CZ2007154A3 - Slitiny Ni - X, Ni - Y a Ni - X - Y s oxidy nebo bez oxidu jako rozprašovací elektrody pro kolmý magnetický záznam - Google Patents
Slitiny Ni - X, Ni - Y a Ni - X - Y s oxidy nebo bez oxidu jako rozprašovací elektrody pro kolmý magnetický záznam Download PDFInfo
- Publication number
- CZ2007154A3 CZ2007154A3 CZ20070154A CZ2007154A CZ2007154A3 CZ 2007154 A3 CZ2007154 A3 CZ 2007154A3 CZ 20070154 A CZ20070154 A CZ 20070154A CZ 2007154 A CZ2007154 A CZ 2007154A CZ 2007154 A3 CZ2007154 A3 CZ 2007154A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- alloying element
- nickel
- layer
- sputter target
- recording medium
- Prior art date
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 162
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 title claims description 15
- 229910000946 Y alloy Inorganic materials 0.000 title 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 429
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 145
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 79
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 78
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 46
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 189
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 66
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 65
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 44
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 43
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 39
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 35
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 33
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 33
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 32
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 32
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 32
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 32
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 31
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 30
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 30
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 29
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 29
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 24
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 18
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 17
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 16
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 15
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 claims description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 14
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 14
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 241000560543 Osmia Species 0.000 claims description 12
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 8
- 210000001654 germ layer Anatomy 0.000 claims description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 claims description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 3
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002663 nebulization Methods 0.000 claims 1
- 210000003739 neck Anatomy 0.000 claims 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- 238000005266 casting Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 abstract description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000249 far-infrared magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910019580 Cr Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical group 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
- C23C14/025—Metallic sublayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
- C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/68—Record carriers characterised by the selection of the material comprising one or more layers of magnetisable material homogeneously mixed with a bonding agent
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7379—Seed layer, e.g. at least one non-magnetic layer is specifically adapted as a seed or seeding layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0026—Pulse recording
- G11B2005/0029—Pulse recording using magnetisation components of the recording layer disposed mainly perpendicularly to the record carrier surface
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Abstract
Vynález se týká nanášení vrstvy zárodecných krystalu pro magnetické záznamové médium používané u aplikací využívajících kolmý magnetický záznam (PMR), kde vrstva zárodecných krystalu má za následek zjemnení struktury zrn a zmenšení nesouladu mrížek u následne nanesené podkladové vrstvy nebo zrnité magnetické vrstvy, a kde vrstva zárodecných krystalu je nanesena s použitím rozprašovací elektrody na bázi slitiny niklu (Ni). Tyto slitiny niklu (Ni)mohou být binární (Ni-X; Ni-Y) nebo ternární (Ni-X-Y). Binární (Ni-X; Ni-Y) nebo ternární (Ni-X-Y) slitiny na bázi niklu (Ni) mohou být dále legoványoxidy kovu, címž se vytvorí tenké vrstvy zárodecných krystalu se zrnitou mikrostrukturou obsahujícíkovová zrna, obklopená hranicemi zrn bohatými na kyslík. Slitiny na bázi niklu (s nebo oxidu kovu) podle ruzných príkladných provedení mohou být vyrobeny práškovou metalurgií nebo odléváním taveniny,s nebo bez mechanického zpracování.
Description
v />/> ·· ·· pl/ • · • ♦ · • · ZGvl- »· ···· • · • »·· • · • · ·· ···
1
Slitiny Ni-X, Ni-Y a Ni-X-Y s oxidy nebo bez oxidů jako rozprašovací elektrody pro kolmý magnetický záznam
PROHLÁŠENÍ OHLEDNĚ FEDERÁLNĚ SPONZOROVANÉHO VÝZKUMU A VÝVOJE
[0001] Neuplatněno.
Oblast techniky [0002] Vynález se týká rozprašovacích elektrod a konkrétněji se týká nanášení vrstvy zárodečných krystalů pro magnetické záznamové médium používané u aplikací využívajících kolmý magnetický záznam ("PMR"), přičemž tato vrstva zárodečných krystalů má za následek zjemnění struktury zrn a zmenšení nesouladu mřížky s mřížkou následně nanesené podkladové vrstvy nebo zrnité magnetické vrstvy, přičemž tato vrstva zárodečných krystalů je nanesena s použitím rozprašovací elektrody na bázi slitiny niklu (Ni).
Dosavadní stav techniky [0003] K vytváření velmi tenkých povlaků na substrátu, které mají přesně řízenou tloušťku a malou toleranci v atomárním složení, je v různých oblastech techniky velmi rozšířen proces DC magnetronového rozprašování. Používá se například k povlékání polovodičů a/nebo k vytváření tenkých vrstev na povrchu magnetických médií pro záznam dat. U jednoho běžně používaného provedení se na rozprašovací elektrodu přivede magnetické pole s oválným rozložením, a to tak, že se na zadní povrch elektrody umístí magnety. V blízkosti rozprašovací elektrody jsou zachycovány elektrony, což vede ke zlepšení i produkce iontů argonu a ke zvýšení rychlosti rozprašování. Ionty uvnitř této plazmy se srážejí s povrchem rozprašovací elektrody, což má za následek, že rozprašovací elektroda emituje atomy ze svého povrchu. Rozdíl napětí mezi katodickou 2 • · • •Μ Φ« ···· Μ ···· • · · rozprašovací elektrodou a anodickým substrátem, který má být povlékán, způsobí, že emitované atomy vytvoří na povrchu substrátu požadovaný film.
[0004] Jiným běžným přístupem k rozprašování je konvenční souběžné rozprašování a souběžné rozprašování s použitím triatronu. U procesu souběžného rozprašování se do vakuové komory umístí větší množství rozprašovacích elektrod s nezávislými zdroji a rozprašování probíhá současně, přičemž selektivním rozprašováním jedné nebo více z většího množství rozprašovacích elektrod se řídí stejnoměrnost naneseného povrchu. Například k naprášení tenkého filmu X1-X2 pomocí běžně používaného souběžného rozprašování by se do vakuové komory umístila rozprašovací elektroda tvořená Xj spolu s rozprašovací elektrodou tvořenou X2, přičemž rozprašování by probíhalo na obou rozprašovacích elektrodách současně. Naopak u triatronového souběžného naprašování se používá jedna samostatná rozprašovací elektroda s více nezávislými oblastmi složení. Pro výše uvedený příklad by tedy tato samostatná triatronová rozprašovací elektroda měla oblast tvořenou pouze z Xi a oblast tvořenou pouze z X2, přičemž k nanesení tenkého filmu X1-X2 by probíhalo souběžně rozprašování obou těchto oblastí.
[0005] Během výroby magnetických záznamových médií známých z dosavadního stavu techniky se vrstvy tenkých filmů postupně naprašují na substrát pomocí většího počtu rozprašovacích elektrod, přičemž každá rozprašovací elektroda je tvořena různým materiálem, což má za následek nanesení "vrstvy" tenkých filmů. Obrázek 1 znázorňuje jednu takovou vrstvu 100 tenkých filmů typickou pro magnetická záznamová média známá z dosavadního stavu techniky. Podkladem pro tuto vrstvu 100 je nemagnetický substrát 102, kterým běžně bývá hliník nebo sklo.
Na substrátu 102 je nanesena vrstva 104 zárodečných krystalů, 3 • · · · * · ·· ···· » ♦ · » · ···
I» MM • · · která uděluje tvar a orientaci struktuře'zrn vyšších vrstev a která je běžně tvořena tantalem (Ta).
[0006] Na vrstvě 104 zárodečných krystalů je nanesena podkladová vrstva 106, která často obsahuje jednu až tři samostatné vrstvy, přičemž podkladová vrstva 106 běžně bývá velmi slabě magnetická, krystalická, s hexagonální těsně zaplněnou mřížkou ("HCP"). Podkladová vrstva 106 se používá ke zlepšení Co (0002) struktury následně nanesené zrnité vrstvy 108 na bázi kobaltu (Co) pro magnetické ukládání dat kolmo k rovině filmu, což vede ke zvýšení kolmé anizotropie média. Na podkladové vrstvě 106 je postupně nanesena zrnitá vrstva 108 pro magnetické ukládání dat a případné další vrstvy 110, jako je vrstva lubrikantu nebo uhlíkový (C) plášť.
[0007] Podkladová vrstva 106 zlepšuje krystalografickou strukturu následně nanesené zrnité vrstvy 108 pro magnetické ukládání dat. Navíc pokud zrnitá vrstva 106 pro magnetické ukládání dat je epitaxně nanesena na horní straně krystalické podkladové vrstvy s jemnou strukturou zrn, struktura zrn zrnité vrstvy 108 pro magnetické ukládání dat je rovněž jemná. Navíc co největší soulad mezi mřížkou podkladové vrstvy 106 a mřížkou zrnité vrstvy 108 pro magnetické ukládání dat způsobí, že rozhraní je v podstatě bez defektů, což snižuje možnost vzniku jakékoliv rovinné, magnetizace.
[0008] Množství dat na jednotku plochy, které může být v magnetickém záznamovém médiu uloženo, je přímo závislé na metalurgických vlastnostech a na složení zrnité magnetické vrstvy pro ukládání dat a tím je tedy závislé na materiálu rozprašovací elektrody, z něhož je vrstva pro ukládání dat naprášena. V nedávné době se průmysl magnetického ukládání dat soustředil na technologii známou jako ' PMR' (jako protipól ke konvenčnímu 'podélnému magnetickému záznamu' ("LMR")), aby se 4 • · · v 4 • · · v ·· · ·· ♦··♦ I · · I · · · * uspokojily neustále se zvyšující požadavky na růst kapacity ukládání dat. PMR má vyšší účinnost záznamu při použití kolmé jednopólové záznamové hlavy v kombinaci se slabě magnetickou podkladovou vrstvou. Při použití PMR se bity zaznamenávají kolmo k ploše magnetického záznamového média, což umožňuje menší velikost bitu a větší koercitivitu. Do budoucnosti se očekává, že PMR zvýší koercitivitu disku a zesílí amplitudu signálu disku, což povede k lepší schopnosti archivace dat.
[0009] Aby se u PMR médií dosáhlo vysoké hustoty záznamu, měla by tato média vykazovat vysokou tepelnou stabilitu a hladina šumu média by měla být nízká. Jedním přístupem k zajištění základní tepelné stability a požadavků na šum u PMR médií je vytvořit zrnitá magnetická média s magnetickými doménami majícími vysokou magnetokrystalickou anizotropii (Κμ) a adekvátně zapouzdřit jemnou mikrostrukturu zrn ve strukturně, magneticky a elektricky izolující matrici. Ačkoliv významná anizotropní energie je vyžadována i u běžných LMR, u PMR se vyžaduje mnohem jemnější mikrostruktura zrn s odpovídající vzájemnou segregací zrn a zanedbatelnými přeslechy mezi magnetickými doménami, aby se dosáhlo nízké hladiny šumu a vysoké tepelné stability. ' [0010] Inkluze oblasti hranic zrn bohaté na kyslík významně zlepšuje jemnost struktury zrn a přináší vynikající mikrostrukturální magnetickou a elektrickou izolaci. Vrstva 106 pro magnetické ukládání dat obsahující kyslík (O) často obsahuje alespoň jednu vrstvu na bázi slitiny CoCrPt, neboť kyslík (O) vytváří v oblasti hranic zrn amorfní, tvrdou a křehkou oblast hranic zrn, která omezuje růst zrn a napomáhá zjemnit velikost zrn těchto zrnitých vrstev obsahujících oxid. Na tuto zrnitou magnetickou vrstvu na bázi CoCrPt se následně běžně nanášejí další více nebo méně významné vrstvy na bázi CoPt(Cr)(B) pro magnetické ukládání dat za účelem přizpůsobení nasycené magnetizace (Ms) tak, aby odpovídala konstrukci konkrétní hlavy diskové mechaniky.
[0011] Je proto žádoucí vylepšit známé kompozice a slitiny rozprašovacích elektrod tak, aby se jimi dosáhlo nanesení zrnité vrstvy pro magnetické ukládání dat s větší schopností ukládat data, především u zrnitých vrstev pro magnetické ukládání dat používaných u PMR. Konkrétně je vysoce žádoucí vytvořit rozprašovací elektrodu, která když je z ní naprášena vrstva zárodečných krystalů, způsobí zlepšenou krystalickou strukturu a další zjemnění struktury zrn následně nanesené podkladové vrstvy nebo zrnité vrstvy pro magnetické ukládání dat.
Podstata vynálezu [0012] Tento vynález odstraňuje výše uvedené nedostatky běžně známých slitin a kompozic pro rozprašovací elektrody. Různá provedení předmětného vynálezu se obecně týkají nanášení vrstvy zárodečných krystalů pro magnetické záznamové médium používané pro PMR aplikace, kde vrstva zárodečných krystalů má za následek zjemnění struktury zrn a zmenšení nesouladu mřížek u následně nanesené podkladové vrstvy nebo zrnité magnetické vrstvy, přičemž vrstva zárodečných krystalů je nanesena s použitím rozprašovací elektrody na bázi slitiny niklu (Ni) . Vynález se týká rovněž binárních a ternárních slitin niklu (Ni) jako materiálu rozprašovacích elektrod, který může být reaktivně rozprášen za vytvoření magnetických zrnitých vrstev pro ukládání dat tvořících zrnitá média s optimalizovanou velikostí zrn a zlepšenou vzájemnou separací zrn. i [0013] Podle alespoň jednoho příkladného provedení předmětného vynálezu obsahuje magnetické záznamové médium substrát a na tomto substrátu nanesenou vrstvu zárodečných krystalů. Vrstva zárodečných krystalů je tvořena niklem (Ni), legovacím prvkem 6 (X) a oxidem kovu. Na vrstvě zárodečných krystalů je nanesena podkladová vrstva a na podkladové vrstvě je nanesena magnetická zrnitá vrstva pro ukládání dat. Rozpustnost legovacího prvku v plošně centrované krychlové niklové (Ni) fázi nepřesahuje 50 atomárních procent při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota. Navíc legovací prvek (X) má měrnou susceptibilitu menší než nebo 3 m rovnou 1,5 x 10 —. kg [0014] Legovací prvek je vybrán z boru (B), uhlíku (C), manganu (Mn), mědi (Cu), yttria (Y), zirkonia (Zr), rhodia (Rh), stříbra (Ag), kadmia (Cd), ytterbia (Yb), hafnia (Hf), iridia (Ir), platiny (Pt), zlata (Au), bismutu (Bi) a thoria (Th) .
