CN1692283A - 片状连接器及其生产过程和应用 - Google Patents

片状连接器及其生产过程和应用 Download PDF

Info

Publication number
CN1692283A
CN1692283A CNA2003801005604A CN200380100560A CN1692283A CN 1692283 A CN1692283 A CN 1692283A CN A2003801005604 A CNA2003801005604 A CN A2003801005604A CN 200380100560 A CN200380100560 A CN 200380100560A CN 1692283 A CN1692283 A CN 1692283A
Authority
CN
China
Prior art keywords
insulating trip
electrode
metal level
side metal
parts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2003801005604A
Other languages
English (en)
Inventor
佐藤克己
井上和夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Publication of CN1692283A publication Critical patent/CN1692283A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07314—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R11/00—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts
    • H01R11/01—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts characterised by the form or arrangement of the conductive interconnection between the connecting locations
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06733—Geometry aspects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/50—Fixed connections
    • H01R12/51—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/52—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/523—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures by an interconnection through aligned holes in the boards or multilayer board
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
    • H05K1/116—Lands, clearance holes or other lay-out details concerning the surrounding of a via
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0364—Conductor shape
    • H05K2201/0367—Metallic bump or raised conductor not used as solder bump
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0388—Other aspects of conductors
    • H05K2201/0394—Conductor crossing over a hole in the substrate or a gap between two separate substrate parts
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09372—Pads and lands
    • H05K2201/09436—Pads or lands on permanent coating which covers the other conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09372—Pads and lands
    • H05K2201/09481—Via in pad; Pad over filled via
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0703—Plating
    • H05K2203/0733—Method for plating stud vias, i.e. massive vias formed by plating the bottom of a hole without plating on the walls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Connecting Device With Holders (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
  • Multi-Conductor Connections (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Medicinal Preparation (AREA)
  • Professional, Industrial, Or Sporting Protective Garments (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
  • Saccharide Compounds (AREA)

Abstract

此处公开了一种片状连接器，在所述片状连接器中可形成各具有一个直径较小的正面电极部件的电极结构，并且可确保实现甚至是到一个其上以小间隔形成电极的电路设备的稳定电连接，并且防止电极结构从一块绝缘片脱落以实现高耐用性，还公开了其生产过程和应用。本发明所述的片状连接器具有一块绝缘片和多个电极结构，所述电极结构安排在绝缘片上，并且沿绝缘片的厚度方向延伸。每个电极结构由一个正面电极部件、一个背面电极部件、一个短路部件和一个支撑部件组成，其中所述的正面电极部件暴露给所述绝缘片的一个正面，并且从所述绝缘片的正面凸出，所述的背面电极部件暴露给所述绝缘片的一个背面，所述短路部件从所述的正面电极部件的底端沿着所述绝缘片的厚度方向穿过所述绝缘片连续延伸，并且连接到所述的背面电极部件，所述支撑部件从所述的正面电极部件的一个底端部分沿着所述绝缘片的正面向外连续延伸。

