CN110998879B - 半导体模块、显示装置以及半导体模块的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的半导体模块(1)，具备形成有驱动电路(11a)的基底基板(11)以及与驱动电路(11a)电连接的多个发光元件(15)，相互邻接的发光元件(15)间的距离，在俯视中，为20μm以下。

Description

半导体模块、显示装置以及半导体模块的制造方法
技术领域
本发明关于半导体模块、显示装置以及半导体模块的制造方法。
背景技术
专利文献1及2中，公开了通过从发光元件使生长衬底脱落来制造的半导体模块。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利申请公开第2010/0314605号说明书(2010年12月16日公开)。
专利文献2：美国专利第9，472，714号说明书(2016年10月18日公开)。
发明内容
发明要解决的问题
专利文献1及2所公开的半导体模块中，由于设置有发光元件的基底基板并无支撑以外的功能，所以在发光装置的构成及生长衬底的脱落工序中，未留意到是否对基底基板产生损害。因此，在上述半导体模块中，未考虑到想要使用具有支撑以外的功能的基底基板的情况，而存在有可能对基底基板产生损害的问题。
本发明的一个方式中，其目的在于，在使生长衬底脱落的工序等中，使用具有使发光元件驱动的驱动电路的基底基板，使得对该基底基板的损伤降低。
解决问题的方法
为了解决上述课题，本发明一个方式所涉及的半导体模块，具备形成有驱动电路的基底基板和与所述驱动电路电连接多个发光元件，在俯视中，相互邻接的所述发光元件间的距离为20μm以下。
本发明一个方式所涉及的半导体模块，具备：基底基板，其形成有驱动电路；多个发光元件，其与所述驱动电路电连接；以及半导体层，其在相互邻接的所述发光元件间的空间的与所述基底基板相反侧，在俯视中，遮盖所述空间。
本发明一个方式所涉及的半导体模块，具备基底基板及多个发光元件，所述基底基板形成有驱动电路，所述多个发光元件与所述驱动电路电连接，所述多个发光元件的每一个的与所述基底基板相反侧的表面为凹凸形状。
本发明一个方式所涉及的半导体模块，包含：基底基板，其形成有驱动电路；多个发光元件，其与所述驱动电路电连接；树脂，其被填充于相互邻接的所述发光元件间的槽。
本发明一个方式所涉及的半导体模块，包含：基底基板，其形成有驱动电路；多个发光元件，其与所述驱动电路电连接；遮光性部件或光反射性部件，其在相互邻接的所述发光元件间的槽的所述基底基板侧，在俯视中，遮盖所述槽。
本发明一个方式所涉及的半导体模块的制造方法，包含：从生长于生长衬底上的半导体层形成多个发光元件的工序，以及从所述多个发光元件通过激光照射而使所述生长衬底脱落的工序；形成所述多个发光元件的工序中，包含在所述激光照射时使朝向基底基板的激光通过的、相互邻接的所述发光元件间的距离，形成为在俯视中为0.1μm以上且20μm以下的工序；所述多个发光元件，与形成于所述基底基板的驱动电路电连接。
有益效果
根据本发明的一个方式，达到一种效果，能够在使生长衬底脱落的工序等中，使用具有使发光元件驱动的驱动电路的基底基板，且能够降低对所述基底基板的损伤。
附图说明
图1的(a)是表示本发明的第一实施方式的半导体模块的截面构成的截面图。(b)是表示上述半导体模块的俯视图，(c)是如(b)所示的半导体模块的截面图。
图2是说明半导体模块的制造方法的图。
图3是说明本发明的第一实施方式所涉及的半导体模块的制造方法的流程图。
图4是表示本发明的第二实施方式所涉及的半导体模块的截面构成的截面图。
图5是表示本发明的第三实施方式所涉及的半导体模块的截面构成的截面图。(a)～(e)是表示生长衬底的表面成为凹凸形状的情况的图。
图6是说明本发明的第四实施方式所涉及的半导体模块的制造方法的流程图。
图7是表示本发明的第四实施方式所涉及的半导体模块的截面构成的截面图。(a)是表示在俯视中生长衬底的面积与树脂的面积是相同的构成的图，(b)是表示在俯视中生长衬底的面积小于树脂的面积的构成的图。(c)是表示树脂部分地形成在基底基板侧的构成的图。
图8是表示本发明的第五实施方式所涉及的半导体模块的截面构成的截面图。
图9是表示本发明的第六实施方式所涉及的半导体模块的截面构成的截面图。(a)是表示在树脂上形成有凹凸形状的构成的图，(b)是表示在发光元件及树脂是形成有凹凸形状的构成的图。
图10是表示本发明的第六实施方式所涉及的半导体模块的制造方法的流程图。
图11是表示本发明的第七实施方式所涉及的半导体模块的截面构成的截面图。
图12是表示本发明的第八实施方式所涉及的半导体模块的截面构成的截面图。
图13的(a)是表示本发明的第九实施方式所涉及的半导体模块的截面构成的截面图，(b)是上述半导体模块的俯视图。
图14是说明本发明的第十实施方式所涉及的半导体模块的制造方法的图。
图15是表示本发明的第十实施方式所涉及的半导体模块的制造方法的流程图。
具体实施方式
(第一实施方式)
图1的(a)是表示本发明的第一实施方式的半导体模块1的截面构成的截面图。图1的(b)是表示半导体模块1的俯视图，图1的(c)是如图1的(b)所示的半导体模块1的截面图。图2是说明半导体模块1的制造方法的图。图3是说明本发明的第一实施方式的半导体模块1的制造方法的流程图。
(半导体模块1的构成)
如图2的(g)所示，半导体模块1具备有基底基板11、金属配线12、绝缘层13、电极14、发光元件15以及树脂16。图1的(a)是将图2的(f)简略化了的图，仅示出基底基板11、电极14、发光元件15以及生长衬底18。如图1的(a)所示，在半导体模块1中，在基底基板11上经由经由电极14设置发光元件15。在基底基板11侧，在发光元件15间形成槽20。槽20，是形成在发光元件15之间的空间。另外，在后述的生长衬底18的脱落工序中，在激光照射时激光朝向基底基板11的通过的、相互邻接的发光元件15之间的槽20的宽度，即，相邻的发光元件15的端面间的距离，在俯视中为0.1μm以上且20μm以下。若槽20的宽度为20μm以下，则由于以激光照射而到达基底基板11侧的激光光量变小，因此能够在后述的生长衬底18的脱落工序中，降低对基底基板11、金属配线12、绝缘层13以及电极14的损伤。当槽20的宽度变窄时，相邻的电极14之间及相邻的发光元件15之间的静电容量增加，且当将电压施加在发光元件15时，可能在相邻的电极14之间会产生由耦合噪声(coupling noise)引起的电动势。由此，因阻碍发光元件15的精密地点亮控制、或对发光元件15施加反向电压等，而可能会产生发光元件15的劣化。因此，槽20的宽度优选为为0.1μm以上。另外，在半导体模块1的可靠性这一点上，发光元件15，优选为相对在制造时的初期的发光强度，在点亮1000小时之后维持50％以上的发光强度。为了防止由反向电压引起的发光元件15的劣化，槽20的宽度也优选为0.1μm以上。
例如，半导体模块1，被组装于头戴式显示器或针对眼镜型设备的显示器等的小型显示装置。在显示装置具备的发光装置中，可以仅载置一个半导体模块1，也可以载置多个半导体模块1。在半导体模块1中，在相当于现有的一般的显示装置的各像素的位置，配置有单独的发光元件15。上述显示装置具备有半导体模块1，在后述的第二至第八实施方式中，显示装置也具备有半导体模块1。
如图1的(b)及(c)所示，半导体模块1，可以是发光元件15配置成m×n(m、n为自然数)的格子状的阵列(结构件)，也可以配置成千鸟格子状或其他图案。即，发光元件15的配置形态，没有被特别限定。半导体模块1，通过在形成于基底基板11的驱动电路11a，控制多个发光元件15分别点亮及熄灭，从而在实现高对比度的同时，有助于显示装置中的信息的显示。
在半导体模块1中，优选为缩小各个发光元件15的同时，使基底基板发光元件15以密集的状态配置在基底基板11上的布局。由此，能够提高显示装置的显示画面的分辨率。本技术，为在俯视中，各个发光元件15的纵宽度及横宽度为30μm以下、更优选为可应用于2μm～15μm的产品的技术。
(基底基板11)
基底基板11，能够使用于以至少其表面能与发光元件15连接的方式形成的配线。基底基板11，具有驱动发光元件15的驱动电路11a。另外，基底基板11的材料，优选为整体以氮化铝构成的氮化铝的单结晶或多结晶等的结晶性基板、以及烧结基板。另外，基底基板11的材料，优选为氧化铝等陶瓷、玻璃、或Si等的半金属或金属基板，另外，能够使用在这些表面上形成有氧化铝薄膜层的基板等的层叠体或复合体。由于金属性基板及陶瓷基板的散热性高，因此优选。
例如，在Si上通过集成电路形成技术形成的控制发光元件15的发光的驱动电路11a作为基底基板11使用，由此能够制造使微细的发光元件15密集的高分辨率的显示装置。
(金属配线12)
金属配线12，是至少包含对发光元件15提供控制电压的控制电路的配线。金属配线12的形成中，是通过离子铣削法(ion milling)或蚀刻法等，来进行金属层的图形化。例如，可列举出在Si基板表面上形成由白金薄膜等构成的金属配线12等的例子。进一步地，出于保护金属配线12的目的，也可以在基底基板11的形成有金属配线12侧的表面，形成由SiO2等的薄膜构成的保护膜。
(绝缘层13)
绝缘层13，是通过氧化膜、树脂膜以及树脂层构成的绝缘性的层。绝缘层13，防止基底基板11与电极14直接接触。
(电极14)
电极14，是将金属配线12与设置在发光元件15上的金属端子(未图示)电连接的、作为焊盘电极而发挥作用，也被称为凸点。电极14中的与金属配线12连接的第一部分是基板侧电极141，电极14中的与设置在发光元件15上的金属端子(未图示)连接的第二部分是发光元件侧电极142。例如，基板侧电极141及发光元件侧电极142是由Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr以及Ti的任意一个的金属、以及它们的合金、或它们的组合构成。作为组合的例子，在将基板侧电极141及发光元件侧电极142作为金属电极层而构成的情况下，考虑从下面起W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、W/Pt/Au/Ni、Pt/Au、Ti/Pt/Au、Ti/Rh、或TiW/Au的层叠结构。发光元件侧电极142，与n侧电极及p侧电极形成在相同面侧，且能够成为配置在在与发光元件15的光出射出射面的相反侧的倒装芯片类型(flip chip type)。
电极14在光出射方向中具有台阶的位置。基板侧电极141中的与光出射方向平行的截面的面积，和发光元件侧电极142中的与光出射方向平行的截面的面积不同。在图2的(g)中，基板侧电极141的截面面积，大于发光元件侧电极142的截面面积。此外，基板侧电极141及发光元件侧电极142的最表面优选为Au。
(发光元件15)
发光元件15，可使用公知的发光元件，具体而言可使用半导体发光元件。例如，存在GaAs系、ZnO系、或GaN系的发光元件。在发光元件15中，可以使用发出红色、黄色、绿色、蓝色或紫色的光的LED(Light Emitting Diode：发光二极管)，另外，也可以使用发出紫外光的LED。其中，优选为将可发出从蓝色至紫色的紫外光或从紫色至紫外光的GaN系半导体，而作为发光元件15使用。在图1的(a)中，发光元件15从上面出射光。发光元件15的上面为光出射面。发光元件15经由电极14，与形成在基底基板11的驱动电路11a电连接。在发光元件15上，通过涂布荧光物质，能够示出存在于可见光区域的各种发光色，所述荧光物质通过被照射光而示出与发光元件15的发光色不同的发光色。因此，可发出能够效率良好地激发的短波长的光。另外，也在具有发光效率高、寿命长、可靠性高等的特征的这一点上，GaN系半导体优选为作为发光元件15。
