KR20060046479A - 산소함량이 낮은 합금 조성물 및 이를 포함한 스퍼터링타깃 - Google Patents

산소함량이 낮은 합금 조성물 및 이를 포함한 스퍼터링타깃 Download PDF

Info

Publication number
KR20060046479A
KR20060046479A KR1020050052444A KR20050052444A KR20060046479A KR 20060046479 A KR20060046479 A KR 20060046479A KR 1020050052444 A KR1020050052444 A KR 1020050052444A KR 20050052444 A KR20050052444 A KR 20050052444A KR 20060046479 A KR20060046479 A KR 20060046479A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
alloy composition
ppm
atomic
less
alloy
Prior art date
Application number
KR1020050052444A
Other languages
English (en)
Inventor
압델루아햅 지아니
존 아프릴
데이비드 펄가슨
Original Assignee
헤래우스 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 헤래우스 인코포레이티드 filed Critical 헤래우스 인코포레이티드
Publication of KR20060046479A publication Critical patent/KR20060046479A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/04—Alloys based on a platinum group metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C18/00—Alloys based on zinc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
    • C22C19/005—Alloys based on nickel or cobalt with Manganese as the next major constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
    • C22C19/07—Alloys based on nickel or cobalt based on cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C22/00—Alloys based on manganese
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C28/00—Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Hard Magnetic Materials (AREA)

Abstract

합금 조성물이 Ga, In, Ni 및 Zn 에서 선택된 어느하나의 원소와 Mn을 결합한 Mn 합금을 포함한다.
또한 포함되는 것은 Fe 또는 Co가 Pt 또는 Pd 중 어느것과 결합되는 Fe 합금 및 Co 합금이다.
상기 합금 조성물은 특정 조성범위내에서 L10 또는 L12 형 결정구조를 갖는 질서화합물을 이룬다.
덧붙여서, 이 합금조성물은 산소 및 황과 같은 불순물 함량이 낮아 자기메모리 응용처에서 보다 나은 성능을 제공한다.
이 합금 조성물은 바람직하게는 박막 응용처에 사용되는 스퍼터링 타깃으로 형성되는 것이 좋다.
합금조성물, Mn 합금, Fe 합금, Co 합금, MR 헤드, MRAM