[0015] Legovací prvek (X) ve vrstvě zárodečných krystalů na bázi krystalické slitiny niklu (Ni) podporuje jemnou strukturu zrn. Stejně tak jako jemná struktura zrn krystalické podkladové vrstvy napomáhá ke snížení zmenšení velikosti zrn následně nanesené zrnité magnetické vrstvy, podobného efektu se dosahuje podkladovou vrstvou, pokud je tato podkladová vrstva nanesena následně epitaxně na horní straně vrstvy zárodečných krystalů na bázi krystalické slitiny niklu (Ni-X) s redukovanou . velikostí zrn. U příkladných provedení předmětného vynálezu dochází k podporování zjemnění struktury zrn legováním niklu (Ni) nějakým prvkem (X), který zjemňuje strukturu zrn ve filmu vrstvy zárodečných krystalů na bázi krystalické slitiny niklu (Ni), čímž má legovací prvek malou nebo žádnou rozpustnost v plošně centrované krychlové niklové (Ni) fázi při pokojové teplotě, takže legovací prvek vytváří amorfní oblast hranic zrn ve filmu vrstvy zárodečných krystalů na bázi slitiny niklu (Ni) a napomáhá zmenšení velikosti zrn omezením dalšího růstu zrn během procesu výroby. 7 ·· ♦··· ► · · • · · · · [0016] U nejméně jednoho příkladného provedení tohoto vynálezu obsahuje rozprašovací elektroda nikl (Ni) a legovací prvek (X) vybraný ze skupiny sestávající z boru (B), uhlíku (C), manganu (Mn), mědi (Cu) , yttria (Y), zirkonia (Zr), rhodia (Rh); stříbra (Ag), kadmia (Cd), ytterbia (Yb), hafnia (Hf), iridia (Ir), platiny (Pt), zlata (Au), bismutu (Bi) a thoria (Th), přičemž legovací prvek je v rozprašovací elektrodě přítomen v množství přesahujícím mez rozpustnosti legovacího prvku v tuhém stavu v plošně centrované krychlové (FCC) fázi niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota. Rozprašovací elektroda obsahuje rovněž oxid kovu.
[0017] Podle alespoň jednoho příkladného provedení předmětného vynálezu obsahuje magnetické záznamové médium substrát a vrstvu zárodečných krystalů nanesenou na substrátu. Vrstva zárodečných krystalů je tvořena niklem (Ni), legovacím prvkem (Y) a oxidem kovu. Na vrstvě zárodečných krystalů je nanesena podkladová vrstva a na podkladové vrstvě je nanesena magnetická zrnitá vrstva pro ukládání dat. Legovací prvek (Y) se s výhodou přidává do niklu (Ni) v množství menším než nebo rovném 10 atomárním procentům své maximální rozpustnosti při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota. Legovací prvek (Y) je rozpustný v niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo teplotách vyšších. Dále má legovací prvek měrnou susceptibilitu menší než nebo rovnou 1,5 x 10'7 tn^ o —. Navíc má legovací prvek poloměr atomu větší než 1,24 Á. kg [0018] Legovací prvek (Y) je vybrán z hliníku (AI), křemíku (Si), titanu (Ti), vanadu (V), chrómu (Cr), zinku (Zn), germania (Ge), niobu (Nb), molybdenu (Mo), ruthenia (Ru) , tantalu (Ta), wolframu (W), rhenia (Re), osmia (Os), thalia (TI) a olova (Pb).
[0019] Vzhledem k symetrii roviny (111) plošně centrovaného krychlového (FCC) niklu (Ni) dochází u vynálezu ke zmenšení nesouladu mřížek krystalických podkladových vrstev, jako například rutheniových (Ru) podkladových vrstev nebo podkladových vrstev na bázi ruthenia (Ru) nebo podkladových vrstev tvořených různými základními kovy, a vrstev zárodečných krystalů na bázi slitiny niklu (Ni—Y) legováním krystalické vrstvy zárodečných krystalů niklu (Ni) prvky (Y), které jsou v něm rozpustné při pokojové teplotě nebo teplotách vyšších. Orientace (0002) v podkladové vrstvě na bázi ruthenia (Ru) nebo slitiny ruthenia (Ru) podporuje rovněž výrazný (0002) růst textury v zrnité magnetické záznamové vrstvě. Tyto legovací prvky mohou vytvářet tuhé roztoky s niklem (Ni) při pokojové teplotě nebo teplotách vyšších, a tím pozměnit rovinný mřížkový parametr niklu (Ni), čímž dojde ke zmenšení nesouladu mřížek.
[0020] Podle alespoň jednoho příkladného provedení předmětného vynálezu obsahuje rozprašovací elektroda nikl (Ni), legovací prvek (Y) vybraný ze skupiny sestávající ž hliníku (AI), křemíku (Si), titanu (Ti), vanadu (V), chrómu (Cr), zinku (Zn), germania (Ge), niobu (Nb), molybdenu (Mo), ruthenia (Ru), tantalu (Ta), wolframu (W), rhenia (Re), osmia (Os), thalia (TI) a olova (Pb), přičemž legovací prvek je v rozprašovací elektrodě přítomen v množství přesahujícím mez rozpustnosti legovacího prvku v tuhém stavu v plošně centrované krychlové (FCC) fázi niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota. Rozprašovací elektroda obsahuje rovněž oxid kovu.
[0021] Podle alespoň jednoho příkladného provedení předmětného vynálezu obsahuje magnetické záznamové médium substrát a na tomto substrátu nanesenou vrstvu zárodečných krystalů. Vrstva zárodečných krystalů je tvořena niklem (Ni), prvním legovacím 9 9 ♦ · · · «· #*·· prvkem (X) a druhým Xegovacím prvkem (Y) . Na vrstvě zárodečných krystalů je nanesena podkladová vrstva s magnetickou zrnitou vrstvou pro ukládáni dat nanesenou na podkladové vrstvě. Rozpustnost prvního legovaciho prvku (X) v plošně centrované krychlové niklové (Ni) fázi nepřesahuje 50 atomárních procent při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota. Druhý legovací prvek (Y) je do niklu přidán (Ni) v množství menším než nebo rovném 10 atomárním procentům své maximální rozpustnosti při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota, a má větší poloměr atomu než 1,24 Á. Navíc tento první legovací prvek a druhý legovací prvek mají měrnou susceptibilitu menší -7 wj3 než nebo rovnou 1,5 x 10 —. V souhlase s tím může být h ternární slitina niklu (Ni-X-Y) vytvořena tak, že obsahuje jak prvky (X) ovlivňující velikost zrn, tak rozpustné prvky (Y), čímž dochází ke zmenšení neshod mřížek a eliminaci zbytkových napětí na rozhraní. U některých příkladných provedení je vrstva zárodečných krystalů navíc tvořena oxidem kovu.
[0022] První legovací prvek je vybrán z boru (B), uhlíku (C), manganu (Mn), mědi (Cu), yttria (Y), zirkonia (Zr), rhodia (Rh), stříbra (Ag), kadmia (Cd), ytterbia (Yb), hafnia (Hf), iridia (Ir), platiny (Pt), zlata (Au), bismutu (Bi) a thoria (Th) . Druhý legovací prvek je vybrán z hliníku (AI), křemíku (Si), titanu (Ti), vanadu (V), chrómu (Cr), zinku (Zn), germania (Ge), niobu (Nb), molybdenu (Mo), ruthenia (Ru) , tantalu (Ta), wolframu (W), rhenia (Re), osmia (Os), thalia (TI) a olova (Pb).
[0023] U alespoň jednoho příkladného provedení předmětného vynálezu obsahuje rozprašovací elektroda nikl (Ni) a první legovací prvek vybraný ze skupiny sestávající z boru (B), uhlíku (C), manganu (Mn), mědi (Cu), yttria (Y), zirkonia 10 t··* • · · ·· ··· ·· ···· • · · • · · · ♦
(Zr), rhodia (Rh), stříbra (Ag), kadmia (Cd), ytterbia (Yb), hafnia (Hf), iridia (Ir), platiny (Pt), zlata (Au), bismutu (Bi) a thoria (Th), přičemž první legovaci prvek je v rozprašovači elektrodě přítomen v množství přesahujícím mez rozpustnosti legovacího prvku v tuhém stavu v plošně centrované krychlové (FCC) fázi niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota. Rozprašovací elektroda může dále obsahovat druhý legovaci prvek, přičemž tento druhý legovaci prvek má mez rozpustnosti v tuhé fázi v plošně centrované krychlové (FCC) fázi niklu (Ni) menší než nebo rovnou 10 atomárním procentům při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota. Druhý legovaci prvek má měrnou susceptibilitu menší než nebo rovnou 1,5 x 10"7 — a je v rozprašovací elektrodě přítomen v h množství nepřesahujícím mez své rozpustnosti v tuhé fázi. Druhý legovaci prvek je vybrán ze skupiny sestávající z hliníku (AI), křemíku (Si), titanu (Ti), vanadu (V), chrómu (Cr), zinku (Zn), germania (Ge), niobu (Nb), molybdenu (Mo), ruthenia (Ru), tantalu (Ta), wolframu (W), rhěnia (Re), osmia (Os), thalia (Tl) a olova (Pb), přičemž druhý legovaci prvek je přítomen v rozprašovací elektrodě v množství přesahujícím mez své rozpustnosti v tuhém stavu v plošně centrované krychlové (FCC) fázi niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota. U některých příkladných provedení podle vynálezu je rozprašovací elektroda dále tvořena oxidem kovu.
[0024] Alespoň jedno příkladné provedení předmětného vynálezu se týká způsobu výroby magnetického záznamového média. Na substrát se napráší alespoň jedna vrstva zárodečných krystalů z první rozprašovací elektrody, přičemž první rozprašovací elektroda je tvořena niklem (Ni) a legovacim prvkem (X). Rozpustnost legovacího prvku v plošně centrované krychlové 11
niklové (Ni) fázi nepřesahuje 50 atomárních procent při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota, přičemž legovací prvek má měrnou susceptibilitu menší 7 než nebo rovnou 1,5 x 10 —. První rozprašovací elektroda je kg dále tvořena oxidem kovu. Na první vrstvu zárodečných krystalů se napráší alespoň jedna podkladová vrstva z druhé rozprašovací elektrody. Dále se na první podkladovou vrstvu napráší alespoň jedna magnetická zrnitá vrstva pro ukládání dat z třetí rozprašovací elektrody.
[0025] Alespoň jedno příkladné provedení předmětného vynálezu se týká způsobu výroby magnetického záznamového média. Na substrát se napráší alespoň jedna vrstva zárodečných krystalů z první rozprašovací elektrody, přičemž první rozprašovací elektroda je tvořena niklem (Ni) a legovacím prvkem (Y) .
Rozpustnost legovacího prvku v plošně centrované krychlové niklové (Ni) fázi je menší než nebo rovná 10 atomárním procentům při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová· teplota, přičemž legovací prvek má měrnou m3 susceptibilitu menší než nebo rovnou 1,5 x 10 7 —. kg
Rozprašovací elektroda je dále tvořena oxidem kovu. Na první vrstvu zárodečných krystalů se napráší alespoň jedna podkladová vrstva z druhé rozprašovací elektrody. Dále se na první podkladovou vrstvu napráší alespoň jedna magnetická zrnitá vrstva pro ukládání dat z třetí rozprašovací elektrody.
[0026] Alespoň jedno příkladné provedení předmětného vynálezu se týká způsobu výroby magnetického záznamového média. Na substrát se napráší alespoň jedna vrstva zárodečných krystalů z první rozprašovací elektrody, přičemž první rozprašovací elektroda je tvořena niklem (Ni), prvním legovacím prvkem a druhým legovacím prvkem. Rozpustnost prvního legovacího prvku 12 ·· · ·· ··#· v plošně centrované krychlové niklové (Ni) fázi nepřesahuje 50 atomárních procent při pokojové teplotě a rozpustnost druhého legovaciho prvku v plošně centrované krychlové niklové (Ni) fázi je menší než nebo rovná 10 atomárním procentům své maximální rozpustnosti při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota, přičemž tento první i druhý legovací prvek mají měrnou susceptibilitu menší než nebo rovnou 1,5 x 10~7 —. Na první vrstvu zárodečných krystalů se kg napráší alespoň jedna podkladová vrstva z druhé rozprašovací elektrody. Na první podkladovou vrstvu se napráší rovněž alespoň jedna magnetická zrnitá vrstva pro ukládání dat z třetí rozprašovací elektrody. U dalších příkladných provedení může být rozprašovací elektroda dále tvořena oxidem kovu.
[0027] Vrstva zárodečných krystalů nebo rozprašovací elektrody podle různých příkladných provedení mohou obsahovat oxid kovu. Tento oxid kovu může mít alespoň jeden kovový prvek, kterým je křemík (Si), hliník (AI), titan (Ti), niob (Nb), tantal (Ta), zirkonium (Zr), hafnium (H f), wolfram (W) nebo jakýkoliv lanthanoid, nebo jakoukoliv jejich kombinaci. Tento alespoň jeden kovový prvek oxidu kovu může mít negativnější redukční potenciál než nikl (Ni). Výhodou legování binárních (Ni-X; Ni-Y) nebo ternárních (Ni-X-Y) slitin na bázi niklu oxidy kovů je, že výsledný .nanesený film nebo rozprašovací elektroda mají mikrostrukturu zrnité slitiny s hranicemi zrn bohatými na kyslík, což vede k dalšímu zjemnění struktury zrn.
