CZ2006383A3 - Magnetická média ze slitiny ruthenia a rozprašovací elektrody - Google Patents

Magnetická média ze slitiny ruthenia a rozprašovací elektrody Download PDF

Info

Publication number
CZ2006383A3
CZ2006383A3 CZ20060383A CZ2006383A CZ2006383A3 CZ 2006383 A3 CZ2006383 A3 CZ 2006383A3 CZ 20060383 A CZ20060383 A CZ 20060383A CZ 2006383 A CZ2006383 A CZ 2006383A CZ 2006383 A3 CZ2006383 A3 CZ 2006383A3
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
alloying element
ruthenium
layer
magnetic recording
recording medium
Prior art date
Application number
CZ20060383A
Other languages
English (en)
Inventor
Das@Anirban
Gene Racine@Michael
Original Assignee
Heraeus, Inc.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus, Inc. filed Critical Heraeus, Inc.
Publication of CZ2006383A3 publication Critical patent/CZ2006383A3/cs

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C28/00—Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
    • G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
    • G11B5/7369—Two or more non-magnetic underlayers, e.g. seed layers or barrier layers
    • G11B5/737—Physical structure of underlayer, e.g. texture
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Magnetické záznamové médium má podložní vrstvu složenou z ruthenia (Ru) a legujícího prvku. Legující prvek je vybraný ze skupiny sestávající z bóru (B), hliníku (Al), kremíku (Si) manganu (Mn), germania (Ge), selenu (Se), zirkonu (Zr), stríbra (Ag),cínu (Sn), ytterbia (Yb), lutecia (Lu), hafnia (Hf), osmia (Os), zlata (Au), bismutu (Bi) a thalia (Th), pricemž legující prvek je prítomen v první vrstve v množství prekracujícím mez rozpustnosti v tuhém stavu legujícího prvku v hexagonální tesne usporádané fázi ruthenia za teploty místnosti nebo nad ní. Podložní vrstva muže alternativne obsahovat ruthenium a dva legující prvky, jeden pro zjemnení velikosti zrna, druhý pro zmenšení nepravidelností mrížky. Tento druhý legující prvek je prítomenv rozprašovací elektrode v množství neprekracujícím mez rozpustnosti v tuhém stavu druhého legujícího prvku.

Description

Magnetická média ze slitiny ruthenia a rozprašovači elektrody
Oblast vynálezu
Stávající vynález se obecně týká rozprašovacích elektrod a magnetických záznamových médií a obzvláště se týká rozprašovacích elektrod na bázi ruthenia a podkladových vrstev u magnetických záznamových médií pro kolmý magnetický záznam.
Dosavadní stav techniky
Aby se uspokojil soustavný požadavek na stále větší kapacity datových pamětí, vyžadují se magnetická záznamová média s vyšší hustotou. Z pokusů dosáhnout této vysoké hustoty dat se zdá být zdaleka nejslibnější kolmé magnetické zaznamenávání (PMR). Je žádoucí poskytnout dobře izolovanou jemnozrnnou strkturu spojenou s velkou kolmou magnetickou anizotropii Ku, aby se dosáhlo nízké hlukové charakteristiky media (např. vyššího poměru signl-šum) a vysoké teplotní
stability v zrnité magnetické vrstvě sloupce magnetického
média pro PMR.
Aby se pro snížení jakéhokoli přispění k
vnitrorovinné magnetizaci zajistila styková plocha téměř bez vad, je navíc žádoucí těsné mřížkové vyrovnání mezi krystalickou podkladovou vrstvou a zrnitou magnetickou vrstvou ležící nad ní.
Podstata vynálezu
V souladu se stávajícím vynálezem se poskytuje magnetické záznamové médium, které má podložní vrstvu na bázi ruthenia. Tato podložní vrstva se skládá z ruthenia a slabě magnetického legujícího prvku. Tento legující prvek může být pro zjemňování velikosti zrna, když má malou nebo žádnou rozpustnost v tuhém stavu v hexagonální těsně
- 2 • ·· · · · · · * • · ····· ·· 4 • · · · · · 4 uspořádané (HCP) fázi Ru a je přítomný ve slitině v množství v přebytku nad touto rozpustností. Legující prvek může být pro sížení nrozlícování mřížky, kde má nějakou rozpustnost v tuhém stavu v HCP fázi ruthenia a je přítomný v podložní vrstvě v množství nepřekračujícím tuto rozpustnost. Legující prvek může být jak pro zjemnění velikosti zrna, tak i zmenšení rozlícování mřížky, kde má nějakou rozpustnost v tuhém stavu v HCP fázi Ru a je přítomný v podložní vrstvě v množství překračujícím tuto rozpustnost. Podložní vrstva může alternativně zahrnovat ruthenium a dva legující prvky, z toho jeden pro zjemnění velikosti zrna a ten druhý pro zmenšení rozlícování mřížky. Tato pozvednutí kvality budou zlepšovat poměr signál-šum (SR) a kolmou magnetickou anizotropii Ku magnetického záznamového média. Alternativně je výše popsaná rozprašovací elektroda složená z jedné ze slitin na bázi ruthenia vytvořená pro nanášení podložní vrstvy u magnetického záznamového média pokovováním rozprašováním.
Podle jednoho provedení je stávající vynález magnetické záznamové médium. Toto magnetické záznamové médium zahrnuje první vrstvu složenou z ruthenia (Ru) a nějakého legujícího prvku. Tento legující prvek je vybraný ze skupiny sestávající z bóru (B) , hliníku (Al), křemíku (Si), manganu (Mn), germania (Ge), selenu (Se), zirkonu (Zr), stříbra (Ag), cínu (Sn), ytterbia (b) , lutenia (Lu) , hafnia (Hf) , osmia (Os), zlata (Au), vizmutu (Bi) a thalia (Th).Legjící prvek je přítomný v této první vrstvě v množství překračujícím mez rozpustnosti v tuhém stavu tohoto legujícího prvku v HCP fázi ruthenia (Ru) při nebo nad teplotou místnosti.
Podložní vrstva může dále zahrnovat druhý legující prvek. Tento druhý legující prvek má mez rozpustnosti v tuhém stavu v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia větší než 0 atomových procent při nebo nad teplotou • · · · místnosti a hmotnostní susceptibilitu menší než 1,5 x 10=7 m3/kg. Druhý legující prvek je přítomný v rozprašovací elektrodě v množství, které nepřekračuje mez rozpustnosti tohoto legujícího prvku v tuhém stavu.
Podle jiného provedení zahrnuje magnetické záznamové médium podle stávajícího vynálezu první vrstvu složenou z ruthenia (Ru) a nějakého legujícího prvku. Tento legující prvek je zvolený ze skupiny sestávající z bóru (B) , hliníku (Al), skandia (Sc), titanu (Ti), zirkonu (Zr), niobu (Nb) , palladia (Pd), lanthanu (La), ceru (Ce), lutecia (Lu) a hafnia (Hf). Legující prvek je přítomný v první vrstvě v množství, které nepřekračuje mez rozpustnosti v tuhém stavu legujícího prvku v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia (Ru) při nebo nad teplotou místnosti.
Podle ještě dalšího provedení zahrnuje magnetické záznamové médium podle stávajícího vynálezu první vrstvu složenou z ruthenia (Ru) a nějakého legujícího prvku. Tento legující prvek je vybraný ze skupiny sestávající z bóru (B), hliníku (Al), skandia (Sc), titanu (Ti), zirkonu (Zr), niobu (Nb) , palladia (Pd), lanthanu (La), ceru (Če), lutecia (Lu) a hafnia (Hf). Legující prvek je v první vrstvě přítomný v množství překračujícím mez rozpustnosti v tuhém stavu legujícího prvku v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia (Ru) při nebo nad teplotou místnosti.