Description

산소함량이 낮은 합금 조성물 및 이를 포함한 스퍼터링 타깃{LOW OXYGEN CONTENT ALLOY COMPOSITIONS}
도 1은 주조상태(as-cast) Ni 40 Mn원자% 합금의 광학현미경사진
도 2는 주조상태 Ni 30 Mn원자% 합금의 광학현미경사진
도 3은 주조상태 In 50 Mn원자% 합금의 SEM 현미경사진
도 4는 주조상태 Fe 45 Pt원자% 합금의 광학 현미경사진이다.
본 발명은 산소함량이 낮은 합금 조성물에 관한 것이며, 보다 상세히는 자기 메모리적용처에 사용하기 유익한 자성을 갖는 산소함량이 낮은 합금조성물에 관한 것이다.
MR(Magnetoresistive)헤드와 MRAM(Magnetic Random Access Memory, 자기 랜덤 액세스 기억장치)은 차세대 수직자기 기록방식 및 셀폰 메모리 응용처에서의 핵심기술이다.
메모리 영역밀도를 증대시키고 메모리 칩 크기를 감소시키기 위해 새로운 물질(재료)이 연구되고 있다.
이들 새로운 물질들은 이들 기술분야에 사용하기 위한 특징자성을 갖추는 것이외에도 높은 순도수준을 갖춰야 한다.
물질순도는 자기데이타저장 및 MRAM 응용처에 사용되는 박막물질의 성능에 지대한 영향을 미친다
예를들어, 산소, 질소, 황 및 알카라이드는 박막물질의 격자구조를 변경시킴으로써 격자내의 원자를 변위시킨다.
이같은 물질의 구조순서에 대한 영향은 물질의 자성을 열화시키고 그 결과 자기 메모리 응용처의 성능을 열화시키게 된다.
또한, 산소같은 불순물의 존재는 박막물질을 통해 자기층내도의 짧은 확산통로를 만들수도 있다. 따라서 특정자성 뿐만아니라 순도가 높은 박막물질을 개발할 필요가 있는 것이다.
본 발명은 자기 메모리 응용처에 사용하기 위한 바람직한 자성을 갖는 일련의 합금 조성물을 포함한다. 이 합금 조성물은 청구된 조성범위내에 L10 또는 L12 형 결정구조를 갖는 질서화합물(ordered compounds)를 이룬다.
또한, 본 발명의 합금 조성물을 산소 및 황같은 불순물 수준이 낮아 자기메 모리 응용처의 성능을 보다 좋게한다. 바람직하게는 이 합금조성물은 박막응용처에 사용되는 스퍼터링 타깃으로 형성되는 것이 좋다.
본 발명의 합금 조성물 Ga, In, Ni 및 Zn 으로 이루어진 그룹에서 선택된 한가지 원소와 Mn을 결합하는 Mn합금을 포함한다.
이 합금조성물에 또한 포함되는 것은 Fe 또는 Co가 Pt 또는 Pd 중 하나의 결합된 Fe 합금 및 Co 합금이다.
본 발명의 합금 조성물의 산소함량은 500ppm이하, 바람직하게는 100ppm이하이다. 덧붙여서, 상기 합금조성물내의 황(S) 함량은 100ppm이하, 바람직하게는 50ppm이하이다.
이하 본발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명자들은 바람직한 자기적 특성을 갖고 불순물 수준이 낮은 일련의 합금조성물에 대하여 연구를 하여 왔다.
본 발명의 합금 조성물은 L10 또는 L12 형 결정구조를 갖는 질서 화합물을 형성한다. 또한 이 합금 조성물의 산소 및 황 함량은 현저하게 감소되었다.
하기 표1은 본 발명의 합금조성물에 대한 조성 및 구조데이타를 요약한 것이다. 보다 상세히 설명하면, 표1은 질서상 심볼(ordered phase symbol), 구조지정, 관심있는 상(phase)이 존재하는 조성범위 및 관심있는 상이 다른 상 형태와 공존할수 있는 조성범위를 나타낸다.
표1에 사용된 상 심볼은 Binary Phase Diagrams, 2nd Edition (Thaddeus B. Massalski, ed.)에 있는 상 다이어그램으로부터 얻은것이다.
합금시스템 X-Y 질서 상 심볼 구조 지정 조성 원자% Y 조성범위 원자% Y
Mn-Ga
Figure 112005032226138-PAT00001
3 		L10 55-63 50-70
Mn-In InMn3 L10 또는 L12 75 50-85
Mn-Ni
Figure 112005032226138-PAT00002
'		 L10 47-55.5 44-60
Ni-Mn
Figure 112005032226138-PAT00003
 L12 15-29 10-30
Zn-Mn
Figure 112005032226138-PAT00004
'		 L12 25-31 20-40
Zn-Mn
Figure 112005032226138-PAT00005
1’		 L10 25-30 20-40
Fe-Pt Fe3Pt L12 16-33 16-35
Fe-Pt FePt L10 35-55 35-59
Fe-Pt FePt3 L12 57-79 57-83
Fe-Pd FePd(a) L10 48.5-60 30-63
Fe-Pd FePd3(b) L12 63-86 60-88
Co-Pt CoPt(a) L10 42-74 40-76
Co-Pt CoPt3(b) L12 75-88 75-90
Co-Pd
Figure 112005032226138-PAT00006
"		 L10 48-52 30-58
Co-Pd
Figure 112005032226138-PAT00007
 L12 60-90 58-94
표1에 열거된 합금중 첫번째 그룹은 L10 또는 L12 결정구조를 나타내는 Mn 합금들이다.
이들 Mn 합금들은 자기 데이타저장 및 MRAM 응용처에 사용되는 박막물질로 바람직한 안티 강자성(antiferromagnetic properties)을 갖고있다. 특히 이들 Mn 합금들은 고-밀도 기록에 사용되는 이방성 자기저항(anisotropic magnetoresistive, AMR)및 자이언트 자기저항(giant magnetoresistive, GMR)스핀-밸브 센서에 사용하기에 특히 적합하다.
이들 Mn 합금들은 또한 Mn과 함께 사용되는 합금성분들이 Pt, Pd, Ir 또는 Rh과 같은 존재에 전형적으로 사용되던 것보다 가격이 싸기 때문에 보다 흥미를 끈다.
하기 실시예1 및 2는 각각 본 발명에 의한 Mn-Ni합금 및 Mn-In 합금에 대하여 기술하고 있다.
실시예 1
3가지 Ni-Mn 용융시험을 행하였다.
각 시험에 대한 용융장입물 조성을 표2에 나타내었다.
상기 용융 장입물 조성은 99.95% 순도 Ni 덩이(shot)및 99.99% 순도의 Mn 프레이크를 이용하여 제조하였다.
용융장입물 구성 제1 Ni-Mn 용융 시험 제2 Ni-Mn 용융 시험 제3 Ni-Mn 용융 시험
Ni 유입(g) 630.0 6477.5 4886.0
Mn 유입(g) 870.0 3583.1 2094.0
CaSi2 유입(g) 13.1 60.0 20.0
Ce 유입(g) 7.9 77.4 없음
제 1 용융물 시험에서는 합금잉고트를 MgO 도가니 내에서 직접 고화 시켰다.
제 2 및 제 3 용융물 시험에서는 합금을 용융시킨후 흑연 주형내로 주조하였다. 상기 흑연 주형은 VIM 유니트 챔버내에 설치되기 전에 별도의 로내에서 BN스프레이되고 500℉ 까지 예열하였다.
3가지 용융시험 모두에 대하여, 용융조작을 위해 VIM 유니트 챔버를 0.05 mbar 까지 진공화 시켰다.
3가지 모든 시험을 위한 용융조작은 VIM 유니트를 5kw 까지 20분간 동력공급하고 다시 20분간 매 5분마다 5kw 만큼 동력을 증대시켰다. Mn 플레이크가 용융을 시작 하면 VIM 유니트 챔버를 제 1 시험을 위해 약 40 mbar 압력까지 아르곤으로 채웠다. 제 2 및 제 3 시험을 위해 VIM 유니트 챔버를 25분에 500 mbar 까지 아르곤으로 채운다음 37분에 700 mbar 까지 채웠다.
합금시료는 화학분석을 위해 잉고트 벌크로부터 준비되었다.
잉고트 제조후 MgO 도가니와 흑연주형을 검사한 결과 눈에 띌만한 부식은 발견되지 않았다.
도 1 및 도 2는 각각 주조상태의 Ni40Mn원자% 합금과 Ni30Mn원자% 합금의 미세구조를 보여주는 광학 현미경사진이다.
이들 3가지 용융시험으로부터 나온 합금시료의 화학적 분석결과를 표3에 나타내었다.
Si ppm Ca ppm Ce ppm Mg ppm Na ppm K ppm O ppm C ppm N ppm S ppm Mn 중량%
제1 용융시험 4979 166 52 35 / / 10 170 37 36 57.94
제2 용융시험 655 3 49 78 18 0 20 139 28 10 32.28
제3 용융시험 240 / 43 0 / 1 64 98 62 15 28.61
표3에 나타난 바와같이, 3가지 용융합금 각각은 충분히 탈산되었으며 어느것도 산소 함량이 100ppm을 넘지 않았다.
제 1 및 제 2 용융시험의 산소수준과 제 3 용융시험의 산소수준을 비교하면 Ce 역시 합금조성물의 탈산에 기여하는 것으로 나타냈다.
더욱이, Mn 프레이크의 측정된 황함량이 약 300ppm 인데, 표3에서의 데이타는 CaSi2 역시 합금용융물의 탈황에 일역활을 하는 것을 나타낸다.
표3에서 "/"은 특정원소에 대하여 측정이 없었다는 것을 나타내며 "0" 은 특정원소가 탐지되지 않았다는 것을 의미한다.
실시예2
2427g의 99.9% 순도 Mn 프레이크와 5073g의 99.9% 순도 In 봉을 이용하여 용융시험을 하였다.
Mn과 In 성분이외에 CaSi2 25g과 Ce 10g을 탈산제로 첨가하였다.
그 용용장입물을 VIM 유니트 챔버내의 MgO 도가니 내에서 0.07 mbar부분 진공하에 500℉ 까지 예열하였다.
그후 VIM 유니트 챔버를 500 mbar까지 아르곤으로 채우고 20분간 5kw를 인가하고 다시 20분간 매 5분마다 5kw 만큼 증대시켜, 장입물을 용융시켰다.
그후 상기 용융장입물을 흑연 주형내로 주조하였다.
도3은 주조상태(as-cast) In50Mn원자% 합금의 미세구조를 보여주는 SEM 현미경 사진이다.
이 현미경사진에 도시된 미세구조는 3가지 산으로 이루어져있다. 즉, 밝은 인듐 메트릭스, 밝은 회색상으로 나타난 (In, Mn)고체용액, 및 암회색 그레인으로 나타낸 InMn3 화합물이다.
사진에서의 흑색점은 공극이다.
주조상태 물질의 화학적 조성을 분석하였으며 그 결과를 다음 표4에 나타내었다.
Si ppm Cu ppm Al ppm Ni ppm Fe ppm O ppm C ppm N ppm S ppm Mn 원자%
15 2 10 6 23 40 62 19 33 50.7
표1에 기술된 합금에 또한 포함된 것은 Fe와 Co 합금이다.
이들 합금에서, Fe 또는 Co는 Pt, 또는 Pd 와 결합하여 합금조성을 이룬다. 이들 합금조성물은 용량이 200GB 이상에 달하는, 수직기록 기술을 이용한 차세대 기록매체에 사용될 것으로 기대된다. 이들 합금조성물은 특히 높은 이방상수(Kμ ＞ 107 J.m-1)을 얻을 수 있는 자기 하드레이어를 형성하는데 특히 사용될수 있다. 하기 실시예 3은 Fe-Pt 합금조성물의 예이다.
실시예3
13.500kg 99.9% 순도 Pt덩이와 4.724kg의 99.9% 순도 전해 Fe 프레이크를 이용하여 용융시험을 행하였다.
탈산을위해 CaSi2 91g(∼0.50중량%)를 그 용융장입물에 첨가하였다. 그 장입물을 Pt 와 Fe층이 서로 교호하고 그 층들사이에 CaSi2 를 균등하게 배분하면서 마그네시아 도가니 내에 배열하였다. VIM 유니트 챔버를 밀폐하고 진공을 0.07 mbar의 초기수준으로 하였다. 그후 챔버를 아르곤으로 채우고 용융 및 주조동안 500 mbar 압력을 유지 하였다. VIM 유니트를 20분간 5kw 동력을 가한다음 다시 20분간 매 5분마다 5kw 만큼 동력을 증대시켰다. 주조 시스템은 흑연셀로서 8"폭, 15"길이, 0.6"두께를 가졌다.
도4는 주조상태 Fe45Pt 원자% 합금의 미세구조를 보여주는 광학현미경 사진이다. 그 미세구조는 상기 표1에 기술된 단일상 FePt의 많이 트윈된 그레인으로 구성되어있다.
이 트윈그레인은 (
Figure 112005032226138-PAT00008
Fe,Pt)fcc 고체용액이 1300℃에서 정방정계(tetragonal) FePt로 변환되는 동안의 격자 왜곡 때문이다.
상기 주조상태 물질의 화학성분을 분석하였으며 그 결과를 다음 표5에 나타내었다.
Al ppm Cu ppm Ni ppm Si ppm Ta ppm Au ppm Re ppm O ppm C ppm N ppm S ppm Fe 중량%
<5 <5 <5 90 23 200 515 34 27 4 10 25.77
상기한 실시예들은 본 발명에 의한 합금조성물을 단지 예시한 것으로서 결코 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아닌 것이다.
따라서 이를 근거로 본 발명의 범위내에서 그 변형이 가능한 것으로 해석되어야 한다.
상기한 바와 같이 본 발명에 의한 합금은 산소와 황과 같은 불순물수준이 낮고, 유익한 자성을 갖기 때문에 자기메모리 응용처등에서 보다 나은 성능을 제공할 수 있다.

Claims (44)

  1. 50∼30 원자% Mn 과 50∼70 원자% Ga으로 이루어지고, 500ppm이하의 O 및 100ppm이하의 S을 함유한 합금조성물
  2. 1항에 있어서, 상기 합금조성물은 45∼37원자% Mn과 55∼63원자% Ga을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 합금조성물
  3. 1항에 있어서, 상기 합금조성물은 100ppm이하의 O 와 50ppm이하의 S를 함유함을 특징으로하는 합금조성물
  4. 50∼15원자% Mn과 50∼85원자% In으로 이루어지는 500ppm이하의 O 및 100ppm이하의 S를 함유한 합금조성물
  5. 4항에 있어서, 상기 합금조성물은 25원자% Mn과 75원자% In으로 이루어짐을 특징으로 하는 합금조성물
  6. 4항에 있어서, 상기 합금조성물은 100ppm이하의 O 와 50ppm이하의 S을 함유함을 특징으로 하는 합금조성물
  7. 56∼40원자% Mn과 44∼60원자% Ni로 이루어지고, 500ppm이하의 O 및 100ppm 이하의 S을 함유한 합금조성물
  8. 7항에 있어서, 상기 합금조성물은 53∼44.5원자% Mn과 47∼55.5원자% Ni로 이루어짐을 특징으로 하는 합금조성물
  9. 7항에 있어서, 상기 합금조성물은 100ppm이하의 O 와 50ppm이하의 S을 함유함을 특징으로 하는 합금조성물
  10. 90∼70원자% Ni과 10∼30원자% Mn으로 이루어지고, 500ppm이하의 O 와 100ppm이하의 S를 함유한 합금조성물
  11. 10항에 있어서, 상기 합금조성물은 85∼71원자% Ni과 15∼29원자% Mn으로 이루어짐을 특징으로 하는 합금조성물
  12. 10항에 있어서, 상기 합금조성물은 100ppm이하의 O 와 50ppm이하의 S을 함유함을 특징으로하는 합금조성물
  13. 80∼60원자% Zn과 20∼40원자% Mn으로 이루어지고 500ppm이하의 O 와 100ppm이하의 S를 함유한 합금조성물
  14. 13항에 있어서, 상기 합금조성물은 75∼69원자% Zn과 25∼31원자% Mn으로 이루어짐을 특징으로하는 합금조성물
  15. 13항에 있어서, 상기 합금조성물은 75∼70원자% Zn과 25∼30원자% Mn으로 이루어짐을 특징으로하는 합금조성물
  16. 13항에 있어서, 상기 합금조성물은 100ppm이하의 O 와 50ppm이하의 S를 함유함을 특징으로 하는 합금조성물
  17. 84∼65원자% Fe과 16∼35원자% Pt로 이루어지고, 500ppm이하의 O 와 100ppm이하의 S를 함유한 합금조성물
  18. 17항에 있어서, 상기 합금조성물은 84∼67원자% Fe와 16∼33원자% Pt로 이루어짐을 특징으로 하는 합금조성물
  19. 17항에 있어서, 상기 합금조성물은 100ppm이하의 O 와 50ppm이하에 S을 함유함을 특징으로하는 합금조성물
  20. 64∼41원자% Fe와 35∼59원자% Pt로 이루어지고 500ppm이하의 O 와 100ppm이 하의 S를 함유한 합금조성물
  21. 20항에 있어서, 상기 합금조성물은 65∼45원자% Fe과 35∼55원자% Pt로 이루어짐을 특징으로하는 합금조성물
  22. 20항에 있어서, 상기 합금조성물은 100ppm이하의 O 와 50ppm이하의 S를 함유한 합금조성물
  23. 43∼17원자% Fe와 57∼83원자% Pt로 이루어지고, 500ppm이하의 O 와 100ppm이하의 S를 함유한 합금조성물
  24. 23항에 있어서, 상기 합금조성물은 43∼21원자% Fe와 57∼79원자% Pt로 이루어짐을 특징으로 하는 합금조성물
  25. 23항에 있어서, 상기 합금조성물은 100ppm이하의 O 와 50ppm이하의 S을 함유함을 특징으로하는 합금조성물
  26. 70∼37원자% Fe와 30∼63원자% Pd로 이루어지고 500ppm이하의 O 와 100ppm이하의 S를 함유한 합금조성물
  27. 26항에 있어서, 상기 합금조성물은 51.5∼40원자% Fe와 48.5∼60원자% Pd로 이루어짐을 특징으로하는 합금조성물
  28. 26항에 있어서, 상기 합금조성물은 100ppm이하의 O 와 50ppm이하의 S를 함유한 합금조성물
  29. 40∼12원자% Fe와 60∼88원자% Pd로 이루어지고, 500ppm이하의 O 와 100ppm이하의 S를 함유한 합금조성물
  30. 29항에 있어서, 상기 합금조성물은 37∼14원자% Fe와 63∼86원자% Pd로 이루어짐을 특징으로 하는 합금조성물
  31. 29항에 있어서, 상기 합금조성물은 100ppm이하의 O 와 50ppm이하에 S을 함유함을 특징으로하는 합금조성물
  32. 64∼24원자% Co와 40∼76원자% Pt로 이루어지고 500ppm이하의 O 와 100ppm이하의 S를 함유한 합금조성물
  33. 32항에 있어서, 상기 합금조성물은 58∼26원자% Co와 42∼74원자% Pt로 이루어짐을 특징으로하는 합금조성물
  34. 32항에 있어서, 상기 합금조성물 100ppm이하의 O 와 50ppm이하의 S를 함유한 합금조성물
  35. 25∼10원자% Co와 75∼90원자% Pt로 이루어지고, 500ppm이하의 O 와 100ppm이하의 S를 함유한 합금조성물
  36. 35항에 있어서, 상기 합금조성물은 25∼12원자% Co와 75∼88원자% Pt로 이루어짐을 특징으로 하는 합금조성물
  37. 35항에 있어서, 상기 합금조성물은 100ppm이하의 O 와 50ppm이하의 S을 함유함을 특징으로하는 합금조성물
  38. 70∼42원자% Co와 30∼58원자% Pd로 이루어지고 500ppm이하의 O 와 100ppm이하의 S를 함유한 합금조성물
  39. 38항에 있어서, 상기 합금조성물은 52∼48원자% Co와 48∼52원자% Pd로 이루어짐을 특징으로하는 합금조성물
  40. 38항에 있어서, 상기 합금조성물은 100ppm이하의 0 와 50ppm이하의 S를 함유 함을 특징으로 하는 합금조성물
  41. 42∼6원자% Co와 58∼94원자% Pd로 이루어지고 500ppm이하 O 와 100ppm이하 S를 함유한 합금조성물
  42. 41항에 있어서, 상기 합금조성물은 40∼10원자% Co와 60∼90원자% Pd로 이루어 짐을 특징으로하는 합금조성물
  43. 41항에 있어서, 상기 합금조성물은 100ppm이하의 O 와 50ppm이하의 S을 함유함을 특징으로 하는 합금조성물
  44. 청구항 1 내지 43항 중 어느항에 다른 합금조성물을 포함하여 이루어진 스퍼터링 타깃
KR1020050052444A 2004-10-12 2005-06-17 산소함량이 낮은 합금 조성물 및 이를 포함한 스퍼터링타깃 KR20060046479A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/961,215 US20060078457A1 (en) 2004-10-12 2004-10-12 Low oxygen content alloy compositions
US10/961,215 2004-10-12

Related Child Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080019557A Division KR20080026579A (ko) 2004-10-12 2008-03-03 산소함량이 낮은 합금 조성물 및 이를 포함한 스퍼터링타깃
KR1020080019559A Division KR20080027473A (ko) 2004-10-12 2008-03-03 산소함량이 낮은 합금 조성물 및 이를 포함한 스퍼터링타깃
KR1020080019558A Division KR20080026580A (ko) 2004-10-12 2008-03-03 산소함량이 낮은 합금 조성물 및 이를 포함한 스퍼터링타깃
KR1020080019556A Division KR20080026578A (ko) 2004-10-12 2008-03-03 산소함량이 낮은 합금 조성물 및 이를 포함한 스퍼터링타깃

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060046479A true KR20060046479A (ko) 2006-05-17

Family

ID=35448382

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050052444A KR20060046479A (ko) 2004-10-12 2005-06-17 산소함량이 낮은 합금 조성물 및 이를 포함한 스퍼터링타깃
KR1020080019556A KR20080026578A (ko) 2004-10-12 2008-03-03 산소함량이 낮은 합금 조성물 및 이를 포함한 스퍼터링타깃
KR1020080019558A KR20080026580A (ko) 2004-10-12 2008-03-03 산소함량이 낮은 합금 조성물 및 이를 포함한 스퍼터링타깃
KR1020080019557A KR20080026579A (ko) 2004-10-12 2008-03-03 산소함량이 낮은 합금 조성물 및 이를 포함한 스퍼터링타깃
KR1020080019559A KR20080027473A (ko) 2004-10-12 2008-03-03 산소함량이 낮은 합금 조성물 및 이를 포함한 스퍼터링타깃

Family Applications After (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080019556A KR20080026578A (ko) 2004-10-12 2008-03-03 산소함량이 낮은 합금 조성물 및 이를 포함한 스퍼터링타깃
KR1020080019558A KR20080026580A (ko) 2004-10-12 2008-03-03 산소함량이 낮은 합금 조성물 및 이를 포함한 스퍼터링타깃
KR1020080019557A KR20080026579A (ko) 2004-10-12 2008-03-03 산소함량이 낮은 합금 조성물 및 이를 포함한 스퍼터링타깃
KR1020080019559A KR20080027473A (ko) 2004-10-12 2008-03-03 산소함량이 낮은 합금 조성물 및 이를 포함한 스퍼터링타깃

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20060078457A1 (ko)
EP (6) EP1724367A3 (ko)
JP (1) JP2006111963A (ko)
KR (5) KR20060046479A (ko)
CN (2) CN1760393A (ko)
CZ (1) CZ2005342A3 (ko)
SG (8) SG121929A1 (ko)
TW (1) TW200611983A (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0520473D0 (en) 2005-10-07 2005-11-16 Ilika Technologies Ltd Metal alloy catalysts for fuel cell cathoodes
JP2009197310A (ja) 2008-02-25 2009-09-03 Kobe Steel Ltd スパッタリングターゲット
JP6626732B2 (ja) * 2015-06-29 2019-12-25 山陽特殊製鋼株式会社 スパッタリングターゲット材
CN112301255B (zh) * 2020-10-27 2021-07-30 上海交通大学 一种模具用高导热高强Co-Fe-Ni合金及其增材制造方法
TWI761264B (zh) * 2021-07-15 2022-04-11 光洋應用材料科技股份有限公司 鐵鉑銀基靶材及其製法

Family Cites Families (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR785732A (fr) * 1934-05-25 1935-08-17 & Commerciale Des Aciers Soc I Alliage pour la fabrication d'aimants permanents
US2622050A (en) * 1951-03-22 1952-12-16 Gen Electric Process for heat-treating cobalt-platinum magnets
GB849505A (en) * 1958-02-05 1960-09-28 Johnson Matthey Co Ltd Improvements in and relating to platinum-base magnet alloys
US3147112A (en) * 1961-01-19 1964-09-01 Du Pont Ferromagnetic mn-ga alloy and method of production
US3206337A (en) * 1961-11-08 1965-09-14 Hamilton Watch Co Cobalt-platinum alloy and magnets made therefrom
DE1266511B (de) * 1963-06-20 1968-04-18 Degussa Verfahren zur Herstellung von Dauermagneten
JPS54104427A (en) * 1978-02-06 1979-08-16 Hitachi Metals Ltd Low temperature fusion magnetic alloy
JPS5547356A (en) * 1978-09-28 1980-04-03 Hitachi Metals Ltd Magnetic alloy for dental surgery
US4221615A (en) * 1979-04-04 1980-09-09 Fischer & Porter Company Soft-magnetic platinum-cobalt products
SU934546A1 (ru) * 1980-07-25 1982-06-07 Туркменский Государственный Университет Им.А.М.Горького Способ изготовлени носител термомагнитной записи
JPS57178305A (en) * 1981-04-27 1982-11-02 Res Inst Electric Magnetic Alloys Extra-high coercive force permanent magnet with maximum energy product and manufacture therefor
JPS5763655A (en) * 1981-05-29 1982-04-17 Univ Osaka Beta-plus type electron compound alloy and solid solution iron alloy having property of repeatedly memorizing form, their manufacture and using method for them
JPS58113332A (ja) * 1981-12-14 1983-07-06 Res Inst Electric Magnetic Alloys 温度の広範囲にわたり電気抵抗の変化の小さい合金およびその製造方法
JPS58153743A (ja) * 1982-03-08 1983-09-12 Res Inst Electric Magnetic Alloys 磁歪作動体用パラジウム−コバルト系合金とその製造法
JPS62170453A (ja) * 1986-01-22 1987-07-27 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 形状記憶合金
US4800134A (en) * 1987-04-13 1989-01-24 Teruaki Izaki High corrosion resistant plated composite steel strip
JPS63262446A (ja) * 1987-04-17 1988-10-28 Mitsui Petrochem Ind Ltd 非晶質合金薄膜
JPH01260804A (ja) * 1988-04-12 1989-10-18 Sony Corp 硬質磁性薄膜
JPH0230104A (ja) * 1988-07-20 1990-01-31 Sony Corp 垂直磁化膜
JPH0318859A (ja) * 1989-06-15 1991-01-28 Oki Electric Ind Co Ltd 熱磁気記録媒体
US5161972A (en) * 1989-09-04 1992-11-10 Nippon Mining Co., Ltd. Method and magnetic device for fixing a denture
JPH0645850B2 (ja) * 1990-02-13 1994-06-15 財団法人電気磁気材料研究所 磁歪作動体の製造法
JP2524883B2 (ja) * 1990-09-29 1996-08-14 義雄 大野 接触燃焼式ｃｏガスセンサとその製造法
JPH04210458A (ja) * 1990-11-30 1992-07-31 Sumitomo Metal Ind Ltd Ｆｅ―Ｐｔ感温磁性材料の製造方法
JPH04356721A (ja) * 1991-03-28 1992-12-10 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気記録媒体
JPH04317067A (ja) * 1991-04-16 1992-11-09 Oki Electric Ind Co Ltd 磁気記録媒体
JP3305790B2 (ja) * 1993-01-27 2002-07-24 財団法人電気磁気材料研究所 薄膜永久磁石の製造方法
JPH06301956A (ja) * 1993-04-12 1994-10-28 Sony Corp 磁気記録媒体
US5846648A (en) * 1994-01-28 1998-12-08 Komag, Inc. Magnetic alloy having a structured nucleation layer and method for manufacturing same
JPH0850715A (ja) * 1994-01-28 1996-02-20 Komag Inc 低ノイズ，高い保磁力および優れた方形度を有する磁気記録媒体および磁気記録媒体形成方法
US5989728A (en) * 1994-11-02 1999-11-23 International Business Machines Corporation Thin film magnetic recording medium having high coercivity
JPH10280069A (ja) * 1997-04-08 1998-10-20 Res Inst Electric Magnetic Alloys 大きな抵抗温度係数を有する電気抵抗合金とその製造法ならびにセンサデバイス
JP2933056B2 (ja) * 1997-04-30 1999-08-09 日本電気株式会社 磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム
JP3544293B2 (ja) * 1997-07-31 2004-07-21 株式会社日鉱マテリアルズ 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングタ−ゲット及び磁性薄膜
US6391172B2 (en) * 1997-08-26 2002-05-21 The Alta Group, Inc. High purity cobalt sputter target and process of manufacturing the same
JP4013999B2 (ja) * 1997-11-18 2007-11-28 日鉱金属株式会社 高純度Ｍｎ材料の製造方法
JP3087715B2 (ja) * 1998-02-19 2000-09-11 日本電気株式会社 磁気ディスク装置
JP4055872B2 (ja) * 1998-03-25 2008-03-05 泰文 古屋 鉄基磁性形状記憶合金およびその製造方法
JP4082785B2 (ja) * 1998-05-15 2008-04-30 富士通株式会社 磁気記録媒体及びその製造方法
JP3090128B2 (ja) * 1998-08-28 2000-09-18 日本電気株式会社 垂直磁気記録媒体
JP2000104141A (ja) * 1998-09-28 2000-04-11 Res Inst Electric Magnetic Alloys 耐食性に優れた軟磁性合金
WO2000068941A1 (fr) * 1999-05-11 2000-11-16 Hitachi Maxell, Ltd. Support d'enregistrement magnetique et son procede de fabrication; enregistreur magnetique
JP2000339635A (ja) * 1999-05-31 2000-12-08 Toshiba Corp 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
US6440589B1 (en) * 1999-06-02 2002-08-27 International Business Machines Corporation Magnetic media with ferromagnetic overlay materials for improved thermal stability
JP2001015102A (ja) * 1999-07-01 2001-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非水電解質二次電池およびその製造法
EP1143421B1 (en) * 1999-09-10 2005-06-15 TDK Corporation Production method for magnetic recording medium
US6620531B1 (en) * 1999-12-20 2003-09-16 Seagate Technology Llc Magnetic recording media with oxidized seedlayer for reduced grain size and reduced grain size distribution
US6524724B1 (en) * 2000-02-11 2003-02-25 Seagate Technology Llc Control of magnetic film grain structure by modifying Ni-P plating of the substrate
JP2001236643A (ja) * 2000-02-23 2001-08-31 Fuji Electric Co Ltd 磁気記録媒体製造用スパッタリングターゲット、それを用いた磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体
US6738234B1 (en) * 2000-03-15 2004-05-18 Tdk Corporation Thin film magnetic head and magnetic transducer
JP2001329347A (ja) * 2000-05-19 2001-11-27 Tokai Univ 形状記憶合金アクチュエータ及びその製造方法
EP1305455A2 (en) * 2000-06-30 2003-05-02 Honeywell International, Inc. Method and apparatus for processing metals, and the metals so produced
SG91343A1 (en) * 2000-07-19 2002-09-17 Toshiba Kk Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording apparatus
JP4309075B2 (ja) * 2000-07-27 2009-08-05 株式会社東芝 磁気記憶装置
US6875253B2 (en) * 2001-02-08 2005-04-05 Hitachi Maxell, Ltd. Metal alloy fine particles and method for producing thereof
JP2003166040A (ja) * 2001-02-08 2003-06-13 Hitachi Maxell Ltd 金属合金微粒子及びその製造方法
JP3973857B2 (ja) * 2001-04-16 2007-09-12 日鉱金属株式会社 マンガン合金スパッタリングターゲットの製造方法
TWI222630B (en) * 2001-04-24 2004-10-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Magnetoresistive element and magnetoresistive memory device using the same
JP4061575B2 (ja) * 2001-06-01 2008-03-19 ソニー株式会社 導電性触媒粒子及びその製造方法、ガス拡散性触媒電極及び電気化学デバイス
JP4626840B2 (ja) * 2001-08-31 2011-02-09 富士電機デバイステクノロジー株式会社 垂直磁気記録媒体及びその製造方法
US6567236B1 (en) * 2001-11-09 2003-05-20 International Business Machnes Corporation Antiferromagnetically coupled thin films for magnetic recording
JP4157707B2 (ja) * 2002-01-16 2008-10-01 株式会社東芝 磁気メモリ
WO2003075263A1 (en) * 2002-02-28 2003-09-12 Seagate Technology Llc Chemically ordered, cobalt-platinum alloys for magnetic recording
US6723450B2 (en) * 2002-03-19 2004-04-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic recording medium with antiparallel coupled ferromagnetic films as the recording layer
JP4175829B2 (ja) * 2002-04-22 2008-11-05 株式会社東芝 記録媒体用スパッタリングターゲットと磁気記録媒体
US6869567B2 (en) * 2002-05-15 2005-03-22 Steven Kretchmer Magnetic platinum alloys
JP2004047583A (ja) * 2002-07-09 2004-02-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気ヘッドおよび磁気メモリならびに磁気記録装置
US7179338B2 (en) * 2002-09-27 2007-02-20 University Of Utah Research Foundation Control of engineering processes using magnetostrictive alloy compositions
KR20050085232A (ko) * 2002-12-09 2005-08-29 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 고순도 니켈/바나듐 스퍼터링 부재 및 스퍼터링 부재의제조방법
US20040140217A1 (en) * 2003-01-22 2004-07-22 Applied Materials, Inc. Noble metal contacts for plating applications
JP2004311607A (ja) * 2003-04-04 2004-11-04 Canon Inc 磁性体、磁気記録媒体、磁気記録再生装置、情報処理装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
SG132682A1 (en) 2007-06-28
CN1760393A (zh) 2006-04-19
SG132681A1 (en) 2007-06-28
CN101275189A (zh) 2008-10-01
EP1724368A2 (en) 2006-11-22
EP1724366A2 (en) 2006-11-22
KR20080026580A (ko) 2008-03-25
SG123796A1 (en) 2006-07-26
EP1724365A3 (en) 2010-02-17
EP1647605A3 (en) 2006-08-02
KR20080026579A (ko) 2008-03-25
EP1724368A3 (en) 2010-02-17
EP1724366A3 (en) 2010-02-17
SG121929A1 (en) 2006-05-26
CZ2005342A3 (cs) 2006-05-17
EP1728879A2 (en) 2006-12-06
TW200611983A (en) 2006-04-16
KR20080027473A (ko) 2008-03-27
US20060078457A1 (en) 2006-04-13
EP1728879A3 (en) 2010-02-17
SG123795A1 (en) 2006-07-26
EP1724367A2 (en) 2006-11-22
KR20080026578A (ko) 2008-03-25
SG123794A1 (en) 2006-07-26
SG123793A1 (en) 2006-07-26
EP1724365A2 (en) 2006-11-22
EP1647605A2 (en) 2006-04-19
JP2006111963A (ja) 2006-04-27
EP1724367A3 (en) 2010-02-17
SG123797A1 (en) 2006-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9945026B2 (en) Fe-Pt-based sputtering target with dispersed C grains
JP3544293B2 (ja) 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングタ−ゲット及び磁性薄膜
EP1715069B1 (en) Enhanced formulation of cobalt alloy matrix compositions
JP4013999B2 (ja) 高純度Ｍｎ材料の製造方法
KR20080068596A (ko) 낮은 산소 함량의, 무균열 호이슬러 및 호이슬러형 합금
KR100598420B1 (ko) 망간 합금 스퍼터링 타겟트 및 그 제조방법
KR20080026578A (ko) 산소함량이 낮은 합금 조성물 및 이를 포함한 스퍼터링타깃
US8158276B2 (en) FePtP-alloy magnetic thin film
JP3396420B2 (ja) 磁性薄膜形成用Ｍｎ−Ｉｒ合金スパッタリングターゲット及びＭｎ−Ｉｒ合金磁性薄膜
JP2008223077A (ja) 金属−セラミックス複合材料およびその製造方法
JP3891549B2 (ja) 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングターゲット及び磁性薄膜
JP4477017B2 (ja) 薄膜形成用高純度Ｍｎ材料
JP5354199B2 (ja) 光記録媒体用アルミニウム合金反射膜およびこの反射膜を形成するためのスパッタリングターゲット
JP3822145B2 (ja) 磁性薄膜形成用Ｍｎ−Ｉｒ合金スパッタリングターゲットの製造方法
JP5223840B2 (ja) 光記録媒体用アルミニウム合金反射膜およびこの反射膜を形成するためのスパッタリングターゲット
JP3803797B2 (ja) 高純度Ｉｒ材料の製造方法
JP2004211203A (ja) 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングターゲット及び磁性薄膜
JP2013118032A (ja) 磁気記録媒体用ガラス基板密着膜
JP2011084802A (ja) 光記録媒体用アルミニウム合金反射膜およびこの反射膜を形成するためのスパッタリングターゲット

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20080204

Effective date: 20081107