作为发光元件15的半导体层，氮化物半导体在为可见光域的短波长区域、靠近紫外线区域、或较这些更短波长区域的这一点，适合使用在使这一点与波长转换部件(荧光体)组合的半导体模块1中。另外，不限定于此，也可以为ZnSe系、InGaAs系、AlInGaP系等的半导体。
半导体层所涉及的发光元件结构，虽然输出效率上优选为在第一导电型(n型)层、第二导电型(p型)层之间具有活性层的结构，但不限定于此。另外，可以在各导电型层的，一部分设置绝缘、半绝缘性以及反向导电型结构，另外也可以是将它们相对于第一、二导电型层而附加性地设置的结构。也可以附加性地具有另外的电路结构，例如保护元件结构。
在本实施方式中，如后述通过激光的照射等使生长衬底18脱落。将半导体模块1适用于显示装置，且在发光元件15上存在有生长衬底18的情况下，来自发光元件15的出射光在生长衬底18内扩散，难以进行高精细的显示。对此，在发光元件15上不存在生长衬底18的情况下，由于来自各个发光元件15的出射光不扩散地被取出，因此显示装置成为可进行高精细的显示。
作为发光元件15及其半导体层的结构，可列举出具有PN接面的同质结构、异质结构、或双异质构成的结构。另外，可以将各层设为超晶格结构等，也可以将活性层即发光层设为在产生量子效果的薄膜形成的单量子阱结构或多量子阱结构。在发光元件15上设置有将来自外部的电力提供为目的的金属端子。
(半导体模块1的制造方法)
接着，基于图2及图3，对半导体模块1的制造方法进行说明。
(发光元件15的形成工序)
首先，如图2的(a)所示，在生长衬底18设置发光元件15。生长衬底18，是使发光元件15的半导体层外延生长的基板。通过MOCV D(Metal Organic Chemical VaporDeposition)法或MBE(Molecular Beam Epitaxy)法等，通过使不同的层依序堆积，而形成发光元件15的发光元件结构。作为氮化物半导体中的生长衬底18，存在将C面、R面以及A面的任意一面设为主面的如蓝宝石(Al2O3)或尖晶石(MgAl2O4)的绝缘性基板。另外，作为氮化物半导体中的生长衬底18，存在有与碳化硅(6H、4H、3C)、Si、ZnS、ZnO、GaAs、钻石以及氮化物半导体晶格接合的铌酸锂、镓酸钕等的氧化物基板。进而，作为氮化物半导体中的生长衬底18，存在有GaN或AlN等的氮化物半导体基板。
例如，将蓝宝石基板作为生长衬底18来使用，在通过MOCVD法制造GaN系的发光元件15的情况下，也可以将生长衬底18作为PSS(Patterned Sapphire Substrate：图形化蓝宝石基板)。PSS，是在生长衬底18的使GaN层堆积的表面上，以几μm间距使几μm尺寸的凹凸形成。通过由微细的凹凸，在发光元件15的光出射面形成的倾斜结构，起到提升发光元件15的光取出效率的作用，且，起到降低发光元件15的发光层中的结构缺陷的作用。由此，能够获得高效率发光的发光元件15。PSS的凹凸由Al2O3、AlN、或GaN等构成。考虑与生长衬底18相同的构成的由Al2O3构成的情况。该情况下，在生长衬底18上形成光刻胶掩模后，通过ICP(Inductively Coupled Plasma：电感耦合等离子体)干蚀刻法等形成凹凸。另外，为了缓和Al2O3与GaN的晶格失配，也存在有在Al2O3上使AlN等堆积的情况。虽然PSS的凹凸形状没有被限定，但一般为大致圆锥形，该大致圆锥优选为在底面直径为3μm以下、高度为2μm以下、顶点的角度为60°以上且120°以下程度的范围。另外，生长衬底18的厚度在20μm以上且1000μm以下的范围。该厚度是指沿着从基底基板11朝向生长衬底18的方向的厚度。由于若生长衬底18的厚度薄，则在制造工序中生长衬底18破裂的风险变高，因此生长衬底18的厚度希望为20μm以上。另一方面，若生长衬底18的厚度厚，则形成发光元件15后，生长衬底18的翘曲变大的可能性变高，且无法形成高发光效率的发光元件15的可能性变高。因此，生长衬底18的厚度优选为1000μm以下。
作为氮化物半导体，一般式为InxAlyGa1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)，也可以是将B、P、或As进行混晶。发光元件15的n型半导体层及p型半导体层不会特别限定为单层、多层。在氮化物半导体层具有活性层即发光层，且该活性层设为单量子阱结构(SQW)或多量子阱结构(MQW)。
在生长衬底18上，使缓冲层等的氮化物半导体的基底层，例如，经由低温成长薄膜GaN，与GaN层而作为n型氮化物半导体层，例如，Si掺杂GaN的n型接触层与GaN/InGaN的n型多层膜层层叠。接着，将InGaN/GaN的MQW的活性层层叠，进而作为p型氮化物半导体层，例如，使用将Mg掺杂的InGaN/AlGaN的p型多层膜、与Mg掺杂GaN的p型接触层层叠的结构。另外，氮化物半导体的发光层(活性层)，例如具有含有障壁层与阱层的量子阱结构。使用在活性层的氮化物半导体，虽然可以是p型杂质掺杂，但是优选为能够通过无掺杂或n型杂质掺杂而使发光元件15高输出化。
通过使阱层包含有Al，能够获得GaN的带隙能量即短于波长365nm的波长。从活性层放出的光的波长，根据发光元件的目的及用途等，设为360nm以上且650nm以下附近，优选设为380nm以上且560nm以下的波长。阱层的构成中，InGaN适用于可见光、靠近紫外线区域，此时的障壁层的构成可为GaN、InGaN。作为障壁层及阱层的膜厚的具体例子，分别为1nm以上且30nm以下、1nm以上且20nm以下，且能够设为一个阱层的单量子阱以及经由障壁层等的多个阱层的多量子阱结构。
(台面形成工序)
发光元件15形成后，在发光元件15所包含的p型接触层的表面的一部分，通过蚀刻而使n型GaN层露出，形成台面。蚀刻可以使用公知的光刻法而进行。在露出的n型GaN层上通过后续的工序形成n侧电极。
(发光元件侧电极142的形成工序)
如图2的(b)所示，台面形成后，在发光元件15上形成多个发光元件侧电极142。对于形成，可使用公知的一般的电极形成技术。发光元件侧电极142的代表性材料，例如为Au。
(分离槽19的形成工序)
如图2的(c)所示，发光元件侧电极142的形成后，在发光元件15形成多个分离槽19(步骤S110)。在分离槽19的形成，中使用标准的半导体选择蚀刻工序。在图2的(c)中，在相邻的发光元件侧电极142之间，形成分离槽19。所形成的分离槽19，到达至生长衬底18的表面。通过形成分离槽19，一个发光元件15在生长衬底18的表面被分割成多个单独的发光元件15(芯片)。以分离槽19的宽度变成0.1μm以上且20μm以下的范围的方式，形成分离槽19。通过分离槽19的宽度为20μm以下，而向基底基板11侧到达的激光光量变小，因此在后述的生长衬底18的脱落工序中，能够降低对基底基板11、金属配线12、绝缘层13及电极14的损伤。另一方面，若分离槽19的宽度变窄，则相邻的电极14之间及相邻的发光元件15之间的静电容量增加，当对发光元件15施加电压时，存在相邻的发光元件15之间产生由耦合噪声引起的电动势。由此，因阻碍发光元件15的精密地点亮控制、或对发光元件15施加反向电压，而可能会产生发光元件15的劣化。因此，分离槽19的宽度优选为0.1μm以上。另外，在半导体模块1的可靠性的这一点上，发光元件15优选为相对于制造时初期的发光强度，在点亮1000小时之后维持50％以上的发光强度。也为了防止由反向电压引起的发光元件15的劣化，分离槽19的宽度希望为0.1μm以上。
(生长衬底18的平滑化工序)
另外，在后述的生长衬底18的脱落工序中，需要对脱落面一致地照射激光。因此，优选为，通过对除了生长衬底18的形成有发光元件15的表面以外的表面进行研磨等来进行平滑化的工序。由研磨等进行的平滑化后的生长衬底18的厚度，优选为在20μm以上且400μm以下的范围。由于若生长衬底18的厚度较薄，则在制造工序中生长衬底18破裂的风险变高，因此生长衬底18的厚度希望为20μm以上。另一方面，若生长衬底18的厚度厚，则生长衬底18的翘曲较大的可能性变高。由此，无法形成高发光效率的发光元件15、或变得难以进行后述的与基底基板11的贴合工序、或为了使生长衬底18脱落而照射的激光相对于脱落面一致地入射的可能性变低。因此，生长衬底18的厚度希望为400μm以下。此外，平滑化工序，也可以在后述的阵列单片化工序之后进行。
(生长衬底18的单片化工序)
虽然发光元件15形成在片状的生长衬底18上，但也可以进行对载置有一个以上的发光元件15的发光元件单片进行单片化的工序。发光元件单片，可以是载置有一个发光元件阵列的单片，也可以是载置有多个发光元件阵列的单片。另外，发光元件单片，也可以是以多个单片成为一个发光元件阵列。在此，发光元件阵列是由与基底基板11的驱动电路11a的一个构成单位对应的发光元件数量的构成。在如前述在半导体模块1中，载置有m×n个发光元件。生长衬底18的单片化可通过切割等进行。特别是，在生长衬底18的尺寸与基底基板11的尺寸不同的情况下，优选为在进行生长衬底18的单片化工序后，进行与基底基板11的贴合。另外，也可以不进行生长衬底18的单片化，而进行将生长衬底18在维持片状的状态下与基底基板11的贴合。
(两个基板的对位工序)
如图2的(d)所示，形成分离槽19后，准备基底基板11，所述基底基板11预先形成有金属配线12、绝缘层13以及基板侧电极141。在相对于基底基板11形成基板侧电极141中，使用公知的一般的电极形成技术。在基底基板11上形成基板侧电极141(步骤S120)。基板侧电极141的代表性材料，例如为Au。如图2的(d)所示，与准备基底基板11的同时进行，使生长衬底18反转。反转后，以各基板侧电极141与各发光元件侧电极142相对的方式，使基底基板11与生长衬底18对位。
(基板贴合工序)
如图2的(e)所示，完成对位后，将基底基板11与生长衬底18贴合(步骤S130)。此时，使用原有的贴合技术，以对应的基板侧电极141与发光元件侧电极142接合的方式，通过加压而从上下按压基底基板11与生长衬底18。由此，使对应的基板侧电极141与发光元件侧电极142一体化，而构成电极14。另外，可以是基底基板11以维持片状的状态下进行贴合，也可以是在将基底基板11单片化之后进行贴合。此外，在本进行方式中不进行图2的(f)所示的树脂16的形成工序。另一方面，在后述的第四、第六、第七以及八实施方式中，进行图2的(f)所示的树脂16的形成工序。在后述的第五实施方式中，取代树脂16，而形成有遮光性部材31。
(生长衬底18的脱落工序)
如图2的(g)所示，完成贴合后，使生长衬底18脱落(步骤S140)。但是，如前述，在本实施方式中，由于未进行如图2的(f)所示的树脂16的形成工序，因此不存在树脂16。在该工序中，作为脱落方式的一个例子，能够利用使用了激光的照射的脱落技术。例如，在生长衬底18上使用蓝宝石等的透明基板，在结晶成长氮化物半导体来作为发光元件层的情况下，通过以固定条件从透明基板侧照射激光，可减轻对生长衬底18与结晶成长层的界面施加的损伤。通过使生长衬底18脱落，从而发光元件15具有使生长衬底18通过激光照射而从成长在生长衬底18上的半导体层而脱落的结构。虽然若激光的波长为200nm以上且1100nm以下的范围，则没有特别限定，但是必须为可进行使生长衬底18的脱落的波长，即，可被生长衬底18吸收光的波长。
另外，如图1的(a)所示，由于形成在发光元件15间的槽20的宽度为0.1μm以上且20μm以下，因此在生长衬底18的脱落工序中，在激光照射时到达基底基板11的激光的强度变低。因此，能够降低伴随着生长衬底18的脱落工序对基底基板11造成的损伤。
在本实施方式的半导体模块1中，抑制如下问题：由对基底基板11的损伤而使得基底基板11具有的驱动电路11a变得不正常地工作，所有发光元件15或一部分的发光元件15变得不发光。在此，对基底基板11的损伤是指基底基板11本身以及形成在基底基板11上的金属配线12、绝缘层13以及电极14的熔化或烧毁等。另外，存在由于对基底基板11的损伤而被使用在基底基板11上所形成的驱动电路11a的晶体管、二极管以及/或电容器等元件变得不工作的情况。进一步地，存在由于对基底基板11的损伤而使得这些元件的特性变化的情况。有可能产生因对基底基板11的损伤而文字、记号、数字、或图像不鲜明地映出在显示装置的显示画面上的问题。
生长衬底18脱落后，露出发光元件15的光出射面。由此，完成半导体模块1的制造。在生长衬底18的脱落工序中的对基底基板11的损伤，是表示基底基板11上的金属配线12的损伤及基底基板11上的绝缘层13的损伤。本实施方式，抑制因这些对基底基板11的损伤而使得基底基板11具有的驱动电路11a变得不正常地工作的情况。
上述的制造方法，仅是能够制造半导体模块1的方法的一个例子。在此已说明的各工序，是用以使半导体模块1变得容易制造，构成半导体模块1的制造方法的工序，不限定于这些。例如，关于多个发光元件15，可以不使用仅一种而是组合多种，且作为多个发光元件15，也可以同时形成红色LED及绿色LED。
在此，作为多个发光元件15，也可以使用蓝色LED、绿色LED以及红色LED。也可以对蓝色LED，使用使生长衬底18的一部分或整个生长衬底18脱离的发光元件15。另外，在半导体模块1中，也可以在驱动电路11a上载置蓝色LED、绿色LED以及红色LED。蓝色LED、绿色LED以及红色LED中的每一个与驱动电路11a电连接。
(第二实施方式)
图4是表示本发明的第二实施方式的半导体模块10的截面构成的截面图。此外，为了便于说明，关于具有与在上述实施方式已说明的部件相同功能的部件，标注相同符号，并省略其说明。
如图4所示，半导体模块10，与半导体模块1相比，在发光元件15上残存有较薄的GaN膜21(半导体层、氮化物半导体层)。即，半导体模块10，具备有基底基板11、电极14、发光元件15以及GaN膜21。此时，不必仅残存有GaN膜21，除了GaN膜21以外，也可以残存有发光元件15的其他层。相邻的多个发光元件15的光出射面的至少一部分，经由GaN膜21而彼此连接。即，在生长衬底18的脱落工序中的激光照射时使朝向基底基板11的激光通过的、槽20的生长衬底18侧，在俯视中，以遮盖槽20的方式残存有GaN膜21。GaN膜21，在生长衬底18侧具有光出射面，多个发光元件15，共享一个光出射面。由此，通过激光的照射而使生长衬底脱落18时，通过GaN膜21吸收激光，从而能够抑制对具有驱动电路11a的基底基板11的损伤。进一步地，也能够使半导体模块10的生长衬底18侧的表面更平滑。
例如，半导体模块10，以如以下说明的方式被制造。在分离槽19的形成工序中，使分离槽19不到达生长衬底18，且通过外延生长而形成的GaN膜21稍微残留在生长衬底18的表面的方式，形成分离槽19。例如，以GaN膜21仅1μm残留在生长衬底18的表面的方式，形成分离槽19。因此，以GaN膜21仅少许残留在生长衬底18的表面的方式，形成分离槽19。此外，GaN膜21的厚度优选为0.1μm以上且3μm以下。该厚度是指沿着从基底基板11朝向生长衬底18的方向的厚度。由于激光可侵入GaN膜21的深度为0.1μm左右，因此GaN膜21的厚度优选为0.1μm以上。另一方面，若GaN膜21过厚，则从发光元件15照射的蓝色光在GaN膜21内传播。由此，由于光位于点亮的发光元件15的周边、且光也到达未点亮的发光元件15上，因此显示装置变得难以进行高精细的显示。为了减少GaN膜21中的光传播的影响，GaN膜21的厚度优选为3μm以下。由此，在生长衬底18的脱落工序中，例如，使生长衬底18通过激光照射而脱落时，GaN膜21不会被分解，而如图4所示作为薄的层而GaN膜21能够成为残留在半导体模块10的状态。由此，通过激光照射而使生长衬底18脱落时，通过使GaN膜21吸收激光，能够抑制对具有驱动电路11a的基底基板11的损伤。另外，在制作半导体模块10的时，能够使半导体模块10的生长衬底18侧的表面变得更平滑。
另外，如图4所示，虽然发光元件15通过GaN膜21而全部连接，但由于电极14形成为能够使单独的发光元件15发光，因此能通过半导体模块10进行图像显示。
如此，在半导体模块10中，由于多个发光元件15透过GaN膜21而连接，因此维持高精细的显示性能的同时，能够降低对基底基板11的损伤。因此，能够使半导体模块10的产品质量提升。
(第三实施方式)
图5是表示本发明的第三实施方式所涉及的半导体模块10A～10E的截面构成的截面图。图5的(a)～(e)是表示生长衬底181a～181e的表面成为凹凸形状的情况的图。再者，为了便于说明，关于具有与在上述实施方式已说明的部件相同功能的部件，标注相同符号，并省略其说明。
如图5的(a)所示，半导体模块10A，与半导体模块1相比，不同点在于，在发光元件151a的形状与发光元件15的形状不同。另外，生长衬底181a的基底基板11侧的表面变成凹凸形状，并形成有凸部22a。例如，凸部22a具有大致圆锥形的形状，且等间隔地形成。通过激光照射使生长衬底181a脱落时，在多个发光元件151a的光出射面(生长衬底181a侧的表面)上分别形成凹凸形状，在一个发光元件151a的光出射面上等间隔地形成多个凹部23a。即，在发光元件151a与生长衬底181a相结合时，凹部23a由凸部22a形成。凹部23a，具有在朝向基底基板11的方向上变成前端较细的形状。
根据以上所述，通过生长衬底181a的基底基板11侧的表面成为凹凸形状，通过激光照射使生长衬底181a脱落时，激光在生长衬底181a的凸部22a的表面衍射、散射。散射的激光，几乎被发光元件151a的主成分即GaN吸收。由此，由于到达基底基板11的激光较少，因此能够降低对基底基板11的损伤。另外，若考虑到用于实现半导体模块10A的构成的制造工序，则优选为生长衬底181a的基底基板11侧的表面成为凹凸形状。这是因为通过激光在生长衬底181a的凸部22a的表面衍射、散射，能够使到达基底基板11的激光变少，且能够降低对基底基板11的损伤。
另外，通过发光元件151a的光出射面成为凹凸形状，能够使从发光元件151a的光取出效率提升。在形成发光元件151a时，该凹凸形状可通过使用PSS等的具有凹凸形状的生长衬底181a来形成。
如此，在半导体模块10A中，由于能够降低对基底基板11的损伤，且能够使从发光元件151a的光取出效率提升，因此能够使半导体模块10A的产品质量提升。在后述的半导体模块10B～10E中也获得相同的效果。
另外，如图5的(b)所示，在半导体模块10B中，虽然在多个发光元件151b的光出射面上分别形成有凹部23b，但形成在一个发光元件151b的光出射面上的凹部23b为一个。在发光元件151b与生长衬底181b相结合时，凹部23b通过凸部22b而形成。凹部23b，具有在朝向基底基板11的方向上成为前端较细的形状。虽然在生长衬底181b的基底基板11侧的表面成为凹凸形状，但形成在生长衬底181b的基底基板11侧的表面的多个凸部22b的间隔，成为大于多个凸部22a的间隔。另外，以形成在一个发光元件151b的光出射面上的凹部23b变成一个的方式，在生长衬底181b的基底基板11侧的表面形成凸部22b。凸部22b具有大致圆锥形的形状。
如图5的(c)所示，在半导体模块10C中，在多个发光元件151c的光出射面上分别形成有凹部23c。在发光元件151c与生长衬底181c相结合时，凹部23c由凸部22c形成。凹部23c具有在朝向基底基板11的方向上成为前端较细的形状。在俯视中，在发光元件151c的光出射面的面积中，凹部23c所占的部分的面积，为发光元件151c的光出射面的面积的一半以上。另外，虽然生长衬底181c的基底基板11侧的表面变成凹凸形状，但形成在生长衬底181c的基底基板11侧的表面的凸部22c的尺寸，变成大于凸部22a的尺寸。在俯视中，以发光元件151c的光出射面的面积中，凹部23c所占的部分的面积变成发光元件151c的光出射面的面积的一半以上的方式，在生长衬底181c的基底基板11侧的表面形成凸部22c。凸部22c具有大致圆锥形的形状。
如图5的(d)所示，在半导体模块10D中，在多个发光元件151d的光出射面上分别形成有凹部23d。在发光元件151d与生长衬底181d相结合时，凹部23d由凸部22d形成。凹部23d具有在朝向基底基板11的方向上成为前端较细的形状，且凹部23d的内壁的倾斜角度成为在中间改变过一次的形状。另外，虽然生长衬底181d的基底基板11侧的表面变成凹凸形状，但形成在生长衬底181d的基底基板11侧的表面上的凸部22d，具有前端尖的形状，且凸部22d的外壁的倾斜角度成为在中间改变过一次的形状。
如图5的(e)所示，在半导体模块10E中，在多个发光元件151e的光出射面上无凹部，在生长衬底181e上以进入多个发光元件151e之间的方式形成有凸部22e。在半导体模块10E上的发光元件151e无凹部的这一点，与半导体模块10A～10D不同。但是，通过在生长衬底181e形成凸部22e而具有能够在生长衬底181e脱落时降低对基底基板11的损伤的效果的这一点，与半导体模块10A～10D相同。
根据以上，凸部22a～22e具有大致圆锥形的形状。关于该圆锥，优选为底面的直径为3μm以下、高度为2μm以下、顶点的角度为60°以上且120°以下左右的范围。
(第四实施方式)
图6是说明本发明的第四实施方式所涉及的半导体模块100A～100C的制造方法的流程图。图7是表示本发明的第四实施方式所涉及的半导体模块100A～100C的截面构成的截面图。图7的(a)是表示在俯视中生长衬底18的最外轮廓与树脂16的最外轮廓为相同的构成的图，图7的(b)是表示在俯视中生长衬底182的最外轮廓小于树脂16的最外轮廓的构成的图。图7的(c)是表示树脂161部分地形成于基底基板11侧的构成的图。此外，为了便于说明，关于具有与在上述实施方式已说明的部件相同功能的部件，标注相同符号，并省略其说明。
如图7的(a)所示，半导体模块100A，与半导体模块1相比不同点在于，具备树脂16。基底基板11与多个发光元件15的每一个之间以及在激光照射时使朝向基底基板11的激光通过的、相互邻接的发光元件15间的槽20，填充有树脂16。另外，树脂16，完全覆盖基底基板11的上面、电极14以及发光元件15的侧面。发光元件15的光出射面与树脂16的生长衬底18侧的表面是，从基底基板11的上面起的高度变得相同。
另外，如图7的(b)所示，在半导体模块100B中，在俯视中，以树脂16的最外轮廓大于生长衬底182的最外轮廓的方式，填充有树脂16。例如，考虑到在俯视中，用于对基底基板11的驱动电路11a提供驱动电力的电极形成于位于生长衬底18的外侧的基底基板11的上面。该情况下，在俯视中，用于提供驱动电力的电极虽然不被生长衬底18覆盖，但被树脂16覆盖。由此，在生长衬底18的脱落工序中，通过树脂16能够对为了使生长衬底脱落18而照射的激光而保护用于提供驱动电力的电极。
另外，如图7的(c)所示，在半导体模块100C中，并非以完全覆盖基底基板11的上面、电极14以及发光元件15的侧面的方式填充树脂161，树脂161部分地形成于槽20的基底基板11侧。在此，树脂161形成为覆盖电极14的一部分。此外，从基底基板11的上面起的、树脂16的生长衬底18侧的表面的高度中，只要是从基底基板11的上面至发光元件15的光出射面之间的高度即可。树脂16的厚度优选为0.2μm以上且30μm以下的范围。该厚度是指沿着从基底基板11朝向生长衬底18(或生长衬底182)的方向的厚度。由于若树脂16的厚度过薄，则无法反射或吸收激光，可能会产生对基底基板11的损伤，因此树脂16的厚度优选为0.2μm以上。另外，金属配线及发光元件15的尺寸变得均衡，但若树脂16的厚度过厚，则树脂16的高度将高于发光元件15的光出射面的高度。因此，树脂16的厚度优选为30μm以下。此高度是指从基底基板11起的高度，且是沿着从基底基板11朝向生长衬底的方向的高度。
