CZ2005343A3 - Vylepsené slitinové kompozice pro rozprasovácí elektrody - Google Patents
Vylepsené slitinové kompozice pro rozprasovácí elektrody Download PDFInfo
- Publication number
- CZ2005343A3 CZ2005343A3 CZ20050343A CZ2005343A CZ2005343A3 CZ 2005343 A3 CZ2005343 A3 CZ 2005343A3 CZ 20050343 A CZ20050343 A CZ 20050343A CZ 2005343 A CZ2005343 A CZ 2005343A CZ 2005343 A3 CZ2005343 A3 CZ 2005343A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- atomic percent
- sputter target
- group
- thin film
- magnetic
- Prior art date
Links
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 26
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title description 14
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 48
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 37
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 28
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 15
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 11
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 7
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 6
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 229910017885 Cu—Pt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 3
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910020637 Co-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016551 CuPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017816 Cu—Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000005478 sputtering type Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
- C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
- C23C28/021—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material including at least one metal alloy layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/657—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing inorganic, non-oxide compound of Si, N, P, B, H or C, e.g. in metal alloy or compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
Rozprasovací elektroda je tvorena Co, více nez 0 a nejvýse 24 atomárními procenty Cr, více nez 0 a nejvýse 20 atomárními procenty Pt, více nez 0 a nejvýse 20 atomárními procenty B a více nez 0 a nejvýse 10 atomárními procenty X.sub.1.n., kde X.sub.1.n. je prvek vybraný ze skupiny sestávající z Ag, Ce, Cu, Dy, Er, Eu, Gd, Ho, In, La, Lu, Mo, Nd, Pr, Sm, Tl, W a Yb. Rozprasovací elektroda dále sestává z X.sub.2.n., kde X.sub.2.n. je vybrán ze skupiny sestávající z W, Y, Mn a Mo. Navíc rozprasovací elektroda dále sestává z 0 az 7 atomárních procent X.sub.3.n., pricemz X.sub.3.n. je prvek vybranýze skupiny sestávající z Ti, V, Zr, Nb, Ru, Rh, Pd, Hf, Ta a Ir.
Description
[0001] Tento vynález se týká rozprašovacích elektrod, konkrétněji tenkých magnetických filmů' pro ukládání dat naprášených z rozprašovacích elektrod, které jsou tvořeny slitinovými kompozicemi s lepšími metalurgickými vlastnostmi.
Dosavadní stav techniky [0002] K vytváření velmi tenkých povlaků na substrátu, které mají přesně řízenou tloušťku a s malé tolerance v atomárním složení, je v různých oblastech techniky velmi rozšířen proces DC magnetronového rozprašování. Používá se například k povlékání polovodičů a/nebo k vytváření tenkých vrstev na povrchu magnetických médií pro záznam dat. U jednoho běžně používaného provedení se na rozprašovací elektrodu přivede magnetické pole s oválným rozložením, a to tak, že se na zadní povrch elektrody umístí magnety. V blízkosti rozprašující elektrody jsou zachycovány elektrony, což vede ke zlepšení produkce iontů argonu a zvýšení rychlosti rozprašování. Ionty uvnitř této plasmy se srážejí s povrchem rozprašovací elektrody, což má za následek, že rozprašovací elektroda emituje atomy ze svého povrchu. Rozdíl napětí mezi katodickou rozprašovací elektrodou a anodickým substrátem, který má být povlékán, způsobí, že emitované atomy vytvoří na povrchu substrátu požadovaný film.
[0003] Běžná magnetická média pro záznam dat většinou obsahují několik vrstev tenkých filmů, které jsou postupně naprášeny na substrát pomocí většího počtu rozprašovacích elektrod, přičemž materiály těchto rozprašovacích elektrod mohou být různé. Jak je znázorněno na obrázkul, typická magnetická média pro záznam dat podle známého stavu techniky obsahují nemagnetický ···
podkladový substrát 101, vrstvu 102 zárodečných krystalů, alespoň jednu nemagnetickou podkladovou vrstvu 104 na bázi chrómu, alespoň jednu mírně magnetickou mezivrstvu 105 na bázi kobaltu, alespoň jednu magnetickou vrstvu 106 pro ukládání dat a vrstvu 108 lubrikantu.
[0004] Množství dat na jednotkovou plochu, které lze na magnetické médium pro záznam dat uložit, je přímo závislé na metalurgických vlastnostech a na složení vrstvy pro ukládání dat a tím tedy na materiálu rozprašovací elektrody, z níž je vrstva pro ukládání dat naprášena. Obrázek 2 znázorňuje typickou hysterezní smyčku vrstvy tenkých filmů pro ukládání dat, získanou metodou požívající magnetometr s vibračním pohybem vzorku - Vibrating Sample Magnetometer (VSM). Při použití této metody pohání VSM kvazistaticky magnet kolem své hysterezní smyčky za použití pole aplikovaného z elektromagnetu. Vzorek v tomto poli vibruje a měřící systém detkuje aplikované pole (H) a magnetizaci (M) vzorku v aplikovaném poli] Obrázek 2 znázorňuje změny magnetizace (M) ve směru působení pole (H).
[0005] Hysterezní parametry zahrnují nasycenou (nebolí maximální) magnetizaci (Ms) > remanentní magnetizaci (Mr) při nulovém poli, koercitivitu (Hc) , čtvercovost magnetizační smyčky (coercitive squareness) (S*= 1-(Mr/Hc)/(dM/dH)) a čtvercovost remanence (remanence squareness) (S = Mr/Ms) . Remanentní magnetizace (Mr) při nulovém poli (neboli remanence) je míra zbytkové magnetizace v okamžiku, kdy napájecí pole poklesne na nulu, a koercitivita (Hc) je míra zpětného pole potřebná k tomu, aby magnetizace poklesla na nulu poté, co byla saturována. Tyto makroskopické vlastnosti určují proměnnost zpětného signálu (So) , jako je například tvar pulzů, amplituda a rozlišení.
