CN1229817C - 导电金属颗粒,导电复合金属颗粒及使用其的应用产品 - Google Patents

导电金属颗粒,导电复合金属颗粒及使用其的应用产品 Download PDF

Info

Publication number
CN1229817C
CN1229817C CNB011381906A CN01138190A CN1229817C CN 1229817 C CN1229817 C CN 1229817C CN B011381906 A CNB011381906 A CN B011381906A CN 01138190 A CN01138190 A CN 01138190A CN 1229817 C CN1229817 C CN 1229817C
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal particles
conducting
conductive
composite metal
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB011381906A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1362712A (zh
Inventor
小久保辉一
柳通直树
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Isc Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=18781760&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN1229817(C) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Publication of CN1362712A publication Critical patent/CN1362712A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1229817C publication Critical patent/CN1229817C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/32Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H05K1/095Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks for polymer thick films, i.e. having a permanent organic polymeric binder
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/02Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
    • H05K7/10Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets
    • H05K7/1053Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having interior leads
    • H05K7/1061Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having interior leads co-operating by abutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01016Sulfur [S]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01024Chromium [Cr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01025Manganese [Mn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01027Cobalt [Co]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01043Technetium [Tc]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01045Rhodium [Rh]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01046Palladium [Pd]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0134Quaternary Alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/0665Epoxy resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12042LASER
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19042Component type being an inductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/50Fixed connections
    • H01R12/51Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/52Fixed connections for rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4053Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
    • H05K3/4069Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in organic insulating substrates
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12181Composite powder [e.g., coated, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
    • Y10T428/2991Coated

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

本发明提供导电金属颗粒和导电复合金属颗粒,通过其可提供具有稳定导电率的导电材料,以及其应用产品。该导电金属颗粒具有5-100μm的数均颗粒直径,0.01×103-0.7×103m2/kg的BET比表面积,最多0.1%重量的硫元素含量,最多0.5%重量的氧元素含量,最多0.1%重量的碳元素含量。导电复合金属颗粒可通过用高导电金属涂覆导电金属颗粒表面而获得。