通过在槽20的基底基板11侧形成树脂16，从而树脂16能够保护基底基板11。另外，对于树脂16，通过选定具有反射或吸收激光的功能的材料，从而在生长衬底18的脱落工序中，树脂16能够反射或吸收激光。由此，能够降低对基底基板11的损伤。另外，在半导体模块102A、102B中，发光元件15的光出射面、与树脂16的生长衬底18侧的表面，从基底基板11的上面起的高度变得相同。由此，通过树脂16，能够使半导体模块102A、102B的表面变得更平滑。另外，通过使半导体模块102A、102B的表面变得更平滑，而如后述的第七实施方式及第八实施方式成为有利于在发光元件的光出射面形成颜色转换层等的情况。
(树脂16)
接着，针对树脂16进行说明，但在以下说明的内容也适用于树脂161。树脂16，使发光元件15及电极14固定在基底基板11的同时，防止光从发光元件15的侧面漏出。树脂16也称为底层填料，作为一个例子，可通过使液状的树脂固化来形成。树脂16被埋入至半导体模块100A中的至少包含基底基板11的上面、发光元件15的侧面的一部分、与电极14的侧面的区域。
树脂16除了保护基底基板11之外，还能够通过反射或吸收激光，降低在生长衬底18的脱落工序中对基底基板11的损伤。另外，发光元件15的发光是从发光元件15中的与基底基板11侧相反侧的光出射面放出。因此，通过用树脂16至少将发光元件15中的侧面覆盖，可获得以下的作用及效果。第一，能够避免光从发光元件15的侧面漏出。第二，与来自发光元件15的光出射面的发光相较，抑制具有无法忽视的程度的色差的光从侧面向外放出，能够降低整体的发光颜色中的颜色不均的产生。第三，使往侧面方向行进的光，往半导体模块100A(或半导体模块100B、100C)的光取出方向侧反射，进一步地限制往外部的发光区域。由此，提高放出的光的指向性，并且可提高光出射面151中的发光亮度。第四，通过使从发光元件15产生的热向树脂16传播，能够提高发光元件15的散热性。第五，能够提高发光元件15的发光层的耐湿性。
从发光元件15中的光出射面连续的侧面，即，与发光元件15的厚度方向平行的侧面侧，被树脂16覆盖，且只要发光元件15的光出射面从树脂16露出，则其外面形状没有特别限定。例如，即便是树脂16在从基底基板11朝向生长衬底18(或生长衬底182)的方向上超出发光元件15的光出射面而突出的结构也可以。另外，如图7的(c)所示，即便是树脂16在从基底基板11朝向生长衬底18的方向上未到达发光元件15的光出射面的结构也可以。
如图7的(a)及(b)所示，在半导体模块102A、102B中，树脂16的生长衬底18侧的表面构成为沿着发光元件15的光出射面的表面状。即，树脂16的覆盖区域的露出表面，形成为与发光元件15的光出射面大致相同的表面。由此，抑制在半导体模块102A、102B内的发光特性的偏差，关系到成品率的提升。另外，通过覆盖侧面的大致整个面，能够提高发光元件15的散热性。此外，在该段落中说明的内容，不适用于树脂161。
在本实施方式中，树脂16优选为反射激光的材料、或者具有吸收激光的特性的树脂材料。树脂16的颜色，优选为白色系的颜色或黑色系的颜色。
(电极14的固定强化)
在图2的(f)中，由于基板侧电极141的截面面积与发光元件侧电极142的截面面积不同，因此树脂16除了基板侧电极141的侧面及发光元件侧电极142的侧面之外，与任意一个电极的表面露出的区域(台阶面)紧密接触。对于台阶面，通过发挥树脂16的吸附作用，基板侧电极141及发光元件侧电极142被更强地固定于基底基板11。
如图2的(f)所示，在基板侧电极141的截面面积大于发光元件侧电极142的截面面积的情况下，将基板侧电极141从基板侧电极141中的台阶面的上部朝向基底基板11紧压的固定力，在基板侧电极141发挥作用。由此，由于能够将电极14及被配置在电极14上的发光元件15，更稳定地固定于基底基板11，因此更为优选。发光元件15的光出射面和树脂16的生长衬底18侧的表面，优选设定为大致相同的表面。由此，由于能够抑制发光元件15的发光从发光元件15的侧面射出，因此能够提高发光元件15的发光效率。此外，在该段落中对树脂16说明的内容，不适用于树脂161。
(半导体模块100A～100C的制造方法)
基于图2及图6，针对半导体模块100A～100C的制造方法进行说明。图6所示的步骤S210～步骤S230以及步骤S260的处理，分别是与图3所示的步骤S110～步骤S140相同的处理。在此，针对步骤S230的处理与步骤S260的处理之间进行的步骤S240及步骤S250的处理进行说明。
(树脂16的填充工序)
步骤S230的贴合工序完成后，在基底基板11与生长衬底18之间形成的空隙内，填充液状树脂16a(步骤S240)。液状树脂16a被填充在发光元件15间的槽20。将填充后的状态表示为图2的(f)。此时，例如，只要在贴合状态下浸于用液状树脂16a填满的容器内即可。虽然液状树脂16a的主材料没有特别地限定，但优选为例如环氧树脂。此外，液状树脂16a的注入方法除了上述以外，也可以是通过注射针、微针(microneedle)来注入液状树脂16a的方法，所述微针适合基底基板11与生长衬底18之间形成的空隙的尺寸。作为这种情况的注射针的材料，可使用金属制、或塑料制等。液状树脂16a，从基底基板11与生长衬底18之间形成的空隙通过毛细管现象进行填充。另外，通过对液状树脂16a的填充量进行控制，也能够和半导体模块102A、102B一样在空隙内完全地填充树脂16。另外，通过对液状树脂16a的填充量进行控制，也能够和半导体模块100C一样仅在基底基板11侧，以某固定的厚度填充树脂16。
在填充工序，优选为将液状树脂16a在50℃～200℃的温度范围内的温度下进行填充。由此，容易将液状树脂16a正常地填充至空隙内。进一步地，温度范围优选为80℃～170℃。由此，能够使损坏树脂16的特性(后述的固化工序后的紧密性、散热性等)的担忧减少。另外，温度范围更优选为100℃～150℃。由此，能减少在所述空隙产生的气泡等，能够不产生对流等而几乎完全地填充，变得容易制造半导体模块100A～100C。
特别是，考虑将各个发光元件15的大小，设为例如纵宽度及横宽度为20μm以下，更优选为几μm～十几μm，且将发光元件15的厚度设为几μm(2μm～10μm)左右的微小尺寸。该情况下，在生长衬底18的脱落及脱落后的工序中，液状树脂16a作为用于固着力提升的增强部件而更有用地发挥作用。由此，由于能够使树脂16的、半导体模块100A～100C的产品间的特性的偏差变得更小，因此能够易于制造半导体模块100A～100C。
如图2的(f)所示，被填充在空隙内的液状树脂16a完全地埋入空隙内。由此，在发光元件15的侧面、电极14的侧面与台阶面以及基底基板11的上部埋入液状树脂16a。液状树脂16a的填充完成后，使液状树脂16a固化(步骤S250)。此外，虽然针对使液状树脂16a固化的方法，没有被特别限定，但也可以例如，通过对液状树脂16a进行加热，或对液状树脂16a照射紫外线，而使液状树脂16a固化。
上述的制造方法，仅是作为可制造半导体模块100A～100C的方法的一个例子。在此已说明的各工序，是用以使半导体模块100A～100C变得容易制造，构成半导体模块100A～100C的制造方法的工序，不限定于此。
(第五实施方式)
图8是表示本发明的第五实施方式所涉及的半导体模块101A的截面构成的截面图。此外，为了便于说明，关于具有与在上述实施方式已说明的部件相同功能的部件，标注相同符号，并省略其说明。
如图8所示，半导体模块101A，与半导体模块1相比，不同点在于，具备遮光性部材31。在激光照射时使朝向基底基板11的激光通过的，相互邻接的发光元件15间的槽20的基底基板11侧，在俯视中，以遮盖槽20的方式配置遮光性部材31。作为用以实现半导体模块101A的构成的一个方法，在基底基板11形成绝缘层13后，在基底基板11的上面形成遮光性部材31，且通过蚀刻等去除在遮光性部材31中的形成电极14的部分。遮光性部材31通过CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)、MBE或贴合等而形成。形成遮光性部材31后，移至步骤S120的处理。步骤S120的处理之后，与第一实施方式相同。遮光性部材31可以是聚酰亚胺、环氧树脂、或硅氧树脂等的树脂，也可以是这些包含有色材或填料。另外，遮光性部材31，也可以是GaN、SiO2、SiN、或SiC等无机材料。遮光性部材31的厚度优选为0.2μm以上且10μm以下的范围。该厚度是指沿着从基底基板11朝向生长衬底18的方向的厚度。
在半导体模块101A中，在生长衬底18的脱落工序中，通过遮光性部材31反射或吸收激光，而能够降低对基底基板11的损伤，因此能够使半导体模块101A的产品质量提升。另外，遮光性部材31也可以是反射激光的光反射性部件。
(第六实施方式)
图9是表示本发明的第六实施方式所涉及的半导体模块102A、102B的截面构成的截面图。图9的(a)是表示在树脂161a上形成有凹凸形状的构成的图，图9的(b)是表示在发光元件152及树脂161b上形成有凹凸形状的构成的图。图10是表示本发明的第六实施方式所涉及的半导体模块102A、102B的制造方法的流程图。此外，为了便于说明，关于具有与在上述实施方式已说明的部件相同功能的部件，标注相同符号，并省略其说明。
如图9的(a)所示，半导体模块102A，与半导体模块100A相比，不同点在于，在生长衬底183a的基底基板11侧的表面上形成为凹凸形状，以及在树脂161a的生长衬底183a侧的表面上形成为凹凸形状。具体而言，在生长衬底183a的基底基板11侧的表面上，形成有多个凸部221，且在树脂161a的生长衬底183a侧的表面上，形成有多个凹部32。在树脂161a与生长衬底183a相结合时，凹部32由凸部221而形成。凹部32是形成于将树脂161a填充在发光元件15间的槽20的部分的生长衬底183a侧的表面上。另外，在生长衬底183a的脱落工序中，以在树脂161a的生长衬底183a侧的表面上形成凹凸形状的方式，使生长衬底脱落183a。
由此，在生长衬底183a的脱落工序中，除了树脂161a反射或吸收激光之外，还通过形成于生长衬底183a的凹凸形状引起的激光的散射而减少通过发光元件15之间的激光。由此，能够降低对基底基板11的损伤。
另外，如图9的(b)所示，在半导体模块102B中，不仅在树脂161b的生长衬底183b侧的表面上形成有凹凸形状，也在发光元件152的光出射面形成有凹凸形状。具体而言，在生长衬底183b的基底基板11侧的表面上，形成有多个凸部22a，且在发光元件152的光出射面上，形成有多个凹部231。另外，在树脂161b的生长衬底183b侧的表面上，形成有凹部32。在发光元件152及树脂161b与生长衬底183b相结合时，凹部32、231由凸部22a形成。
由此，能够通过形成于生长衬底183b的凹凸形状而降低对基底基板11的损伤的同时，通过在发光元件152的光出射面上形成凹凸形状来使从发光元件152的光取出效率提升。因此，能够使半导体模块102B的产品质量提升。
此外，作为用于实现半导体模块102A、102B的构成的一个方法，只要使用PSS等具有凹凸形状的生长衬底作为生长衬底183a(或生长衬底183b)即可。除了使用具有凹凸形状的生长衬底之外，与半导体模块100A的制造方法相同。
(半导体模块102A、102B的制造方法)
基于图2及图10，对半导体模块102A、102B的制造方法进行说明。图10所示的步骤S310～步骤S330、步骤S360的处理，分别是与图3所示的步骤S110～步骤S140相同的处理。另外，图10所示的步骤S340及步骤S350的处理，是与图6所示的步骤S240及步骤S250相同的处理。在此，针对在步骤S360的处理之后进行的步骤S370及步骤S380的处理进行说明。
(发光元件15的脱落面的研磨工序)
