quantentopfstruktur oder um eine Mehrfach-Quantentopfstruktur oder um einen pn-Übergang handeln.
- Die Halbleiterschichtenfolge basiert bevorzugt auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial. Bei dem Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn1-n-mGamN oder um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn1-n-mGamP oder auch um ein Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn1-n-mGamAs, wobei jeweils 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m ≤ 1 ist. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters der Halbleiterschichtenfolge, also Al, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die Inseln, in Draufsicht auf die Substratoberseite gesehen, einen mittleren Durchmesser von mindestens 50 nm oder von mindestens 200 nm oder von mindestens 500 nm oder von mindestens 0,5 µm oder von mindestens 10 µm auf. Alternativ oder zusätzlich beträgt der mittlere Durchmesser der Inseln höchstens 20 μm oder höchstens 5 μm oder höchstens 2 μm. Es ist möglich, dass die Inseln ein Aspektverhältnis, also einen Quotienten aus einer mittleren Höhe und dem mittleren Durchmesser, von > 1 oder > 2 oder > 5 aufweisen. Das Aspektverhältnis kann zum Beispiel < 25 oder < 20 oder < 15 sein.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren den Schritt des Verschaltens der Inseln mit Transistoren auf. Über die Transistoren sind die Inseln einzeln oder in Gruppen elektrisch ansteuerbar. Dabei können jeweils genau eine Insel oder auch mehrere elektrisch parallel geschaltete Inseln mit genau einem Transistor elektrisch leitend verbunden sein. Mit anderen Worten handelt es sich bei dem Leuchtdioden-Display dann um ein so genanntes mikropixeliertes Display, wobei die einzelnen Inseln die Mikropixel bilden.
- In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays eingerichtet. Das Verfahren umfasst mindestens die folgenden Schritte:
- A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrats mit einer Substratoberseite,
- B) Aufbringen wenigstens einer Pufferschicht mittelbar oder unmittelbar auf die Substratoberseite,
- C) Erzeugen einer Vielzahl von separaten Anwachspunkten auf oder an der Pufferschicht,
- D) Erzeugen von einzelnen, strahlungsaktiven Inseln, ausgehend von den Anwachspunkten, wobei die Inseln jeweils eine anorganische Halbleiterschichtenfolge mit mindestens einer aktiven Zone umfassen und ein mittlerer Durchmesser der Inseln, in Draufsicht auf die Substratoberseite gesehen, zwischen einschließlich 50 nm und 20 μm liegt, und
- E) Verschalten der Inseln mit Transistoren zu einer elektrischen Ansteuerung der Inseln.
- Die Verfahrensschritte werden bevorzugt in der angegebenen Reihenfolge ausgeführt. Eine abweichende Reihenfolge ist, soweit technisch durchführbar, ebenfalls möglich.
- Bei der Herstellung von mikropixelierten Displays auf der Basis von Leuchtdioden treten bei einem konventionellen Produktionsansatz, das heißt einer Segmentierung einer flächig aufgebrachten Epitaxieschicht, große Herausforderungen hinsichtlich einer defektarmen Strukturierung auf. Ein derartiger Produktionsansatz wird auch als Top-Down-Ansatz bezeichnet. Soll zudem ein Display mit einer Aktiv-Matrix-Schaltung realisiert werden, so muss auch ein Träger mit den notwendigen Transistorelementen zielgenau justiert zu den Leuchtflächen, insbesondere gebildet durch die Mikropixel, aufgebracht werden.
- Eine Strukturierung einer Halbleiterschichtenfolge hin zu einem mikropixelierten Display erfolgt beispielsweise durch trockenchemische Verfahren. Üblicherweise wird ein Träger mit der segmentierten Halbleiterschichtenfolge und den Mikropixeln in einem Flip-Chip-Verfahren mit einem Wafer mit den Treiberschaltungen verbunden.
- Dem beschriebenen Leuchtdioden-Display liegt unter anderem die Idee zugrunde, dass epitaktische Strukturen, die im Mikrobereich oder im Nanobereich strukturiert auf einem Wachstumssubstrat abgeschieden werden, für das Mikrodisplay verwendet werden. Eine entsprechende Herstellung wird auch als Bottom-Up-Ansatz bezeichnet. Bevorzugt entspricht hierbei eine epitaktische Wachstumsinsel genau einem späteren Leuchtpixel. Es ist jedoch auch möglich, dass kleinere Inseln zu einem Leuchtpixel zusammengefasst werden. Zusätzlich besteht bei einem solchen Verfahren die Möglichkeit, das epitaktische Wachstum direkt auf dem gleichen Substrat durchzuführen, das auch zuvor oder später mit den Treibertransistoren versehen wird. Hierdurch kann ein Bondvorgang zwischen dem Träger mit den Mikropixeln und dem Träger mit der Treiberschaltung entfallen. Ferner kann eine Strukturierung einer Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone nach der Epitaxie entfallen. Eine Segmentierung zu den Mikropixeln wird also bereits durch das Wachstum vorgegeben. Hierdurch ist insbesondere eine hohe Materialqualität und damit eine Unterdrückung von durch Ätzschäden hervorgerufenen Leckströmen erzielbar.
- Durch das gezielte, dreidimensionale Wachsen der Inseln ist eine Schädigung der aktiven Zone durch Strukturierungsprozesse wie Ätzen vermeidbar. Ein Risiko möglicher Schäden durch elektrostatische Entladungen, Kleinstromprobleme und/oder Nebenschlüsse kann hiermit minimiert werden.
- Ein Verlust an einer strahlungsaktiven Fläche durch die Strukturierung kann durch einen Kern-Schale-Aufbau der Inseln, englisch core-shell-Aufbau, ausgeglichen werden. Bei einem hohen Aspektverhältnis ist sogar ein Gewinn an aktiver Fläche, verglichen mit einem planaren Top-Down-Ansatz, möglich. Somit ist auch eine Effizienzsteigerung durch eine Reduzierung der Stromdichte bei gleichzeitigem Erhalt der Leuchtdichte möglich.
- Im Fall einer Integration einer Transistor-Ansteuerlogik in dem Wachstumssubstrat ist ein präzises, genau justiertes Bonden in einem nachfolgenden Schritt nicht notwendig. Ein Wachstum vergleichsweise dünner Inseln in Form von so genannten Nano-Rods erlaubt zudem eine Verbesserung der Materialqualität, da Versetzungen an nahe liegenden Oberflächen abbiegen, anstatt die gesamte, epitaktisch gewachsene Schichtdicke zu durchsetzen.
- Durch ein Wachstum einzeln stehender, dreidimensionaler Inseln in Form von Nanostrukturen oder Mikrostrukturen statt einer geschlossenen zweidimensionalen Schicht können zudem Verspannungen, die bei der Verwendung von Materialien mit unterschiedlichen Gitterkonstanten und/oder Ausdehnungskoeffizienten auftreten, abgebaut oder reduziert werden. Dies reduziert auch eine Durchbiegung eines Wafers und/oder des Aufwachssubstrats bei einem Wachsen und kann eine Prozessierung vereinfachen, speziell bei einem Bonden auf andere Materialien oder Wafer. Weiterhin können für das Wachstum größere Substrate oder Fremdsubstrate eingesetzt werden.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Transistoren in dem Aufwachssubstrat erzeugt. Dies erfolgt beispielsweise durch eine Dotierung bestimmter Teilgebiete des Aufwachssubstrats. Insbesondere werden die Transistoren als Feldeffekttransistoren, kurz FET, oder als pnp-Transistoren in dem Aufwachssubstrat erzeugt.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform folgt der Schritt des Erzeugens der Transistoren teilweise oder vollständig dem Schritt D) nach. Insbesondere hinsichtlich thermischer Belastungen, etwa durch Diffusionen in p-Wannen und n-Wannen des Transistors, die während des Wachstums einwirken, können alternativ aber einige oder alle Prozessschritte für die Herstellung der Transistoren vor dem Schritt D) durchgeführt werden.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird im Schritt E) ein Trägersubstrat an einer dem Aufwachssubstrat abgewandten Seite der Inseln angebracht. Bei dem Trägersubstrat handelt es sich dann bevorzugt um die das Leuchtdioden-Display mechanisch stabilisierende und mechanisch tragende Komponente. Bei dem Trägersubstrat handelt es sich beispielsweise um ein Siliziumsubstrat.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Entfernens des Aufwachssubstrats. Insbesondere wird das Aufwachssubstrat entfernt, nachdem das Trägersubstrat angebracht ist. Umfasst das Aufwachssubstrat die Transistoren, so verbleibt das Aufwachssubstrat bevorzugt an dem fertig hergestellten Leuchtdioden-Display.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Transistoren zur Ansteuerung der Inseln von dem Trägersubstrat umfasst. Bevorzugt werden die Transistoren in dem Trägersubstrat gefertigt, bevor das Trägersubstrat an den Inseln befestigt wird.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Pufferschicht als zweidimensionale, unstrukturierte Schicht aufgebracht. Das heißt, die Pufferschicht wird in einer konstanten Dicke ohne gezielte Dickenvariation oder Materialvariation erzeugt.