CZ2005342A3 - Slitinové kompozice s nízkým obsahem kyslíku - Google Patents

Slitinové kompozice s nízkým obsahem kyslíku Download PDF

Info

Publication number
CZ2005342A3
CZ2005342A3 CZ20050342A CZ2005342A CZ2005342A3 CZ 2005342 A3 CZ2005342 A3 CZ 2005342A3 CZ 20050342 A CZ20050342 A CZ 20050342A CZ 2005342 A CZ2005342 A CZ 2005342A CZ 2005342 A3 CZ2005342 A3 CZ 2005342A3
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
ppm
alloy composition
less
alloy compositions
alloy
Prior art date
Application number
CZ20050342A
Other languages
English (en)
Inventor
Ziani@Abdelouahab
Apprill@Jon
Furgason@David
Original Assignee
Heraeus, Inc.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus, Inc. filed Critical Heraeus, Inc.
Publication of CZ2005342A3 publication Critical patent/CZ2005342A3/cs

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C18/00—Alloys based on zinc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
    • C22C19/005—Alloys based on nickel or cobalt with Manganese as the next major constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
    • C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C22/00—Alloys based on manganese
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C28/00—Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/04—Alloys based on a platinum group metal

Abstract

Slitinové kompozice zahrnují slitiny Mn, kde kompozice obsahuje 30 az 50% atomových Mn a kde je Mnkombinován s jedním prvkem vybraným z Ga, In, Ni a Zn. Dále jsou v techto slitinových kompozicích zahrnuty slitiny Fe a slitiny Co, u nichz Fe nebo Co jsou kombinovány bud s Pt, nebo s Pd. Slitinové kompozice tvorí slouceniny s usporádanou strukturou mající krystalovou strukturu typu L1.sub.0 .n.nebo L1.sub.2.n.. Slitinové kompozice mají nízký obsah necistot jako je kyslík a síra, coz zajistuje jejich lepsí úcinek pri pouzití jako magnetické pameti. Slitinové kompozice se s výhodou tvarují do rozprasovacích elektrod pouzívaných u aplikací na bázi tenkých filmu.