• ·· · ·· ······ ··· · ··· · * · · • · · · · ····· [0006] Převažující materiály používané v současné době pro dosud známá magnetická média pro záznam dat jsou feromagnetické slitiny na bázi Co-Cr-Pt-B, uspořádané jako seskupení zrn o velikosti řádově nanometry, kde každé zrno má běžně 10 nm nebo méně. Mezera mezi zrny v těchto hranicích zrn je obecně velmi malá, a často není dostatečná k tomu, aby zabránila magnetostatické a mezikrystalové výměně.
[0007] Existují tři přístupy ke snížení šumu tenkých vrstev: segregace kompozice v hranicích zrn, multivrstvá provedení a fyzikální separace zrn. Použitím magnetických multivrstev ve svazku feromagnetických filmů separovaných nemagnetickými tenkými vrstvami nebo naprášením tenkého filmu při nízkých teplotách a vysokých tlacích za účelem vytvoření „prázdné struktury zrn může být v magnetickém médiu snížen šum a zvýšena schopnost ukládat data.
[0008] Jak u multivrstvého provedení, tak u fyzikální separace zrn mají parametry rozprašování rozhodující vliv na úpravu fyzikální separace zrn média. Ke zlepšení šumových parametrů (N) tenkých filmů bude nutné další studium mikroskopických vlastností, jako je velikost zrn, krystalická vazba a krystalografická orientace. Navíc k výrobě optimálnějších magnetických materiálů pro záznam dat je podstatná optimalizace jak makromagnetických, tak mikromagnetických vlastností těchto materiálů.
[0009] Pokud se týká třetí metody snížení šumu, bylo u segregace kompozice dosaženo omezeného úspěchu přidáním nerozpustných prvků do Co matrice. Například bylo prokázáno, že účinným způsobem výroby nízkošumových médií je rozprašování kvarterních ·· ··· · slitin jako jsou CoCrPtTa a CoCrPtB, obzvláště u tenkých filmů obsahujících bor. Avšak aby byl bor účinný na snížení vazby zrn, musí být jeho obsah v slitině CoCrPtB větší než 12 atomárních procent. Přidáním tak velkého procentuálního množství boru se však materiál stane velmi křehkým a náchylným k praskání při formování, dokonce i když je zpracováván při vysokých teplotách. Navíc: vysoký procentuální obsah boru negativně ovlivňuje vhodnost materiálu k následnému termomechanickému zpracování.
[0010] Z výše uvedeného vyplývá, že ke zlepšení poměru signálšum a zvýšení potenciální schopnosti ukládat data je potřeba vyvinout magnetické médium pro záznam dat s hustou strukturou zrn v magnetické vrstvě pro ukládání dat. Především je žádoucí získat slitiny, například slitiny s obsahem boru, s lepší segregací kompozice, které mohou být použity u rozprašovacích elektrod a naprášeny do tenkých tenkých filmů s vylepšeným složením.
Podstata vynálezu [0011] Tento vynález řeší výše uvedené problémy vytvořením rozprašovací elektrody pro naprašování magnetické vrstvy tenkých filmů pro ukládání dat, přičemž tato rozprašovací elektroda je tvořena slitinovou kompozicí, která uskutečňuje vylučování sekundární hranice zrn.
[0012] Jedním předmětem tohoto vynálezu je rozprašovací elektroda, která je tvořeria Co, více než 0 a nejvýše 24 atomárními procenty Cr, více než 0 a nejvýše 20 atomárními procenty Pt, více než 0 a nejvýše 20 atomárními procenty B a více než 0 a nejvýše 10 atomárními procenty Xi, kde Xi je prvek vybraný ze skupiny sestávající z Ag, Ce, Cu, Dy, Er, Eu, Gd,
···· ···
Ho, In, La, Lu, Mo, Nd, Pr, Sm, Tl, W a Yb.
[0013] Rozprašovací elektroda podle tohoto vynálezu zahrnuje prvky vybrané z prvků přechodných, žáruvzdorných a prvků vzácných zemin. Tyto prvký jsou vybrány na základě jejich nemísitelnosti v pevném stavu s Co a/nebo Cr a na základě jejich tendence reagovat s Pt za vzniku sloučeniny s vhodným stechiometrickým vzorcem, přičemž tato sloučenina zahrnuje nízkoobsahovou frakci atomu Pt a převládající frakci přídavného prvku. Tato podmínka je zásadní pro udržení dostatečného množství frakce atomu Pt v Co matrici, čímž se zajistí, aby se významně nesnížila koercitivita. Přídavkem prvků, které jsou nerozpustné buď v kobaltu, nebo v chrómu, se tyto přidané prvky vyloučí z Co-Pt fáze, a jsou vytěsněny do hranic zrn, čímž se zvýší separace zrn, což má za následek zlepšení poměru signálšum.
[0014] Rozprašovací elektroda dále sestává z X2, přičemž X2 je vybrán ze skupiny, sestávající z W, Y, Mn a Mo. Navíc tato rozprašovací elektroda sestává z 0 až 7 atomárních procent X3, kde X3 je prvek vybraný ze skupiny sestávající z Ti, V, Zr, Nb, Ru, Rh, Pd, Hf, Ta a Ir.
[0015] Slitiny tvořící rozprašovací elektrodu podle tohoto vynálezu zahrnují sloučeniny, které nukleují a rostou v hranicích zrn média, čímž v'zniká další typ fyzikální separace zrn. Předpokládá se, že další přídavné prvky s nízkou difuzivitou, jako například W a Mo, vytvoří nová nukleační místa, která umožní další zjemnění struktury zrn a podpoří vyloučení více Cr do hranic zrn.