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird auf die Pufferschicht eine Maskierungsschicht aus einem elektrisch isolierenden oder aus einem elektrisch leitenden Material aufgebracht. Die Maskierungsschicht weist eine Vielzahl von Öffnungen auf und wird bevorzugt vor dem Schritt D) abgeschieden. Die Inseln wachsen ausgehend von den Öffnungen in der Maskierungsschicht auf der Pufferschicht auf. Ein Material der Maskierungsschicht ist beispielsweise ein Siliziumoxid oder ein Siliziumnitrid.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform verbleibt die Maskierungsschicht in dem fertigen Leuchtdioden-Display. Das heißt, die Maskierungsschicht wird nicht nachträglich, etwa durch ein Ätzen, entfernt. Insbesondere wird die Maskierungsschicht nach dem Schritt D) nicht mehr oder nicht mehr signifikant in ihrer Dicke oder geometrischen Form verändert.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Inseln so gewachsen, dass sie die Maskierungsschicht überragen. Bezogen auf die Substratoberseite ist eine Höhe der Inseln dann größer als eine Dicke der Maskierungsschicht. Die Höhe der Inseln übersteigt die Dicke der Maskierungsschicht beispielsweise um mindestens einen Faktor 10 oder um mindestens einen Faktor 100 oder um mindestens einen Faktor 1000.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich zwischen der Pufferschicht und dem Aufwachssubstrat eine Zwischenschicht. Die Zwischenschicht ist beispielsweise aus einem Metallnitrid wie Aluminiumnitrid oder Hafniumnitrid geformt. Insbesondere ist durch die Zwischenschicht verhinderbar, dass Gallium aus der Pufferschicht mit einem Material des Aufwachssubstrats, insbesondere mit Silizium, in Berührung gerät.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die Anwachsinseln durch eine Strukturierung der Pufferschicht erzeugt. Die Strukturierung der Pufferschicht erfolgt bevorzugt durch eine Materialwegnahme von Material der Pufferschicht.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Strukturierung der Pufferschicht mit Hilfe einer Maskierungstechnik durchgeführt. Beispielsweise wird Material der Pufferschicht in nicht von einer Maske bedeckten Bereichen teilweise oder vollständig entfernt. Es ist hierbei möglich, dass die Pufferschicht als durchgehende Schicht verbleibt, sodass beispielsweise um die Anwachsinseln herum eine Dicke der Pufferschicht reduziert ist, jedoch größer als Null ist.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt die Strukturierung der Pufferschicht vor dem Abscheiden der Maskierungsschicht für die Anwachsinseln. Beispielsweise wird auf die strukturierte Pufferschicht außerhalb der Anwachsinseln eine elektrisch isolierende Schicht aus einem Siliziumoxid aufgebracht, wobei diese Schicht dann die Maskierungsschicht bilden kann und zum Beispiel Seitenflächen der Anwachsinseln teilweise oder vollständig bedeckt.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird unmittelbar auf das Aufwachssubstrat eine erste Pufferschicht, insbesondere aus einem Oxid oder Nitrid eines Übergangsmetalls oder eines Seltenerdenmetalls, aufgebracht. Beispielsweise besteht die erste Pufferschicht aus Hafniumnitrid. Weiterhin wird, bevorzugt vor dem Schritt C), unmittelbar auf die erste Pufferschicht eine hiervon verschiedene, zweite Pufferschicht aufgebracht. Die zweite Pufferschicht basiert oder besteht bevorzugt aus GaN oder aus AlGaN. Die Inseln und die Halbleiterschichtenfolge basieren dann bevorzugt auf AlInGaN.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform, bei dem das Aufwachssubstrat bevorzugt die Transistoren umfasst, folgt der ersten Pufferschicht insbesondere unmittelbar ein Bragg-Spiegel nach. Der Bragg-Spiegel kann epitaktisch gewachsen sein. Bei dem Bragg-Spiegel handelt es sich um eine Mehrfachschichtenfolge etwa aus einem Selten Erden-Oxid, einem Selten Erden-Nitrid, einer III-V-Verbindung und/oder einer III-Nitrid-Verbindung.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird ein Bereich zwischen benachbarten Inseln nach dem Schritt D) vollständig oder teilweise mit einer Füllmasse ausgefüllt. Die Füllmasse kann die Inseln berühren oder durch eine Zwischenschicht von den Inseln separiert sein. Bevorzugt ist die Füllmasse als Negativ zu den Inseln ausgebildet und an die Inseln formschlüssig angeformt.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Füllmasse zu einer Einstellung oder Reduzierung einer optischen Kopplung zwischen benachbarten Inseln eingerichtet. Hierzu kann die Füllmasse beispielsweise strahlungsundurchlässig, strahlungsmindernd, strahlungsabsorbierend, strahlungsdurchlässig oder Licht streuend geformt sein. Ebenso können in die Füllmasse oder in Teilbereiche der Füllmasse optisch aktive Materialien wie Leuchtstoffe, Streupartikel oder reflektierende Partikel eingebettet sein.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform füllt die Füllmasse Bereiche zwischen den benachbarten Inseln nur teilweise aus. Insbesondere ist die Füllmasse dann inselartig um die Inseln herum angeordnet. Es ist möglich, dass die Füllmasse einstückig ausgebildet ist oder durch eine Vielzahl von separaten Bereichen, wobei jeder der separaten Bereiche dann bevorzugt genau einer der Inseln zugeordnet ist. In Bereichen zwischen benachbarten Füllmassen kann eine weitere Füllung, die beispielsweise reflektierend gestaltet ist, eingebracht sein.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden im Schritt E) an einer den Inseln abgewandten Seite des Aufwachssubstrats die Transistoren in dem Aufwachssubstrat erzeugt. Dieser Schritt kann dem Schritt D) nachfolgen oder dem Schritt D) zumindest zum Teil vorausgehen.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform überlappen die Inseln und die Transistoren, in Draufsicht auf das Aufwachssubstrat und/oder die Substratoberseite gesehen. Hierdurch ist eine besonders Platz sparende Anordnung der Transistoren und der Inseln relativ zueinander erzielbar.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Pufferschicht oder werden die Inseln in Schritt E) stellenweise freigelegt, und zwar von der den Inseln abgewandten Seite des Aufwachssubstrats her. Es kann durch das Aufwachssubstrat hindurch eine Durchkontaktierung an die Inseln und/oder an die Pufferschicht heran erfolgen. Bevorzugt werden die freigelegten Stellen der Pufferschicht und/oder der Inseln mit einer oder mehreren Metallisierungen versehen.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Pufferschicht an einer dem Trägersubstrat abgewandten Seite mit einer Strukturierung versehen. Dies erfolgt bevorzugt nach dem Schritt E). Die Strukturierung der Pufferschicht kann zu einer optischen Entkopplung zwischen benachbarten Inseln vorgesehen sein. Beispielsweise ist die Strukturierung stellenweise tiefer ausgebildet oder nur an bestimmten Bereichen, beispielsweise deckungsgleich über den Inseln, angebracht. Alternativ oder zusätzlich zu der Pufferschicht kann auch die n-leitende Schicht der Inseln mit der Strukturierung versehen sein.
- Darüber hinaus wird ein Leuchtdioden-Display angegeben. Das Leuchtdioden-Display ist insbesondere mit einem Verfahren hergestellt, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen beschrieben. Merkmale des Verfahrens sind daher auch für das Leuchtdioden-Display offenbart und umgekehrt.
- In mindestens einer Ausführungsform beinhaltet das Leuchtdioden-Display einen Träger mit einer Vielzahl von Transistoren und eine Vielzahl von einzelnen, strahlungsaktiven Inseln. Die Inseln weisen jeweils eine anorganische Halbleiterschichtenfolge mit einer oder mehreren aktiven Zonen auf. Ein mittlerer Durchmesser der Inseln, in Draufsicht auf den Träger gesehen, liegt zwischen einschließlich 50 nm und 20 μm. Die Inseln sind mit den Transistoren elektrisch verschaltet.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt eine mittlere Höhe der Halbleiterschichtenfolge der Inseln und/oder eine mittlere Höhe der Inseln, bezogen auf die Pufferschicht oder auf eine den Inseln zugewandte Seite des Trägers, bei mindestens 0,2 μm oder bei mindestens 2 μm. Alternativ oder zusätzlich liegt diese mittlere Höhe bei höchstens 25 μm oder bei höchstens 6 μm.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Leuchtdioden-Displays ist jedem der Transistoren genau eine der Inseln zugeordnet. Es ist möglich, dass eine Anzahl der Inseln gleich oder näherungsweise gleich der Anzahl der Transistoren ist.
- Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind Bildpunkte des Leuchtdioden-Displays aus den Inseln gebildet. Beispielsweise ist ein Bildpunkt, englisch pixel, genau durch eine der Inseln ausgeformt. Alternativ hierzu ist es möglich, dass mehrere Inseln einen Bildpunkt bilden. Die mehreren Inseln sind dann bevorzugt zur Abstrahlung von Licht in verschiedenen Spektralbereichen eingerichtet, beispielsweise zur Abstrahlung von rotem Licht, von grünem Licht und von blauem Licht.