Description

片状连接器及其生产过程和应用
技术领域
本发明涉及一种片状连接器，适用于一种探头设备，其用于在电路的电检查中实现到一个电路(例如一个集成电路等)的电连接，还涉及其生产过程和应用。
背景技术
在对晶片(其上形成了大量集成电路)或电路设备(例如像半导体器件这样的电子部件)的电检查中，采用了一种检查探头，它具有检查电极，并且检查电极是根据对应于待查电路设备的待查电极的式样安排的。可以在安排了由插脚或刀片组成的检查电极的情况下使用这种检查探头。
但是，当待查电路设备是一块在其上形成了大量集成电路的晶片时，在生产检查晶片的检查探头时，必须安排非常多的检查电极，从而使得这种检查探头变得极为昂贵。此外，当要待查电极的间隔较小时，检查探头的生产本身也变得困难起来。另外，由于晶片上一般会发生翘曲，并且个体产品(晶片)的翘曲情形不同，因此实际中难以稳定且无误地使检查探头的各检查电极与晶片中待查的大量电极相接触。
由于以上原因，近年来已提出一种探头，作为检查形成在晶片上的集成电路的检查探头，所述探头包括一块检查电路板、安排在所述检查电路板的一个表面上的一块各向异性导电片以及安排在所述的各向异性导电片上的一个片状连接器，其中在所述检查电路板的一个表面上根据对应于待查电极的式样形成了多个检查电极，并且所述片状连接器是通过在一块有弹性的绝缘片上安排多个电极结构形成的，其中所述的多个电极结构均沿着所述绝缘片的厚度方向延伸(例如参见以下的现有技术1)。
图49是描绘一种常规示例性电路检查探头的构造的截面图，它装备有一块检查电路板、一块各向异性导电片以及一个片状连接器。在此电路检查探头中，提供了检查电路板85，在它的一个表面上根据对应于待查电路板的待查电极的式样形成了大量检查电极86。片状连接器90安排在电路板85的一个表面上，用于通过各向异性导电片80进行检查。
各向异性导电片80是这样一块导电片：它仅在沿着其厚度方向才显示导电性，或者具有对压力敏感的导电导体部件，仅当它在沿厚度方向受压时才会仅在沿厚度方向显示导电性。已经知道不同结构的这种各向异性导电片。例如，以下的现有技术2及类似技术提出了一种各向异性导电片(以下称为“散布型各向异性导电片”)，它是通过在一个弹性体中均匀散布金属粒子获得的，而以下的现有技术3及类似的技术提出了一种各向异性导电片(以下称为“非均匀分布型各向异性导电片”)，其实现方式是在一个弹性体中不均匀地分布导电磁性物质的粒子，以形成大量沿其厚度方向延伸的导电部件以及用于使它们相互绝缘的绝缘部件。此外，以下的现有技术4及类似技术提出了一种非均匀分布型的各向异性导电片，具有在各导电部件和一个绝缘部件的表面之间定义的水平差。
片状连接器90具有一块有弹性的绝缘片91，它是由例如树脂构成的，并且是通过在此绝缘片91中根据对应于待查电路板的待查电极的式样安排多个电极结构95，其中多个电极结构95均沿着绝缘片的厚度方向延伸。每个电极结构95的形成方式是通过沿绝缘片91的厚度方向延伸的一个短路部件98，将暴露到绝缘片91的正面的一个凸出的正面电极部件96与暴露给绝缘片91的背面的一个盘状的背面电极部件97彼此完整地连接起来。
这种片状连接器90一般是以以下方式生产的。
如图50(a)所示，首先提供一种层状材料90A，它是通过在一块绝缘片91的一个表面形成一层金属层来获得的，并且在绝缘片91中形成通孔98H，每个通孔延伸通过绝缘片91的厚度方向，如图50(b)所示。
然后如图50(c)所示在绝缘片91上的金属层92上形成一层抗蚀膜93，并且通过用金属层92作为公共电极进行电镀处理，从而将金属沉积填充到绝缘片91的通孔98H中，以形成完整地连接到金属层92的短路部件98，同时在绝缘片91的正面上形成了完整地连接到各短路部件98的凸出正面电极部件96。
此后从金属层92上去除抗蚀膜93，并且如图50(d)所示，在包括正面电极部件96的绝缘片91表面形成一层抗蚀膜94A，此外根据对应于要形成的背面电极部件的式样在金属层92上形成一个抗蚀膜部分94B。金属层92受到蚀刻处理，以除去金属层92的暴露部分，从而形成背面电极部件97，如图50(e)所示，从而形成了电极结构95的形成。
形成在绝缘片91和正面电极部件96上的抗蚀膜94A被去除，同时形成在背面电极部件97上的抗蚀膜部分94B被去除，从而获得了片状连接器90。
在上述检查探头中，片状连接器90中的电极结构95的正面电极部件96被安排在待查电路板(例如一块晶片)的表面，以便位于晶片的待查电极上。在此状态下，晶片被检查探头按压，从而各向异性导电片80被片状连接器90中的电极结构95的背面电极部件97所按压，从而在各向异性导电片80中，在背面电极部件97和检查电路板85的检查电极86之间沿着各向异性导电片80的厚度方向形成了导电路径。从而实现了晶片的待查电极到检查电路板85的检查电极86的电连接。然后在此状态下对晶片进行必要的电检查。
根据这种检查探头，当晶片被检查探头按压时，各向异性导电片根据晶片的翘曲程度发生形变，以便可确保实现到晶片中的大量电极中的各个电极的良好的电连接。
但是上述检查探头具有以下问题。
在片状连接器的生产过程中的形成短路部件98和正面电极部件96的步骤中，通过电镀进行的金属沉积是各向同性地生长的。因此，在形成的正面电极部件96中，从正面电极部件96的外围到短路部件98的外围的距离w与正面电极部件96的凸出高度h相等，如图51所示。因此，形成的正面电极部件96的直径R超过了凸出高度的两倍，变得相当大。从而当待查电路板中的待查电极很小并且以极小的间隔排列时，则不能充分保持彼此相邻的电极结构95之间的间隙。因此，在形成的片状连接器中，失去了由于绝缘片91得到的弹性，从而难以实现到待查电路板的稳定电连接。
此外，由于实际上在电镀处理中难以向金属层92的整个表面提供一个电流密度分布均匀的电流，因此由于电流密度分布的不均匀性，金属沉积的生长率随着绝缘片91中的各个通孔98H而变化，从而使得形成的正面电极部件96的凸出高度h和从正面电极部件96的外围到短路部件98的外围的距离w(即直径R)发生较宽的散布。如果正面电极部件96的凸出高度h发生宽散布，则到待查电路板的稳定电连接变得困难。如果另一方面正面电极部件96的直径发生宽散布，则存在邻近的正面电极部件彼此短路的可能。
在上文中，一个使正面电极部件96的凸出高度h较小的装置，以及一个使短路部件98的直径(在截面形状不是圆形的情况下的最小长度)r较小的装置(也就是使绝缘片91中的通孔98H的直径较小的装置)，被看作能使产生的正面电极部件96的直径较小的装置。但是，在由前一装置获得的片状连接器中，难以确保实现到待查电极的稳定的电连接。另一方面，在后一装置中，通过电镀处理形成短路部件98和正面电极部件96本身变得较困难。
为了解决这些问题，在以下现有技术5和现有技术6中提出了一种片状连接器，它是通过安排大量均具有锥形的正面电极部件的电极结构获得的，其中正面电极部件的直径从底端到尖端逐渐变小。
以下现有技术5中所述的片状连接器是以以下方式生产的。
如图52(a)所示，提供了一种层状材料90B，它是通过在一块绝缘片91的正面按以下顺序形成一层抗蚀膜93A和一个正面侧金属层92A，并且在绝缘片91的背面层压一层背面侧金属层92B形成的。如图52(b)所示，形成了多个通孔，每个通孔与层状结构90B中的每个背面侧金属层92B、绝缘片91和抗蚀膜93A相连接，并且沿层状材料的厚度方向延伸，从而在层状材料90B的背面形成凹孔90K，用于形成电极结构，每个凹孔均为锥形的形状，与要形成的一个电极结构的一个短路部件和一个正面电极部件相适配。然后如图52(c)所示通过用层状材料90B中的正面侧金属层92A作为一个电极进行电镀处理，从而将一种金属填充到用于形成电极结构的凹孔90K中，以形成正面电极部件96和短路部件98。然后层状材料中的背面侧金属层受到蚀刻处理，以去除其一部分，从而形成背面电极部件97，如图52(d)所示，从而给出了片状连接器。
以下现有技术6中所述的片状连接器是以以下方式生产的。
如图53(a)所示，提供了一种层状材料90C，它是通过在一个绝缘片材料91的正面形成一个正面侧金属层92A，并且在绝缘片材料91A的背面层压一层背面侧金属层92B形成的，其中所述绝缘片材料的厚度大于要形成的一个片状连接器中的一块绝缘片的厚度。如图53(b)所示，形成了多个通孔，每个通孔与层状结构90C中的每个背面侧金属层92B和绝缘片材料91A相连接，并且沿层状材料的厚度方向延伸，从而在层状材料90C的背面形成凹孔90K，用于形成电极结构，每个凹孔均为锥形的形状，与要形成的一个电极结构的一个短路部件和一个正面电极部件相适配。然后如图53(c)所示通过用层状材料90C中的正面侧金属层92A作为一个电极进行电镀处理，从而将一种金属填充到用于形成电极结构的凹孔90K中，以形成正面电极部件96和短路部件98。然后层状材料90C中的正面侧金属层92A被去除，并且绝缘片材料91A受到蚀刻处理，以去除绝缘片材料的正面侧的一部分，从而形成一块绝缘片91，它具有必要的厚度，并且暴露出正面电极部件96，如图53(d)所示。然后背面侧金属层92B受到蚀刻处理，从而形成背面电极部件，从而给出了片状连接器。，
根据这种片状连接器，由于正面电极部件的形状是逐渐变细的，因此可以在充分保持彼此相邻的电极结构的正面电极之间的间隙的状态下，形成直径较小且凸出高度较高的正面电极部件。此外，各电极结构的正面电极部件是通过作为空穴形成在层状结构中的用于形成电极结构的凹孔形成的，从而可提供正面电极部件的凸出高度的散布较窄的电极结构。
但是，在这些片状连接器中，电极结构中的正面电极部件的直径等于或小于短路部件的直径，即形成在绝缘片中的通孔的直径，从而电极结构从绝缘片的背面脱落，造成了实际使用这种片状连接器的困难。
现有技术1：日本专利申请公开号231019/1995；
现有技术2：日本专利申请公开号93393/1976；
现有技术3：日本专利申请公开号147772/1978；
现有技术4：日本专利申请公开号250906/1986；
现有技术5：日本专利申请公开号326378/1999；
现有技术6：日本专利申请公开号2002-196018。
发明内容
本发明是根据前述情况做出的，并且将提供一种片状连接器作为一个第一目的，在所述片状连接器中可形成各具有一个直径较小的正面电极部件的多个电极结构，并且可确保实现甚至是到一个其上以小间隔形成电极的电路设备的稳定电连接，并且防止电极结构从一块绝缘片脱落以实现高耐用性。
本发明的一个第二目的是提供能够生产一种片状连接器的一种过程，所述片状连接器中可形成各具有一个正面电极部件的多个电极结构，所述的正面电极部件的直径较小，并且其凸出高度的散布较窄，并且在所述片状连接器中可确保实现甚至是到一个其上以小间隔形成电极的电路设备的稳定电连接，并且防止电极结构从一块绝缘片脱落以实现高耐用性。
本发明的一个第三目的是提供一种电路检查探头，它装备有上述片状连接器。
本发明的一个第四目的是提供一种电路设备检查装置，它装备有上述电路检查探头。
根据本发明，提供了一种片状连接器，它包括一块绝缘片和多个电极结构，所述电极结构安排在绝缘片上，其状态是在绝缘片的平面方向彼此分离，并且沿绝缘片的厚度方向延伸。
其中每个电极结构由一个正面电极部件、一个背面电极部件、一个短路部件和一个支撑部件组成，其中所述的正面电极部件暴露到所述绝缘片的正面，并且从所述绝缘片的正面凸出，所述的背面电极部件暴露到所述绝缘片的一个背面，所述短路部件从所述的正面电极部件的底端沿着所述绝缘片的厚度方向穿过所述绝缘片连续延伸并且连接到所述的背面电极部件，所述支撑部件从所述的正面电极部件的底端部分沿着所述绝缘片的正面向外连续延伸。
在根据本发明所述的片状连接器中，所述电极结构中的正面电极部件的形状最好是从其底端到尖端直径逐渐变小。
所述电极结构中的正面电极部件的顶端的直径R2与所述的正面电极部件的底端的直径R1的比值R2/R1最好为0.11至0.55。
所述电极结构中的正面电极部件的凸出高度h与所述的正面电极部件的底端的直径R1的比值h/R1最好为0.2至3。
所述电极结构中的短路部件的形状为从所述绝缘片的背面到其正面直径逐渐变小。
所述绝缘片最好由一种可蚀刻的聚合材料构成，尤其最好由聚酰亚胺构成。
根据本发明，提供了一种生产上述片状连接器的过程，所述过程包括以下步骤：
提供一种层状材料，所述层状材料至少具有一块绝缘片、形成在所述绝缘片的正面的一个第一正面侧金属层、形成在所述的第一正面侧金属层的表面上的一层绝缘层以及形成在所述绝缘层表面的一个第二正面侧金属层，
形成通孔，所述通孔连接到所述层状材料中的所述绝缘片、第一正面侧金属层和绝缘层，并且沿所述层状材料的厚度方向延伸，从而在所述层状材料的背面形成凹孔，用于形成电极结构，
通过用所述的第二正面侧金属层作为一个电极使所述层状材料受到一个电镀处理，从而将一种金属填充到所述的用于形成电极结构的凹孔中，以形成正面电极部件和短路部件，其中所述的正面电极部件从所述绝缘片的正面凸出，所述短路部件从所述的正面电极部件的各个底端沿所述绝缘片的厚度方向穿过所述绝缘片连续延伸，
从所述层状材料上去除所述的第二正面侧金属层和绝缘层，从而暴露所述的正面电极部件和所述的第一正面侧金属层，然后
使所述的第一正面侧金属层受到一个蚀刻处理，从而形成支撑部件，所述支撑部件从所述的正面电极部件的底端部分沿着所述绝缘片的正面向外连续延伸。
在根据本发明所述的片状连接器的生产过程中，在所述的用于形成电极结构的凹孔中的所述绝缘层中的通孔最好形成为以下形状：从所述绝缘层的背面到其正面直径逐渐变小。
在所述片状连接器的这种生产过程中，将一种其绝缘层是由一种可蚀刻的聚合材料形成的层状材料用作所述层状材料，并且通过蚀刻形成所述的用于形成电极结构的凹孔中的所述绝缘层中的通孔。
在根据本发明所述片状连接器的生产过程中，在所述的用于形成电极结构的凹孔中的所述绝缘片中的通孔最好形成为以下形状：从所述绝缘片的背面到其正面直径逐渐变小。
在所述片状连接器的这种生产过程中，一种将其绝缘片是由一种可蚀刻的聚合材料形成的层状材料用作所述层状材料，并且通过蚀刻形成所述的用于形成电极结构的凹孔中的所述绝缘片中的通孔。
根据本发明，提供了一种生产上述片状连接器的过程，所述过程包括以下步骤：
提供一种层状材料，所述层状材料至少具有一块绝缘片、形成在所述绝缘片的正面的一个正面侧金属层、形成在所述的正面侧金属层表面上的一层绝缘层以及形成在所述绝缘片的背面的一个背面侧金属层，
形成通孔，所述通孔连接到所述层状材料中的所述绝缘层、正面侧金属层和绝缘片，并且沿所述层状材料的厚度方向延伸，从而在所述层状材料的正面形成凹孔，用于形成电极结构，
通过用所述的背面侧金属层作为一个电极使所述层状材料受到一个电镀处理，从而将一种金属填充到所述的用于形成电极结构的凹孔中，以形成正面电极部件和短路部件，其中所述的正面电极部件从所述绝缘片的正面凸出，所述短路部件从所述的正面电极部件的各个底端沿所述绝缘片的厚度方向穿过所述绝缘片连续延伸，
从所述层状材料上去除所述绝缘层，从而暴露所述的正面电极部件和所述的正面侧金属层，然后
使所述的正面侧金属层受到一个蚀刻处理，从而形成支撑部件，所述支撑部件从所述的正面电极部件的一个底端部分沿着所述绝缘片的正面向外连续延伸。
根据本发明，提供了一种电路检查探头，用于实施作为检查对象的一个电路设备和一个测试器之间的电连接，所述电路检查探头包括：
一块检查电路板，在所述检查电路板上根据作为检查对象的一个电路设备的待查电极形成了多个检查电极，一个安排在所述检查电路板上的各向异性导电连接器，以及安排在所述的各向异性导电连接器上的上述片状连接器。
在根据本发明所述的电路检查探头中，最好当所述的作为检查对象的电路设备是一块其上形成了大量集成电路的晶片时，所述的各向异性导电连接器应该具有一块框架板，其上具有多个对应于电极区域形成的开口，其中安排了所述的作为检查对象的晶片上形成的全部或部分集成电路中的待查电极，并且各向异性导电片被安排为靠近框架板中的各开口。
根据本发明，提供了一种电路设备检查装置，它包括上述电路检查探头。
发明的技术效果
根据本发明的片状连接器，在各个所述的电极结构中形成所述的支撑部件，所述支撑部件从所述的正面电极部件的底端部分沿着所述绝缘片的正面向外延伸，从而防止所述电极结构从所述绝缘片上脱落，以便即使所述的正面电极部件的直径较小时也能实现高度的耐用性。
此外，可形成直径较小的正面电极部件，从而可确保保持相邻正面电极之间的间隙，因此可充分展现由于所述绝缘片引起的弹性。因此，即使对于其上以小间隔形成电极的电路设备，也能确保实现稳定的电连接状态。
根据本发明所述的片状连接器的生产过程，在所述层状材料中形成用于形成所述电极结构的凹孔，其中所述层状材料预先具有所述绝缘片，并且通过将所述的用于形成所述电极结构的凹孔作为空穴形成所述的正面电极部件，从而可提供直径较小且凸出高度散布较窄的正面电极部件。
此外，通过使形成在所述绝缘片的正面上的所述的正面侧金属层受到一个蚀刻处理，可以确保形成所述支撑部件，其中所述支撑部件从所述正面电极部件的底端部分沿所述绝缘片的正面向外连续延伸，从而由于即使当所述的正面电极部件的直径较小时也能保持所述电极结构从所述绝缘片上脱落，因此可提供一种具有高耐用性的片状连接器。
根据本发明所述的电路检查探头，提供了上述片状连接器，从而甚至对于其上以小间隔形成了电极的电路设备也能确保实现稳定电连接状态。此外，由于防止了所述片状连接器中的电极结构脱落，因此可实现高耐用性。
根据所述的电路设备检查装置，提供了上述电路检查探头，从而甚至对于其上以小间隔形成了电极的电路设备也能确保实现稳定电连接状态。此外，即使向大量电路设备进行检查时也能长时间以高可靠性进行检查。
附图说明
图1是描绘根据本发明的一个第一示例性片状连接器的构造的截面图。
图2是以放大后的比例描绘第一示例性片状连接器的电极结构的截面图。
图3是描绘一种用于生产第一示例性片状连接器的层状材料的构造的截面图。
图4是描绘已经在图3所示的层状材料的两面上形成了用于蚀刻的抗蚀膜的状态的截面图。
图5是描绘已经在层状材料的背面侧金属层上形成了通孔的状态的截面图。
图6是描绘已经在层状材料的一层绝缘片中形成了通孔的状态的截面图。
图7是描绘已经在层状材料的一个第一正面侧金属层上形成了通孔的状态的截面图。