[0028] Výhodami, které vykazují příkladná provedení popsaná výše, je například dosažení zjemnění struktury zrn a zmenšení nesouladu mřížek u následně nanesené podkladové vrstvy nebo zrnité magnetické vrstvy, jakož i zlepšení poměru signál-šum (SNR) a zvýšení magnetokrystalické anizotropie Κμ u vícevrstvých PMR médií, přičemž tento výčet výhod není úplný. 13 M mi ι ι · • · · • · · · # · · ·· · Různá provedení popsaná výše výhodně vylepšují i rozprašovací elektrody.
[0029] Je zřejmé, že pro odborníka z oboru je snadné odvodit z následujícího podrobného popisu další provedení tohoto vynálezu, přičemž zde znázorněná a popsaná provedení jsou uvedena pouze pro ilustraci vynálezu. Jak bude zřejmé z následujícího popisu, může mít vynález jiná a odlišná provedení a některé jeho detaily mohou vykazovat modifikace v různých dalších ohledech, aniž by došlo k odchýlení se od duchu a rozsahu tohoto vynálezu. Obrázky a podrobný popis jsou zde uvedeny pro ilustraci a nijak vynález neomezují. Přehled obrázků na výkresech [0030] Vynález je dále popsán s použitím obrázků, přičemž na všech obrázcích jsou pro odpovídající části použity stejné vztahové značky: [0031] obr. 1 znázorňuje vrstvu tenkých filmů typickou pro PMR média podle dosavadního stavu techniky; [0032] obr. 2 znázorňuje vrstvu tenkých filmů pro PMR média podle různých příkladných provedení předmětného vynálezu; [0033] obr. 3 znázorňuje rozprašovací elektrodu podle různých provedení předmětného vynálezu; [0034] obr. 4 představuje diagram znázorňující mřížkový nesoulad roviny, (111) plošně centrovaného Ni a roviny (0002) Ru; a [0035] obr. 5 představuje blokové schéma znázorňující způsob výroby magnetického záznamového média podle různých příkladných provedení předmětného vynálezu.
Podrobný popis příkladů provedení [0036] Různá provedení předmětného vynálezu se obecně týkají nanášení vrstvy zárodečných krystalů pro magnetické záznamové médium používané u aplikací využívajících kolmý magnetický záznam (PMR), kde vrstva zárodečných krystalů má za následek zjemnění struktury zrn a zmenšení nesouladu mřížek u následně nanesené podkladové vrstvy nebo zrnité magnetické vrstvy, přičemž vrstva zárodečných krystalů je nanesena s použitím rozprašovací elektrody na bázi slitiny niklu (Ni). Tyto slitiny niklu (Ni) mohou být binární (Ni-X; Ni-Y) nebo ternární (Ni-X-Y). Binární (Ni-X; Ni-Y) slitiny jsou dále legovány oxidem kovu. Ternární (Ni-X-Y) slitiny na bázi niklu (Ni) mohou být u různých jiných provedení dále legovány oxidy kovů. Slitiny niklu (Ni) s oxidem kovu vytvářejí tenké filmy vrstvy zárodečných krystalů se zrnitou mikrostrukturou obsahující kovová zrna, obklopená hranicemi zrn bohatými na kyslík. Slitiny na bázi niklu (s nebo bez oxidů kovu) podle různých příkladných provedení mohou být vyrobeny práškovou metalurgií nebo odléváním taveniny, s nebo bez mechanického zpracování.
[0037] Obr. 2 znázorňuje příklad vrstvy tenkých filmů podle různých provedení předmětného vynálezu. Magnetické záznamové médium 200 obsahuje substrát 202 a vrstvu 204 zárodečných krystalů nanesenou na substrát 202, přičemž vrstva 204 zárodečných krystalů je .tvořena niklem (Ni) a legovacím prvkem. Na obr. 2 se substrát 202 a vrstva 204 zárodečných krystalů stýkají, ale u dalších příkladných provedení může být mezi substrátem 202 a vrstvou 204 zárodečných krystalů nanesena nějaká alespoň jedna další vrstva. Touto alespoň jednou další vrstvou může být nějaká podkladová vrstva, antiferomagnetická vrstva, nebo vrstva jiného typu, která může obsahovat buď magnetické, nebo nemagnetické materiály.
[0038] U některých provedení vynálezu je vrstva 204 zárodečných krystalů tvořena niklem (Ni), prvním legovacím prvkem a druhým legovacím prvkem. Slitina na bázi niklu (Ni) vrstvy 204 zárodečných krystalů mohou být dále legovány oxidy 15 15 Μ ·*»· » · ·
·· ···♦ « · · • · • · • · · I*·· ·· kovů, čímž se vytvoří filmy vrstvy zárodečných krystalů se zrnitou mikrostrukturou obsahující kovová zrna, obklopená hranicemi zrn bohatými na kyslík. Oxid kovu může mít alespoň jeden kovový prvek, kterým je křemík (Si), hliník (Al), titan (Ti), niob (Nb), tantal (Ta), zirkonium (Zr), hafnium (Hf) wolfram (W) nebo jakýkoliv lanthanoid, nebo jakoukoliv jejich kombinaci. Vrstva 204 zárodečných krystalů může být nenesena naprášením z rozprašovací elektrody, jako například rozprašovací elektrody 300 z obr. 3 podle různých provedení předmětného vynálezu.
[0039] Magnetické záznamové médium dále obsahuje podkladovou vrstvu 206 nanesenou na vrstvě 204 zárodečných krystalů a magnetickou zrnitou vrstvu 208 pro ukládání dat nanesenou na podkladové vrstvě 206. Blízká mřížková shoda mezi podkladovou vrstvou 206 a magnetickou zrnitou vrstvou 208 pro ukládání dat zajišťuje rozhraní v podstatě bez vad a tím se může potenciálně snížit ovlivnění rovinné magnetizace. Podkladová vrstva 206 je tvořena rutheniem (Ru) nebo slitinou na bázi ruthenia (Ru), ale spolu s rutheniem (Ruj nebo namísto ruthenia, (Ru) mohou být použity i jiné základní kovy, které se běžně používají u známých provedení. U různých jiných provedeni může mít podkladová vrstva 206 krystalickou strukturu. Podkladová vrstva 206 může mít například strukturu hexagonální těsně zaplněnou. U některých příkladných provedení podle vynálezu je podkladová vrstva 206 ve své podstatě slabě magnetická nebo nemagnetická. Podkladová vrstva 206 nejen zlepšuje krystalografickou strukturu magnetické zrnité vrstvy 208 pro ukládání dat, ale rovněž může napomáhat zjemnění struktury zrn magnetické zrnité vrstvy 208 pro ukládání dat, pokud je magnetická zrnitá vrstva 208 pro ukládání dat nanesena epitaxně na horní straně podkladové vrstvy 206 s jemnou strukturou zrn. 16 Μ ···♦ » · · • · • · • · · ···· ·* «* ···· • · · • · ··· ♦ · · ·* ··· »9 ···· • 4 · é ♦ · e · · ♦ • · · ·· » [0040] Na podkladové vrstvě 206 je nanesena magnetická zrnitá vrstva 208 pro ukládáni dat. Magnetickou zrnitou vrstvou 208 pro ukládání dat může být CoCrPt, přičemž u dalších příkladných provedení může tato vrstva dále obsahovat kyslík (O) . Na magnetické zrnité vrstvě 208 pro ukládání dat (nebo saturační magnetizační vrstvě 210, je-li obsažena) může být navíc nanesena vrstva lubrikantu nebo uhlíkový plášti. Vrstva lubrikantu nebo uhlíkový plášť mohou sloužit jako ochrana. Navíc může být na magnetické zrnité vrstvě 208 pro ukládání dat nanesena další magnetická nebo nemagnetická vrstva.
[0041] Příkladné magnetické záznamové médium 200 z obr. 2 navíc obsahuje vrstvu 210 k nastavení nasycené magnetizace. Vrstva 210 k nastavení nasycené magnetizace může být z CoPt, nebo CoPt, přičemž může být dále legována chromém (Cr) nebo borem (B) nebo jakoukoliv jejich kombinací. U mnohých provedení předmětného vynálezu může být vrstva 210 k nastavení nasycené magnetizace vynechána.
Ni-X
[0042] Podle alespoň jednoho příkladného provedení předmětného vynálezu může být binární (Ni-X) slitina použita k podporováni zjemnění struktury zrn v krystalické podkladové vrstvě magnetického záznamového média. Magnetické záznamové médium obsahuje substrát a na tomto substrátu nanesenou vrstvu zárodečných krystalů. Vrstva zárodečných krystalů je tvořena niklem (Ni), legovacím prvkem (X) a oxidem kovu. Na vrstvě zárodečných krystalů je nanesena podkladová vrstva a na podkladové vrstvě je nanesena magnetická zrnitá vrstva pro ukládání dat., Rozpustnost legovacího prvku v plošně centrované krychlové niklové (Ni) fázi nepřesahuje 50 atomárních procent při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota. Navíc má legovací prvek měrnou susceptibilitu menší 17 1« ···* «· #··· • · · • · • · • · · μ·· μ MM • · I ·** • · t # ·« _7 m než nebo rovnou 1,5 x 10 —. kg [0043] Legovací prvek (X) je vybrán z boru (B), uhlíku (C), manganu (Mn), mědi (Cu), yttria (Y), zirkonia (Zr), rhodia (Rh) , stříbra (Ag), kadmia (Cd), ytterbia (Yb), hafnia (Hf) , iridia (Ir), platiny (Pt), zlata (Au), bismutu (Bi) a thoria (Th). Oxid kovu může mít alespoň jeden kovový prvek, kterým je křemík (Si), hliník (Al), titan (Ti), niob (Nb), tantal (Ta), zirkonium (Zr), hafnium (Hf), wolfram (W) nebo jakýkoliv lanthanoid, nebo jakoukoliv jejich kombinaci. Tento alespoň jeden kovový prvek oxidu kovu může mít negativnější redukční potenciál než nikl (Ni). Výhodou slitiny (Ni-X) niklu (Ni) s oxidem kovu je, že výsledný nanesený film nebo rozprašovací elektroda mají mikrostrukturu zrnité slitiny s hranicemi zrn bohatými na kyslík, což vede k dalšímu zjemnění struktury zrn.
[0044] Legovací prvek (X) ve vrstvě zárodečných krystalů na bázi krystalické slitiny niklu (Ni) podporuje jemnou strukturu zrn. Stejně tak jako jemná struktura zrn krystalické podkladové vrstvy napomáhá ke snížení zmenšení velikosti zrn následně nanesené zrnité magnetické vrstvy, podobného efektu se dosahuje podkladovou vrstvou, pokud je tato podkladová vrstva nanesena následně epitaxně na vrchní straně vrstvy zárodečných krystalů na bázi binární krystalické slitiny niklu (Ni-X) s oxidem kovu. U příkladných provedení předmětného vynálezu dochází k podporování zjemnění struktury zrn legováním niklu (Ni) nějakým prvkem (X), který zjemňuje strukturu zrn ve filmu vrstvy zárodečných krystalů na bázi krystalické s,litiny niklu (Ni), čímž má legovací prvek malou nebo žádnou rozpustnost v plošně centrované krychlové niklové (Ni) fázi při pokojové teplotě, takže legovací prvek vytváří amorfní oblast hranic zrn ve filmu vrstvy zárodečných krystalů na bázi slitiny niklu (Ni) a napomáhá zmenšení velikosti zrn 18 1« ···· « « · • · • · · • · · Μ»· ·· »··« • · • · * * · ·* ··· •v ·♦·· * · *
omezením dalšího růstu zrn během procesu výroby.
[0045] Legovací prvek (X) je ve,své podstatě nemagnetícký nebo slabě magnetický, s měrnou susceptibilitou menší než nebo rovnou 1,5 x 10"7 —. V tabulce 1 níže je uveden seznam k legovacích prvků (X), které mohou být legovány niklem (Ni) za vzniku vylepšené slitiny (Ni-X), což má za následek zmenšeni velikosti zrn ve filmu vrstvy zárodečných krystalů, přičemž ale lze použit i další prvky, které vykazuji tyto vlastnosti. prvek atomové číslo poloměr atomu struktura měrná susceptibilita 10~8 m3/kg rozpustnost v niklu (Ni) při pokojové teplotě (RT) B 5 0,97 A romboedrická -0,87 nerozpustný C 6 0,77 Á diamantová krychlová -0,62 1326C (2,7%); nerozpustný (RT) Mn 25 1,35 A krychlová 12,2 nerozpustný Cu 29 1,28 A plošně centrovaná krychlová -0,1 nerozpustný Y 39 1,81 Á hexagonální těsně zaplněná 6,66 nerozpustný Zr 40 1,60 A hexagonální těsně zaplněná 1, 66 1170C (1,78%); nerozpustný (RT) Rh 45 1,34 A plošně centrovaná krychlová 1,32 nerozpustný Ag 47 1,44 A plošně centrovaná krychlová -0,23 1435C(3%); nerozpustný (RT) Cd 48 1,52 A _ hexagonální těsně zaplněná -0,23 nerozpustný 19 19 ΦΦΦΦ Λ Φ Φ ΦΦΦ • « · • · ΦΦΦ ·· • * ····
MM ♦ Φ • Φ • Φ φ • Φ · ΦΦ ΦΦΦΦ Φ Φ * Φ Φ Φ ΦΦ· Φ Φ Φ ΦΦ Φ
Yb 70 1,93 A plošně centrovaná krychlová 0,59 nerozpustný Hf 72 1,59 Á hexagonální těsně zaplněná 0,53 1190C (1%); nerozpustný (RT) Ir 77 1,35 Á plošně centrovaná krychlová 0,23 nerozpustný Pt 78 1,38 A plošně centrovaná krychlová 1,22 nerozpustný Au 79 1,44 Á plošně centrovaná krychlová -0,18 nerozpustný Bi 83 1,75 ,Á monoklinická -1,70 nerozpustný Th 90 1,80 A plošně centrovaná krychlová 0,53 nerozpustný
Tabulka 1: Legovací prvky, kterými se dosahuje zmenšení velikosti zrn [0046] Legovací prvek .(X) může být přidán v jakémkoliv množství převyšujícím maximální mez své rozpustnosti (při pokojové teplotě nebo vyšší) a může být přidán v takovém množství, aby jeho obsah byl větší než nebo rovný 50 atomárním procentům. Legovací prvek (X) může být ve slitině na bázi niklu (Ni) zastoupen ve vysokých procentuálních množstvích, například v množství 50 atomárních %, ale v případě potřeby lze použít i vyšší nebo nižší procentuální množství. Legovací prvek může být rovněž přidán v množství převyšujícím maximální mez své rozpustnosti, při pokojové teplotě nebo teplotách vyšších. Teplotami vyššími než pokojová teplota jsou zde míněny teploty nad pokojovou teplotou, za kterou se považují teploty přibližně 20-23 °C, neboli 68-73 °F. Jako příklady teplot vyšších než pokojová teplota lze uvést například teploty 25 °C, 100 °C, 1000 °C, 2500 °C nebo 5000 °C.