[0016] Tenký film naprášený rozprašovací elektrodou má koercitivitu mezi 1000 Oersted a 4000 Oersted. Změnou
koercitivity tak, aby spadala do tohoto rozmezí, může být nastaveno opačné pole potřebné k tomu, aby magnetizace klesla na nulu poté, co byla saturována, čímž lze vytvořit uživatelem požadované parametry. V souladu s tím se zvýší poměr signál-šum (So/N) a souhrnné magnetické vlastnosti tenkých tenkých filmů se zlepší, což vede k vysoké hustotě magnetického záznamu. Tenká vrstva filmu naprášená z rozprašovací elektrody má zisk od asi 0,5 dB do více než 1,5 dB v poměru signál - šum u odpovídající kvarterní slitiny CoCrPtB, přičemž odpovídající kvarterní slitina CoCrPtB je definována jako slitina se stejným atomárním procentuálním zastoupením Co, Cr, Pt a B jako má slitina CoCr-Pt-B-Xi, bez přídavku jakéhokoliv Xx.
[0017] Druhým předmětem tohoto vynálezu je magnetické médium pro záznam dat zahrnující substrát a vrstvu tenkého filmu pro ukládání dat vytvořenou na substrátu. Tato vrstva tenkého filmu pro ukládání dat je tvořena Co, více než 0 a nejvýše 24 atomárními procenty Cr, více než 0 a nejvýše 20 atomárními procenty Pt, více 'než 0 a hejvýše 20 atomárními procenty B a více než 0 a nejvýše 10 atomárními procenty Xx, přičemž Χχ je prvek vybraný ze skupiny sestávající z Ag, Ce, Cu, Dy, Er, Eu, Gd, Ho, In, La, Lu, Mo, Nd, Pr, Srn, Tl, W a Yb.
[0018] Třetím předmětem tohoto vynálezu je způsob výroby magnetického média pro záznam dat. Tento způsob zahrnuje operaci naprašování nejméně jedné velmi tenké vrstvy pro ukládání dat na substrát z rozprašovací elektrody, přičemž tato rozprašovací elektroda je tvořena Co, více než 0 a nejvýše 24 atomárními procenty Cr, více než 0 a nejvýše 20 atomárními procenty Pt, více než 0 a nejvýše 20 atomárními procenty B a více než 0 a nejvýše 10 atomárními procenty Χχ, kde Xi je prvek vybraný ze skupiny sestávající z Ag, Ce, Cu, Dy, Er, Eu, Gd, Ho, In, La, Lu, Mo, Nd, Pr, Srn, Tl, W a Yb.
• · 9 99 9 • ·
Ί [0019] V následujícím popisu výhodného provedení jsou uvedeny odkazy na připojené obrázky, které tvoří součást popisu příkladu provedení a na nichž je názorně zobrazeno příkladné konkrétní provedení vynálezu. Příklady je třeba chápat tak, že lze použít i jiná provedení a provést v nich změny, aniž by došlo k odchýlení se od rozsahu tohoto vynálezu.
Přehled obrázků na výkresech
Vynález je dále popsán s použitím obrázků, přičemž na všech obrázcích jsou pro odpovídající části použity stejné vztahové značky:
obrázek 1 znázorňuje sestavu tenkých filmů typickou pro magnetická záznamová média podle známého stavu techniky;
obrázek 2 znázorňuje typickou M-H hysterezní smyčku magnetického materiálu;
obrázek 3 znázorňuje sestavu tenkých filmů, u níž byla magnetická vrstva' pro záznam dat naprášena rozprašovací elektrodou tvořenou vylepšenou kompozicí podle jednoho provedení tohoto vynálezu;
obrázek 4 znázorňuje fázový diagram Co-Cu;
obrázek 5 znázorňuje fázový diagram Cr-Cu;
obrázek 6 znázorňuje fázový diagram Cu-Pt;
obrázek 7 zobrazuje typickou mikrostrukturu slitiny Co-14Cr12,5Pt-6Cu-12B v odlitém stavu, přičemž složení je uvedeno v atomárních % a obrázek 8 zobrazuje leptací nerovnosti ukazující rozložení Cu3Pt uvnitř dendritické fáze.
Podrobný popis vynálezu [0020] Tento vynález umožňuje zvětšení paměti magnetického média pro záznam dat tím, že se doj základu CoCrPtB přidá vybraný pátý > ·· ♦ ·· a/nebo šestý konstituent, čímž se dosáhne optimálního složení materiálu pro rozprašovací elektrodu.
[0021] Obrázek 3 znázorňuje magnetické médium pro záznam dat, u něhož vrstva tenkého filmu pro ukládání dat byla naprášena rozprašovací elektrodou tvořenou vylepšenou kompozicí podle jednoho provedení tohoto vynálezu. Magnetické médium pro záznam dat zahrnuje vrstvu tenkého filmu pro ukládání dat tvořenou Co, více než 0 a nejvýše 24 atomárními procenty Cr, více než 0 a nejvýše 20 atomárními procenty Pt, více než 0 a nejvýše 20 atomárními procenty B a více než 0 a nejvýše 10 atomárními procenty Χχ, kde Χχ je prvek vybraný ze skupiny sestávající z
| Ag, Ce, | Cu, Dy, Er, | Eu, | Gd, | Ho, In, La, | Lu, Mo, | Nd, Pr, Sm, TI, |
| W a Yb. | ||||||
| [0022] | Magnetické | médium | 300 pro | záznam | dat zahrnuje | |
| nemagnetický podkladový | substrát 101, | vrstvu | 102 zárodečných |
krystalů, alespoň jednu nemapnetickou podkladovou vrstvu 104 na bázi chrómu Cr, alespoň jedriu mírně magnetickou mezivrstvu 106 na bází Co, vrstvu 306 tenkého filmu pro ukládání dat a vrstvu 108 lubrikantu. Jak je popsáno výše, je vrstva tenkého filmu pro ukládání dat magnetického média 300 pro záznam dat tvořena Co, více než 0 a nejvýše 24 atomárními procenty Cr, více než 0 a nejvýše 20 atomárními procenty Pt, více než 0 a nejvýše 20 atomárními procenty B a více než 0 a nejvýše 10 atomárními procenty Χχ, kde Χχ je prvek vybraný ze skupiny sestávající z Ag, Ce, Cu, Dy, Er, Eu, Gd, Ho, In, La, Lu, Mo, Nd, Pr, Srn, TI, W a Yb. 0 alternativního provedení má magnetické médium 300 pro záznam dat vynechánu vrstvu 102 zárodečných krystalů, podkladovou vrstvu 104, mezivrstvu 105 a/nebo vrstvu 108 lubrikantu.