图8是描绘已经在层状材料的一层绝缘层中形成了通孔以形成用于形成电极结构的凹孔的状态的截面图。
图9是描绘已经在层状材料的两面形成了用于电镀的抗蚀膜的状态的截面图，在所述层状材料中形成了用于形成电极结构的凹孔。
图10是描绘已经将一种金属填充到用于形成电极结构的凹孔中以形成正面电极部件和短路部件的状态的截面图。
图11是描绘已经在背面电极部件的表面形成了抗蚀膜的状态的截面图。
图12是描绘已经去除了一部分背面侧金属层以形成彼此分离的多个背面电极部件的状态的截面图。
图13是描绘已经从层状结构上去除绝缘层的状态的截面图。
图14是描绘已经在第一正面侧金属层和正面电极部件的表面上形成了用于蚀刻的抗蚀膜的状态的截面图。
图15是描绘第一正面侧金属层已经受到一个蚀刻处理以形成支撑部件的状态的截面图。
图16是描绘根据本发明的一个第二示例性片状连接器的构造的截面图。
图17是描绘一种用于生产第一示例性片状连接器的层状材料的构造的截面图。
图18是描绘已经在图17所示的层状材料的绝缘层中形成了通孔的状态的截面图。
图19是描绘已经在层状材料的一个正面侧金属层中形成了通孔的状态的截面图。
图20是描绘已经在层状材料的一块绝缘片中形成了通孔以形成用于形成电极结构的凹孔的状态的截面图。
图21是描绘已经将一种金属填充到用于形成电极结构的凹孔中以形成正面电极部件和短路部件的导体的状态的截面图。
图22是描绘已经从层状材料去除绝缘层的状态的截面图。
图23是描绘已经在正面侧金属层和正面电极部件的导体表布形成了用于蚀刻的抗蚀膜的状态的截面图。
图24是描绘正面侧金属层已经受到一个蚀刻处理以形成支撑部件的状态的截面图。
图25是描绘正面电极部件的导体已经受到一个电解蚀刻处理以形成正面电极部件的状态的截面图。
图26是描绘n已经在一个背面侧金属层的表面上形成一层用于蚀刻的具有式样的抗蚀膜，并且在一块绝缘片、正面电极部件和支撑部件的表面上形成了一层用于蚀刻的抗蚀膜的状态的截面图。
图27是描绘已经去除背面侧金属层以形成背面电极部件的状态的截面图。
图28是描绘根据本发明的一个第三示例性片状连接器的构造的截面图。
图29是描绘一种用于生产第三示例性片状连接器的层状材料的构造的截面图。
图30是描绘一种在图29所示的层状材料中形成用于形成电极结构的凹孔的过程的截面图。
图31是描绘已经在层状材料的两面上形成了用于电镀的抗蚀膜的状态的截面图，在所述层状材料中形成了用于形成电极结构的凹孔。
图32是描绘已经将一种金属填充到用于形成电极结构的凹孔的状态的截面图。
图33是描绘已经在一个第二正面侧金属层、背面金属部件和正面侧金属层的各表面上形成了用于蚀刻的抗蚀膜的状态的截面图。
图34是描绘第二正面侧金属层已经受到一个蚀刻处理以形成正面电极部件的导体的状态的截面图，其中所述导体的顶部从一个中间部分凸出。
图35是描绘已经在一个第一正面侧金属屋和正面电极部件的导体表面上形成了用于蚀刻的抗蚀膜的状态的截面图。
图36是描绘第一正面侧金属层已经受到一个蚀刻处理以形成支撑部件的状态的截面图。
图37是描绘正面电极部件的导体已经受到一个电解蚀刻处理以形成正面电极部件的状态的截面图。
图38是描绘已经在背面电极部件的表面形成了用于蚀刻的抗蚀膜，并且已经在一块绝缘t片、h正面电极部件和支撑部件表面上形成了一层用于蚀刻的抗蚀膜的状态的截面图。
图39是描绘已经去除背面侧金属层以形成彼此分离的背面电极部件的状态的截面图。
图40是描绘根据本发明的一个第四示例性片状连接器的构造的截面图。
图41是描绘根据本发明的一个示例性电路设备检查装置的构造的截面图。
图42是以放大的比例描绘图41所示的检查装置中的一个电路检查探头的截面图。
图43是图42所示的电路检查探头中的各向异性导电连接器的平面图。
图44是描绘示例中制造的一块测试晶片的平面图。
图45描绘了图44中所示的测试晶片上形成的集成电路的待查电极的区域的位置。
图46描绘了图44所示的测试晶片上形成的集成电路的待查电极的排列式样。
图47是描绘示例中生产的一个各向异性导电连接器的一块框架板的平面图。
图48以放大的比例描绘了图47所示的框架板的一部分。
图49是描绘一个常规的示例性电路检查探头的构造的截面图。
图50是描绘一种常规的示例性片状连接器生产过程的截面图。
图51是以放大的比例描绘图49中所示的电路检查探头的一个片状连接器的截面图。
图52是描绘另一个常规的示例性片状连接器生产过程的截面图。
图53是描绘另一个常规的示例性片状连接器生产过程的截面图。
[附图标记说明]
1  电路检查探头，
3  加压板，
4  晶片安装台，
5  加热器，
6  晶片，
7  待查电极，
10  片状连接器，
10A，10B  层状材料，
10K  用于形成电极结构的凹孔，
11  绝缘片，
11H  通孔，
12A，12B，12C，12D，12E  抗蚀膜，
13，13A，13B，13C，13D  抗蚀膜，
13K  有式样的孔，
14A，14B，14C  抗蚀膜，
14K  有式样的孔，
15  电极结构，
16  正面电极部件，
16B  绝缘层，
16A  第二正面侧金属层，
16H  通孔，
16M  正面电极部件的导体，
17  背面电极部件
17A  背面侧金属层，
17H  通孔
18  短路部件，
19  支撑部件，
19A  第一正面侧金属层，
19B  正面侧金属层，
19H  通孔，
20  检查电路板，
21  检查电板，
30  各向异性导电连接器，
31  框架板，
32  开口
33  进气孔，
35  各向异性导电片，
36  导电部件，
37  绝缘部件，
38  凸出部分，
80  各向异向导电片，
85  检查电路板，
86  检查电极，
90  片状连接器，
90A，90B，90C  层状材料，
90K  用于形成电极结构的凹孔，
91  绝缘片，
91A  绝缘片材料，
92，92A，92B  金属层，
93，93A  抗蚀膜，
94，94B  抗蚀膜，
95  电极结构，
96  正面电极部件，
97  背面电极部件，
98  短路部件，
98H  通孔，
L  集成电路，
P  导电粒子。
具体实施方式
以下将详细说明本发明的实施例。
[片状连接器]
图1是描绘根据本发明的一个第一示例性片状连接器的构造的截面图，图2是以放大的比例描述第一示例性片状连接器中的电极结构的截面图。
第一示例性片状连接器10用于一个探头中，该探头用于进行电路设备的电检查，并且具有一块有弹性的绝缘片11。在绝缘片11中，由一种金属构成并且沿绝缘片11的厚度方向延伸的多个电极结构15在绝缘片11的平面方向中以彼此分离的状态排列，其式样对应于作为检查对象的一个电路设备的待查电极的式样。
每个电极结构15是由一个凸出的正面电极部件16、一个矩形扁平板状背面电极部件17、一个短路部件18以及一个圆环板状支撑部件19组成的，其中所述正面电极部件16暴露到绝缘片11的正面，并且从绝缘片11的正面凸出，所述背面电极部件17暴露到绝缘片11的背面，所述短路部件18从正面电极部件16的底端沿绝缘片11的厚度方向经过绝缘片11连续延伸，并且连接到背面电极部件17，所述支撑部件19从正面电极部件16的一个底端部分的外表面向外并径向地沿着绝缘片11的正面连续延伸。在此实施例的电极结构15中，每个正面电极部件16是与短路部件18相连以逐渐变细的形状形成的，其中逐渐变细的形状是指从其底端到尖端直径逐渐变小，即整体上形成为截锥形，而与正面电极部件16的底端相连的短路部件18是以逐渐变细的形状形成的，其中逐渐变细是指从绝缘片11的一面到另一面直径逐渐变小，即整体上形成为截锥形。正面电极部件16的底端直径R1与短路部件18与该底端相连的一端的直径R3相同。
对于绝缘片11没有特殊限制，只要它具有绝缘性并且有弹性。例如，可采用由聚酰胺树脂、液晶聚合物、聚酯、氟树脂或类似物质形成的树脂片，或者通过用具有上述任何一种树脂的纤维浸渍一块织物来获得的一片。但是，绝缘片最好由一种可蚀刻材料构成，因为可以通过蚀刻可以很容易形成用于形成短路部件18的通孔，其中特别优选的是聚酰亚胺。
对于绝缘片11的厚度d也没有特殊限制，只要这种绝缘片11是有弹性的。但是厚度为10至50μm较好，为10至25μm更佳。
对于形成电极结构15的金属，可以采用镍、铜、金、银、钯、铁等。电极结构15可以由一种简单金属形成，可以由至少两种金属的一种合金形成，也可以通过总体上层压至少两种金属获得。
在电极结构15的正面电极部件16和背面电极部件17的表面上，可形成一层具有高导电性的化学上稳定的金属，例如金、银或钯，以防止电极部件的氧化，并且可提供接触电阻小的电极部件。
在每个电极结构15中，正面电极部件16的尖端直径R2与底端直径R1之比(R2/R1)为0.11至0.55较好，为0.15至0.4更佳。通过满足这些条件，即使当一个要连接的电路设备具有间隔较小的微小电极时，也能确保实现到要该电路设备的稳定的电连接状态。
正面电极部件16的底端直径R1为电极结构15的间隔的30至70％较好，为该间隔的35至60％更佳。
正面电极部件16的凸出高度h与底端直径R1之比(h/R1)为0.2至0.8较好，为0.25至0.6更佳。通过满足这些条件，即使当一个要连接的电路设备具有间隔较小的微小电极时，也容易形成具有对应于该电路设备的电极的式样的电极结构15，此外更能确保实现到该电路设备的稳定的电连接状态。
正面电极部件16的底端直径R1是在考虑到上述条件、要连接的相应电极的直径等的情况下预设置的。但是它为30至80μm较好，为30至50μm更佳。
正面部件16的凸出高度h为15至50μm较好，为15至30μm更佳，因为可实现到要连接的相应电极的稳定电连接。
每个背面电极部件17的外径R5只需要大于连接到背面电极部件17的短路部件18的另一端的直径R4，并且小于电极结构15的间隔，并且最好尽可能大。从而即使对于各向异性导电片也能确保实现稳定电连接。
背面电极部件17的厚度D2为10至40μm较好，为15至35μm更佳，因为这样可实现足够高的强度和良好的重复耐用度。
短路部件18的一端的直径R3与其另一端的直径R4之比(R3/R4)为0.45至1较好，为0.7至0.9更佳。
短路部件18的一端的直径R3为电极结构15的间隔的30至70％较好，为该间隔的35至60％更佳。
每个支撑部件19的直径R6为电极结构15的间隔的30至70％较好，为该间隔的40至60％更佳。
支撑部件19的厚度D1为3至12μm较好，为5至9μm更佳。
根据这种片状连接器10，在每个电极结构15中形成支撑部件19，该支撑部件19从正面电极部件16的底端部件沿着绝缘片11的正面向外延伸，从而防止电极结构16从绝缘片11的背面脱落，以便即使正面电极部件16的直径较小时，也能实现高耐用度。
此外，每个电极结构均具有直径较小的正面电极部件16，从而可确保获得相邻正面电极16之间的间隙，从而也能充分展示由于绝缘片11而产生的弹性。因此，即使对于以小间隔形成电极的电路设备，也能确保实现稳定电连接状态。
例如，可以通过以下方式生产上文所述的第一示例性片状连接器10。
如图3所示，首先提供一种层状材料10A，它由以下部件构成：一块绝缘片11、形成在绝缘片11的正面上的一个第一正面侧金属层19A、形成在第一正面侧金属层19A表面上的一层绝缘层16B、形成在绝缘层16B表面上的一个第二正面侧金属层16A，以及形成在绝缘片11的背面上的一个背面侧金属层17A。
在层状材料10A中，形成第一正面侧金属层19A，其厚度等于要形成的每个电极结构15中的一个支撑部件19的厚度，形成绝缘层16B，其形成方式使得绝缘层16B的厚度与第一正面侧金属层19A的厚度的总厚度等于要形成的电极结构15A中的一个正面电极部件16的凸出高度，并且形成背面侧金属层17A，其厚度小于要形成的电极结构15中的一个背面电极部件17的厚度。
作为形成绝缘片11的材料，最好使用能够被蚀刻的聚合材料，聚酰亚胺尤佳。
对于形成绝缘层16B的材料，最好使用能够被蚀刻的聚合材料，聚酰亚胺尤佳。
可通过提供一块层状聚酰亚胺片以及由一块层状热塑聚酰亚胺片来获得这样的层状材料10A，所述层状聚酰亚胺片具有由层压在其双面的诸如铜构成的金属层，而所述层状热塑聚酰亚胺片具有由层压在其一面的诸如铜构成的金属层，这两种聚酰亚胺片一般都可在市场上买到，按以下方式安排它们：层状热塑聚酰亚胺片的未层压金属层的一个表面对着层状聚酰亚胺片的一层金属层的表面，并且在加热情况下使两块聚酰亚胺片都受到加压粘合处理。
对于这样的层状材料10A，如图4所示，在第二正面侧金属层16A的整个表面形成用于蚀刻的抗蚀膜12A，并且在背面侧金属层17A的表面上形成一层用于蚀刻的抗蚀膜13，其中已对应于要形成的电极结构15的式样形成了多个有式样的孔13K。
对于形成抗蚀膜12A和13的材料，可以采用用于蚀刻的作为光致抗蚀材料的各种材料。
然后通过抗蚀膜13中的各个有式样的孔13K，使背面侧金属层17A的暴露部分受到蚀刻处理，以去除这些部分，从而在背面侧金属层17A中形成多个连接到抗蚀膜13中的各个有式样的孔13K的通孔17H，如图5所示。然后，通过抗蚀膜13中的各个有式样的孔和背面侧金属层17A中的各个通孔17H，使绝缘片11的暴露部分受到蚀刻处理，以去除这些部分，从而在绝缘片11中形成多个逐渐变细的通孔11H，其直径从绝缘片11的背面到其正面逐渐变细，并且每个通孔11H连接到背面侧金属层17A中的通孔17K，如图6所示。然后，通过抗蚀膜13中的各个有式样的孔13K、背面侧金属层17A中的各个通孔17H和绝缘片中的各个通孔11H，使第一正面侧金属层19A的暴露部分受到蚀刻处理，以去除这些部分，从而在第一正面侧金属层19A中形成多个通孔19H，每个通孔19H连接到绝缘片11中的通孔11H，如图7所示。此外，通过抗蚀膜13中的各个有式样的孔13K、背面侧金属层17A中的各个通孔17H、绝缘片11中的各个通孔11H和第一正面侧金属层19A中的各个通孔19H使绝缘层16B的暴露部分受到蚀刻处理，以去除这些部分，从而在绝缘层16B中形成多个逐渐变细的通孔16H，其直径从绝缘层16B的背面到其正面逐渐变小，并且每个通孔16H连接到第一正面侧金属层19A中的各个通孔19H，如图8所示。从而在层状材料10A的背面中形成了多个用于形成电极结构的凹孔10K，每个凹孔10K与彼此相连的背面侧金属层17A中的每个通孔17H、绝缘片11中的各个通孔11H、第一正面侧金属层19A中的各个通孔19H和绝缘层16B中的各个通孔16H相连接。
上述过程中的蚀刻背面侧金属层17A和第一正面侧金属层的蚀刻剂宜根据形成这些金属层的材料选择。例如，当这些金属层是由铜构成的时，可采用氯化铁水溶液。
对于蚀刻绝缘片11和绝缘层16B的蚀刻剂，可采用含水肼溶液。通过选择蚀刻处理的条件，可分别在绝缘片11和绝缘层16B中形成逐渐变细的通孔11H和16H，其直径从背面到正面逐渐变小。
在从层状材料10A(其上形成了用于形成电极结构的凹孔10K)上去除抗蚀膜12A和13后，如图9所示，在层状材料10A上形成了一层用于电镀的抗蚀膜12B，以覆盖第二正面侧金属层16A的整个表面，并且在背面侧金属层17A上形成了一层用于电镀的抗蚀膜14A，其上形成了多个有式样的孔14K，所述式样是对应于要形成的电极结构15中的背面电极部件17的式样的。
对于形成抗蚀膜12B和14A的材料，可采用用作电镀的光致抗蚀材料的各种材料。
然后通过用第二正面侧金属层16A作为一个电极使层状材料10A受到电镀处理，以便将一种金属填充到用于形成电极结构的各个凹孔10K和抗蚀膜14A中的各个有式样的孔中，从而形成多个从绝缘片11的正面凸出的正面电极部件16，从正面电极部件16的各个底端沿绝缘片11的厚度方向经过绝缘片11连续延伸的短路部件18，以及分别连接到短路部件18的另一端的背面电极部件17，如图10所示。在此状态下，背面电极部件17处于通过背面侧金属层17A彼此相连的状态。
在从层状材料10A(其中在层状材料10A中已经以这种方式形成了正面电极部件16、短路部件18和背面电极部件17)上去除抗蚀膜12B和14A后，形成一层用于蚀刻的有式样的抗蚀膜14B，以覆盖背面电极部件17，使第二正面侧金属层16A和背面侧金属层17A受到蚀刻处理，从而去除整个第二正面侧金属层16A的以及背面侧金属层的暴露部分以形成多个彼此分离的背面电极部件17，如图12所示。
然后绝缘层16B受到蚀刻处理以去除其全部，然后去除抗蚀膜14B，从而暴露正面电极部件16、第一正面侧金属层19A和背面电极部件17，如图13所示。然后，如图14所示，形成一层用于蚀刻的有式样的抗蚀膜12C，以覆盖正面电极部件16以及第一正面侧金属层17A中将变成支撑部件19的部分，并且形成一层用于蚀刻的抗蚀膜14C，以覆盖绝缘片11的背面和整个背面电极部件17。然后第一正面侧金属层17A受到蚀刻处理以去除暴露的部分，从而形成支撑部件19，每个支撑部件19从正面电极部件16的底端部分的一个外表面向外并径向地沿绝缘片11的正面延伸，从而形成了电极结构15。
然后从正面电极部件16和支撑部件19上去除抗蚀膜12C，并且从绝缘片11的背面和背面电极部件17上除抗蚀膜14C，从而获得图1所示的片状连接器10。
根据这样的一个过程，在预先具有绝缘片11的层状材料10A中形成用于形成电极结构的凹孔10K，并且通过使用用于形成电极结构的凹孔10K作为空穴来形成正面电极部件16，以便能够提供直径小且凸出高度散布窄的正面电极部件16。
此外，通过使形成在绝缘片11的正面上的正面侧金属层19A受到蚀刻处理，可以确保形成支撑部件19，每个支撑部件19从正面电极部件16的底端部分向外沿绝缘片11的正面延伸，从而即使当正面电极部件16的直径较小时也能生产高耐用性的片状连接器10，因为防止了电极结构15从绝缘片11上脱落。
图16是描绘根据本发明的一个第二示例性片状连接器的构造的截面图。
第二示例性片状连接器10用于一个探头中，该探头用于进行电路设备的电检查，并且具有一块有弹性的绝缘片11。在绝缘片11中，由一种金属构成并且沿绝缘片11的厚度方向延伸的多个电极结构15在绝缘片11的平面方向中以彼此分离的状态排列，其式样对应于作为检查对象的一个电路设备的待查电极的式样。