Podle ještě jiného provedení je stávající vynález rozprašovací elektroda zahrnující ruthenium (Ru) a nějaký legující prvek. Tento legující prvek je vybraný ze skupiny sestávající z bóru (B) , hliníku (Al), křemíku (Si), manganu (Mn) , germania (Ge), selenu (Se), zirkonu (Zr) , stříbra (Ag), cínu (Sn), ytterbia (Yb), lutecia (Lu), hafnia (Hf) , osmia (Os), zlata (Au), bismutu (Bi) a thalia (Th). Legující prvek je v rozprašovací elektrodě přítomný v množství překračujícím mez rozpustnosti v tuhém stavu legujícího • · · * • · ·· ····· ···· ···· ·· ·· ·· ·· prvku v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia (Ru) při nebo nad teplotou místnosti.
Rozprašovací elektroda může dále zahrnovat nějaký druhý legující prvek. Tento druhý legující prvek má mez rozpustnosti v tuhém stavu v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia větší než 0 atomových procent při nebo nad teplotou místnosti a hmotnostní susceptibilitu méně než
1,5 x 10'7 m3/kg. Druhý legující prvek je přítomný v rozprašovací elektrodě v množství nepřekračujícím mez rozpustnosti v tuhém stavu druhého legujícího prvku.
Podle ještě dalšího jiného provedení zahrnuje rozprašovací elektroda podle stávajícího vynálezu ruthenium (Ru) a nějaký legující· prvek. Tento legující prvek je vybraný ze skupiny sestávající z bóru (B) , hliníku (Al), skandia (Sc), titanu (Ti), zirkonu (Zr), niobu (Nb), palladia (Pd), lanthanu (La), ceru (Ce), lutecia (Lu) a hafnia (Hf). Legující prvek je přítomný v rozprašovací elektrodě v množství, které nepřekračuje mez rozpustnosti v tuhém stavu legujícího prvku v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia (Ru) při nebo nad teplotou místnosti.
Podle ještě dalšího provedení zahrnuje rozprašovací elektroda podle stávajícího vynálezu ruthenium (Ru) a jeden legující prvek. Tento legující prvek je vybraný ze skupiny sestávající z bóru (B), hliníku (Al), skandia (Sc), titanu (Ti), zirkonu (Zr), niobu (Nb), palladia (Pd), lanthanu (La), ceru (Ce), lutecia (Lu). a hafnia (Hf). Legující prvek je přítomný v rozprašovací elektrodě v množství, které překračuje mez rozpustnosti v tuhém stavu legujícího prvku v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia (Ru) při nebo nad teplotou místnosti.
Další znaky a přednosti vynálezu budou uvedeny v popisu dále a zčásti budou zřejmé z popisu nebo se o nich lze poučit praktickým provedením vynálezu. Cíle a další výhody • · · · • · · « · • · ·· ····· ···· ···· ·· ·· ·· ··
- 5 vynálezu budou realizovány a dosaženy strukturou uvedenou zejména v tomto písemném popisu a jeho nárocích a také v připojených výkresech.
Je třeba chápat, že jak předchozí obecný popis, tak i následující podrobný popis jsou příkladné a vysvětlující a jsou určené k tomu, aby poskytly další vysvětlení vynálezu, jak je nárokovaný.
Přehled obrázků na výkresech
Doprovázející výkresy, které jsou sem zahrnuty, aby poskytly další porozumění vynálezu, a jsou včleněny a tvoří část těchto podloh, ilustrují provedení vynálezu a spolu s popisem slouží pro vysětlení podstaty vynálezu. Na výkresech znázorňuje:
obrázek 1 - magnetické záznamové médium podle jednoho provedení stávajícího vynálezu, obrázek 2 - rozprašovací elektrodu podle jiného provedení stávajícího vynálezu a obrázek 3 - schéma ilustrující změnu parametru mřížky v ose a magnetické záznamové vrstvy na bázi CoPt s měnícím se obsahem platiny podle jednoho aspektu stávajícího vynálezu.
Podrobný popis příkladů provedení vynálezu
1. Ru-X
Obrázek 1 znázorňuje svazek 100 magnetického záznamového média podle jednoho provedení stávajícího vynálezu. Svazek média, jako je svazek 100 média, může zahrnovat podklad 101 (např. sklo nebo hliník (Al)), druhou vrstvu 104, podložní vrstvu 105 a magnetickou záznamovou vrstvu 106. Svzek 100 media může také zahrnovat jednu nebo více měkkých podložních vrstev s jinými nebo bez jiných nemagnetickýchnebo • · · ·· · · »··» • · ·· ······ · · · • · · · ····· ···· «··· ·· ·· · ··
- 6 magnetických vrstvev, jako jsou vrstvy 102 a 103 umístěné na podkladu 101. Svazek media může dále zahrnovat mazací vrstvu a uhlíkatý krycí povlak s dalšími nebo bez dalších magnetických nebo nemagnetických vrstvev, jako jsou vrstvy 107 a 108.
V magnetické záznamové vrstvě 106 se může použít zrnité magnetické medium na bázi CoPt obsahující kyslík. Kyslík vytváří v magnetické záznamové vrstvě 106 amorfní tvrdou křehkou hraniční oblast zrna a tím omezuje růst zrna a zjemnění velikosti zrna v magnetické záznamové vrstvě 106. Na vrchu této zrnité magnetické záznamové vrstvy 106 mohou být také místěné další magnetické vrstvy na bázi CoPt(Cr)(B) o nízkém nebo vysokém momentu, aby se nastavila Mg (masycená magnetizace) odpovídající konstrukci hlavy. Zrnitá magnetická záznamová vrstva 106 může být uložená na slabě magnetické (dokonce nemagnetické) krystalické (HCP fáze) podložní vrstvě, jako je podložní vrstva 105, která působí tak, že zvětšuje texturu Co zrnité magnetické záznamové vrstvy 106 na bázi CoPt ve směru kolmém k rovině, ve které tato magnetická záznamová vrstva 106 leží, a tím přispívá k velmi vysoké kolmé anizotropii.
Krystalická podložní vrstva se zjemněnými velikostmi zrna, jako je podložní vrstva 105, může potenciálně napomáhat při redukci velikosti zrna zrnité magnetické záznamové vrstvy 106 uložené epitaxiálně na jejím vrchu. Tento efekt se může zvýšit, když podkladní vrstva 105 obsahuje nějakou slitinu ruthenia (Ru) a prvek X zjemňující velikost zrna. Aby působil jako zjemňovač velikosti zrna, potřebuje mít legující prvek X v podstatě žádnou rozpustnost v tuhém stavu (např. < 10 atomových % (at. %)) ve fázi HCP ruthenia při nebo nad teplotou místnosti. Tato nerozpustnost dovolí legujícímu prvku, aby vytvořil v podložní vrstvě 105 na bázi ruthenia amorfní hranice zrn a tím omezil růst zrna « · · · • · · · · ···· ···· během nanášení podložní vrstvy 105 a ásledujících vrstev rozprašováním.
Navíc je legující prvek X nemagnetický nebo měkce magnetický (např. s hmotnostní susceptibilitou < 1,5 x 10-7 m3/kg). Na základě tohoto a výše uvedených kritérií jsou výbornými kandidáty na legující prvek X zjemňjící velikst zrna prvky, jako jsou prvky v tabuce 1. Například může být legující prvek X kterýkoli z bóru (B), hliníku (Al), křemíku (Si), manganu (Mn), germania (Ge) , selenu (Se), zirkonu (Zr), stříbra (Ag), cínu (Sn), ytterbia (Yb), lutecia(Lu), hafnia (Hf), osmia (Os), zlata (Au), bismutu (Bi) nebo thalia (Th).