- Nachfolgend wird ein hier beschriebenes Verfahren und ein hier beschriebenes Leuchtdioden-Display unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
- Es zeigen:
-
1 ,2 ,4 und5 schematische Schnittdarstellungen von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Verfahren zur Herstellung von hier beschriebenen Leuchtdioden-Displays, und -
3 schematische Schnittdarstellungen von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Leuchtdioden-Displays. - In
1 ist in Schnittdarstellungen ein Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays1 illustriert. Gemäß1A wird ein Aufwachssubstrat2 mit einer Substratoberseite20 bereitgestellt, beispielsweise ein Saphirsubstrat. Auf das Saphirsubstrat wird eine Pufferschicht4 , insbesondere aus n-dotiertem GaN, aufgebracht. Eine Dicke der Pufferschicht4 liegt beispielsweise bei mindestens 200 nm und/oder bei höchstens6 μm. An einer der Substratoberseite20 abgewandten Seite der durchgehenden, zweidimensionalen Pufferschicht4 befindet sich eine Maskierungsschicht7 . In der Maskierungsschicht7 ist eine Vielzahl von Öffnungen gebildet. Die Maskierungsschicht7 ist beispielsweise aus Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, Titan oder Molybdän geformt. Die Öffnungen in der Maskierungsschicht7 , in denen die Pufferschicht4 freigelegt ist, stellen Anwachspunkte45 dar. - In
1B ist gezeigt, dass ausgehend von den Anwachspunkten45 eine n-leitende Schicht51 auf die Pufferschicht4 aufgewachsen wird. Die n-leitende Schicht51 ist beispielsweise säulenartig, prismatisch oder pyramidenstumpfartig geformt und kann, in Draufsicht auf die Substratoberseite20 gesehen, einen runden oder einen polygonen, insbesondere sechseckigen oder quadratischen, Grundriss aufweisen. Es ist möglich, dass ein mittlerer Durchmesser der n-leitenden Schicht51 eine mittlere Dicke der n-leitenden Schicht51 übersteigt oder umgekehrt. Die n-leitende Schicht51 ist bevorzugt aus n-dotiertem GaN gebildet. In Richtung weg von dem Aufwachssubstrat2 überragt die n-leitende Schicht51 die Maskierungsschicht7 . - Wie in
1C zu sehen, wird an Mantelflächen58 und an einer dem Aufwachssubstrat2 abgewandten Oberseite56 der n-leitenden Schicht51 eine aktive Zone55 aufgewachsen. Auf die aktive Zone55 wiederum wird, siehe1D , eine p-leitende Schicht53 aufgewachsen. Die p-leitende Schicht53 , basierend bevorzugt auf p-dotiertem GaN, sowie die aktive Zone55 stellen eine Schale für die einen Kern bildende n-leitende Schicht51 dar. - Die Schichten
51 ,53 sowie die aktive Zone55 sind Teil einer Halbleiterschichtenfolge50 . Die Halbleiterschichtenfolge50 bildet je eine Insel5 , die aufgrund der aktiven Zone55 strahlungsaktiv ist. Benachbarte Inseln5 sind über die Pufferschicht4 im Verfahrensschritt gemäß1D miteinander verbunden. - In
1E ist gezeigt, dass die Inseln5 von einer Füllmasse8 überdeckt werden. Bei der Füllmasse8 handelt es sich um ein elektrisch isolierendes Material. Die Füllmasse8 kann strahlungsdurchlässig oder strahlungsundurchlässig gestaltet sein und/oder aus einer Kombination verschiedener Schichten aus strahlungsdurchlässigen, strahlungsundurchlässigen oder strahlungsstreuenden Materialien bestehen. Es füllt die Füllmasse8 Bereiche zwischen benachbarten Inseln5 vollständig auf und die Füllmasse8 steht in direktem Kontakt zu den Inseln5 und umgibt die Inseln5 formschlüssig. - Nachfolgend wird die Füllmasse
8 planarisiert und es bildet sich eine Oberseite80 der Füllmasse8 an einer dem Aufwachssubstrat2 gegenüberliegenden Seite, vergleiche1F . Zum Beispiel besteht oder umfasst die Füllmasse8 eines oder mehrerer der nachfolgend genannten Materialien: ein Siliziumoxid, Siliziumnitrid, ein Siliziumoxinitrid, AlOx, AlN, TaO, TiO, Silizium, Benzocyclobuten, Wasserstoff-Silsesquioxan oder englisch hydrogen silsesquioxane, Parylen, spin-on-glass, Silikon, ein Polymer. - Wie in
1G zu sehen, wird die Füllmasse8 an den Oberseiten56 der Inseln5 teilweise entfernt und es wird eine p-Kontaktierung61 an die p-leitende Schicht53 angeformt. Bei der p-Kontaktierung61 handelt es sich bevorzugt um eine oder mehrere Metallisierungen. Weiterhin ist die p-Kontaktierung61 bevorzugt reflektierend gestaltet und kann zu diesem Zweck eine Silberschicht oder eine Aluminiumschicht beinhalten. Weiterhin kann die p-Kontaktierung61 als Lötkontaktstelle ausgebildet sein. Anders als dargestellt ist es möglich, dass die p-Kontaktierung61 bündig mit der Oberseite80 der Füllmasse8 abschließt oder dass die Füllmasse8 die p-Kontaktierung61 überragt. - In
1H ist dargestellt, dass auf der Oberseite80 ein Trägersubstrat9 angebracht wird. Das Trägersubstrat9 umfasst eine Vielzahl von Transistoren6 , schematisch angedeutet. Jeder der Transistoren6 ist einer der Inseln5 zugeordnet und mit der p-Kontaktierung61 elektrisch leitend verbunden. Der schematisch dargestellte Transistor6 kann auch aus einer Verschaltung mehrerer Transistoren6 zusammengesetzt sein, die insbesondere dazu geeignet sind, die p-Kontaktierung61 und damit die Insel5 auf ein elektrisches Spannungssignal hin mit Strom zu versorgen. Das Trägersubstrat9 kann durch Löten, Kleben, Reibschweißen oder Direktbonden mechanisch, elektrisch und/oder thermisch mit der p-Kontaktierung61 verbunden sein. - Bei dem Trägersubstrat
9 handelt es sich bevorzugt um ein Siliziumsubstrat, in das die Transistoren6 monolithisch integriert sind. Anders als dargestellt ist es möglich, dass sich zwischen der Füllung8 und dem Trägersubstrat9 zumindest in Bereichen, die frei von der p-Kontaktierung61 sind, eine Zwischenschicht befindet. Eine solche Zwischenschicht kann als Spiegel gestaltet sein. - Gemäß
1I wird das Aufwachssubstrat2 entfernt und die Pufferschicht4 wird an einer dem Trägersubstrat9 gegenüberliegenden Seite freigelegt. - Das fertige Leuchtdioden-Display
1 ist in1J zu sehen. Weitere Komponenten des Leuchtdioden-Displays wie Anschlusspunkte zur externen, elektrischen Kontaktierung, Schutzschichten, Signalleitungen, Bauteile zur Signalverarbeitung wie Schieberegister, Schutzeinrichtungen gegen Schäden vor elektrostatischen Entladungen, eine Verkapselung oder ein Gehäuse sind zur Vereinfachung der Darstellung jeweils nicht gezeichnet. Zwischen benachbarten Inseln5 besteht keine durchgehende Verbindung aus elektrisch vergleichsweise stark leitfähigen Schichten, sodass keine oder keine signifikanten Leckströme oder Querströme zwischen benachbarten Inseln5 auftreten. - Optional wird die Pufferschicht
4 mit einer Strukturierung versehen. Bei der Strukturierung handelt es sich beispielsweise um eine Aufrauung, die mittels KOH-Ätzen erzeugt sein kann. Es ist möglich, dass über die Pufferschicht4 eine n-Kontaktierung62 der Inseln5 realisiert ist. Alternativ hierzu ist es möglich, dass auf die Pufferschicht4 eine weitere, elektrisch leitende und bevorzugt strahlungsdurchlässige Schicht, nicht gezeichnet, aufgebracht wird. - Ferner ist es optional möglich, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen, dass den Inseln
5 oder einem Teil der Inseln5 ein nicht gezeichnetes Wellenlängenkonversionsmittel zugeordnet ist, das sich in der Füllmasse8 oder an einer dem Träger9 abgewandten Seite der Pufferschicht4 befinden kann. Über ein solches Wellenlängenkonversionsmittel ist es möglich, eine in der aktiven Zone55 erzeugte Primärstrahlung in eine Strahlung einer hiervon verschiedenen Wellenlänge teilweise oder vollständig umzuwandeln. Alternativ zu einem Wellenlängenkonversionsmittel können auch die aktiven Zonen55 von verschiedenen Inseln5 zur Abstrahlung unterschiedlicher Wellenlängen eingerichtet sein. - Weiter optional kann den Inseln
5 , insbesondere an einer dem Trägersubstrat9 abgewandten Seite der Pufferschicht4 , eine Flüssigkristallmaske nachgeordnet sein, etwa zu einer Farbfilterung. - In
2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des Herstellungsverfahrens illustriert. Gemäß2A wird auf dem Aufwachssubstrat2 , beispielsweise ein Saphirsubstrat, die Pufferschicht4 aufgewachsen. Handelt es sich bei dem Aufwachssubstrat2 etwa um ein Siliziumsubstrat, so befindet sich bevorzugt zwischen der Pufferschicht4 aus n-dotiertem GaN und dem Aufwachssubstrat2 eine weitere Schicht, insbesondere aus AlN. - Wie in
2B zu sehen, wird an einer dem Aufwachssubstrat2 abgewandten Seite der Pufferschicht4 eine Maskierungsschicht7 aufgebracht, etwa aus einem Fotolack. Die von der Maskierungsschicht7 bedeckten Bereiche der Pufferschicht4 sind bevorzugt inselartig geformt und können, in Draufsicht gesehen, rund oder polygonal geformt sein. - Gemäß