每个电极结构15是由一个凸出的正面电极部件16、一个矩形扁平板状背面电极部件17、一个柱状短路部件18以及一个圆环板状支撑部件19组成的，其中所述正面电极部件16暴露到绝缘片11的正面，并且从绝缘片11的正面凸出，所述背面电极部件17暴露到绝缘片11的背面，所述短路部件18从正面电极部件16的底端沿绝缘片11的厚度方向经过绝缘片11连续延伸，并且连接到背面电极部件17，所述支撑部件19从正面电极部件16的底端部分的外表面向外并径向地沿着绝缘片11的正面连续延伸。在此实施例的电极结构15中，每个正面电极部件16形成为接近半球形的形状，直径随着向其尖端而变小，并且正面电极部件16的底端直径与短路部件18与此底端相连的一端的直径相同。
例如，可以通过以下方式生产上文所述的第二示例性片状连接器10。
如图17所示，首先提供一种层状材料10B，它由以下部件构成：一块由能够被蚀刻的聚合材料(例如聚酰亚胺)形成的绝缘片11、形成在绝缘片11的正面上的一个正面侧金属层19B、形成在正面侧金属层19B表面上的一层绝缘层16B、形成在绝缘片11的背面上的一个背面侧金属层17A，以及形成在背面侧金属层17A上的一层抗蚀膜13A。
在层状材料10B中，形成正面侧金属层19B，其厚度等于要形成的每个电极结构15中的一个支撑部件19的厚度，形成绝缘层16B，其形成方式使得绝缘层16B的厚度与第一正面侧金属层19A的厚度的总厚度等于要形成的电极结构15A中的一个正面电极部件19的凸出高度，并且形成背面侧金属层17A，其厚度等于要形成的电极结构15中的一个背面电极部件17的厚度。
然后绝缘层16B受到照相平版处理(曝光处理和显影处理)，从而在绝缘层16B中形成多个通孔16H，其式样对应于要形成的电极结构15中的正面电极部件16的式样，如图18所示。然后通过绝缘层16B中的各个通孔16H使正面侧金属层19B的暴露部分受到蚀刻处理，以去除这些部分，从而在正面侧金属层19B中形成多个通孔19H，每个通孔19H连接到绝缘层16B中各个通孔16H，如图19所示。然后通过绝缘层16B中的各个通孔16H和正面侧金属层19B中的各个通孔19H使绝缘片11的暴露部分受到蚀刻处理，以去除这些部分，从而在绝缘片11中形成多个通孔11H，每个通孔11H连接到正面侧金属层19B中的各个通孔19H，如图20所示。从而在层状材料10B的正面中形成多个用于形成电极结构的凹孔10K，每个凹孔10K与彼此相连的绝缘层16B中的各个通孔16H、正面侧金属层19B中的各个通孔19H和绝缘片11中的各个通孔11H相连接。
然后通过用背面侧金属层17A作为一个电极，使其中以上述这种方式形成了用于形成电极结构的凹孔10K的层状材料10B受到电镀处理，以便将一种金属填充到用于形成电极结构的各个凹孔10K中，从而形成了多个柱状导体16M，用于从绝缘片11的正面凸出的正面电极部件，以及短路部件18，所述短路部件18从用于正面电极部件的导体16M的各底端沿绝缘片11的厚度方向穿过绝缘片11连续延伸，并且连接到背面侧金属层17A，如图21所示。
从层状材料10B上去除绝缘层16B，从而暴露用于正面电极部件的导体16M和正面侧金属层19B，如图22所示，在所述层状材料10B中以这种方式形成了正面电极部件的导体16M和短路部件18和背面电极部件17。然后形成一层有式样的抗蚀膜13B，以覆盖用于正面电极部件的导体16M以及正面侧金属层19B中将成为支撑部件19的部分，如图23所示。然后正面侧金属层19A受到蚀刻处理以去除暴露的部分，从而形成支撑部件19，每个支撑部件从用于正面电极部件的导体16M的底端部分的外表面向外并径向地沿绝缘片11的正面连续延伸，如图24所示。在去除抗蚀膜13B以暴露用于正面电极部件的各导体16M和各支撑部件19后，进行电解蚀刻处理以形成用于正面电极部件的各个导体16M，从而形成正面电极部件16，每个正面电极部件16的顶部为接近半球形的形状，如图25所示。
然后绝缘片11的背面上的抗蚀膜13A受到照相平版处理从而形成一层有式样的抗蚀膜13D，以覆盖背面侧金属层17A中将成为背面电极部件的部分，以及形成一层抗蚀膜13C，以覆盖绝缘片11的正面、正面电极部件16和支撑部件19，如图26所示。然后背面侧金属层17A受到蚀刻处理以去除暴露的部分，从而形成背面电极部件17，每个背面电极部件17分别连接到短路部件18的另一端，如图27所示，从而形成了电极结构15。
然后从绝缘片11、正面电极部件16和支撑部件19上去除抗蚀膜13C，并且从背面电极部件17上去除抗蚀膜13D，从而获得图16所示的第二示例性片状连接器。
根据这样的一个第二示例性片状连接器，可实现与第一示例性片状连接器相同的效果。
图28是描绘根据本发明的一个第三示例性片状连接器的截面图。
第三示例性片状连接器10用于一个探头中，该探头用于进行电路设备的电检查，并且具有一块有弹性的绝缘片11。在绝缘片11中，由一种金属构成并且沿绝缘片11的厚度方向延伸的多个电极结构15在绝缘片11的平面方向中以彼此分离的状态排列，其式样对应于作为检查对象的一个电路设备的待查电极的式样。
每个电极结构15是由一个凸出的正面电极部件16、一个背面电极部件17、一个柱状短路部件18以及一个圆环板状支撑部件19组成的，其中所述正面电极部件16暴露到绝缘片11的正面，并且从绝缘片11的正面凸出，所述背面电极部件17暴露到绝缘片11的背面，所述短路部件18从正面电极部件16的底端沿绝缘片11的厚度方向穿过绝缘片11连续延伸，并且连接到背面电极部件17，所述支撑部件19从正面电极部件16的底端部分的外表面向外并径向地沿着绝缘片11的正面连续延伸。在此实施例的电极结构15中，每个正面电极部件16具有一个接近半球形的中间部分，其半径从其底端侧到尖端侧变小，以及一个接近半球形的尖端部分，其直径小于中间部分的直径，并且向着尖端直径变小。正面电极部件16的底端直径与短路部件18与该底端相连的一端的直径相同。另一方面，背面电极部件17具有一个矩形扁平板状底部和一个从该底部凸出并且尺寸小于底部的矩形扁平板状尖部。
例如，可以通过以下方式生产上文所述的第三示例性片状连接器10。
如图29所示，首先提供一种层状材料10A，它由以下部件构成：一块由能够被蚀刻的聚合材料(例如聚酰亚胺)形成的绝缘片11、形成在绝缘片11的正面上的一个第一正面侧金属层19A、形成在第一正面侧金属层19A表面上的并且由能够被蚀刻的聚合材料(例如聚酰亚胺)形成的一层绝缘层16B、形成在绝缘层16B的表面上的一个第二正面侧金属层16A，以及形成在绝缘片11的背面上的一个背面侧金属层17A。
在层状材料10A中，形成第一正面侧金属层19A，其厚度等于要形成的每个电极结构15中的一个支撑部件19的厚度，形成绝缘层16B，其厚度等于要形成的电极结构15中的正面电极部件19的中间部件的厚度(高度)，形成第二正面侧金属层16A，其厚度等于要行成的电极结构15中的正面电极部件19的尖端部分的厚度(高度)，并且形成背面侧金属层17A，其厚度等于要形成的电极结构15中的一个背面电极部件17的底端部分。
如图30(a)所示，对于这样的一种层状材料10A，在第二正面侧金属层16A的整个表面上形成一层用于蚀刻的抗蚀膜12A，并且在背面侧金属层17A的表面上形成一层用于蚀刻的抗蚀膜13，其中形成了多个有式样的孔13K，其式样是对应于要形成的电极结构的式样的。
然后通过抗蚀膜13中的各个有式样的孔13K，使背面侧金属层17A的暴露部分受到蚀刻处理，以去除这些部分，从而在背面侧金属层17A中形成多个通孔17H，如图30(b)所示。然后，通过抗蚀膜13中的各个有式样的孔13K和背面侧金属层17A中的各个通孔17H使绝缘片11的暴露部分受到蚀刻处理，以去除这些部分，从而在绝缘片11中形成多个通孔11H，每个通孔11H连接到背面侧金属层17A中的各个通孔17H，如图30(c)所示。然后通过抗蚀膜13中的各个有式样的孔13K、背面侧金属层17A中的各个通孔17H和绝缘片11中的各个通孔11H使第一正面侧金属层19A的暴露部分受到蚀刻处理，以去除这些部分，从而在第一正面侧金属层19A中形成多个通孔19H，每个通孔19H连接到绝缘片11中的各个通孔11H，如图30(d)所示。此外，通过抗蚀膜13中的各个有式样的孔13K、背面侧金属层17A中的各个通孔17H、绝缘片11中的各个通孔11H和第一正面侧金属层19A中的各个通孔19H使绝缘层16B的暴露部分受到蚀刻处理，以去除这些部分，从而在绝缘层16B中形成多个通孔16H，每个通孔16H连接到第一正面侧金属层19A中的各个通孔19H，如图30(e)所示。从而在层状材料10A的背面形成了多个凹孔10K，用于用彼此相接的背面侧金属层17A中的每个通孔17H、绝缘片11中的各个通孔11H、第一正面侧金属层19A中的各个通孔19H和绝缘层16B中的各个通孔16H形成电极结构。
在从层状材料10A(其上形成了用于形成电极结构的凹孔10K)上去除抗蚀膜12A和13后，如图31所示，在层状材料10A上形成了一层用于电镀的抗蚀膜12B，以覆盖第二正面侧金属层16A的整个表面，并且在背面侧金属层17A上形成了一层用于电镀的抗蚀膜14A，其上形成了多个有式样的孔14K，其式样是对应于要形成的电极结构15中的背面电极部件17的式样的。
然后通过用第二正面侧金属层16A作为一个电极使层状材料10A受到电镀处理，以便将一种金属填充到用于形成电极结构的各个凹孔10K和抗蚀膜14A中的各个有式样的孔中，从而形成多个从绝缘片11的正面凸出的正面电极部件16M，从正面电极部件的导体16M的各个底端沿绝缘片11的厚度方向经过绝缘片11连续延伸的短路部件18，以及分别连接到短路部件18的另一端的背面电极部件17，如图32所示。在此状态下，每个正面电极部件的导体16M处于通过第二正面侧金属层16A彼此相连的状态，而每个背面电极部件17处于通过背面侧金属层17A彼此相连的状态。
在从层状材料10A(在层状材料10A中已经以这种方式形成了正面电极部件的导体16M、短路部件18和背面电极部件17)上去除抗蚀膜12B和14A后，如图33所示，形成一层用于蚀刻的抗蚀膜14C，以覆盖背面电极部件17和背面侧金属层17A，并且在第二正面侧金属层16A的表面上形成一层用于蚀刻的有式样的抗蚀膜12D，其式样对应于要形成的正面电极部件16的尖端部分的式样，以便使第二正面侧金属层16A受到蚀刻处理，从而去除暴露部分，以形成多个正面电极部件的导体16M，每个导体16M具有一个柱状中间部分和一个尖端部分，尖端部分的直径小于中间部分的直径，并且彼此分离，如图34所示。
然后去除抗蚀膜12D，并且使绝缘层16B受到蚀刻处理以去除其全部，从而暴露正面电极部件的导体16M和第一正面侧金属层19A。然后，如图35所示，形成一层用于蚀刻的有式样的抗蚀膜12C，以覆盖正面电极部件的导体16M和第一正面侧金属层17A中要变成支撑部分19的部分。然后第一正面侧金属层19A受到蚀刻处理，以去除暴露的部分，从而形成多个支撑部分19，每个支撑部件19从正面电极部件的导体16M的底端部分的外表面向外径向地沿绝缘片11的正面连续延伸，如图36所示。在去除抗蚀膜12C以暴露正面电极部件和支撑部件19的导体16M以后，进行电解蚀刻处理以形成正面电极部件的导体16M，从而形成正面电极部件16，每个正面电极部件16具有一个接近半球形的中间部分和一个从中间部分凸出的接近半球形的尖端部分，如图37所示。
然后抗蚀刻14C受到照相平版处理，从而形成一层用于蚀刻的有式样的抗蚀膜14B，以覆盖背面电极部件17，如图38所示，并且形成一层用于蚀刻的抗蚀膜12E，以覆盖绝缘片11的正面、正面电极部件16和支撑部件19，以使背面侧金属层17A受到蚀刻处理，从而去除暴露部分，以形成多个彼此分离的背面电极部件17，如图39所示，从而形成了电极结构15。
然后去除抗蚀膜12E和14B，从而获得了图28所示的第三示例性片状连接器。
根据这样的一个第三示例性片状连接器，可实现与第一示例性片状连接器相同的效果。
图40是描绘根据本发明的一个第四示例性片状连接器的截面图。
第四示例性片状连接器10与第二片状连接器具有相同的构造，只不过每个电极结构15具有一个柱状正面电极部件16，并且可以用与第二片状连接器的生产过程相同的方式生产，只不过实际上是在不对正面电极部件的导体进行电解蚀刻处理的情况下就将正面电极部件的导体提供为正面电极部件16。
根据第四片状连接器，可实现与第一示例性片状连接器相同的效果。
[电路检查探头和电路设备检查装置]
图41是描绘根据本发明的一个示例性电路设备检查装置的构造的截面图。此电路设备检查装置适用于在晶片的一个状态下对形成在晶片上的多个集成电路分别进行电检查。
此电路设备检查装置具有一个电路检查探头1和一个测试器，其中电路检查探头1用于进行一块晶片6的各个待查电极7之间的电连接，其中晶片6是一个待查电路设备。同样如图42中以放大的比例所显示的，此电路检查探头1具有一块检查电路板20，在其正面(图中的下表面)形成了多个检查电极21，其式样对应于晶片6上形成的所有集成电路中的待查电极7的式样。在检查电路板20的正面安排了一个各向异性导电连接器30，并且在各向导性导电连接器的正面(图中的下表面)上安排了具有图1所示构造的片状连接器10，其中排列了多个电极结构15，其式样对应于晶片6上形成的所有集成电路中的待查电极7的式样。
在电路检查探头1的检查电路板20的背面(图中的上表面)，提供了一个加压板3，用于对电路检查探头1向下加压。在电路检查探头1下提供了一个晶片安放台4，其上安放了晶片6。一个加热器5连接到加压板3和晶片安放台4。
对于形成检查电路板20的材料，可以使用任何通常已知的各种板材料，其特例包括合成树脂材料，例如玻璃纤维增强环氧树脂、玻璃纤维增强苯酚树脂、玻璃纤维增强聚酰亚胺树脂和玻璃纤维增强双马来酰亚胺三嗪树脂，以及陶瓷材料，例如玻璃、二氧化硅和氧化铝。
当构造一个用于进行WLBI测试的检查装置时，采用的线性热膨胀系数为3×10-5/K较好，为1×10-7至1×10-5/K更佳，为1×10-6至6×10-6/K尤佳。
这样的板材料的特例包括派热克斯(注册商标)玻璃、石英玻璃、氧化铝、氧化铍、金刚砂、氮化铝和氮化硼。
各向异性导电连接器30是由一块框架板31和多块各向异性导电片35形成的，在所述框架板31中对应于电极区域形成了多个开口32，所述电极区域中排列了晶片上形成的整个集成电路中的待查电极，其中晶片是一个待查电路设备，所述各向异性导电片35排列为靠近框架板31中的各个开口并且固定到框架板31的各个开口边缘，并且被开口边缘所支撑。
对于形成框架板31的材料没有特殊限制，只要其硬度能使得产生的框架板31难以形变，并且其形状能够稳定保持。例如可使用多种材料，例如金属材料、陶瓷材料和树脂材料。当通过一种金属材料形成框架板31时，可以在框架板31的表面上形成一层绝缘膜。
形成框架板31的金属材料的特例包括诸如铁、铜、镍、铬、钴、镁、锰、钼、铟、铅、钯、钛、钨、铝、金、铂和银等的金属，以及由至少两种这些金属的组成构造的合金或合金钢。
形成框架板31的树脂材料的特例包括液晶聚合体和聚酰亚胺树脂。
当检查设备是用于进行WLBI(晶片级老化)测试时，形成框架板31的材料的线性热膨胀系数为3×10-5/K较好，为-1×10-7至1×10-5/K更佳，为1×10-6至8×10-6/K尤佳。
这样的材料的特例包括磁性金属的合金或合金钢，例如不胀钢合金，例如不胀钢，镍铬恒弹性钢合金，例如镍铬恒弹性钢，超级因瓦铁镍合金、柯伐合金和42合金。
对于框架板31的厚度没有特别限制，只要保持其形状，并且能够支持各向异性导电片35。虽然其特定厚度根据材料变化，但是例如为45至600μm较好，为40至400μm尤佳。
每块各向异性导电片35是由一种弹性聚合物质形成的，并且是由多个导电部件36构成的，每个导电部件36是根据对应于晶片6上形成的一个电极区域中的待查电极7的式样形成的，其中晶片6是一块待查电路板，并且每个导电部件36沿导电片的厚度方向延伸，并且绝缘部件37使各个导电部件36相互绝缘。在所示的实施例中，从导电部件36和其周边部分所在的部分之外的其它表面凸出的凸出部分38在各向异性导电片35的两侧的这些部分上形成。
在各向异性导电片35中的各个导电部件36中，以高密度包含了展现磁性的导电粒子P，这些导电粒子的状态是沿厚度方向对齐。另一方面，绝缘部件37不包含或几乎不包含导电粒子P。
各向异性导电片35的总厚度(所示实施例中的导电部件36的厚度)为50至2000μm较好，为70至1000μm更佳，为80至500μm尤佳。当此厚度大于或等于50μm时，则给这样的一块各向异性导电片35赋予了足够的强度。另一方面当此厚度小于或等于2000μm时，则确保提供了具有必要的导电性的导电部件36。
凸出部分的凸出高度至少为凸出部分38的总厚度的10％较好，至少为15％更佳。形成具有这样的凸出高度的凸出部分38，从而导电部件36被较小的压力充分压缩，以确保实现良好的导电性。
凸出部分38的凸出高度最多为凸出部分38的最短宽度或直径100％较好，最多为70％更佳。形成具有这样的凸出高度的凸出部分38，从而凸出部分38被加压时不会弯曲，以确保实现预定的导电性。
形成各向异性导电片35的弹性聚合物质最好是具有交键结构的耐热聚合物质。对于可用于获得这种交键聚合物质的可硫化聚合物质形成材料，可使用多种材料。但是最好是液体硅树脂橡胶。
液体硅树脂橡胶可以是加成型或缩合型中的任何一种。但是，最好是加成型液体硅树脂橡胶。这种加成型液体硅树脂橡胶是通过一种乙烯基与Si-H键相反应来硫化的，并且包括一种单组分型(单成分型)和一种双组分型(双成分型)，其中所述单组分型是由既具有乙烯基又具有Si-H键的聚硅氧烷构成的，而所述双组分型是由具有乙烯基的聚硅氧烷和具有Si-H键的聚硅氧烷构成的。在本发明中，最好使用两组分型的加成型液体硅树脂橡胶。
当通过液体硅树脂橡胶的一种硫化产品(以下称为“硫化硅树脂橡胶”)形成各向异性导电片35时，硫化硅树脂橡胶在150℃下的压缩形变最大为10％较好，最大为8％更佳，最大为6％尤佳。如果压缩形变超过10％，则当产生的各向异性导电连接器重复使用多次或者在高温环境下重复使用时，导电部件36可能引起永久形变，从而导电部件中的导电粒子P的链被扰乱。因此难以保持必要的导电性。
在本发明中，可通过一种根据JIS K 6249的方法测量硫化硅树脂橡胶的压缩形变。