步骤S360的脱落工序完成后，对n型氮化物系化合物半导体层叠结构的露出表面(发光元件15的脱落面)进行研磨(步骤S370)。在半导体模块102A、102B的制造方法中，其特征在于，包含将生长衬底183a脱落而露出的发光元件15的露出表面进行研磨的研磨工序。在研磨工序中，发光元件15的露出表面的研磨，能够通过CMP(Chemical MechanicalPolish：化学机械研磨)等进行。在作为生长衬底183a而使用PSS的情况下，也可以进行研磨直至发光元件15的光出射面上的凹凸形状消失。在研磨至发光元件15的光出射面上的凹凸形状消失的情况下，本实施方式的半导体模块的构成，成为与如图7的(a)及图7的(b)所示的半导体模块102A、102B的构成相同。此外，作为CMP所使用的研磨剂，可使用SiO2、Al2O3、钻石、Mn2O3以及CeO2等，特别优选为SiO2。
(发光元件15的脱落面的清洗工序)
发光元件15的脱落面的研磨工序完成后，对被研磨的n型氮化物系化合物半导体层叠结构的露出表面(发光元件15的脱落面)进行清洗(步骤S380)。此外，也可以在步骤S360的脱落工序完成后，在进行清洗工序(步骤S380)之后，进行研磨工序(步骤S370)。在进行了清洗工序后，进行研磨工序的情况下，在进行了研磨工序后，进行重新清洗工序。另外，步骤S360的脱落工序完成后，也可以不进行清洗工序而仅进行研磨工序，也可以不进行研磨工序而仅进行清洗工序。
步骤S370的研磨工序完成后，在n型氮化物系化合物半导体层叠结构的露出表面(发光元件15的脱落面)上，残留有研磨时产生的残渣。另外，在通过激光照射而使生长衬底183a脱落而露出的n型氮化物系化合物半导体层叠结构的露出表面(发光元件15的脱落面)上，产生Ga等的液滴。该液滴，在步骤S370的研磨工序完成后也残存的可能性高。因此，作为大于Ga的熔点的温度的水(热水)及稀盐酸类而选择一种以上的清洗剂，由该清洗剂将该露出表面进行清洗。
即，在半导体模块102A、102B的制造方法中，其特征在于，包含清洗工序，所述清洗工序将生长衬底183a脱落而露出的发光元件15的露出表面进行清洗。在清洗工序中，通过将露出表面用热水擦拭或浸于热水中，能够去除露出表面上的残渣。另外，优选为将露出表面浸于室温的稀盐酸类或沸腾的稀盐酸类、或者用室温的稀盐酸类或沸腾的稀盐酸类擦拭。进一步地，更优选为首先用热水擦拭露出表面且浸于热水中，之后再浸于稀盐酸类。
在不清洗发光元件15的露出表面的情况下，n型氮化物系化合物半导体层成为光出射面时，由于露出表面上残留的残渣及/或Ga等的液滴而造成光被吸收、反射以及散射，从而遮挡来自发光元件15的发光层的发光。因此，发光元件15的光取出效率降低。另外，在该被清洗的n型氮化物系化合物半导体层成为光出射面时，通过将发光元件15的露出表面进行清洗，从而不会遮挡来自发光元件15的发光层的发光。因此，能够使发光元件15的光取出效率明显提升。另外，在发光元件15的露出表面的清洗中所使用的热水优选为大于Ga的熔点的温度，稀盐酸的温度优选为室温以上且110℃以下。
另外，通过进行研磨工序及/或清洗工序，能够使得在发光元件15的光出射面以及树脂161a的生长衬底183a侧的表面不会残留有残渣。特别是通过进行研磨工序，能够使发光元件15的光出射面以及树脂161a的生长衬底183a侧的表面成为大致平面的形状。因此，能够在发光元件15上形成颜色转换层的情况下，在不残留残渣的平面上涂布颜色转换层或进行图案化。由此，能够在多个发光元件15上，形成更一致的厚度的颜色转换层。
另外，颜色转换层，由荧光体或光吸收材料等的颜色转换材料以及成为母材的树脂等构成，对发光元件15射出的光的光谱进行转换，例如用来转换成绿色或红色等。
如以上，通过在生长衬底183a的脱落后进行清洗工序及/或研磨工序，能够使得在发光元件15的光出射面以及树脂161a的生长衬底183a侧的表面不残留残渣。因此，能够使发光元件15的光取出效率提升。另外，在发光元件15上形成颜色转换层的情况时，能够在不残留残渣的平面上涂布颜色转换层或进行图案化。因此，在制造具有颜色转换层的半导体模块的情况时，能够使半导体模块的产品质量提升。
上述的制造方法，仅是可制造半导体模块102A、102B的方法的一个例子。在此说明的各工序，用于使半导体模块102A、102B变得容易制造的工序，构成半导体模块102A、102B的制造方法的工序，不限定于这些。
(第七实施方式)
图11是表示本发明的第七实施方式所涉及的半导体模块103的截面构成的截面图。此外，为了便于说明，关于具有与在上述实施方式已说明的部件相同功能的部件，标注相同符号，并省略其说明。
如图11所示，半导体模块103，与半导体模块102B相比，不同点在于，在具备透光性树脂41及颜色转换层42、43。对颜色转换层42、43考虑多个种类。例如，在半导体模块103中，颜色转换层42为绿色转换层，颜色转换层43为红色转换层。另外，例如，半导体模块103具备的发光元件152，是射出蓝色光的蓝色LED。在半导体模块103的制造方法中，在步骤S370的清洗工序及/或步骤S380的研磨工序之后，在发光元件152的各个上部(光出射面)配置有透光性树脂41及颜色转换层42、43。
透光性树脂41被配置在发光元件152的上部，颜色转换层42被配置在与配置有透光性树脂41的发光元件152相邻接的发光元件152的上部(光出射面)。颜色转换层43，配置在相对于配置有颜色转换层42的发光元件152，和配置有透光性树脂41的发光元件152侧的相反侧相邻接的发光元件152的上部(光出射面)。透光性树脂41及颜色转换层42、43的每一个例如通过光刻法或丝网印刷(screen printing)等方法以至少覆盖发光元件152的光出射面的方式形成。
透光性树脂41不将从配置在其正下方的发光元件152出射的光的波长转换，并使该光通过。即，透光性树脂41射出蓝色光。颜色转换层42对从配置在其正下方的发光元件152出射的光的波长进行转换，射出绿色光。颜色转换层43，对从配置在其正下方的发光元件152射出的光的波长进行转换，射出红色光。由此，半导体模块103能够发出红色光、绿色光以及蓝色光的三原色的光。另外，组装有半导体模块103的显示装置，能够通过控制各个发光元件152而进行彩色显示。
颜色转换层42、43例如，具体而言是玻璃板、在玻璃板上具备光转换部件的颜色转换层，由光转换部件的荧光体结晶或具有荧光体结晶的相的单晶体或多晶体、非晶体、或陶瓷体等构成。另外，颜色转换层42、43，例如由荧光体结晶粒子与适当附加的透光性部件的烧结体、凝集体、多孔性材料、在这些混入或含浸有透光性部件(例如树脂)的材料等构成。进一步地，颜色转换层42、43由含有荧光体结晶粒子的透光性部件，例如透光性树脂的成形体等构成。
此外，从耐热性的观点而言，上述透光性部件与树脂等的有机材料相比，优选为由无机材料构成。具体而言，上述透光性部件优选为由含有荧光体结晶粒子的透光性的无机材料构成，特别优选为通过由荧光体结晶粒子与无机物(结合材)的烧结体、或者由荧光体结晶粒子而成的烧结体或单晶来成形。由此，上述透光性部件的可靠性提高。此外，在使用已活化3价Ce的Y3Al5O12的荧光体的情况下，从可靠性的观点而言，优选为将Y3Al5O12的单晶、高纯度的烧结体、氧化铝(Al2O3)作为结合材(binder：黏合剂)的Y3Al5O12/氧化铝的烧结体。另外，虽然颜色转换层42、43的形状没有特别限定，但在半导体模块103中，颜色转换层42、43的形状为长方体形状。另外，通过将颜色转换层42、43的厚度设为大致固定，能够抑制颜色转换层42、43内的荧光体(波长转换部件)的分布不均，能够使通过颜色转换层42、43的光的波长转换量设为大致一致。由此，使混色的比率稳定，且能够抑制半导体模块103的光出射中的颜色不均。颜色转换层42、43的厚度是指沿着从基底基板11朝向发光元件152的方向的厚度。另外，在半导体模块103的制造方法中，若颜色转换层42、43的形状为长方体形状，则能够容易地形成颜色转换层42、43。进一步地，从发光元件152的光取出效率的观点而言，通过使颜色转换层42、43的与发光元件152相反侧的表面的形状为凹凸形状或半球形状，或对该面中的端面附加角度，能够使光取出效率提升。另外，通过研磨、清洗等，能够使由发光元件152的光出射面与树脂16的上面构成的表面成为大致一致的表面。由此，能够以使颜色转换层42的主面与颜色转换层43的主面成为大致平行的方式容易地进行对位。
另外，作为能够适合与发光元件152组合而成为白色发光、且被使用于波长转换部件的代表性的荧光体，可列举出活化3价Ce的Y3Al5O12及活化3价Ce的Lu3Al5O12的荧光体。作为这些荧光体的一般式，以(Re1-xCex)3(Al1-yGay)5O12(0≦x<0.2、0≦y≦1、Re是从由Y、Gd、La以及Lu构成的群中选择的至少一种元素)表示。另外，能够使用活化3价Ce的(La1-x-yYxGdy)3Si6N11、活化3价Ce的Alpha型SiAlON、活化2价Eu的(Ca1-x-ySrxBay)5(PO4)3(Cl1-zFz)、活化3价Ce的(Lu1-x-yYxLay)Si3N5、活化2价Eu的BaMgAl10O17、活化2价Eu及2价Mn的BaMgAl10O17、活化2价Eu的(Sr1-xBax)2SiO4、活化2价Eu的(Sr、Ba)3SiO5、活化2价Eu的Beta型SiAlON、活化3价Ce的(Ca1-x-ySrxBay)3(Sc1-zYz)2Si3O12、活化2价Eu的(Ca1-x-ySrxBay)Si5N8、活化4价Mn的K2(Si1- xGex)F6、以及活化2价Eu的(Ca1-xSrx)AlSiN3等。关于x及y，为0≦x<0.2、0≦y≦1。能够在这些荧光体之中的至少包含一种的荧光体使用于波长转换部件。
由于在半导体模块103中，至少在发光元件152的光出射面不残留残渣，因此能够使透光性树脂41、颜色转换层42以及颜色转换层43，相对于发光元件152的光出射面而提升紧贴力。另外，由于也实现了透光性树脂41、颜色转换层42以及颜色转换层43的厚度的一致化，因此提升光学特性。另外，通过如第六实施方式说明的研磨工序及清洗工序等，使由发光元件152的光出射面与树脂162的上面构成的表面成为大致一致的表面。由此，容易确定透光性树脂41、颜色转换层42以及颜色转换层43的膜厚，且能够提升光学特性。另外，可在各种荧光体的形成工序(例如光刻法或丝网印刷)中形成稳定的图案，而能够使产品质量提升。
(第八实施方式)
图12是表示本发明的第八实施方式所涉及的半导体模块104的截面构成的截面图。此外，为了便于说明，关于具有与在上述实施方式已说明的部件相同功能的部件，标注相同符号，并省略其说明。
如图12所示，半导体模块104与半导体模块103相比，不同点在于，在颜色转换层42的上部配置有吸光层51以及在颜色转换层43的上部配置有吸光层52。吸光层51、52至少含有一种以上色素分子等的吸光材料，且包含吸光层51的吸光材料与包含吸光层52的吸光材料可以为相同，也可以为不同。另外，也可以在透光性树脂41的上部配置吸光层(未图示)。
以下针对吸光层51、52的形成方法进行说明。例如，构成吸光层51、52的材料，由作为吸光材料而包含色素的树脂构成，还被赋予了感光性。例如，通过旋转涂布，对颜色转换层上一致地涂布吸光材料后，由光刻法，以上述吸光材料至少覆盖颜色转换层的上面(光出射面)的方式形成吸光层51、52。即便是构成吸光层51、52的材料未被赋予感光性的情况下，也能够由丝网印刷或蚀刻等的方法，以上述吸光材料至少覆盖颜色转换层的上面的方式形成吸光层51、52。
例如，吸光层52，通过吸收来自发光元件152及颜色转换层43的发光光谱中的特定的波长的光，可提升半导体模块104的颜色再现范围。吸光层52从颜色转换层43射出的来自红色荧光体的光中，吸收与630nm相比短波长的光成分以及与650nm相比长波长的光成分。另外，吸光层52从发光元件152射出的蓝色光中，不被颜色转换层43所包含的红色荧光体吸收，而吸收透过颜色转换层43的蓝色光。由此，通过从吸光层52射出的光成为630nm以上且650nm以下的光谱成分为主的光，从而可获得更高纯度的红色。吸光层51通过具有与吸光层52类似的功能，而以获得高纯度的绿色的方式发挥作用。如此，通过将吸光层51、52分别配置在颜色转换层42、43的上部，能够提升半导体模块104的颜色再现范围，且能够使半导体模块104的产品质量提升。
(第九实施方式)
图13是表示本发明的第九实施方式所涉及的半导体模块105的截面构成的截面图。此外，为了便于说明，关于具有与在上述实施方式已说明的部件相同功能的部件，标注相同符号，并省略其说明。
如图13所示，半导体模块105与半导体模块1相比，不同点在于，作为发光元件不仅是多个蓝色发光元件153a，还载置有多个绿色发光元件153b及多个红色发光元件153c。也可以是由蓝色发光元件153a及绿色发光元件153b、或蓝色发光元件153a及红色发光元件153c的任意一个组合而构成半导体模块105。蓝色发光元件153a、绿色发光元件153b以及红色发光元件153c，相对于基底基板11，经由金属配线及电极14被电连接，通过基底基板11的驱动电路11a可使其工作。蓝色发光元件153a间的距离为0.1μm以上且20μm以下。另外，各发光元件间的距离优选为0.1μm以上且20μm以下。若该发光元件15间的距离为20μm以下，则由于通过激光照射到达基底基板11侧的激光光量变小，因此在生长衬底的脱落工序中，能够降低对基底基板11、金属配线、绝缘层以及电极14的损伤。另外，可进行高精细的图像显示。另一方面，当槽20的宽度变窄时，在增加相邻的电极14间的静电容量，并对发光元件施加电压时，在相邻的电极14间有可能产生由耦合噪声引起的电动势。由此，因阻碍发光元件的精密的点亮控制、对发光元件施加反向电压，而可能会产生发光元件的劣化。因此，槽20的宽度优选为0.1μm以上。另外，在半导体模块105的可靠性的这一点上，希望发光元件相对于制造时的初期的发光强度，在点亮1000小时之后维持50％以上的发光强度。为了也防止由反向电压造成的发光元件的劣化，发光元件间的距离优选为0.1μm以上。
以下，针对蓝色发光元件153a、绿色发光元件153b以及红色发光元件153c的形成方法进行说明。蓝色发光元件153a与第一实施方式的发光元件的形成工序相同，使半导体层外延在生长衬底上生长，经过台面工序及电极的形成来形成。绿色发光元件153b以及红色发光元件153c，在基底基板11上形成金属配线及绝缘层后，单独地载置在基底基板11上。之后，在生长衬底与基底基板11的对位工序之后，能够经过与其他的实施方式相同的工序，制造半导体模块105。作为制造半导体模块105的其他方法，相对于基底基板11，使形成有蓝色发光元件153a的生长衬底对位并贴合后，蓝色发光元件153a的生长衬底脱落。另外，在使形成绿色发光元件153b的生长衬底对位并贴合后，绿色发光元件153b的生长衬底脱落。进一步地，存在有使形成红色发光元件153c的生长衬底对位并贴合后，通过将红色发光元件153c的生长衬底进行脱落、研磨、或蚀刻等，从而削除生长衬底的工序。此外，绿色发光元件153b及红色发光元件153c的生长衬底的脱落中，使生长衬底的一部分或全部脱落。在后者的工序中，例如，生长衬底为蓝宝石基板，蓝色发光元件为GaN系半导体，绿色发光元件153b为InGaN系半导体，红色发光元件153c为GaAs系半导体。另外，将各颜色的发光元件的高度设为大致相同，或将蓝色发光元件153a设为最低，红色发光元件153c设为最高。由此，在各发光元件的贴合时，能够防止各颜色的发光元件的生长衬底与预先载置的发光元件的机械性的干扰。但是，也可变更各颜色的发光元件的贴合的顺序，且在该情况下，对各发光元件的高度的要求不同。除此之外，蓝色发光元件153a、绿色发光元件153b以及红色发光元件153c的上面的高度，可以不同，也可以大致一致。使用不同高度的蓝色发光元件153a、绿色发光元件153b以及红色发光元件153c使生长衬底与基底基板11贴合，并且使生长衬底脱落。之后，通过研磨工序也可将蓝色发光元件153a、绿色发光元件153b以及红色发光元件153c的高度设定为一致。另外，如第四、第六、第七及第八实施方式的在各发光元件间，通过注入及形成具有光反射或吸收特性的树脂，能够降低各个发光元件的发光到达相邻的发光元件上的量。由此，显示装置成为可进行高精细的图像显示。
上述的制造方法，仅是可制造半导体模块105的方法的一个例子。在此说明的各工序是用于使半导体模块105变得容易的工序，构成半导体模块105的制造方法的工序，不限定于这些。
(第十实施方式)
图14是说明本发明的第十实施方式所涉及的半导体模块106的制造方法的图。图15是表示本发明的第十实施方式所涉及的半导体模块106的制造方法的流程图。此外，为了便于说明，关于具有与在上述实施方式已说明的部件相同功能的部件，标注相同符号，并省略其说明。
(半导体模块106的制造方法)
基于图14及图15，针对半导体模块106的制造方法进行说明。图15所示的步骤S410～步骤S440的处理分别是与图3所示的步骤S110～步骤S140相同的处理。另外，图15所示的步骤S460、步骤S480以及步骤S490的处理是与图10所示的步骤S350、步骤S370以及步骤S380相同的处理。
在此，针对在步骤S440的处理后进行的步骤S450、在步骤S460的处理后进行的步骤S470以及在步骤S490的处理后进行的步骤S500、步骤S510的处理进行说明。
如图14的(a)所示，在基底基板11上，经由电极14不仅设置有发光元件15，还设置有金属端子61及绝缘层62。金属端子61用于从外部提供用于驱动形成于基底基板11的驱动电路11a的电力。金属端子61，与已形成于基底基板11的驱动电路11a电连接，且与电极14电连接。
如图14的(b)所示，步骤S440的脱落工序完成后，由树脂164的填充工序，以覆盖基底基板11的上面以及发光元件15的全露出面的方式填充树脂164(步骤S450)。另外，在树脂164的填充工序，电极14、金属端子61以及绝缘层62的整个露出面被树脂164覆盖。
如图14的(c)所示，步骤S450的填充工序完成后，去除树脂164部分，所述树脂164部分是位于与从包含有发光元件15的上面的基底基板11起的高度(水平面)相比的更上方的部分。即，去除树脂164(步骤S470)的一部分(相当于从发光元件15的上面到达树脂164的上面为止的厚度的部分)。由此，由于发光元件15的上面露出，因此在后述的步骤S510的处理中，将发光元件15作为基准，能够进行将树脂164a去除的装置(未图标)与金属端子61的对位。
步骤S470的将树脂164的一部分去除的工序完成后，研磨发光元件15的上面(步骤S480)。由发光元件15的上面被研磨，发光元件15的上面的从基底基板11起的高度变低(发光元件15的厚度通过研磨变薄)。步骤S480的对发光元件15的上面进行研磨的工序完成后，对发光元件15的上面进行清洗(步骤S490)。步骤S490的对发光元件15的上面进行清洗的工序完成后，树脂164成为树脂164a。
如图14的(d)所示，步骤S490的对发光元件15的上面进行清洗的工序完成后，在不同的发光元件15的上部分别配置颜色转换层42、43(步骤S500)。具体而言，在发光元件15的上部配置颜色转换层42，并且在和配置于上部的颜色转换层42的发光元件15相邻的发光元件15的上部上配置颜色转换层43。
如图14的(e)所示，步骤S500的对发光元件15配置颜色转换层42、43的工序完成后，去除位于金属端子61上的树脂164a的部分(步骤S510)。当去除位于金属端子61上的树脂164a的部分时，在金属端子61，形成凹部71。
将在凹部71形成金(Au)凸点而设为外部连接用的电极。
另外，对金属端子61的周围的树脂164a的部分进行去除。具体而言，将位于靠近金属端子61的上面附近更上方的树脂164a的部分进行去除，或将位于比绝缘层62的上面更上方的树脂164a的部分进行去除。进一步地，在露出的金属端子61上进行引线接合、焊接、金(Au)凸点的形成、或连接器的连接。
根据以上所述，由于能够容易地将金属端子61与外部连接，因此能够容易地对半导体模块106提供电力。
半导体模块106可安装在具有电气配线的、聚酰亚胺等的薄膜上、或者可安装在其他基板上。由此，半导体模块106在显示装置的安装变得容易。例如，在聚酰亚胺等的薄膜的一侧设置与半导体模块106连接的连接器，在聚酰亚胺等的薄膜的另一侧设置与显示装置连接的连接器。由于安装有半导体模块106的聚酰亚胺等的薄膜可弯折，因此能够容易地将半导体模块106安装在显示装置。
(关于半导体模块的制造方法)
此外，在上述各实施方式中，不言而喻，在发光元件上形成分离槽的步骤S110、S210、S310、S410与在基底基板形成基板侧电极的步骤S120、S220、S320、S420的工序顺序是相反的。
(总结)
本发明的方式一所涉及的半导体模块1、10、10A～10E、100A～100C、101A、102A、102B、103、104、105中，具备形成有驱动电路的基底基板11和与所述驱动电路电连接多个发光元件15、151a～151d、152，在俯视中，相互邻接的所述发光元件间的距离为20μm以下。
根据上述构成，发光元件间的距离，在俯视中，为0.1μm以上且20μm以下。由此，例如，当使生长衬底脱落时，在激光的照射时到达基底基板的激光的强度低。因此，能够降低伴随着使生长衬底脱落时对基底基板的损伤。因此，在使生长衬底脱落的工序等之中，能够降低对具有使发光元件驱动的驱动电路的基底基板的损伤。
本发明的方式二所涉及的半导体模块10，具备：基底基板11，其形成有驱动电路11a；多个发光元件15，其与所述驱动电路电连接；半导体层，其在相互邻接的所述发光元件间的槽的与所述基底基板相反侧，在俯视中，遮盖所述槽。
根据上述构成，例如，在通过激光的照射而从多个发光元件使生长衬底脱落时，通过半导体层吸收激光，能够抑制对具有驱动电路的基底基板的损伤。进一步地，也能够使半导体模块的生长衬底侧的表面变得更平滑。
本发明的方式三所涉及的半导体模块10A～10D、102B、103、104具备基底基板11及多个发光元件151a～151d、152，所述基底基板11形成有驱动电路，所述多个发光元件151a～151d、152与所述驱动电路电连接，
所述多个发光元件的每一个的与所述基底基板相反侧的表面为凹凸形状。
根据上述构成，通过发光元件中的每一个的与基底基板的相反侧的表面上为凹凸形状，能够使从发光元件的光取出效率提升。由此，在半导体模块中，由于能够使从发光元件的光取出效率提升，因此能够使半导体模块的产品质量提升。
本发明的方式四所涉及的半导体模块100A～100C、102A、102B、103、104具备：基底基板11，其形成有驱动电路11a；多个发光元件15、152，其与所述驱动电路电连接；树脂16、161、161a、161b、162、163，其被填充于相互邻接的所述发光元件间的槽。
根据上述构成，通过在发光元件间的槽填充有树脂，树脂能够保护基底基板。另外，例如，通过将树脂选定为具有反射或吸收激光的功能的材料，从而在生长衬底的脱落工序中，树脂能够反射或吸收激光。由此，能够降低对基底基板的损伤。
本发明的方式五所涉及的半导体模块101A，包含：基底基板11，其形成有驱动电路11a；多个发光元件15，其与所述驱动电路电连接；遮光性部材31或光反射性部件，其在相互邻接的所述发光元件间的槽的所述基底基板侧，在俯视中，遮盖所述槽。
根据上述构成，在俯视中，遮光性部材或光反射性部件遮盖槽。由此，在生长衬底的脱落工序中，由遮光性部材反射或吸收激光来减少通过发光元件间的激光。由此，由于能够降低对基底基板的损伤，因此能够使半导体模块的产品质量提升。
本发明的方式六所涉及的半导体模块102A、102B、103、104中，在上述方式四中，所述树脂161a、161b、162、163的与所述基底基板11相反侧的表面也可以为凹凸形状。
本发明的方式七所涉及的半导体模块103、104，在上述方式一至六的任意一个方式中，也可以具备配置在所述多个发光元件152中的每一个的上部的多个颜色转换层42、43。
根据上述构成，在多个发光元件中的每一个的上部配置多个颜色转换层。由此，由从发光元件射出的光通过颜色转换层，例如，当使用各种种类的颜色转换层时，能够从多个颜色转换层射出各种颜色的光。
本发明的方式八所涉及的显示装置，也可以在上述方式一至七的任意一个方式中，包含所述半导体模块1、10、10A～10E、100A～100C、101A、102A、102B、103、104。
本发明的方式九所涉及的半导体模块的制造方法，包含从生长在生长衬底上的半导体层上形成多个发光元件的工序，以及从所述多个发光元件通过激光照射而使所述生长衬底脱落的工序，形成所述多个发光元件的工序中，包含在所述激光照射时使朝向基底基板的激光通过的、相互邻接的所述发光元件间的距离，形成为在俯视中为0.1μm以上且20μm以下的工序，所述多个发光元件，与形成于所述基底基板的驱动电路电连接。
根据上述构成，达到与上述方式一相同的效果。
本发明的方式十所涉及的半导体模块的制造方法中，在上述方式九中，形成所述多个发光元件的工序，还包含以下工序：在所述激光照射时使朝向所述基底基板的激光通过的、相互邻接的所述发光元件间的空间的所述生长衬底侧，在俯视中，以遮盖所述空间的方式，使厚度为0.1μm以上且3μm以下的所述半导体层残存；所述半导体层也可以为氮化物半导体层。
根据上述构成，达到与上述方式二相同的效果。
本发明的方式十一所涉及的半导体模块的制造方法，也可以在上述方式九或十中，使所述生长衬底脱落的工序包含有在所述多个发光元件中的每一个的所述生长衬底侧的表面形成凹凸形状的工序。
根据上述构成，达到与上述方式三相同的效果。
本发明的方式十二所涉及的半导体模块的制造方法，也可以在上述方式九或十中，还包含有在相互邻接的所述发光元件间的槽填充树脂的工序。
根据上述构成，达到与上述方式四相同的效果。
本发明的方式十三所涉及的半导体模块的制造方法，也可以在上述方式十二中，在填充所述树脂的工序中，以覆盖所述基底基板的上面以及所述发光元件的整个露出面的方式填充所述树脂。
根据上述构成，通过由树脂覆盖基底基板的上面以及发光元件的整个露出面，例如，在将树脂的上面平坦化、并且由发光元件的脱落面进行研磨的研磨工序中变得容易形成平坦的表面。通过形成平坦的表面使得涂布颜色转换层变得容易。
本发明的方式十四所涉及的半导体模块的制造方法，也可以在上述方式十二中，使所述生长衬底脱落的工序包含有在所述树脂的所述生长衬底侧的表面形成凹凸形状的工序。
本发明的方式十五所涉及的半导体模块的制造方法，也可以在上述方式十二或十三中，还包含对所述发光元件的脱落面进行研磨的工序。
根据上述构成，通过在生长衬底的脱落后对发光元件的脱落面进行研磨的工序，能够使得残渣不残留在发光元件的脱落面。因此，能够使发光元件的光取出效率提升。另外，例如，在发光元件上形成颜色转换层的情况下，能够在不残留残渣的平面上涂布颜色转换层或进行图案化。因此，在制造具有颜色转换层的半导体模块时，能够使半导体模块的产品质量提升。
本发明的方式十六所涉及的半导体模块的制造方法，也可以在上述方式十五中，还包含有在对所述发光元件的脱落面进行研磨后，对所述发光元件的脱落面进行清洗的工序。
根据上述构成，通过对发光元件的脱落面进行研磨后，对发光元件的脱落面进行清洗的工序，而能够使得残渣不残留在发光元件的脱落面。因此，能够使发光元件的光取出效率提升。另外，例如，在发光元件上形成颜色转换层的情况下，能够在不残留残渣的平面上涂布颜色转换层或进行图案化。因此，在制造具有颜色转换层的半导体模块的情况时，能够使半导体模块的产品质量提升。
本发明的方式十七所涉及的显示装置，也可以具备使用了上述方式九至十六的任意一个方式中所述半导体模块的制造方法来制造出的半导体模块。
本发明不限定于上述的各实施方式，可在请求项所示的范围内进行各种变更，且关于适宜组合不同实施方式中所分别公开的技术性方法而获得的实施方式，也包含于本发明的技术性范围内。进一步地，能够通过组合各实施方式中所分别公开的技术性方法，形成新的技术性特征。
附图标记说明
1、10、10A、10B、10C、10D、10E、100A、100B、100C、101A、102A、102B、103、104、105、106 半导体模块
11 基底基板
11a 驱动电路
12 金属配线
13、62 绝缘层
14 电极
15、151a、151b、151c、151d、151e、152 发光元件
16、161、161a、161b、162、164、164a 树脂
16a 液状树脂
18、181a、181b、181c、181d、181e、182、183a、183b 生长衬底
19 分离槽
21 GaN膜
22a、22b、22c、22d、22e、221 凸部
23a、23b、23c、23d、32、71、231 凹部
31 遮光性部材
41 透光性树脂
42、43 颜色转换层
51、52 吸光层
61 金属端子
141 基板侧电极
142 发光元件侧电极
151 光出射面
153a 蓝色发光元件
153b 绿色发光元件
153c 红色发光元件

Claims (15)

1.一种半导体模块，其特征在于，
具备：
形成有驱动电路的基底基板；
与所述驱动电路电连接多个发光元件；
绝缘层，其形成在除了端子部及电极部之外的所述驱动电路的最表面；以及
树脂，其在相互邻接的所述发光元件间的槽的所述基底基板侧，在俯视中，填充所述槽，
在俯视中，相互邻接的所述发光元件间的距离为20μm以下，
在所述槽中，在所述绝缘层上的至少一部分形成有所述树脂。
2.一种半导体模块，其特征在于，具备：
基底基板，其形成有驱动电路；
多个发光元件，其与所述驱动电路电连接；
绝缘层，其形成在除了端子部及电极部之外的所述驱动电路的最表面；
树脂，其在相互邻接的所述发光元件间的槽的所述基底基板侧，在俯视中，填充所述槽；以及
半导体层，其在相互邻接的所述发光元件间的所述槽的与所述基底基板相反侧，在俯视中，遮盖所述槽，
在所述槽中，在所述绝缘层上的至少一部分形成有所述树脂。
3.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其特征在于，
所述多个发光元件的每一个的与所述基底基板相反侧的表面为凹凸形状。
4.根据权利要求1或2所述的半导体模块，其特征在于，
所述树脂是遮光性部材或光反射性部件，其在俯视中，遮盖所述槽。
5.如权利要求1或2所述的半导体模块，其特征在于，所述树脂的与所述基底基板相反侧的表面为凹凸形状。
6.如权利要求1或2所述的半导体模块，其特征在于，具备配置在所述多个发光元件的每一个的上部的多个颜色转换层。
7.一种显示装置，其特征在于，具备权利要求1或2所述的半导体模块。
8.一种半导体模块的制造方法，其特征在于，包含：
从生长在生长衬底上的半导体层上形成多个发光元件的工序；
从所述多个发光元件通过激光照射而使所述生长衬底脱落的工序；以及
在相互邻接的所述发光元件间的槽的基底基板侧，在俯视中，向所述槽填充树脂的工序，
形成所述多个发光元件的工序中，包含在所述激光照射时使朝向基底基板的激光通过的、相互邻接的所述发光元件间的距离，形成为在俯视中为0.1μm以上且20μm以下的工序，
所述多个发光元件与形成于所述基底基板的驱动电路电连接,
在除了端子部及电极部之外的所述驱动电路的最表面形成有绝缘层，
在所述槽中，在所述绝缘层上的至少一部分形成有所述树脂。
9.如权利要求8所述的半导体模块的制造方法，其特征在于，形成所述多个发光元件的工序还包含以下工序：在所述激光照射时使朝向所述基底基板的激光通过的、相互邻接的所述发光元件间的空间的所述生长衬底侧，在俯视中，以遮盖所述空间的方式，使厚度为0.1μm以上且3μm以下的所述半导体层残存，
所述半导体层为氮化物半导体层。
10.如权利要求8所述的半导体模块的制造方法，其特征在于，使所述生长衬底脱落的工序包含有在所述多个发光元件的每一个的所述生长衬底侧的表面形成凹凸形状的工序。
11.如权利要求8所述的半导体模块的制造方法，其特征在于，还包含在相互邻接的所述发光元件间的槽填充树脂的工序。
12.如权利要求11所述的半导体模块的制造方法，其特征在于，在填充所述树脂的工序中，以覆盖所述基底基板的上面以及所述发光元件的整个露出面的方式填充所述树脂。
13.如权利要求11所述的半导体模块的制造方法，其特征在于，使所述生长衬底脱落的工序包含有在所述树脂的所述生长衬底侧的表面形成凹凸形状的工序。
14.如权利要求11所述的半导体模块的制造方法，其特征在于，还包含对所述发光元件的脱落面进行研磨的工序。
15.如权利要求14所述的半导体模块的制造方法，其特征在于，还包含有在对所述发光元件的脱落面进行研磨后，对所述发光元件的脱落面进行清洗的工序。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200062762A (ko) * 2018-11-27 2020-06-04 삼성전자주식회사 마이크로 광원 어레이, 이를 포함한 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법
JP7243330B2 (ja) * 2019-03-15 2023-03-22 市光工業株式会社 発光素子及び車両用灯具、並びに発光素子の製造方法
JP7269196B2 (ja) * 2019-04-30 2023-05-08 シャープ株式会社 光源装置および発光装置
JP6964725B2 (ja) * 2019-08-07 2021-11-10 シャープ福山セミコンダクター株式会社 画像表示素子
EP4033529A4 (en) 2019-09-18 2023-10-25 Quanzhou Sanan Semiconductor Technology Co., Ltd. LIGHT-EMITTING DIODE PACKAGING ASSEMBLY
US11038088B2 (en) 2019-10-14 2021-06-15 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode package
TWI770813B (zh) * 2021-02-08 2022-07-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
TWI776654B (zh) * 2021-08-24 2022-09-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
CN114551656B (zh) * 2022-01-28 2022-11-22 福建兆元光电有限公司 一种彩色Micro LED显示芯片模组的制造方法
CN114446177B (zh) * 2022-02-15 2022-09-13 珠海华萃科技有限公司 一种软膜显示屏、显示器及显示屏制造工艺
JP2024017711A (ja) * 2022-07-28 2024-02-08 デクセリアルズ株式会社 発光装置の製造方法及び黒色転写フィルム

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004014447A (ja) * 2002-06-11 2004-01-15 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
CN1672271A (zh) * 2002-08-01 2005-09-21 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件及其制造方法、使用此的发光装置
WO2006054616A1 (en) * 2004-11-22 2006-05-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting device, light-emitting module, display unit, lighting unit and method for manufacturing light-emitting device