2C wird die Pufferschicht4 durch teilweise Materialwegnahme strukturiert, etwa durch ein trockenchemisches Ätzen. Hieraus resultieren die Anwachspunkte45 in von der Maskierungsschicht7 überdeckten Bereichen. - Nachfolgend, vergleiche
2D , wird die Maskierungsschicht7 entfernt und die Anwachspunkte45 werden freigelegt. Optional wird auf der Pufferschicht4 und an Mantelflächen der Anwachspunkte45 eine Passivierungsschicht75 aufgebracht. Die Passivierungsschicht75 ist beispielsweise aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid geformt und kann eine Dicke zwischen einschließlich 10 nm und 200 nm haben. - In
2E ist dargestellt, dass auf die Anwachspunkte45 und somit auf die von der Passivierungsschicht75 unbedeckten Bereiche der Pufferschicht4 die Halbleiterschichtenfolge50 aufgebracht wird. Die Halbleiterschichtenfolge50 , die die Inseln5 bildet, kann aufgebaut sein, wie in Verbindung mit1 erläutert. - Die weiteren Verfahrensschritte, in
2 nicht dargestellt, können analog zu den1E bis1J erfolgen. - In
3 sind weitere Ausführungsbeispiele des Leuchtdioden-Displays1 in Schnittdarstellungen gezeigt. Die Leuchtdioden-Displays gemäß3 unterscheiden sich insbesondere in der Ausgestaltung der Füllmasse8 und der Pufferschicht4 . Entsprechende Ausführungsbeispiele des Leuchtdioden-Displays1 sind analog zu den Herstellungsverfahren gemäß der1 und2 herstellbar. - Gemäß
3A ist die Füllmasse8 in eine Vielzahl von inselartigen oder schalenartigen Bereiche unterteilt, wobei sich jeder dieser inselartigen Bereiche an eine der Inseln5 anschmiegt und mit weiteren inselartigen Bereichen nicht durch ein Material der Füllmasse8 verbunden ist. Anders als dargestellt kann eine dünne, durchgehende Schicht der Füllmasse8 nahe der Maskierungsschicht7 vorhanden sein. - Bereiche zwischen benachbarten Abschnitten der Füllmasse
8 können mit einer reflektierenden Füllung85 versehen sein. Über eine solche reflektierende Füllung85 sind benachbarte Inseln5 optisch voneinander isolierbar. Bei der reflektierenden Füllung85 kann es sich um eine metallische Füllung handeln. Anders als dargestellt, kann die reflektierende Füllung85 sich auf Seitenflächen der einzelnen Bereiche der Füllmasse8 beschränken und einen Zwischenraum zwischen benachbarten Füllmassen8 dann nur unvollständig ausfüllen. - Im Bereich der metallischen, reflektierenden Füllung
85 kann die Maskierungsschicht7 auch entfernt sein, anders als gezeichnet, sodass die reflektierende Füllung85 elektrischen Kontakt zu der Pufferschicht4 hat und somit eine elektrische Querleitfähigkeit verbessert ist. In diesem Fall kann sich, in Draufsicht gesehen, die reflektierende Füllung85 als zusammenhängendes Netz über den Träger9 erstrecken, wobei sich in Maschen dieses Netzes die Inseln5 befinden. - Gemäß
3B erstreckt sich die p-Kontaktierung61 zylindermantelartig um die Inseln5 herum, in einem dem Trägersubstrat9 zugewandten Halbraum, bezogen auf die Maskierungsschicht7 . Die p-Kontaktierung61 ist bevorzugt mit einem reflektierenden Metall geformt. - Entsprechende Ausgestaltung der Füllmasse
8 sowie der p-Kontaktierung61 , wie in Verbindung mit den3A und3B gezeigt, können, anders als dargestellt, auch in den3C und3D vorhanden sein. - In
3C ist dargestellt, dass die Pufferschicht strukturiert ist. Erste Bereiche4a der Pufferschicht sind den Inseln5 entlang einer Hauptabstrahlrichtung unmittelbar nachgeordnet und mit einer Strukturierung zur Verbesserung der Lichtauskopplung versehen. Bereiche4b zwischen benachbarten Inseln5 sind teilweise voneinander separiert. - Dies ist beispielsweise durch eine modifizierte Strukturierung in den Bereichen
4b erzielbar oder durch eine partielle Beschichtung in diesen Bereichen4b . - Gemäß
3D sind die einzelnen Bereiche der Pufferschicht4 , die den Inseln5 nachgeordnet sind, vollständig voneinander separiert. Ferner sind diese Bereiche mit einer elektrisch leitfähigen Schicht62 , beispielsweise aus einem transparenten leitfähigen Oxid wie Indium-Zinn-Oxid versehen. Über die Schicht62 ist eine n-Kontaktierung realisierbar. Eine entsprechende leitfähige Schicht kann auch in allen anderen Ausführungsbeispielen vorhanden sein. - Bei den Verfahren gemäß der
1 und2 wurde das Trägersubstrat9 mit den Transistoren6 nachträglich an die Inseln5 angebondet. Bei den Verfahren gemäß der4 und5 werden die Transistoren6 in das Aufwachssubstrat2 integriert. - Laut
4A wird auf dem Aufwachssubstrat2 , bevorzugt ein Siliziumsubstrat, die Pufferschicht3 abgeschieden, beispielsweise aus HfN. Auf diese Pufferschicht3 wird nachfolgend optional eine Ätzstoppschicht34 aufgebracht. - In
4B ist zu sehen, dass die Pufferschicht3 sowie die Ätzstoppschicht34 strukturiert werden. Stellenweise wird die Pufferschicht3 von dem Aufwachssubstrat2 vollständig entfernt. Handelt es sich bei der Pufferschicht3 um eine elektrisch isolierende Schicht, so kann auf die Strukturierung der Pufferschicht3 optional verzichtet werden. - Gemäß
4C wird bereichsweise auf die Ätzstoppschicht34 die Maskierungsschicht7 aufgebracht. Die Maskierungsschicht7 steht dabei stellenweise in direktem Kontakt mit dem Aufwachssubstrat2 . Die Ätzstoppschicht34 liegt stellenweise zwischen der Pufferschicht3 und der Maskierungsschicht7 . Von der optionalen Ätzstoppschicht34 sowie von der Maskierungsschicht7 unbedeckte Bereiche der Pufferschicht7 bilden die Anwachspunkte45 . - Ausgehend von den Anwachspunkten
45 wird die Halbleiterschichtenfolge50 , die die Inseln5 bildet, gewachsen, wie in4D gezeigt. - Anschließend wird, vergleiche
4E , die Füllmasse8 zwischen den Inseln5 aufgebracht. Die Füllmasse8 überdeckt dabei die Inseln5 bevorzugt vollständig, sodass die Inseln5 formschlüssig in die Füllmasse8 eingebettet sind. - An einer den Inseln
5 abgewandten Seite des Aufwachssubstrats2 werden gemäß4F die Transistoren6 , die beispielsweise sogenannte pnp-Transistoren sind, erzeugt. Hierzu wird eine größere Wanne68 aus einem dotierten Gebiet in das Aufwachssubstrat2 geformt. In diese größere Wanne68 werden zwei entgegengesetzt dotierte, kleinere Bereiche66 gebildet, zwischen denen sich das Gate67 befindet. Die kleineren Bereiche66 sind für Source und Drain vorgesehen. - Anders als in
4F dargestellt, kann sich an einer dem Aufwachssubstrat2 abgewandten Seite der Füllmasse8 ein nicht gezeichneter Hilfsträger befinden. Abweichend von der dargestellten Reihenfolge der Verfahrensschritte können zumindest Teile der Bereiche66 ,67 ,68 bereits vor den Verfahrensschritten der4A bis4E erzeugt werden. - Im Verfahrensschritt, wie in
4G gezeigt, werden Öffnungen25 für Durchkontaktierungen in das Aufwachssubstrat2 geformt. Die Durchkontaktierungen, beispielsweise über ein Trockenätzen erzeugt, reichen bis an die Inseln5 und können die Pufferschicht3 vollständig durchdringen. Insbesondere reichen die Öffnungen25 bis an die Ätzstoppschicht34 heran. Ein Erstellen der Öffnungen25 erfolgt zum Beispiel mittels des Bosch-Prozesses und einer gegebenenfalls anschließenden Ätzung von eventuell nicht leitfähigen Anwachsschichten. - In
4H ist dargestellt, dass Metallisierungen65 auf die in den Öffnungen25 erzeugten Durchkontaktierungen64 sowie auf die dotierten Bereiche66 sowie das Gate67 des Transistors6 aufgebracht werden. Hierdurch sind die Transistoren6 elektrisch kontaktierbar. - In einem optionalen, nicht gezeichneten Verfahrensschritt können anschließend Verdrahtungsebenen und Schutzschichten an einer den Inseln
5 abgewandten Seite des Aufwachssubstrats2 geformt werden. - Gemäß
4I wird die Füllmasse8 teilweise entfernt, sodass die p-leitende Schicht53 der Inseln5 freigelegt wird. Anders als dargestellt, kann die verbleibende Füllmasse8 in Richtung weg von dem Aufwachssubstrat2 bündig mit der p-leitenden Schicht53 abschließen, sodass eine planare, ebene Oberseite80 ausgebildet wird. - Das fertige Leuchtdioden-Display
1 ist in4J dargestellt. Auf die Inseln5 ist an einer dem Aufwachssubstrat2 abgewandten Seite eine Elektrode69 angebracht. Die Elektrode69 ist bevorzugt strahlungsdurchlässig und beispielsweise aus Indium-Zinn-Oxid gebildet. Es kann sich bei der Elektrode69 , wie in allen anderen Ausführungsbeispielen, um eine durchgehende Schicht handeln und eine individualisierte Ansteuerung der Inseln5 ist über eine Verdrahtungsebene für die Transistoren6 an einer den Inseln5 abgewandten Seite des Aufwachssubstrats2 oder des Trägersubstrats9 ermöglicht. Die Füllmasse8 und ein dem Aufwachssubstrat2 abgewandte Seite der Elektrode69 können gestaltet werden, wie in Verbindung mit3 beschrieben. - In