硫化硅树脂橡胶的硬度计A硬度在23℃下的为10至60较好，为15至55更好，为20至50尤佳。
如果硬度计A硬度低于10，则使导电部件37相互绝缘的绝缘部件37在加压时容易过分变形，在某些情况下可能难以保持导电部件36之间必要的绝缘性。另一方面，如果硬度计A硬度超过60，则为了给予导电部件36适当的变形，需要一个相当重的负载引起的压力，从而晶片可能引起较大的形变或破损，其中晶片是一块待查电路板。
此外，如果采用硬度计A硬度不属于以上范围的硫化硅树脂橡胶，则当产生的各向异性导电连接器被重复使用多次时，导电部件36可能引起永久形变，从而导电部件36中的导电粒子链被扰乱。因此难以保持必要的导电性。
当构造一个进行WLBI测试的检查装置时，形成各向异性导电片36的硫化硅树脂橡胶的硬度计A硬度在23℃最好为25至40。
如果采用硬度计A硬度不属于以上范围的硫化硅树脂橡胶，则当重复进行WLBI测试时，导电部件可能引起永久形变，从而导电部件36中的导电粒子链被扰乱。因此难以保持必要的导电性。
在本发明中，可通过一种根据JIS K 6249的方法测量硫化硅树脂橡胶的硬度计A硬度。
此外，硫化硅树脂橡胶的抗拉伸强度在23℃下至少为8kN/m较好，至少为10kN/m更佳，至少为15kN/m又更佳，至少为20kN/m尤佳。如果抗扯强度低于8kN/m，则产生的各向异性导电片36在过分变形时可能发生耐用性恶化。
在本发明中，可通过一种根据JIS K 6249的方法测量硫化硅树脂橡胶的抗扯强度。
在本发明中，可采用一种适当的硫化催化剂来硫化加成型液体硅树脂橡胶。对于这种硫化催化剂，可采用一种含铂催化剂。其特例包括公共已知的催化剂，例如氯铂酸及其盐、包含不饱和铂基的硅氧烷化合物、乙烯基硅铂化合物、铂-1，3-联乙烯四甲基二硅氧烷化合物、三有机磷或磷化氢和铂的化合物、乙酰基醋酸铂螯合物以及环状二烯铂化合物。
所使用的硫化催化剂的量宜根据硫化催化剂的类型和其他硫化处理条件来选择。但是，每100份重量的加成型液体硅树脂橡胶一般为3至15份重量。
例如，为了提高加成型液体硅树脂橡胶的触变性，调整粘性，提高导电粒子的分散稳定性或提高一种具有高强度的底部材料，可根据需要在加成型液体硅树脂橡胶中包含一种一般的无机填料，例如硅粉、硅胶、气凝硅胶或氧化铝。
对于包含在导电部件36中的导电粒子P，最好通过用高导电性金属涂覆展现磁性的核心粒子(以下称为“磁性核心粒子”)的表面获得。
这里使用的“高导电性金属”一词表示0℃下导电性至少为5×106Ω-2m-1的金属。
用于获得导电粒子P的磁性核心粒子的数字平均粒子直径为3至40μm。
磁性核心粒子的数字平均粒子直径表示通过激光衍射散射方法测量的值。
当数字平均粒子直径大于或等于3μm时，容易获得在压力下易形变、电阻值低且连接可靠度高的导电部件36。另一方面，当数字平均粒子直径小于或等于40μm时，容易形成微小的导电部件36，并且产生的导电部件36可能具有稳定的导电性。
此外，磁性核心粒子的BET特定表面积为10至500m2/kg较好，为20至500m2/kg更佳，为50至400m2/kg尤佳。
当BET特定表面积宽于或等于10m2/kg时，可以确保以要求的量电镀这种磁性核心粒子，因为磁性核心粒子中能够被电镀的面积足够宽。因此，可获得导电性高的导电粒子P，并且实现了稳定和较高的导电性，因为导电粒子P之间的接触面积足够宽。另一方面当BET特定表面积小于或等于500m2/kg时，这种磁性核心粒子变得不易碎，从而当加上物理应力时它们不会破损，保持了稳定和较高的导电性。
此外，磁性核心粒子的粒子直径变化系数最大为50％较好，最大为40％更佳，最大为30％又更佳，最大为20％尤佳。
粒子直径变化系数是根据以下表达式确定的一个值：(σ/Dn)×100，其中σ是粒子直径的标准偏差值，而Dn为粒子的数字平均粒子直径。
当粒子直径变化系数等于或低于50％时，可形成导电性分散较窄的导电部件36，因为粒子直径的均匀度较高。
对于形成磁性核心粒子的材料，可使用铁、镍、钴，通过用铜或树脂覆盖这种金属获得的材料等。最好采用那种饱和磁化值至少为0.1Wb/m2的材料。其饱和磁化值至少为0.3Wb/m2更佳，至少为0.5Wb/m2尤佳。所述材料的特例包括铁、镍、钴及其合金。
对于加到磁性核心粒子表面的高导电性金属，可采用金、银、铑、铂、铬等。在这些金属里面，最好采用金，因为它在化学上较稳定并且具有较高的导电性。
在导电粒子P中，高导电性金属与核心粒子之比[(高导电性金属的质量/核心粒子的质量)×100]按质量算至少为15％，按质量算为25至35％最好。
如果高导电性金属的比例按质量算低于15％，则当产生的各向异性导电连器在高温环境下重复使用时，这种导电粒子P的导电性显著恶化。因此不能保持必要的导电性。
导电粒子P的BET特定表面积最好为10至500m2/kg。
当BET特定表面积等于或宽于10m2/kg时，涂覆层的表面积变得足够大，从而可形成高导电性金属的总重量较大的涂覆层。因此可获得导电性较高的粒子。此外，可实现稳定和较高的导电性，因为导电粒子P之间的接触面积足够宽。另一方面，当BET特定表面积等于或小于500m2/kg时，这种导电粒子不会变得易碎，从而当向其施加物理应力时它们不会破损，保持了稳定和较高的导电性。
导电粒子P的数字平均粒子直径为3至40μm较好，为6至25μm更佳。
当使用这种导电粒子P时，产生的各向异性导电片35变得在压力下容易形变。此外，在导电部件36中的导电粒子P之间形成了足够的电连接。
对于导电粒子P的形状没有特殊限制。但是，它们最好是球形或星形的，或者是通过凝聚这些粒子形成的一块二级粒子，因为在聚合物质形成材料中这些粒子容易分散。
导电粒子P中的水含量按质量算至多为5％较好，至多为3％更佳，至多为2％又更佳，至多为1％尤佳。通过满足这些条件，在各向异性导电片36的形成过程中的硫化处理中，可防止或抑制水泡。
导电粒子P可以是通过用一种耦合制剂(例如硅烷耦合制剂)处理其表面获得的。通过用耦合制剂处理导电粒子P的表面，提高了导电粒子P到弹性聚合物质的粘性。因此产生的各向异性导电片35在重复使用时具有高耐用性。
所使用的耦合制剂的量宜在不影响导电粒子P的导电性的限制内选择。但是，最好导电粒子P的表面上的耦合制剂覆盖率(以耦合制剂覆盖的面积与导电粒子的表面积之比)至少达到5％较好，达到7至100％更佳，达到10至100％又更佳，达到20至100％尤佳。
例如，可以根据以下过程获得这种导电粒子P。
首先通过商业过程从铁磁材料形成粒子，或者提供一种商业上可利用的铁磁物质粒子。粒子受到分级处理，以准备具有所要求的粒子直径的磁性核心粒子。
可通过一个分级器来进行粒子的分级处理，分级器的例子包括空气分级器或声分级器。
分级处理的特定条件宜根据磁性核心粒子的数字平均粒子直径、分级器的种类等预先设置。
然后用酸处理磁性核心粒子的表面，并且进一步用纯净水清洗其表面，从而去除出现在磁性核心粒子表面上的杂质，例如灰尘、外来物质和氧化膜。然后用高导电性金属覆盖磁性核心粒子的表面，从而获得导电粒子。
对于用于处理磁性核心粒子的表面的酸的例子，可以是盐酸。
对于用高导电性金属覆盖磁性核心粒子表面的方法，可采用化学镀层、置换电镀等。但是该方法并不限于这些方法。
以下将说明通过化学镀层或置换电镀产生导电粒子的过程。首先将受到酸处理和清洗处理的磁性核心粒子加到一种电镀溶液，以准备一种浆液，并且在搅动浆液的同时在磁性核心粒子上进行化学镀层或置换电镀。然后将浆液中的粒子与电镀溶液分离。然后用纯净水使分离后的粒子受到清洗处理，从而获得了以高导电性金属覆盖了磁性核心粒子表面的导电粒子。
或者，也可在磁性核心粒子的表面进行底漆镀层，以形成一层底漆镀层，然后可以在底漆镀层的表面形成一层由高导电性金属构成的镀层。对于形成底漆镀层和在其上形成镀层的过程没有特殊限制。但是，最好通过化学镀层在磁性核心粒子的表面形成底漆镀层，然后通过置换电镀在底漆镀层的表面形成包含高导电性金属的镀层。
对于用于化学镀层和置换电镀中的电镀溶液没有特殊限制，可使用各种商业上可利用的电镀溶液。
既然在用高导电性金属覆盖磁性核心粒子表面时由于磁性核心粒子的聚集而可能产生粒子直径较大的导电粒子，则最好根据需要对产生的导电粒子进行分级。通过进行分级处理，可确保获得具有期望的粒子直径的导电粒子。
作为用作进行导电粒子的分级处理的分级器的例子，可提到作为用于磁性核心粒子的分级处理中所使用的分级器的例子。
导电部件36中包含的导电粒子P的比率按体积分数来算为10至60％较好，为15至50％更佳。如果此比率低于10％，则在某些情况下可能不能获得电阻足够低的导电部件36。另一方面，如果该比率超过60％，则产生的导电部件36易碎，从而在某些情况下可能不能实现导电部件36所要求的弹性。
可根据日本专利申请公开号2002-324600中描述的过程生产上述各向异性导电连接器。
在上述检查装置中作为检查对象的晶片6安装在晶片安装台4上，并且电路检查探头1被加压板3向下压，从而使它的片状连接器10的电极结构15中的各个正面电极部件16和与之相应晶片6的待查电极7相接触，此外晶片6的各待查电极7被正面电极部件16所加压。在此状态下，各向异性导电连接器30的各向异性导电片35的导电部件36分别被检查电路板20的检查电极21和片状连接器10的电极结构15中的背面电极部件17所支撑并加压，并且在各向异性导电片的厚度方向被压缩，从而在各个导电部件36中沿其厚度方向形成了导电路径。因此实现了晶片6的待查电极7与检查电路板20的检查电极21之间的电连接。然后，由加热器5经过晶片安放台4和加压板3将晶片6加热到一个预定温度。在此状态下，在晶片6上的多个集成电路中的每一个上进行必要的电检查。
根据上述电路检查探头，提供了图1所示的片状连接器，以便甚至对于其上以小间隔形成了电极7的一块晶片6也能确保实现稳定的电连接。此外，由于防止了片状连接器10中的电极结构15脱落，因此能够实现高耐用性。
根据上述检查，提供了图1所示的具有片状连接器10的电路检查探头1，以便甚至对于其上以小间隔形成了电极7的一块晶片6也能确保实现稳定的电连接。此外，即使对很多块晶片进行检查也能在一段长时间内以高可靠性进行检查，因为电路检查探头1具有高耐用性。
根据本发明的电路设备检查装置不限于上述实施例，可以向其添加各种更改和修改，如下所述。
(1)图41和42所示的电路检查探头1可对一块晶片6上形成的所有集成电路的待查电极7一起实现电连接。但是，也可能对从晶片6上形成的所有集成电路中选出的多个集成电路的待查电极7实现电连接。选择的集成电路的数目宜根据晶片6的大小、晶片6上形成的集成电路的数目、每个集成电路中的待查电极的数目等来选择。但是，例如，该数目是16、32、64或128。
在具有这样的一个电路检查探头的检查装置中，电路检查探头电连接到从晶片6上形成的所有集成电路中选出的多个集成电路的待查电极7，以进行检查。然后，电路检查探头电连接到从其他集成电路中选出的多个集成电路的待查电极7，以进行检查。重复此过程，从而可进行晶片6上形成的所有集成电路的电检查。
根据这种检查装置，在对一块直径为8或12英寸的晶片上以高度集成形成的集成电路进行电检查的情况下，所使用的检查电极的数目和检查电路板中的导线与对所有集成电路一起进行检查的方法相比减少了，从而可降低检查装置的生产成本。
(2)除了根据对应于待查电极7的式样形成导电部件36外，可在各向异性导电连接器30中的各向异性导电片35中形成不连接到任何待查电极7的非连接导电部件。
(3)作为根据本发明的检查装置的检查对象的电路设备不限于其上形成了大量集成电路的晶片，检查装置可构造为用于形成在半导体芯片、封装的LSI(例如BGA和CSP)、半导体集成电路设备(例如CMC)等中的电路的检查装置。
[示例]
以下将通过以下例子具体说明本发明。但是，本发明不限于这些例子。
[测试晶片的生产]
如图44所示，在由硅(线性热膨胀系数：3.3×10-6/K)制成且直径为8英寸的一块晶片6上总共形成596个正方形集成电路L，每个集成电路L的尺寸为6.5mm×6.5mm。形成在晶片6上的每个集成电路L的中央有一个待查电极区域A，如图45所示。在待查电极区域A中，以120μm的间隔分2行(一行中的待查电极7的数目：13)横向排列了26个矩形待查电极7，每个待查电极7的尺寸为纵向200μm(图46中的上下方向)和横向80μm(图46中的左右方向)。纵向相邻的待查电极7之间的间隙为450μm。26个待查电极7中每2个电极彼此相互电连接。整块晶片6上的待查电极7总数为15496。以下将把此芯片称为“测试晶片W1”。
<例1>
[片状连接器M(1-1)至M(1-5)的生产]：
提供了一块层状聚酰亚胺片，其中厚度各为5μm的铜层层压在一块厚度为12.5μm的聚酰亚胺片两侧，以及一块层状热塑聚酰亚胺片，其中一层厚度为5μm的铜层层压在一块热塑聚酰亚胺片的一侧，其排列方式为层状热塑聚酰亚胺片没有层压铜层的那个表面对着层状聚酰亚胺片的一个铜层的表面，并且在加热情况下使两块聚酰亚胺片都受到加压粘合处理，从而产生一种具有图3所示的构造的层状材料(10A)。
产生的层状材料(10A)具有以下形式：在一块由聚酰亚胺构成且厚度为12.5μm的绝缘片(11)的正面按以下顺序层压一层由铜构成且厚度为5μm的第一正面侧金属层(19A)、一层由聚酰亚胺构成且厚度为25μm的绝缘层(16B)以及一层由铜构成且厚度为5μm的第二正面侧金属层(16A)，并且在绝缘片(11)的背面层压一层由铜构成且厚度为5μm的背面侧金属层(17A)。
对于层状材料(10A)，通过一层厚度为25μm的干抗蚀膜在第二正面侧金属层(16A)的整个表面形成一层抗蚀膜(12A)，并且在背面侧金属层(17A)的表面上形成一层抗蚀膜(13)，其上形成了15496个有式样的直径为60μm圆孔(13K)，其式样对应于测试晶片W1上形成的待查电极的式样(参见图4)。在抗蚀膜(13)的形成过程中，通过用一盏高压水银灯以80mJ的紫外光照射进行了曝光处理，并且通过重复两次将层状材料浸入一种由1％的氢氧化钠水溶液构成的显影剂40秒的过程进行了显影处理。
然后在50℃条件下用氯化铁蚀刻剂使背面侧金属层(17A)受到30秒的蚀刻处理，从而在背面侧金属层(17A)中形成了15496个通孔(17H)，每个通孔(17H)连接到抗蚀膜(13)中的各个有式样的孔(13K)(参见图5)。然后在60℃条件下以肼蚀刻剂使绝缘片(11)受到120分钟的蚀刻处理，从而在绝缘片(11)中形成15496个通孔(11H)，每个通孔(11H)连接到背面侧金属层(17A)中的各个通孔(17K)(参见图6)。每个通孔(11H)的形状是逐渐变细的，直径从绝缘片(11)的背面向其正面逐渐变小，背面侧上的开口直径为60μm，而正面侧的开口直径为45μm。
然后在50℃条件下用氯化铁蚀刻剂使第一正面侧金属层(19A)受到30秒的蚀刻处理，从而在第一正面侧金属层(19A)中形成了15496个通孔(19H)，每个通孔(19H)连接到绝缘片(11)中的各个通孔(11K)(参见图7)。此外，在60℃条件下以肼蚀刻剂使绝缘层(16B)受到120分钟的蚀刻处理，从而在绝缘层(16B)中形成15496个通孔(16H)，每个通孔(16H)连接到第一正面侧金属层(19A)中的各个通孔(19H)(参见图8)。每个通孔(16H)的形状是逐渐变细的，直径从绝缘层(16B)的背面向其正面逐渐变小，背面侧上的开口直径为45μm，而正面侧的开口直径为17μm。
通过这种方式在层状材料(10A)的背面形成了15496个凹孔(10K)，用于以彼此相连的背面侧金属层(17A)中的各个通孔(17H)、绝缘片(11)中的各个通孔(11H)、第一正面侧金属层(19A)中的各个通孔(19H)和绝缘层(16B)中的各个通孔(16H)形成电极结构。
在从层状材料(10A)去除抗蚀膜(12A和13)(其中形成了用于形成电极结构的凹孔(10K))后，通过将层状材料(10A)在45℃下氢氧化钠溶液中浸泡2分钟，以一层厚度为25μm的干抗蚀膜在层状材料(10A)上形成了一层抗蚀膜(12B)，以覆盖第二正面侧金属层(16A)的整个表面，并且在背面侧金属层(17A)的表面形成了一层抗蚀膜(14A)其中形成了15496个有式样的矩形孔(14K)，其尺寸为150μm×60μm，并且连接到背面侧金属层(17A)中的各个通孔(17H)(参见图9)。在抗蚀膜(14A)的形成过程中，通过用一盏高压水银灯以80mJ的紫外光照射进行了曝光处理，并且通过重复两次将层状材料浸入一种由1％的氢氧化钠水溶液构成的显影剂40秒的过程进行了显影处理。
然后将层状材料(10A)浸到包含氨基磺酸镍的电镀槽中，通过用第二正面侧金属层(16A)作为一个电极使层状材料(10A)受到电镀处理，以便将一种金属填充到抗蚀膜(14A)中的各个用于形成电极结构的凹孔(10K)和各个有式样的孔(14K)中，从而形成通过正面电极部件(16)彼此相连的背面电极部件(17)、短路部件(18)和背面侧金属层(17A)(参见图10)。
在将层状材料(10A)(其中在层状材料中以这样的方式形成了正面电极部件(16)、短路部件(18)和背面电极部件(17))浸泡到45℃氢氧化钠溶液中2分钟以便从层状材料(10A)上去除抗蚀膜(12B和14A)后，一层厚度为25μm的干抗蚀膜形成了一层用于蚀刻的有式样的抗蚀膜(14B)，以覆盖背面电极部件(17)(参见图11)。在抗蚀膜(14B)的形成过程中，通过用一盏高压水银灯以80mJ的紫外光照射进行了曝光处理，并且通过重复两次将层状材料浸入一种由1％的氢氧化钠水溶液构成的显影剂40秒的过程进行了显影处理。然后，在50℃条件下以氨蚀刻剂使第二正面侧金属层(16A)和背面侧金属层(17A)受到30秒的蚀刻处理，从而去除整个第二正面侧金属层(16A)以及背面侧金属层(17A)的暴露部分，以便将背面电极部件(17)彼此分开(参见图12)。