Description

Oblast techniky [0001] Vynález se týká slitinových kompozic s nízkým obsahem kyslíku, a to konkrétně těch slitinových kompozic, které mají magnetické vlastnosti použitelné u magnetických paměťových médií.
Dosavadní stav techniky [0002] Předpokládá se, že Pro budoucí generace vertikálního magnetického záznamu a pro paměti mobilních telefonů se předpokládá, že klíčovými technoligiemi budou magnetorezistivní (MR) hlavy a magnetické paměti s náhodným přístupem - Magnetic Random Access Memory (MRAM). Neustále se hledají nové materiály, které by umožnily zvýšení hustoty paměťové plochy a snížení velikosti paměťových čipů. Tyto materiály musí vykazovat speciální magnetické vlastnosti nezbytné pro použití u těchto technologií a zároneň musí mít i vysokou čistotu.
[0003] U materiálů na bázi tenkých filmů používaných jako magnetické paměti pro ukládání dat a u MRAM aplikací hraje významnou roli čistota materiálu. Například přítomnost nečistot, jako je kyslík, dusík, síra a alkalické ionty, pozměňuje mřížkovou strukturu materiálu na bázi tenkých filmů, přičemž těmito nečistotami se nahrazují atomy v mřížce. Tento účinek na strukturní uspořádání materiálu zhoršuje magnetické vlastnosti materiálu a tím i jejich použitelnost u magnetických pamětí. Navíc přítomnost nečistot jako je kyslík může vytvářet krátké difuzní cesty skrz materiál na bázi tenkých filmů do magnetických vrstev. Vyvstává tedy potřeba najít a vyvinout materiály na bázi tenkých filmů mající specifické magnetické vlastnosti stejně jako vysokou úroveň čistoty.
Podstata vynálezu [0004] Tento vynález zahrnuje řadu slitinových kompozic majících ·· ···· • · · • · · · · ♦ · • · ···· ·« • · · · magnetické vlastnosti vhodné pro použiti u magnetických paměťových médii. Slitinové kompozice tvoři sloučeniny s uspořádanou strukturou mající krystalovou strukturu typu Ll0 nebo Ll2, přičemž jejich složení spadá do nárokovaného rozsahu. Navíc slitinové kompozice podle vynálezu mají nízkou hladinu nečistot, jako je kyslík a síra, což zajišťuje jejich lepší účinek při použití jako magnetické paměti. Slitinové kompozice se s výhodou tvarují do rozprašovacích elektrod používaných u aplikací na bázi tenkých filmů.
[0005] Slitinové kompozice podle vynálezu zahrnují slitiny Mn, u nichž je Mn kombinován s jedním prvkem vybraným z Ga, In, Ni a Zn. V těchto slitinových kompozicích jsou rovněž zahrnuty slitiny Fe a slitiny Co, u nichž Fe nebo Co jsou kombinovány s buď Pt nebo Pd.
[0006] Obsah kyslíku v slitinových kompozicích podle vynálezu je 500 ppm nebo méně a s výhodou 100 ppm nebo méně. Navíc obsah síry v slitinových kompozicích je 100 ppm nebo méně a s výhodou 50 ppm nebo méně.
[0007] Výše uvedená podstata vynálezu byla popsána tak, aby povaha vynálezu byla rychle seznatelná. Podrobnější pochopení vynálezu lze získat z následujícího podrobného popisu vynálezu.
Přehled obrázků na výkresech
[0008] Obrázek 1 představuje optický mikrosnímek slitiny Ni40Mn,
v at.%, v odlitém stavu.
[0009] Obrázek 2 představuje optický mikrosnímek slitiny Ni30Mn,
v at.%, v odlitém stavu.
[0010] Obrázek 3 představuj e SEM mikrosnímek slitiny In50Mn,
v at.%, v odlitém stavu.
[0011] Obrázek 4 představuje optický mikrosnímek slitiny Fe45Pt,
v at.%, s uspořádanou strukturou v odlitém stavu.
Podrobný popis příkladů provedení [0012] Vynálezci identifikovali a vyvinuli řadu slitinových • ·
·· ···· kompozic, které vykazují výhodné magnetické vlastnosti a mají nízkou úroveň nečistot. Slitinové kompozice podle vynálezu tvoří sloučeniny s uspořádanou strukturou mající krystalovou strukturu typu Ll0 nebo Ll2. Navíc je v těchto slitinových kompozicích významně snížen obsah kyslíku a síry.
[0013] Tabulka 1 shrnuje významné údaje o složení a struktuře slitinových kompozic podle tohoto vynálezu. Konkrétně tabulka 1 obsahuje symbol uspořádané fáze, označení struktury, rozmezí složení, v němž předmětná fáze existuje, a rozmezí složení, v němž by mohla předmětná fáze koexistovat s jinými typy fází. Symboly fází použité v tabulce 1 byly převzaty z fázových diagramů obsažených v Binary Phase Diagramns, 2nd Edition (Thaddeus B. Massalski, ed.).