5 ist ein weiteres Herstellungsverfahren des Leuchtdioden-Displays1 gezeigt, bei dem die Transistoren6 in das Aufwachssubstrat2 integriert werden. In5A ist dargestellt, dass auf das Aufwachssubstrat2 eine erste Pufferschicht3 geformt wird, beispielsweise aus HfN. - Auf die erste Pufferschicht
3 wird eine zweite Pufferschicht4 , etwa aus n-dotiertem GaN, aufgebracht, siehe5B . Die Pufferschichten3 ,4 können, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen, jeweils aus einer einzigen Schicht oder aus Schichtenstapeln gebildet sein. - Die Pufferschichten
3 ,4 werden stellenweise teilweise oder vollständig entfernt, sodass das Aufwachssubstrat2 stellenweise freigelegt wird, siehe5C . Die verbleibenden Bereiche der Pufferschichten3 ,4 stellen dann die Anwachspunkte45 dar. Optional kann auf die freigelegten Stellen des Aufwachssubstrats2 sowie zumindest bereichsweise oder vollständig auf Mantelflächen der Pufferschichten4 eine Passivierungsschicht75 aufgebracht werden, wobei die Anwachspunkte45 frei bleiben oder nachträglich von der Passivierungsschicht75 wieder freigemacht werden. - Gemäß
5D wird die Halbleiterschichtenfolge50 und somit die Inseln5 erzeugt, analog zu2G . Die weiteren Verfahrensschritte können in Anlehnung an die4E bis4I erfolgen. - Das resultierende Leuchtdioden-Display
1 ist in5E gezeigt. Anders als in4J dargestellt, reichen die Durchkontaktierungen64 bis in die zweite Pufferschicht4 der Inseln5 hinein und durchdringen die erste Pufferschicht3 vollständig. Hierdurch kann für die erste Pufferschicht3 eine größere Bandbreite von Materialien Verwendung finden. Ebenfalls abweichend von4J ist, im Querschnitt gesehen, die Passivierungsschicht75 U-förmig ausgebildet. - Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Claims (15)
- Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodendisplays (
1 ) mit den Schritten: A) Bereitstellen eines Aufwachssubstrates (2 ) mit einer Substratoberseite (20 ), B) Aufbringen wenigstens einer Pufferschicht (3 ,4 ) mittelbar oder unmittelbar auf die Substratoberseite (20 ), C) Erzeugen einer Vielzahl von separaten Anwachspunkten (45 ) auf oder an der Pufferschicht (3 ,4 ), D) Erzeugen von einzelnen, strahlungsaktiven Inseln (5 ) ausgehend von den Anwachspunkten (45 ), wobei die Inseln (5 ) jeweils eine anorganische Halbleiterschichtenfolge (50 ) mit mindestens einer aktiven Zone (55 ) umfassen und ein mittlerer Durchmesser der Inseln (5 ), in Draufsicht auf die Substratoberseite (20 ) gesehen, zwischen einschließlich 50 nm und 20 µm liegt, und E) Verschalten der Inseln (5 ) mit Transistoren (6 ) zu einer elektrischen Ansteuerung der Inseln (5 ). - Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die Transistoren (
6 ) in dem Aufwachssubstrat (2 ) erzeugt werden. - Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem das Erzeugen der Transistoren (
6 ) zumindest zum Teil dem Schritt D) nachfolgt. - Verfahren nach Anspruch 1, bei dem im Schritt E) ein Trägersubstrat (
9 ) an einer dem Aufwachssubstrat (2 ) abgewandten Seite der Inseln (5 ) angebracht und nachfolgend das Aufwachssubstrat (2 ) entfernt wird, wobei die Transistoren (6 ) von dem Trägersubstrat (9 ) umfasst sind. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Pufferschicht (
4 ) als zweidimensionale, unstrukturierte Schicht aufgebracht wird, wobei auf der Pufferschicht (4 ) eine Maskierungsschicht (7 ) aus einem elektrisch isolierenden Material mit einer Vielzahl von Öffnungen vor dem Schritt D) abgeschieden wird und die Maskierungsschicht (7 ) in dem fertigen Leuchtdiodendisplay (1 ) verbleibt und von den Inseln (5 ) überragt wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Anwachsinseln (
45 ) durch eine Strukturierung der Pufferschicht (4 ) erzeugt werden, wobei die Strukturierung mit einer Maskierungstechnik und durch teilweise Materialwegnahme erfolgt, und wobei die Strukturierung vor dem Schritt des Abscheidens der Maskierungsschicht (7 ) erfolgt. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei – das Aufwachssubstrat (
2 ) ein Siliziumsubstrat ist, – unmittelbar auf dem Aufwachssubstrat (2 ) eine erste Pufferschicht (3 ) mit einem Oxid oder Nitrid eines Übergangsmetalls oder eines Seltenerdenmetalls aufgebracht wird, – vor dem Schritt C) unmittelbar auf die erste Pufferschicht (3 ) eine hiervon verschiedene zweite Pufferschicht (4 ), basierend auf GaN oder auf AlGaN, aufgebracht wird, und – die Inseln (5 ) und die Halbleiterschichtenfolge (50 ) auf AlInGaN basieren. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein Bereich zwischen benachbarten Inseln (
5 ) vollständig oder teilweise nach dem Schritt D) mit einer Füllmasse (8 ) aufgefüllt wird, wobei die Füllmasse (8 ) zu einer Reduzierung einer optischen Kopplung zwischen benachbarten Inseln (5 ) eingerichtet ist. - Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die Füllmasse (
8 ) den Bereich zwischen benachbarten Inseln (5 ) nur teilweise ausfüllt und schalenartig um die Inseln (5 ) herum angeordnet ist. - Verfahren nach einem der Ansprüche 8 oder 9, bei dem der Füllmasse (
7 ) zumindest ein optisch aktives Material, insbesondere Streupartikel oder ein Leuchtstoff, beigegeben ist. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem im Schritt E) an einer den Inseln (
5 ) abgewandten Seite des Aufwachssubstrats (2 ) die Transistoren (6 ) in dem Aufwachssubstrat (2 ) erzeugt werden, wobei die Transistoren (6 ) und die jeweils zugehörigen Inseln (5 ) überlappen, in Draufsicht auf das Aufwachssubstrat (2 ) gesehen. - Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die Pufferschicht (
4 ) im Schritt E) von der den Inseln (5 ) abgewandten Seite des Aufwachssubstrats (2 ) her stellenweise freigelegt und mit einer Metallisierung (64 ,65 ) versehen wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Pufferschicht (
4 ) an einer dem Trägersubstrat (9 ) abgewandten Seite mit einer Strukturierung zur einer Reduzierung einer optischen Entkopplung zwischen benachbarten Inseln (5 ) versehen wird. - Leuchtdiodendisplay (
1 ) mit – einem Träger (2 ,9 ) mit einer Vielzahl von Transistoren (6 ), und – einer Vielzahl von einzelnen, strahlungsaktiven Inseln (5 ), wobei – die Inseln (5 ) jeweils eine anorganische Halbleiterschichtenfolge (50 ) mit mindestens einer aktiven Zone (55 ) umfassen, – ein mittlerer Durchmesser der Inseln (5 ), in Draufsicht auf den Träger (2 ,9 ) gesehen, zwischen einschließlich 50 nm und 20 µm liegt, – eine mittlere Höhe der Halbleiterschichtenfolge (50 ) der Inseln (5 ) bei mindestens 1,5 µm liegt, und – die Inseln (5 ) mit den Transistoren (6 ) elektrisch verschaltet sind. - Leuchtdiodendisplay (
1 ) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem jedem der Transistoren (6 ) genau eine der Inseln (5 ) zugeordnet ist und Bildpunkte des Leuchtdiodendisplays (1 ) aus den Inseln (5 ) gebildet sind, wobei die Inseln (5 ) einen Kern-Schale-Aufbau aufweisen, sodass eine p-leitende Schicht (53 ) und die aktive Zone (55 ) der Halbleiterschichtenfolge (50 ) eine Schale für eine einen Kern bildende n-leitende Schicht (51 ) darstellen.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012109460.8A DE102012109460B4 (de) | 2012-10-04 | 2012-10-04 | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays und Leuchtdioden-Display |
JP2015534972A JP6262745B2 (ja) | 2012-10-04 | 2013-09-30 | 発光ダイオードディスプレイの製造方法および発光ダイオードディスプレイ |
US14/433,379 US9859330B2 (en) | 2012-10-04 | 2013-09-30 | Method for producing a light-emitting diode display and light-emitting diode display |
CN201380052303.1A CN104704634B (zh) | 2012-10-04 | 2013-09-30 | 用于制造发光二极管显示器的方法和发光二极管显示器 |
PCT/EP2013/070352 WO2014053445A1 (de) | 2012-10-04 | 2013-09-30 | Verfahren zur herstellung eines leuchtdioden-displays und leuchtdioden-display |
US15/823,431 US10770506B2 (en) | 2012-10-04 | 2017-11-27 | Method for producing a light-emitting diode display and light-emitting diode display |
JP2017239765A JP2018097367A (ja) | 2012-10-04 | 2017-12-14 | 発光ダイオードディスプレイの製造方法および発光ダイオードディスプレイ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012109460.8A DE102012109460B4 (de) | 2012-10-04 | 2012-10-04 | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays und Leuchtdioden-Display |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102012109460A1 true DE102012109460A1 (de) | 2014-04-10 |
DE102012109460B4 DE102012109460B4 (de) | 2024-03-07 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102012109460.8A Active DE102012109460B4 (de) | 2012-10-04 | 2012-10-04 | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays und Leuchtdioden-Display |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9859330B2 (de) |
JP (2) | JP6262745B2 (de) |
CN (1) | CN104704634B (de) |
DE (1) | DE102012109460B4 (de) |
WO (1) | WO2014053445A1 (de) |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013114691A1 (de) | 2013-12-20 | 2015-06-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und adaptiver Scheinwerfer für ein Kraftfahrzeug |
DE102014100542A1 (de) | 2014-01-20 | 2015-07-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer lateral strukturierten Schicht und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer solchen Schicht |
DE102014105734A1 (de) | 2014-04-23 | 2015-10-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils |
DE102015104144A1 (de) * | 2015-03-19 | 2016-09-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterkörpers |
FR3041148A1 (fr) * | 2015-09-14 | 2017-03-17 | Valeo Vision | Source lumineuse led comprenant un circuit electronique |
WO2018077957A1 (de) * | 2016-10-25 | 2018-05-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil |
WO2018234160A1 (de) * | 2017-06-21 | 2018-12-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterdisplay, optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung solcher |
WO2019126539A1 (en) * | 2017-12-20 | 2019-06-27 | Lumileds Llc | Led array and method of forming thereof |
WO2019175168A1 (de) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Multipixelchip und verfahren zur herstellung eines multipixelchips |
DE102019100521A1 (de) * | 2019-01-10 | 2020-07-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils und optoelektronisches bauteil |
US11569415B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-01-31 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices with defined hard mask opening |
US11600656B2 (en) | 2020-12-14 | 2023-03-07 | Lumileds Llc | Light emitting diode device |
US11626538B2 (en) | 2020-10-29 | 2023-04-11 | Lumileds Llc | Light emitting diode device with tunable emission |
US11705534B2 (en) | 2020-12-01 | 2023-07-18 | Lumileds Llc | Methods of making flip chip micro light emitting diodes |
US11735695B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-08-22 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices with current spreading layer |
US11848402B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-12-19 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices with multilayer composite film including current spreading layer |
US11901491B2 (en) | 2020-10-29 | 2024-02-13 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices |
US11935987B2 (en) | 2021-11-03 | 2024-03-19 | Lumileds Llc | Light emitting diode arrays with a light-emitting pixel area |
US11942507B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-03-26 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices |
US11955583B2 (en) | 2020-12-01 | 2024-04-09 | Lumileds Llc | Flip chip micro light emitting diodes |
US11961875B2 (en) | 2017-12-20 | 2024-04-16 | Lumileds Llc | Monolithic segmented LED array architecture with islanded epitaxial growth |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11792898B2 (en) | 2012-07-01 | 2023-10-17 | Ideal Industries Lighting Llc | Enhanced fixtures for area lighting |
US11160148B2 (en) | 2017-06-13 | 2021-10-26 | Ideal Industries Lighting Llc | Adaptive area lamp |
WO2014057748A1 (ja) * | 2012-10-12 | 2014-04-17 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物複合基板およびその製造方法、ならびにiii族窒化物半導体デバイスの製造方法 |
DE102013211707B4 (de) | 2013-06-20 | 2024-03-28 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Anordnung mit einem Träger, Array mit mehreren Anordnungen und Verfahren zum Herstellen einer Anordnung |
CN110010750B (zh) * | 2014-06-18 | 2021-11-09 | 艾克斯展示公司技术有限公司 | 微组装led显示器 |
FR3033939B1 (fr) * | 2015-03-20 | 2018-04-27 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif optoelectronique a diode electroluminescente |
DE102015119653A1 (de) | 2015-11-13 | 2017-05-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Modul für eine Videowand |
US10529696B2 (en) | 2016-04-12 | 2020-01-07 | Cree, Inc. | High density pixelated LED and devices and methods thereof |
KR20170129983A (ko) | 2016-05-17 | 2017-11-28 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지, 이를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
FR3061608B1 (fr) * | 2016-12-29 | 2019-05-31 | Aledia | Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes |
DE102017107201A1 (de) * | 2017-04-04 | 2018-10-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements und optoelektronisches Halbleiterbauelement |
JP7290001B2 (ja) * | 2017-08-03 | 2023-06-13 | クリーエルイーディー・インコーポレーテッド | 高密度ピクセル化ledチップ、チップアレイデバイス、及びその製造方法 |
US10734363B2 (en) | 2017-08-03 | 2020-08-04 | Cree, Inc. | High density pixelated-LED chips and chip array devices |
US11508708B2 (en) * | 2017-08-10 | 2022-11-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor module, display apparatus, and semiconductor module manufacturing method |
US10439101B2 (en) | 2017-08-18 | 2019-10-08 | Intel Corporation | Micro light-emitting diode (LED) elements and display |
EP3796389B1 (de) * | 2017-10-19 | 2023-08-09 | Tectus Corporation | Ultradichter led-projektor |
WO2019079381A1 (en) | 2017-10-19 | 2019-04-25 | Spy Eye, Llc | ULTRA-DENSE LED PROJECTOR |
US11749790B2 (en) * | 2017-12-20 | 2023-09-05 | Lumileds Llc | Segmented LED with embedded transistors |
US11054112B2 (en) * | 2017-12-22 | 2021-07-06 | Lumileds Llc | Ceramic phosphor with lateral light barriers |
US10879431B2 (en) | 2017-12-22 | 2020-12-29 | Lumileds Llc | Wavelength converting layer patterning for LED arrays |
FR3077653A1 (fr) * | 2018-02-06 | 2019-08-09 | Aledia | Dispositif optoelectronique avec des composants electroniques au niveau de la face arriere du substrat et procede de fabrication |
US10529773B2 (en) | 2018-02-14 | 2020-01-07 | Cree, Inc. | Solid state lighting devices with opposing emission directions |
WO2019168187A1 (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-06 | 株式会社 東芝 | 発光ダイオードシート、表示装置、発光装置、表示装置の製造方法及び発光装置の製造方法 |
US10652963B2 (en) | 2018-05-24 | 2020-05-12 | Lumiode, Inc. | LED display structures and fabrication of same |
KR20190137458A (ko) | 2018-06-01 | 2019-12-11 | 삼성전자주식회사 | Led를 이용한 디스플레이 모듈 제조방법 |
KR102530068B1 (ko) | 2018-06-26 | 2023-05-08 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지, 이를 포함하는 디스플레이 장치, 및 그 제조 방법 |
KR102534248B1 (ko) | 2018-07-17 | 2023-05-18 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 |
KR102417280B1 (ko) * | 2018-07-25 | 2022-07-06 | 주식회사 제이마이크로 | 투명 발광 디스플레이 필름, 이의 제조 방법, 및 이를 사용한 투명 발광 사이니지 |
US10923628B2 (en) | 2018-09-27 | 2021-02-16 | Lumileds Llc | Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates |
US10811460B2 (en) | 2018-09-27 | 2020-10-20 | Lumileds Holding B.V. | Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates |
US11201265B2 (en) | 2018-09-27 | 2021-12-14 | Lumileds Llc | Micro light emitting devices |
US10964845B2 (en) | 2018-09-27 | 2021-03-30 | Lumileds Llc | Micro light emitting devices |
US11251341B2 (en) * | 2018-10-12 | 2022-02-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Micro light emitting diode display panel, micro light emitting diode display apparatus, and method of fabricating micro light emitting diode display panel |
US20220029059A1 (en) * | 2018-12-12 | 2022-01-27 | Sakai Display Products Corporation | Micro led device, and method for manufacturing micro led device |
US10903265B2 (en) | 2018-12-21 | 2021-01-26 | Cree, Inc. | Pixelated-LED chips and chip array devices, and fabrication methods |
WO2020131894A1 (en) | 2018-12-21 | 2020-06-25 | Lumiode, Inc. | Addressing for emissive displays |
WO2020136848A1 (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-02 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロledデバイスおよびその製造方法 |
WO2020136846A1 (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-02 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロledデバイスおよびその製造方法 |
EP3906581A4 (de) * | 2019-01-02 | 2022-11-16 | Lumiode, Inc. | System und verfahren zur herstellung von anzeigestrukturen |
DE102019107030A1 (de) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronische halbleitervorrichtung mit einer vielzahl von bildelementen und trennelementen und verfahren zur herstellung der optoelektronischen halbleitervorrichtung |
US20220216371A1 (en) * | 2019-03-22 | 2022-07-07 | Sakai Display Products Corporation | Micro led ultraviolet radiation source |
WO2020255347A1 (ja) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロledデバイスおよびその製造方法 |
WO2020255348A1 (ja) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | マイクロledデバイスおよびその製造方法 |
KR102158510B1 (ko) * | 2019-07-17 | 2020-09-22 | 연세대학교 산학협력단 | 전이금속 화합물 트랜지스터가 집적된 발광다이오드 및 이의 제조방법 |
CN114175261A (zh) | 2019-07-25 | 2022-03-11 | 日亚化学工业株式会社 | 图像显示装置的制造方法以及图像显示装置 |
EP4052296A1 (de) | 2019-10-29 | 2022-09-07 | Creeled, Inc. | Texturierung für chips mit hochdichter pixellierter led |
US11923398B2 (en) | 2019-12-23 | 2024-03-05 | Lumileds Llc | III-nitride multi-wavelength LED arrays |
US11404473B2 (en) | 2019-12-23 | 2022-08-02 | Lumileds Llc | III-nitride multi-wavelength LED arrays |
US11437548B2 (en) | 2020-10-23 | 2022-09-06 | Creeled, Inc. | Pixelated-LED chips with inter-pixel underfill materials, and fabrication methods |
US11631786B2 (en) | 2020-11-12 | 2023-04-18 | Lumileds Llc | III-nitride multi-wavelength LED arrays with etch stop layer |
US11424287B2 (en) | 2020-12-17 | 2022-08-23 | Uif (University Industry Foundation), Yonsei University | Light emitting diode integrated with transition metal dichalcogenide transistor and method for manufacturing the same |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100117997A1 (en) * | 2007-03-08 | 2010-05-13 | Haase Michael A | Array of luminescent elements |
DE102010012711A1 (de) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements |
Family Cites Families (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52147087A (en) | 1976-06-01 | 1977-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor light emitting display device |
US4774205A (en) * | 1986-06-13 | 1988-09-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Monolithic integration of silicon and gallium arsenide devices |
DE69033837T2 (de) * | 1989-07-25 | 2002-05-29 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Lichtemittierende Vorrichtung |
US5910706A (en) * | 1996-12-18 | 1999-06-08 | Ultra Silicon Technology (Uk) Limited | Laterally transmitting thin film electroluminescent device |
US5789766A (en) * | 1997-03-20 | 1998-08-04 | Motorola, Inc. | Led array with stacked driver circuits and methods of manfacture |
US5893721A (en) * | 1997-03-24 | 1999-04-13 | Motorola, Inc. | Method of manufacture of active matrix LED array |
TW398084B (en) | 1998-06-05 | 2000-07-11 | Hewlett Packard Co | Multilayered indium-containing nitride buffer layer for nitride epitaxy |
JP2000022128A (ja) * | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体発光素子、および光電子集積回路素子 |
US6242324B1 (en) * | 1999-08-10 | 2001-06-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for fabricating singe crystal materials over CMOS devices |
US6410942B1 (en) * | 1999-12-03 | 2002-06-25 | Cree Lighting Company | Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays |
JP2001249626A (ja) * | 2000-03-03 | 2001-09-14 | Sharp Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
JP2001339060A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Kyocera Corp | 半導体発光装置 |
JP3906654B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2007-04-18 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
JP3882539B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2007-02-21 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法、並びに画像表示装置 |
JP3906653B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2007-04-18 | ソニー株式会社 | 画像表示装置及びその製造方法 |
JP4649745B2 (ja) * | 2001-02-01 | 2011-03-16 | ソニー株式会社 | 発光素子の転写方法 |
US20020153529A1 (en) | 2001-04-24 | 2002-10-24 | Jin-Shown Shie | LED array with optical isolation structure and method of manufacturing the same |
JP2003078127A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Kyocera Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003077940A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sony Corp | 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法 |
JP4055405B2 (ja) * | 2001-12-03 | 2008-03-05 | ソニー株式会社 | 電子部品及びその製造方法 |
US6759262B2 (en) * | 2001-12-18 | 2004-07-06 | Agilent Technologies, Inc. | Image sensor with pixel isolation system and manufacturing method therefor |
JP2003345267A (ja) * | 2002-05-30 | 2003-12-03 | Canon Inc | 表示装置及びその製造方法 |
GB0219771D0 (en) * | 2002-08-24 | 2002-10-02 | Koninkl Philips Electronics Nv | Manufacture of electronic devices comprising thin-film circuit elements |
JP5022552B2 (ja) * | 2002-09-26 | 2012-09-12 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
US20060223211A1 (en) * | 2004-12-02 | 2006-10-05 | The Regents Of The University Of California | Semiconductor devices based on coalesced nano-rod arrays |
JP4848638B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2011-12-28 | ソニー株式会社 | 半導体素子の形成方法および半導体素子のマウント方法 |
JP4992282B2 (ja) * | 2005-06-10 | 2012-08-08 | ソニー株式会社 | 発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオードバックライト、発光ダイオード照明装置、発光ダイオードディスプレイおよび電子機器 |
MY149865A (en) | 2006-03-10 | 2013-10-31 | Stc Unm | Pulsed growth of gan nanowires and applications in group iii nitride semiconductor substrate materials and devices |
CN101443887B (zh) * | 2006-03-10 | 2011-04-20 | Stc.Unm公司 | Gan纳米线的脉冲式生长及在族ⅲ氮化物半导体衬底材料中的应用和器件 |
JP4899675B2 (ja) * | 2006-07-12 | 2012-03-21 | ソニー株式会社 | 実装方法、電子機器の製造方法および発光ダイオードディスプレイの製造方法 |
JP4920330B2 (ja) * | 2006-07-18 | 2012-04-18 | ソニー株式会社 | 実装構造体の実装方法、発光ダイオードディスプレイの実装方法、発光ダイオードバックライトの実装方法および電子機器の実装方法 |
JP4535053B2 (ja) * | 2006-10-12 | 2010-09-01 | ソニー株式会社 | 発光ダイオードの配線の形成方法、発光ダイオード実装基板、ディスプレイ、バックライト、照明装置および電子機器 |
JP2008124376A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Canon Inc | 素子基板の接続方法 |
US9024349B2 (en) * | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
US8964020B2 (en) | 2007-04-25 | 2015-02-24 | Stc.Unm | Solid-state microscope for selectively imaging a sample |
JP2008277409A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
US8809126B2 (en) * | 2007-05-31 | 2014-08-19 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
KR100904588B1 (ko) * | 2007-07-05 | 2009-06-25 | 삼성전자주식회사 | 코어/쉘 형태의 나노와이어를 제조하는 방법, 그에 의해제조된 나노와이어 및 이를 포함하는 나노와이어 소자 |
US20090039375A1 (en) * | 2007-08-07 | 2009-02-12 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices with separated wavelength conversion materials and methods of forming the same |
US8441018B2 (en) * | 2007-08-16 | 2013-05-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Direct bandgap substrates and methods of making and using |
KR100877293B1 (ko) * | 2007-08-31 | 2009-01-07 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
CN101868858A (zh) * | 2008-01-15 | 2010-10-20 | 夏普株式会社 | 半导体装置、其制造方法和显示装置 |
KR101496151B1 (ko) | 2008-06-25 | 2015-02-27 | 삼성전자주식회사 | 산화물 다이오드를 이용한 디스플레이 장치 |
WO2010014032A1 (en) * | 2008-07-07 | 2010-02-04 | Glo Ab | A nanostructured LED |
US9082673B2 (en) * | 2009-10-05 | 2015-07-14 | Zena Technologies, Inc. | Passivated upstanding nanostructures and methods of making the same |
US8791470B2 (en) * | 2009-10-05 | 2014-07-29 | Zena Technologies, Inc. | Nano structured LEDs |
US8735797B2 (en) * | 2009-12-08 | 2014-05-27 | Zena Technologies, Inc. | Nanowire photo-detector grown on a back-side illuminated image sensor |
JP2010073841A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Sony Corp | 光学パッケージ素子、表示装置、および電子機器 |
KR101533817B1 (ko) * | 2008-12-31 | 2015-07-09 | 서울바이오시스 주식회사 | 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 |
KR101557362B1 (ko) * | 2008-12-31 | 2015-10-08 | 서울바이오시스 주식회사 | 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 |
WO2010140370A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | 住友化学株式会社 | 光デバイス、半導体基板、光デバイスの製造方法、および半導体基板の製造方法 |
CN102460740A (zh) * | 2009-06-19 | 2012-05-16 | 住友化学株式会社 | 发光装置以及发光装置的制造方法 |
WO2010149027A1 (en) * | 2009-06-22 | 2010-12-29 | Industrial Technology Research Institute | Light-emitting unit array, method for fabricating the same and projection apparatus |
US9196653B2 (en) | 2009-07-30 | 2015-11-24 | 3M Innovative Properties Company | Pixelated LED |
JP5636655B2 (ja) * | 2009-09-16 | 2014-12-10 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光チップ、プリントヘッドおよび画像形成装置 |
FR2951875B1 (fr) * | 2009-10-23 | 2012-05-18 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d?un ecran a tres haute resolution utilisant une couche conductrice anisotropique et emissive |
JP5943339B2 (ja) * | 2009-12-01 | 2016-07-05 | 国立大学法人北海道大学 | 発光素子およびその製造方法 |
WO2011071559A1 (en) | 2009-12-09 | 2011-06-16 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Method for manufacturing a monolithic led micro-display on an active matrix panel using flip-chip technology and display apparatus having the monolithic led micro-display |
WO2011111516A1 (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | シャープ株式会社 | 発光装置の製造方法、発光装置、照明装置、バックライト、液晶パネル、表示装置、表示装置の製造方法、表示装置の駆動方法および液晶表示装置 |
KR101274068B1 (ko) * | 2010-05-25 | 2013-06-12 | 서울대학교산학협력단 | 양자점 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이 |
US9181630B2 (en) * | 2010-07-14 | 2015-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for disposing fine objects, apparatus for arranging fine objects, illuminating apparatus and display apparatus |
TWI478319B (zh) * | 2010-07-20 | 2015-03-21 | Epistar Corp | 整合式發光裝置及其製造方法 |
KR20130093115A (ko) * | 2010-09-01 | 2013-08-21 | 샤프 가부시키가이샤 | 발광 소자 및 그 제조 방법, 발광 장치의 제조 방법, 조명 장치, 백라이트, 표시 장치 및 다이오드 |
US8389348B2 (en) * | 2010-09-14 | 2013-03-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mechanism of forming SiC crystalline on Si substrates to allow integration of GaN and Si electronics |
KR101709959B1 (ko) * | 2010-11-17 | 2017-02-27 | 삼성전자주식회사 | 범프 구조물, 이를 갖는 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
US9281388B2 (en) * | 2011-07-15 | 2016-03-08 | Infineon Technologies Americas Corp. | Composite semiconductor device with a SOI substrate having an integrated diode |
US8703587B2 (en) * | 2011-07-15 | 2014-04-22 | Technische Universitaet Braunschweig Carolo-Wilhelmina | Method of manufacturing of a semi-conductor element and semi-conductor element |
US9087812B2 (en) * | 2011-07-15 | 2015-07-21 | International Rectifier Corporation | Composite semiconductor device with integrated diode |
US8350251B1 (en) * | 2011-09-26 | 2013-01-08 | Glo Ab | Nanowire sized opto-electronic structure and method for manufacturing the same |
KR101269053B1 (ko) * | 2011-11-09 | 2013-06-04 | 삼성전자주식회사 | 나노 로드 발광 소자 및 그 제조 방법 |
KR101347896B1 (ko) * | 2012-06-26 | 2014-01-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 퀀텀 로드 발광 표시장치 |
KR101383551B1 (ko) * | 2012-07-16 | 2014-04-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 퀀텀 로드 발광 표시장치 |
-
2012
- 2012-10-04 DE DE102012109460.8A patent/DE102012109460B4/de active Active
-
2013
- 2013-09-30 CN CN201380052303.1A patent/CN104704634B/zh active Active
- 2013-09-30 JP JP2015534972A patent/JP6262745B2/ja active Active
- 2013-09-30 US US14/433,379 patent/US9859330B2/en active Active
- 2013-09-30 WO PCT/EP2013/070352 patent/WO2014053445A1/de active Application Filing
-
2017
- 2017-11-27 US US15/823,431 patent/US10770506B2/en active Active
- 2017-12-14 JP JP2017239765A patent/JP2018097367A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100117997A1 (en) * | 2007-03-08 | 2010-05-13 | Haase Michael A | Array of luminescent elements |
DE102010012711A1 (de) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements |
Cited By (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112014005960B4 (de) * | 2013-12-20 | 2020-01-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Adaptiver Scheinwerfer für ein Kraftfahrzeug mit optoelektronischen Halbleiterbauteilen |
DE102013114691A1 (de) | 2013-12-20 | 2015-06-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und adaptiver Scheinwerfer für ein Kraftfahrzeug |
US9964270B2 (en) | 2013-12-20 | 2018-05-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component and adaptive headlight for a motor vehicle |
US9698316B2 (en) | 2014-01-20 | 2017-07-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing a laterally structured phosphor layer and optoelectronic component comprising such a phosphor layer |
DE102014100542A1 (de) | 2014-01-20 | 2015-07-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer lateral strukturierten Schicht und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer solchen Schicht |
DE102014105734A1 (de) | 2014-04-23 | 2015-10-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils |
DE102015104144A1 (de) * | 2015-03-19 | 2016-09-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterkörpers |
WO2017046107A1 (fr) * | 2015-09-14 | 2017-03-23 | Valeo Vision | Source lumineuse led comprenant un circuit electronique |
US10290617B2 (en) | 2015-09-14 | 2019-05-14 | Valeo Vision | LED light source comprising an electronic circuit |
FR3041148A1 (fr) * | 2015-09-14 | 2017-03-17 | Valeo Vision | Source lumineuse led comprenant un circuit electronique |
WO2018077957A1 (de) * | 2016-10-25 | 2018-05-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen und optoelektronisches halbleiterbauteil |
US11557700B2 (en) | 2016-10-25 | 2023-01-17 | Osram Oled Gmbh | Method of producing optoelectronic semiconductor components and an optoelectronic semiconductor component |
US11018283B2 (en) | 2016-10-25 | 2021-05-25 | Osram Oled Gmbh | Method of producing optoelectronic semiconductor components and an optoelectronic semiconductor component |
US11476398B2 (en) | 2017-06-21 | 2022-10-18 | Osram Oled Gmbh | Semiconductor display, optoelectronic semiconductor component and method for the production thereof |
CN110870074B (zh) * | 2017-06-21 | 2023-05-23 | 欧司朗Oled有限责任公司 | 半导体显示器、光电子半导体构件和其制造方法 |
WO2018234160A1 (de) * | 2017-06-21 | 2018-12-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterdisplay, optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung solcher |
CN110870074A (zh) * | 2017-06-21 | 2020-03-06 | 欧司朗Oled有限责任公司 | 半导体显示器、光电子半导体构件和其制造方法 |
KR20220132051A (ko) * | 2017-12-20 | 2022-09-29 | 루미레즈 엘엘씨 | Led 어레이 및 그 형성 방법 |
WO2019126539A1 (en) * | 2017-12-20 | 2019-06-27 | Lumileds Llc | Led array and method of forming thereof |
US11961875B2 (en) | 2017-12-20 | 2024-04-16 | Lumileds Llc | Monolithic segmented LED array architecture with islanded epitaxial growth |
KR102586713B1 (ko) | 2017-12-20 | 2023-10-11 | 루미레즈 엘엘씨 | Led 어레이 및 그 형성 방법 |
WO2019175168A1 (de) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Multipixelchip und verfahren zur herstellung eines multipixelchips |
DE102019100521A1 (de) * | 2019-01-10 | 2020-07-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils und optoelektronisches bauteil |
US11848402B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-12-19 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices with multilayer composite film including current spreading layer |
US11735695B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-08-22 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices with current spreading layer |
US11784286B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-10-10 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices with defined hard mask opening |
US11942507B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-03-26 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices |
US11569415B2 (en) | 2020-03-11 | 2023-01-31 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices with defined hard mask opening |
US11777061B2 (en) | 2020-10-29 | 2023-10-03 | Lumileds Llc | Light emitting diode device with tunable emission |
US11626538B2 (en) | 2020-10-29 | 2023-04-11 | Lumileds Llc | Light emitting diode device with tunable emission |
US11901491B2 (en) | 2020-10-29 | 2024-02-13 | Lumileds Llc | Light emitting diode devices |
US11705534B2 (en) | 2020-12-01 | 2023-07-18 | Lumileds Llc | Methods of making flip chip micro light emitting diodes |
US11955583B2 (en) | 2020-12-01 | 2024-04-09 | Lumileds Llc | Flip chip micro light emitting diodes |
US11600656B2 (en) | 2020-12-14 | 2023-03-07 | Lumileds Llc | Light emitting diode device |
US11923402B2 (en) | 2020-12-14 | 2024-03-05 | Lumileds Llc | Light emitting diode device |
US11935987B2 (en) | 2021-11-03 | 2024-03-19 | Lumileds Llc | Light emitting diode arrays with a light-emitting pixel area |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102012109460B4 (de) | 2024-03-07 |
US9859330B2 (en) | 2018-01-02 |
CN104704634A (zh) | 2015-06-10 |
JP6262745B2 (ja) | 2018-01-17 |
CN104704634B (zh) | 2018-09-11 |
US10770506B2 (en) | 2020-09-08 |
JP2016502123A (ja) | 2016-01-21 |
WO2014053445A1 (de) | 2014-04-10 |
US20150279902A1 (en) | 2015-10-01 |
JP2018097367A (ja) | 2018-06-21 |
US20180090540A1 (en) | 2018-03-29 |
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