然后在60℃条件下用肼蚀刻剂使绝缘层(16B)受到120分钟的蚀刻处理以去除绝缘层(16B)以及抗蚀膜(14B)，从而暴露正面电极部件(16)、第一正面侧金属层(19A)和背面电极部件(17)(参见图13)。然后一层厚度为25μm的干抗蚀膜形成一层有式样的抗蚀膜(12C)，以覆盖正面电极部件(16)和第一正面侧金属层(17A)中将变成支撑部件(19)的部分，并且形成一层抗蚀膜(14C)以覆盖绝缘片的背面和所有背面电极部件(17)(参见图14)。在抗蚀膜(12C)的形成过程中，通过用一盏高压水银灯以80mJ的紫外光照射进行了曝光处理，并且通过重复两次将层状材料浸入一种由1％的氢氧化钠水溶液构成的显影剂40秒的过程进行了显影处理。然后，在50℃条件下以氯化铁蚀刻剂使第一正面侧金属层(19A)受到30秒的蚀刻处理，从而形成圆盘环状支撑部件(19)，每个支撑部件(19)从正面电极部件(16)的一个底端部分的外表面向外径向地并沿着绝缘片(11)的正面延伸，从而形成了电极结构(15)(参见图15)。
然后从正面电极部件(16)和支撑部件(19)上去除抗蚀膜(12C)，并且从绝缘片(11)的背面和背面电极部件(17)上去除抗蚀膜(14C)，从而产生了一个根据本发明的片状连接器(10)(参见图1)。
这样获得的片状连接器(10)具有以下特点：绝缘片(11)的厚度d为12.5μm，每个电极结构(15)中的正面电极部件(16)是截锥形，其底端直径R1为45μm，其尖端直径R2为17μm，其凸出高度h为25μm，短路部件(18)的形状是截锥形，其正面侧上的一端的直径R3为45μm，背面侧的另一端的直径R4为60μm，背面电极部件(17)的形状是矩形扁平板形，其宽度(直径R5)为60μm，其长度为150μm，其厚度D2为30μm，支撑部件(19)是圆环板形，其外径R6为50μm，其厚度D1为5μm。
通过这种方式总共生产了5个片状连接器。这些片状连接器被称为“片状连接器M(1-1)”至“片状连接器M(1-5)”。
[各向异性导电连接器的生产]
(1)磁性核心粒子的准备：
通过以下方式用商业上可利用的镍粒子(Westaim公司的产品“FC1000”)准备磁性核心粒子。
采用Nisshin工程有限公司制造的一种空气分级器“涡轮分级器TC-15N”在以下条件下对2kg镍粒子进行分级：比重为8.9、空气流为2.5立方米/分，转子转速为1600rpm、分级点为25μm，镍粒子的进给率为16g/分，从而收集了1.8kg的镍粒子，然后在以下条件下对1.8kg的镍粒子进一步分级：比重为8.9、空气流量为2.5m3/分，转子转速为3000rpm、分级点为10μm，镍粒子的进给率为14g/分，以收集1.5kg的镍粒子。
然后采用Tsutsui Rikagaku Kiki K.K.制造的一种声分级器“SW-20AT型”进一步对通过空气分级器分级的120g镍粒子进行分级。具体地，4个直径均为200mm并且开口直径分别为25μm、20μm、16μm和8μm的筛子按此顺序从上往下彼此叠加。每个筛子装有10g直径为2mm的陶瓷球，并且20g镍粒子被放置在最上面的筛子(开口直径：25μm)以便在55Hz下12分钟和125Hz下15分钟的条件对它们进行分级，从而收集到了在最下面的筛子(开口直径：8μm)上捕捉到的镍粒子。此过程总共重复25次，从而准备了110g磁性核心粒子。
这样获得的磁性核心粒子的数字平均粒子直径为10μm，粒子直径变化系数为10％，BET特定表面积为0.2×103m2/kg，而饱和磁化值为0.5Wb/m2。
磁性核心粒子被称为“磁性核心粒子[A]”。
[2]导电粒子的准备：
将100g磁性核心粒子[A]倾倒到一个粉末镀层装置的处理导管中，并且进一步添加2L的0.32N盐酸。搅动产生的混合物以获得包含磁性核心粒子[A]的浆液。在常温下搅动此浆液30分钟，从而进行磁性核心粒子[A]的酸处理。然后，将这样处理后的浆液静置1分钟以沉淀磁性核心粒子[A]，并且去除上层清液。
向经过酸处理的磁性核心粒子[A]添加2L纯净水，并且在常温下搅动混合物2分钟。然后将混合物静置1分钟以沉淀磁性核心粒子[A]，并且去除上层清液。再重复此过程两次，从而对磁性核心粒子[A]进行了清洗处理。
向经过酸处理和清洗处理的磁性核心粒子[A]添加2L以20g/L的比率包含金的金电镀溶液。将处理导管的温度升高到90℃并搅动其中包含的物质，从而准备一份浆液。在此状态下搅动浆液的过程中，磁性核心粒子[A]受到金置换电镀。然后，在使浆液冷却的同时静置浆液，从而沉淀粒子，并且去除上层清液以准备导电粒子。
向这样获得的导电粒子添加2L纯净水，并且在常温下搅动混合物2分钟。然后静置混合物1分钟以沉淀导电粒子，并且去除上层清液。再重复进行此过程两次，然后向粒子添加2L加热到90℃的纯净水，并且搅动混合物。通过滤纸过滤产生的浆液以收集导电粒子。在一个设置为90℃干燥器中干燥这样获得的导电粒子。
这样获得的导电粒子的数字平均粒子直径为12μm，BET特定表面积为0.15×103m2/kg，(形成镀层的金的质量/导电粒子的总质量)的值为0.3。
导电粒子被称为“导电粒子(a)”。
(3)框架板的生产：
根据图47和48所示的构造在以下条件下生产一块框架板(31)，其直径为8英寸，对应于上述测试晶片W1中的待查电极的各个区域形成了596个开口。
此框架板(31)的一种材料为柯伐合金(线性热膨胀系数：5×10-6/K)，其厚度为60μm。
每个开口(32)的尺寸为横向(图47和48中的左右方向)1800μm，纵向(图47和48中的上下方向)600μm。
在纵向相邻的开口(32)之间的中央位置形成了一个进气孔(33)，其直径为1000μm。
(4)各向异性导电片的模塑材料的准备：
向100份重量的加成型液体硅树脂橡胶添加了30份重量的导电粒子[a]以混合它们。然后，通过减压使产生的混合物受到去沫处理，从而准备了各向异性导电片的模塑材料。
在上述过程中，采用的加成型液体硅树脂橡胶是双组分型，它由粘度均为250Pa·S的液体A和液体B构成。其硫化产物的压缩形变为5％，硬度计A硬度为32，抗拉伸强度为25kN/m。
通过以下方式测量加成型液体硅树脂橡胶及其硫化产物的属性。
(i)加成型液体硅树脂橡胶的粘度是在23±2℃下用一个Brookfield型粘度计测量的值。
(ii)硫化硅树橡胶的压缩形变是以以下方式测量的。
搅动双组分型液体硅树脂橡胶中的液体A和液体B，并且按比例混合使两种液体的量相等。在将混合物倒进一个模子并且通过降压使其受到去沫处理后，在120℃的条件下使混合物受到30分钟的硫化处理，从而形成一个柱状体，它由硅树脂橡胶的硫化产物构成，其厚度为12.7mm，直径为39mm。在200℃条件下对此柱状体进行4小时的后期硫化。将以这种方式获得的柱状体作为样本，根据JIS K 6249测量150±2℃下的压缩形变。
(iii)通过以下方式测量硫化硅树脂橡胶的抗拉伸强度。
在与第(ii)项相同的条件下进行加成型液体硅树脂橡胶的硫化处理和后期硫化，以形成一块厚度为2.5mm的片。通过冲压此片产生月牙型样本，以便根据JIS K 6249在23±2℃下测量其抗拉伸强度。
(iv)通过将一块层状材料作为样本并根据JIS K 6249在23±2℃下测量一个值来确定硬度计A硬度，其中层状材料是通过使5块片子相互堆叠获得的，其中所述的5块片子是以与第(iii)项中相同的方式产生。
(5)各向异性导电连接器的生产：
根据日本专利申请公开号2002-324600中描述的过程用第(1)项中生产的框架板(31)和第(4)项中准备的模塑材料来形成596个具有图42所示的结构的各向异性导电片(35)，其排列方式为接近框架板(31)中的各个开口，并且固定到框架板(31)的各个开口边缘并且被开口边缘所支撑，以形成一个各向异性导电连接器。在用电磁石施加2T的磁场的同时，在100℃条件下对模塑材料层进行1小时的硫化处理。
以下将具体说明产生的各向异性导电片(35)。每块各向异性导电片(35)的尺寸为横向2500μm以及纵向1400μm，26个导电部件(36)以120μm的间隔分2行(一行中的导电部件数目：13；纵向相邻的导电部件之间的间隙：450μm)横向排列。对于每个导电部件(36)，其尺寸为横向60μm，纵向200μm，厚度150μm，凸出部分(38)的凸出高度为25μm，而绝缘部件(37)的厚度为100μm。在位于横向最外侧的导电部件(36)和框架板的开口边缘之间安排了非连接导电部件。每个非连接导电部件的尺寸为横向80μm，纵向300μm，厚度150μm。
研究了每个各向异性导电片(35)中的导电部件(36)中包含的导电粒子的量。其结果是所有导电部件(36)中按体积分数算的容量约为30％。
产生的各向异性导电连接器被称为“各向异性导电连接器C1”。
(6)检查电路板的生产：
用氧化铝陶瓷(线性热膨胀系数：4.8×10-6/K)作为板材料来生产一块检查电路(20)，其中形成了检查电极(21)，其式样对应于测试晶片W1中待查电极的式样。此检查电路板(20)的总尺寸为30cm×30cm，并且是矩形的。它的每个检查电极的尺寸为横向60μm以及纵向200μm。产生的检查电路板被称为“检查电路板T1”。
(7)连接稳定性测试：
通过以下方式使片状连接器M(1-1)至片状连接器M(1-5)分别受到一个连接稳定性测试。
将测试晶片W1安放在一张测试台上，将片状连接器对准安放在测试晶片W1的表面上，对准方式为它的各个正面电极部件位于测试晶片W1的待测电极上，并且将各向异性导电连接器C1对准安放在此片状连接器上，对准方式为它的各个导电部件位于片状连接器的背面电极部件上。将检查电路板T1对准安放在此各向异性导电连接器上，对准方式为它的各个检查电极位于各向异性导电连接器的导电部件上。此外，在12.4kg(加到各向异性导电连接器的各个导电部件的负载：平均0.8g)负载下对检查电路板T1向下加压。
对于测试电路板T1中的15496个检查电极，在室温下(25℃)连续测量每两个通过各向异性导电连接器C1、片状连接器和测试晶片W1彼此电连接的检查电极之间的电阻，并且将测得的电阻值的一半记录为检查电路板T1的一个检查电极和测试晶片W1的一个待测电极之间的电阻(以下称为“导电电阻”)，以找到导电电阻低于1Ω测量点对所有测量点的比率。
此外，用与上述方式相同的方式找到导电电阻低于1Ω的测量点对所有测量点的比率，只不过加到检查电路板T1的负载从12.4kg变为31kg(加到各向异性导电连接器的每个导电部件的负载：平均为2g)。
结果如表1所示。
(8)耐用度测试：
通过以下方式使片状连接器M(1-1)、片状连接器M(1-2)和片状连接器M(1-4)分别受到一个耐用性测试。
将测试晶片W1安放在一张测试台上，其上装备有一个电加热器，将一个片状连接器对准安放在测试晶片W1的表面，对准方式为它的各个正面电极部件位于测试晶片W1的待测电极上，并且将各向异性连接器C1对准安放在此片状连接器上，对准方式为它的各个导电部件位于片状连接器的背面电极部件上。将检查电路板T1对准安放在此各向异性导电连接器上，对准方式为它的各个检查电极位于各向异性导电连接器的导电部件上。此外，在31kg的负载(加到各向异性导电连接器的每个导电部件的负载：平均为2g)下对检查电路板T1向下加压。然后在将测试台加热到85℃后，测试台的温度变得稳定，连续测量检查电路板T1中的15496个检查电极中每两个通过各向异性导电连接器C1、片状连接器和测试晶片W1彼此电连接的检查电极之间的电阻，并且将测得的电阻值的一半记录为检查电路板T1的一个检查电极和测试晶片W1的一个待测电极之间的电阻(以下称为“导电电阻”)，以便对测量点数目进行计数，其中在所述测量点上导电电阻等于或高于1Ω。在此状态下保持30秒后，在保持测试台的温度为85℃的同时解除对检查电路板T1的加压，并且检查电路板T1在此状态下保持30秒。此过程被视为一个周期，该周期总共重复50000次。
结果如表2所示。
在完成上述耐用性测试后，分别观察片状连接器M(1-1)、片状连接器M(1-2)和片状连接器M(1-4)。结果确认没有电极结构从绝缘片上脱落，因此这些片状连接器具有高耐用性。
<比较例1>
以与例1中相同的方式生产了一个片状连接器，只不过通过蚀刻处理去除整个第一正面侧金属层，从而在片状连接器的生产过程中不形成支撑部件。
这样获得的片状连接器具有以下特点：绝缘片的厚度为12.5μm，每个电极结构中的正面电极部件的形状为截锥形，其一个底端的直径为45μm，其一个尖端的直径为17μm，其凸出高度为25μm，短路部件的形状为截锥形，其正面侧一端的直径为45μm，背面侧的另一端的直径为60μm，背面电极部件的形状为矩形扁平板形，其宽度为60μm，其长度为150μm，厚度为30μm。
通过这种方式总共生产了5个片状连接器。这些片状连接器被称为“片状连接器M(2-1)”至“片状连接器M(2-5)”。
通过与例1中相同的方式使片状连接器M(2-1)至片状连接器M(2-5)受到连接稳定性测试。结果如表1所示。
通过与例1中相同的方式使片状连接器M(2-1)和片状连接器M(2-3)受到耐用性测试。结果如表2所示。
在完成耐用性测试后，分别观察片状连接器M(2-1)和片状连接器M(2-3)。结果发现片状连接器M(2-1)中的15496个电极结构中有52个电极结构从绝缘片上脱落，而片状连接器M(2-3)中的15496个电极结构中有16个电极结构从绝缘片上脱落。
<比较例2>
根据图50所示的过程通过以下方式生产了一个片状连接器。
通过将一层厚度为5μm的铜层层压在一块由聚酰亚胺构成且厚度为12.5μm的绝缘片的一个表面提供一种层状材料，并且通过使绝缘片受到激光加工在层状材料的绝缘片中形成15496个通孔，每个通孔沿绝缘片的厚度方向延伸，且其直径为30μm，其式样对应于测试晶片W1的待查电极的式样。然后使此层状材料受到照相平版处理以及用镍进行的电镀处理，从而在绝缘片中的通孔中形成整体地连接到铜层的短路部件，同时在绝缘片的正面上形成整体地连接到各短路部件的凸出的正面电极部件。每个正面电极部件的一个底端的直径为70μm，并且从绝缘片的表面凸出的高度为20μm的。然后使层状材料的铜层受到光蚀刻处理以去除其一部分，从而形成矩形背面电极部件，其尺寸为60μm×150μm。此外，使正面电极部件和背面电极部件受到镀金处理，从而形成电极结构，这样就产生了一个片状连接器。
通过这种方式，总共生产5个片状连接器。这些片状连接器被称为“片状连接器M(3-1)”至“片状连接器M(3-5)”。
通过与例1相同的方式使片状连接器M(3-1)至片状连接器M(3-5)受到连接稳定性测试。结果如表1所示。
通过与例1相同的方式使片状连接器M(3-1)、片状连接器M(3-2)和片状连接器M(3-4)受到耐用性测试。结果如表2所示。
[表1]
             导电电阻低于1Ω的测量点对所有测量点的比率(％)
  负载：12.4kg   负载：31kg
例1   片状连接器M(1-1)   100   100
  片状连接器M(1-2)   100   100
  片状连接器M(1-3)   100   100
  片状连接器M(1-4)   100   100
  片状连接器M(1-5)   100   100
比较例1   片状连接器M(2-1)   100   100
  片状连接器M(2-2)   96   96
  片状连接器M(2-3)   100   100
  片状连接器M(2-4)   99   99
  片状连接器M(2-5)   92   95
比较例2   片状连接器M(3-1)   89   100
  片状连接器M(3-2)   93   100
  片状连接器M(3-3)   77   97
  片状连接器M(3-4)   90   100
  片状连接器M(3-5)   88   97
[表2]
             导电电阻等于或高于1Ω的点的数目(计数)
  周期数   1次  1,000次  5,000次   10,000次   30,000次   50,000次
  例1   片状连接器M(1-1)   0   0  0   0   0   0
  片状连接器M(1-2)   0   0  0   0   0   0
  片状连接器M(1-4)   0   0  0   0   0   0
 比较例1   片状连接器M(2-1)   0   2  4   38   74   128
  片状连接器M(2-3)   0   0  2   18   32   42
 比较例2   片状连接器M(3-1)   0   0  0   0   0   0
  片状连接器M(3-2)   0   0  0   0   4   16
  片状连接器M(3-4)   0   0  0   2   2   8
正如可从表1所示的结果所看到的，确认了根据例1的片状连接器M(1-1)至片状连接器M(1-5)，可确保实现通过一个小负载到所有待测电极的稳定的电连接状态。
还确认了根据例1所述的片状连接器具有高耐用性。
权利要求书
(按照条约第19条的修改)
电路板上的各向异性导电连接器，以及安排在所述的各向异性导电连接器上的根据权利要求1至7中任何一条所述的片状连接器。
15、根据权利要求14所述的电路检查探头，其中所述的作为检查对象的电路设备是一块其上形成了大量集成电路的晶片，并且所述的各向异性导电连接器具有一块框架板，其上具有对应于多个电极区域形成的多个开口，所述电极区域中安排了所述的作为检查对象的晶片上形成的全部或部分集成电路中的多个待查电极，并且多个各向异性导电片被安排为靠近框架板中的各开口。
16、一种电路设备检查装置，所述电路设备检查装置包括根据权利要求14或15所述的电路检查探头。
17.(新)一种电路检查探头，用于实施作为检查对象的一个电路设备和一个测试器之间的电连接，所述电路检查探头包括：
一块检查电路板，在所述检查电路板上根据作为检查对象的一个电路设备的多个待查电极形成了多个检查电极，一个安排在所述检查电路板上的各向异性导电连接器，以及安排在所述的各向异性导电连接器上的根据权利要求8至13中任何一条所述的生产过程生产的片状连接器。
18.(新)根据权利要求17所述的电路检查探头，其中所述的作为检查对象的电路设备是一块其上形成了大量集成电路的晶片，并且所述的各向异性导电连接器具有一块框架板，其上具有对应于多个电极区域形成的多个开口，所述多个电极区域中安排了所述的作为检查对象的晶片上形成的全部或部分集成电路中的多个待查电极，并且多个各向异性导电片被安排为靠近框架板中的各开口。
19.(新)一种电路设备检查装置，所述电路设备检查装置包括根据权利要求17或18所述的电路检查探头。