[0047] Nikl (Ni), legovaci prvek (X) a oxid kovu mohou být použity v rozprašovači elektrodě, jako je například rozprašovací elektroda 300 z obr. 3. Legovaci prvek (X) přítomný v rozprašovací elektrodě je zde obsažen v množství přesahujícím mez rozpustnosti legovacího prvku v tuhém stavu v plošně centrované krychlové (FCC) fázi niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota. Navíc legovaci prvek (X) může být v rozprašovací elektrodě přítomen v množství ne větším než o 50 atomárních procent větším než je mez rozpustnosti legovacího prvku v tuhém stavu v plošně centrované krychlové (FCC) fázi niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota. Navíc legovaci prvek (X) má měrnou susceptibilitu menší než nebo rovnou 1,5 x 10 7
Ni-Y
[0048] Podle alespoň jednoho příkladného provedení předmětného vynálezu se legovacím prvkem (Y) binární slitiny (Ni-Y) vrstvy zárodečných krystalů obsahující navíc oxid kovu může zmenšit nesoulad mřížek u magnetického záznamového média. Magnetické záznamové médium obsahuje substrát a vrstvu zárodečných krystalů nanesenou na substrátu. Vrstva zárodečných krystalů je tvořena niklem (Ni), legovacím prvkem (Y) a oxidem kovu. Na vrstvě zárodečných krystalů je nanesena podkladová vrstva a na podkladové vrstvě je nanesena magnetická zrnitá vrstva pro ukládání dat. Legovaci prvek (Y) se s výhodou přidává do niklu (Ni) v množství menším než nebo rovném 10 atomárním procentům své maximální rozpustnosti při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota. Legovaci prvek (Y) je rozpustný v niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo teplotách vyšších. Dále má legovaci prvek měrnou susceptibilitu menší 7 M3 než nebo rovnou 1,5 x 10 —. Navíc má legovaci prvek poloměr kg atomu větší než 1,24 Á. 21 • I · 21 • I · t · ·♦ ·· ···· • · » * »·· ► · ! • · ·· ··· [0049] Legovací prvek (Y) je vybrán z hliníku (AI), křemíku (Si), titanu (Ti), vanadu (V), chrómu (Cr), zinku (Zn), germania (Ge), niobu (Nb), molybdenu (Mo), ruthenia (Ru), tantalu (Ta), wolframu (W), rhenia (Re), osmia (Os), thalia (TI) a olova (Pb) . Oxid kovu může mít alespoň jeden kovový prvek, kterým je křemík (Si), hliník (AI), titan (Ti), niob (Nb), tantal (Ta), zirkonium (Zr), hafnium (Hf), wolfram (W) nebo jakýkoliv lanthanoid, nebo jakoukoliv jejich kombinaci. Tento alespoň jeden kovový prvek oxidu kovu může mít negativnější redukční potenciál než nikl (Ni). Výhodou slitiny (Ni-y) niklu (Ni) s oxidem kovu je, že výsledný nanesený film nebo rozprašovací elektroda mají mikrostrukturu zrnité slitiny s hranicemi zrn bohatými na kyslík, což vede k dalšímu zjemnění struktury zrn.
[0050] Vzhledem k symetrii roviny (111) FCC (plošně centrovaného krychlového) niklu s rovinou (0002) HCP (hexagonálního těsně zaplněného) ruthenia (Ru) dochází u vynálezu ke zmenšení nesouladu mřížek krystalických podkladových vrstev, například podkladových vrstev z ruthenia (Řu) nebo na bázi ruthenia (Ru) nebo podkladových vrstev tvořených různými základními kovy a vrstev zárodečných krystalů na bázi slitiny niklu (Ni) legováním krystalické vrstvy zárodečných krystalů niklem (Ni) a prvky (Y), které jsou rozpustné, v niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo teplotách vyšších. Výrazná (0002) orientace rutheniových (Ru) podkladových vrstev nebo podkladových vrstev na bázi ruthenia (Ru) podporuje rovněž výrazný (0002) růst textury v zrnité magnetické záznamové vrstvě. Jak je znázorněno jako příklad na obr. 4, filmy čistého niklu (Ni) a ruthenia (Ru) se svými příslušnými krystalografickými orientacemi vykazují nesoulad mřížek rovný 8,11%. Tyto legovací prvky (Y) vytvářejí tuhé roztoky s niklem (Ni) při pokojové teplotě nebo teplotách vyšších a na základě toho pozměňují rovinný mřížkový parametr 22 22 • * • · · · • • * • » • • • · 1 · · · • · • · • · • · • · • · ·· ···* • ·· * • · · • · · niklu (Ni), čímž dojde ke zmenšeni nesouladu mřížek. Legovací prvek (Y) ve slitině na bázi niklu (Ni-Y) s oxidem kovu má určitou rozpustnost v tuhém stavu v niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo teplotách vyšších, čímž legovací prvek (Y) vytváří substituční tuhý roztok s niklem (Ni) a ovlivňuje tak rovinný parametr i a-parametr své mřížky. Navíc je legovací prvek ve své podstatě nemagnetický nebo slabě magnetický a má m .3 měrnou susceptibilitou menší než nebo rovnou 1,5 x 10"7 — kg
Vzhledem k tomu, že rovinný mřížkový parametr je u niklu (Ni) vyšší než u ruthenia (Ru), má legovací prvek poloměr atomu větší než 1,24 Á, což je poloměr atomu niklu (Ni). Na základě výše uvedených kritérií je v tabulce 2 níže uveden seznam legovacích prvků, které mohou být legovány niklem (Ni) za vzniku slitin (Ni-Y), které jsou dále legovány oxidem kovu a kterými se umožňuje dosažení mřížkového souladu s následně nanesenou podkladovou vrstvou, což přináší další zlepšení krystalické struktury. 23 I · • · • · · · Μ ···· ·« · ♦ ··· • · #«· • · prvek atomové číslo poloměr atomu struktura měrná susceptibilita 10“8 m3/kg rozpustnost v niklu (Ni) při pokojové teplotě (RT) AI 13 1,43 A plošně centrovaná krychlová 0,82 1385C (21,2%); 400C (7%) Si 14 1,32 A diamantová krychlová -0,16 1143C (15,8%); 700C (101) Ti 22 1,47 A hexagonální těsně zaplněná 4,21 1304C (13,9%); 800C (7%) V 23 1,36 A prostorově centrovaná krychlová 6,28 1202C (43%); 200C (8%) Zn 30 1,37 A hexagonální těsně zaplněná -0,20 1040C (48,3%); RT (20%) Ge 32 1,37 Á diamantová krychlová 1124C (12%); 200C (9,5%) Nb 41 1,47 A prostorově centrovaná krychlová 2,81 1282C (14%); 400C (3%) Mo 42 1,40 Á prostorově centrovaná krychlová 1,17 1317C (28%); 700C (17,5%) Ru 44 1,34 Á hexagonální těsně zaplněná 0,54 1550C (34,5%); 600C (4%) Ta 73 1,47 A prostorově centrovaná krychlová 1,07 1330C (14%); 800C (3%) W 74 1,41 A prostorově centrovaná krychlová 0,39 1495C (17%); RT (12%) Re 75 1,41 Á hexagonální těsně zaplněná 0, 46 1620C (17,41); 600C (12%) Os 76 1,38 Á hexagonální těsně zaplněná 0, 06 1464C (11,7%); 600C (6%) TI 81 1,71 A hexagonální těsně zaplněná -0, 30 1387C (2,5%); 200C (2%) Pb 82 1,73 A plošně centrovaná krychlová -0,15 1340C (11,5%); 200C/RT (1,5%)
Tabulka 2: Legovací prvky, které zmenšuji nesoulad mřížek [0051] Výhodnými prvky k legování niklem (Ni) za vzniku slitiny na bázi niklu (Ni-Y) jsou hliník (AI), titan (Ti), vanad (V), germanium (Ge), niob (Nb), molybden (Mo), tantal (Ta), wolfram (W) nebo rhenium (Re), neboť tyto prvky mají větší poloměr atomu než 1,35 Á a rozpustnost větší než nebo rovnou třem atomárním procentům. Jiné prvky vhodné k použití k vytváření slitiny na bázi niklu (Ni-Y) zahrnují křemík (Si) nebo ruthenium (Ru), neboť tyto prvky mají poloměr atomu v rozmezí 1,30-1,35 Á a rozpustnost kolem tří atomárních procent. Nikl rovněž může být legován zinkem (Zn), osmiem (Os), thaliem (TI) nebo olovem (Pb), čímž dojde ke zmenšení nesouladu mřížek.
[0052] Legovací prvek (Y) ve vrstvě zárodečných krystalů na bázi slitiny niklu (Ni-Y) s oxidem kovu může být přidán v rozsahu své rozpustnosti nebo v množství větším než je mez rozpustnosti příslušného prvku při pokojové teplotě nebo vyšší, v niklu (Ni). Je-li přidán v množství výrazně převyšujícím (až o 10 atomárních procent) svou maximální mez rozpustnosti v niklu (Ni), může tento legovací prvek (Y) působit jak jako přísada ke zmenšení mřížkové neshody, tak jako přísada k ovlivnění velikosti zrn.
[0053] Nikl (Ni), legovací prvek (Y) a oxid kovu mohou být použity v rozprašovací elektrodě, jako například rozprašovací elektrodě 300 z obr. 3. Legovací prvek (Y) je v rozprašovací elektrodě přítomen v množství přesahujícím mez své rozpustnosti v tuhém stavu v plošně centrované krychlové (FCC) fázi niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota. Legovací prvek (Y) rozprašovací elektrody má měrnou susceptibilitu menší než nebo rovnou 1,5 x /m3 10 —. Navíc je legovací prvek (Y) v rozprašovací elektrodě kg přítomen v množství ne více než o 10 atomárních procent větším 25 •t ···· než je mez rozpustnosti legovaciho prvku v tuhém stavu v plošně centrované krychlové (FCC) fázi niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota.
Ni-X-Y
[0054] U mnohých provedeni předmětného vynálezu může být vytvořena kompozice ternární slitiny (Ni-X-Y) na bázi niklu (Ni), přičemž první legovací prvek (X) zjemňuje strukturu zrn v důsledku své nerozpustnosti (nebo omezené rozpustnosti v tuhé fázi na méně než 10 atomárních procent) v niklu (Ni), je-li přidán v množství větším než je jeho maximální mez rozpustnosti. Může být přidán i druhý legovací prvek, a to v rozsahu své rozpustnosti nebo v množství větším než je mez rozpustnosti tohoto druhého legovaciho prvku (Y) při pokojové teplotě nebo vyšší, v niklu (Ni) . Navíc jsou legovací prvky (X nebo Y) ve své podstatě nemagnetické nebo slabě magnetické, s w3 měrnou susceptibilitou menší než nebo rovnou 1,5 x 10"7 —. Na k základě výše specifikovaných kritérií je v tabulce 3 níže uveden seznam legovacích prvků, které mohou být legovány niklem (Ni) za vzniku ternárních slitin (Ni-X-Y), přičemž první legovací prvek (X) způsobuje zmenšení velikosti zrn ve filmu vrstvy zárodečných krystalů a druhý legovací prvek (Y) způsobuje zlepšení mřížkové shody s následně nanesenou podkladovou vrstvou, což přináší další zlepšení krystalické struktury. 26 • · · t * · • · · • · • * • · · « · · · Μ • ♦ • ♦ • · · • · ·· #··· « ·<· ·· · • · • » • · · • · prostředek pro zjemnění struktury prvky pro mřížkovou shodu zrn (do výše jejich nejvyšší meze (vyšší než jeho nejvyšší rozpustnosti při pokojové teplotě rozpustnost při pokojové teplotě nebo teplotě vyšší) nebo teplotě vyšší) B AI C Si Hn Ti Cu V Y Cr Zr Zn Rh Gq Ag Nb Cd Mo Yb Ru Hf Ta Ir W Pt Re Au ' Os Bi TI Th Pb
Tabulka 3: Legovací prvky pro zjemnění struktury zrn a zlepšení mřížkové shody [0055] Podle alespoň jednoho příkladného provedení předmětného vynálezu obsahuje magnetické záznamové médium substrát a na tomto substrátu nanesenou vrstvu zárodečných krystalů. Vrstva zárodečných krystalů je tvořena niklem (Ni) a prvním legovacím prvkem (X) a druhým legovacím prvkem (Y) . Na vrstvě zárodečných krystalů je nanesena podkladová vrstva s magnetickou zrnitou vrstvou pro ukládání dat nanesenou na podkladové vrstvě. Rozpustnost prvního legovacího prvku (X) v 27 ·· ···· > · ♦ plošně centrované krychlové niklové (Ni) fázi nepřesahuje 50 atomárních procent při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota. Druhý legovací prvek (Y) je do niklu přidán (Ni) v množství menším než nebo rovném 10 atomárním procentům své maximální rozpustnosti při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota, přičemž má větší poloměr atomu než 1,24 Á. Navíc tento první legovací prvek a druhý legovací prvek mají měrnou _7 m susceptibilitu menší než nebo rovnou 1,5 x 10 —. V souhlase h s tím může být ternární slitina niklu (Ni-X-Y) vytvořena tak, že obsahuje jak prvky (X) ovlivňující velikost zrn, tak rozpustné prvky (Y), čímž dochází ke zmenšení neshod mřížek a eliminaci zbytkových napětí na rozhraní.