Tabulka 1
Atomic No. Atomic Rádius Crystal Structure Mass Suscept. (10” nf/kg) Solubility in Ru
B 5 0.97 RMOMB -0.87 2%( 1660°C), Insoluble(RT)
C 6 0.77 DIAMOND -0.62 3%(1940°C), InsoIuble(RT)
A) 13 1.43 FCC 0.82 4%(19.20°C), 1%(RT)
Si 14 1.32 DIAMOND -0.16 Insoluble
Mn 25 1.35 CUB 12.2 Insoluble
Cu 26 1.28 FCC -0.1 Insoluble
Ce 32 1.39 DIAMOND -0.15 Insoluble
Sc 34 1.16 IICP -0.4 Insoluble
Xi 40 1.6 IICP 1.66 1.9%(1715°C), Insoluble (400°C)
Ag 47 1.44 FCC -0.23 Insoluble
Sn 50 1.58 DIAMOND -0.31 Insoluble
Yb 70 1.93 FCC 0.59 Insoluble
Lu 71 1.73 IICP 0.12 2-3%(1250°C), Insoluble (RT)
lir 72 1.59 IICP 0.53 2-3% (1200°C), Insoluble (RT)
Re 75 1.41 IICP 0.46 Insoluble
Os 76 1.38 iícp 0.06 Insoluble
Au 79 1.44 FCC -0.18 Insoluble
Bi 83 1.75 RIIOMB -1.7 Insoluble
ΊΊι 90 1.8 FCC 0.53 Insoluble
• · · t
Legující prvek X zjemňuící velikost zrna se může přidávat k pdlžní vrstvě 105 na bázi ruthenia v jakémkoli množství nad jeho nejvyšší mezí rozpustnosti v tuhém stavu ve fázi HCP ruthenia za teploty místnosti nebo vyšší.
Podložní vrstva 105 může být uložena rozprašováním z rozprašovací elektrody, jako je rozprašovací elektroda 200 na obrázku 2 podle jednoho provedení stávajícího vynálezu. Jako podložní vrstva 105 může rozprašovací elektroda 200 obsahovat ruthenium zjemňující velikost prvek X zj emňovač (Ru) a nějaký legující zrna. Aby působil jako velikosti zrna, potřebuje mít legující prvek X v podstatě žádnou rozpustnost v tuhém stavu (např. < 10 atomových procent (at. %)) v HCP fázi ruthenia při nebo nad teplotou místnosti. Navíc je legující prvek X nemagnetický nebo měkce s hmotnostní susceptibilitou <1,5 x 10~7 se legující prvek X přidává k rozprašovací v jakémkoli množství nad nejvyšší mezí magetický (např. m3/kg). Konečně elektrodě 200 rozpustnosti v tuhém stavu v HCP fázi ruthenia při teplotě místnosti nebo vyšší. Legující prvek X je přítomný v rozprašovací elektrodě v množství překračujícím mez rozpustnosti legujícího prvku v tuhém stavu v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia (Ru) při nebo nad teplotou místnosti.
2. RU-Y
Obrátíme-lí se opět na obrázek 1, může se ilustrovat další provedení stávajícího vynálezu s odkazem na svazek 100 magnetického záznamového média, který je na něm znázorněn. Granulová záznamová vrstva 106 na bázi CoPt je uložená na vrchu podložní vrstvy 105 na bázi HCP fáze ruthenia. Protože je platina v kobaltu vysove rozpustná za teploty místnosti, může vpravení platiny do kobaltu značně měnit (lineárně, jak se předpovídá Vegardovým zákonem) mřížkovou konstantu magnetické záznamové vrstvy 106. Obrázek 3 představuje změnu • · • · · · · · · · • · • · mřížkového parametru v ose a v magnetické záznamové vrstvě na bázi CoPt s měnícím se obsahem platiny.
Když se svazek 100 magnetického záznamového média použije pro kolmý magnetický záznam (PMR), má být magnetická záznamová vrstva 106 na bázi CoPt v HCP fázi s těsnou orientací mimo rovinu v tomto /0002/ směru. Podložní vrstva 105 na bázi ruthenia zvyšuje hodnotu krystalické struktury magnetické záznamové vrstvy 106, když jsou HCP roviny ruthenia orientované paralelně se styčnou plochou podložní vrstvy 105 a magnetické záznamové vrstvy 106. Avšak jakékoli rozlícování mřížkek na styčné ploše přispívá ke zbytkovému pnutí potenciálně vytvářejícím vady ve svazku 100 magnetického záznamového média a může dále zvětšovat nežádoucí jevy při rovinné magnetizaci.
Aby se minimalizovalo rozlícování mřížky mezi podložní vrstvou 105 a magnetickou záznamovou vrstvou 106 uspořádanou na jejím vrchu, může podložní vrstva 105 obsahovat ruthenium (Ru) a legující prvek Y snižující rozlícování mřížky. Z obrázku 3 je evidentní, že pokud je obsah platiny v magnetické záznamové vrstvě 106 menší než 14 atomových procent (jak je patrné z lineární extrapolace mřížkových parametrů Co a Pt podle Vegardova zákona), musí mít legující prvek Y zmenšující rozlícování mřížky poloměr atomu menší než poloměr ruthenia. Na druhé straně, pokud je obsah platiny v magnetické záznamové vrstvě 106 vyšší než 14 atomových procent, potřebuje mít legující prvek Y zmenšující rozlícování mřížky poloměr atomu větší, než je poloměr ruthenia.
Legující prvek Y redukující rozlícování mřížky potřebuje mít nějakou rozpustnost v tuhém stavu v Ru při nebo nad teplotou mlsnosti, aby vytvářel s rutheniem tuhý roztok a tím modifikoval rovinný parametr (mřížku) podložní vrstvy 105. Legující prvek Y redukjící rozlícování mřížky je také nemagnetický nebo měkce magnetický (např. s hmotnostní • · · · •«· · · • ♦ ·· · « · φ «·»····· *· ·· «· ·*
- 10 susceptibilitou < 1,5 x IO-7 m3/kg). Na základě tohoto a výše uvedených kriterií jsou výborní kadidáti na legující prvek Y redukující rozlícování mřížky prvky v tabulkách 2 a 3.
Pro magnetickou záznamovou vrstvu na bázi CoPt s < 14 at. % platiny potřebuje mít legující prvek Y redukující rozlícování mřížky poloměr atomu menší než poloměr atomu ruthenia, aby se mřížkový parametr v ose a v podložní vrstvě 105na bázi ruthenia zmenšil. Tabulka 2 poskytuje seznam prvků, které mají poloměr atomu menší než poloměr atomu ruthenia (např. menší než 1,30 Á) a splňují další výše popsaná kriteria pro legující prvek Y redukující rozlícování mřížky. Legujícím prvkem Y může být například kterýkoli z boru (B), uhlíku (C) nebo chrómu (Cr).
Tabulka 2
Atoniic No. Atoniic Rádius Crystal Structure Mass Suscept. (10 8 m3/kg) Solubility iu Ru
B 4 0.97 R11OMB -0.87 2%(1660°C), Insoluble(RT)
C 6 0.77 DIAMOND -0.62 ,3%( 1940°C), Insoluble(RT)
Ci 24 1.28 BCC 4.45 52.5(1610°C), 40%(300°C)
Pro magnetickou zázamovou vrstvu na bázi CoPt s > 14 at. % platiny potřebuje mít legující prvek Y redukující rozlícovanost mřížky poloměr atomu větší než poloměr atomu ruthenia, aby se parametr mřížky v ose a v podložní vrstvě 105 na bázi ruthenia zvětšil.. Tabulka 3 poskytuje seznam prvků, které mají poloměr atomu větší' než poloměr atomu ruthenia (např. větší než 1,30 Á) a splňují další, shora popsaná kriteria pro legující prvek Y redukující rozlícování mřížky. Například může být legující prvek Y kterýkoli z hliníku (1), skandia (Sc), titanu (Ti), vanadu (V), zirkonu (Zr), niobu (Nb), molybdenu (Mo), palladia (Pd), • · · lanthanu (La), céru (Ce), lutecia (Lu), hafnia (Hf), tantalu (Ta), wolframu (W), iridia Ir) nebo platiny (Pt).
- 11 Tabulka 3
Atomic No. Atornic Rádius Crystal Structure Mass Suscept. (10 8 m3/kg) Solubility in Ru
Al 13 1.43 FCC 0.82 4%(1920°C), 1%(RT)
Sc 21 1.6 FCC 8.8 2%( 1100°C), Insoluble(RT)
Ti 22 1.47 HCP 4.21 14%(1825°Č),2.5%(600°C)
V 23 1.36 BCC 6.28 31%(1790°C), 17%(700°C)
Zr 40 1.6 HCP 1.66 1.9%(1715°C), Insoluble(400°C)
Nb 41 1.47 BCC 2.81 29(1774°C), 5%(1000°C)
Mo 42 1.4 BCC 1.17 51.5%(1915°C), 38%(RT)
Pd 46 1.37 FCC 6.57 17%(1583°C), l%(600°C)
La 57 1.87 HCP 1.02 2%(1431°C), Insoluble(RT)
Ce 58 1.82 HCP 22 2%( 1400°C), Insoluble(RT)
Lu 71 1.73 HCP 0.12 2-3%(1250°C), Insoluble(RT)
Hf 72 1.59 HCP 0.53 2-3% (1200°C), lnsoluble(RT)
Ta 73 1.47 BCC 1.07 28%(1667°C), 20%(750°C)
W 74 1.41 BCC 0.39 48%(2205°C), 39%(1500°C)
Ir 77 1.35 FCC 0.23 49%(2334°C), 45%(800°C)
Pt 78 1.38 FCC 1.22 21 %(~2100°C), 20%( 1000°C)
Legující prvek Y redukující rozlícování mřížky se může přidávat k podložní vrstvě 105 na bázi ruthenia v jakémkoli množství nepřesahujícím jeho maximální mez rozpustnosti v tuhém stavu v HCP fázi ruthenia při teplotě místnosti nebo vyšší.
Podložní vrstva 105 může být uložena rozprašováním z rozprašovací elektrody, jako je rozprašovací elektroda 200 na obrázku 2 podle jednoho provedení stávajícího vynálezu. Jako podložní vrstva 105 může rozprašovací elektroda 200 obsahovat ruthenium (Ru) a nějaký legující prvek Y redukující rozlícování mřížky. Legující prvek Y redukující rozlícování mřížky potřebuje mít nějakou rozpustnost v tuhém • · · · · • ·· ·
- 12 stavu v Ru při teplotě místnosti nebo nad ní. Navíc je legjící pvek Y nemagnetický nebo měkce magnetický (např. s hmotnostní susceptibilitou < 1,5 x 10~7 m3/kg). Pro zýšení parametru mřížky v ose a podložní vrstvy na bázi ruthenia nanesené rozprašováním z rozprašovací elektrody 200 potřebuje být legující prvek Y nějaký prvek, který má poloměr atomu větší, než je poloměr atomu ruthenia. Pro zmenšení parametru mřížky v ose a v podložní vrstvě na bázi ruthenia nanesené rozprašováním z rozprašovací elektrody 200 potřebuje být legující prvek Y některý prvek, který má poloměr atomu menší, než je poloměr atomu ruthenia. Legující prvek Y se přidává k rozprašovací elektrodě 200 v jakémkoli množství nepřekračujícím- jeho největší mez rozpustnosti v HCP fázi ruthenia při teplotě místnosti nebo vyšší.
3. Ru-Z
Obrátíme-li se nyní opět na obrázek 1, může se s odkazem na svazek 100 magnetického záznamového média, který je na něm znázorněný, ilustrovat další provedení stávajícího vynálezu. Zrnitá magnetická záznamová vrstva 106 na bázi CoPt je uložená na vrchu podložní vrstvy 105 na bázi HCP ruthenia. Podložní vrstva 105 může zahrnovat ruthenium (Ru) a jediný legující prvke Z, který může působit jak jako legující prvek zjemňující velikost zrna, tak i jako leguící prvek redukující rozlícování mřížky. Tento jedný legující prvek Z může působit jako prvek redukující rozlícování mřížky, když má legující prvek Z určitou rozpustnost v tuhém stavu v HCP fázi Ru při teplotě místnosti nebo vyšší a vytváří tedy s rutheniem tuhý roztok a tím působí na jeho mřížkový parametr v ose a. Tento jediný legující prvek Z může také působit jako zjemňovač veliosti zrna, když se legující prvek Z přidá nad jeho mezí rozpustnosti (např. nad mezí rozpustnosti až blízko 10 at. %). U jiného provedení se • · ·· ····· ···· ···· ·· ·· ·· ··
- 13 může Z přidat nad jeho mezí rozpustnosti kolem určitého množství (např. kolem ne více než 10 at. % nebo kolem více než 10 at. %).
Pro zvýšení parametru mřížky v ose a v podložní vrstvě 105 na bázi ruthenia potřebuje být jediný legující prvek Z nějaký prvek, který má poloměr atomu větší, než je poloměr atomu ruthenia. Pro zmenšení parametru mřížky v ose a v podložní vrstvě 105 na bázi ruthenia potřebuje být jediný legující prvek Z nějaký prvek, který má poloměr atomu menší než poloměr atomu ruthenia.
Tento jediný legující prvek Z je nemagnetický nebo měkce magnetický (např. s hmotnostní susceptibilitou <1,5 x 107 m3/kg). Na základě tohoto a výše uvedených krterií jsou prvky v tabulce 4 výborní kandidáti na jediný legující prvek Z pro zjemňování velikosti zrna a zmenšení rozlícování mřížky. Jediný legující prvek í může být například kterýkoli z bóru (B), uhlíku (C), hliníku (Al), skandia (Sc), titanu (Ti), vanadu (V), chrómu (Cr), zirkonu (Zr), niobu (Nb) , molybdenu (Mo), palladia (Pd), lanthanu (La), céru (Ce) , lutecia (Lu), hafnia (Hf), tantalu (Ta), wolframu (W), iridia (Ir) nebo platiny (Pt).
·· • · ♦ · · · • ·« · · ·· · • · · · ·
- 14 Tabulka 4
Atomic No. Atomic Rádius Crvstal Structure Mass Suscept. (10 8 m3/kg) Solubility in Ru
B 4 0.97 RHOMB -0.87 2%( 1660°C), Insoluble(RT)
C 6 0.77 DIAMOND -0.62 3%(1940°C), Insoluble(RT)
Al 13 1.43 FCC 0.82 4%(1920°C), I%(RT)
Sc 21 1.6 FCC 8.8 2%(1100°C), Insoluble(RT)
Ti 22 1.47 HCP 4.21 14% (1825°C), 2.5%(600°C)
V 23 1.36 BCC 6.28 31 % (1790°C), 17%(700°C)
Cr 24 1.28 BCC 4.45 52.5(1610°C), 40%(300°C)
Zr 40 1.6 HCP 1.66 1,9%(1715°C), Insoluble(400°C)
Nb 41 1.47 BCC 2.81 29(1774°C), 5%(1000°C)
Mo 42 1.4 BCC 1.17 51.5%(1915°C), 38%(RT)
Pd 46 1.37 FCC 6.57 17%(1583°C), l%(600°C)
La 57 1.87 HCP 1.02 2%(1431°C), Insoluble(RT)
Ce 58 1.82 HCP 22 2%(1400°C), Insoluble(RT)
Ln 71 1.73 HCP 0.12 2-3%(1250°C), Insoluble(RT)
Hf 72 1.59 HCP 0.53 2-3% (1200°C), Insoluble(RT)
Ta 73 1.47 BCC 1.07 28%(1667°C), 20%(750°C)
W 74 1.41 BCC 0.39 48%(2205°C), 39%( 1500°C)
Ir 77 1.35 FCC 0.23 49%(2334°C), 45%(800°C)
Pt 78 1.38 FCC 1.22 21 %(~2100°C), 20%( 1000°C)
Jediný legující prvek Z se může k podložní vrstvě 105 na bázi ruthenia přidat v jakémkoli množství převyšjícím nejvyšší hranici rozpustnosti v tuhém stavu v HCP fázi ruthenia při teplotě místnosti nebo vyšší (např. nad tou mezí rozpustnosti až kolem 10 at. %).