TABULKA 1
slitinový systém X-Y symbol uspořádané fáze označení struktury složení at. % Y rozmezí složení at.% Y
Mn-Ga Ϊ3 Ll0 55-63 50-70
Mn-In InMn3 Llo nebo Ll2 75 50-85
Mn-Ni ή Ll0 47-55,5 44-60
Ni-Mn 7 Ll2 15-29 10-30
Zn-Mn Oí li2 25-31 20-40
Zn-Mn Oíi' Ll0 25-30 20-40
Fe-Pt Fe3Pt Llz 16-33 16-35
Fe-Pt FePt Ll0 35-55 35-59
Fe-Pt FePt3 Ll2 57-79 57-83
Fe-Pd FePd(a) Llo 48,5-60 30-63
Fe-Pd FePd3 (b) li2 63-86 60-88
Co-Pt CoPt(a) Llo 42-74 40-76
Co-Pt CoPt3(b) Ll2 75-88 75-90
Co-Pd a' Llo 48-52 30-58
Co-Pd a Llz 60-90 58-94
• · · · · · [0014] První skupina slitin uvedená v tabulce 1 představuje slitiny Mn, které vykazují krystalovou strukturu Ll0 nebo Ll2. Tyto slitiny Mn vykazují antiferomagnetické vlastnosti žádoucí pro materiály na bázi tenkých filmů požívané pro magnetické paměti pro ukládání dat a MRAM aplikace. Konkrétně tyto slitiny Mn jsou v popředí zájmu pro použití u anizotropických magnetorezistivních (AMR) senzorů a velkých magnetorezistivních (GMR) senzorů s otočnými ventily, používaných u záznamů o vysoké hustotě. Tyto slitiny Mn jsou v popředí zájmu rovněž i z toho důvodu, že ty složky slitiny, které jsou používány spolu s Mn, jsou levnější než materiály k tomuto účelu známé z dosavadního stavu techniky, jako je Pt, Pd, Ir nebo Rh. Níže uvedený příklad 1 popisuje slitiny Μη-Ni a příklad 2 slitinu Mn-In podle tohoto vynálezu.
[0015] Příklad 1: Byla provedena série tří tavících testů Ni-Mn. Složky vsázky, která má být tavena, jsou pro všechny testy uvedeny níže v tabulce 2. Vsázka, která má být tavena, byla připravena s použitím granulí Ni o čistotě 99, 95 % a vloček Mn o čistotě 99,9 %.
TABULKA 2
složení taveniny první tavící druhý taviči třetí tavící
test Ni-Mn test Ni-Mn test Ni-Mn
vsázka Ni (g) 630, 0 6477,5 4886,0
vsázka Mn (g) 870, 0 3583,1 2094,0
vsázka CaSi2 (g) 13, 1 60,0 20, 0
vsázka Ce (g) 7,9 77, 4 žádná
[0016] Při prvním tavícím testu se slitina nechala ztuhnout do tvaru ingotu přímo v kelímku z MgO. U druhého a třetího tavícího testu byly slitiny roztaveny a odlity do grafitové formy. Grafitové formy byly skropeny BN a předehřátý na 500 °F v oddělené pecí a poté byly umístěny do komory VIM jednotky.
·· ···’ » · · » · · · · • · • · <
U všech tří tavících testů byla před vlastním tavením komora VIM jednotky evakuována na asi 0,05 mbar.
[0017] U všech tří testů bylo tavení provedeno přiváděním výkonu 5 kW do VIM jednotky po dobu 20 minut a poté byl výkon každých 5 minut zvednut o 5 kW po dobu dalších 20 minut. Jakmile se Mn vločky začaly tavit, byla komora VIM jednotky při prvním testu opět naplněna argonem na tlak asi 40 mbar. U druhého a třetího testu byla komora VIM jednotky následně opět naplněna argonem na 500 mbar v 25. minutě testu a potom na 700 mbar v 37. minutě testu.
[0018] Z hmoty ingotů byly připraveny vzorky slitin pro analýzu chemického složení. Podrobným prozkoumáním kelímku z MgO a grafitových forem poté, co byly ingoty vyjmuty, nebyly zjištěny patrné známky eroze. Obrázky 1 a 2 představují optické mikrosnímky znázorňující mikrostrukturu slitiny Ni40Mn, v at.%, v odlitém stavu a slitiny Ni30Mn, v at.%, v odlitém stavu. Výsledky chemických analýz vzorků slitin z těchto tří tavících testů jsou uvedeny níže v tabulce 3.
TABULKA 3
Si ppm Ca ppm Ce ppm Mg ppm Na ppm K ppm O ppm C ppm N ppm S ppm Mn hm. %
první taviči test 4979 166 52 35 / / 10 170 37 36 57,94
druhý taviči test 655 3 49 78 18 0 20 139 28 10 32,28
třetí taviči test 240 / 43 0 / 1 64 98 62 15 28, 61
[0019] Jak je uvedeno v tabulce 3, všechny tyto tři roztavené slitiny byly dostatečně deoxidovány, neboť u žádné z nich obsah
·· ··♦· • · · ··· kyslíku nepřesáhl hranici 100 ppm. Ze srovnání obsahu kyslíku u prvního a druhého tavícího testu s obsahem kyslíku u třetího tavícího testu vyplývá, že k deoxidaci slitinových kompozic přispívá rovněž Ce. Dále vzhledem k tomu, že ve vločkách Mn byl naměřen obsah síry kolem 300 ppm, signalizují údaje uvedené v tabulce 3, že CaSi2 hraje roli rovněž i při desulfurizaci slitinových tavenin. Symbol I v tabulce 3 znamená, že pro ten který prvek nebyla provedena žádná měření, a symbol 0 znamená, že příslušný prvek nebyl detekován.