[0023] Magnetické médium 300 pro záznam dat je vyrobeno • · ·· 4M · · naprášením vrstvy 306 tenkého filmu pro ukládání dat na substrát 101 z rozprašovací elektrody, přičemž tato rozprašovací elektroda je rovněž tvořena Co, více než 0 a nejvýše 24 atomárními procenty Cr, více než 0 a nejvýše 20 atomárními procenty Pt, víhe než 0 a nejvýše 20 atomárními procenty B, více než 0 a nejvýše 10 atomárními procenty Xi, kde Xi je prvek vybraný ze skupiny sestávající z Ag, Ce, Cu, Dy, Er, Eu, Gd, Ho, In, La, Lu, Mo, Nd, Pr, Srn, TI, W a Yb. Tento způsob naprašování je v oblasti nauky o materiálech dobře známý.
[0024] Rozprašovací elektroda podle tohoto vynálezu zahrnuje prvky vybrané z prvků přechodných, žáruvzdorných a prvků vzácných zemin. Tyto prvky byly vybrány na základě jejich nemísitelnosti v pevném stavu s Co a/nebo Cr a na základě jejich tendence reagovat s Pt za vzniku sloučeniny s vhodným stechiometrickým vzorcem, jak je podrobněji popsáno níže.
[0025] Rozprašovací elektroda a odpovídající vrstva tenkého filmu pro ukládání dat jsou dále tvořeny X2, přičemž X2 je vybrán ze skupiny sestávající z W, Y, Mn a Mo. Navíc tato rozprašovací elektroda a odpovídající vrstva tenkého filmu pro ukládání dat jsou dále tvořeny 0 až 7 atomárními procenty X3, přičemž X3 je prvek vybraný ze skupiny sestávající z Ti, V, Zr, Nb, Ru, Rh, Pd, Hf, Ta a Ir. U dalšího alternativního provedení jsou prvky X2 a/nebo X3vynechány.
[0026] Přidáním prvků, které jsou nerozpustné buď v kobaltu nebo v chrómu, se přidané prvky vyloučí z kobaltové a chromové fáze a jsou vytěsněny do hranic zrn. Slitiny tvořící rozprašovací elektrodu podle tohoto vynálezu zahrnují sloučeniny, které nukleují a rostou v hranicích zrn média, čímž vznikne další typ fyzikální separace zrn. Přídavné prvky W a Mo dále vytvoří nová
• 9 9 9
9 nukleační místa, což umožňuje zjemnění struktury zrn a podporuje vyloučení více Cr do hranic zrn.
[0027] Vytvořením slitin s přechodnými prvky o velkém průměru, jako je Pt, Ta, Ir a Srn, je magnetická vrstva tenkého filmu pro ukládání dat naprášená z rozprašovací elektrody volena tak, aby měla koercitivitu od 1000 Oersted do více než 4000 Oersted. Změnou koercitivity tak, aby spadala do tohoto rozmezí, může být mastaveno opačné pole potřebné k tomu, aby magnetizace klesla na nulu poté, co byla saturována, čímž lze vytvořit uživatelem požadované parametry. V souladu s tím se zvýší poměr signál-šum a souhrnné magnetické vlastnosti tenkých filmů se zlepší, což vede k vysoké hustotě magnetického záznamu. Mikroskopické vlastnosti, jako například velikost zrn, vazba zrn a krystalografická orientace zrn, určují intenzitu šumu (N) tenkých filmů, přičemž je nutná optimalizace makromagnetických i mikromagnetických vlastností, aby vznikl optimální disk.
[0028] Prvním prvkem použitým v rozprašovací elektrodě podle jednoho předmětu tohoto vynálezu je kobalt. Kobalt, klíčový prvek pro většinu aplikcí založených na ukládaní dat, má nízkou koercitivitu a vyžaduje přídavek přechodných prvků s velkým průměrem, jako například Pt, Ta, Ir a Sm, aby vznikly slitiny s koercitivitou od 1000 Oersted do více než 4000 Oersted.
[0029] Chrom, druhý rozhodující prvek pro aplikce založené na ukládaní dat, má ve slitině dva zásadní účely. Prvním je snížení korozního potenciálu ve slitině oxidací a pasivací povrchu slitiny za účelem její ochrany před další oxidací. Druhým účelem přítomnosti chrómu v magnetické slitině je umožnění srážení dalších krystalických fází dalších prvků, jako je bor, v hranicích zrn neJjo uvnitř zrn, což napomáhá snížení šumu.