Podložní vrstva 105 může být nanesená rozprašováním z nějaké rozprašovací elektrody, jako je rozprašovací elektroda 200 na obrázku 2 podle jednoho provedení stávajícího vynálezu. Jako podložní vrstva 105 může rozprašovací elektroda 200 obsahovat ruthenium (Ru) a jediný resp. simplexní legjící prvek Z pro zjemnění velikosti zrna a zmenšení rozlícování mřížky. Tento jediný legující prvek Z může působit jako zmenšující prvek rozlícování mřížky, • ♦ * ♦ « ··»
- 15 když má tento legující prvek Z, určitou rozpustnost v tuhém stavu v HCP fázi Ru za teploty místnosti nebo vyšší a vytváří tedy s rutheniem tuhý roztok a tím působí na jeho mřížkový parametr v ose a. Tento simplexní legující prvek Z může také působit jako zjemňovadlo velikosti zrna, když se tento legující prvek Z přidá nad mezí jeho rozpustnosti (např. nad takovou mezí rozpustosti kolem téměř 10 at. %). Podle jiného provedení se může Z přidat nad mezí jeho rozpustnosti o jakékoli množství (např. kolem ne více než 10 at. % nebo kolem více než 10 at. %). Pro zvětšení parametru mřížky v ose a v podložní vrstvě na bázi ruthenia nanesené rozprašováním z rozprašovací elektrody 200 potřebuje být jediný legující prvek Z některý prvek, který á poloměr atomu větší než poloměr atomu ruthenia. Pro zmenšení parametru mřížky v ose a v podložní vrstvě na bázi ruthenia nanesené rozprašováním z rozprašovací elektrody 200 potřebuje být jediný legující prvek Z některý prvek, který má poloměr atomu menší než poloměr atomu ruthenia. Tento simplexní legující prvek Z je nemagnetický nebo měkce magnetický (např. s hmotnostní susceptibilitou < 1,5 x 10~7 m3/kg).
4. Ru-X-Y
Obrátíme-li se opět na obrázek 1, může být s odkazem na svazek 100 magnetického záznamového media, který je na něm znázorněn, ilustrováno další provedení stávajícího vynálezu. Zrnitá magnetická záznamová, vrstva 106 na bázi CoPt je uložená na vrchu HCP podložní vrstvy 105 na bázi ruthenia. Podložní vrstva 105 může zahrnovat ternární slitinu Ru-X-Y na bázi ruthenia, kde X je legující prvek redukující velikost zrna a Y je legující prvek redukující rozlícování mřížky.
Aby působil jako zjemňovač velikosti zrna, potřebuje mít legující prvek X v podstatě žádnou resp. nulovou rozpustnost ·· ·· • · »· · místnosti nebo nad ní nemagnetický nebo měkce v tuhém stavu (např. < 10 at. %) v HCP fázi ruthenia za teploty místnosti nebo nad ní. Navíc je legující prvek X nemagnetický nebo měkce magnetický (např. s hmotnostní susceptibilitou < 1,5 x 10“7 m3/kg) . Konečně se legující prvek X přidává k podložní vrstvě 105 na bázi ruthenia v jakémkoli množství nad jeho nejvyšší mezí rozpustnosti v tuhém stavu v HCP fázi ruthenia při teplotě místnosti nebo vyšší.
Legující prvek Y zmenšující rozlícování mřížky potřebuje mít určitou rozpustnost v tuhém stavu v Ru za teploty Legující prvek Y je navíc magnetický (např. s hmotnostní susceptibilitou < 1,5 x 10’7 m3/kg) . Pro zvětšení parametru mřížky v ose a v podložní vrstvě 105 na bázi ruthenia potřebuje být legující prvek Y některý prvek, který má poloměr atomu větší než poloměr atomu ruthenia. Pro zmenšení parametru mřížky v ose a v podložní vrstvě 105 na bázi ruthenia potřebuje být legující prvek Y některý prvek, který má poloměr atomu menší než poloměr atomu ruthenia. Konečně se legující prvek Y přidává k podložní vrstvě 105 na bázi ruthenia v jakémkoli množství nepřekračujícím jeho nejvyšší mez rozpustnosti v tuhém stavu v HCP fázi ruthenia při teplotě místnosti nebo vyšší.
Na základě těchto kriterií poskytuje tabulka 5 seznam kandidátů na legující prvek X zjemňující velikost zrna a legující prvek Y zmenšující rozlícování mřížky.
··» ·· • ·· · · ·· · · » · • · ···· ·♦ »#· • · · « · ··· · · 9 9 9
9 · · · · · · · ···· ···< ·· ·· ·· ··
- 17 Tabulka 5
Grain Sizc Kcfining Alloying Element X Latticc Misfít Kcducing Alloying Element Y (Γογ Pt > 14 at.%) Latticc Misfít Rcducing Alloying Element Y (forPtc J4 at.%)
B (2-50 at.%) AI (0-4 at.%) B (0-2 at.%)
C (3-50 al.%) Al (4-50 at.%) Sc (0-2 at.%) C (0-3 at.%)
Ti (0 14 at.%) Cr (up lo 50 at.%)
Si (υρ to 50 al.%) V (0-31 at.%)
Mn (up lo 50 at.%) Zr (0-2 at.%)
Cu (up to 50 al.%) Nb (0-29 al.%)
Gc (up to 50 at.%) Mo (up to 50 al.%)
Se (up to 50 at.%) Pil (0-17 at.%)
Zr (2-50 at.%) La (0-2 at.%)
Ag (up lo 50 al.%) Ce (0-2 at.%)
Sn (up to 50 at.%) Lu (0-3 at.%)
Yb (up to 50 at.%) Hf(0-3 at.%)
Lu (3-50 at.%) Ta (0-28 al.%)
Uf (3-50 at.%) W (0-48 at.%)
Re (up to 50 at.%) Ir (0-49 at.%)
Os (up lo 50 al.%) Pt (0-21 at.%)
Au (up lo 50 at.%)
Bi (up to 50 at.%)
Th (up to 50 at.%)
Podložní vrstva 105 může být uložená rozprašováním z rozprašovací elektrody, jako je rozprašovací elektroda 200 na obrázku 2 podle jednoho provedení stávajícího vynálezu. Jako podložní vrstva 105 může rozprašovací elektroda 200 obsahovat ruthenium (Ru), nějaký legující prvek X zjemňující velikost zrna a nějaký legující prvek Y zmenšující rozlícování mřížky. Aby působil jako zjemňovač velikosti zrna, potřebuje mít legující prvek X v podstatě žádnou rozpustnost v tuhém stavu (např. < 10 at. %) v HCP fázi ruthenia za teploty místnosti nebo nad ní. Navíc je legující prvek X nemagnetický nebo měkce magnetický (např. s hmotnostní susceptibilitou < 1,5 x 10~7 m3/kg). Konečně se legující prvek X přidává k rozprašovací elektrodě 200 v jakémkoli množství nad jeho nejvyšší mezí rozpustnosti » · » · » · » · · · • · · ·-« I · · • · · · v tuhém stavu v HCP fázi ruthenia při teplotě místnosti nebo vyšší.
Legující prvek Y zmenšující rozlícování mřížky potřebuje mít určitou rozpustnost v tuhém stavu v Ru za teploty místnosti nebo nad ní. Legující prvek Y je navíc nemagnetický nebo měkce magnetický (např. s hmotnostní susceptibilitou < 1,5 x IO'7 m3/kg). Pro zvětšení parametru mřížky v ose a v podložní vrstvě na bázi ruthenia nanesené rozprášením z rozprašovací elektrody 200 potřebuje být legující prvek Y některý prvek, který má poloměr atomu větší než poloměr atomu ruthenia. Pro zmenšení parametru mřížky v ose a v podložní vrstvě na bázi ruthenia nanesené rozprašováním z rozprašovací elektrody 200 potřebuje být legující prvek Y některý prvek, který má poloměr atomu menší než poloměr atomu ruthenia. Konečně se legující prvek Y přidává k rozprašovací elektrodě 200 v jakémkoli množství nepřekračujícím jeho nejvyšší mez rozpustnosti v tuhém stavu v HCP fázi ruthenia při teplotě místnosti nebo vyšší.
Zatímco byl stávající vynález popisován zejména s odkazem na různé obrázky a provedení, je třeba chápat, že ta jsou jen pro potřeby ilustrace a nemají se považovat za omezující rozsah vynálezu. Pro skutečnění vynálezu může být mnoho dalších cest. Stávající vynález může být například aplikovatelný na podélné magnetické zaznamenávání. Zrnitá magnetická záznamová vrstva 106 může být jakákoli magnetická vrstva na bázi CoPt s kyslíkem nebo bez něho. Svazek media může zahrnovat více nebo méně vrstev než ten, který je znázorněný na obrázku 1. Zatímco je na obrázku 2 představená kruhová rozprašovací elektroda, může mít rozprašovací elektroda jakýkoli počet jiných tvarů, jako je přímkový, plný nebo dutý válcový nebo nějaký jiný tvar. Na vynálezu může ten, kdo má průměrnou znalost stavu techniky, provést mnoho změn a modifikací bez toho, aby se odchýlil od podstaty a rozsahu vynálezu.