[0020] Příklad 2: Byl proveden tavící test s použitím 2427 gramů vloček Mn o čistotě 99,9 % a 5073 gramů tyčinek In o čistotě 99,9 °ů . K Mn a In jako základním složkám bylo přidáno 25 gramů CaSi2 a 10 gramů Ce jako deoxidanty. Tato vsázka byla předehřátá na 500 °F za částečného vakua 0,07 mbar v kelímku z MgO uvnitř komory VIM jednotky. Komora VIM jednotky byla poté opět naplněna argonem na 500 mbar a vsázka byla tavena přiváděním výkonu 5 kw do VIM jednotky po dobu 20 minut, přičemž po dobu dalších 20 minut byl výkon zvýšen každých 5 minut o 5 kW. Roztavená vsázka byla poté odlita do grafitové formy.
[0021] Obrázek 3 představuje SEM mikrosnímek znázorňující mikrostrukturu slitiny In50Mn, v at.%, v odlitém stavu. Mikrostruktura zobrazená na tomto mikrosnímku je tvořena třemi fázemi: lehkou matricí z india, pevným roztokem (Ιη,Μη) znázorněným jako světle šedá fáze a sloučeninou InMn3 znázorněnou jako tmavě šedá zrna. Černé skvrny na mikrosnímku jsou póry. Bylo analyzováno chemické složení materiálu v odlitém stavu a výsledky jsou uvedeny níže v tabulce 4.
TABULKA 4
Si ppm Cu ppm Al ppm Ni ppm Fe ppm 0 ppm C ppm N ppm S ppm Mn at.%
15 2 10 6 23 40 62 19 ' 33 50,7
[0022] Ve slitinách popsaných v tabulce 1 jsou zahrnuty i slitiny Fe a Co. V těchto slitinách jsou Fe nebo Co v kombinaci buď s Pt • φ φφ φφ » φ · φ φ ♦ φ φφ ·♦·· nebo s Pd a tvoří tak slitinové kompozice. Tyto slitinové kompozice jsou zajímavé pro budoucí generace záznamových médií používajících vertikální záznamovou technologii, u nichž se očekává, že dosáhnou kapacitu 200 GB nebo více. Tyto slitinové kompozice jsou v popředí obzvláštního zájmu u vytváření tvrdých magnetických vrstev, u nichž lze dosáhnout vysoké hodnoty anizotropické konstanty (Κμ> 107 J.m'1) . Níže uvedený příklad 3 popisuje jeden příklad slitinové kompozice Fe-Pt.
[0023] Příklad 3: Byl proveden taviči test s použitím 13,500 kg zrn Pt o čistotě 99,9 % a 4, 724 kg elektrolytických vloček Fe o čistotě 99,97 %. Do vsázky bylo pro deoxidaci přidáno 91 g (~0,50 hm.%) CaSi2. Vsázka byla vložena do kelímku z oxidu hořečnatého, a to tak, aby se střídaly vrstvy Pt a Fe, přičemž mezi těmito vrstvami byl rovnoměrně rozložen CaSi2. Komora VIM jednotky byla utěsněna a vakuována na počáteční úroveň 0,07 mbar. Komora byla poté opět naplněna argonem a během tavení a odlévání byla udržována na tlaku 500 mbar. Tavení bylo prováděno přiváděním výkonu 5 kW do VIM jednotky po dobu 20 minut a poté zvýšením výkonu o 5 kw každých 5 minut po dobu dalších 20 minut. Forma byla provedena jako grafitová skořepina o šířce 8,00, délce 15,00 a tloušťce 0,60.
[0024] Obrázek 4 představuje optický mikrosnímek znázorňující mikrostrukturu slitiny Fe45Pt, v at.%, v odlitém stavu. Tato mikrostruktura je tvořena silně zdvojenými zrny jednofázové slitiny FePt popsané v tabulce 1 výše. Zdvojená zrna přispívají k mřížkové deformaci během transformace (yFe,Pt) fcc pevného roztoku na tetragonální FePt při 1300 °C. Bylo analyzováno chemické složení materiálu v odlitém stavu, výsledky analýz jsou uvedeny níže v tabulce 5.
TABULKA 5
Al ppm Cu ppm Ni ppm Si ppm Ta ppm Au ppm Re ppm 0 ppm c ppm N PPm S PPm Fe hm. %
<5 <5 <5 90 23 200 515 34 27 4 10 25, 77
• · * · popsat
Tyto ·« »· • · · · • · · • · · · • · · • · ·· · · [0025] Výše uvedené příklady byly uvedeny se záměrem příklady slitinových kompozic podle tohoto vynálezu příklady vynález ani jeho rozsah nijak neomezují, přičemž podstatu vynálezu je třeba odvozovat z nároků definovaných níže. [0026] V předchozím textu byla popsána provedení, která jsou považována za nej lepší, jakož i provedení jiná. Je zřejmé, že lze provést různé modifikace těchto příkladů a že skutečnosti v příkladech uvedené mohou být implementovány do různých provedení a příkladů a že mohou být použity v mnoha aplikacích, z nichž byly popsány jen některé.