[0056] První legovací prvek je vybrán z boru (B), uhlíku (C), manganu (Mn), mědi (Cu), yttria (Y), zirkonia (Zr), rhodia (Rh), stříbra (Ag), kadmia (Cd), ytterbia (Yb), hafnia (Hf), iridia (Ir), platiny (Pt), zlata (Au), bismutu (Bi) a thoria (Th) . Druhý legovací prvek je vybrán z hliníku (AI), křemíku (Si), titanu (Ti), vanadu (V), chrómu (Cr), zinku (Zn), germania (Ge), niobu (Nb), molybdenu (Mo), ruthenia (Ru), tantalu (Ta), wolframu (W) , rhenia (Re), osmia (Os), thalia (TI) a olova (Pb).
[0057] Nikl (Ni) a legovací prvky (X a Y) mohou být použity v rozprašovací elektrodě, jako například rozprašovací elektrodě 300 z obr. 3. Legovací prvek (X) je v rozprašovací elektrodě přítomen v množství přesahujícím mez své rozpustnosti v tuhém stavu v plošn,ě centrované krychlové (FCC) fázi niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota. Navíc legovací prvek (X) může být v rozprašovací elektrodě přítomen v množství ne větším než o 50 atomárních procent větším než je mez rozpustnosti legovacího prvku v 28 ···· • é ··· tuhém stavu v plošně centrované krychlové (FCC) fázi niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota. Navíc má legovací prvek (X) měrnou _7 m3 susceptibilitu menši nez nebo rovnou 1,5 x 10 —. Legovací kg prvek (Y) je v rozprašovací elektrodě přítomen v množství přesahujícím mez své rozpustnosti v tuhém stavu v plošně centrované krychlové (FCC) fázi niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota. Legovací prvek (Y) rozprašovací elektrody má měrnou n mi susceptibilitu menší než nebo rovnou 1,5 x 10 —. Navíc je kg legovací prvek (Y) v rozprašovací elektrodě přítomen v množství menším než nebo rovném množství o 10 atomárních procent většímu než je mez rozpustnosti legovacího prvku v tuhém stavu v plošně centrované krychlové (FCC) fázi niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota.
[0058] Výše popsané ternární (Ni-X-Y) slitiny pro magnetické záznamové médium nebo rozprašovací elektrody mohou být dále u různých provedení vynálezu legovány oxidy kovů, čímž se vytvoří filmy vrstvy zárodečných krystalů se zrnitou mikrostrukturou obsahující kovová zrna, obklopená hranicemi zrn bohatými na kyslík. Oxid kovu může mít alespoň jeden kovový prvek, kterým je křemík (Si), hliník (AI), titan (Ti), niob (Nb), tantal (Ta), zirkonium (Zr), hafnium (Hf), wolfram (W) nebo jakýkoliv lanthanoid, nebo jakoukoliv jejich kombinaci. Tento alespoň jeden kovový prvek oxidu kovu může mít negativnější redukční potenciál než nikl (Ni), přičemž redukční potenciál niklu (Ni) činí -0,257 V. Výroba záznamového média [0059] Obr. 5 představuje blokové schéma znázorňující postup
Ti /u f - f&r • ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ · • · * * • · · • · • ··
·· 29 500 výroby magnetického záznamového média podle druhého provedeni předmětného vynálezu. Tento způsob výroby magnetického záznamového média zahrnuje krok naprášení alespoň první vrstvy zárodečných krystalů na substrát z první rozprašovací elektrody, přičemž první rozprašovací elektroda je tvořena niklem (Ni) a legovacím prvkem. Tento způsob rovněž zahrnuje kroky naprašování alespoň jedné podkladové vrstvy na první vrstvu zárodečných krystalů z druhé rozprašovací elektrody a naprašování alespoň jedné magnetické zrnité vrstvy pro ukládání dat na první pokladovou vrstvu z třetí rozprašovací elektrody.
[0060] Konkrétně proces začíná krokem 502 a na substrát se napráší alespoň jedna vrstva zárodečných krystalů z první rozprašovací elektrody, přičemž první rozprašovací elektroda je tvořena niklem (Ni) a legovacím prvkem (krok 504). U mnohých provedení předmětného vynálezu může být rozprašovací elektroda dále tvořena oxidy kovů. Pokud se týká naprášení první vrstvy zárodečných krystalů "na" substrát, není nezbytně nutné, aby tato první vrstva zárodečných krystalů byla v přímém fyzickém kontaktu Se substrátem , neboť mezi substrátem a první vrstvou zárodečných krystalů mohou být naneseny další vrstvy (například antiferomagnetické vrstvy atd.). Vrstvy mezi substrátem a první vrstvou zárodečných krystalů mohou být u mnohých provedení předmětného vynálezu naprášeny z první rozprašovací elektrody nebo dalších elektrod.
[0061] Jedním znakem tohoto provedení je skutečnost, že rozpustnost legovacího prvku (X) v plošně centrované krychlové niklové (Ni) fázi nepřesahuje 50 atomárních procent při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota, přičemž legovací prvek má měrnou susceptibilitu menší η nl nez nebo rovnou 1,5 x 10 —. Prvky, ktere vyhovují těmto kg parametrům a které mohou být použity jako legovací prvek, zahrnují bor (B), uhlík (C), mangan (Mn), měď (Cu), yttrium (Y), zirkonium (Zr), rhodium (Rh), stříbro (Ag), kadmium (Cd), ytterbium (Yb), hafnium (Hf), iridium (Ir), platinu (Pt), zlato (Au), bismut (Bi) a thorium (Th), přičemž tento výčet není úplný. U nejméně jednoho příkladného provedení je legovací prvek (X) dále legován oxidem kovu. Tento oxid kovu obsahuje alespoň jeden kovový prvek, kterým je křemík (Si) , hliník (Al), titan (Ti), niob (Nb), tantal (Ta), zirkonium (Zr), hafnium (Hf), wolfram (W) nebo jakýkoliv lanthanoid, nebo jakoukoliv jejich kombinaci. Tento alespoň jeden kovový prvek oxidu kovu má negativnější redukční potenciál než nikl (Ni).
[0062] Druhým, alternativním znakem tohoto provedení je skutečnost, že je legovací prvek (Y) je rozpustný v plošně centrované krychlové niklové (Ni) fázi a jeho rozpustnost nepřesahuje 10 atomárních procent při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota, má měrnou _7 nt3 susceptibilitu menší než nebo rovnou 1,5 x 10 — a ma vetší kg poloměr atomu než 1,24 Á. Prvky, které vyhovují těmto parametrům a které mohou být použity jako legovací prvek, zahrnují hliník (Al), křemík (Si), titan (Ti), vanad (V), chrom (Cr), zinek (Zn), germanium (Ge), niob (Nb), molybden (Mo), ruthenium (Ru), tantal (Ta), wolfram (W), rhenium (Re), osmium (Os), thalium (TI) nebo olovo (Pb), přičemž tento výčet není úplný. , U nejméně jednoho příkladného provedení je legovací prvek (Y) dále legován oxidem kovu. Tento oxid kovu obsahuje alespoň jeden kovový prvek, kterým je křemík (Si), hliník (Al), titan (Ti), niob (Nb), tantal (Ta), zirkonium (Zr), hafnium (Hf), wolfram (W) nebo jakýkoliv lanthanoid, 31 ·· *··· Μ ··** 1 * * . » I ··· ·· ···* nebo jakoukoliv jejich kombinaci. Tento alespoň jeden kovový prvek oxidu kovu má negativnější redukční potenciál než nikl (Ni) .
[0063] Podle třetího, alternativního znaku rovněž tohoto provedení, první legovací prvek (X) a druhý legovací prvek (Y) . Rozpustnost legovacího prvku (X) v plošně centrované krychlové niklové (Ni) fázi nepřesahuje 50 atomárních procent při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota a legovací prvek má měrnou susceptibilitu menší než 7 m3 nebo rovnou 1,5 x 10" —. Prvky, které vyhovují těmto kg parametrům a které mohou být použity jako legovací prvek, zahrnují bor (B) , uhlík (C) , mangan (Mn), měď (Cu), yttrium (Y), zirkonium (Zr), rhodium (Rh), stříbro (Ag), kadmium (Cd), ytterbium (Yb), hafnium (Hf), iridium (Ir), platinu (Pt), zlato (Au), bismut (Bí) a thorium (Th), přičemž tento výčet není úplný. Legovací prvek (Y) je rozpustný v plošně centrované krychlové niklové (Ni) fázi a jeho rozpustnost nepřesahuje 10 atomárních procent při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota, má měrnou 7 τη3 susceptibilitu menší než nebo rovnou 1,5 x 10 — a má vetší kg poloměr atomu než 1,24 Á. Prvky, které vyhovují těmto parametrům a které mohou být použity jako legovací prvek, zahrnují hliník (AI), křemík (Si), titan (Ti), vanad (V), chrom (Cr), zinek (Zn), germanium (Ge), niob (Nb), molybden (Mo) , ruthenium (Ru), tantal (Ta), wolfram (W), rhenium (Re), osmium (Os), thalium (TI) nebo olovo (Pb). U nejméně jednoho příkladného provedení jsou první legovací prvek (X) a druhý legovací prvek (Y) dále legovány oxidem kovu. Tento oxid kovu obsahuje alespoň jeden kovový prvek, kterým je křemík (Si), hliník (Al), titan (Ti), niob (Nb), tantal (Ta), zirkonium (Zr), hafnium (Hf), wolfram (W) nebo jakýkoliv lanthanoid, 32 ·· ····
η ··*♦ přičemž tento výčet není úplný, nebo jakoukoliv jejich kombinaci. Tento alespoň jeden kovový prvek oxidu kovu má negativnější redukční potenciál než nikl (Ni).
[0064] Na první vrstvu zárodečných krystalů se napráší alespoň jedna podkladová vrstva z druhé rozprašovací elektrody (krok 506) . První podkladová vrstva je tvořena rutheniem (Ru) nebo slitinou na bázi ruthenia (Ru), nebo jakýmkoliv jiným vhodným prvkem nebo slitinou. U mnohých provedení předmětného vynálezu může být tato první podkladová vrstva naprášena simultánně s vrstvou zárodečných krystalů, ale vrstva zárodečných krystalů by mohla být naprášena i samostatně.
[0065] Na první pokladovou vrstvu se napráší alespoň jedna magnetická zrnitá vrstva pro ukládání dat z třetí rozprašovací elektrody (krok 508). První magnetická zrnitá vrstva pro ukládání dat může být naprašována spolu s vrstvou zárodečných krystalů nebo první podkladovou vrstvou, ale vrstva zárodečných krystalů nebo první podkladová vrstva by mohly být naprášeny i samostatně, nezávisle na první magnetické zrnité vrstvě pro ukládání dat. Navíc na první magnetické zrnité vrstvě pro ukládání dat může být naprášena další vrstva nebo vrstvy, jako například vrstva k nastavení nasycené magnetizace, kterou může být CoPt, nebo CoPt dále legované chromém (Cr) nebo borem (B) nebo jakoukoliv jejich vhodnou kombinací. Před ukončením procesu (krok 510) mohou být na první magnetickou zrnitou vrstvu pro ukládání dat naprášeny jiné další vrstvy, jako například uhlíkový (C) plášť nebo vrstva lubrikantu.
[0066] Slitiny na bázi niklu (s nebo bez oxidů kovu) podle různých příkladných provedení popsaných výše mohou být vyrobeny práškovou metalurgií nebo odléváním taveniny, s nebo bez mechanického zpracování. Mohou být však použity jakékoliv 33 • · • · ·«·· ·· ·· ·« *· • · ·
*
♦ · · jiné vhodné výrobní postupy.
[0067] Jak je popsáno výše pomocí různých příkladných provedení předmětného vynálezu, rozprašovací elektrody ze slitin na bázi niklu (Ni) mohou být použity k výrobě vrstev zárodečných krystalů na bázi krystalické slitiny niklu (Ni) s jemnou strukturou zrn a k zjemnění struktury zrn krystalické podkladové vrstvy a vylepšení následně epitaxně nanesené zrnité magnetické vrstvy. Různá výše popsaná provedení předmětného vynálezu představují další přístupy k legování vrstvy zárodečných krystalů na bázi slitiny niklu (Ni) vedoucí ke zmenšení nesouladu mezi mřížkami vrstvy zárodečných krystalů na bázi slitiny niklu (Ni) a mřížkami podkladové vrstvy, což příznivě ovlivňuje krystalickou strukturu podkladové vrstvy. Všechny tyto přínosy vedou ke zlepšení SNR a zvýšení kolmé anizotropie u vícevrstvých médií používaných pro PMR.