CN101485001A (zh) * 2006-05-01 2009-07-15 三菱化学株式会社 集成型半导体发光装置及其制造方法
CN101512783A (zh) * 2006-05-02 2009-08-19 三菱化学株式会社 半导体发光元件
CN102208512A (zh) * 2010-03-24 2011-10-05 日立电线株式会社 发光二极管
CN102270710A (zh) * 2010-06-07 2011-12-07 株式会社东芝 半导体发光装置的制造方法
CN102694113A (zh) * 2011-03-23 2012-09-26 株式会社东芝 半导体发光器件及其制造方法
CN102709451A (zh) * 2011-03-28 2012-10-03 日东电工株式会社 发光二极管装置及其制造方法
CN102723410A (zh) * 2011-03-28 2012-10-10 日东电工株式会社 发光二极管装置的制造方法及发光二极管元件
WO2013137356A1 (ja) * 2012-03-13 2013-09-19 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
WO2014030830A1 (en) * 2012-08-21 2014-02-27 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
CN103682038A (zh) * 2012-08-31 2014-03-26 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
KR101521939B1 (ko) * 2013-12-17 2015-05-20 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
CN104704634A (zh) * 2012-10-04 2015-06-10 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造发光二极管显示器的方法和发光二极管显示器
CN105221954A (zh) * 2014-06-27 2016-01-06 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP2017059790A (ja) * 2015-09-18 2017-03-23 東芝ライテック株式会社 発光モジュール

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5621225A (en) * 1996-01-18 1997-04-15 Motorola Light emitting diode display package
EP2023411A1 (en) * 2006-05-01 2009-02-11 Mitsubishi Chemical Corporation Integrated semiconductor light-emitting device and its manufacturing method
US8242484B2 (en) 2006-10-18 2012-08-14 Nitek, Inc. Vertical deep ultraviolet light emitting diodes
KR100867541B1 (ko) * 2006-11-14 2008-11-06 삼성전기주식회사 수직형 발광 소자의 제조 방법
JP2008262993A (ja) * 2007-04-10 2008-10-30 Nikon Corp 表示装置
US8557616B2 (en) * 2009-12-09 2013-10-15 Nano And Advanced Materials Institute Limited Method for manufacturing a monolithic LED micro-display on an active matrix panel using flip-chip technology and display apparatus having the monolithic LED micro-display
US8912033B2 (en) 2010-10-08 2014-12-16 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Dicing-free LED fabrication
CN102270633B (zh) * 2011-07-29 2013-11-20 贵州大学 大功率倒装阵列led芯片及其制造方法
JP5673581B2 (ja) * 2012-02-24 2015-02-18 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、ランプ、並びに、レチクル
TWI455665B (zh) * 2012-11-05 2014-10-01 Ritedia Corp 覆晶式發光二極體封裝模組及其製法
CN102969422B (zh) * 2012-12-17 2015-03-04 中国科学院半导体研究所 高出光率倒装结构led的制作方法
TWM461880U (zh) * 2013-04-12 2013-09-11 Ritedia Corp 覆晶式發光二極體
EP3114899B1 (en) * 2014-03-05 2021-04-28 LG Electronics Inc. Method of fabricating a display device using semiconductor light emitting device
US9831387B2 (en) * 2014-06-14 2017-11-28 Hiphoton Co., Ltd. Light engine array
DE102015107588B4 (de) 2015-05-13 2023-08-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente und oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement
JP6612565B2 (ja) * 2015-09-11 2019-11-27 アルパッド株式会社 ディスプレイパネル、表示装置およびディスプレイパネルの製造方法
US11114423B2 (en) * 2015-12-01 2021-09-07 Sharp Kabushiki Kaisha Image-forming element
US10121710B2 (en) * 2016-06-14 2018-11-06 Innolux Corporation Methods for manufacturing a display device
KR20180023102A (ko) * 2016-08-23 2018-03-07 삼성디스플레이 주식회사 와이어 그리드 패턴 및 이의 제조방법

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004014447A (ja) * 2002-06-11 2004-01-15 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
CN1672271A (zh) * 2002-08-01 2005-09-21 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件及其制造方法、使用此的发光装置
WO2006054616A1 (en) * 2004-11-22 2006-05-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting device, light-emitting module, display unit, lighting unit and method for manufacturing light-emitting device
TW200637033A (en) * 2004-11-22 2006-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting device, light-emitting module, display unit, lighting unit and method for manufacturing light-emitting device
CN101485001A (zh) * 2006-05-01 2009-07-15 三菱化学株式会社 集成型半导体发光装置及其制造方法
CN101512783A (zh) * 2006-05-02 2009-08-19 三菱化学株式会社 半导体发光元件
CN102208512A (zh) * 2010-03-24 2011-10-05 日立电线株式会社 发光二极管
CN102270710A (zh) * 2010-06-07 2011-12-07 株式会社东芝 半导体发光装置的制造方法
CN102694113A (zh) * 2011-03-23 2012-09-26 株式会社东芝 半导体发光器件及其制造方法
CN102709451A (zh) * 2011-03-28 2012-10-03 日东电工株式会社 发光二极管装置及其制造方法
CN102723410A (zh) * 2011-03-28 2012-10-10 日东电工株式会社 发光二极管装置的制造方法及发光二极管元件
CN105470372A (zh) * 2011-03-28 2016-04-06 日东电工株式会社 发光二极管装置的制造方法及发光二极管元件
WO2013137356A1 (ja) * 2012-03-13 2013-09-19 シチズンホールディングス株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
WO2014030830A1 (en) * 2012-08-21 2014-02-27 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
CN103682038A (zh) * 2012-08-31 2014-03-26 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN104704634A (zh) * 2012-10-04 2015-06-10 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造发光二极管显示器的方法和发光二极管显示器
KR101521939B1 (ko) * 2013-12-17 2015-05-20 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
CN105221954A (zh) * 2014-06-27 2016-01-06 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP2017059790A (ja) * 2015-09-18 2017-03-23 東芝ライテック株式会社 発光モジュール

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