Claims (44)

  1. PATENTOVÉ NÁROKY
    1. Slitinová kompozice zahrnující 50-30 at.% Mn a 50-70 at.% Ga, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 500 ppm nebo méně O a 100 ppm. nebo méně S.
  2. 2. Slitinová kompozice podle nároku 1, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice zahrnuje 45-37 at.% Mn a 55-63 at.% Ga.
  3. 3. Slitinová kompozice podle nároku 1, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 100 ppm nebo méně O a 50 ppm nebo méně S.
  4. 4. Slitinová kompozice zahrnující 50-15 at.% Mn a 50-85 at.% In, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 500 ppm nebo méně O a 100 ppm nebo méně S.
  5. 5. Slitinová kompozice podle nároku 4, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice zahrnuje 25 at.% Mn a 75 at.% In.
  6. 6. Slitinová kompozice podle nároku 4, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 100 ppm nebo méně 0 a 50 ppm nebo méně S.
  7. 7. Slitinová kompozice zahrnující 56-40 at.% Mn a 44-60 at.% Ni, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 500 ppm nebo méně O a 100 ppm nebo méně S.
  8. 8. Slitinová kompozice podle nároku 7, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice zahrnuje 53-44,5 at.% Mn a 4755,5 at.% Ni.
    • · « · ·· ··«· • · • · • · ·· ·· • · · ··· ·· ···
  9. 9. Slitinová kompozice podle nároku 7, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 100 ppm nebo méně O a 50 ppm nebo méně S.
  10. 10. Slitinová kompozice zahrnující 90-70 at.% Ni a 10-30 at.% Mn, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 500 ppm nebo méně O a 100 ppm nebo méně S.
  11. 11. Slitinová kompozice podle nároku 10, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice zahrnuje 85-71 at.% Ni a 15-29 at.% Mn.
  12. 12. Slitinová kompozice podle nároku 10, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 100 ppm nebo méně O a 50 ppm nebo méně S.
  13. 13. Slitinová kompozice zahrnující 80-60 at.% Zn a 20-40 at.% Mn, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 500 ppm nebo méně O a 100 ppm nebo méně S.
  14. 14. Slitinová kompozice podle nároku 13, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice zahrnuje 75-69 at.% Zn a 25-31 at.% Mn.
  15. 15. Slitinová kompozice podle nároku 13, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice zahrnuje 75-70 at.% Zn a 25-30 at.% Mn.
  16. 16. Slitinová kompozice podle nároku 13, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 100 ppm nebo méně O a 50 ppm nebo méně S.
  17. 17. Slitinová kompozice zahrnující 84-65 at.% Fe a 16-35 at.% Pt, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 500 ppm nebo méně O a 100 ppm nebo méně S.
    ·· ·· • · ·· ·*··
  18. 18. Slitinová kompozice podle nároku 17, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice zahrnuje 84-67 at.% Fe a 16-33 at
    o.
    o
    Pt
  19. 19. Slitinová kompozice podle nároku 17, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 100 ppm nebo méně O a 50 ppm nebo méně S.
  20. 20. Slitinová kompozice zahrnující 65-41 at.% Fe a 35-59 at.% Pt, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 500 ppm nebo méně 0 a 100 ppm nebo méně S.
  21. 21. Slitinová kompozice podle nároku 20, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice zahrnuje 65-45 at.% Fe a 35-55 at.% Pt
  22. 22. Slitinová kompozice podle nároku 20, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 100 ppm nebo méně O a 50 ppm nebo méně S.
  23. 23. Slitinová kompozice zahrnující 43-17 at.% Fe a 57-83 at.% Pt, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 500 ppm nebo méně O a 100 ppm nebo méně S.
  24. 24. Slitinová kompozice podle nároku 23, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice zahrnuje 43-21 at.% Fe a 57-79 at.% Pt.
  25. 25. Slitinová kompozice podle nároku 23, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 100 ppm nebo méně O a 50 ppm nebo méně S.
  26. 26. Slitinová kompozice zahrnující 70-37 at.% Fe a 30-63 at.% Pd, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 500 ppm nebo méně O a 100 ppm nebo méně S.
    ·< ·· • · · « · · « · · ·
  27. 27. Slitinová kompozice podle nároku 26, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice zahrnuje 51,5-40 at.% Fe a 48,560 at.% Pd.
  28. 28. Slitinová kompozice podle nároku 26, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 100 ppm nebo méně O a 50 ppm nebo méně S.
  29. 29. Slitinová kompozice zahrnující 40-12 at.% Fe a 60-88 at.% Pd, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 500 ppm nebo méně O a 100 ppm nebo méně S.
  30. 30. Slitinová kompozice podle nároku 29, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice zahrnuje 37-14 at.% Fe a 63-86 at.% Pd.
  31. 31. Slitinová kompozice podle nároku 29, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 100 ppm nebo méně O a 50 ppm nebo méně S.
  32. 32. Slitinová kompozice zahrnující 60-24 at.% Co a 40-76 at.% Pt, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 500 ppm nebo méně 0 a 100 ppm nebo méně S.
  33. 33. Slitinová kompozice podle nároku 32, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice zahrnuje 58-26 at.% Co a 42-74 at.% Pt.
  34. 34. Slitinová kompozice podle nároku 32, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 100 ppm nebo méně O a 50 ppm nebo méně S.
  35. 35. Slitinová kompozice zahrnující 25-10 at.% Co a 75-90 at.% Pt, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 500 ppm nebo méně O a 100 ppm nebo méně S.
    Μ « • · · • 4
    4 4
    9 4 4 4 ·
    4·44 94 494·
  36. 36. Slitinová kompozice podle nároku 35, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice zahrnuje 25-12 at.% Co a 75-88 at.% Pt.
  37. 37. Slitinová kompozice podle nároku 35, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 100 ppm nebo méně O a 50 ppm nebo méně S.
  38. 38. Slitinová kompozice zahrnující 70-42 at.% Co a 30-58 at.% Pd, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 500 ppm nebo méně 0 a 100 ppm nebo méně S.
  39. 39. Slitinová kompozice podle nároku 38, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice zahrnuje 52-48 at.% Co a 48-52 at.% Pd.
  40. 40. Slitinová kompozice podle nároku 38, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 100 ppm nebo méně O a 50 ppm nebo méně S.
  41. 41. Slitinová kompozice zahrnující 42-6 at.% Co a 58-94 at.% Pd, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 500 ppm nebo méně O a 100 ppm nebo méně S.
  42. 42. Slitinová kompozice podle nároku 41, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice zahrnuje 40-10 at.% Co a 60-90 at.% Pd.
  43. 43. Slitinová kompozice podle nároku 41, vyznačující se tím, že tato slitinová kompozice obsahuje 100 ppm nebo méně O a 50 ppm nebo méně S.
  44. 44. Rozprašovací elektroda zahrnující slitinovou kompozici podle kteréhokoliv z nároků 1 až 43.
CZ20050342A 2004-10-12 2005-05-27 Slitinové kompozice s nízkým obsahem kyslíku CZ2005342A3 (cs)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/961,215 US20060078457A1 (en) 2004-10-12 2004-10-12 Low oxygen content alloy compositions

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CZ2005342A3 true CZ2005342A3 (cs) 2006-05-17

Family

ID=35448382

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ20050342A CZ2005342A3 (cs) 2004-10-12 2005-05-27 Slitinové kompozice s nízkým obsahem kyslíku

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20060078457A1 (cs)
EP (6) EP1724365A3 (cs)
JP (1) JP2006111963A (cs)
KR (5) KR20060046479A (cs)
CN (2) CN1760393A (cs)
CZ (1) CZ2005342A3 (cs)
SG (8) SG121929A1 (cs)
TW (1) TW200611983A (cs)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0520473D0 (en) * 2005-10-07 2005-11-16 Ilika Technologies Ltd Metal alloy catalysts for fuel cell cathoodes
JP2009197310A (ja) 2008-02-25 2009-09-03 Kobe Steel Ltd スパッタリングターゲット
JP6626732B2 (ja) * 2015-06-29 2019-12-25 山陽特殊製鋼株式会社 スパッタリングターゲット材
CN112301255B (zh) * 2020-10-27 2021-07-30 上海交通大学 一种模具用高导热高强Co-Fe-Ni合金及其增材制造方法
TWI761264B (zh) * 2021-07-15 2022-04-11 光洋應用材料科技股份有限公司 鐵鉑銀基靶材及其製法

Family Cites Families (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR785732A (fr) * 1934-05-25 1935-08-17 & Commerciale Des Aciers Soc I Alliage pour la fabrication d'aimants permanents
US2622050A (en) * 1951-03-22 1952-12-16 Gen Electric Process for heat-treating cobalt-platinum magnets
GB849505A (en) * 1958-02-05 1960-09-28 Johnson Matthey Co Ltd Improvements in and relating to platinum-base magnet alloys
US3147112A (en) * 1961-01-19 1964-09-01 Du Pont Ferromagnetic mn-ga alloy and method of production
US3206337A (en) * 1961-11-08 1965-09-14 Hamilton Watch Co Cobalt-platinum alloy and magnets made therefrom
DE1266511B (de) * 1963-06-20 1968-04-18 Degussa Verfahren zur Herstellung von Dauermagneten
JPS54104427A (en) * 1978-02-06 1979-08-16 Hitachi Metals Ltd Low temperature fusion magnetic alloy
JPS5547356A (en) * 1978-09-28 1980-04-03 Hitachi Metals Ltd Magnetic alloy for dental surgery
US4221615A (en) * 1979-04-04 1980-09-09 Fischer & Porter Company Soft-magnetic platinum-cobalt products
SU934546A1 (ru) * 1980-07-25 1982-06-07 Туркменский Государственный Университет Им.А.М.Горького Способ изготовлени носител термомагнитной записи
JPS57178305A (en) * 1981-04-27 1982-11-02 Res Inst Electric Magnetic Alloys Extra-high coercive force permanent magnet with maximum energy product and manufacture therefor
JPS5763655A (en) * 1981-05-29 1982-04-17 Univ Osaka Beta-plus type electron compound alloy and solid solution iron alloy having property of repeatedly memorizing form, their manufacture and using method for them
JPS58113332A (ja) * 1981-12-14 1983-07-06 Res Inst Electric Magnetic Alloys 温度の広範囲にわたり電気抵抗の変化の小さい合金およびその製造方法
JPS58153743A (ja) * 1982-03-08 1983-09-12 Res Inst Electric Magnetic Alloys 磁歪作動体用パラジウム−コバルト系合金とその製造法
JPS62170453A (ja) * 1986-01-22 1987-07-27 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 形状記憶合金
US4800134A (en) * 1987-04-13 1989-01-24 Teruaki Izaki High corrosion resistant plated composite steel strip
JPS63262446A (ja) * 1987-04-17 1988-10-28 Mitsui Petrochem Ind Ltd 非晶質合金薄膜
JPH01260804A (ja) * 1988-04-12 1989-10-18 Sony Corp 硬質磁性薄膜
JPH0230104A (ja) * 1988-07-20 1990-01-31 Sony Corp 垂直磁化膜
JPH0318859A (ja) * 1989-06-15 1991-01-28 Oki Electric Ind Co Ltd 熱磁気記録媒体
DE4027681C2 (de) * 1989-09-04 1997-08-21 Japan Energy Corp Befestigungsvorrichtung für mindestens einen künstlichen Zahn
JPH0645850B2 (ja) * 1990-02-13 1994-06-15 財団法人電気磁気材料研究所 磁歪作動体の製造法
JP2524883B2 (ja) * 1990-09-29 1996-08-14 義雄 大野 接触燃焼式ｃｏガスセンサとその製造法
JPH04210458A (ja) * 1990-11-30 1992-07-31 Sumitomo Metal Ind Ltd Ｆｅ―Ｐｔ感温磁性材料の製造方法
JPH04356721A (ja) * 1991-03-28 1992-12-10 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気記録媒体
JPH04317067A (ja) * 1991-04-16 1992-11-09 Oki Electric Ind Co Ltd 磁気記録媒体
JP3305790B2 (ja) * 1993-01-27 2002-07-24 財団法人電気磁気材料研究所 薄膜永久磁石の製造方法
JPH06301956A (ja) * 1993-04-12 1994-10-28 Sony Corp 磁気記録媒体
US5846648A (en) * 1994-01-28 1998-12-08 Komag, Inc. Magnetic alloy having a structured nucleation layer and method for manufacturing same
JPH0850715A (ja) * 1994-01-28 1996-02-20 Komag Inc 低ノイズ，高い保磁力および優れた方形度を有する磁気記録媒体および磁気記録媒体形成方法
US5989728A (en) * 1994-11-02 1999-11-23 International Business Machines Corporation Thin film magnetic recording medium having high coercivity
JPH10280069A (ja) * 1997-04-08 1998-10-20 Res Inst Electric Magnetic Alloys 大きな抵抗温度係数を有する電気抵抗合金とその製造法ならびにセンサデバイス
JP2933056B2 (ja) * 1997-04-30 1999-08-09 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム
JP3544293B2 (ja) * 1997-07-31 2004-07-21 株式会社日鉱マテリアルズ 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングタ−ゲット及び磁性薄膜
US6391172B2 (en) * 1997-08-26 2002-05-21 The Alta Group, Inc. High purity cobalt sputter target and process of manufacturing the same
JP4013999B2 (ja) * 1997-11-18 2007-11-28 日鉱金属株式会社 高純度Ｍｎ材料の製造方法
JP3087715B2 (ja) * 1998-02-19 2000-09-11 日本電気株式会社 磁気ディスク装置
JP4055872B2 (ja) * 1998-03-25 2008-03-05 泰文 古屋 鉄基磁性形状記憶合金およびその製造方法
JP4082785B2 (ja) * 1998-05-15 2008-04-30 富士通株式会社 磁気記録媒体及びその製造方法
JP3090128B2 (ja) * 1998-08-28 2000-09-18 日本電気株式会社 垂直磁気記録媒体
JP2000104141A (ja) * 1998-09-28 2000-04-11 Res Inst Electric Magnetic Alloys 耐食性に優れた軟磁性合金
AU4431100A (en) * 1999-05-11 2000-11-21 Hitachi Maxell, Ltd. Magnetic recording medium and its production method, and magnetic recorder
JP2000339635A (ja) * 1999-05-31 2000-12-08 Toshiba Corp 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
US6440589B1 (en) * 1999-06-02 2002-08-27 International Business Machines Corporation Magnetic media with ferromagnetic overlay materials for improved thermal stability
JP2001015102A (ja) * 1999-07-01 2001-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非水電解質二次電池およびその製造法
US6740353B1 (en) * 1999-09-10 2004-05-25 Tdk Corporation Process for producing magnetic recording medium
US6620531B1 (en) * 1999-12-20 2003-09-16 Seagate Technology Llc Magnetic recording media with oxidized seedlayer for reduced grain size and reduced grain size distribution
US6524724B1 (en) * 2000-02-11 2003-02-25 Seagate Technology Llc Control of magnetic film grain structure by modifying Ni-P plating of the substrate
JP2001236643A (ja) * 2000-02-23 2001-08-31 Fuji Electric Co Ltd 磁気記録媒体製造用スパッタリングターゲット、それを用いた磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体
US6738234B1 (en) * 2000-03-15 2004-05-18 Tdk Corporation Thin film magnetic head and magnetic transducer
JP2001329347A (ja) * 2000-05-19 2001-11-27 Tokai Univ 形状記憶合金アクチュエータ及びその製造方法
KR20030023640A (ko) * 2000-06-30 2003-03-19 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 금속처리방법, 그 방법에 사용되는 장치 및 그로부터제조된 금속
SG91343A1 (en) * 2000-07-19 2002-09-17 Toshiba Kk Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording apparatus
JP4309075B2 (ja) * 2000-07-27 2009-08-05 株式会社東芝 磁気記憶装置
JP3693647B2 (ja) * 2001-02-08 2005-09-07 日立マクセル株式会社 金属合金微粒子及びその製造方法
JP2003166040A (ja) * 2001-02-08 2003-06-13 Hitachi Maxell Ltd 金属合金微粒子及びその製造方法
JP3973857B2 (ja) * 2001-04-16 2007-09-12 日鉱金属株式会社 マンガン合金スパッタリングターゲットの製造方法
TWI222630B (en) * 2001-04-24 2004-10-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Magnetoresistive element and magnetoresistive memory device using the same
JP4061575B2 (ja) * 2001-06-01 2008-03-19 ソニー株式会社 導電性触媒粒子及びその製造方法、ガス拡散性触媒電極及び電気化学デバイス
JP4626840B2 (ja) * 2001-08-31 2011-02-09 富士電機デバイステクノロジー株式会社 垂直磁気記録媒体及びその製造方法
US6567236B1 (en) * 2001-11-09 2003-05-20 International Business Machnes Corporation Antiferromagnetically coupled thin films for magnetic recording
JP4157707B2 (ja) * 2002-01-16 2008-10-01 株式会社東芝 磁気メモリ
US7186471B2 (en) * 2002-02-28 2007-03-06 Seagate Technology Llc Chemically ordered, cobalt-three platinum alloys for magnetic recording
US6723450B2 (en) * 2002-03-19 2004-04-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic recording medium with antiparallel coupled ferromagnetic films as the recording layer
JP4175829B2 (ja) * 2002-04-22 2008-11-05 株式会社東芝 記録媒体用スパッタリングターゲットと磁気記録媒体
US6869567B2 (en) * 2002-05-15 2005-03-22 Steven Kretchmer Magnetic platinum alloys
JP2004047583A (ja) * 2002-07-09 2004-02-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気ヘッドおよび磁気メモリならびに磁気記録装置
AU2003275352A1 (en) * 2002-09-27 2004-06-30 University Of Utah Research Foundation Control of engineering processes using magnetostrictive alloy compositions
WO2004052785A2 (en) * 2002-12-09 2004-06-24 Honeywell International Inc. High purity nickel/vanadium sputtering components; and methods of making sputtering components
US20040140217A1 (en) * 2003-01-22 2004-07-22 Applied Materials, Inc. Noble metal contacts for plating applications
JP2004311607A (ja) * 2003-04-04 2004-11-04 Canon Inc 磁性体、磁気記録媒体、磁気記録再生装置、情報処理装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1724366A3 (en) 2010-02-17
EP1724365A2 (en) 2006-11-22
EP1647605A2 (en) 2006-04-19
KR20080026578A (ko) 2008-03-25
SG123793A1 (en) 2006-07-26
SG132681A1 (en) 2007-06-28
EP1724366A2 (en) 2006-11-22
SG132682A1 (en) 2007-06-28
US20060078457A1 (en) 2006-04-13
KR20080026579A (ko) 2008-03-25
CN1760393A (zh) 2006-04-19
EP1724365A3 (en) 2010-02-17
TW200611983A (en) 2006-04-16
SG123795A1 (en) 2006-07-26
EP1724368A2 (en) 2006-11-22
SG123794A1 (en) 2006-07-26
KR20080026580A (ko) 2008-03-25
EP1724367A3 (en) 2010-02-17
EP1724367A2 (en) 2006-11-22
CN101275189A (zh) 2008-10-01
EP1724368A3 (en) 2010-02-17
EP1647605A3 (en) 2006-08-02
SG123797A1 (en) 2006-07-26
KR20060046479A (ko) 2006-05-17
EP1728879A3 (en) 2010-02-17
SG123796A1 (en) 2006-07-26
EP1728879A2 (en) 2006-12-06
SG121929A1 (en) 2006-05-26
JP2006111963A (ja) 2006-04-27
KR20080027473A (ko) 2008-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20130213803A1 (en) Fe-Pt-Based Sputtering Target with Dispersed C Grains
JP5301751B1 (ja) Ｆｅ−Ｐｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット
CZ2005342A3 (cs) Slitinové kompozice s nízkým obsahem kyslíku
US20080083616A1 (en) Co-Fe-Zr BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF
CZ2007154A3 (cs) Slitiny Ni - X, Ni - Y a Ni - X - Y s oxidy nebo bez oxidu jako rozprašovací elektrody pro kolmý magnetický záznam
JP3544293B2 (ja) 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングタ−ゲット及び磁性薄膜
TW200808980A (en) Method for producing Co-based sintered alloy sputtering target used for forming magnetic recording film with reduced generation of particles, and Co-based sintered alloy sputtering target used for forming magnetic recording film
JP4013999B2 (ja) 高純度Ｍｎ材料の製造方法
TW201437386A (zh) 垂直磁性記錄媒體軟磁性膜層用ＣｏＦｅ系合金及濺鍍靶材
US6423196B1 (en) Method of making Ni-Si magnetron sputtering targets and targets made thereby
JP2011099166A (ja) 軟磁性膜用Ｃｏ−Ｆｅ系合金、軟磁性膜および垂直磁気記録媒体
CN113825856B (zh) Ni系溅射靶以及磁记录介质
Chang et al. Fabrication and crystallization behaviors of sputtered Ni–Cu–P films on tool steel
JP3396420B2 (ja) 磁性薄膜形成用Ｍｎ−Ｉｒ合金スパッタリングターゲット及びＭｎ−Ｉｒ合金磁性薄膜
JP2007081308A (ja) 磁性薄膜
TW202138585A (zh) 濺鍍靶材及其製造方法
KR20050107725A (ko) 자기 기록 매체용 그레인 구조
Jing et al. Stranski–Krastanov-like growth of an Ag film on a metallic glass
JP5354199B2 (ja) 光記録媒体用アルミニウム合金反射膜およびこの反射膜を形成するためのスパッタリングターゲット
JP3891549B2 (ja) 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングターゲット及び磁性薄膜
JP4477017B2 (ja) 薄膜形成用高純度Ｍｎ材料
JP5223840B2 (ja) 光記録媒体用アルミニウム合金反射膜およびこの反射膜を形成するためのスパッタリングターゲット
JP2013127090A (ja) 酸化物スパッタリングターゲット及び光記録媒体用保護膜
Yeh et al. Unusual Thermal Stability of High-Entropy Alloy Amorphous Structure
JP2009120959A (ja) 高純度ニッケル合金ターゲット