• · · · · · * · • · ·· • ·· • · · · · • · · · ····<· · • · · · · · ··· ·· ·· ··· [0030] Jak je popsáno výše, ke snížení vázání zrn byl doposud používán třetí prvek, bor. Bor sice je účinný ke snížení vázání zrn, ale jeho obsah ve slitině CoCrPtB musí být větší než asi 12 atomárních procent, což způsobí, že materiál je velmi křehký při formování, dokonce i když je zpracováván při vysokých teplotách, a činí tak materiál elektrody nevhodný k následnému termomechanickému zpracování. Rozprašovací elektroda podle tohoto vynálezu proto obsahuje slitinové přísady, které doplňují příznivý vliv boru na snížení vazby mezi zrny, přičemž je zachována přijatelná termomechanická zpracovatelnost slitiny.
[0031] Podle tohoto vynálezu se používají vybrané prvky z prvků přechodných, žáruvzdorných a prvků vzácných zemin na základě jejich nemísitelnosti v pevhém stavu s Co a/nebo Cr a jejich možné tendence reagovat s Pt za vzniku sloučeniny o stechiometricky příznivém vzorci. Tyto vybrané prvky tvoří vzorec sloučeniny, který obsahuje nízkoobsahovou frakci atomu Pt a převažující frakci přídavného prvku, což je zásadní podmínka pro udržení dostatečného zastoupení frakce atomu Pt v Co matrici, tak aby se neovlivnila koercitivita. Vybrané prvky, které splňují tyto podmínky, jsou Ag, Ce, Cu, Dy, Er, Eu, Gd, Ho, In, La, Lu, Mo, Nd, Pr, Srn, Tl, W a Yb.
[0032] Výše uvedené prvky tvoří sloučeniny, které nukleují a rostou v hranicích zrn média a vytvářejí další typ fyzikální separace zrn. Navíc další přídavné prvky s nízkou difuzivitou, jako například W a Mo, vytvoří nová nukleační místa, která umožní další zjemnění struktury zrn a podpoří vyloučení více Cr do hranic zrn.
[0033] Obrázky 4 až 6 znázorňují fázové diagramy binárních ····
| • ·· *· · « • · • · · • · ··· ···· | • ·· • · · · • · · • · · · • · · ··· 99 | ·· 9999 9 · · « 9 9 99 9 9 9 9 9 · ·· ··· | |
| • | 12 | ||
| slitin Cu-Co (obr.4), Cu | -Cr (obr. 5) a Cu-Pt | (obr. | 6) a |
| ilustrují účinek přidání | mědi jako vybrané | přísady. | Při |
| pokojové teplotě splývají | fcáry, které vymezují | rozsah | (eCo) |
(obrázek 4) a (Cr) (obrázek 5) oblasti pevných roztoků, s teplotní osou, což indikuje, že Cu má jen zanedbatelnou rozpustnost v těch pevných roztocích. Obrázek 4 a obrázek 5 znázorňují, jak měď jako přísada je vyloučena kobaltem (obrázek 4) a chromém (obrázek 5) při pokojových teplotách, a není absorbována do zrna Co-Cr. Následně je měď jako přísada vytěsněna do hranic zrn, čímž se zvýší separace zrn a zlepší poměr signál - šum.
[0034] Na obrázku 6 znázorňují údaje z fázového diagramu Cu-Pt vytvoření dvou uspořádaných fází, Cu3Pt a CuPt. Protože Cu3Pt je vzorec sloučeniny, která obsahuje nízkoobsahovou frakci atomu Pt a převažující frakci mědi, stechiometricky nejpříznivější fáze by byla Cu3Pt. Jestliže se vytvoří Cu3Pt, udržuje se v Co matrici dostatečná frakce atomu Pt, aby se neovlivnila koercitivita.
[0035] Obrázek 7 znázorňuje mikrostrukturu slitiny Co-14Cr12,5Pt-6Cu-12B v odlitém stavu, kde složení je uvedeno v atomárních procentech. Mikrostruktura sestává z primární dendritické fáze (znázorněno jako světle šedá) obklopené eutektickou matricí (znázorněno jako vrstevnatá fáze) . Dendritická fáze je bohatá na CoPtCu s menším množstvím rozpuštěného Cr. Eutektická matrice je v podstatě fáze CrCoB.
[0036] Obrázek 8 je SEM mikrosnímek, nebo rozptýlený elektronový obraz, zrna. Kontrast na takových obrázcích vyplývá z rozdílů v atomové váze složek různých fází. Zatímco dendritická fáze se zdá být fází jednosložkovou, chemicky leptaný vzorek odhalil přítomnost další fáze bohaté na Cu. V tomto ohledu ukazuje
·· ·· ····
9 9 · · • · · · 999
9 9 9 9 9
9 9 9 9
99 99 999 obrázek 8 ve velkém zvětšení obraz dendritu, u něhož lze na hranicích zrn rozlišit nerovnosti povrchu („pits), vyplývající z přednostní eroze fáze bohaté na Cu3Pt při leptání.
[0037] Naprašováním magnetické vrstvy tenkého filmu pro ukládání dat s použitím rozprašovací elektrody podle tohoto vynálezu byl dosažen zisk asi 0,5 dB až více než 1,5 dB u poměru signál šum, při optimálním Hc a Ms, což bylo zjištěno u slitiny tvořené Co-14Cr-12,5Pt-6Cu-12B a u jiných slitin na podobné bázi s různými obsahy Cu.
[0038] Druhým předmětem tohoto vynálezu je magnetické médium pro ί
záznam dat obsahující subštrát a vrstvu tenkého filmu pro ukládání dat vytvořenou na substrátu. Tato vrstva tenkého filmu pro ukládání dat je tvořena Co, více než 0 a nejvýše 24 atomárními procenty Cr, více než 0 a nejvýše 20 atomárními procenty Pt, více než 0 a nejvýše 20 atomárními procenty B a více než 0 a nejvýše 10 atomárními procenty Χχ, přičemž Χχ je prvek vybraný ze skupiny sestávající z Ag, Ce, Cu, Dy, Er, Eu, Gd, Ho, In, La, Lu,· Mo, Nd, Pr, Srn, Tl, W a Yb.
[0039] Třetím předmětem tohoto vynálezu je způsob výroby magnetického média pro záznam dat. Tento způsob zahrnuje krok spočívající v naprašování nejméně jedna vrstva tenkého filmu pro ukládání dat na substrát z rozprašovací elektrody, přičemž rozprašovací elektroda je tvořena Co, více než 0 a nejvýše 24 atomárními procenty Cr, více než 0 a nejvýše 20 atomárními procenty Pt, více než 0 a nejvýše 20 atomárními procenty B a více než 0 a nejvýše 10 atomárními procenty Χχ, kde Χχ je prvek vybraný ze skupiny sestávající z Ag, Ce, Cu, Dy, Er, Eu, Gd, Ho, In, La, Lu, Mo, Nd, Pr, Srn, Tl, W a Yb.
[0040] Vynález byl popsán pomocí příkladů konkrétních provedení. Tyto příklady je třeba chápat tak, že rozsah vynálezu není
00 0 00 ·· 0000 • · · · 0 0 0 0 · · · • · 0 0 0 0 0 · ·· • ·· 0 0 0 0 0 0 0 00 00000 0
000 0000 000 00 00 000 omezen na provedení v nich popsaná a že běžný odborník v oboru může odvodit různé změny a modifikace, aniž by došlo k vybočení z duchu a rozsahu tohoto vynálezu.
• ·*
9 · • 9
9 9
99 dooř- 3tf2>
999999 9 9 • 999 9 9
9
999
Claims (13)
1. Rozprašovací elektroda, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda je tvořena Co, více než 0 a nejvýše 24 atomárními procenty Cr, více než 0 a nejvýše 20 atomárními procenty Pt, více než 0 a hejvýše 20 atomárními procenty B a více než 0 a nejvýše 10 atomárními procenty Xx, kde Xx je prvek vybraný ze skupiny sestávající z Ag, Ce, Cu, Dy, Er, Eu, Gd, Ho, In, La, Lu, Mo, Nd, Pr, Šm, Tl, W a Yb.
2. Rozprašovací elektroda podle nároku 1, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda dále sestává z X2, kde X2 je vybrán ze skupiny sestávající z W, Y, Mn a Mo.
3. Rozprašovací elektroda podle nároku 1, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda dále sestává z 0 až 7 atomárních procent X3, kde X3 je prvek vybraný ze skupiny sestávající z Ti, V, Zr, Nb, Ru, Rh, Pd, Hf, Ta a Ir.
4. Rozprašovací elektroda podle nároku 3, vyznačující se tím, že tato rozprašovací elektroda dále sestává z X2, kde X2 je vybrán ze skupiny sestávající z W, Y, Mn a Mo.
5. Magnetické médium pro záznam dat obsahující: substrát; a vrstvu tenkého filmu pro ukládání dat vytvořenou na substrátu, vyznačující se tím, že tato vrstva tenkého filmu pro ukládání dat je tvořena Co, i více než 0 a nejvýše 24 atomárními procenty Cr, více než 0 a nejvýše 20 atomárními procenty Pt, více než 0 a nejvýše 20 atomárními procenty B a více než 0 a nejvýše 10 atomárními procenty Xx, kde Xx je prvek vybraný ze skupiny sestávající z Ag, Ce, Cu, Dy, Er, Eu, Gd, Ho, In, La, • to ··· · • · · • · · · · • to · to • · · ·· ···
Lu, Mo, Nd, Pr, Sm, TI, W a Ýb.
6. Magnetické médium pro záznam dat podle nároku 5, vyznačující se tím, že vrstva tenkého filmu pro ukládání dat je dále je dále tvořena X2, kde X2 je vybrán ze skupiny sestávající z W, Y, Mn a Mo.
7. Magnetické médium pro záznam dat podle nároku 5, vyznačující se tím, že vrstva tenkého filmu pro ukládání dat je dále tvořena 0 až 7 atomárních procent X3, kde X3 je an prvek vybraný ze group consisting of Ti, V, Zr, Nb, Ru, Rh, Pd, Hf, Ta a Ir.
8. Magnetické médium pro záznam dat podle nároku 7, vyznačující se tím, že vrstva tenkého filmu pro ukládání dat je dále tvořena X2, kde X2 je vybrán ze skupiny sestávající z W, Y, Mn a Mo.
9. Magnetické médium pro záznam dat podle nároku 5, vyznačující se tím, že vrstva tenkého filmu pro ukládání dat má koercitivitu mezi 1000 Oersted a 4000 Oersted.
10. Magnetické médium, pro záznam dat podle nároku 5, vyznačující se tím, že vrstva tenkého filmu pro ukládání dat má zisk kolem nejméně 1,5 dB u poměru signál - šum v celé odpovídající kvarterní slitině CoCrPtB.
11. Způsob výroby magnetického média pro záznam dat, zahrnující krok spočívající v naprašování nejméně jedné vrstvy tenkého filmu pro ukládání dat na substrát z rozprašovací elektrody, vyznačující se tím, že rozprašovací elektroda je tvořena Co, více než 0 a nejvýše 24 atomárními procenty Cr,
ΦΦ ΦΦΦΦ
Φ ·
ΦΦΦΦ • φ Φ» Φ ΦΦ
ΦΦΦ Φ ΦΦΦ Φ Φ
Φ Φ ΦΦΦΦ • ΦΦ ΦΦΦΦΦΦ Φ
ΦΦ Φ · · Φ · Φ
ΦΦΦ ΦΦΦΦ ΦΦΦ ΦΦ ·Φ ΦΦΦ více než Ο a nejvýše 20 atomárními procenty Pt, více než 0 a nejvýše 20 atomárními procenty B a více než 0 a nejvýše 10 atomárními procenty Xiř kde Xi je prvek vybraný ze skupiny sestávající z Ag, Ce, Cu, Dy, Er, Eu, Gd, Ho, In, La, Lu, Mo, Nd, Pr, Srn, TI, W a Yb.