[0068] Podrobný popis uvedený dále ve spojení s připojenými obrázky představuje popis různých provedení vynálezu, přičemž tato provedení nejsou jedinými možnými provedeními vynálezu. Konkrétní detaily jsou v tomto popisu uvedeny pro účely řádného objasnění vynálezu. Odborníkovi v oboru je zřejmé, že vynález může být proveden bez těchto konkrétních detailů. Z důvodu lepší, srozumitelnosti popisu vynálezu jsou v některých příkladech v blokovém diagramu použity dobře známé vazby a prvky.
[0069] Je zřejmé, že konkrétní pořadí nebo posloupnost kroků v postupech zde popsaných je příkladné provedení a že toto konkrétní pořadí nebo posloupnost kroků v postupech mohou být změněny podle zvolených požadavků při zachování rozsahu vynálezu. Doprovodný způsob uvádí prvky přítomné v různých krocích v příkladném pořadí, což není myšleno jako omezení 9 * 9 9 • *·· ♦ · · Η ···· I ♦ ♦ . * · « · li »»· ·* ♦··· • β • * • · · • « ·· 9 34 vynálezu na toto konkrétní popsané pořadí nebo posloupnost.
[0070] Na základě výše uvedeného popisu je odborník v oboru schopen provést tato různá zde popsaná provedení. Odborník v oboru snadno odvodí další modifikace těchto provedení, přičemž obecné principy zde uvedené lze aplikovat i na jiná další provedení. Záměrem nároků není být omezeny na provedení zde popsaná, ale pokrýt celý rozsah v souhlase se slovně vyjádřenými nároky, přičemž odkaz na jakýkoliv prvek v jednotném čísle neznamená "jeden a pouze jeden" není-li tak výslovně uvedeno, ale přesněji řečeno "jeden nebo více", všechny strukturní a funkční ekvivalenty k prvkům uvedeným ve všech provedeních popsaných v tomto textu, které jsou známé nebo budou známé později odborníkům v oboru, jsou zde výslovně zahrnuty a berou se jako zahrnuty v nárocích. Navíc nic zde popsaného není zamýšleno být dáno k dispozici veřejnosti, bez ohledu na to, zda jsou nebo nejsou tyto skutečnosti výslovně deklarovány v nárocích. Žádný prvek nároků by neměl být chápán podle ustanovení 35 U.S.C. §112, odstavec šest, pokud tento prvek není výslovně definován s použitím výrazu "prostředek pro" nebo, v případě způsobového nároku, pokud není prvek definován s použitím výrazu "krok pro".
Claims (74)
- 35 35 wrl·' • · · · e Λ *·· *·· ···· lt ·» M·· • ·· •I ···· » t · ♦ M PATENTOVÉ NÁROKY 1. Magnetické záznamové médium, obsahující: substrát; vrstvu zárodečných krystalů nanesenou na substrátu, přičemž .tato vrstva zárodečných krystalů je tvořena niklem (Ní) a legovacím prvkem a přičemž tato vrstva zárodečných krystalů dále obsahuje oxid kovu; podkladovou vrstvu· nanesenou na vrstvě zárodečných krystalů; a magnetickou zrnitou vrstvu pro ukládání dat nanesenou na podkladové vrstvě, přičemž rozpustnost legovacího prvku v plošně centrované krychlové niklové (Ni) fázi nepřesahuje 50 atomárních procent při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota, a přičemž legovací prvek má měrnou susceptibilitu menší _7 m3 než nebo rovnou 1,5 x 10 —. %
- 2. Magnetické záznamové médium podle nároku 1, vyznačující se tím, že legovací prvek je vybrán ze skupiny sestávající z boru (B), uhlíku (C), manganu (Mn), mědi (Cu), yttria (Y), zirkonia (Zr), rhodia (Rh), stříbra (Ag), kadmia (Cd), ytterbia .(Yb) , hafnia (Hf), iridia (Ir), platiny (Pt) , zlata (Au), bismutu (Bi) a thoria (Th).
- 3. Magnetické záznamové médium podle nároku 1, vyznačující se tím, že podkladová vrstva je tvořena rutheniem (Ru) nebo slitinou na bázi ruthenia (Ru).
- 4. Magnetické záznamové médium podle nároku 1, vyznačující se tím, že magnetickou zrnitou vrstvou pro ukládání dat je CoCrPt. 36 36 ·· ·· ·» ···· » · · • · · · ·
- 5. Magnetické záznamové médium podle nároku 4, vyznačující se tím, že magnetická zrnitá vrstva pro ukládání dat z CoCrPt dále obsahuje kyslík (0).
- 6. Magnetické záznamové médium podle nároku 1, dále obsahující vrstvu k nastavení nasycené magnetizace nanesenou na magnetické zrnité vrstvě pro ukládání dat.
- 7. Magnetické záznamové médium podle nároku 6, vyznačující se tím, že vrstvou k nastavení nasycené magnetizace je CoPt.
- 8. Magnetické záznamové médium podle nároku 7, vyznačující se tím, že vrstva k nastavení nasycené magnetizace je legována chromém (Cr) nebo borem (B), nebo jejich kombinací.
- 9. Magnetické záznamové médium podle nároku 1, vyznačující se tím, že oxid kovu obsahuje alespoň jeden kovový prvek, kterým je křemík (Si), hliník (Al), titan (Ti), niob (Nb), tantal (Ta), zirkonium (Zr), hafnium (Hf), wolfram (W) nebo jakýkoliv lanthanoid, nebo jakoukoliv jejich kombinaci.
- 10. Magnetické záznamové médium podle nároku 9, vyznačující se tím, že tento alespoň jeden kovový prvek oxidu kovu má negativnější redukční potenciál než nikl (Ni).
- 11. Magnetické záznamové médium, obsahující: substrát; vrstvu , zárodečných krystalů nanesenou na substrátu, přičemž tato vrstva zárodečných krystalů je tvořena niklem (Ni) a legovacím prvkem a přičemž tato vrstva zárodečných krystalů dále obsahuje oxid kovu; podkladovou vrstvu nanesenou na vrstvě zárodečných 37 ·· ··· ·· ··*· • I • ♦ · • · ·*· • ♦ · ♦ · · ·· ··*• * ···· ·· krystalů; a magnetickou zrnitou vrstvu pro ukládáni dat nanesenou na podkladové vrstvě, přičemž legovaci prvek je rozpustný v niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota,. přičemž legovaci prvek má měrnou susceptibilitu menší w3 než nebo rovnou 1,5 x 10 7 —, a k přičemž legovaci prvek má poloměr atomu větší než 1,24 Á.
- 12. Magnetické záznamové médium podle nároku 11, vyznačující se tím, že legovaci prvek je vybrán ze skupiny sestávající z hliníku (AI), křemíku (Si), titanu (Ti), vanadu (V), chrómu (Cr), zinku (Zn), germania (Ge), niobu (Nb), molybdenu (Mo), ruthenia (Ru), tantalu (Ta), wolframu (W), rhenia (Re), osmia (Os), thalia (TI) a olova (Pb).
- 13. Magnetické záznamové médium podle nároku 11, vyznačující se tím, že legovaci prvek je do niklu (Ni) přidán v množství menším než nebo rovném 10 atomárním procentům své maximální rozpustnosti při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota.
- 14. Magnetické záznamové médium podle nároku 11, vyznačující se tím, že podkladovou vrstvou je ruthenium (Ru) nebo slitina na bázi ruthenia (Ru).
- 15. Magnetické záznamové médium podle nároku 11, vyznačující se tím, že magnetickou zrnitou vrstvou pro ukládání dat je CoCrPt.
- 16. Magnetické záznamové médium podle nároku 15, vyznačující se tím, že magnetická zrnitá vrstva pro ukládání dat z CoCrPt dále obsahuje kyslík (0).
- 17. Magnetické záznamové médium podle nároku 11, dále obsahující vrstvu k nastavení nasycené magnetizace nanesenou na magnetické zrnité vrstvě pro ukládání dat.
- 18. Magnetické záznamové médium podle nároku 17, vyznačující se tím, že vrstvou k nastavení nasycené magnetizace je CoPt.
- 19. Magnetické záznamové médium podle nároku 18, vyznačující se tím, že vrstva k nastavení nasycené magnetizace je legována chromém (Cr) nebo borem (B), nebo jejich kombinací.
- 20. Magnetické záznamové médium podle nároku 11, vyznačující se tím, že oxid kovu obsahuje alespoň jeden kovový prvek, kterým je křemík (Si), hliník (Al), titan (Ti), niob (Nb) , tantal (Ta), zirkonium (Zr), hafnium (Hf), wolfram (W) nebo jakýkoliv lanthanoid, nebo jakoukoliv jejich kombinaci.
- 21. Magnetické záznamové médium podle nároku 20, vyznačující se tím, že tento alespoň jeden kovový prvek oxidu kovu má negativnější redukční potenciál než nikl (Ni).
- 22. Magnetické záznamové médium, obsahující: substrát; vrstvu i zárodečných krystalů nanesenou na substrátu, přičemž vrstva zárodečných krystalů je tvořena niklem (Ni) a prvním legovacím prvkem a druhým legovacím prvkem; podkladovou vrstvu nanesenou na vrstvě zárodečných krystalů; a 39 • ••· ·« ··♦♦ ·· ··♦· ···♦ magnetickou zrnitou vrstvu pro ukládání dat nanesenou na podkladové vrstvě.
- 23. Magnetické záznamové médium podle nároku 22, vyznačující se tím, že rozpustnost prvního legovacího prvku v plošně centrované krychlové niklové (Ni) fázi nepřesahuje 50 atomárních procent při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota.
- 24. Magnetické záznamové médium podle nároku 22, vyznačující se tím, že druhý legovací prvek je do niklu (Ni) přidán v množství menším než nebo rovném 10 atomárním procentům své maximální rozpustnosti při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota.
- 25. Magnetické záznamové médium podle nároku 22, vyznačující se tím, že první legovací prvek a druhý legovací prvek mají měrnou susceptibilitu menší než nebo rovnou 1,5 x 10-7 —. ' *g
- 26. Magnetické záznamové médium podle nároku 22, vyznačující se tím, že druhý legovací prvek má poloměr atomu větší než 1,24 Á.
- 27. Magnetické záznamové médium podle nároku 22, vyznačující se tím, že první legovací prvek je vybrán ze skupiny sestávající z boru (B), uhlíku (C), manganu (Mn), mědi (Cu), yttria (Y), zirkonia (Zr), rhodia (Rh), stříbra (Ag), kadmia (Cd), ,ytterbia (Yb), hafnia (Hf), iridia (Ir), platiny (Pt), zlata (Au), bismutu (Bi) a thoria (Th).
- 28. Magnetické záznamové médium podle nároku 22, vyznačující se tím, že druhý legovací prvek je vybrán ze 40 ·· Μ • · MM skupiny sestávající z hliníku (Al), křemíku (Si) , titanu (Ti), vanadu (V), chrómu (Cr), zinku (Zn), germania (Ge), niobu (Nb), molybdenu (Mo), ruthenia (Ru), tantalu (Ta), wolframu (W), rhenia (Re), osmia (Os), thalia (TI) a olova (Pb).
- 29. Magnetické záznamové médium podle nároku 22, vyznačující se tím, že podkladová vrstva je tvořena rutheniem (Ru) nebo slitinou na bázi ruthenia (Ru).
- 30. Magnetické záznamové médium podle nároku 22, vyznačující se tím, že magnetickou zrnitou vrstvou pro ukládání dat je CoCrPt.
- 31. Magnetické záznamové médium podle nároku 30, vyznačující se tím, že magnetická zrnitá vrstva pro ukládání dat z CoCrPt dále obsahuje kyslík (O).
- 32. Magnetické záznamové médium podle nároku 22, dále obsahující vrstvu k nastavení nasycené magnetizace nanesenou na magnetické zrnité vrstvě pro ukládání dat.
- 33. Magnetické záznamové médium podle nároku 32, vyznačující se tím, že vrstvou k nastavení nasycené magnetizace je CoPt. 34. Magnetické záznamové médium podle nároku 33, vyznačující se tím, že vrstva k nastavení nasycené magnetizace je legována chromém (Cr) nebo borem (B) , nebo jejich kombinací. 35. Magnetické záznamové médium podle nároku 22, vyznačující se tím, že vrstva zárodečných krystalů dále obsahuje oxid kovu.
- 36. Magnetické záznamové médium podle nároku 35, vyznačující se tím, že oxid kovu obsahuje alespoň jeden kovový prvek, kterým je křemík (Si), hliník (Al), titan (Ti), niob (Nb), tantal (Ta), zirkonium (Zr), hafnium (Hf), wolfram (W) nebo jakýkoliv lanthanoid, nebo jakoukoliv jejich kombinaci.
- 37. Magnetické záznamové médium podle nároku 36, vyznačující se tím, že tento alespoň jeden kovový prvek oxidu kovu má negativnější redukční potenciál než nikl (Ni).
- 38. Rozprašovací elektroda, obsahující: nikl (Ni); legovací prvek vybraný ze skupiny sestávající z boru (B), uhlíku (C), manganu (Mn), mědi (Cu), yttria (Y), zirkonia (Zr), rhodia (Rh), stříbra (Ag), kadmia (Cd), ytterbia (Yb) , hafnia (Hf), iridia (Ir), platiny (Pt), zlata (Au), bismutu (Bi) a thoria (Th); a oxid kovu.
- 39·. Rozprašovací elektroda podle nároku' 38, vyznačující se tím, že legovací prvek je v rozprašovací elektrodě obsažen v množství ne větším než o 50 atomárních procent větším než je mez rozpustnosti legovacího prvku v tuhém stavu v plošně centrované krychlové (FCC) fázi niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota.
- 40. Rozprašovací elektroda podle nároku 38, vyznačující se tím, že legovací prvek způsobuje zjemnění struktury zrn v podkladové vrstvě a magnetické zrnité vrstvě pro ukládání dat magnetického záznamového média.
- 41. Rozprašovací elektroda podle nároku 38, vyznačující se tím, že legovací prvek má měrnou susceptibilitu menší než 42 ·· ··· · ·· · · , , Γ . -.7 m nebo rovnou 1,5 x 10 —. k8
- 42. Rozprašovací elektroda podle nároku 38, vyznačující se tím, že oxid kovu obsahuje alespoň jeden kovový prvek, kterým je křemík (Si), hliník (Al), titan (Ti), niob (Nb), tantal (Ta), zirkonium (Zr), hafnium (Hf), wolfram (W) nebo jakýkoliv lanthanoid, nebo jakoukoliv jejich kombinaci.
- 43. Rozprašovací elektroda podle nároku 42, vyznačující se tím, že tento alespoň jeden kovový prvek oxidu kovu má negativnější redukční potenciál než nikl (Ni).
- 44. Rozprašovací elektroda, obsahující: nikl (Ni); a legovací prvek vybraný ze skupiny sestávající z hliníku (Al), křemíku (Si), titanu (Ti), vanadu (V), chrómu (Cr), zinku (Zn) , germania (Ge), niobu (Nb), molybdenu (Mo) , ruthenia (Ru), tantalu (Ta), wolframu (W) , rhenia (Re), osmia (Os), thalia ( TI) a olova (Pb ); a oxid kovu.
- 45. Rozprašovací elektroda podle nároku 44, vyznačující se tím, že legovací prvek má měrnou susceptibilitu menší než η m3 nebo rovnou 1,5 x 10 —. k8
- 46. Rozprašovací elektroda podle nároku 44, vyznačující se tím, že legovací prvek je v rozprašovací elektrodě obsažen v množství menším než nebo rovném 10 atomárním procentům meze rozpustnosti legovacího prvku v tuhém stavu v plošně centrované krychlové (FCC) fázi niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota. 43 ·« ···* t · · · * • · • ··· ·· ♦···
- 47. Rozprašovací elektroda podle nároku 44, vyznačující se tím, že legovací prvek přináší zmenšení nesouladu mřížky s podkladovou vrstvou, snížení zbytkových napětí na rozhraní a zlepšení krystalické struktury podkladové vrstvy pro magnetickou zrnitou vrstvu pro ukládání dat magnetického záznamového média.
- 48. Rozprašovací elektroda podle nároku 47, vyznačující se tím, že oxid kovu obsahuje alespoň jeden kovový prvek, kterým je křemík (Si), hliník (Δ1), titan (Ti), niob (Nb), tantal (Ta), zirkonium (Zr), hafnium (Hf), wolfram (W) nebo jakýkoliv lanthanoid, nebo jakoukoliv jejich kombinaci.
- 49. Rozprašovací elektroda podle nároku 48, vyznačující se tím, že tento alespoň jeden kovový prvek oxidu kovu má negativnější redukční potenciál než nikl (Ni).
- 50. Rozprašovací elektroda, obsahující: nikl (Ni); první legovací prvek vybraný ze skupiny sestávající z boru (B), uhlíku (C), manganu (Mn), mědi (Cu), yttria (Y) , zirkonia (Zr), rhodia (Rh), stříbra (Ag), kadmia (Cd), ytterbia (Yb), hafnia (Hf), iridia (Ir), platiny (Pt), zlata (Au), bismutu (Bi) a thoria (Th); a druhý legovací prvek vybraný ze skupiny sestávající z hliníku (AI), křemíku (Si), titanu (Ti), vanadu (V), chrómu (Cr) , zinku (Zn), germania (Ge), niobu (Nb), molybdenu (Mo) , ruthenia (Ru), tantalu (Ta), wolframu (W), rhenia (Re), osmia (Os), thalia (TI) a olova (Pb). i
- 51. Rozprašovací elektroda podle nároku 50, vyznačující se tím, že první legovací prvek je v rozprašovací elektrodě obsažen v množství ne větším než o 50 atomárních procent větším než je mez rozpustnosti legovacího prvku v tuhém stavu 44 ·· ·· *♦·· • ♦ • ♦• · · · · · ♦ ·*· • ♦ I ··· • · ft · ·· *··· ·· #♦· • · • · • · · • · ·· v plošně centrované krychlové (FCC) fázi niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota.
- 52. Rozprašovací elektroda podle nároku 50, vyznačující se tím, že první legovací prvek způsobuje zjemnění struktury zrn v podkladové vrstvě a magnetické zrnité vrstvě pro ukládání dat magnetického záznamového média.
- 53. Rozprašovací elektroda podle nároku 50, vyznačující se tím, že první legovací prvek a druhý legovací prvek mají , m} měrnou susceptibilitu menší než nebo rovnou 1,5 x 10 —. k
- 54. Rozprašovací elektroda podle nároku 50, dále obsahující oxid kovu.
- 55. Rozprašovací elektroda podle nároku 54, vyznačující se tím, že oxid kovu obsahuje alespoň jeden kovový prvek, kterým je křemík (Si), hliník (AI), titan (Ti), niob (Nb), tantal (Ta), zirkonium (Zr), hafnium (Hf), wolfram (W) nebo jakýkoliv lanthanoid, nebo'jakoukoliv jejich kombinaci.
- 56. Rozprašovací elektroda podle nároku 55, vyznačující se tím, že tento alespoň jeden kovový prvek oxidu kovu má negativnější redukční potenciál než nikl (Ni).
- 57. Rozprašovací elektroda podle nároku 50, vyznačující se tím, že druhý legovací prvek má poloměr atomu větší než 1,24 A.
- 58. Rozprašovací elektroda podle nároku 50, vyznačující se tím, že druhý legovací prvek je v rozprašovací elektrodě obsažen v množství menším než nebo rovném 10 atomárním procentům meze rozpustnosti legovacího prvku v tuhém stavu v plošně centrované krychlové (FCC) fázi niklu (Ni) při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota.
- 59. Rozprašovací elektroda podle nároku 50, vyznačující se tím, že druhý legovací prvek přináší zmenšení nesouladu mřížky s podkladovou vrstvou, snížení zbytkových napětí na rozhraní a zlepšení krystalické struktury podkladové vrstvy pro magnetickou zrnitou vrstvu pro ukládání dat magnetického záznamového média.
- 60. Způsob výroby magnetického záznamového média, obsahující kroky: naprášení alespoň první vrstvy zárodečných krystalů na substrát z první rozprašovací elektrody, přičemž první rozprašovači elektroda je tvořena niklem (Ni) a legovacím prvkem, přičemž rozpustnost legovacího prvku v plošně centrované krychlové niklové (Ni) fázi nepřesahuje 50 atomárních procent při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota, přičemž legovací prvek má měrnou w3 susceptibilitu menší než nebo rovnou 1,5 x 10 7 —, a přičemž kg první rozprašovací elektroda je dále tvořena oxidem kovu; naprášeni alespoň jedné podkladové vrstvy na první vrstvu zárodečných krystalů z druhé rozprašovací elektrody; a naprášení alespoň jedné magnetické zrnité vrstvy pro ukládání dat na první pokladovou vrstvu z třetí rozprašovací elektrody.
- 61. Způsob podle nároku 60, vyznačující se tím, že legovací prvek je vybrán ze skupiny sestávající z boru (B) , uhlíku (C), manganu (Mn), mědi (Cu), yttria (Y), zirkonia (Zr), rhodia (Rh), stříbra (Ag), kadmia (Cd), ytterbia (Yb), hafnia (Hf), iridia (Ir), platiny (Pt), zlata (Au), bismutu 46 # · · ···« ·· * · · · ··· • · • · ·· ··· ·· ··· • · • · · • · · • · · ·· * (Bi) a thoria (Th).
- 62. Způsob podle nároku 60, zahrnující oxid kovu, kde tento oxid kovu obsahuje alespoň jeden kovový prvek, kterým je křemík (Si), hliník (AI), titan (Ti), niob (Nb), tantal (Ta), zirkonium (Zr), hafnium (Hf), wolfram (W) nebo jakýkoliv lanthanoid, nebo jakoukoliv jejich kombinaci.
- 63. Způsob podle nároku 62, vyznačující se tím, že tento alespoň jeden kovový prvek oxidu kovu může mít negativnější redukční potenciál než nikl (Ni).
- 64. Způsob podle nároku 60, vyznačující se tím, že první vrstva zárodečných krystalů, první podkladová vrstva, nebo první magnetická zrnitá vrstva pro ukládání dat, nebo jakákoliv jejich kombinace se naprašují s použitím soupravy pro simultánní rozprašování.
- 65. Způsob výroby magnetického záznamového média, obsahující kroky: naprášení alespoň první vrstvy zárodečných krystalů na substrát z první rozprašovací elektrody, přičemž první rozprašovací elektroda je tvořena niklem (Ni) a legovacím prvkem, přičemž rozpustnost legovacího prvku v plošně centrované krychlové niklové (Ni) fázi je menší než nebo rovná 10 atomárním procentům při pokojové teplotě nebo při teplotách vyšších než pokojová teplota, a přičemž legovací prvek má __ 7 m3 měrnou susceptibilitu menší nez nebo rovnou 1,5 x 10 —, a k přičemž první, rozprašovací elektroda je dále tvořena oxidem kovu; naprášení alespoň jedné podkladové vrstvy na první vrstvu zárodečných krystalů z druhé rozprašovací elektrody; a naprášení alespoň jedné magnetické zrnité vrstvy pro ·«·· ·· ·· ·· ···· Μ ······· · « · «··· ··· I · ·· ·· ··· ·· • I «··· · · · ·«· · ·· ·· ·· · 47 ukládání dat na první pokladovou vrstvu z třetí rozprašovací elektrody.
- 66. Způsob podle nároku 65, vyznačující se tím, že legovací prvek je vybrán ze skupiny sestávající z hliníku (Al), křemíku (Si), titanu (Ti), vanadu (V), chrómu (Cr) , zinku (Zn), germania (Ge), niobu (Nb), molybdenu (Mo), ruthenia (Ru), tantalu (Ta), wolframu (W), rhenia (Re), osmia (Os), thalia (Tl) a olova (Pb).
- 67. Způsob podle nároku 65, vyznačující se tím, že legovací prvek má poloměr atomu větší než 1,24 Á.
- 68. Způsob podle nároku 65, zahrnující oxid kovu, kde tento oxid kovu obsahuje alespoň jeden kovový prvek, kterým je křemík (Si), hliník (Al), titan (Ti), niob (Nb), tantal (Ta), zirkomum (Zr), hafnium (Hf) , wolfram (W) nebo jakýkoliv lanthanoid, nebo jakoukoliv jejich kombinaci.
- 69. Způsob podle nároku 68, vyznačující se tím, že tento alespoň jeden kovový prvek oxidu kovu může mít negativnější redukční potenciál než nikl (Ni).
- 70. Způsob výroby magnetického záznamového média, obsahující krcky: naprášení alespoň první vrstvy zárodečných krystalů na substrát z první rozprašovací elektrody, přičemž první rozprašovací elektroda je tvořena niklem (Ni) a prvním legovacím prvkem a druhým legovacím prvkem, přičemž rozpustnost prvního legovacího prvku v plošně centrované krychlové niklové (Ni) fázi nepřesahuje 50 atomárních procent při pokojové teplotě, přičemž rozpustnost druhého legovacího prvku v plošně centrované krychlové niklové (Ni) fázi je menši než nebo rovná 10 atomárním procentům při pokojové teplotě nebo 48 Μ ···· při teplotách vyšších než pokojová teplota, a přičemž tento první i druhý legovací prvek mají měrnou susceptíbilitu menší η m3 než nebo rovnou 1,5 x 10 —; kg naprášení alespoň jedné podkladové vrstvy na první vrstvu zárodečných krystalů z druhé rozprašovací elektrody; a naprášení alespoň jedné magnetické zrnité vrstvy pro ukládání dat na první pokladovou vrstvu z třetí rozprašovací elektrody.
- 71. Způsob podle nároku 70, vyznačující se tím, že první legovací prvek je vybrán ze skupiny sestávající z boru (B) , uhlíku (C), manganu (Mn), mědi (Cu), yttria (Y), zirkonia (Zr), rhodia (Rh), stříbra (Ag), kadmia (Cd), ytterbia (Yb), hafnia (Hf), iridia (Ir), platiny (Pt), zlata (Au), bismutu (Bi) a thoria (Th).
- 72. Způsob podle nároku 70, vyznačující se tím, že druhý legovací prvek je vybrán ze skupiny sestávající z hliníku (AI), křemíku (Si), titanu (Ti), vanadu (V),· chrómu (Cr) , zinku (Zn), germania (Ge), niobu (Nb), molybdenu (Mo), ruthenia (Ru), tantalu (Ta), wolframu (W) , rhenia (Re), osmia (Os), thalia (Tl) a olova (Pb).
- 73. Způsob podle nároku 70, vyznačující se tím, že druhý legovací prvek má poloměr atomu větší než 1,24 Á.
- 74. Způsob podle nároku 70, vyznačující se tím, že první rozprašovací elektroda je dále tvořena oxidem kovu.
- 75. Způsob podle nároku 74, zahrnující oxid kovu, kde tento oxid kovu obsahuje alespoň jeden kovový prvek, kterým je křemík (Si), hliník (AI), titan (Ti), niob (Nb), tantal (Ta), zirkonium (Zr), hafnium (Hf), wolfram (W) nebo jakýkoliv φι ···· « * * »• · ···* ··· %·· »fr |f|4 • · 9 * I · * • * 49 lanthanoid, nebo jakoukoliv jejich kombinaci.
- 76. Způsob podle nároku 75, vyznačující se tím, že tento alespoň jeden kovový prvek oxidu kovu může mít negativnější redukční potenciál než nikl (Ni) .
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/633,576 US20080131735A1 (en) | 2006-12-05 | 2006-12-05 | Ni-X, Ni-Y, and Ni-X-Y alloys with or without oxides as sputter targets for perpendicular magnetic recording |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ2007154A3 true CZ2007154A3 (cs) | 2008-07-23 |
Family
ID=38009505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ20070154A CZ2007154A3 (cs) | 2006-12-05 | 2007-02-23 | Slitiny Ni - X, Ni - Y a Ni - X - Y s oxidy nebo bez oxidu jako rozprašovací elektrody pro kolmý magnetický záznam |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080131735A1 (cs) |
| EP (1) | EP1930884A1 (cs) |
| JP (1) | JP2008146801A (cs) |
| KR (1) | KR20080052134A (cs) |
| CN (1) | CN101276599A (cs) |
| CZ (1) | CZ2007154A3 (cs) |
| SG (1) | SG143108A1 (cs) |
| TW (1) | TW200825190A (cs) |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009064501A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
| US8546259B2 (en) * | 2007-09-26 | 2013-10-01 | Texas Instruments Incorporated | Nickel silicide formation for semiconductor components |
| JP2009116932A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Hoya Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| US9159351B2 (en) * | 2007-10-15 | 2015-10-13 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd | Perpendicular magnetic recording medium and method of manufacturing the same |
| JP5105594B2 (ja) * | 2007-10-15 | 2012-12-26 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気記録媒体 |
| JP5227634B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2013-07-03 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気記録媒体及び垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| SG10201506990SA (en) * | 2008-04-30 | 2015-10-29 | Sanyo Special Steel Co Ltd | Sputtering target material for producing intermediate layer film of perpendicular magnetic recording medium and thin film produced by using the same |
| JP2009167530A (ja) * | 2009-02-10 | 2009-07-30 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | ニッケル合金スパッタリングターゲット及びニッケルシリサイド膜 |
| WO2010134612A1 (ja) * | 2009-05-21 | 2010-11-25 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 垂直磁気記録媒体 |
| TWI502092B (zh) * | 2010-03-19 | 2015-10-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Nickel alloy sputtering target, Ni alloy film and silicon nitride film |
| WO2013044133A1 (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-28 | Carnegie Mellon University | Thin-film media structures for perpendicular magnetic recording and storage devices made therewith |
| WO2014141737A1 (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
| KR102090289B1 (ko) * | 2013-05-30 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 스퍼터링 타겟, 이를 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
| US9564164B2 (en) * | 2013-12-20 | 2017-02-07 | Seagate Technology Llc | Exchange decoupled data storage medium |
| US9685184B1 (en) | 2014-09-25 | 2017-06-20 | WD Media, LLC | NiFeX-based seed layer for magnetic recording media |
| US9818442B2 (en) | 2014-12-01 | 2017-11-14 | WD Media, LLC | Magnetic media having improved magnetic grain size distribution and intergranular segregation |
| US9990940B1 (en) | 2014-12-30 | 2018-06-05 | WD Media, LLC | Seed structure for perpendicular magnetic recording media |
| CN109423615B (zh) * | 2017-08-30 | 2021-02-02 | 光洋应用材料科技股份有限公司 | 镍铼合金靶材及其制法 |
| TWI659119B (zh) * | 2017-08-30 | 2019-05-11 | 光洋應用材料科技股份有限公司 | 鎳錸合金靶材及其製法 |
| US10760156B2 (en) | 2017-10-13 | 2020-09-01 | Honeywell International Inc. | Copper manganese sputtering target |
| US11035036B2 (en) | 2018-02-01 | 2021-06-15 | Honeywell International Inc. | Method of forming copper alloy sputtering targets with refined shape and microstructure |
| JP6627993B2 (ja) * | 2018-03-01 | 2020-01-08 | 三菱マテリアル株式会社 | Ｃｕ−Ｎｉ合金スパッタリングターゲット |
| JP7157573B2 (ja) * | 2018-07-04 | 2022-10-20 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 磁気記録媒体のシード層用Ｎｉ系合金 |
| TWI702294B (zh) * | 2018-07-31 | 2020-08-21 | 日商田中貴金屬工業股份有限公司 | 磁氣記錄媒體用濺鍍靶 |
| SG11202011990SA (en) * | 2018-08-09 | 2021-01-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target, granular film, and perpendicular magnetic recording medium |
| JP7385370B2 (ja) * | 2019-05-07 | 2023-11-22 | 山陽特殊製鋼株式会社 | Ｎｉ系スパッタリングターゲット及び磁気記録媒体 |
| WO2021046099A1 (en) * | 2019-09-04 | 2021-03-11 | Virginia Commonwealth University | PURE-PHASE CUBIC Ni1-xMox ALLOY NANOPARTICLES AS LOW-COST AND EARTH ABUNDANT ELECTROCATALYSTS |
| US11398247B1 (en) | 2021-06-21 | 2022-07-26 | Western Digital Technologies, Inc. | Magnetic recording media with oxidized pre-seed layer |
| TWI769081B (zh) * | 2021-09-17 | 2022-06-21 | 光洋應用材料科技股份有限公司 | 鉻鎳鈦合金靶材及其製法 |
Family Cites Families (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2167448B (en) * | 1984-11-02 | 1988-10-19 | Hitachi Ltd | Perpendicular magnetic recording medium |
| US5405646A (en) * | 1992-10-14 | 1995-04-11 | Nanis; Leonard | Method of manufacture thin film magnetic disk |
| WO1998022636A1 (fr) * | 1996-11-20 | 1998-05-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cible pour pulverisation, et film antiferromagnetique et element a effet magnetoresistant formes a l'aide de ladite cible |
| US6117570A (en) * | 1998-03-19 | 2000-09-12 | Seagate Technology, Inc. | Thin film medium with surface-oxidized NiAl seed layer |
| US6383404B1 (en) * | 1998-08-19 | 2002-05-07 | Hoya Corporation | Glass substrate for magnetic recording medium, magnetic recording medium, and method of manufacturing the same |
| US6348276B1 (en) * | 1998-09-25 | 2002-02-19 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media with a surface-oxidized nial sub-seedlayer |
| US6346339B1 (en) * | 1998-09-30 | 2002-02-12 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media with a nialox sub-seedlayer |
| JP2000155925A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-06-06 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US6623873B1 (en) * | 1998-11-20 | 2003-09-23 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and magnetic disk apparatus using the same |
| US6544667B1 (en) * | 1999-03-11 | 2003-04-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium, producing method of the same and magnetic recording system |
| SG83784A1 (en) * | 1999-03-31 | 2001-10-16 | Hoya Corp | Glass substrate for magnetic recording medium, magnetic recording medium, and method of manufacturing the same |
| US6403241B1 (en) * | 1999-04-14 | 2002-06-11 | Seagate Technology, Inc. | CoCrPtB medium with a 1010 crystallographic orientation |
| US6699588B2 (en) * | 1999-07-22 | 2004-03-02 | Seagate Technology, Inc. | Medium with a NiNb sealing layer |
| US6572958B1 (en) * | 1999-07-22 | 2003-06-03 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media comprising a silicon carbide corrosion barrier layer and a c-overcoat |
| US6190516B1 (en) * | 1999-10-06 | 2001-02-20 | Praxair S.T. Technology, Inc. | High magnetic flux sputter targets with varied magnetic permeability in selected regions |
| US6475611B1 (en) * | 1999-12-14 | 2002-11-05 | Seagate Technology Llc | Si-containing seedlayer design for multilayer media |
| US6620531B1 (en) * | 1999-12-20 | 2003-09-16 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media with oxidized seedlayer for reduced grain size and reduced grain size distribution |
| JP2001184626A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
| JP2001295037A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Hitachi Ltd | スパッタターゲット |
| US6740397B1 (en) * | 2000-05-24 | 2004-05-25 | Seagate Technology Llc | Subseedlayers for magnetic recording media |
| JP4199913B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2008-12-24 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP3666853B2 (ja) * | 2001-01-25 | 2005-06-29 | 高橋 研 | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 |
| US6641936B1 (en) * | 2001-03-27 | 2003-11-04 | Seagate Technology Llc | Magnetic media with high Cr content, non-magnetic CoCrPt intermediate layers |
| US6478895B1 (en) * | 2001-04-25 | 2002-11-12 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Nickel-titanium sputter target alloy |
| US20030134151A1 (en) * | 2001-09-14 | 2003-07-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| SG118182A1 (en) * | 2002-03-19 | 2006-01-27 | Fuji Electric Co Ltd | Method for producing a magnetic recording medium and a magnetic recording medium produced by the method |
| JP2003338019A (ja) * | 2002-05-22 | 2003-11-28 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体、及びその製造方法 |
| JP4416408B2 (ja) * | 2002-08-26 | 2010-02-17 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 垂直磁気記録媒体 |
| SG118199A1 (en) * | 2002-09-04 | 2006-01-27 | Fuji Electric Co Ltd | Perpendicular magnetic recording medium and a method for manufacturing same |
| WO2004070710A1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| JP4183541B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2008-11-19 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP2004326889A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Hitachi Global Storage Technologies Inc | 磁気記録媒体 |
| WO2005006310A1 (en) * | 2003-07-14 | 2005-01-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium using grain isolation type film as under layer, method of manufacturing the same, and magnetic recording/reproducing apparatus using the same |
| US6855439B1 (en) * | 2003-09-16 | 2005-02-15 | Seagate Technology Llc | Highly oriented longitudinal magnetic media on direct textured glass substrates |
| US6863993B1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-08 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Thin film media with a dual seed layer of RuAI/NiAIB |
| US7407720B2 (en) * | 2003-10-17 | 2008-08-05 | Seagate Technology Llc | Interlayer design for magnetic media |
| US20050095421A1 (en) * | 2003-11-03 | 2005-05-05 | Seagate Technology | Magnetic material for non-reactive process of granular perpendicular recording application |
| JP2005190517A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
| JP4812254B2 (ja) * | 2004-01-08 | 2011-11-09 | 富士電機株式会社 | 垂直磁気記録媒体、および、その製造方法 |
| CN100414610C (zh) * | 2004-03-26 | 2008-08-27 | 株式会社东芝 | 使用抑制噪声产生的软磁层的垂直磁记录介质及利用其的垂直磁记录装置 |
| JP2006079718A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JP2006127637A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2006313584A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
2006
- 2006-12-05 US US11/633,576 patent/US20080131735A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-02-15 TW TW096105585A patent/TW200825190A/zh unknown
- 2007-02-19 EP EP07250678A patent/EP1930884A1/en not_active Withdrawn
- 2007-02-21 SG SG200701194-3A patent/SG143108A1/en unknown
- 2007-02-23 CZ CZ20070154A patent/CZ2007154A3/cs unknown
- 2007-02-27 KR KR1020070019821A patent/KR20080052134A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-03-28 CN CNA2007100915814A patent/CN101276599A/zh active Pending
- 2007-04-13 JP JP2007105861A patent/JP2008146801A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20080052134A (ko) | 2008-06-11 |
| CN101276599A (zh) | 2008-10-01 |
| SG143108A1 (en) | 2008-06-27 |
| US20080131735A1 (en) | 2008-06-05 |
| TW200825190A (en) | 2008-06-16 |
| JP2008146801A (ja) | 2008-06-26 |
| EP1930884A1 (en) | 2008-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CZ2007154A3 (cs) | Slitiny Ni - X, Ni - Y a Ni - X - Y s oxidy nebo bez oxidu jako rozprašovací elektrody pro kolmý magnetický záznam | |
| CZ2006127A3 (cs) | Nanásení zlepsené vrstvy zárodecných krystalu s pouzitím rozprasovací elektrody na bázi slitiny tantalu | |
| US7494617B2 (en) | Enhanced formulation of cobalt alloy matrix compositions | |
| TWI279785B (en) | Enhanced multi-component oxide-containing sputter target alloy compositions | |
| JP2007087575A (ja) | 磁気記録媒体におけるチューニング交換結合 | |
| CZ2005343A3 (cs) | Vylepsené slitinové kompozice pro rozprasovácí elektrody | |
| CZ2006126A3 (cs) | Zlepšené slitinové kompozice obsahující kyslík pro rozprašovací elektrody | |
| JP2008169483A (ja) | 粒状垂直磁気記録媒体の中間層を形成するための成膜ターゲットとして有用なレニウム（Ｒｅ）ベースの合金及びそれを利用した媒体 | |
| JP2006313584A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| CZ2006383A3 (cs) | Magnetická média ze slitiny ruthenia a rozprašovací elektrody | |
| CZ2005638A3 (cs) | Vylepšené slitinové kompozice pro rozprašovací elektrody obsahující uhlík | |
| US20110129692A1 (en) | Magnetic alloy materials with hcp stabilized microstructure, magnetic recording media comprising same, and fabrication method therefor | |
| TWI374444B (en) | Sputtering targets and recording materials for hard disk formed by the sputtering target | |
| JP2001052330A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置 | |
| JPS61253622A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| TW201827630A (zh) | 直流濺鍍用的濺鍍靶材及具有其鍍膜的垂直磁性記錄媒體 | |
| TW200537454A (en) | Improved grain structure for magnetic recording media | |
| US20120114976A1 (en) | Sputtering targets and recording materials of the magnetic recording medium formed from the same | |
| JP4993296B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| TWI719803B (zh) | 高垂直磁異向性之垂直磁性記錄媒體及提升其垂直磁異向性的方法 | |
| TW201503119A (zh) | 磁性記錄媒體及其製造方法 | |
| JPS61246914A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH02126424A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| KR20080096335A (ko) | 수직 자기기록 매체용 육방밀집 세라믹 시드층 | |
| CZ2005777A3 (cs) | Zlepšená formulace kompozic pro matrice kobaltový slitin |