Claims (16)

1、一种片状连接器，包括一块绝缘片和多个电极结构，所述多个电极结构安排在绝缘片上，其状态是在绝缘片的平面方向彼此分离并且沿绝缘片的厚度方向延伸，
其中每个电极结构由一个正面电极部件、一个背面电极部件、一个短路部件和一个支撑部件组成，其中所述的正面电极部件暴露到所述绝缘片的正面并且从所述绝缘片的正面凸出，所述的背面电极部件暴露到所述绝缘片的背面，所述短路部件从所述的正面电极部件的底端沿着所述绝缘片的厚度方向穿过所述绝缘片连续延伸，并且连接到所述的背面电极部件，所述支撑部件从所述的正面电极部件的底端部分沿着所述绝缘片的正面向外连续延伸。
2、根据权利要求1所述的片状连接器，其中所述电极结构中的正面电极部件的形状是从其底端到尖端直径逐渐变小。
3、根据权利要求1或2所述的片状连接器，其中所述电极结构中的正面电极部件的尖端的直径R2与所述的正面电极部件的底端的直径R1的比值R2/R1为0.11至0.55。
4、根据权利要求1至3中任何一条所述的片状连接器，其中所述电极结构中的正面电极部件的凸出高度h与所述的正面电极部件的底端的直径R1的比值h/R1为0.2至3。
5、根据权利要求1至4中任何一条所述的片状连接器，其中所述电极结构中的短路部件的形状为从所述绝缘片的背面到其正面直径逐渐变小。
6、根据权利要求1至5中任何一条所述的片状连接器，其中所述绝缘片是由一种可蚀刻的聚合材料构成的。
7、根据权利要求6所述的片状连接器，其中绝缘片由聚酰亚胺构成的。
8、一种生产权利要求1所述的片状连接器的过程，所述过程包括以下步骤：
提供一种层状材料，所述层状材料至少具有一块绝缘片、形成在所述绝缘片的正面的一个第一正面侧金属层、形成在所述的第一正面侧金属层的表面上的一层绝缘层以及形成在所述绝缘层表面的一个第二正面侧金属层，
形成多个通孔，所述多个通孔连接到所述层状材料中的所述绝缘片、第一正面侧金属层和绝缘层中的每一个，并且沿所述层状材料的厚度方向延伸，从而在所述层状材料的背面形成多个凹孔，用于形成多个电极结构，
通过用所述的第二正面侧金属层作为一个电极使所述层状材料受到一个电镀处理，从而将一种金属填充到所述的用于形成多个电极结构的多个凹孔中，以形成多个正面电极部件和多个短路部件，其中所述的正面电极部件从所述绝缘片的正面凸出，所述短路部件从所述的正面电极部件的各个底端沿所述绝缘片的厚度方向穿过所述绝缘片连续延伸，
从所述层状材料上去除所述的第二正面侧金属层和绝缘层，从而暴露所述的正面电极部件和所述的第一正面侧金属层，然后
使所述的第一正面侧金属层受到一个蚀刻处理，从而形成多个支撑部件，所述支撑部件从所述的正面电极部件的底端部分沿着所述绝缘片的正面向外连续延伸。
9、根据权利要求8所述的片状连接器生产过程，其中在所述的用于形成电极结构的凹孔中的所述绝缘层中的通孔形成为以下形状：从所述绝缘层的背面到其正面直径逐渐变小。
10、根据权利要求9所述的片状连接器生产过程，其中将一种其绝缘层是由一种可蚀刻的聚合材料形成的层状材料用作所述层状材料，并且所述的用于形成电极结构的凹孔中的所述绝缘层中的通孔是通过蚀刻形成的。
11、根据权利要求8至10中任何一条所述的片状连接器生产过程，其中在所述的用于形成电极结构的凹孔中的所述绝缘片中的通孔形成为以下形状：从所述绝缘片的背面到其正面直径逐渐变小。
12、根据权利要求11所述的片状连接器生产过程，其中将其绝缘片是由一种可蚀刻的聚合材料形成的层状材料用作所述层状材料，并且所述的用于形成电极结构的凹孔中的所述绝缘片中的通孔是通过蚀刻形成的。
13、一种生产权利要求1所述的片状连接器的过程，所述过程包括以下步骤：
提供一种层状材料，所述层状材料至少具有一块绝缘片、形成在所述绝缘片的正面的一个正面侧金属层、形成在所述的正面侧金属层表面上的一层绝缘层以及形成在所述绝缘片的背面的一个背面侧金属层，
形成多个通孔，所述多个通孔连接到所述层状材料中的所述绝缘层、正面侧金属层和绝缘片中的每一个，并且沿所述层状材料的厚度方向延伸，从而在所述层状材料的正面形成多个凹孔，用于形成多个电极结构，
通过用所述的背面侧金属层作为一个电极使所述层状材料受到一个电镀处理，从而将一种金属填充到所述的用于形成多个电极结构的多个凹孔中，以形成多个正面电极部件和多个短路部件，其中所述的正面电极部件从所述绝缘片的正面凸出，所述短路部件从所述的正面电极部件的各个底端沿所述绝缘片的厚度方向穿过所述绝缘片连续延伸，
从所述层状材料上去除所述绝缘层，从而暴露所述的多个正面电极部件和所述的正面侧金属层，然后
使所述的正面侧金属层受到一个蚀刻处理，从而形成多个支撑部件，所述支撑部件从所述的正面电极部件的底端部分沿着所述绝缘片的正面向外连续延伸。
14、一种电路检查探头，用于实施作为被检查对象的一个电路设备和一个测试器之间的电连接，所述电路检查探头包括：
一块检查电路板，在所述检查电路板上根据作为检查对象的一个电路设备的多个待查电极形成了多个检查电极，一个安排在所述检查电路板上的各向异性导电连接器，以及安排在所述的各向异性导电连接器上的根据权利要求1至7中任何一条所述的片状连接器。
15、根据权利要求14所述的电路检查探头，其中所述的作为检查对象的电路设备是一块其上形成了大量集成电路的晶片，并且所述的各向异性导电连接器具有一块框架板，其上具有对应于多个电极区域形成的多个开口，所述电极区域中安排了所述的作为检查对象的晶片上形成的全部或部分集成电路中的多个待查电极，并且多个各向异性导电片被安排为靠近框架板中的各开口。
16、一种电路设备检查装置，所述电路设备检查装置包括根据权利要求14或15所述的电路检查探头。
CNA2003801005604A 2002-10-28 2003-10-24 片状连接器及其生产过程和应用 Pending CN1692283A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP313457/2002 2002-10-28
JP2002313457 2002-10-28
PCT/JP2003/013618 WO2004038433A1 (ja) 2002-10-28 2003-10-24 シート状コネクターおよびその製造方法並びにその応用