12. Způsob výroby magnetického média pro záznam dat podle nároku 11, vyznačující se tím, že rozprašovací elektroda dále sestává z X2, kde X2 je vybrán ze skupiny sestávající z W, Y, Mn a Mo.
podle nároku 13, vyznačující se tím, že rozprašovací elektroda dále sestává z X2, kde X2 je vybrán ze skupiny sestávající z W, Y, Mn a Mo.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/866,795 US20050277002A1 (en) | 2004-06-15 | 2004-06-15 | Enhanced sputter target alloy compositions |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ2005343A3 true CZ2005343A3 (cs) | 2006-02-15 |
Family
ID=34977102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ20050343A CZ2005343A3 (cs) | 2004-06-15 | 2005-05-27 | Vylepsené slitinové kompozice pro rozprasovácí elektrody |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050277002A1 (cs) |
| EP (1) | EP1607940A3 (cs) |
| JP (1) | JP2006004611A (cs) |
| KR (1) | KR100776383B1 (cs) |
| CN (1) | CN1712551A (cs) |
| CZ (1) | CZ2005343A3 (cs) |
| SG (1) | SG118324A1 (cs) |
| TW (1) | TW200604363A (cs) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060042938A1 (en) * | 2004-09-01 | 2006-03-02 | Heraeus, Inc. | Sputter target material for improved magnetic layer |
| US7494617B2 (en) | 2005-04-18 | 2009-02-24 | Heraeus Inc. | Enhanced formulation of cobalt alloy matrix compositions |
| US20080057350A1 (en) * | 2006-09-01 | 2008-03-06 | Heraeus, Inc. | Magnetic media and sputter targets with compositions of high anisotropy alloys and oxide compounds |
| JP2008101246A (ja) | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Asahi Glass Co Ltd | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクを製造する際に使用されるスパッタリングターゲット |
| JP4377906B2 (ja) | 2006-11-20 | 2009-12-02 | 株式会社コベルコ科研 | Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法 |
| JP5139134B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-02-06 | 株式会社コベルコ科研 | Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| WO2012086575A1 (ja) * | 2010-12-22 | 2012-06-28 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 強磁性材スパッタリングターゲット |
| JP5863411B2 (ja) * | 2011-11-17 | 2016-02-16 | 田中貴金属工業株式会社 | マグネトロンスパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 |
| JP5646757B2 (ja) * | 2012-01-25 | 2014-12-24 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 強磁性材スパッタリングターゲット |
| MY179240A (en) * | 2012-02-23 | 2020-11-02 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Ferromagnetic material sputtering target containing chromium oxide |
| JP6083679B2 (ja) | 2012-03-09 | 2017-02-22 | Ｊｘ金属株式会社 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| WO2016035415A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
Family Cites Families (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3147112A (en) * | 1961-01-19 | 1964-09-01 | Du Pont | Ferromagnetic mn-ga alloy and method of production |
| JPH06104120A (ja) * | 1992-08-03 | 1994-04-15 | Hitachi Metals Ltd | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| US5846648A (en) * | 1994-01-28 | 1998-12-08 | Komag, Inc. | Magnetic alloy having a structured nucleation layer and method for manufacturing same |
| JPH0850715A (ja) * | 1994-01-28 | 1996-02-20 | Komag Inc | 低ノイズ，高い保磁力および優れた方形度を有する磁気記録媒体および磁気記録媒体形成方法 |
| US5523173A (en) * | 1994-12-27 | 1996-06-04 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording medium with a CoPtCrB alloy thin film with a 1120 crystallographic orientation deposited on an underlayer with 100 orientation |
| JP3544293B2 (ja) * | 1997-07-31 | 2004-07-21 | 株式会社日鉱マテリアルズ | 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングタ−ゲット及び磁性薄膜 |
| JP3087715B2 (ja) * | 1998-02-19 | 2000-09-11 | 日本電気株式会社 | 磁気ディスク装置 |
| JP4082785B2 (ja) * | 1998-05-15 | 2008-04-30 | 富士通株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US6730421B1 (en) * | 1999-05-11 | 2004-05-04 | Hitachi, Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium and its production method, and magnetic recorder |
| JP2000339635A (ja) * | 1999-05-31 | 2000-12-08 | Toshiba Corp | 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 |
| US6440589B1 (en) * | 1999-06-02 | 2002-08-27 | International Business Machines Corporation | Magnetic media with ferromagnetic overlay materials for improved thermal stability |
| JP2001026860A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Hitachi Metals Ltd | Ｃｏ−Ｐｔ−Ｂ系ターゲットおよびその製造方法 |
| EP1143421B1 (en) * | 1999-09-10 | 2005-06-15 | TDK Corporation | Production method for magnetic recording medium |
| JP2001107226A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-17 | Hitachi Metals Ltd | Ｃｏ系ターゲットおよびその製造方法 |
| US6620531B1 (en) * | 1999-12-20 | 2003-09-16 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media with oxidized seedlayer for reduced grain size and reduced grain size distribution |
| US6524724B1 (en) * | 2000-02-11 | 2003-02-25 | Seagate Technology Llc | Control of magnetic film grain structure by modifying Ni-P plating of the substrate |
| JP2001236643A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体製造用スパッタリングターゲット、それを用いた磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体 |
| US6738234B1 (en) * | 2000-03-15 | 2004-05-18 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head and magnetic transducer |
| SG91343A1 (en) * | 2000-07-19 | 2002-09-17 | Toshiba Kk | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording apparatus |
| JP4309075B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2009-08-05 | 株式会社東芝 | 磁気記憶装置 |
| US6821653B2 (en) * | 2000-09-12 | 2004-11-23 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, process for producing the same, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| JP2002100018A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法並び磁気記憶装置 |
| US20020106297A1 (en) * | 2000-12-01 | 2002-08-08 | Hitachi Metals, Ltd. | Co-base target and method of producing the same |
| JP2002208125A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-26 | Hitachi Metals Ltd | Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲット材および磁気記録媒体 |
| JP3993786B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2007-10-17 | 富士通株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US6723458B2 (en) * | 2001-08-17 | 2004-04-20 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method of manufacture therefor, and magnetic read/write apparatus |
| US6818331B2 (en) * | 2001-08-28 | 2004-11-16 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| JP4626840B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2011-02-09 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP2003099911A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US6926977B2 (en) * | 2001-10-22 | 2005-08-09 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus |
| US6567236B1 (en) * | 2001-11-09 | 2003-05-20 | International Business Machnes Corporation | Antiferromagnetically coupled thin films for magnetic recording |
| JP4157707B2 (ja) * | 2002-01-16 | 2008-10-01 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ |
| AU2003216441A1 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-16 | Seagate Technology Llc | Chemically ordered, cobalt-platinum alloys for magnetic recording |
| US6723450B2 (en) * | 2002-03-19 | 2004-04-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording medium with antiparallel coupled ferromagnetic films as the recording layer |
| US6882834B1 (en) * | 2002-04-26 | 2005-04-19 | Analog Devices, Inc. | Direct conversion receiver apparatus |
| KR20050085232A (ko) * | 2002-12-09 | 2005-08-29 | 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 | 고순도 니켈/바나듐 스퍼터링 부재 및 스퍼터링 부재의제조방법 |
-
2004
- 2004-06-15 US US10/866,795 patent/US20050277002A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-05-10 SG SG200502942A patent/SG118324A1/en unknown
- 2005-05-11 EP EP05252880A patent/EP1607940A3/en not_active Withdrawn
- 2005-05-19 TW TW094116377A patent/TW200604363A/zh unknown
- 2005-05-27 CZ CZ20050343A patent/CZ2005343A3/cs unknown
- 2005-05-31 KR KR1020050046082A patent/KR100776383B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-06-10 JP JP2005170316A patent/JP2006004611A/ja active Pending
- 2005-06-15 CN CNA2005100764622A patent/CN1712551A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100776383B1 (ko) | 2007-11-16 |
| EP1607940A2 (en) | 2005-12-21 |
| US20050277002A1 (en) | 2005-12-15 |
| EP1607940A3 (en) | 2006-02-15 |
| SG118324A1 (en) | 2006-01-27 |
| CN1712551A (zh) | 2005-12-28 |
| KR20060046315A (ko) | 2006-05-17 |
| TW200604363A (en) | 2006-02-01 |
| JP2006004611A (ja) | 2006-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CZ2005343A3 (cs) | Vylepsené slitinové kompozice pro rozprasovácí elektrody | |
| US6183606B1 (en) | Manufacture method of high coercivity FePt-Si3N4 granular composite thin films | |
| CZ2005638A3 (cs) | Vylepšené slitinové kompozice pro rozprašovací elektrody obsahující uhlík | |
| US20080131735A1 (en) | Ni-X, Ni-Y, and Ni-X-Y alloys with or without oxides as sputter targets for perpendicular magnetic recording | |
| CN100468525C (zh) | 磁记录介质的制造 | |
| US7494617B2 (en) | Enhanced formulation of cobalt alloy matrix compositions | |
| US7666529B2 (en) | Anti-ferromagnetically coupled soft underlayer | |
| JP2007087575A (ja) | 磁気記録媒体におけるチューニング交換結合 | |
| JP2010257567A (ja) | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| US20060188743A1 (en) | Fept magnetic thin film having perpendicular magnetic anisotropy and method for preparation thereof | |
| JP2008169483A (ja) | 粒状垂直磁気記録媒体の中間層を形成するための成膜ターゲットとして有用なレニウム（Ｒｅ）ベースの合金及びそれを利用した媒体 | |
| JP2007128630A (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録媒体製造方法及びスパッタターゲット | |
| CZ2006126A3 (cs) | Zlepšené slitinové kompozice obsahující kyslík pro rozprašovací elektrody | |
| EP1850334A1 (en) | Soft magnetic underlayer in magnetic media and soft magnetic alloy based sputter target | |
| Crisan et al. | Direct formation of L10 FePt in as-cast FePt-based magnetic nanocomposite ribbons without post-synthesis annealing | |
| Ariake et al. | Co-Pt-TiO/sub 2/composite film for perpendicular magnetic recording medium | |
| US20110129692A1 (en) | Magnetic alloy materials with hcp stabilized microstructure, magnetic recording media comprising same, and fabrication method therefor | |
| TWI640644B (zh) | Sputtering target for DC sputtering and perpendicular magnetic recording medium having the same | |
| US5294312A (en) | Method for preparing a magnetic recording medium | |
| US20050053795A1 (en) | Dual seed layer for recording media | |
| US20120114976A1 (en) | Sputtering targets and recording materials of the magnetic recording medium formed from the same | |
| JP2001093139A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 | |
| US20050016836A1 (en) | Single layer CoTbAg thin films for heat assisted magnetic recording | |
| US6596417B1 (en) | Magnetic recording medium with a Ga3Pt5 structured underlayer and a cobalt-based magnetic layer | |
| JP2009134797A (ja) | 垂直磁気記録媒体 |