Description

导电金属颗粒,导电复合金属颗粒 及使用其的应用产品
发明领域:
本发明涉及一种导电金属颗粒,导电复合金属颗粒及使用这些金属颗粒的应用产品。
背景技术的描述:
在电气和电子领域中,在绝缘有机材料中包含导电颗粒的导电材料迄今已经广泛地用于获得在电路器件之间的电气连接和电路器件中布线之间的电气连接。
在半导体集成电路板或类似物上进行电子部件的安装中,如面式安装和COB(板上芯片),可用于以高密度将电子部件安装到印刷电路板。在该安装方法中,可使用以含导电颗粒的膏或薄膜形式的导电粘接剂(见日本专利申请公开JP84716/1985,JP231889/1988,JP259766/1992和JP75250/1993等)。
在弹性体中含有导电颗粒的各向异性导电片可用作连接器,用以获得电路器件之间的电气连接,如印刷电路板和无引线芯片载体,液晶屏或类似物。还有,在电路器件如印刷电路板或半导体集成电路的电气检查中,可以在待检查电路器件的电极区域,其是检查目标,与用以检查的电路板检查的电极区域之间插入各向异性导电片,以便获得形成在待检查电路器件表面上的待检查电极与形成在用于检查的电路板表面上用于检查电极之间电气连接。
对于这种各向异性导电片,迄今已经知道有各种结构形式。例如,通过将金属颗粒均匀分散在弹性体中所获得的结构形式(见日本专利申请公开JP93393/1976),通过将导电磁性材料颗粒不均匀地分布于合成橡胶中以形成在其厚度方向延伸的许多导电通路形成部分和用以使其相互绝缘的绝缘部分所获得的结构形式(见日本专利申请公开JP147772/1978等),和具有在导电通路形成部分的表面与绝缘部分之间所限定的电平差的结构形式(见日本专利申请公开JP250906/1986)。
还有,在双面印刷电路板(其中在绝缘层的两面上形成有布线层)和多层印刷电路板(其中交替层叠有许多绝缘层和许多布线层)中,在近年来已经使用在可固化树脂中含有导电颗粒的柱状导电材料,以代替电镀通孔(通孔)作为布线层之间导电连接的手段(见日本专利申请公开JP255982/1996和JP256687/1998等)。由于这样的导电材料可通过填充导电膏组合物进入在绝缘层上所打出的通孔中而形成,该膏组合物中导电颗粒分散在液态热固性树脂中,并使导电膏组合物经受固化处理,因此通过简单步骤获得布线层之间的电气连接,另外,由于没有使用化学产品如镀覆溶液,因此为电路板提供了较高的连接可靠性。
在上述导电材料中,最好采用通过以高导电率和化学稳定性的金电镀金属颗粒(如镍、铜等)表面所获得的复合金属颗粒,作为导电颗粒。
需要该导电颗粒提供具有稳定导电率的导电材料,特别是提供具有高导电率并且其具有高再现性的导电材料。因此,可将平均颗粒直径和颗粒直径分布落入各特定范围的导电颗粒用于导电材料的生产。
然而,人们已经发现,仅仅使用平均颗粒直径和颗粒直径分布落入各特定范围内的导电颗粒不能提供任何具有稳定导电率的导电材料。
发明概要
本发明是基于上述情况而作出的,本发明的第一目的就是提供一种导电金属颗粒和导电复合金属颗粒,通过其可提供具有稳定导电率的导电材料。
本发明的第二目的是提供一种导电膏组合物,其具有高导电率,并且具有高的再现性。
本发明的第三目的是提供一种导电薄板,其具有高导电率和其高再现性。
本发明的第四目的是提供一种电路板,其在布线层之间具有高导电率和其具有高再现性,以及高连接可靠性。
本发明的第五目的是提供一种导电连接结构,其中通过该结构可获得高导电率的电气连接和其高再现性。
本发明的第六目的是提供一种用于电路器件的电气检查装置,提供该装置可以对作为检查目标的电路器件获得高导电率和高再现性的电气连接。
按照本发明,提供一种导电金属颗粒,其具有数均颗粒直径为5-100μm,BET比表面积为0.01×103到0.7×103m2/kg,磁元素含量为最多0.1%重量,氧元素含量为最多0.5%重量,和碳元素含量为最多0.1%重量。
在按照本发明的导电金属颗粒中,颗粒直径的变化系数最好为最多50%。
其饱和磁化强度可最好为至少0.1Wb/m3
按照本发明,还可提供导电复合金属颗粒,其可通过用高导电金属涂覆上述导电金属颗粒的表面而获得。
在按照本发明的导电复合金属颗粒中,高导电金属的涂覆层厚度t最好是至少10nm,其可根据下列数值表达式而计算:
t=[1/(Sw·ρ)]×[N/(1-N)]
其中t是高导电金属涂覆层的厚度(m),Sw是导电金属颗粒的BET比表面积(m2/kg),ρ是高导电金属颗粒的比重(kg/m3),和N是高导电金属涂覆层的重量与导电复合金属颗粒重量的比。
在按照本发明的导电复合金属颗粒中,高导电金属最好是金。
在导电复合金属颗粒的每层表面层部分中,高导电金属的含量最好至少为50%重量。
导电复合金属颗粒的BET比表面积最好为0.01×103到0.7×103m2/kg。
在通过用高导电金属涂覆导电金属颗粒表面所获得的导电复合金属颗粒中,其中导电金属颗粒的饱和磁化强度至少为0.1Wb/m2,按照下列方式所测量的电阻值R最好是最大为1Ω:
电阻值R:
膏组合物可通过将0.6g的导电复合金属颗粒与0.8g的液体橡胶加以混合而制备,膏组合物可设置在一对电极之间,其每个电极具有1mm直径,并设置使其相互相对,间隙为0.5mm,将0.3T的磁场施加到该对电极上,并且将电极对置于该状态下直到电极对之间的电阻值稳定,由此测量此时的电阻值。
按照本发明,进一步提供一种导电膏组合物,其包含上述导电金属颗粒和/或导电复合金属颗粒。
按照本发明,还提供一种导电薄板,其包括在有机聚合物质中的上述导电金属颗粒和/或导电复合金属颗粒。
按照本发明还进一步提供一种电路板,其包括导体,该导体包含在有机聚合物质中的上述导电金属颗粒和/或导电复合金属颗粒。
按本发明还进一步提供一种通过上述导电膏组合物所连接的导电连接结构。
按照本发明还进一步提供一种通过上述导电薄板所连接的导电连接结构。
按照本发明还进一步提供一种用于电路器件的电气检查装置,其包括上述导电薄板,其中通过该导电薄板获得与待检查电路器件检查电极的电气连接。
附图的简要说明
本发明的上述和其他目的、特征和优点将通过下面结合附图而变得更加清楚,其中:
图1是一截面图,其表示用于检测电阻值R装置的结构;
图2是一截面图,其表示按照本发明作为实例的各向异性导电薄板的结构;
图3是一截面图,其表示为制造图2所示各向异性导电薄板所使用的模具;
图4是一截面图,其表示已经在图3所示模具中形成的由导电膏组合物所组成的成片(sheet-forming)材料层的状态;
图5是一截面图,其表示在其厚度方向上对成片材料层施加磁场的状态;
图6是一截面图,其表示按照本发明作为实例的电路板的结构;
图7是一截面图,其表示第二绝缘层形成材料,用以形成图6所示电路板中的第二绝缘层;
图8是一截面图,其表示在第二绝缘层形成材料中已经形成的通孔的状态;
图9是一截面图,其表示在第二绝缘层形成材料中每个通孔中已经形成的短路部分形成材料层的状态;
图10是一截面图,其表示在第二绝缘层形成材料的每侧上已经层叠的金属箔的状态;
图11是一截面图,其表示短路部分形成材料层和第二绝缘层形成材料经受热处理同时对短路部分形成材料层施加磁场的状态;
图12是一截面图,其表示已经形成的第二绝缘层和第二中间层短路部分的状态;
图13是一截面图,其表示在每个薄金属层上形成的抗蚀剂层的状态;
图14是一截面图,其表示已经形成的用以形成中间基层的第一内布线层和第二内布线层的状态;
图15A和15B是截面图,其分别表示用于第一绝缘层的中间材料的结构和用于第三绝缘层的中间材料的结构;
图16是一截面图,其表示按这样的顺序已经层叠的金属箔、用于第一绝缘层的中间材料、中间基层、用于第三绝缘层的中间材料和金属箔的状态;
图17是一截面图,其表示已经形成第一绝缘层、第三绝缘层、第一中间层短路部分和第三中间层短路部分的状态;
图18是一截面图,其表示在每层薄金属层上已经形成的抗蚀剂层的状态;
图19是一截面图,其表示已经形成上侧布线层和下侧布线层的状态;
图20是一截面图,其表示按照本发明作为实例的导电连接结构的结构;
图21是一截面图,其表示按照本发明作为另一实例的导电连接结构的结构;
图22是一截面图,其表示按照本发明作为实例的用于电路器件的电气检查装置主要部分的构成。
优选实施例的详细说明
下面将对本发明的实施例进行详细的说明。
[导电金属颗粒]
按照本发明的导电金属颗粒,其具有数均颗粒直径为5-100μm,最好为10-50μm,更好为10-40μm。在本发明中,导电金属颗粒的数均颗粒直径意指由激光衍射散射法所测量的值。
当数均颗粒直径为至少5μm时,所得各向异性导电薄板在各向异性导电薄板由该导电金属颗粒制成时会很容易在其导电部分上变形。当导电连接结构是用该导电金属颗粒形成时,所得导电连接结构的电气连接会很容易。当另一方面数均颗粒直径最大为100μm时,在各向异性导电薄板是用该导电金属颗粒制成时,在各向异性导电薄板中的精细导电部分会很容易形成。当导电连接结构是用该导电金属颗粒形成时,所得导电连接结构的电气连接会比较稳定,并且其再现性会较好。
按照本发明的导电金属颗粒,其具有的BET比表面积为0.01×103到0.7×103m2/kg,最好是0.02×103到0.5×103m2/kg,更好是0.05×103到0.4×103m2/kg。
当BET比表面至少为0.01×103m2/kg时,该导电金属颗粒的能够电镀区域会足够大。因此,可以在该导电金属颗粒上确实地进行必要的电镀量,由此可获得具有高导电率的颗粒。另外,由于在颗粒之间的接触面积足够大,因此可获得稳定且高的导电率。当另一方面BET比表面积最大为0.7×103m2/kg时,该导电金属颗粒不会变脆,因此在对其施加物理应力时其不会被破坏,并且其可保持稳定且高的导电率。
按照本发明的导电金属颗粒,其具有硫元素的含量最多为0.1%重量,优选为最多0.05%重量,更优选为最多0.01%重量。
按照本发明的导电金属颗粒,其具有氧元素的含量最多为0.5%重量,优选为最多0.1%重量,更优选为最多0.05%重量。
按照本发明的导电金属颗粒,其具有碳元素的含量最多为0.1%重量,优选为最多0.08%重量,更优选为最多0.05%重量。
在本发明中,在导电金属颗粒中的硫元素含量、氧元素含量和碳元素含量分别意指通过将颗粒样本溶解在硝酸水溶液中并将该溶液进行感应式耦合等离子原子发射光谱法(ICP-AES)所获得的值。
当满足上述各条件时,在该导电金属颗粒中杂质的含量是极小的。因此,存在其表面上杂质量也会很小,由此可以确实地进行稳定量的电镜。另外,电镀敷层也不会分离。因此,一定会获得高导电率。
由于硫元素在导电材料生产或其使用过程中在固化处理时会成为催化剂毒物,因此在硫元素含量最多为0.1%重量时在导电材料生产或使用时可确定地进行固化处理。
按照本发明的导电金属颗粒,颗粒直径的变化系数优选为最多50%,更优选为最多40%,还更优选为最多30%,尤其更优选为最多20%。
在本发明中,颗粒直径的变化系数是根据下列表达式所确定的数值:(σ/Dn)×100,其中σ是颗粒直径的标准偏差值,和Dn是颗粒的数均颗粒直径。
当颗粒直径的变化系数最大为50%时,颗粒直径的不均匀度会较低。因此,当各向异性导电薄板是用该导电金属颗粒制成时,可提供在导电部分中导电率分散性窄的各向异性导电薄板。当导电连接结构是由该导电金属颗粒制成时,可提供电气连接状态分散性窄而其重现性良好的导电连接结构。
用以制成按照本发明导电颗粒的金属材料可使用铁、镍、钴、或铜或用该金属涂覆的树脂颗粒,或类似物。最好使用具有饱和磁化强度至少0.1Wb/m2的那些。其饱和磁化强度更优选为0.3Wb/m2,尤其优选是为0.5Wb/m2。作为所述材料的一种特定实例,其可以是铁、镍、钴或其合金。
当饱和磁化强度至少为0.1Wb/m2时,该导电金属颗粒可通过磁场的作用而确定地移动,用以在生产或使用含有导电金属颗粒的各种导电材料时形成导电金属颗粒的链路。
没有特殊的限制加在按照本发明的导电金属颗粒的特定形式上。作为优选形式的颗粒,可以提及的是那些具有一定形状的颗粒,其可以是由通过将许多球形一次颗粒相互连接成一体所获得的二次颗粒组成的形状。
该导电金属颗粒可通过按照现有技术本身公知方法由金属材料形成的颗粒而获得,或通过提供市售金属颗粒、将颗粒进行分类处理并选择满足上述条件如BET比表面积、硫元素含量、氧元素含量和碳元素含量的颗粒而获得。
颗粒的分类处理可以借助于例如分选机如空气分选机或声分选机来进行。
用于分类处理的特定条件可按照导电金属颗粒的预定数均颗粒直径、分选机的类型等而适当地预置。
按照上述导电金属颗粒,足够量的电镀可在颗粒的表面上进行,因为其BET比表面积为0.01×103到0.7×103m2/kg。由于杂质如硫、氧和碳的含量较低,因此由电镀而与金属的附着性较高。因此,具有高导电率的各种导电材料均可通过用高导电金属对其表面电镀而提供。
[导电复合金属颗粒]
按照本发明的导电复合金属颗粒可以通过用高导电金属涂覆上述导电金属颗粒的表面而获得。
这里所使用的术语“高导电金属”意指在0℃下至少具有5×106Ω-1m-1导电率的金属。
对于高导电金属,可以使用金、银、铑、铂、铬等。在这些金属中,最好使用金,因为它具有化学稳定性,并且具有高的导电率。
在按照本发明的导电复合金属颗粒中,高导电金属涂覆层的厚度t,其可根据下列算式而计算出来,最好为至少10nm,更好为10-100nm:
t=[1/(Sw·ρ)]×[N/(1-N)]
其中t是高导电金属涂覆层的厚度(m),Sw是导电金属颗粒的BET比表面积(m2/kg),ρ是高导电金属的比重(kg/m3),和N是高导电金属的涂覆层的涂覆率(高导电金属涂覆层重量与导电复合金属颗粒重量之比)。
上述算式可通过下列方式而得出:
(a)将导电金属颗粒的重量设为Mp(kg),导电金属颗粒的表面积S(m2)可通过下列等式而确定;
S=Sw·Mp          (1)
(b)将高导电金属的重量设为m(kg),涂覆层的体积V(m3)可通过下列等式而确定:
V=m/ρ            (2)
(c)假设涂覆层的厚度在导电复合颗粒整个表面上是均匀的,即t=V/S。当将等式(1)和(2)代入该等式,涂覆层的厚度t可通过下列等式而确定:
t=(m/ρ)/(Sw·Mp)=m/(Sw·ρ·Mp)     (3)
(d)由于高导电金属涂覆层的涂覆率N是涂覆层的重量与导电复合金属颗粒重量的比,因此涂覆率N可通过下列算式来确定:
N=m/(Mp+m)        (4)
(e)当该等式的右侧中分子和分母同时除以Mp时,可以得到N=(m/Mp)/(1+m/Mp)。当两侧乘以(1+m/Mp)时,可以得出N(1+m/Mp)=m/Mp或N+N(m/Mp)=m/Mp。当将N(m/Mp)移到右侧时,得出N=m/Mp-N(m/Mp)=(m/Mp)(1-N)。当两侧同时除以(1-N)时,得出N/(1-N)=m/Mp。
因此,导电金属颗粒的重量Mp可以通过下列等式而确定:
Mp=m/[N/(1-N)]=m(1-N)/N        (5)
(f)当将等式(5)代入等式(3)时,得出t=1/[Sw·ρ·(1-N)/N]=[1/(Sw·ρ)]×[N/(1-N)]。
当涂覆层的厚度t至少为10nm时,该导电复合金属颗粒的导电率较高。当导电薄板或导电连接结构是用该导电复合金属颗粒制成时,由温度变化或增压以降低导电率所导致的涂覆层分离的情况会减少。因此,最好选用该导电复合金属颗粒。
按照本发明在导电复合金属颗粒中高导电金属的涂覆率优选为0.5-50%重量,更优选为1-40%重量,还更优选为3-30%重量,尤其优选是4-30%重量。当用以涂覆的高导电金属为金时,涂覆率优选为2.5-30%重量,更优选是3-30%重量,尤其优选为3.5-30%重量。
按照本发明在导电复合金属颗粒的每个表面层部分上的高导电金属的含量最好为至少50%重量。
这里所使用的术语“表面层部分”意指在每个导电复合金属颗粒上由外表面到10nm的深度。在该表面层部分中高导电金属的含量可以通过X射线光电子光谱[用于化学分析的电子光谱(ESCA)]来测量。
当该含量至少为50%重量时,这种高导电复合金属颗粒的导电率高。当导电薄板或导电连接结构是由该导电复合金属颗粒制成时,由温度变化或增压以减低导电率所导致的涂覆层分离会减少。因此,最好选用该导电复合金属颗粒。
按照本发明的导电复合金属颗粒的BET比表面积最好为0.01×103-0.7×103m2/kg。
当BET比表面积至少为0.01×103m2/kg时,涂覆层的表面积会足够大,使得所制成的涂覆层中高导电金属的总量大。因此,可以获得导电率高的颗粒。另外,由于颗粒之间的接触面积足够大,使得可获得稳定的和高的导电率。而另一方面当BET比表面积最多为0.7×103m2/kg时,该导电金属颗粒不会变脆,由此当对其施加应力时其也不会被破坏,并且仍然保持其稳定和高的导电率。
当按照本发明在导电复合金属颗粒中使用其饱和磁化强度至少为0.1Wb/m2的导电金属颗粒时,则按照下列方式所测量的导电复合金属颗粒的电阻值R优选至多为1Ω,更优选是最多为0.5Ω,尤其优选是最多为0.1Ω。
电阻值R:
膏组合物可通过将6g的导电复合金属颗粒与8g的液态橡胶加以混合而制备,膏组合物可设置在一对电极之间,其每个电极具有1mm直径,并且设置使得其以0.5mm的间隙相互相对,将0.3T的磁场施加到该对电极上,并且将电极对置于该状态下直到电极对之间的电阻值稳定为止,由此在此时测量电阻值。
特别是,电阻值R可按照下列方式来测量。
图1示出了用于测量电阻值R的装置。参考标号1表示陶瓷单元,其中形成试样室S,并且该单元可由圆筒形侧壁部件2和一对盖部件3所构成,其中每个盖部件3在其中心上具有通孔3H。参考标号4表示一对导电磁铁,其每个磁铁具有电极5,它具有由其表面突起并装配到盖部件3上的通孔3H中的形式。每个磁铁以以下的状态固定到盖部件3上,即将电极部件5安装到盖部件3上的通孔3H中。参考标号6表示电阻表,其连接于磁铁对4的每个上。单元1的试样室S是以直径L为3mm和厚度d为0.5mm的盘形,并且在盖部件3上的通孔3H的内径即磁铁4的电极部分5的直径r为1mm。
将上述膏组合物填充到单元1的试样室S中,并且通过电阻表6来测量磁铁4的电极5之间的电阻值,同时在试样室S的厚度方向上的磁铁4的电极5之间施加0.3T的平行磁场。因此,分散在膏组合物中的导电复合金属颗粒会通过平行磁场的操作而聚集在磁铁4的电极5之间,并且取向使得其被设置在厚度方向上。随着导电复合金属颗粒的运动,磁铁4的电极5之间的电阻值会降低,并且然后会变为稳定状态,由此测量此时的电阻值。将平行磁场施加到膏组合物上的时刻直到磁铁4的电极5之间的电阻值达到稳定化状态的时刻之间的时间,是根据导电复合金属颗粒的种类而变化的。然而,通常将对膏组合物施加平行磁场500秒以后测量的电阻值作为电阻值R。
当电阻值R最多为1Ω时,可以确实地获得具有高导电率的导电材料。
在导电复合金属颗粒中的水含量最多为5%重量,优选最多为3%重量,更优选是最多为2%重量,尤其优选是最多为1%重量。满足该条件的导电复合金属颗粒的使用可防止并抑制在导电材料的生产或其使用时在固化处理中的气泡出现。
按照本发明的导电复合金属颗粒,其表面可采用耦合剂如硅烷耦合剂来进行处理。通过采用耦合剂对导电复合金属颗粒的表面进行处理,可增强导电复合金属颗粒与有机聚合物质的粘接特性,使得可提供耐用性高的导电材料。
所使用耦合剂的量可在不影响导电复合金属颗粒导电率的限制内适当地选择。然而,最好是该量使得在导电复合金属颗粒表面上耦合剂的涂覆率(耦合剂涂覆面积与导电芯颗粒的表面积的比)达到至少5%重量,更优选是为7-100%重量,还更优选是10-100%重量,尤其优选是20-100%重量。
按照本发明的导电复合金属颗粒可按照下述方式获得。
首先将导电金属颗粒的表面用酸进行处理,然后用如纯水进行冲洗,由此除去存在于导电金属颗粒表面上的杂质,如灰尘,外来物质和氧化膜。然后,用高导电金属涂覆导电金属颗粒的表面。
作为对颗粒表面进行处理所使用的酸的实例可以为盐酸。
作为采用高导电金属涂覆导电金属颗粒表面的方法,可以使用化学镀敷、置换电镀等。然而,该方法不限于这些方法。
下面将描述通过化学镀敷或置换电镀来制造导电复合金属颗粒的方法。首先将经过酸处理和冲洗处理的导电金属颗粒加入到镀覆溶液中,以制备一种浆液,然后在导电金属颗粒上进行无电镀敷或置换电镀,同时搅拌该浆液,然后从镀覆溶液中除去浆液中的颗粒。然后将取出的颗粒用例如纯水进行冲洗处理,由此获得具有涂覆高导电金属的导电金属颗粒表面的导电复合金属颗粒。
或者,可在导电金属颗粒表面上进行底层(primer)电镀,以形成底层电镀层,然后在底层电镀层的表面上形成由高导电金属组成的电镀层。对于形成底层电镀层和在其上形成电镀层的方法没有特别的限制。然而,最好是通过无电镀敷在导电金属颗粒表面上形成底层电镀层,然后通过置换电镀在底层电镀层表面上形成由高导电金属组成的电镀层。
对于在化学镀覆或置换电镀中所使用的镀覆溶液没有特别的限制,可以使用各种市售的镀覆溶液。
由于具有较大直径的导电复合金属颗粒可在颗粒表面用高导电金属涂覆时由导电金属颗粒聚集而成,因此,最好是对所得导电复合金属颗粒按需要进行分类。通过分类处理,可以确定地获得具有所需颗粒直径的导电复合金属颗粒。
作为进行分类处理所使用的分选机的实例,可以使用例如导电金属颗粒分类处理中所使用的分选机。
按照上述导电复合金属颗粒,可提供具有高导电率的各种导电材料,因为它们可通过采用高导电金属涂覆导电金属颗粒表面而获得。
[导电膏组合物]
按照本发明的导电膏组合物包括上述导电金属颗粒和/或导电复合金属颗粒(下面,可将这些颗粒称为“特定导电颗粒”),最好是包括在绝缘液态载体中的导电复合金属颗粒。
对于绝缘液态载体没有特别的限制,只要其可通过固化处理、干燥处理等而变为固态,并且可使用各种载体。作为载体,可以使用液态可固化树脂,液态橡胶,或热塑性树脂,或可溶解在适当溶剂中的热塑性弹性体。
可以举出的固化树脂的特定实例为环氧树脂,氨基甲酸乙酯树脂,酚树脂,丙烯酸树脂,硅树脂和双马来酰胺三嗪树脂。
可以举出的液态橡胶的特定实例为液态有机硅橡胶,和液态氨基甲酸乙酯橡胶。
可以举出的热塑性树脂的特定实例可为丙烯酸树脂,乙烯乙酸乙烯酯共聚物树脂,苯乙烯树脂和苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物树脂。
在导电膏组合物中特定导电颗粒的比例可按照所使用载体的种类、导电膏组合物的实际应用等而变化。然而,其通常为每100重量份载体20-100重量份,最好是30-80重量份。
按照上述导电膏组合物,可获得高导电率,并且由于包含特定导电颗粒对于导电率而得到高的再现率。
导电膏组合物最好是用作导电粘接剂,用于获得各种电路器件之间的电气连接,用作形成导电薄板或膜的材料,用作形成电路板上导体的材料,用于制造液晶显示屏等中的各向异性导电粘接剂等。
[导电薄板]
按照本发明的导电薄板包括上述导电金属颗粒和/或上述导电复合金属颗粒,最好是在有机聚合物中的导电复合金属颗粒。
对于在制成导电薄板中所使用的有机聚合物没有特别的限制,其中可以使用各种物质,例如,热塑性树脂,热固化或辐射固化树脂,热塑性弹性体,可固化橡胶。
在制成导电薄板中所使用的热塑性树脂的特定实例包括聚烯烃树脂,如聚乙烯树脂,聚丙烯树脂和聚丁烯树脂;苯乙烯树脂,如聚苯乙烯树脂,苯乙烯-丙烯腈共聚物树脂,苯乙烯-丁二烯共聚物树脂和苯乙烯-丁二烯-丙烯腈三元共聚物树脂;丙烯酸树脂,如聚丙烯酸甲酯树脂和聚甲基丙烯酸甲酯树脂;聚酯树脂,如聚对苯二甲酸乙二酯树脂和聚对苯二甲酸丁二酯树脂;聚碳酸酯树脂;聚氨酯树脂;聚酰胺树脂;和碳氟树脂。
在制造导电薄板中所使用的热固化或辐射固化树脂的特定实例包括环氧树脂,酚树脂,聚酰亚胺树脂,聚氨酯树脂,蜜胺树脂和脲树脂。在这些树脂中,最好使用环氧树脂。其中实例可包括双酚A型环氧树脂,双酚F型环氧树脂,(甲酚)线型酚醛环氧树脂,卤代双酚型环氧树脂,间苯二酚型环氧树脂,四羟基苯基乙烷型环氧树脂,多元醇聚乙二醇型环氧树脂,甘油三醚酯型环氧树脂,聚烯烃型环氧树脂,和通过环氧化大豆油、环戊二烯二酮、乙烯基环己烯二氧化物等所获得的环氧树脂。在这些材料中,进一步优选的是双酚A环氧树脂,双酚F型环氧树脂,和(甲酚)线型酚醛环氧树脂。
对于用以获得环氧树脂所使用的原材料,可以使用低分子环氧树脂化合物,如C12-C13混合醇缩水甘油醚,2-乙基己基二醇缩水甘油醚,乙二醇二缩水甘油醚,二乙二醇二缩水甘油醚,聚乙二醇二缩水甘油醚,丙二醇二缩水甘油醚,三丙二醇二缩水甘油醚,聚丙二醇二缩水甘油醚,新戊二醇二缩水甘油醚,1,6-己二醇二缩水甘油醚,甘油二缩水甘油醚,三羟甲基丙烷三缩水甘油醚,卤代双酚A二缩水甘油醚和2,2-二溴新戊二醇二缩水甘油醚。在这些材料中,优选的是新戊二醇二缩水甘油醚,1,6-己二醇二缩水甘油醚,甘油二缩水甘油醚,和三羟甲基丙烷三缩水甘油醚。
在制造导电薄板中所使用的热塑性合成橡胶的特定实例包括:聚苯乙烯型热塑性弹性体,聚烯烃型热塑性弹性体,聚氯乙烯型热塑性弹性体,聚酯型热塑性弹性体,聚氨酯型热塑性弹性体,聚酰胺型热塑性弹性体和含氟聚合物型热塑性弹性体。
在制造导电薄板中所使用的可固化橡胶的特定实例包括:共轭二烯橡胶,如聚丁二烯椽胶,天然橡胶,聚异戊二烯橡胶,苯乙烯-丁二烯共聚物橡胶和丙烯腈-丁二烯共聚物橡胶,和其卤代产品;嵌段共聚物橡胶,如苯乙烯-丁二烯-二烯嵌段三元共聚物橡胶和苯乙烯-异戊二烯嵌段共聚物橡胶,和其卤代产品;和氯丁橡胶,聚氨酯橡胶,聚酯橡胶,表氯醇橡胶,有机硅橡胶,乙烯-丙烯共聚物橡胶和乙烯-丙烯-二烯三元共聚物橡胶。
按照本发明的导电薄板可以是在厚度方向上和其平面方向上展示导电性的各向同性导电薄板,或是仅在厚度方向上展示导电性的各向异性导电薄板。
当制造各向异性导电薄板时,它可以是在不加压状态下在厚度方向展示导电性的薄板,或是在加压状态下在厚度方向上展示导电性的薄板。进一步地,薄板可以是在其整个表面上的厚度方向上展示导电性的所谓分散型薄板,或是所谓不均匀分布型薄板,其中每个在厚度方向上延伸的许多导电部件可以通过绝缘部件而以相互绝缘的状态设置。当制造不均匀分布型各向异性导电薄板时,其表面可以是平坦的或是制成导电部件表面由绝缘部件表面突起的状态。下面将描述一个实例,其可用以制成各向异性导电薄板。
图2是一截面图,其表示按照本发明的各向异性导电薄板实例的构成。在各向异性导电薄板10中,特定导电颗粒P包含在基材中,其基材由处于一定取向状态下的弹性聚合物组成,其取向是排列在各向异性导电薄板10厚度方向上。导电路径是由特定导电颗粒P的各个链形成。在所示实施例中,各向异性导电薄板是由许多柱状导电部分11和绝缘部分12组成的,其每个柱状导电部分11紧密地填充以特定导电颗粒P并在薄板的厚度方向上延伸,而绝缘部分12中完全不存在或几乎不存在特定导电颗粒P,并且其将这些导电部分11相互绝缘。导电部分11可根据对应于例如待连接电极如用以检查作为检查目标的电路器件的电极图形而沿薄板的平面方向设置,并且绝缘部分12可环绕每个导电部分11而制成。
在该实施例中,每个导电部分11是以从绝缘部分12表面突起的状态而制成的。
在上述各向异性导电薄板中,绝缘部分12的厚度最好为0.05-2mm,特别是0.1-1mm。
由绝缘部分12表面突起的每个导电部分11的高度最好为绝缘厚度12的0.5-100%,更好为1-80%,尤其更好为5-50%。特别是,突起高度最好为0.01-0.3mm,更好为0.02-0.2mm,尤其更好为0.03-0.1mm。
每个导电部分11的直径最好为0.05-1mm,特别是0.1-0.5mm。
制成各向异性导电薄板10的弹性聚合物最好为可固化的液体橡胶。对于该液体橡胶,可使用液体有机硅橡胶,液体聚氨酯橡胶等。在这些橡胶中,最好是使用液体有机硅橡胶。液体有机硅橡胶最好是具有的粘度按10-1秒的剪切速率下测量不高于105泊,并且其可以是任何缩合型,加成型和具有乙烯基或羟基型。作为其特定实例,其可以为所述的二甲基有机硅生橡胶,甲基乙烯基有机硅生橡胶和甲基苯基乙烯基有机硅生橡胶。
在这些橡胶中,含乙烯基液体橡胶(含乙烯基二甲基聚硅氧烷)通常可通过将二甲基二氯硅烷或二甲基二烷氧基硅烷在二甲基乙烯基氯硅烷或二甲基乙烯基烷氧基硅烷存在的情况下进行水解和缩合并然后分馏所得产物如重复进行溶解-沉淀而获得。
在两端具有乙烯基的液体有机硅橡胶可通过将环硅氧烷如八甲基环四硅氧烷在催化剂存在的情况下,例如使用二甲基二乙烯硅氧烷作为聚合终止剂并适当地选择其他反应条件(例如,环硅氧烷的量和聚合终止剂),进行阴离子聚合而获得。对于用于阴离子聚合的催化剂,可使用碱如氢氧化四甲铵或氢氧化正丁基鏻或其硅烷醇化物溶液。反应可以在例如80-130℃温度下进行。
另一方面,含羟基液体有机硅橡胶(含羟基二甲基聚硅氧烷)通常可通过将二甲基二氯硅烷或二甲基二烷氧基硅烷在二甲基氢氯硅烷或二甲基氢烷氧基硅烷存在的情况下进行水解和缩合然后分馏所得产物例如重复地进行溶解-沉淀而获得。
它还可通过将环硅氧烷在催化剂存在的情况下进行阴离子聚合而获得,如可使用二甲基氢氯硅烷、甲基二氢氯硅烷或二甲基氢烷氧基硅烷作为聚合终止剂并可适当地选择其他反应条件(例如,环硅氧烷的量和聚合终止剂)。对于用于阴离子的催化剂,可使用碱,如氢氧化四甲铵或氢氧化正丁基鏻或其硅烷醇溶液。反应可在例如80-130℃温度下进行。
该弹性聚合物最好具有10000-40000的分子量Mw(根据标准聚苯乙烯所确定的重均分子量)。从所得各向异性导电薄板的耐热性观点来看,所述弹性聚合物最好还具有最多为2的分子量分布指数(它是根据标准聚苯乙烯所确定的重均分子量Mw与根据标准聚苯乙烯所确定的数均分子量Mn的比Mw/Mn)。
在上述中,用于使聚合物形成材料固化的固化催化剂可包含在薄板形成材料中,用以获得各向异性导电薄板。作为该固化催化剂,可以使用有机过氧化物,脂肪酸偶氮化合物,氢化硅烷化催化剂等。
可用作固化催化剂的有机过氧化物的特定实例包括:苯甲酰过氧化物,双二环苯甲酰过氧化物,二枯基过氧化物,和二叔丁基过氧化物。
用作固化催化剂的脂肪酸偶氮化合物的特定实例包括:偶氮二异丁腈。
可用作氢化硅烷化反应催化剂的特定实例包括:公知催化剂,如氯铂酸和其盐,含铂不饱和基硅氧烷配合物,乙烯基硅氧烷-铂配合物,铂-1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷配合物,三有机磷酸酯或三有机亚磷酸酯与铂的配合物,乙酰乙酸铂螯合物,和环二烯-铂配合物。
所使用固化催化剂的量可根据聚合物形成材料的种类、固化催化剂的种类和其他固化处理条件而适当地进行选择。然而,固化催化剂通常每100份重量的聚合物形成材料为3-15份重量。
在薄板形成材料中,可以按需要含有常用无机填充物,如二氧化硅粉末,胶体硅石,气凝胶硅石,或氧化铝。通过含有该无机填充物,可保证薄板形成材料的触变特性,其粘度会变高,特定导电颗粒的分散稳定性会增强,并且所得各向异性导电薄板的强度也会增强。
对于所使用的该无机填充物的量没有特别的限制。然而,最好不要大量的使用,因为特定导电颗粒通过磁场的取向不能完全地获得。
薄板形成材料的粘度在25℃最好是在100,000-1,000,000cP的范围内。
特定导电颗粒P最好是包含在导电部分11中,并以体积百分比计占有5-60%,优选是8-50%,更优选是10-40%的比例。当该比例至少为5%时,导电部分11的电阻值足够小是很容易获得的。当该比例最多为60%时,导电部分11也将难以变脆,使得很容易获得导电部分所需的弹性。
导电部分11在其厚度方向上的电阻最好为100mΩ,其中导电部分11是处于在厚度方向上10-20gf负载下的加压状态。
该各向异性导电薄板10可通过例如下列方式而制造。
图3是一截面图,其表示用以制造按照本发明各向异性导电薄板所使用的典型模具的结构。该模具是如此构成的,即设置成对的上模50和下模55,使得其通过框形隔板54而相互相对。模具空腔可限定在上模50下表面和下模55的上表面之间。
在上模50中,铁磁层部分52可根据与基板51下表面上预定各向异性导电薄板10导电部分11的排列图型相对映(相反)的图型制成,并且具有比铁磁层部分52厚度大的非磁层部分53可在不是铁磁层部分52的其他区域上制成。
另一方面,在下模55中,铁磁层部分57可根据与基板56上表面上预定各向异性导电薄板10导电部分11的排列图型相同的图型而制成,并且具有比铁磁层部分57厚度大的非磁层部分58可在不是铁磁材料部分57的其他区域上制成。
作为用以在上模50和下模55中制成基板51,56的材料,可使用铁磁金属,如铁、铁-镍合金、铁-钴合金、镍或钴,非磁金属,如铝、陶瓷等。然而,最好使用铁磁金属。基板51,56其厚度最好为0.1-50mm,并且其表面最好是平滑的并经受化学除油处理或机械抛光处理。
作为用以形成在上模50和下模55二者中铁磁层部分52,57的材料,可以使用铁磁金属,如铁、铁-镍合金、铁-钴合金、镍或钴。铁磁层部分52,57的每个最好具有至少10μm的厚度。如果厚度小于10μm的话,则难以将具有足够强度分布的磁场提供给在模具中形成的薄板形成材料层。因此,也就难以在形成导电部分的薄板形成材料层部分上高强度地聚集特定导电颗粒,因此在一些情况下就不能提供具有优良各向异性导电率的薄板。
作为用以在上模50和下模55二者中形成非磁层部分53,58的材料,可使用非磁金属,如铜、具有耐热性的聚合物等。然而,最好使用可通过辐射固化的聚合物,其中非磁层部分53,58可通过光刻技术而很容易地制成。作为应用于其的材料,可使用例如光刻胶,如丙烯酸型干膜抗蚀剂,环氧树脂型液体抗蚀剂或聚酰胺型液体抗蚀剂。
非磁层部分53,58的厚度可根据预定各向异性导电薄板10的铁磁层部分52,57的厚度和导电部分11的突起高度而预置。
各向异性导电薄板10可通过使用上述模具以下列方式制成。
可首先制备由导电膏组合物组成的薄板形成材料,该导电膏组合物中显示出磁性的特定导电颗粒P可分散在聚合物形成材料中,并且可将薄板形成材料填充在图4所示模具空腔中,由此制成薄板形成材料层10A。
然后将例如一对电磁铁设置在上模50中的基板51上表面和下模55中的基板56下表面,并且使电磁铁工作,由此将具有一定强度分布的平行磁场,即在上模50中铁磁材料部分52与其在下模55中对应铁磁材料部分57之间部分上具有较高强度的平行磁场,提供给其厚度方向上的薄板形成材料层10A。因此,在薄板形成材料层10A中,分散在薄板形成材料层10A中的特定导电颗粒P可聚集在部分11A上,用以成为导电部分,所述导电部分位于上模50中铁磁材料部分52与下模55中其对应铁磁材料部分57之间,如图5所示,同时取向,使其排列在薄板形成材料层10A厚度方向上。
在这种情况下,将薄板形成材料层10A进行固化处理,由此制成各向异性导电薄板10,该薄板包括排列在上模50中铁磁材料层部分52与下模55中其对应铁磁材料层部分57之间的导电部分11,该导电部分中特定导电颗粒P紧密地填充在弹性聚合物中,和由弹性聚合物组成的绝缘部分12,该绝缘部分中特定导电颗粒P完全不存在或几乎不存在。
在上述处理方法中,薄板形成材料层10A的固化处理可以在施加平行磁场的情况下进行。然而,该处理还可在平行磁场应用停止以后进行。
对薄板形成材料层10A所施加的平行磁场强度最好具有平均0.1-2T的强度。
作为用以对薄板形成材料层10A施加平行磁场的方法,还可使用永久磁铁,以代替电磁铁。作为该永久磁铁,最好是由alunico(Fe-Al-Ni-Co合金)、铁氧体等组成的那些,其中可获得在上述范围内的平行磁场强度。
薄板形成材料层10A的固化处理可根据所使用的材料适当地加以选择。然而,处理通常是通过热处理来进行的。特定的处理温度和加热时间可根据制造薄板形成材料层10A的加成型液体有机硅橡胶等的种类、用于导电颗粒运动所需时间等,而适当地加以选择。
由于上述该各向异性导电薄板10具有包含特定导电颗粒P的导电部分11,因此可在导电部分11上获得高导电率,另外还可获得对于该导电率的高再现性。
该各向异性导电薄板10可适合用作连接器,用以在电子计算机、电子数字钟、电子照相机和计算机键盘等领域获得在例如印刷电路板与无引线芯片载体、液晶显示屏等等之间的电气连接、或在电路器件,如印刷电路板、半导体集成电路器件和其表面上形成有许多集成电路的晶片的电气检查中,用作连接器,用以获得在作为检查目标的待检查并形成在电路器件表面上的电极与用于检查的电路板表面上所形成的用于检查的电极之间的电气连接。
[电路板]
按照本发明的电路板包括:包含上述导电金属颗粒和/或上述导电复合金属颗粒的导体。
图6是一截面图,其表示按照本发明在典型电路板中主要部分的构成。该电路板是多层电路板,并且可通过按顺序层叠第一绝缘层20、第二绝缘层30和第三绝缘层40而制成。在第一绝缘层20的上表面上,形成上侧布线层21,在第三绝缘层40的下表面上形成下侧布线层41。第一内布线层26形成在第一绝缘层20和第二绝缘层30之间,并且第二内布线层36形成在第二绝缘层30和第三绝缘层40之间。
第一层间短路部分25、第二层间短路部分35和第三层间短路部分45分别设置在第一绝缘层20、第二绝缘层30和第三绝缘层40中,以便在其厚度方向上延伸。上侧布线层21通过第一层间短路部分25而与第一内布线层26电连接,第一内布线层26可通过第二层间短路部分35而与第二内布线层36电连接,和第二内布线层36可通过第三层间短路部分45而与下侧布线层41电连接。
作为形成各第一绝缘层20、第二绝缘层30和第三绝缘层40的材料,最好使用具有高耐热性的绝缘树脂材料。其特定实例包括:玻璃纤维增强环氧树脂,玻璃纤维增强聚酰亚胺树脂,玻璃纤维增强酚醛树脂,玻璃纤维增强双马来酰亚胺三嗪树脂和玻璃纤维增强芳族聚酰胺树脂。
第一层间短路部分25,第二层间短路部分35和第三层间短路部分45可分别通过在有机聚合物中包含特定导电颗粒P的导体制成。在该实施例中,特定导电颗粒P可以一定取向状态而结合到有机聚合物中,以便使其在绝缘层厚度方向上排列。
作为形成各第一层间短路部分25,第二层间短路部分35和第三层间短路部分45的有机聚合物,可以使用热固性树脂,如环氧树脂,聚酰亚胺树脂,酚醛树脂,双马来酰亚胺三嗪树脂,或液体橡胶如有机硅橡胶或聚氨酯橡胶的固化产物。
在第一层间短路部分25,第二层间短路部分35和第三层间短路部分35的每层中,特定导电颗粒P按体积比计优选占30-60%,更优选占35-50%。如果该比低于30%的话,在一些情况下将不能获得电阻足够低的任何层间短路部分,另一方面,如果该比超过60%的话,所得短路部分会变脆,使得在一些情况下将不能获得必要的强度和耐用性。
上述电路板将采用下列方式制成。
如图7所示,可提供半固化状态下由热固性树脂材料组成的薄板形第二绝缘层形成材料(用以形成第二绝缘层30)30A。如图8所示,在第二绝缘层形成材料30A的部分上钻出通孔35H,其贯通第二绝缘层形成材料30A的厚度方向,在通孔处形成第二层间短路部分。
具有包含在液体热固性树脂材料中显示出磁性的特定导电颗粒P的导电膏组合物组成的短路形成材料填充到第二绝缘层形成材料30A中所钻通孔35H的每个中以后,将短路形成材料进行热处理,由此在第二绝缘层形成材料30A中在每个通孔35H中形成短路形成材料层35A,如图9所示。该短路部分形成材料层35A是处于保持短路部分形成材料层35A形式的状态下,并且它已经半固化到一定程度,使得特定导电颗粒P可在短路部分形成材料层35A中移动。
作为用以在上述方法中在第二绝缘层形成材料30A中制成通孔35H的方法,可以使用激光处理装置,钻孔装置,冲孔装置等。
作为用于将短路形成材料填充到第二绝缘层形成材料30A上的通孔35H中的方法,可以使用印刷方法,如丝网印刷,滚压等。
短路形成材料的热处理是在不使第二绝缘层形成材料30A的固化更进一步的条件下进行。热处理的特定条件可根据第二绝缘层形成材料30A和短路形成材料的种类而适当地预置。然而,通常加热温度为80-100℃,并且加热时间为20-60分钟。
在第二绝缘层形成材料30A的上下表面上分别提供由例如铜组成的金属箔26B和36B以后,如图10所示,将第二绝缘层形成材料30A和短路形成材料层35A进行热处理,同时对短路形成材料层35A在金属箔26B、第二绝缘层形成材料30A和金属箔36B在其厚度方向已经加压的状态下在短路形成材料层35A厚度方向上施加平行磁场,由此在厚度方向上压制第二绝缘层形成材料30A和短路形成材料35A。
特别是,如图11所示,由铁磁材料组成的磁极板60和65可分别设置在金属箔26B的上表面和金属箔36B的下表面,并且可进一步将一对电磁铁61和66分别设置在磁极板60的上表面和磁极板65的下表面上。电磁铁61,66可在金属箔26B、第二绝缘层形成材料30A和金属箔36B在其厚度方向上加压的状态下工作,由此对短路形成材料层35A在其厚度方向上施加平行磁场,并同时对第二绝缘层形成材料层30A和短路形成材料层35A进行热处理。
作为制成磁极板60,65的铁磁材料,可使用铁、镍、钴或其合金。
用于金属箔26B,第二绝缘层形成材料30A和金属箔36B的加压条件通常为5-50kg/cm2
对短路形成材料层35A所施加的平行磁场的强度最好为平均0.1-2T。作为用于施加平行磁场的方法,还可使用永久磁铁以代替电磁铁。对于该永久磁铁,最好是由alunico(Fe-Al-Ni-Co合金)、铁氧体等组成的那些,使得可获得在上述范围内的平行磁场强度。
用于热处理的条件可根据第二绝缘层形成材料30A和短路形成材料的种类而适当地加以选择。然而,通常加热温度为150-180℃,并且加热时间为1-4小时。
如上所述,可对短路形成材料层35A在其厚度方向上施加平行磁场,由此使分散在短路形成材料层35A中的特定导电颗粒P取向,使得其排列在短路形成材料层35A的厚度方向上,并且通过热处理固化第二绝缘层形成材料30A和短路形成材料层35A,由此制成第二绝缘层30和第二层间短路部分35,如图12所示,并且进一步将金属箔26B和36B分别整体地固定到第二绝缘层30的上下表面上,由此获得叠层体,其中按以下顺序从上往下相互层叠薄金属层26A,第二绝缘层30和薄金属层36A。
如图13所示,抗蚀层33和34可分别形成在第二绝缘层30上下表面上所提供的薄金属层26A和36A上,以便覆盖将成为第一内布线层和第二内布线层的部分,并且通过腐蚀处理除去薄金属层26A和36A的曝光部分,由此在第二绝缘层30和抗蚀层33,34之间分别形成第一内布线层26和第二内布线层36。因此,获得在第二绝缘层30二表面上具有第一内布线层26和第二内布线层36的中间基板7。然后,将抗蚀层33,34从第一内布线层26和第二内布线层36的表面上除去。
另一方面,如图15A和15B所示,可制成中间材料8和中间材料9,其中中间材料8可用于第一绝缘层(如图15A所示),其具有半固化状态热固性树脂材料组成的薄板形式的第一绝缘层形成材料(用于形成第一绝缘层的材料)20A上所钻每个通孔25H中所形成的短路部分形成材料层25A,其中中间材料9可用于第三绝缘层(如图15B所示),其具有半固化状态热固性树脂材料组成的薄板形式的第三绝缘层形成材料(用于形成第三绝缘层的材料)40A上所钻每个通孔45H中所形成的短路部分形成材料层45A。用以在第一绝缘层形成材料20A和第三绝缘层形成材料40A中形成短路部分形成材料层25A,45A的方法可根据用于在第二绝缘层形成材料30A中形成短路部分形成材料层35A的方法进行。
如图16所示,用于第一绝缘层的中间材料8可设置在中间基层7的上表面上,并且在用于第一绝缘层的中间材料8的上表面上可进一步设置金属箔21B,另外,用于第三绝缘层的中间材料9可设置在中间基层7的下表面上,并且在用于第三绝缘层的中间材料9的下表面上可进一步设置金属箔41B。
可将第一绝缘层形成材料20A,第三绝缘层形成材料40A,短路形成材料层25A和短路形成材料层45A进行热处理,同时在金属箔21B、用于第一绝缘层的中间材料8、中间基层7、用于第三绝缘层的中间材料9和金属箔41B在其厚度方向上加压的状态下,对短路形成材料层25A和短路形成材料层45A在其厚度方向上施加平行磁场,由此制成第一绝缘层20,第三绝缘层40,第一层间短路部分25和第三层间短路部分45,如图17所示。进一步地,将第一绝缘层20和第三绝缘层40分别整体地固定在第二绝缘层30的上下表面上,另外,将金属箔21B整体地固定在第一绝缘层20的上表面上,并将金属箔41B整体地固定在第三绝缘层40的下表面上,由此获得包括按以下顺序从上往下相互层叠的薄金属层21A、第一绝缘层20、第二绝缘层30、第三绝缘层40和薄金属层41A的叠层体。
如图18所示,在第一绝缘层20上表面和第三绝缘层40下表面上所提供的薄金属层21A和41A上分别形成抗蚀层22和42,使其覆盖将成为上侧布线层和下侧布线层的部分,并且通过腐蚀处理除去金属层21A和41A的曝光部分,由此形成位于第一绝缘层20与抗蚀层22之间的上侧布线层21,和位于第三绝缘层40与抗蚀层42之间的下侧布线层41,如图19所示。然后,将抗蚀层22,42除去,由此获得如图6所示构成的电路板。
按照该电路板,在第一层间短路部分25、第二层间短路部分35和第三层间短路部分45中可获得高导电率,因为该层间短路部分包含特定导电颗粒P,并且可获得其导电率的高再现性。因此,可获得高连接可靠性。
由于包含有以一定取向状态的特定导电颗粒P,使其排列在每个绝缘层的厚度方向上,因此通过在每个层间短路部分中特定导电颗粒P的链路而形成导电通路。因此,仍可获得较高导电率。
在第一层间短路部分25、第二层间短路部分35和第三层间短路部分45中的每个形成过程中,由于使用了由导电膏组合物组成的短路形成材料,因此不能用光刻。因此,第一层间短路部分25,第二层间短路部分35和第三层间短路部分45和通过简单的方法而制成,另外,由于不使用化学方式,而仍可获得较高连接可靠性。
另外,可将显示磁性的导电颗粒用作构成每个短路部分的特定导电颗粒P,由此特定导电颗粒P通过对短路形成材料层25A,35A和45A施加磁场而很容易取向使其在每个绝缘层的厚度方向上排列。
再有,可将各绝缘层形成材料和短路部分形成材料层进行热处理,同时对加压力下的各短路部分形成材料层施加磁场,由此可保证特定导电颗粒P在每个相关绝缘层的厚度方向上排列取向。
在本发明中,可将弹性模量低的热固性树脂或橡胶用作有机聚合物,以形成层间短路部分,由此产生下列效果。也就是说,当构成多层印刷电路板时,其中层叠相互不同材料的绝缘层,由于用以形成各绝缘层的材料之间热膨胀系数的差异而在层间短路部分上产生的应力会通过层间短路部分的弹力而释放。
该电路板适用于用以形成电子部件如芯片载体或MCM的电子部分的电路板,用以安装电子部件的电路板,如母板,或用于对电路器件进行电气检查的适配件。
[[导电连接结构]
图20是一截面图,其示出了按照本发明典型导电连接结构的构成。在该导电连接结构中,电子部件71可通过由上述导电膏组合物所形成的连接部件70而固定到电路板73上,并且电子部件71的电极72可通过连接部件70而与电路板73的电极74电连接。
对于电子部件71没有特别的限制,并且了使用各种电子部件。其实例包括:由半导体器件组成的有源部件,如晶体管、二极管、继电器、开关、IC芯片或LSI芯片或其组件,和MCM(多芯片组件);无源部件,如电阻、电容、石英振荡器、扬声器、麦克风、变压器(线圈)和电感器;和显示屏,如TFT型液晶显示屏、STN型液晶显示屏、等离子显示屏和电致发光屏。
作为电路板73,可使用各种结构,如单侧印刷电路板,双面印刷电路板,和多层印刷电路板。电路板73可以是柔性板,刚性板和其组合组成的柔性-刚性板的任一种。
作为用以形成柔性板的材料,可以使用聚酰胺、聚酰亚胺、聚酯、聚砜等。
作为用以形成刚性板的材料,可以使用复合树脂材料。如玻璃纤维增强环氧树脂,玻璃纤维增强酚醛树脂,玻璃纤维增强聚酰亚胺树脂或玻璃纤维增强双马来酰亚胺三嗪树脂,或陶瓷材料,如二氧化硅或氧化铝。
用于电子部件71的电极72和电路板73电极74的材料实例包括:金、银、铜、镍、钯、碳、铝和ITO。
在电子部件71上的电极72和在电路板73上的电极74的厚度最好为0.1-100μm。
在电子部件71上的电极72和在电路板73上的电极74的宽度最好为1-500μm。
该导电连接结构可以通过采用上述导电膏组合物涂覆电子部件71和电路板73之一或二者的表面或各表面,将电子部件71以对准状态设置在电路板73的表面上并然后将导电膏组合物进行固化处理或干燥处理而制造,或通过将导电膏组合物形成薄膜,将薄膜制成半固化状态并然后将该薄膜设置在电子部件71和电路板73之间以进行固化处理而制造。
当将显示出磁性的导电颗粒用作为特定导电颗粒时,该特定导电颗粒可取向,使得其可通过在对导电膏组合物进行固化处理或干燥处理之前或同时进行该处理之前对导电膏组合物在其厚度方向上施加磁场而在厚度方向上排列,由此获得具有较高导电率的电气连接。
图21是一截面图,其表示按照本发明另一典型导电连接结构的构成。在该导电连接结构中,电子部件71设置在电路板73上,在其间插入有各向异性导电薄板10,例如图2所示构成。各向异性导电薄板10可在通过由电子部件71和电路板73加压所保持状态下由固定部件75而固定。在电子部件71上的电极72可通过在各向异性导电薄板10上的导电部分11而与电路板73上的电极74电连接。
按照上述该导电连接结构,电子部件71可通过由导电膏组合物所形成的连接部件70或通过各向异性导电薄板10而与电路板73连接,如上所述。因此,在电子部件71与电路板73之间可获得导电率高且其再现性高的电连接。
[电路器件的电气检查装置]
图22是一截面图,其表示按照本发明用于电路器件的典型电气检查装置的主更部分的构成。
在图22中,参考标号80表示由印刷电路板组成的适配器。用于检查的电极81按照对应于待检查电路器件76中待检查电极77的图型而设置在适配器80的表面(图22中上表面)上。该适配器80装有许多定位销83,其垂直于适配器80的表面而延伸。
参考标号15表示以薄板形式的连接器,其是由图2所示结构的各向异性导电薄板10和用以支撑各向异性导电薄板10周围部件的框状支撑16而构成。定位孔17对应于支撑16上的定位销83而形成。该连接器15通过在其支撑16上的定位孔17插入定位销而定位的状态下设置在适配器80的表面上。
参考标号85表示用以保持待检查电路器件76的保持板。开口86,其中设置有待检查电路器件76,可在其中心上确定,并定位孔87可对应于定位销83而在保持板85周围部分上形成。该保持板85在通过滑动移动地将定位销83插入定位孔87中而处于定位状态下而定位在板状连接器15上方。
作为检查目标的待检查电路器件76的实例,包括:晶片,半导体芯片,组件如BGA和CSP,模块如MCM,和电路板如单侧印刷电路板、双面印刷电路板和多层印刷电路板。
在该电气检查装置中,待检查电路器件76可固定在保持部件85上的开口86中,并且待检查电路器件76可在趋近连接器15的方向(图22的向下方向)上移动,使得可实现以下状态,其中在连接器15中的各向异性导电薄板10可由待检查的电路器件76和适配器80加压并在待检查电路器件76和适配器80之间。因此,在待检查电路器件76的待检查电极77与适配器80上用于检查的电极81之间的电连接可通过各向异性导电薄板10上的导电部分11而获得。
在这种情况下,或在环境温度已经上升到预定温度下的情况下,例如150℃,用于显示待检查电路器件76潜在缺陷,可进行待检查电路器件76所需的电气检查。
按照如上所述用于电路器件的电气检查装置,可对于待检查电路器件76获得导电率高且其再现性高的电气连接,因为该装置具有各向异性导电薄板10。因此,可进行高可靠性的电气检查。
下面将参照下列实例详细地描述本发明。然而,本发明不限于这些实例。
[导电金属颗粒[A]的制备]
按下列方式将市售镍颗粒(Westaim公司的产品,“FC1000”)用于制备按照本发明的导电金属颗粒[A]。
在比重为8.9、空气流速2.5m3/min、转子转速2250rpm、分级点为15μm和镍颗粒的馈送速度为50g/min的条件下,使用空气分选机“涡轮分选机TC-15N”(由Nissei工程有限公司制造)将2kg镍颗粒进行分选,由此收集到1.1kg的镍颗粒,将1.1kg的镍颗粒在比重为8.9、空气流速2.5m3/min、转子转速3750rpm、分级点为7μm和镍颗粒的馈送速度为50g/min的条件下进一步分选,以收集0.8kg镍颗粒。
然后将声筛分机“SW-20AT型”(由Tsutsui Kiki K.K.制造)用于对由空气分选机所分选出的镍颗粒500g进一步进行分选。具体地,可将各具有200mm直径并分别具有32μm、20μm、12.5μm和8μm开口直径的4个筛子按该顺序相互叠置。每个筛子可加装具有2mm直径的陶瓷球10g,并将20g的镍颗粒放置在最上面的筛子上(开口直径:32μm),在112Hz进行15分钟并在224Hz进行15分钟条件下对其进行分选,由此在最下面的筛子上(开口直径:8μm)收集所得镍颗粒。该过程总共重复25次,由此制备按照本发明的导电金属颗粒[A]10g。
由此获得的导电金属颗粒[A]具有10μm数均颗粒直径,10%的颗粒直径变化系数,0.5×103m2/kg的BET比表面积,0.05%重量的硫元素含量,0.02%重量的氧元素含量,0.03%重量的碳元素含量和0.6Wb/m2的饱和磁化强度。
[导电金属颗粒[B]-[G]的制备]
按与导电金属颗粒[A]制备相同的方式制备下列导电金属颗粒[B]-[G],只是改变了空气分选机和声筛分机的条件。
导电金属颗粒[B](发明):
由镍组成的导电金属颗粒,其具有65μm数均颗粒直径,40%的颗粒直径变化系数,0.03×103m2/kg的BET比表面积,0.08%重量的硫元素含量,0.02%重量的氧元素含量,0.05%重量的碳元素含量和0.6Wb/m2的饱和磁化强度。
导电金属颗粒[C](比较):
由镍组成的导电金属颗粒,其具有120μm数均颗粒直径,48%的颗粒直径变化系数,0.02×103m2/kg的BET比表面积,0.07%重量的硫元素含量,0.2%重量的氧元素含量,0.04%重量的碳元素含量和0.6Wb/m2的饱和磁化强度。
导电金属颗粒[D](比较):
由镍组成的导电金属颗粒,其具有4μm数均颗粒直径,7%的颗粒直径变化系数,0.7×103m2/kg的BET比表面积,0.03%重量的硫元素含量,0.1%重量的氧元素含量,0.03%重量的碳元素含量和0.6Wb/m2的饱和磁化强度。
导电金属颗粒[E](比较):
由镍组成的导电金属颗粒,其具有5μm数均颗粒直径,47%的颗粒直径变化系数,0.9×103m2/kg的BET比表面积,0.07%重量的硫元素含量,0.2%重量的氧元素含量,0.04%重量的碳元素含量和0.6Wb/m2的饱和磁化强度。
导电金属颗粒[F](比较):
由镍组成的导电金属颗粒,其具有73μm数均颗粒直径,58%的颗粒直径变化系数,0.05×103m2/kg的BET比表面积,0.1%重量的硫元素含量,0.6%重量的氧元素含量,0.12%重量的碳元素含量和0.6Wb/m2的饱和磁化强度。
导电金属颗粒[G](比较):
由镍组成的导电金属颗粒,其具有48μm数均颗粒直径,32%的颗粒直径变化系数,0.08×103m2/kg的BET比表面积,0.14%重量的硫元素含量,0.8%重量的氧元素含量。0.13%重量的碳元素含量和0.6Wb/m2的饱和磁化强度。
[导电复合金属颗粒[a1]的制备]
在粉末电镀装置的处理容器中倒入100g导电金属颗粒[A],并加入2L 0.32N的氢氯酸。搅拌所得混合物,以获得含导电金属颗粒[A]的膏。将该膏在正常温度下搅拌30分钟,由此对导电金属颗粒[A]进行酸处理。然后,将如此处理的膏静放1分钟,以沉淀导电金属颗粒[A],并除去上层清液。
将2L的纯化水加入到进行了酸处理的导电金属颗粒[A]中,并且将混合物搅拌2分钟。然后将混合物静放1分钟,以沉淀导电金属颗粒[A],并除去上层清液。该处理重复进行两次,由此对导电金属颗粒[A]进行冲洗处理。
将20g/L比例的含金镀覆溶液2L加入到进行了酸处理的导电金属颗粒[A]中。将处理容器的温度上升到90℃,并进行搅拌,由此制备膏。在这种情况下在搅拌膏的同时,将导电金属颗粒[A]进行镀金。然后,将膏静放,同时使其冷却,由此沉淀颗粒,并且除去上层清液,以制备按照本发明的导电复合金属颗粒[a1]。
将2L纯化水加入到如此获得的导电复合金属颗粒[a1]中,并且将该混合物在正常温度下搅拌2分钟。然后,将该混合物静放1分钟,以沉淀导电复合金属颗粒[a1],并除去上层清液。该处理重复进行两次,并将加热到90℃的纯化水2L加入到颗粒中,并将该混合物进行搅拌。所得膏通过过滤纸进行过滤,以收集导电复合金属颗粒[a1]。将如此获得的导电复合金属颗粒[a1]在90℃下的干燥机中干燥。
如此获得的导电复合金属颗粒[a1]具有15μm数均颗粒直径,0.2×103m2/kg的BET比表面积,89nm的敷层厚度,82%重量的表面层部分上的含金量和0.03Ω的电阻值R。
[导电复合金属颗粒[a2]的制备]
以与导电复合金属颗粒[a1]的制备的相同方法来制备用于参照的导电复合金属颗粒[a2],只不同的是镀覆溶液中含金量变为5g/L。
如此获得的导电复合金属颗粒[a2]具有12μm数均颗粒直径,0.4×103m2/kg的BET比表面积,8nm的敷层厚度,38%重量的表面层部分上的含金量和5Ω的电阻值R。
[导电复合金属颗粒[b1]和[b2]的制备]
按照与导电复合金属颗粒[a1]的制备相同的方法来制备下列导电复合金属颗粒[b1]和[b2],只不同的是可将导电金属颗粒[B]用以替换导电金属颗粒[A],并且改变镀覆溶液中的含金量。
导电复合金属颗粒[b1](发明):
导电复合金属颗粒,其具有72μm数均颗粒直径,0.02×103m2/kg的BET比表面积,65nm的敷层厚度t,66%重量的表面层部分上的含金量和0.1Ω的电阻值R。
导电复合金属颗粒[b2](比较):
导电复合金属颗粒,其具有130μm数均颗粒直径,0.009×103m2/kg的BET比表面积,57nm的敷层厚度t,63%重量的表面层部分上的含金量和1.1Ω的电阻值R。
[导电复合金属颗粒[c1]的制备]
按照与导电复合金属颗粒[a1]的制备相同的方法来制备下列导电复合金属颗粒[c1],只不同的是将导电金属颗粒[C]用于代替导电金属颗粒[A],并且改变镀覆溶液中的含金量。
导电复合金属颗粒[c1](比较):
导电复合金属颗粒,其具有127μm数均颗粒直径,0.01×103m2/kg的BET比表面积,52nm的敷层厚度t,57%重量的表面层部分上的含金量和0.3Ω的电阻值R。
[导电复合金属颗粒[d1]的制备]
按照与导电复合金属颗粒[a1]的制备相同的方法来制备下列导电复合金属颗粒[d1],只不同的是将导电金属颗粒[D]用于代替导电金属颗粒[A],并且改变镀覆溶液中的含金量。
导电复合金属颗粒[d](比较):
导电复合金属颗粒,其具有6μm数均颗粒直径,0.6×103m2/kg的BET比表面积,37nm的敷层厚度t,33%重量的表面层部分上的含金量和2Ω的电阻值R。
[导电复合金属颗粒[e1]的制备]
按照与导电复合金属颗粒[a1]的制备相同的方法来制备下列导电复合金属颗粒[e1],只不同的是将导电金属颗粒[E]用于代替导电金属颗粒[A],并且改变镀覆溶液中的含金量。
导电复合金属颗粒[e1](比较):
导电复合金属颗粒,其具有6μm数均颗粒直径,0.8×103m2/kg的BET比表面积,77nm的敷层厚度t,69%重量的表面层部分上的含金量和0.5Ω的电阻值R。
[导电复合金属颗粒[f1]的制备]
按照与导电复合金属颗粒[a1]的制备相同的方法来制备下列导电复合金属颗粒[f1],只不同的是将导电金属颗粒[F]用于代替导电金属颗粒[A],并且改变镀覆溶液中的含金量。
导电复合金属颗粒[f1](比较):
导电复合金属颗粒,其具有79μm数均颗粒直径,0.06×103m2/kg的BET比表面积,74nm的敷层厚度t,67%重量的表面层部分上的含金量和0.8Ω的电阻值R。
[导电复合金属颗粒[g1]的制备]
按照与导电复合金属颗粒[a1]的制备相同的方法来制备下列导电复合金属颗粒[g1],只是将导电金属颗粒[G]用于代替导电金属颗粒[A],并且改变镀覆溶液中的含金量。
导电复合金属颗粒[g1](比较):
导电复合金属颗粒,其具有53μm数均颗粒直径,0.05×103m2/kg的BET比表面积,75nm的敷层厚度t,82%重量的表面层部分上的含金量和0.4Ω的电阻值R。
所制备的导电复合金属颗粒的特性和在导电复合金属颗粒制备中所使用的导电金属颗粒的特性集中示于表1中。
表1
  导电复合金属颗粒                                      所使用导电金属颗粒的特性                            导电复合金属颗粒的特性
  种类   数均颗粒直径(μm)   颗粒直径变化系数(%)   BET比表面积(m2/kg)           元素含量   饱和磁化强度(Wb/m2)   数均颗粒直径(μm)   BET比表面积(m2/kg)   敷层厚度(nm)   表面层部分含金量(%)   电阻值R(Ω)
  硫   氧   碳
  发明   [a1]   [A]   10   10   0.5×103   0.05   0.02   0.03   0.6   15   0.2×103   89   82   0.03
  [b1]   [B]   65   40   0.03×103   0.08   0.2   0.05   0.6   72   0.02×103   65   66   0.1
  参考   [a2]   [A]   10   10   0.5×103   0.05   0.02   0.03   0.6   12   0.4×103   8   38   5
  [b2]   [B]   65   40   0.03×103   0.08   0.2   0.05   0.6   130   0.009×103   57   63   1.1
  比较   [c1]   [C]   120   48   0.02×103   0.07   0.2   0.04   0.6   127   0.01×103   52   57   0.3
  [d1]   [D]   4   7   0.7×103   0.03   0.1   0.03   0.6   6   0.6×103   37   33   2
  [e1]   [E]   5   47   0.9×103   0.07   0.2   0.04   0.6   6   0.8×103   77   69   0.5
  [f1]   [F]   73   58   0.05×103   0.1   0.6   0.12   0.6   79   0.06×103   74   67   0.8
  [g1]   [G]   48   32   0.08×103   0.14   0.8   0.13   0.6   53   0.05×103   75   82   0.4
[导电膏组合物的制备]
<制备例1>
将加成型液体有机硅橡胶“KE1950-40”(Shin-Etsu化学有限公司的产品)的液体A和液体B以相等比例(根据重量)相互混合,并且然后将100份重量的导电复合金属颗粒[a1]添加到100份重量的该混合物中。将所得混合物进行通过减压的去泡处理,由此制备按照本发明的导电膏组合物(1)。
关于加成型液体有机硅橡胶“KE1950-40”,在23℃下液体A和液体B的粘度(按Brookfield型粘度计所确定的)均为4800P,其固化产品在150℃下的压缩永久变形(JIS K 6249)为20%,在23℃下的硬度计硬度A(JIS K 6249)为42,和抗拉强度(JIS K 6249,月牙型)为35.6kgf/cm。
<制备例2>
按照与制备例1相同的方法制备按照本发明的导电膏组合物(2),只是将导电复合金属颗粒[b1]用以代替导电复合金属颗粒[a1]。
<比较制备例1>
按照与制备例1相同的方法制备按照本发明的导电膏组合物(3),只是将导电复合金属颗粒[c1]用以代替导电复合金属颗粒[a1]。
<比较制备例2>
按照与制备例1相同的方法制备按照本发明的导电膏组合物(4),只是将导电复合金属颗粒[d1]用以代替导电复合金属颗粒[a1]。
<比较制备例3>
按照与制备例1相同的方法制备按照本发明的导电膏组合物(5),只是将导电复合金属颗粒[e1]用以代替导电复合金属颗粒[a1]。
<比较制备例4>
按照与制备例1相同的方法制备按照本发明的导电膏组合物(6),只是将导电复合金属颗粒[f1]用以代替导电复合金属颗粒[a1]。
<比较制备例5>
按照与制备例1相同的方法制备按照本发明的导电膏组合物(7),只是将导电复合金属颗粒[g1]用以代替导电复合金属颗粒[a1]。
<参考制备例1>
按照与制备例1相同的方法制备按照本发明的导电膏组合物(8),只是将导电复合金属颗粒[a2]用以代替导电复合金属颗粒[a1]。
<参考制备例2>
按照与制备例1相同的方法制备按照本发明的导电膏组合物(9),只是将导电复合金属颗粒[b2]用以代替导电复合金属颗粒[a1]。
[导电膏组合物的评价]
按下列方法评价按照制备例1和2、比较制备例1-5和参考制备例1和2的导电膏组合物(1)-(9)。
提供具有引线电极区域的电路板,其中具有0.15mm宽度并由铜组成的240根线性引线电极以0.25mm(公差:0.1mm)的间距相互平行地排列,并且在电路板的引线电极区域上通过丝网印刷涂覆导电膏组合物试样,由此制成具有1.0mm宽度和约0.3mm厚度并在垂直于引线电极延伸的方向延伸的敷层。当在其厚度方向上对敷层施加平行磁场的同时,可将敷层在150℃的条件下进行1小时的固化处理,由此制成在电路板引线电极区域上整体形成的各向异性导电连接部件。
在连接部件上可排列平板,其中在该平板的整个表面上已形成有由镀金层组成的共用电极,并且该平板通过与加载单元连接的加压板而下压。在这种情况下,电路板的引线电极与该平板的共用电极之间的电阻可进行测量,以获得其最大值、最小值和平均值。
进一步地,将平板在25℃温度和30%相对湿度的环境下以1Hz周期重复地进行下压,由此在压制10,000次以后可测量在电路板引线电极与平板共用电极之间电阻,用以获得其平均值。
在表2中示出了其结果。
表2
  导电复合金属颗粒的种类                        电阻(Ω)
                初始  在压制10000次以后
  平均值   最大值   最小值  平均值
  发明   导电膏组合物(1)   [a1]   0.500   0.869   0.120  0.988
  导电膏组合物(2)   [b1]   0.642   0.996   0.251  1.322
  比较   导电膏组合物(3)   [c1]   1.820   3.045   0.159  9.233
  导电膏组合物(4)   [d1]   2.880   3.208   0.370  25.247
  导电膏组合物(5)   [e1]   2.149   2.562   0.275  15.946
  导电膏组合物(6)   [f1]   0.651   1.022   0.184  23.219
  导电膏组合物(7)   [g1]   0.678   0.963   0.165  38.716
  参考   导电膏组合物(8)   [a2]   20.392   33.667   9.339  300.551
  导电膏组合物(9)   [b2]   2.500   4.859   0.271  20.118
[各向异性导电薄板的制备]
根据图3所示的基本构成在下列条件下制造各向异性导电薄板的制造模具,只不同的是在空腔中提供用以设置支撑的空间区域。
基板:材料;铁,厚度;8mm
铁磁层:材料;镍,厚度;0.1mm,直径;0.25mm,间距(中心距离);0.5mm
非磁层的材料:辐射敏感树脂;厚度;0.15mm,
隔片的厚度;0.3mm
<制造例1>
在用以在模具的空腔内设置支撑的所述空间区域中设置用于由不锈钢组成并具有0.2mm厚度的各向异性导电薄板的框状支撑,然后,将导电膏组合物(1)填充在模具的空腔中,并通过减压进行去泡出来,由此在模具中制成导电组合物层。
在通过电磁铁对导电组合物层在其厚度方向上施加6,000G的平行磁场的同时,将导电组合物层在100℃条件下进行1小时的固化处理。在从模具中取出它以后,在200℃下进行4小时的后固化,由此制成按照本发明配备有支撑的各向异性导电薄板(1),其具有许多导电部件,每个部件可在薄板的厚度方向上延伸,并且绝缘部件可将这些导电部件相互进行绝缘。
如此获得的各向异性导电薄板(1),使得具有0.25mm外部直径的各导电部件可以0.5mm的间距以16行和16列来布置。绝缘部件的厚度为0.3mm,每个导电部件的厚度为0.4mm,导电部件是以由绝缘部件的两侧突起(每个突起高度:0.05mm)的状态而形成的。
<制造例2>
按照与制造例1相同的方法来制造按照本发明的配备有支撑的各向异性导电薄板(2),只是将导电膏组合物(2)用于替换导电膏组合物(1)。
<比较制造例1>
按照与制造例1相同的方法来制造按照本发明的配备有支撑的比较例各向异性导电薄板(3),只是将导电膏组合物(3)用于替换导电膏组合物(1)。
<比较制造例2>
按照与制造例1相同的方法来制造按照本发明的配备有支撑的比较例各向异性导电薄板(4),只是将导电膏组合物(4)用于替换导电膏组合物(1)。
<比较制造例3>
按照与制造例1相同的方法来制造按照本发明的配备有支撑的比较例各向异性导电薄板(5),只是将导电膏组合物(5)用于替换导电膏组合物(1)。
<比较制造例4>
按照与制造例1相同的方法来制造按照本发明的配备有支撑的比较例各向异性导电薄板(6),只是将导电膏组合物(6)用于替换导电膏组合物(1)。
<比较制造例5>
按照与制造例1相同的方法来制造按照本发明的配备有支撑的比较例各向异性导电薄板(7),只是将导电膏组合物(7)用于替换导电膏组合物(1)。
<参考制造例1>
按照与制造例1相同的方法来制造按照本发明的配备有支撑的参考例各向异性导电薄板(8),只是将导电膏组合物(8)用于替换导电膏组合物(1)。
<参考制造例2>
按照与制造例1相同的方法来制造按照本发明的配备有支撑的参考例各向异性导电薄板(9),只是将导电膏组合物(9)用于替换导电膏组合物(1)。
[导电膏组合物的评价]
按照下列方法对按照制造例1和2、比较制造例1-5和参考制造例1和2的各向异性导电薄板(1)-(9)进行评价。
(i)将各向异性导电薄板样品设置并固定在印刷布线板上,该电路板具有电极,所述电极分别具有0.25mm的直径并按照以对应于各向异性导电薄板试样中导电部件以0.5mm的间距的格点位置按照16行和16列来设置,以该方式使得导电部件可位于其对应的电极上。平板,其整个表面上已经形成有由镀金层组成的共用电极,可设置在各向异性导电薄板上。该平板可通过与加载单元相连的压板在3.5kgf负载下向下压制。在这种情况下,可测量印刷布线板电极与平板共用电极之间的电阻(在各向异性导电薄板中导电部件的电阻),用以获得其最大值、最小值和平均值。
进一步地,将平板在25℃温度下和30%相对湿度的环境下以1Hz的周期重复地进行下压,由此在压制10000次以后,测量印刷布线板电极与平板共用电极之间的电阻,以获得其平均值。
在表3中示出了其结果。
(ii)将各向异性导电薄板样品设置并固定在印刷布线板上,该电路板具有电极,所述电极分别具有0.25mm的直径并以根据对应于各向异性导电薄板试样中导电部件以0.5mm的间距的格点位置按照16行和16列来设置,以该方式使得导电部件可位于其对应的电极上。平板,其整个表面上已经形成有由镀金层组成的共用电极,可设置在各向异性导电薄板上。该平板可通过与加载单元相连的压板向下压制,由此使各向异性导电薄板中的导电部件受到压缩并变形,以便获得5%,10%,15%和20%的压缩率。在各个情况下,可测量印刷布线板电极与平板共用电极之间的电阻(在各向异性导电薄板中导电部件的电阻),用以获得其平均值。
在图4中示出了其结果。
表3
  导电复合金属颗粒的种类                         电阻(Ω)
                 初始  在压制10000次以后
  平均值   最大值   最小值  平均值
  发明   各向异性导电薄板(1)   [a1]   0.169   0.235   0.040  0.208
  各向异性各向薄板(2)   [b1]   0.175   0.332   0.081  0.400
  比较   各向异性各向薄板(3)   [c1]   0.455   0.823   0.050  3.411
  各向异性各向薄板(4)   [d1]   0.800   1.034   0.101  10.471
  各向异性各向薄板(5)   [e1]   0.614   0.732   0.090  8.543
  各向异性各向薄板(6)   [f1]   0.173   0.300   0.050  15.424
  各向异性各向薄板(7)   [g1]   0.185   0.301   0.045  23.154
  参考   各向异性各向薄板(8)   [a2]   6.374   10.521   3.113  123.551
  各向异性各向薄板(9)   [b2]   0.733   1.324   0.090  6.338
表4
  导电复合金属颗粒的种类 电阻的平均值(Ω)
  5%压缩率   10%压缩率   15%压缩率   20%压缩率
  发明   各向异性导电薄板(1)   [a1]   0.185   0.175   0.173   0.169
  各向异性导电薄板(2)   [b1]   0.385   0.203   0.181   0.177
  比较   各向异性导电薄板(3)   [c1]   1.976   1.151   0.736   0.478
  各向异性导电薄板(4)   [d1]   5.267   2.839   1.307   0.811
  各向异性导电薄板(5)   [e1]   3.875   1.815   0.934   0.623
  各向异性导电薄板(6)   [f1]   6.541   2.012   0.714   0.179
  各向异性导电薄板(7)   [g1]   9.131   3.747   1.002   0.191
  参考   各向异性导电薄板(8)   [a2]   31.070   21.570   10.260   6.472
  各向异性导电薄板(9)   [b2]   3.504   1.432   0.938   0.801
发明的效果
如上所述,按照本发明的导电金属颗粒和导电复合金属颗粒,可提供具有稳定导电率的导电材料。
按照本发明的导电膏组合物具有高导电率和其高的再现性,因为,包含有上述导电金属颗粒和/或导电复合金属颗粒。
按照本发明的导电薄板具有高的导电率和其高的再现性,因为包含有上述导电金属颗粒和/或导电复合金属颗粒。
按照本发明的电路板具有在布线层之间高的导电率和其高的再现性,因为它们具有包含上述导电金属颗粒和/或导电复合金属颗粒的导体。
按照本发明的导电连接结构,可获得导电率和其再现性高的电气连接,因为它们可通过上述导电膏组合物或通过上述导电薄板而连接。
按照本发明用于电路器件的电气检查装置,可获得用于电路器件的导电率和其再现性高的电气连接,其中电路器件是检查目标,因为该装置具有上述导电薄板。

Claims (7)

1、一种包括在有机聚合物中的导电复合金属颗粒的导电薄板,所述导电复合金属颗粒通过用高导电金属涂覆导电金属颗粒的表面获得,其中,所述导电金属颗粒具有5-100μm的数均颗粒直径,0.01×103-0.7×103m2/kg的BET比表面积,最多0.1%重量的硫元素含量,最多0.5%重量的氧元素含量,最多0.1%重量的碳元素含量;导电金属颗粒直径的变化系数最多为50%;和导电金属颗粒的饱和磁化强度至少为0.1Wb/m2;和
根据下列数字表达式所计算出的高导电金属涂覆层的厚度t为至少10nm:
t=[1/(Sw·ρ)]×[N/(1-N)]
其中t为高导电金属涂覆层的厚度,以nm计,Sw为导电金属颗粒的BET比表面积,以m2/kg计,ρ为高导电金属的比重,以kg/m3计,和N为高导电金属的涂覆层重量与导电复合金属颗粒的重量的比。
2、按照权利要求1的导电薄板,其中高导电金属为金。
3、按照权利要求1的导电薄板,其中在导电复合金属颗粒的每个表面层部分中高导电金属的含量为至少50%重量。
4、按照权利要求1的导电薄板,其中导电复合金属颗粒的BET比表面积为0.01×103-0.7×103m2/kg。
5、按照权利要求1的导电薄板,其中按下列方法测量的电阻值R为最多1Ω:
电阻值:
通过将0.6g的导电复合金属颗粒与0.8g的液体橡胶进行混合而制备一种膏组合物,将该膏组合物设置在一对电极之间,该一对电极具有1mm直径,并设置成使电极以0.5mm的间隙相互相对,将0.3T的磁场施加在该对电极上,并且将该对电极在该状态下放置直到电极对之间的电阻值稳定,由此在此时测量电阻值。
6、通过按照权利要求1-5中任一项的导电薄板连接的导电连接结构。
7、一种用于电路器件的电气检查装置,其包括按照权利要求1-5中任一项的导电薄板,其中通过该导电薄板获得与待检查电路器件的待检查电极的电连接。
CNB011381906A 2000-09-29 2001-09-29 导电金属颗粒,导电复合金属颗粒及使用其的应用产品 Expired - Fee Related CN1229817C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000300028 2000-09-29
JP300028/2000 2000-09-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1362712A CN1362712A (zh) 2002-08-07
CN1229817C true CN1229817C (zh) 2005-11-30

Family

ID=18781760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB011381906A Expired - Fee Related CN1229817C (zh) 2000-09-29 2001-09-29 导电金属颗粒,导电复合金属颗粒及使用其的应用产品

Country Status (8)

Country Link
US (2) US6663799B2 (zh)
EP (1) EP1193757B1 (zh)
KR (3) KR20020025796A (zh)
CN (1) CN1229817C (zh)
AT (1) ATE417359T1 (zh)
DE (1) DE60136897D1 (zh)
PT (1) PT1193757E (zh)
TW (1) TW536713B (zh)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6969622B1 (en) * 2001-02-09 2005-11-29 Jsr Corporation Anisotropically conductive connector, its manufacture method and probe member
US7059874B2 (en) * 2002-03-19 2006-06-13 Paricon Technologies, Inc. Anisotropic conductive elastomer based electrical interconnect with enhanced dynamic range
CN100369227C (zh) * 2002-08-09 2008-02-13 Jsr株式会社 导电连接器和浆料成分、探针元件及晶片检测仪器和方法
DE60310739T2 (de) * 2002-08-27 2007-10-11 Jsr Corp. Anisotrope leitfähige folie und impedanzmesssonde
US7524748B2 (en) * 2003-02-05 2009-04-28 Senju Metal Industry Co., Ltd. Method of interconnecting terminals and method of mounting semiconductor devices
TWI239684B (en) * 2003-04-16 2005-09-11 Jsr Corp Anisotropic conductive connector and electric inspection device for circuit device
FR2856189B1 (fr) * 2003-06-10 2007-02-16 Hutchinson Procede de fabrication d'un dispositif de codage magnetique, ainsi que le dispositif ainsi obtenu
WO2004112195A1 (ja) * 2003-06-12 2004-12-23 Jsr Corporation 異方導電性コネクター装置およびその製造方法並びに回路装置の検査装置
CA2432820A1 (en) * 2003-06-19 2004-12-19 Green-Kore Inc. Composition for production of non-toxic projectiles and method of manufacturing thereof
JP4191567B2 (ja) * 2003-09-18 2008-12-03 株式会社リコー 導電性接着剤による接続構造体及びその製造方法
KR101014175B1 (ko) * 2003-11-04 2011-02-14 삼성전자주식회사 신호전송유닛, 이를 갖는 신호처리모듈 및 이를 갖는표시장치
WO2005048407A1 (ja) * 2003-11-17 2005-05-26 Jsr Corporation 異方導電性シートおよびその製造方法並びにその応用製品
JP3867232B2 (ja) * 2004-03-25 2007-01-10 株式会社 東北テクノアーチ 触媒ナノ粒子
US7780876B2 (en) * 2004-04-16 2010-08-24 National Institute For Materials Science Fine metal particle colloidal solution, conductive paste material, conductive ink material, and process for producing the same
TW200602645A (en) * 2004-04-27 2006-01-16 Jsr Corp Method of manufacturing sheetlike probe and its application
US7129417B2 (en) * 2004-04-29 2006-10-31 International Business Machines Corporation Method and structures for implementing customizable dielectric printed circuit card traces
JP4632870B2 (ja) * 2005-06-10 2011-02-16 Necシステムテクノロジー株式会社 Lsiパッケージ及び回路基板
US7534821B2 (en) * 2005-08-11 2009-05-19 Xerox Corporation Polymeric aerogel nanocomposites
JP2007165063A (ja) * 2005-12-13 2007-06-28 Samsung Sdi Co Ltd 導電性粒子、導電性ペースト及び電子部品
US7944035B2 (en) * 2006-05-22 2011-05-17 International Rectifier Corporation Double sided semiconduction device with edge contact and package therefor
JP2008108539A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Fujitsu Ltd 導電性ペーストおよびその製造方法
US7982137B2 (en) * 2007-06-27 2011-07-19 Hamilton Sundstrand Corporation Circuit board with an attached die and intermediate interposer
KR101402892B1 (ko) 2007-09-11 2014-06-11 삼성디스플레이 주식회사 도전성 입자를 갖는 이방성 도전 접착제, 상기 도전성입자의 제조 방법, 및 상기 이방성 도전 접착제를 이용하여표시 장치를 제조하는 방법
US20090104405A1 (en) * 2007-10-17 2009-04-23 Honeywell International Inc. Laminated printed wiring board with controlled spurious rf emission capability/characteristics
EP2206756A1 (en) * 2007-10-29 2010-07-14 Hitachi Chemical Company, Ltd. Circuit connecting material, connection structure and method for producing the same
US8007286B1 (en) 2008-03-18 2011-08-30 Metrospec Technology, Llc Circuit boards interconnected by overlapping plated through holes portions
US8851356B1 (en) 2008-02-14 2014-10-07 Metrospec Technology, L.L.C. Flexible circuit board interconnection and methods
US11266014B2 (en) 2008-02-14 2022-03-01 Metrospec Technology, L.L.C. LED lighting systems and method
US8143631B2 (en) 2008-03-06 2012-03-27 Metrospec Technology Llc Layered structure for use with high power light emitting diode systems
US20090277670A1 (en) * 2008-05-10 2009-11-12 Booth Jr Roger A High Density Printed Circuit Board Interconnect and Method of Assembly
TWI392424B (zh) * 2008-05-23 2013-04-01 Denso Corp And a method for manufacturing a conductor for interlayer connection
US8439690B2 (en) * 2009-01-15 2013-05-14 Polymatech Co., Ltd. Connector
JP5358328B2 (ja) 2009-07-16 2013-12-04 デクセリアルズ株式会社 導電性粒子、並びに異方性導電フィルム、接合体、及び接続方法
US8569631B2 (en) * 2011-05-05 2013-10-29 Tangitek, Llc Noise dampening energy efficient circuit board and method for constructing and using same
WO2013132831A1 (ja) * 2012-03-06 2013-09-12 東洋インキScホールディングス株式会社 導電性微粒子およびその製造方法、導電性樹脂組成物、導電性シート、並びに電磁波シールドシート
KR101315105B1 (ko) * 2012-03-23 2013-10-07 (주)창성 태양전지용 전극 페이스트 조성물
JP6079425B2 (ja) * 2012-05-16 2017-02-15 日立化成株式会社 導電粒子、異方性導電接着剤フィルム及び接続構造体
WO2016140196A1 (ja) * 2015-03-04 2016-09-09 積水化学工業株式会社 導通ペースト、電気モジュール及び電気モジュールの製造方法
JP2018035286A (ja) * 2016-09-01 2018-03-08 パナソニックIpマネジメント株式会社 導電性樹脂組成物及びそれを用いた電子回路部材
CN107811616B (zh) * 2016-09-14 2021-01-15 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种柔性多参量人体体征探测器及其使用方法
KR101953962B1 (ko) 2017-01-09 2019-03-04 서울대학교산학협력단 비아를 포함하는 신축성 기판 형성 방법 및 비아를 가지는 신축성 기판
JP7242557B2 (ja) 2017-02-08 2023-03-20 ナショナル リサーチ カウンシル オブ カナダ 低粘度及び低処理温度を有する銀分子インク
TW201842088A (zh) 2017-02-08 2018-12-01 加拿大國家研究委員會 可印刷分子油墨
TW201842087A (zh) 2017-02-08 2018-12-01 加拿大國家研究委員會 具改良之熱穩定性的分子油墨
WO2019043950A1 (ja) * 2017-09-04 2019-03-07 三菱電機株式会社 半導体モジュール及び電力変換装置
US20190355277A1 (en) * 2018-05-18 2019-11-21 Aidmics Biotechnology (Hk) Co., Limited Hand-made circuit board
US10849200B2 (en) 2018-09-28 2020-11-24 Metrospec Technology, L.L.C. Solid state lighting circuit with current bias and method of controlling thereof
KR102584123B1 (ko) * 2019-01-10 2023-10-05 국도첨단소재 주식회사 이방 도전성 필름 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20240051450A (ko) 2022-10-13 2024-04-22 (주)포인트엔지니어링 마이크로 금속 성형물 및 이의 제조방법

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3983075A (en) * 1974-06-21 1976-09-28 Kennecott Copper Corporation Copper filled conductive epoxy
US4450188A (en) * 1980-04-18 1984-05-22 Shinroku Kawasumi Process for the preparation of precious metal-coated particles
CA1218839A (en) * 1982-10-28 1987-03-10 Tokuzo Kanbe Shielding material of electromagnetic waves
US4455167A (en) * 1983-07-05 1984-06-19 Mpd Technology Corporation Nickel-zinc dust-iron-nickel powder pigment system
JPS6084716A (ja) 1983-10-15 1985-05-14 キヤノン株式会社 透明導電性膜およびその作成方法
US4600604A (en) * 1984-09-17 1986-07-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Metal oxide-coated copper powder
US4729809A (en) * 1985-03-14 1988-03-08 Amp Incorporated Anisotropically conductive adhesive composition
US4687597A (en) * 1986-01-29 1987-08-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Copper conductor compositions
US4711814A (en) * 1986-06-19 1987-12-08 Teichmann Robert J Nickel particle plating system
JPS6362154A (ja) * 1986-09-01 1988-03-18 Mitsubishi Metal Corp 燃料電池のアノード電極製造用アトマイズドNi合金粉末およびその製造法
US5180513A (en) * 1987-02-06 1993-01-19 Key-Tech, Inc. Shielded plastic enclosure to house electronic equipment
JPH0773066B2 (ja) 1987-03-19 1995-08-02 日立化成工業株式会社 回路の接続部材
US4776980A (en) * 1987-03-20 1988-10-11 Ruffini Robert S Inductor insert compositions and methods
JPH0615680B2 (ja) * 1987-10-20 1994-03-02 三井金属鉱業株式会社 導電塗料用銅粉およびその製造法
CA1337545C (en) * 1988-02-01 1995-11-14 Yoshinobu Nakamura Copper powder for electroconductive paints and electroconductive paint compositions
US4857233A (en) * 1988-05-26 1989-08-15 Potters Industries, Inc. Nickel particle plating system
US5882802A (en) * 1988-08-29 1999-03-16 Ostolski; Marian J. Noble metal coated, seeded bimetallic non-noble metal powders
US4944797A (en) * 1989-01-03 1990-07-31 Gte Products Corporation Low oxygen content fine spherical copper particles and process for producing same by fluid energy milling and high temperature processing
JP2748705B2 (ja) 1991-02-14 1998-05-13 日立化成工業株式会社 回路の接続部材
JP3114162B2 (ja) 1991-07-14 2000-12-04 ソニーケミカル株式会社 電気的接続方法
US5584908A (en) * 1994-11-14 1996-12-17 Sherritt Inc. Micron-sized nickel metal powder and a process for the preparation thereof
JP3311899B2 (ja) * 1995-01-20 2002-08-05 松下電器産業株式会社 回路基板及びその製造方法
EP0843371B1 (en) * 1996-11-18 2000-10-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Hydrogen storage alloy powder and an electrode comprising the same
JP4042174B2 (ja) 1996-12-25 2008-02-06 Jsr株式会社 異方導電性エラストマーシート
JP3303710B2 (ja) 1997-01-23 2002-07-22 ジェイエスアール株式会社 異方導電性エラストマーシート用組成物および異方導電性エラストマーシートならびにコネクター
JPH10256687A (ja) * 1997-03-14 1998-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd ビアホール充填用導体ペースト組成物とそれを用いたプリント配線基板
JPH11134936A (ja) 1997-10-29 1999-05-21 Sekisui Finechem Co Ltd 導電性微粒子、異方性導電接着剤及び導電接続構造体
US6036839A (en) * 1998-02-04 2000-03-14 Electrocopper Products Limited Low density high surface area copper powder and electrodeposition process for making same
JP4377989B2 (ja) * 1999-06-10 2009-12-02 キヤノン株式会社 電子写真画像形成装置
US6589667B1 (en) * 2000-09-26 2003-07-08 Höganäs Ab Spherical porous iron powder and method for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
ATE417359T1 (de) 2008-12-15
US6926751B2 (en) 2005-08-09
US6663799B2 (en) 2003-12-16
US20020061401A1 (en) 2002-05-23
KR20060088530A (ko) 2006-08-04
KR20020025796A (ko) 2002-04-04
PT1193757E (pt) 2009-02-17
EP1193757A3 (en) 2005-09-28
CN1362712A (zh) 2002-08-07
EP1193757B1 (en) 2008-12-10
KR20050089956A (ko) 2005-09-09
TW536713B (en) 2003-06-11
US20040079193A1 (en) 2004-04-29
DE60136897D1 (de) 2009-01-22
EP1193757A2 (en) 2002-04-03
KR100671910B1 (ko) 2007-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1229817C (zh) 导电金属颗粒,导电复合金属颗粒及使用其的应用产品
CN1246932C (zh) 各向异性导电性连接器、其制造方法以及探针构件
CN1224137C (zh) 测量电阻用的连接器和用于电路板的电阻测量装置以及测量方法
CN1639919A (zh) 各向异性导电连接器及生产工艺和电路器件的检验设备
CN1701468A (zh) 各向异性导电连接器及其生产方法和电路器件的检查设备
CN1957260A (zh) 片状探针及其制造方法和应用
CN1806368A (zh) 各向异性导电连接器装置及其制造方法以及电路装置的检查装置
CN1296717C (zh) 各向异性导电薄板、其制造工艺及其应用的产品
CN1675756A (zh) 各向异性导电连接器,导电浆料成分,探针元件,和晶片检测仪器及晶片检测方法
CN1692283A (zh) 片状连接器及其生产过程和应用
CN1675757A (zh) 各向异性导电连接器,导电浆料成分,探针元件,和晶片检测仪器及晶片检测方法
CN1685568A (zh) 各向异性导电片及其生产方法和应用
CN1765032A (zh) 各向异性导电连接器、导电膏组分、探针部件、以及晶片检查装置和晶片检查方法
CN1806178A (zh) 各向异性导电性连接器以及晶片检测装置
CN1311719C (zh) 印刷线路板及其制造方法
CN1764844A (zh) 测量电阻的连接器、连接器设备及其生产方法及电路板的电阻测量装置和方法
CN1757139A (zh) 各向异性导电薄片及其制造工艺,适配器装置及其制造工艺,和用于电路装置的电气检查设备
CN1774838A (zh) 各向异性导电连接器和电路装置的电气检查装置
CN1675755A (zh) 各向异性导电连接器,探针元件,和晶片检测仪器及晶片检测方法
CN1922493A (zh) 用于电路板检查的适配器和用于电路板的检查装置
CN1377217A (zh) 多层线路板组件,多层线路板组件单元及其制造方法
CN1765161A (zh) 刚挠性电路板
CN1750244A (zh) 线路板、其制造方法以及半导体器件
CN1957259A (zh) 片状探针及其制造方法以及其应用
CN1788202A (zh) 片状探头及其制造方法和应用

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: KYOWA MACHINERY CO., LTD. ISC

Free format text: FORMER OWNER: JSR CORP.

Effective date: 20140905

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20140905

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: ISC Corporation

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: JSR Co., Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20051130

Termination date: 20200929