Claims (5)

1. Magnetické záznamové medium zahrnující:
první vrstvu složenou z ruthenia (Ru) a nějakého legujícího prvku, legující prvek je vybraný ze skupiny sestávající z bóru (B), hliníku (Al), křemíku (Si), manganu (Μη), germania (Ge), selenu (Se), zirkonu (Zr), stříbra (Ag), cínu (Sn) , ytterbia (Yb), lutecia (Lu), hafnia (Hf), osmia (Os), zlata Au), bismutu (Bi) a thalia (Th), legující prvek je přítomný v první vrstvě v množství překračujícím mez rozpustnosti v tuhém stavu legujícího prvku v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia (Ru) za teploty místnosti nebo nad ní.
2. Magnetické záznamové medium podle nároku 1, v y značující se tím, že legující prvek je přítomný v první vrstvě v množství ne více než o 10 atomových procent větším než mez rozpustnosti v tuhém stavu legujícího prvku v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia (Ru) za teploty místnosti nebo nad ní.
3. Magnetické záznamové medium podle nároku 1, v y značující se tím, že první vrstva dále zahrnuje druhý legující prvek, tento druhý legující prvek má mez rozpustnosti v tuhém stavu v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia větší než 0 atomových procent při nebo nad teplotou místnosti, tento druhý legující prvek má hmotnostní susceptibilítu menší než 1,5 xlCC7 m3/kg, tento druhý legující prvek je přítomný v rozprašovací elektrodě v množství nepřekračujícím mez rozpustnosti v tuhém stavu druhého legujícího prvku.
- 20 - • • • • · · • « · ···# · • · · · · · · • ·· · · · · » · »· * . · · • · · • · · ·· • · · • · · · · · · • · • · · « 4 . Magnetické záznamové medium podle nároku 3, v y znač ující se t i m, že druhý legující prvek má poloměr atomu menší než 1,30 Á. 5. Magnetické záznamové medium podle nároku 3, vy - znač ující se t i m, že druhý leguj ící prvek je vybraný ze skupiny sestávající z bóru (B) , uhlíku (C) a chrómu (Cr) . 6. Magnetické záznamové medium podle nároku 3, v y - znač ující se. t i m, že druhý leguj ící prvek má poloměr atomu větší než 1,30 Á. 7 . Magnetické záznamové medium podle nároku 3, v y - znač ující se t i m, že druhý leguj ící prvek je
vybraný ze skupiny sestávající z hliníku (Al), skandia (Sc), titanu (Ti), vanadu (V), zirkonu (Zr), niobu (Nb), molybdenu (Mo), palladia (Pd), lanthanu (La), céru (Ce), lutecia (Lu), hafnia (Hf), tantalu (Ta), wolframu (W) , iridia (Ir) a platiny (Pt).
8. Magnetické záznamové medium podle nároku 1, vyznačující se tím, že magnetické záznamové médium je korné magnetické záznamové médim.
9. Magnetické záznamové medium podle nároku 1, vyznačující se tím, že dále zahrnuje podklad, zárodečnou vrstvu a zrnitou magnetickou záznamovou vrstvu.
10. Magnetické záznamové medium podle nároku 9, v y značující se tím, že legující prvek je pro zjemňování velikostizrna v první vrstvě a zrnité magnetické záznamové vrstvě.
• · · · · · · • · · * · ··· ♦ · · · * • · · » ····· ···· ···· ·· «» ··
- 21 11. Magnetické záznamové medium zahrnující:
první vrstvu složenou z ruthenia (Ru) a nějakého legujícího prvku, legující prvek je vybraný ze skupiny sestávající z bóru (B), hliníku (Al), skandia (Sc), titanu (Ti), zirkonu (Zr), niobu (Nb), palladia (Pd), lantanu (La), ceria (Ce), lutecia (Lu) a hafnia (Hf), legující prvek je přítomný v první vrstvě v množství nepřekračujícím mez rozpustnosti v tuhém stavu legujícího prvku v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia (Ru) za teploty místnosti nebo nad ní.
12. Magnetické záznamové medium podle nároku 11, vyznačující se tím, že dále zahrnuje podklad, zárodečnou vrstvu a magnetickou vrstvu.
13. Magnetické záznamové medium podle nároku 12, vyznačující se tím, že legující prvek je pro zmenšení rozlícování mřížky mezi první vrstvou a magnetickou vrstvou.
14. Magnetické záznamové medium zahrnující:
první vrstvu složenou z ruthenia (Ru) a nějakého legujícího prvku, legující prvek je vybraný ze skupiny sestávající z bóru (B), hliníku (Al), skandia (Sc), titanu (Ti), zirkonu (Zr), niobu (Nb), palladia (Pd), lantanu (La), ceria (Ce), lutecia (Lu) a hafnia (Hf), legující prvek je přítomný v první vrstvě v množství překračujícím mez rozpustnosti v tuhém stavu legujícího prvku v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia (Ru) za teploty místnosti nebo nad ní.
A* ♦ · ·* 99 99 AA
9 9 9 9 9 9 9 A A * « • A · A A A 9 9 999
9 9999 999 9 9 99 9
9 9 9 9 9 9 9 9 9
9999 9999 99 99 99 99
- 22 15. Magnetické záznamové medium podle nároku 14, vyznačující se tím, že legující prvek je přítomný v první vrstvě v množství ne více než o 10 atomových procent větším než mez rozpustnosti v tuhém stavu legujícího prvku v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia (Ru) za teploty místnosti nebo nad ní.
16. Magnetické záznamové medium podle nároku 14, vyznačující se tím, že dále zahrnuje podklad, zárodečnou vrstvu a magnetickou vrstvu.
17. Magnetické záznamové medium podle nároku 16, vyznačující se^ tím, že legující prvek je pro zjemnění velikosti zrna v první vrstvě a magnetické vrstvě a pro zmenšení rozlícování mřížky mezi první vrstvou a magnetickou vrstvou.
18. Rozprašovací elektroda zahrnující: ruthenium (Ru) a nějaký legující prvek vybraný ze skupiny sestávající z bóru (B), hliníku (Al), křemíku (Si), manganu (Mn), germania (Ge), selenu (Se), zirkonu (Zr), stříbra (Ag), cínu (Sn) , ytterbia (Yb), lutecia (Lu), hafnia (Hf), osmia (Os), zlata (Au), bismutu (Bi) a thalia (Th), legující prvek je přítomný v rozprašovací elektrodě v množství překračujícím mez rozpustnosti v tuhém stavu legujícího prvku v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia (Ru) za teploty místnosti nebo nad ní.
19. Rozprašovací elektroda podle nároku 18, vyznačující se tím, že legující prvek je přítomný v rozprašovací . elektrodě v množství ne více než o 10 atomových procent větším než mez rozpustnosti v tuhém stavu ♦ 4 44 <4 ·· ·· • * · · 4 44 4 * 4 4 « · * · 4 4 · 4 ·«<
4 · · 4 4 44444 · · 4
4 * 44 4 4 4 4 ·
444« 4*44 44 44 44 ·4
- 23 legujícího prvku v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia (Ru) za teploty místnosti nebo nad ní.
20. Rozprašovací elektroda podle nároku 18, vyznačující se tím, že legující prvek je pro zjemnění velikosti zrna v podložní vrstvě a zrnité magnetické záznamové vrstvě magnetického záznamového media.
21. Rozprašovací elektroda podle nároku 18, vyznačující se tím, že dále zahrnuje druhý legující prvek, tento druhý legující prvek má mez rozpustnosti v tuhém stavu v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia větší než 0 atomových procent při nebo nad teplotou místnosti, tento druhý legující prvek má hmotnostní susceptibilitu menší než 1,5 x 10“7 m3/kg, tento druhý legující prvek je přítomný v rozprašovací elektrodě v množství nepřekračujícím mez rozpustnosti v tuhém stavu druhého legujícího prvku.
22. Rozprašovací elektroda podle nároku 21, vyznačující se tím, že druhý legující prvek má poloměr atomu menší než 1,30 Á.
23. Rozprašovací elektroda podle nároku 21, vyznačující se tím, že druhý legující prvek je vybraný ze skupiny sestávající z bóru (B), uhlíku (C) a chrómu (Cr) .
24. Rozprašovací elektroda podle nároku 21, vyznačující se tím, že druhý legující prvek má poloměr atomu větší než 1,30 Á.
00 09 «9 9» ·« 99 • 99 9 9 99 9 9 99 • · 9909 90 990 • 0094 900 99 90 9 • « ·9 0 0 · φ 0 *0*0 0000 00 ·« * · 00
25. Rozprašovací elektroda podle nároku 21, vyznačující se tím, že druhý legující prvek je vybraný ze skupiny sestávající z hliníku (Al), skandia (Sc), titanu (Ti), vanadu (V), zirkonu (Zr), niobu (Nb), molybdenu (Mo), palladia (Pd), lanthanu (La), céru (Ce), lutecia (Lu), hafnia (Hf), tantalu (Ta), wolframu (W) , iridia (Ir) a platiny (Pt).
26. Rozprašovací elektroda zahrnující: ruthenium (Ru) a nějaký legující prvek vybraný ze skupiny sestávající z bóru (B), hliníku (Al), skandia (Sc), titanu (Ti), zirkonu (Zr), niobu (Nb), palladia (Pd), lanthanu (La), ceru (Ce) , lutecia (Lu) a hafnia (Hf), legující prvek je přítomný v rozprašovací elektrodě v množství nepřekračujícím mez rozpustnosti v tuhém stavu legujícího prvku v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia (Ru) za teploty místnosti nebo nad ní.
27. Rozprašovací elektroda podle nároku 26, c u j i c i rozlícování magnetickou media.
se t í m, že legující prvek je mřížky mezi podložní vrstvou záznamovou vrstvou magnetického vyznápro zmenšení a zrnitou záznamového
28. Rozprašovací elektroda zahrnující: ruthenium (Ru) a nějaký legující prvek vybraný ze skupiny sestávající z bóru (B) , hliníků (Al), skandia (Sc), titanu (Ti), zirkonu (Zr) , niobu (Nb), palladia (Pd), lanthanu (La), ceru (Ce) , lutecia (Lu) a hafnia (Hf), legující prvek je přítomný v rozprašovací elektrodě v množství překračujícím mez rozpustnosti v tuhém stavu ·· • · · • 9 99 • · ·
9 9 9 999
9 9 · • · · • · 999
9 9 9 9
9 9 9 9 ·· «· legujícího prvku v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia (Ru) za teploty místnosti nebo nad ní.
29. Rozprašovací elektroda podle nároku 28, vyznačující se tím, že legující prvek je přítomný v rozprašovací elektrodě v množství ne více než o 10 atomových procent větším než mez rozpustnosti v tuhém stavu legujícího prvku v hexagonální těsně uspořádané (HCP) fázi ruthenia (Ru) za teploty místnosti nebo nad ní.
30. Rozprašovací elektroda podle nároku 28, vyznačující se tím, že legující prvek je pro zjemnění velikosti zrna v podložní vrstvě a zrnité magnetické záznamové vrstvě magnetického záznamového media a pro zmenšení rozlícování mřížky mezi podložní vrstvou a zrnitou magnetickou záznamovou vrstvou.
CZ20060383A 2006-02-14 2006-06-14 Magnetická média ze slitiny ruthenia a rozprašovací elektrody CZ2006383A3 (cs)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/353,141 US20070190364A1 (en) 2006-02-14 2006-02-14 Ruthenium alloy magnetic media and sputter targets

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CZ2006383A3 true CZ2006383A3 (cs) 2007-09-05

Family

ID=36910806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ20060383A CZ2006383A3 (cs) 2006-02-14 2006-06-14 Magnetická média ze slitiny ruthenia a rozprašovací elektrody

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20070190364A1 (cs)
EP (1) EP1818917A1 (cs)
JP (1) JP2007220267A (cs)
KR (1) KR20070082005A (cs)
CN (1) CN101022014A (cs)
CZ (1) CZ2006383A3 (cs)
SG (6) SG136127A1 (cs)
TW (1) TW200731300A (cs)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9159351B2 (en) * 2007-10-15 2015-10-13 Wd Media (Singapore) Pte. Ltd Perpendicular magnetic recording medium and method of manufacturing the same
BR112013001540A2 (pt) 2010-07-29 2016-05-10 Federal Mogul Ignition Co vela de ignição e material de eletrodo
US8471451B2 (en) 2011-01-05 2013-06-25 Federal-Mogul Ignition Company Ruthenium-based electrode material for a spark plug
US8575830B2 (en) 2011-01-27 2013-11-05 Federal-Mogul Ignition Company Electrode material for a spark plug
DE112012000947B4 (de) 2011-02-22 2018-03-22 Federal-Mogul Ignition Company Verfahren zum Herstellen eines Elektrodenmaterials für einen Zündkerze
JP5699016B2 (ja) * 2011-03-30 2015-04-08 田中貴金属工業株式会社 Ｒｕ−Ｐｄ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
US8766519B2 (en) 2011-06-28 2014-07-01 Federal-Mogul Ignition Company Electrode material for a spark plug
US10044172B2 (en) 2012-04-27 2018-08-07 Federal-Mogul Ignition Company Electrode for spark plug comprising ruthenium-based material
WO2013177031A1 (en) 2012-05-22 2013-11-28 Federal-Mogul Ignition Company Method of making ruthenium-based material for spark plug electrode
US8979606B2 (en) 2012-06-26 2015-03-17 Federal-Mogul Ignition Company Method of manufacturing a ruthenium-based spark plug electrode material into a desired form and a ruthenium-based material for use in a spark plug
CN104032270B (zh) * 2014-06-12 2016-05-04 贵研铂业股份有限公司 一种大尺寸钌基合金溅射靶材及其制备方法
US20160125903A1 (en) * 2014-10-31 2016-05-05 HGST Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording medium having an oxide seed layer and ru alloy intermediate layer
JP7258275B2 (ja) * 2019-05-09 2023-04-17 株式会社レゾナック 磁気記録媒体および磁気記録再生装置

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5536585A (en) * 1993-03-10 1996-07-16 Hitachi, Ltd. Magnetic recording medium and fabrication method therefor
JP2834392B2 (ja) * 1993-06-23 1998-12-09 ストアメディア インコーポレーテッド 金属薄膜型磁気記録媒体とその製造方法
US5849386A (en) * 1996-04-26 1998-12-15 Hmt Technology Corporation Magnetic recording medium having a prelayer
JP3665221B2 (ja) * 1999-03-18 2005-06-29 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 面内磁気記録媒体及び磁気記憶装置
DE60014974T2 (de) * 1999-06-08 2005-03-17 Fujitsu Ltd., Kawasaki Magnetisches Aufzeichnungsmittel
US6586116B1 (en) * 2000-02-09 2003-07-01 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Nonmetallic thin film magnetic recording disk with pre-seed layer
DE10008097A1 (de) * 2000-02-22 2001-09-20 Forschungszentrum Juelich Gmbh Markierungseinrichtung sowie Verfahren zum Auslesen einer solchen Markierungseinrichtung
US6497799B1 (en) * 2000-04-14 2002-12-24 Seagate Technology Llc Method and apparatus for sputter deposition of multilayer films
US6740397B1 (en) * 2000-05-24 2004-05-25 Seagate Technology Llc Subseedlayers for magnetic recording media
US6777112B1 (en) * 2000-10-10 2004-08-17 Seagate Technology Llc Stabilized recording media including coupled discontinuous and continuous magnetic layers
JP2002190108A (ja) * 2000-10-13 2002-07-05 Fuji Electric Co Ltd 磁気記録媒体およびその製造方法
US6737172B1 (en) * 2000-12-07 2004-05-18 Seagate Technology Llc Multi-layered anti-ferromagnetically coupled magnetic media
US6699600B2 (en) * 2001-02-28 2004-03-02 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium, method of manufacture therefor, and apparatus for magnetic recording and reproducing recordings
US6677061B2 (en) * 2001-05-23 2004-01-13 Showa Denko Kabushiki Kaisha Magnetic recording medium, production process thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus
SG115476A1 (en) * 2001-05-23 2005-10-28 Showa Denko Kk Magnetic recording medium, method of manufacturing therefor and magnetic replay apparatus
US20040018390A1 (en) * 2001-07-31 2004-01-29 Fuji Electric, Co., Ltd. Perpendicular magnetic recording medium and method of manufacturing the same
US20030049498A1 (en) * 2001-07-31 2003-03-13 Manabu Shimosato Perpendicular magnetic recording medium and method of manufacturing the same
US6682826B2 (en) * 2001-08-01 2004-01-27 Showa Denko K.K. Magnetic recording medium, method of manufacturing therefor, and magnetic read/write apparatus
US6828036B1 (en) * 2001-08-21 2004-12-07 Seagate Technology Llc Anti-ferromagnetically coupled magnetic media with combined interlayer + first magnetic layer
US20030134151A1 (en) * 2001-09-14 2003-07-17 Fuji Photo Film Co., Ltd. Magnetic recording medium
US7138196B2 (en) * 2001-11-09 2006-11-21 Maxtor Corporation Layered thin-film media for perpendicular magnetic recording
JP2003157516A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Toshiba Corp 垂直磁気記録媒体および磁気記録装置
JP2003162806A (ja) * 2001-11-27 2003-06-06 Hitachi Ltd 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置
JP4019703B2 (ja) * 2001-12-07 2007-12-12 富士電機デバイステクノロジー株式会社 垂直磁気記録媒体およびその製造方法
US6908689B1 (en) * 2001-12-20 2005-06-21 Seagate Technology Llc Ruthenium-aluminum underlayer for magnetic recording media
US6852426B1 (en) * 2001-12-20 2005-02-08 Seagate Technology Llc Hybrid anti-ferromagnetically coupled and laminated magnetic media
JP2003208710A (ja) * 2002-01-15 2003-07-25 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気記録媒体
JP2003346317A (ja) * 2002-05-23 2003-12-05 Fuji Photo Film Co Ltd 垂直磁気記録媒体
JP2004030767A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Toshiba Corp 垂直磁気記録媒体および磁気記録装置
JP4416408B2 (ja) * 2002-08-26 2010-02-17 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 垂直磁気記録媒体
KR100639624B1 (ko) * 2002-09-06 2006-10-31 후지쯔 가부시끼가이샤 자기 기록 매체 및 자기 기억장치
US6878460B1 (en) * 2002-11-07 2005-04-12 Seagate Technology Llc Thin-film magnetic recording media with dual intermediate layer structure for increased coercivity
JP2006502522A (ja) * 2003-01-15 2006-01-19 富士通株式会社 磁気記録媒体及び磁気記憶装置
WO2004070710A1 (en) * 2003-02-06 2004-08-19 Fujitsu Limited Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
JP2004303375A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Toshiba Corp 垂直磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置
JP2004326889A (ja) * 2003-04-23 2004-11-18 Hitachi Global Storage Technologies Inc 磁気記録媒体
JP4171732B2 (ja) * 2003-05-15 2008-10-29 富士通株式会社 磁気記録媒体及び磁気記憶装置
JP2004348777A (ja) * 2003-05-20 2004-12-09 Hitachi Ltd 垂直磁気記録媒体および磁気記録装置
JP2004348849A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Hitachi Ltd 垂直磁気記録媒体及び磁気記録装置
JP2005032353A (ja) * 2003-07-14 2005-02-03 Fujitsu Ltd 磁気記録媒体、磁気記憶装置、および磁気記録媒体の記録方法
JP2005085338A (ja) * 2003-09-05 2005-03-31 Fujitsu Ltd 磁気記録媒体、磁気記憶装置、及び記録方法
JP4435558B2 (ja) * 2003-12-24 2010-03-17 ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ 磁気記録媒体
US7235314B2 (en) * 2004-03-11 2007-06-26 Seagate Technology Llc Inter layers for perpendicular recording media
US7201977B2 (en) * 2004-03-23 2007-04-10 Seagate Technology Llc Anti-ferromagnetically coupled granular-continuous magnetic recording media
JP4874526B2 (ja) * 2004-03-25 2012-02-15 株式会社東芝 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造法、並びに磁気記録再生装置
JP2005276364A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Toshiba Corp 磁気記録媒体及びその製造法、並びにそれを用いた磁気記録再生装置
JP4585214B2 (ja) * 2004-03-25 2010-11-24 株式会社東芝 磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録再生装置
JP2005353256A (ja) * 2004-05-13 2005-12-22 Fujitsu Ltd 垂直磁気記録媒体およびその製造方法、磁気記憶装置
US7494726B2 (en) * 2004-07-07 2009-02-24 Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. Perpendicular magnetic recording medium, method of manufacturing same, and magnetic recording device
US7482071B2 (en) * 2005-05-24 2009-01-27 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording disk with improved recording layer having high oxygen content
US7491452B2 (en) * 2005-08-12 2009-02-17 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording disk with recording layer containing selected metal oxides and formed on a reduced-thickness exchange-break layer

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070082005A (ko) 2007-08-20
SG136131A1 (en) 2007-10-29
SG136129A1 (en) 2007-10-29
SG136142A1 (en) 2007-10-29
SG135085A1 (en) 2007-09-28
SG136127A1 (en) 2007-10-29
JP2007220267A (ja) 2007-08-30
SG136128A1 (en) 2007-10-29
CN101022014A (zh) 2007-08-22
TW200731300A (en) 2007-08-16
US20070190364A1 (en) 2007-08-16
EP1818917A1 (en) 2007-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CZ2006383A3 (cs) Magnetická média ze slitiny ruthenia a rozprašovací elektrody
US8057926B2 (en) Perpendicular magnetic recording medium
EP1930884A1 (en) Ni-X, NI-Y, and NI-X-Y alloys with or without oxides as sputter targets for perpendicular magnetic recording
US20040191578A1 (en) Method of fabricating L10 ordered fePt or FePtX thin film with (001) orientation
US20070099032A1 (en) Deposition of enhanced seed layer using tantalum alloy based sputter target
JP2010257567A (ja) 垂直磁気記録媒体およびその製造方法
WO2008030199A1 (en) Chemically ordered perpendicular recording media
US20060057430A1 (en) Perpendicular magnetic recording medium
US7601444B2 (en) Perpendicular magnetic recording medium
US10714138B2 (en) Perpendicular magnetic recording medium
US7470475B2 (en) Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
US9990940B1 (en) Seed structure for perpendicular magnetic recording media
US7354665B2 (en) Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
US20100124671A1 (en) Low coupling oxide media (lcom)
US20110129692A1 (en) Magnetic alloy materials with hcp stabilized microstructure, magnetic recording media comprising same, and fabrication method therefor
KR20080103457A (ko) 수직 자기 기록 매체, 그 제조 방법 및 자기 기억 장치
US6994924B2 (en) Magnetic recording medium and manufacture method therefor
US20050089726A1 (en) Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus
US20030091798A1 (en) Layered thin-film media for perpendicular magnetic recording
JP2004213869A (ja) 垂直磁気記録媒体およびその製造方法
US20060234089A1 (en) Multi-layered sputtered thin metal film recording medium comprising a tungsten seed layer and a chromium-titanium-tungsten intermediate layer
US6936352B2 (en) Magnetic recording medium with controlled lattice spacing and method of forming thereof
US6849326B1 (en) Niobium alloy seedlayer for magnetic recording media
Sato et al. Magnetic Anisotropy of Co-M-Pt (${\rm M}={\rm Cr} $, Mo, Ru, W, Re) Perpendicular Films Deposited on Various Seed Layer Materials
US20080268292A1 (en) Hexagonal close-packed ceramic seedlayers for perpendicular magnetic recording media