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1692283A true CN1692283A (zh) 2005-11-02

Family

ID=32171165

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2003801005604A Pending CN1692283A (zh) 2002-10-28 2003-10-24 片状连接器及其生产过程和应用

Country Status (10)

Country Link
US (1) US7318729B2 (zh)
EP (1) EP1503216B1 (zh)
JP (3) JP2004172588A (zh)
KR (1) KR100595787B1 (zh)
CN (1) CN1692283A (zh)
AT (1) ATE464569T1 (zh)
AU (1) AU2003275649A1 (zh)
DE (1) DE60332106D1 (zh)
TW (1) TWI250600B (zh)
WO (1) WO2004038433A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102273016A (zh) * 2009-01-15 2011-12-07 保力马科技株式会社 连接器

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070040245A1 (en) * 2003-11-17 2007-02-22 Jsr Corporation Anisotropic conductive sheet, manufacturing method thereof, and product using the same
WO2005103734A1 (ja) 2004-04-27 2005-11-03 Jsr Corporation シート状プローブおよびその製造方法並びにその応用
CN100468065C (zh) * 2004-05-19 2009-03-11 Jsr株式会社 片状探针及其制造方法和应用
JP4618633B2 (ja) * 2004-09-01 2011-01-26 Ｈｏｙａ株式会社 プローブ部材及びその製造方法
JP4852236B2 (ja) * 2004-10-08 2012-01-11 パナソニック株式会社 バンプ付きメンブレンおよびその製造方法およびウエハの検査方法
TW200619635A (en) * 2004-11-11 2006-06-16 Jsr Corp Sheet-like probe, its manufacturing method, and its application
WO2006051880A1 (ja) * 2004-11-11 2006-05-18 Jsr Corporation シート状プローブおよびプローブカードならびにウエハの検査方法
FI20041525A (fi) * 2004-11-26 2006-03-17 Imbera Electronics Oy Elektroniikkamoduuli ja menetelmä sen valmistamiseksi
JP2006194620A (ja) * 2005-01-11 2006-07-27 Tokyo Electron Ltd プローブカード及び検査用接触構造体
CN101180545A (zh) * 2005-05-19 2008-05-14 Jsr株式会社 晶片检查用片状探测器及其应用
US7052290B1 (en) * 2005-08-10 2006-05-30 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Low profile connector for electronic interface modules
EP1936387A4 (en) 2005-10-11 2011-10-05 Jsr Corp ANISOTROPIC CONDUCTOR CONNECTOR AND CIRCUIT DEVICE INSPECTION EQUIPMENT
JP4383487B2 (ja) * 2007-03-19 2009-12-16 古河電気工業株式会社 金属張積層体及び金属張積層体の製造方法
WO2008156162A1 (ja) * 2007-06-20 2008-12-24 Jsr Corporation ウエハ検査用プローブ部材およびプローブカード
US8097946B2 (en) * 2007-10-31 2012-01-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Device mounting board, semiconductor module, and mobile device
JP5253972B2 (ja) * 2008-04-28 2013-07-31 富士フイルム株式会社 構造体およびその製造方法
JP5373809B2 (ja) 2008-10-21 2013-12-18 株式会社旭電化研究所 メスコネクタ、それに組付けるオスコネクタ、それらを用いた電気・電子機器
JP2010153263A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 異方性導電シート、その製造方法、基板体、検査装置、部品モジュール、および電子製品
JP5435484B2 (ja) * 2010-03-24 2014-03-05 富士フイルム株式会社 金属充填微細構造体の製造方法
KR101688006B1 (ko) * 2010-11-26 2016-12-20 삼성전자주식회사 반도체 장치
CN104022378B (zh) * 2014-04-24 2016-04-27 东莞市宙辉电子科技有限公司 一种灯具连接装置的改良结构
KR102361639B1 (ko) 2017-07-10 2022-02-10 삼성전자주식회사 유니버설 테스트 소켓, 반도체 테스트 장비, 및 반도체 장치의 테스트 방법
IT201700100522A1 (it) * 2017-09-07 2019-03-07 Technoprobe Spa Elemento di interfaccia per un’apparecchiatura di test di dispositivi elettronici e relativo metodo di fabbricazione
JP2020027725A (ja) * 2018-08-10 2020-02-20 信越ポリマー株式会社 電気コネクター及びその製造方法
WO2020105693A1 (ja) * 2018-11-21 2020-05-28 三井化学株式会社 異方導電性シート、異方導電性複合シート、異方導電性シートセット、電気検査装置および電気検査方法
KR102280651B1 (ko) * 2018-12-26 2021-07-23 주식회사 아이에스시 전기접속용 커넥터 및 그 제조 방법
US11450626B2 (en) * 2020-08-25 2022-09-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor package
US11714105B2 (en) * 2021-03-30 2023-08-01 Enplas Corporation Socket and inspection socket
EP4385061A1 (en) * 2022-06-02 2024-06-19 Atlas Magnetics Company Method and apparatus for reducing conductive metal thermal expansion while maintaining high-frequency performance in multiple-level semiconductor packaging

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5207585A (en) 1990-10-31 1993-05-04 International Business Machines Corporation Thin interface pellicle for dense arrays of electrical interconnects
KR0140034B1 (ko) * 1993-12-16 1998-07-15 모리시다 요이치 반도체 웨이퍼 수납기, 반도체 웨이퍼의 검사용 집적회로 단자와 프로브 단자와의 접속방법 및 그 장치, 반도체 집적회로의 검사방법, 프로브카드 및 그 제조방법
US6064217A (en) 1993-12-23 2000-05-16 Epi Technologies, Inc. Fine pitch contact device employing a compliant conductive polymer bump
JPH07288271A (ja) * 1994-04-19 1995-10-31 Aging Tesuta Kaihatsu Kyodo Kumiai 集積回路用測定電極
US5531021A (en) * 1994-12-30 1996-07-02 Intel Corporation Method of making solder shape array package
JP2984205B2 (ja) * 1996-01-10 1999-11-29 日東電工株式会社 異方導電フィルム
JPH1123615A (ja) 1997-05-09 1999-01-29 Hitachi Ltd 接続装置および検査システム
WO2000011755A1 (de) 1998-08-17 2000-03-02 Infineon Technologies Ag Kontaktiervorrichtung, insbesondere zum ankontaktieren von elektrischen bauelementen und schaltungsträgern, sowie verfahren zu deren herstellung
IL128997A (en) * 1999-03-15 2002-12-01 Aprion Digital Ltd Install electrical connection
EP1061608A3 (en) 1999-05-10 2002-10-02 Hirose Electric Co., Ltd. Board to board electrical connectors
JP4288814B2 (ja) 2000-01-28 2009-07-01 凸版印刷株式会社 半導体検査治具及びその製造方法
US6970005B2 (en) 2000-08-24 2005-11-29 Texas Instruments Incorporated Multiple-chip probe and universal tester contact assemblage
ATE494645T1 (de) * 2001-02-09 2011-01-15 Jsr Corp ßANISOTROPER LEITFÄHIGER VERBINDER, HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR UND SONDENGLIEDß
JP3788258B2 (ja) 2001-03-27 2006-06-21 Ｊｓｒ株式会社 異方導電性コネクターおよびその応用製品
US6551112B1 (en) * 2002-03-18 2003-04-22 High Connection Density, Inc. Test and burn-in connector
JP2004031203A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Shin Etsu Polymer Co Ltd 導電接点素子及び電気コネクタ
JP2004259530A (ja) * 2003-02-25 2004-09-16 Shinko Electric Ind Co Ltd 外部接触端子を有する半導体装置及びその使用方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102273016A (zh) * 2009-01-15 2011-12-07 保力马科技株式会社 连接器
CN102273016B (zh) * 2009-01-15 2013-11-06 保力马科技株式会社 连接器

Also Published As

Publication number Publication date
KR100595787B1 (ko) 2006-06-30
JP3800235B2 (ja) 2006-07-26
DE60332106D1 (de) 2010-05-27
TW200423275A (en) 2004-11-01
ATE464569T1 (de) 2010-04-15
JP2004172588A (ja) 2004-06-17
JP2005108861A (ja) 2005-04-21
JP3649239B2 (ja) 2005-05-18
KR20050040863A (ko) 2005-05-03
EP1503216B1 (en) 2010-04-14
AU2003275649A1 (en) 2004-05-13
US20050215086A1 (en) 2005-09-29
JP2004172589A (ja) 2004-06-17
WO2004038433A1 (ja) 2004-05-06
EP1503216A4 (en) 2008-03-26
US7318729B2 (en) 2008-01-15
EP1503216A1 (en) 2005-02-02
TWI250600B (en) 2006-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1692283A (zh) 片状连接器及其生产过程和应用
CN1675756A (zh) 各向异性导电连接器,导电浆料成分,探针元件,和晶片检测仪器及晶片检测方法
CN1229817C (zh) 导电金属颗粒,导电复合金属颗粒及使用其的应用产品
CN1675757A (zh) 各向异性导电连接器,导电浆料成分,探针元件,和晶片检测仪器及晶片检测方法
CN1246932C (zh) 各向异性导电性连接器、其制造方法以及探针构件
CN1224137C (zh) 测量电阻用的连接器和用于电路板的电阻测量装置以及测量方法
CN1765032A (zh) 各向异性导电连接器、导电膏组分、探针部件、以及晶片检查装置和晶片检查方法
CN1957259A (zh) 片状探针及其制造方法以及其应用
CN1675755A (zh) 各向异性导电连接器,探针元件,和晶片检测仪器及晶片检测方法
CN1957260A (zh) 片状探针及其制造方法和应用
CN1806368A (zh) 各向异性导电连接器装置及其制造方法以及电路装置的检查装置
CN1806178A (zh) 各向异性导电性连接器以及晶片检测装置
CN1701468A (zh) 各向异性导电连接器及其生产方法和电路器件的检查设备
CN1788202A (zh) 片状探头及其制造方法和应用
CN1639919A (zh) 各向异性导电连接器及生产工艺和电路器件的检验设备
CN1290120C (zh) 导电胶、导电薄膜、电镀方法和精细金属元件的制造方法
CN1685568A (zh) 各向异性导电片及其生产方法和应用
CN1764844A (zh) 测量电阻的连接器、连接器设备及其生产方法及电路板的电阻测量装置和方法
CN1774838A (zh) 各向异性导电连接器和电路装置的电气检查装置
CN1193961C (zh) 含碳的氮化铝烧结体,用于半导体制造/检测设备的基材
CN1750244A (zh) 线路板、其制造方法以及半导体器件
CN1757139A (zh) 各向异性导电薄片及其制造工艺,适配器装置及其制造工艺,和用于电路装置的电气检查设备
CN1052345C (zh) 温差发电装置的制造方法
CN1480981A (zh) 电子元件及其制造方法
CN1922493A (zh) 用于电路板检查的适配器和用于电路板的检查装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication