CN104704634A - 用于制造发光二极管显示器的方法和发光二极管显示器 - Google Patents

用于制造发光二极管显示器的方法和发光二极管显示器 Download PDF

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Abstract

在至少一个实施方式中，方法设立用于制造发光二极管显示器(1)。所述方法包括下述步骤：·A)提供生长衬底(2)，·B)将缓冲层(4)间接地或者直接地施加到衬底上侧(20)上，·C)在缓冲层(4)处或在缓冲层上产生多个分开的生长点(45)，·D)从生长点(45)起产生各个辐射活性的岛(5)，其中岛(5)分别包括具有至少一个有源区(55)的无机的半导体层序列(50)，并且在衬底上侧(20)的俯视图中观察，岛(5)的平均直径在50nm和20μm之间，其中包括边界值，以及·E)将岛(5)与晶体管(6)互联以用于电控制所述岛(5)。

Description

用于制造发光二极管显示器的方法和发光二极管显示器
技术领域
提出一种用于制造发光二极管显示器的方法。此外，提出一种发光二极管显示器。
发明内容
待实现的目的在于：提出一种方法，借助于所述方法可制造高质量的微像素化的发光二极管显示器。
此外，该目的通过具有独立权利要求的特征的方法和发光二极管显示器实现。优选的改进方案是从属权利要求的主题。
根据至少一个实施方式，提出一种用于制造发光二极管显示器的方法。发光二极管显示器能够表示：在运行时由显示器所发射的辐射完全地或大部分地借助于发光二极管、简称LED产生。发光二极管显示器能够是有源矩阵显示器。可行的是，发光二极管显示器不具有液晶矩阵。
根据至少一个实施方式，所述方法包括提供生长衬底的步骤。生长衬底具有衬底上侧。生长衬底例如是蓝宝石衬底或者硅衬底。
根据至少一个实施方式，所述方法包括将一个或多个缓冲层间接或者直接施加到衬底上侧上的步骤。至少一个缓冲层能够与衬底上侧直接接触或者通过一个或多个中间层与衬底上侧隔开。
根据至少一个实施方式，所述方法具有产生多个分开的生长点的步骤。生长点在缓冲层处、在其中和/或在其上产生。生长点例如是缓冲层的特定的、局部的区域。
根据至少一个实施方式，所述方法具有产生各个辐射活性的岛的步骤。岛从生长点起产生，例如借助于外延生长来产生。
根据至少一个实施方式，岛分别包括无机的半导体层序列或者由这样的半导体层序列构成。岛的半导体层序列包含用于在发光二极管显示器运行时产生辐射的一个或多个有源区。有源区能够是单量子阱结构或者是多量子阱结构或者是pn结。
半导体层序列优选基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料例如是氮化物化合物半导体材料、如AlnIn1-n-mGamN或者是磷化物化合物半导体材料如AlnIn1-n-mGamP或者还是砷化物化合物半导体材料如AlnIn1-n-mGamAs，其中分别地0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。在此，半导体层序列能够具有掺杂材料以及附加的组成部分。然而出于简单起见仅说明半导体层序列的晶格的主要组成部分、即Al、As、Ga、In、N或者P，即使这些组成部分能够部分地通过少量其它物质取代和/或补充时也如此。
根据至少一个实施方式，在衬底上侧的俯视图中观察，岛具有至少50nm的或者至少200nm的或者至少500nm的或者至少0.5μm的或者至少10μm的平均直径。替选地或者附加地，岛的平均直径为至多20μm或者至多5μm或者至多2μm。可行的是，岛具有>1的或者>2的或者>5的长宽比、即平均高度和平均直径的商。长宽比例如能够<25或者<20或者<15。
根据至少一个实施方式，所述方法具有将岛与晶体管互连的步骤。经由晶体管，岛可单独地或者成组地电控制。在此，恰好一个岛或者还有多个电并联的岛能够分别与恰好一个晶体管导电连接。换句话说，发光二极管显示器因此是所谓的微像素化的显示器，其中各个岛形成微像素。
在至少一个实施方式中，所述方法设立用于制造发光二极管显示器。所述方法至少包括下述步骤：
A)提供具有衬底上侧的生长衬底；
B)将至少一个缓冲层直接或者间接施加到衬底上侧上；
C)在缓冲层上或缓冲层处产生多个分开的生长点；
D)从生长点起产生各个辐射活性的岛，其中所述岛分别包括具有至少一个有源区的无机的半导体层序列，并且在衬底上侧的俯视图中观察，岛的平均直径在50nm和20μm之间，其中包括边界值；以及
E)将岛与晶体管互联以用于电控制岛。
所述方法步骤优选以所给出的顺序实施。不同的顺序只要在技术上是可执行的，同样是可行的。
在制造基于发光二极管的微像素化的显示器时，在传统的生产方法途径中、即在将面状地施加的外延层分段时，出现在低缺陷的结构化方面大的挑战。这类生产方法途径也称为自上而下法。如果此外应实现具有有源矩阵电路的显示器，那么也必须施加具有必要的晶体管元件的载体，所述晶体管元件目标精确地调节为发光面、尤其是通过微像素形成。
半导体层序列朝向微像素化的显示器的结构化例如通过干化学法来进行。通常，具有分段的半导体层序列和微像素的载体在倒装芯片法中与具有驱动电路的晶片连接。
所描述的发光二极管显示器此外基于如下思想：将在微米范围中或者在纳米范围中以结构化的方式沉积在生长衬底上的外延结构用于微显示器。相应的制造也称为自下而上法。优选地，在此外延的生长岛相应于恰好一个之后的发光像素。然而也可行的是，较小的岛组合为发光像素。附加地，在这样的方法中存在如下可行性：直接在相同的衬底上执行外延生长，所述衬底也在之前或者之后设有驱动晶体管。由此，能够省去具有微像素的载体和具有驱动电路的载体之间的接合过程。此外，能够省去具有有源区的半导体层序列在外延之后的结构化。也就是说，分段为微像素已经通过生长预设。由此尤其是可实现高的材料质量从而可实现抑制因蚀刻损伤引起的漏电流。
通过岛的有针对性的、三维的生长，可避免因结构化工艺、如蚀刻引起的有源区的损伤。因静电放电、小电流问题和/或分流引起的可能损坏的风险就此能够被最小化。
在辐射活性的面处因结构化引起的损失能够通过岛的芯-壳结构、英语core-shell结构来补偿。在长宽比高的情况下，相对于平坦的自上而下法，在有源面处的增益甚至是可行的。由此，在同时获得光密度的情况下通过降低电流密度提高效率也是可行的。
在晶体管控制逻辑集成在生产衬底中的情况下，在接下来的步骤中不需要精确的、准确调节的接合。呈所谓的纳米棒形式的相对薄的岛的生长此外允许材料质量的改进，因为位错在接近的表面处弯曲，而不是遍布整个外延生长的层厚度。
通过以各个竖立的、三维的、呈纳米结构或者微米结构形式的岛的生长来替代闭合的二维的层的生长，此外能够降低或者减少应力，所述应力在使用具有不同的晶格常数和/或膨胀系数的材料时出现。这也减小了在生长时晶片和/或生长衬底的弯曲，并且能够特别是在接合到其它材料或者晶体上时简化工艺。此外，能够使用更大的衬底或者杂质衬底用于生长。
根据所述方法的至少一个实施方式，晶体管在生长衬底中产生。这例如通过掺杂生长衬底的特定的子区域进行。特别地，晶体管作为场效应晶体管、简称FET或者作为pnp晶体管在生长衬底中产生。
根据至少一个实施方式，产生晶体管的步骤部分地或者完全地跟随步骤D)之后。但是特别地，关于例如因在晶体管的p阱和n阱中的生长期间引起的扩散而产生的热负荷方面，能够替选地在步骤D)之前执行用于制造晶体管的一些或者所有的工艺步骤。
根据所述方法的至少一个实施方式，在步骤E)中将载体衬底安置在岛的背离生长衬底的一侧上。载体衬底因此优选是机械稳定并且机械承载发光二极管显示器的部件。载体衬底例如是硅衬底。
根据至少一个实施方式，所述方法包括移除生长衬底的步骤。特别地，在安置载体衬底之后移除生长衬底。如果生长衬底包括晶体管，那么生产衬底优选保留在已制成的发光二极管显示器上。
根据至少一个实施方式，用于控制岛的晶体管由载体衬底包围。优选地，在将载体衬底固定在岛上之前，在载体衬底中制成晶体管。
根据所述方法的至少一个实施方式，将缓冲层作为二维的、非结构化的层施加。也就是说，缓冲层以恒定的厚度在不具有有针对性的厚度变化或者材料改变的情况下产生。
根据至少一个实施方式，将由电绝缘材料或者由导电材料构成的掩模层施加到缓冲层上。掩模层具有多个开口并且优选在步骤D)之前沉积。岛从掩模层中的开口起在缓冲层上生长。掩模层的材料例如是氧化硅或者氮化硅。
根据至少一个实施方式，掩模层保留在制成的发光二极管显示器中。也就是说，掩模层不后续地例如通过蚀刻移除。特别地，掩模层在步骤D)之后其厚度或者几何形状不再改变或者不再显著改变。
根据所述方法的至少一个实施方式，岛生长为，使得所述岛突出于掩模层。参照衬底上侧，岛的高度因此大于掩模层的厚度。岛的高度超出掩模层的厚度例如至少因数10或者至少因数100或者至少因数1000。
根据至少一个实施方式，在缓冲层和生长衬底之间存在中间层。中间层例如由金属氮化物、如氮化铝或者氮化铪形成。特别地，通过中间层可防止缓冲层中的镓与生长衬底的材料、尤其是与硅接触。
根据至少一个实施方式，生长岛通过缓冲层的结构化产生。缓冲层的结构化优选通过缓冲层的材料的材料移除进行。
根据至少一个实施方式，借助于掩模工艺执行缓冲层的结构化。例如部分地或者完全地移除不由掩模覆盖的区域中的缓冲层的材料。在此可行的是，缓冲层作为连续的层保留，使得例如围绕生长岛减小缓冲层的厚度，然而厚度大于零。
根据至少一个实施方式，在沉积用于生长岛的掩模层之前进行缓冲层的结构化。例如将由氧化硅构成的电绝缘层施加到在生长岛的外部的结构化的缓冲层上，其中该层随后能够形成掩模层并且例如部分地或者完全地覆盖生长岛的侧面。
根据至少一个实施方式，将第一缓冲层、尤其是由过渡金属的或者稀土金属的氧化物或者氮化物构成的第一缓冲层直接施加到生长衬底上。第一缓冲层例如由氮化铪构成。此外，优选在步骤C)之前将与第一缓冲层不同的第二缓冲层施加到第一缓冲层上。第二缓冲层基于GaN或AlGaN或者优选由其构成。岛和半导体层序列因此优选基于AlInGaN。
根据至少一个实施方式，其中生长衬底优选包括晶体管，第一缓冲层尤其是直接随布拉格镜之后。布拉格镜能够外延地生长。布拉格镜是例如由稀土氧化物、稀土氮化物、III-V族化合物和/或III族氮化物化合物构成的多层序列。
根据至少一个实施方式，相邻的岛之间的区域在步骤D)之后完全地或者部分地通过填料填充。填料能够接触岛或者通过中间层与岛隔开。优选地，填料相对于岛凹陷地构成并且形状配合地模制到岛上。
根据至少一个实施方式，填料设立用于调节或者降低相邻的岛之间的光学耦合。对此，填料例如能够形成为是辐射不可透过的、减少辐射的、吸收辐射的、辐射可透过的或者散射光的。同样地，将光学活性的材料、如发光材料、散射颗粒或者反射性的颗粒嵌入到填料中或者填料的子区域中。
根据至少一个实施方式，填料仅部分地填充相邻的岛之间的区域。特别地，填料因此以岛的方式围绕岛设置。可行的是，填料一件式地构成或者通过多个分开的区域构成，其中分开的区域中的每一个随后优选与岛中的恰好一个岛相关联。在相邻的填料之间的区域中能够引入另一个填充部，所述填充部例如设计为是反射性的。
根据至少一个实施方式，在步骤E)中在生长衬底的背离岛的一侧上在生长衬底中产生晶体管。该步骤能够跟随步骤D)之后或者至少部分地优先于步骤D)。
根据至少一个实施方式，在生长衬底和/或衬底上侧的俯视图中来观察，岛和晶体管重叠。由此可实现晶体管和岛相对于彼此尤其节省空间的设置。
根据至少一个实施方式，缓冲层或者岛在步骤E)中局部地露出，更确切地说从生长衬底的背离岛的一侧起露出。穿过生长衬底能够进行到岛和/或缓冲层上的穿通接触。优选地，缓冲层的和/或岛的露出的部位设有一个或多个金属化部。
根据至少一个实施方式，缓冲层在背离载体衬底的一侧上设有结构化部。这优选在步骤E)之后进行。缓冲层的结构化部能够设置用于相邻的岛之间的光学脱耦。结构化部例如局部较深地构成或者仅安置在特定的区域上、例如与岛重合。替选于或者附加于缓冲层，岛的n型传导的层也能够设有结构化部。
此外，提出一种发光二极管显示器。发光二极管显示器尤其是通过如结合上述实施方式中的一个或多个所描述的方法制造。所述方法的特征因此也针对发光二极管显示器公开并且反之亦然。
在至少一个实施方式中，发光二极管显示器包含具有多个晶体管的载体和多个单独的辐射活性的岛。岛分别具有无机的半导体层序列，所述半导体层序列具有一个或多个有源区。岛的平均直径，在载体的俯视图中来观察，在50nm和20μm之间，其中包括边界值。岛与晶体管电互接。
根据至少一个实施方式，岛的半导体层序列的平均高度和/或岛的平均高度，关于缓冲层或者载体的朝向岛的一侧，为至少0.2μm或者至少2μm。替选地或者附加地，该平均高度为至多25μm或者至多6μm。
根据发光二极管显示器的至少一个实施方式，岛中的恰好一个与晶体管中的每一个相关联。可行的是，岛的数量等于或者近似等于晶体管的数量。
根据至少一个实施方式，发光二极管显示器的像点由岛形成。像点，英语是pixel，例如恰好通过岛中的一个成形。替选于此，可行的是，多个岛形成一个像点。多个岛因此优选设立用于放射在不同的光谱范围中的光，例如用于放射红光、绿光和蓝光。
附图说明
接下来参考附图根据实施例详细阐述在此所描述的方法和在此所描述的发光二极管显示器。相同的附图标记在此说明各个附图中的相同的元件。然而在此不示出按比例的关系，更确切地说，为了更好的理解能够夸张大地示出各个元件。
附图示出：
图1、2、4和5示出用于制造在此所描述的发光二极管显示器的在此所描述的方法的实施例的示意剖视图；和
图3示出在此所描述的发光二极管显示器的实施例的示意剖视图。
具体实施方式
在图1中以剖视图图解说明用于制造发光二极管显示器1的方法。根据图1A，提供具有衬底上侧20的生长衬底2、例如蓝宝石衬底。将缓冲层4、尤其是由n型掺杂的GaN构成的缓冲层施加到蓝宝石衬底上。缓冲层4的厚度例如为至少200nm和/或至多6μm。在连续的、二维的缓冲层4的背离衬底上侧20的一侧上存在掩模层7。在掩模层7中形成多个开口。掩模层7例如由二氧化硅、氮化硅、钛或者钼形成。掩模层7中的露出缓冲层4的开口是生长点45。
在图1B中示出，从生长点45起，将n型传导的层51生长到缓冲层4上。n型传导的层51例如柱状地、棱柱状地或者截锥状地形成，并且在衬底上侧20的俯视图中观察能够具有圆形的或者多边形的、尤其是六边形的或者方形的轮廓。可行的是，n型传导的层51的平均直径超出n型传导的层51的平均厚度或者相反。n型传导的层51优选由n型掺杂的GaN形成。n型传导的层51沿着远离生长衬底2的方向突出于掩模层7。
如在图1C中可见，在侧表面58上并且在n型传导的层51的背离生长衬底2的上侧56上生长有有源区55。见图1D，p型传导的层53又生长到有源区55上。p型传导的、优选基于p型掺杂的GaN的层53以及有源区55是用于形成芯的n型传导的层51的壳。
层51、53以及有源区55是半导体层序列50的部分。半导体层序列50形成各一个岛5，所述岛由于有源区55而是辐射活性的。相邻的岛5经由缓冲层4在根据图1D的方法步骤中彼此连接。
在图1E中示出，岛5由填料8遮盖。填料8是电绝缘材料。填料8能够构成为是辐射可透过的或者辐射不可透过的和/或由不同的层的组合构成，所述不同的层由辐射可透过的、辐射不可透过的或者散射辐射的材料构成。填料8完全地填充相邻的岛5之间的区域，并且填料8与岛5直接接触并且形状配合地围绕岛5。
接下来，平坦化填料8并且在与生长衬底2相对置的一侧上形成填料8的上侧80，参见图1F。填料8例如包括下述材料中的一种或多种或者由其构成：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、AlOx、AlN、TaO、TiO、硅、苯并环丁烯、氢倍半硅氧烷或者英语是hydrogen silsesquioxane、聚对二甲苯、旋涂玻璃、硅酮、聚合物。
如在图1G中可见，填料8在岛5的上侧56上部分地移除并且p型接触部61模制到p型传导的层53上。p型接触部61优选是一个或多个金属化部。此外，p型接触部61优选构成为是反射性的并且为了该目的能够包含银层或者铝层。此外，p型接触部61能够构成为钎焊接触部位。不同于所示出而可行的是，p型接触部61与填料8的上侧80齐平或者填料8突出于p型接触部61。
在图1H中示出，在上侧80上安置有载体衬底9。载体衬底9包括多个晶体管6，这示意性地表示。晶体管6中的每个与岛5中的一个相关联并且与p型接触部61导电连接。示意性地示出的晶体管6也能够由多个晶体管6的互连组成，所述多个晶体管尤其是适合于根据电压信号给p型接触部61供给电流从而给岛5供给电流。载体衬底9能够通过钎焊、粘接、摩擦熔焊或者通过直接接合机械地、电地和/或热力学地与p型接触部61连接。
载体衬底9优选是硅衬底，晶体管6单片式地集成到所述硅衬底中。与所示出不同地，可行的是，在填充部8和载体衬底9之间至少在没有p型接触部61的区域中存在中间层。这样的中间层能够构成为镜。
根据图1I，生长衬底2被移除并且缓冲层4在与载体衬底9相对置的一侧上被露出。
制成的发光二极管显示器1在图1J中可见。发光二极管显示器的其它部件、如用于外部电接触的连接点、保护层、信号线路、用于信号处理的构件如移位寄存器、防止因静电放电引起的损伤的保护装置、封装部或者壳体为了简化视图相应地未示出。在相邻的岛5之间不存在由能导电的或者高传导性的层构成的连续的连接部，使得在相邻的岛5之间不出现漏电流或贯穿电流或者不出现显著的漏电流或贯穿电流。
可选地，缓冲层4设有结构化部。结构化部例如是粗糙部，所述粗糙部能够借助于KOH蚀刻产生。可行的是，经由缓冲层4实现岛5的n型接触部62。替选于此，可行的是，将另一个导电的并且优选可透过辐射的未示出的层施加到缓冲层4上。
此外可选地可行的是，如也在所有其它的实施例中那样，未示出的波长转换介质与岛5或者岛5中的一部分相关联，所述波长转换介质能够位于填料8中或者缓冲层4的背离载体9的一侧上。经由这样的波长转换介质可行的是，部分地或者完全地将在有源区55中产生的初级辐射转换为波长与其不同的辐射。替选于波长转换介质，不同的岛5的有源区55也能够设立用于放射不同的波长。
进一步可选地，液晶掩模能够设置在岛5下游、尤其是在缓冲层4的背离载体衬底9的一侧上设置在岛的下游，例如用于滤色。
在图2中图解说明制造方法的另一个实施例。根据图2A，在生长衬底2、例如蓝宝石衬底上生长有缓冲层4。如果生长衬底2例如是硅衬底，那么优选在由n型掺杂的GaN构成的缓冲层4和生长衬底2之间存在另一个层、尤其是由AlN构成的层。
如在图2B中可见，在缓冲层4的背离生长衬底2的一侧上施加掩模层7、例如由光刻胶构成的掩模层。缓冲层4的由掩模层7遮盖的区域优选岛状地形成并且在俯视图中观察能够圆形地或者多边形地形成。
根据图2C，缓冲层4通过部分的材料移除来结构化、例如通过干化学蚀刻来结构化。由此在由掩模层7遮盖的区域中产生生长点45。
接下来，参见图2D，掩模层7被移除并且露出生长点45。可选地，在缓冲层4上并且在生长点45的侧表面处施加钝化层75。钝化层75例如由氧化硅或者氮化硅形成并且能够具有在10nm和200nm之间的厚度，其中包括边界值。
在图2E中示出，半导体层序列50施加到生长点45上从而施加到缓冲层4的未由钝化层75遮盖的区域上。形成岛5的半导体层序列50能够如结合图1所阐述的那样构成。
其它的在图2中未示出的方法步骤能够类似于图1E至1J进行。
在图3中在剖视图中示出光二极管显示器1的其它实施例。根据图3的发光二极管显示器的不同之处尤其是在于填料8和缓冲层4的设计方案。发光二极管显示器1的相应的实施例可类似于根据图1和2的制造方法来制造。
根据图3A，填料8被划分为多个岛状的或者壳状的区域，其中这些岛状的区域中的每一个紧靠岛5中的一个并且不通过填料8的材料与其它的岛状的区域连接。不同于所示出地，填料8的薄的、连续的层能够存在于掩模层7附近。
填料8的相邻的部段之间的区域能够设有反射性的填充部85。经由这样的反射性的填充部85，相邻的岛5可彼此光学隔离。反射性的填充部85能够是金属的填充部。不同于所示出地，反射性的填充部85能够限制在填料8的各个区域的侧面上进而仅不完全地填充相邻的填料8之间的中间空间。
在金属的、反射性的填充部85的区域中也能够移除掩模层7，不同于所示出地，使得反射性的填充部85具有与缓冲层4的电接触从而改进横向导电性。在这种情况下，在俯视图中来观察，反射性的填充部85能够作为连贯的网在载体9上延伸，其中岛5位于该网的网孔中。
根据图3B，相对于掩模层7，p型接触部61在朝向载体衬底9的半空间中柱套状地围绕岛5延伸。p型接触部61优选通过反射性的金属形成。
不同于所示出地，填料8以及p型接触部61的相应的设计方案，如结合图3A和3B所示出的那样，也能够存在于图3C和3D中。
在图3C中示出的是，缓冲层被结构化。缓冲层的第一区域4a沿着主放射方向直接设置在岛5下游并且设有用于改进光耦合输出的结构化部。相邻的岛5之间的区域4b部分地彼此隔开。
这例如可通过区域4b中的改型的结构化部实现或者可通过该区域4b中的部分的覆层实现。
根据图3D，缓冲层4的设置在岛5下游的各个区域完全地彼此隔开。此外，这些区域设有能导电的层62、例如由透明导电氧化物、如铟锡氧化物构成的层。经由层62可实现n型接触。在所有其它的实施例中也能够存在相应的能导电的层。
在根据图1和2的方法中，具有晶体管6的载体衬底9后续地接合到岛5上。在根据图4和5的方法中，晶体管6集成到生长衬底2中。
根据图4A，在生长衬底2、优选硅衬底上沉积有缓冲层3、例如由HfN构成的缓冲层。接下来可选地，将蚀刻停止层34施加到该缓冲层3上。
在图4B中可见，缓冲层3以及蚀刻停止层34被结构化。局部地将缓冲层3从生长衬底2完全地移除。如果缓冲层3是电绝缘层，那么可选地能够放弃缓冲层3的结构化。
根据图4C，局部地将掩模层7施加到蚀刻停止层34上。掩模层7在此局部地与生长衬底2直接接触。蚀刻停止层34局部地位于缓冲层3和掩模层7之间。缓冲层7的不由可选的蚀刻停止层34以及掩模层7遮盖的区域形成生长点45。
从生长点45起生长形成岛5的半导体层序列50，如在图4D中所示出的那样。
紧接着，参见图4E，在岛5之间施加填料8。填料8在此优选完全地遮盖岛5，使得岛5形状配合地嵌入到填料8中。
在生长衬底2的背离岛5的一侧上，根据图4F，产生晶体管6，所述晶体管例如是所谓的pnp晶体管。对此，由掺杂的区域构成的更大的阱68形成到生长衬底2中。两个相反掺杂的、较小的区域66形成到该更大的阱68中，在所述区域之间存在栅极67。较小的区域66设置用于源极和漏极。
不同于在图4F中所示出，未示出的辅助载体能够位于填料8的背离生长衬底2的一侧上。不同于所示出的方法步骤的顺序，在图4A至4E的方法步骤之前就已经能够至少产生区域66、67、68的一部分。
在如在图4G中所示出的方法步骤中，用于通孔的开口25形成到生长衬底2中。例如经由干式蚀刻产生的通孔伸展直至到岛5上并且能够完全地贯穿缓冲层3。特别地，开口25伸展直至到蚀刻停止层34上。开口25的制造例如借助于Bosch工艺和必要时随后的蚀刻可能不能导电的生长层来进行。
在图4H中示出，金属化部65施加到在开口25中的产生的通孔64以及掺杂的区域66以及晶体管6的栅极67上。由此可电接触晶体管6。
在一个可选的、未示出的方法步骤中，能够紧接着在生长衬底2的背离岛5的一侧上形成布线平面和保护层。
根据图4I，填料8被部分地移除，使得岛5的p型传导的层53被露出。与所示出不同地，余留的填料8能够沿着远离生长衬底2的方向与p型传导的层53齐平，使得构成平坦的、平面的上侧80。
制成的发光二极管显示器1在图4J中示出。电极69在背离生长衬底2的一侧上施加到岛5上。电极69优选是可透过辐射的并且例如由铟锡氧化物形成。电极69，如在所有其它的实施例中那样，能够是连续的层，并且岛5的个体化的控制经由在生长衬底2或者载体衬底9的背离岛5的一侧上的用于晶体管6的布线平面实现。填料8和电极69的背离生长衬底2的一侧能够如结合图3所描述的那样构成。
在图5中示起光二极管显示器1的另一个制造方法，其中晶体管6集成到生长衬底2中。在图5A中示出的是，第一缓冲层3、例如由HfN构成的第一缓冲层形成到生长衬底2上。
第二缓冲层4、例如由n型掺杂的GaN构成的第二缓冲层施加到第一缓冲层3上，见图5B。缓冲层3、4，如也在所有其它的实施例中那样，分别由一个唯一的层形成或者由层堆形成。
缓冲层3、4局部部分地或者完全地被移除，使得生长衬底2局部地被露出，见图5C。缓冲层3、4的余留的区域因此是生长点45。可选地，能够将钝化层75施加到生长衬底2的露出的部位上以及至少局部地或者完全地施加到缓冲层4的侧表面上，其中生长点45保持露出或者后续地从钝化层75再次露出。
根据图5D，产生半导体层序列50从而产生岛5，类似于图2G。其它的方法步骤能够根据图4E至4I进行。
所产生的发光二极管显示器1在图5E中示出。不同于在图4J中所示出的，通孔54伸展直至进入岛5的第二缓冲层4中并且完全地贯穿第一缓冲层3。由此对于第一缓冲层3而言能够使用带宽更大的材料。同样不同于图4J的是，在横截面中来观察，钝化层75U形地构成。
在此所描述的本发明不通过根据实施例的描述而受到限制。更确切地说，本发明包括每个新的特征以及特征的每个组合，这尤其是包含在权利要求中的特征的每个组合，即使该特征或者该组合本身未详细地在权利要求中或者实施例中说明时也是如此。
本专利申请要求德国专利申请10 2012 109 460.8的优先权，所述德国专利申请的公开内容就此通过参考并入本文。

Claims (17)

1.一种用于制造发光二极管显示器(1)的方法，所述方法具有下述步骤：
A)提供具有衬底上侧(20)的生长衬底(2)；
B)将至少一个缓冲层(3，4)间接地或者直接地施加到所述衬底上侧(20)上；
C)在所述缓冲层(3，4)处或在所述缓冲层上产生多个分开的生长点(45)；
D)从所述生长点(45)起产生各个辐射活性的岛(5)，其中所述岛(5)分别包括具有至少一个有源区(55)的无机的半导体层序列(50)，并且在所述衬底上侧(20)的俯视图中观察，所述岛(5)的平均直径在50nm和20μm之间，其中包括边界值；以及
E)将所述岛(5)与所述晶体管(6)互联以用于电控制所述岛(5)。
2.根据上一项权利要求所述的方法，
其中在所述生长衬底(2)中产生所述晶体管(6)。
3.根据上一项权利要求所述的方法，
其中产生所述晶体管(6)至少部分地跟随步骤D)之后。
4.根据权利要求1所述的方法，
其中在步骤E)中将载体衬底(9)安置在所述岛(5)的背离所述生长衬底(2)的一侧上并且接下来移除所述生长衬底(2)，
其中所述晶体管(6)由所述载体衬底(9)包围。
5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中将缓冲层(4)作为二维的、非结构化的层施加，
其中在步骤D)之前将由电绝缘材料构成的具有多个开口的掩模层(7)沉积在所述缓冲层(4)上，并且所述掩模层(7)保留在制成的所述发光二极管显示器(1)中并且所述岛(5)突出于所述掩模层。
6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中通过所述缓冲层(4)的结构化产生生长岛(45)，其中所述结构化通过掩模技术并且通过部分的材料去除进行，并且
其中所述结构化在沉积所述掩模层(7)的步骤之前进行。
7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中
-所述生长衬底(2)是硅衬底，
-将具有过渡金属的或者稀土金属的氧化物或者氮化物的第一缓冲层(3)直接施加在所述生长衬底(2)上，
-在步骤C)之前将与所述第一缓冲层不同的、基于GaN或者基于AlGaN的第二缓冲层(4)直接施加到所述第一缓冲层(3)上，以及
-所述岛(5)和所述半导体层序列(50)基于AlInGaN。
8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中在步骤D)之后用填料(8)完全地或者部分地填充相邻的岛(5)之间的区域，
其中所述填料(8)设立用于减小相邻的岛(5)之间的光学耦合。
9.根据上一项权利要求所述的方法，
其中所述填料(8)仅部分地填充相邻的岛(5)之间的所述区域并且壳状地围绕所述岛(5)设置。
10.根据权利要求8或9所述的方法，
其中给所述填料(7)添加至少一种光学活性的材料、尤其是散射颗粒或者发光材料。
11.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中在步骤E)中在所述生长衬底(2)中在所述生长衬底(2)的背离所述岛(5)的一侧上产生所述晶体管(6)，
其中在所述生长衬底(2)的俯视图中来观察，所述晶体管(6)和分别所属的所述岛(5)重叠。
12.根据上一项权利要求所述的方法，
其中所述缓冲层(4)在步骤E)中从所述生长衬底(2)的背离所述岛(5)的一侧起局部地露出并且设有金属化部(64，66)。
13.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中所述缓冲层(4)在背离所述载体衬底(9)的一侧上设有用于降低相邻的岛(5)之间的光学脱耦的结构化部。
14.一种发光二极管显示器(1)，具有：
-载体(2，9)，所述载体具有多个晶体管(6)；和
-多个单独的、辐射活性的岛(5)，
其中
-所述岛(5)分别包括具有至少一个有源区(55)的无机的半导体层序列(50)，
-在所述载体(2，9)的俯视图中来观察，所述岛(5)的平均直径在50nm和20μm之间，其中包括边界值，
-所述岛(5)的所述半导体层序列(50)的平均高度为至少1.5μm，以及
-所述岛(5)与所述晶体管(6)电互联。
15.根据上一项权利要求所述的发光二极管显示器(1)，
其中所述载体(2)是生长衬底并且所述晶体管(6)在所述生长衬底中构成。
16.根据权利要求14至15中任一项所述的发光二极管显示器(1)，
其中具有所述有源区(55)、n型传导的层(51)和p型传导的层(53)的所述岛(5)具有芯-壳结构。
17.根据权利要求14至15中任一项所述的发光二极管显示器(1)，
其中所述岛(5)中的恰好一个与所述晶体管(6)中的每一个相关联，并且所述发光二极管显示器(1)的像点由所述岛(5)形成，
其中所述岛(5)具有芯-壳结构，使得所述半导体层序列(50)的所述有源区(55)和p型传导的层(53)是用于形成芯的n型传导的层(51)的壳。
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