JPS6084716A - 透明導電性膜およびその作成方法 - Google Patents
透明導電性膜およびその作成方法Info
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- JPS6084716A JPS6084716A JP58192720A JP19272083A JPS6084716A JP S6084716 A JPS6084716 A JP S6084716A JP 58192720 A JP58192720 A JP 58192720A JP 19272083 A JP19272083 A JP 19272083A JP S6084716 A JPS6084716 A JP S6084716A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電荷輸送のキャリアが主に正孔であるp型の
透明導電性膜およびその作成方法に関するものである。
透明導電性膜およびその作成方法に関するものである。
透明導電性膜には、従来、ネサ膜(SnO2薄膜)やI
TO膜(95重量% In2O,+5重量% S nO
2)があり、これらの作成は電子ビーム蒸着・反応性ス
パッタリングあるいはCVD (ケミカル・ペーパー・
デポジション)などで行なわれている。これらの中で古
くから用いられているのがネサ膜である。
TO膜(95重量% In2O,+5重量% S nO
2)があり、これらの作成は電子ビーム蒸着・反応性ス
パッタリングあるいはCVD (ケミカル・ペーパー・
デポジション)などで行なわれている。これらの中で古
くから用いられているのがネサ膜である。
この膜は化学的に安定であるという長所をもっている反
面、膜の抵抗が高くまた光の透過率がそれほど高くない
(80チ程度)という欠点をもっている。この二つの欠
点を解決したものがITO膜であシ(例えば特公昭50
−19125参照)、これは現在では透過率90チ程度
、シート抵抗が数十Ωん以下のものが市販されている。
面、膜の抵抗が高くまた光の透過率がそれほど高くない
(80チ程度)という欠点をもっている。この二つの欠
点を解決したものがITO膜であシ(例えば特公昭50
−19125参照)、これは現在では透過率90チ程度
、シート抵抗が数十Ωん以下のものが市販されている。
しかしこれらの透明導電性膜は作成時に400〜500
℃位の熱をかけてお9、低温での作成(例えばポリエス
テル等の有機ポリマー上への積層など)は不可能であっ
た。
℃位の熱をかけてお9、低温での作成(例えばポリエス
テル等の有機ポリマー上への積層など)は不可能であっ
た。
最近、反応性高周波イオングレーティング法を用いて2
00℃程度の低温でITO膜を作成する方法が提案され
ているが、いまだ100℃以下での透明導電膜の作成は
困難であった。
00℃程度の低温でITO膜を作成する方法が提案され
ているが、いまだ100℃以下での透明導電膜の作成は
困難であった。
また、これらの透明導電性膜は酸素欠陥によるドナー準
位を用いたものであって全てn型(電子の輸送が電導の
主体であるもの)であシ、光電変換デバイス等において
p型半導体側に透明導電性膜を設ける場合、電荷注入効
率を低下させるという欠点をもっていた。
位を用いたものであって全てn型(電子の輸送が電導の
主体であるもの)であシ、光電変換デバイス等において
p型半導体側に透明導電性膜を設ける場合、電荷注入効
率を低下させるという欠点をもっていた。
本発明は、以上の従来の欠点を除去し、低抵抗のp型の
透明導電性膜及び低温(室温)でのその作成方法を提供
することを目的とする。
透明導電性膜及び低温(室温)でのその作成方法を提供
することを目的とする。
本発明によるp型透明導電性膜は酸化イリジウムを主成
分としたことを特徴とするものであシ、また本発明によ
るその一作成方法は、酸素ガス中で金属イリジウム又は
酸化イリジウムをターグットとしてそれに対向する基体
上に反応性スノやツタリングによシ室温で酸化イリジウ
ムの膜を形成することを特徴とし、また他の一作成方法
は、酸素ガス中で金属イリジウム又は酸化イリジウムを
蒸発源としてそれに対向する基体上に反応性イオンブレ
ーティングによシ室温で酸化イリジウムの膜を形成する
ことを特徴とするものである。
分としたことを特徴とするものであシ、また本発明によ
るその一作成方法は、酸素ガス中で金属イリジウム又は
酸化イリジウムをターグットとしてそれに対向する基体
上に反応性スノやツタリングによシ室温で酸化イリジウ
ムの膜を形成することを特徴とし、また他の一作成方法
は、酸素ガス中で金属イリジウム又は酸化イリジウムを
蒸発源としてそれに対向する基体上に反応性イオンブレ
ーティングによシ室温で酸化イリジウムの膜を形成する
ことを特徴とするものである。
次に本発明の実施例について説明する。
第1図は、本発明の酸化イリジウムを主成分とするp型
透明導電性膜を反応性スノe ツタリングで作成するに
用いるスノ4 ツタリング装置を例示している。
透明導電性膜を反応性スノe ツタリングで作成するに
用いるスノ4 ツタリング装置を例示している。
第1図において1は真空槽、2はその表面に酸化イリジ
ウムの透明導電性膜を施すべきガラス基板、3はイリジ
ウムよりなるターグット、4は高周波電源、5は高周波
電力印加の整合をとるマツチング・デックス、6は真空
槽1内への02ガスの導入およびその内圧を調節するバ
リアプルリークパルプ、7は基板2の温度検出用熱電対
、8は該熱電対の温度モニター、9は基板2冷却用の水
を流す銅・母イブ、11はシャッターである。図中、ハ
ツチングを付けて示した部分はアースされておシ、また
黒く塗って示した部分1oはターグットを支持する絶縁
体である。
ウムの透明導電性膜を施すべきガラス基板、3はイリジ
ウムよりなるターグット、4は高周波電源、5は高周波
電力印加の整合をとるマツチング・デックス、6は真空
槽1内への02ガスの導入およびその内圧を調節するバ
リアプルリークパルプ、7は基板2の温度検出用熱電対
、8は該熱電対の温度モニター、9は基板2冷却用の水
を流す銅・母イブ、11はシャッターである。図中、ハ
ツチングを付けて示した部分はアースされておシ、また
黒く塗って示した部分1oはターグットを支持する絶縁
体である。
真空槽1内の圧力を0−1 = 0.01 torrに
保ち、ターグット3に高周波を印加し、その印加高周波
t カ’e 0.2〜0.4 W/x” トL テ、o
、o5X/Sec〜0.15 X/(8)の成膜速度で
スノ臂ツタリングを行なった。この際、基板2は水冷し
て室温(2rl’〜25℃)に保つようにした。
保ち、ターグット3に高周波を印加し、その印加高周波
t カ’e 0.2〜0.4 W/x” トL テ、o
、o5X/Sec〜0.15 X/(8)の成膜速度で
スノ臂ツタリングを行なった。この際、基板2は水冷し
て室温(2rl’〜25℃)に保つようにした。
このようにしてガラス基板2上に作成した酸化イリジウ
ム薄膜のDC導電率の温度特性は第2図の通シであった
。第2図から明らかなように、導電率の温度依存性はほ
とんど認められず、金属的な挙動を示している。
ム薄膜のDC導電率の温度特性は第2図の通シであった
。第2図から明らかなように、導電率の温度依存性はほ
とんど認められず、金属的な挙動を示している。
第3図はf!々の印加高周波電力にて作成した酸化イリ
ジウム薄膜の比抵抗と光透過率を示す。高周波電力0.
02 W/α2では、透過率95%以上、比抵抗0.0
10・m以下の酸化イリジウム薄膜を作成することがで
きた。
ジウム薄膜の比抵抗と光透過率を示す。高周波電力0.
02 W/α2では、透過率95%以上、比抵抗0.0
10・m以下の酸化イリジウム薄膜を作成することがで
きた。
更に、酸化イリジウム膜がp型であるかn型であるかの
判♀を熱起電力測定にょシ行なった。第4図はその原理
図である。同図(a)は測定サンプルの上面図、伽)は
側面図である。ガラス基体2上の酸化イリジウム薄膜1
2上に金電極(Au電極)13 、13’ を蒸着し、
同図(りのように両電極13゜13′間に温度差ΔTを
与える。薄膜12がp型の場合は電荷輸送担体が正孔で
あるため、熱によって正孔は高温側から低温側に拡散し
同図(d)のような電位勾配をもった電位差が生ずるこ
とになる。測定の結果はそのようになった。この測定結
果よシ、酸化イリジウム膜はp型であることが判定でき
た。
判♀を熱起電力測定にょシ行なった。第4図はその原理
図である。同図(a)は測定サンプルの上面図、伽)は
側面図である。ガラス基体2上の酸化イリジウム薄膜1
2上に金電極(Au電極)13 、13’ を蒸着し、
同図(りのように両電極13゜13′間に温度差ΔTを
与える。薄膜12がp型の場合は電荷輸送担体が正孔で
あるため、熱によって正孔は高温側から低温側に拡散し
同図(d)のような電位勾配をもった電位差が生ずるこ
とになる。測定の結果はそのようになった。この測定結
果よシ、酸化イリジウム膜はp型であることが判定でき
た。
第5図は本発明によるp型で低抵抗の透明導電性膜たる
酸化イリジウム薄膜の他の作成方法として反応性イオン
グレーティング法を集流する装置の概要断面図である。
酸化イリジウム薄膜の他の作成方法として反応性イオン
グレーティング法を集流する装置の概要断面図である。
第5図において1は真空槽、2はその表面に酸化イリジ
ウムの透明導電性薄膜を施すべきガラス基板、6は02
ガス導入及び内圧調整用のバリアプルリークパルプ、1
4は金属イリジウムよシなる蒸発源、15は蒸発源14
に電子ヒームを作用させる電子ビームフィラメント、1
6a 、 l 5bは反応ガス活性化用電極、17は差
動排気を行うための内側のペルジャー(真空槽)、18
は該電極間に高周波電力を印加するための高周波電源、
19はその整合をとるマツチングがックスである。この
装置においてはガスの活性化にグロー放電、を用いるが
、他にアーク放電を用いて反応性イオンル−ティ/グを
行なってもよい。
ウムの透明導電性薄膜を施すべきガラス基板、6は02
ガス導入及び内圧調整用のバリアプルリークパルプ、1
4は金属イリジウムよシなる蒸発源、15は蒸発源14
に電子ヒームを作用させる電子ビームフィラメント、1
6a 、 l 5bは反応ガス活性化用電極、17は差
動排気を行うための内側のペルジャー(真空槽)、18
は該電極間に高周波電力を印加するための高周波電源、
19はその整合をとるマツチングがックスである。この
装置においてはガスの活性化にグロー放電、を用いるが
、他にアーク放電を用いて反応性イオンル−ティ/グを
行なってもよい。
温度は室温(20°〜25℃)でよい。
以上は金属イリジウム使用の場合について述べたが、酸
化イリジウムをターゲットとして用いた場合でも同様に
pWの透明導電膜が得られる。この場合、雰囲気ガスは
2 X 10 ’torr程度、H−)02ガス、蒸着
速度はIX/(8)程度以下、基体冷却は20〜25℃
程度とするのがよい。
化イリジウムをターゲットとして用いた場合でも同様に
pWの透明導電膜が得られる。この場合、雰囲気ガスは
2 X 10 ’torr程度、H−)02ガス、蒸着
速度はIX/(8)程度以下、基体冷却は20〜25℃
程度とするのがよい。
なお、基体としてはガラス板の他に、アクリル樹脂板、
ポリエステル樹脂板、ビニル樹脂板、ポリエチレン樹脂
板などのプラスチック板や陶器類などを用いることがで
きる。
ポリエステル樹脂板、ビニル樹脂板、ポリエチレン樹脂
板などのプラスチック板や陶器類などを用いることがで
きる。
またイリジウム又は酸化イリジウムに他のドーパントを
加えて特性改良を図ることも可能である。
加えて特性改良を図ることも可能である。
以上説明したように、本発明によれば、透明な低抵抗の
p型の導電性膜を得ることができ、しかもこれを室温程
度の低温で作成することが可能である。
p型の導電性膜を得ることができ、しかもこれを室温程
度の低温で作成することが可能である。
本発明のp型の透明導電膜は、例えは太陽電池の電極や
撮1象管の電極に使用することができる。
撮1象管の電極に使用することができる。
又、エレクトロクロミック素子の発色層と兼用できる電
極としても使用することができる。
極としても使用することができる。
第1図は本発明のp型透明導電性膜の作成に用いる反応
性スパッタリング装置の例示図、第2図は本発明のp型
透明導電性膜の導電率の温度特性を示す図、第3図は本
発明のp型透明導電性膜の比抵抗、透過率とその作成時
の高周波電力との関係を示す図、第4図(a)〜(d)
は本発明の透明導電性膜のpn判定のだめの熱起電力測
定の原理図、第5図は本発明のp型透明導電性膜の作成
に用いる反応性イオンブレーティング装置の例示図であ
る。 1・・・真空槽 2・・・ガラス基板 3・・・ターゲット 4・・・高周波電源5・・・マツ
チングがックス 6・・・バリアプルリーク・ノぐルブ
7・・・熱電対 8・・・熱電対モニター9・・・冷却
水導入管 10・・・絶縁体11・・・シャッター 1
2・・・透明導電性膜の試料13 、13’・・・金電
極 工4・・・蒸発源15・・・を子ビームフィラメン
ト 15a、16b ・・・反応ガス活性化電極17・・・
内側のペルジャー 18・・・高周波電源 19・・・マッチングボックス
第1図 第2図 ;、1度(に) 第3図 高nit力(w/cm’)
性スパッタリング装置の例示図、第2図は本発明のp型
透明導電性膜の導電率の温度特性を示す図、第3図は本
発明のp型透明導電性膜の比抵抗、透過率とその作成時
の高周波電力との関係を示す図、第4図(a)〜(d)
は本発明の透明導電性膜のpn判定のだめの熱起電力測
定の原理図、第5図は本発明のp型透明導電性膜の作成
に用いる反応性イオンブレーティング装置の例示図であ
る。 1・・・真空槽 2・・・ガラス基板 3・・・ターゲット 4・・・高周波電源5・・・マツ
チングがックス 6・・・バリアプルリーク・ノぐルブ
7・・・熱電対 8・・・熱電対モニター9・・・冷却
水導入管 10・・・絶縁体11・・・シャッター 1
2・・・透明導電性膜の試料13 、13’・・・金電
極 工4・・・蒸発源15・・・を子ビームフィラメン
ト 15a、16b ・・・反応ガス活性化電極17・・・
内側のペルジャー 18・・・高周波電源 19・・・マッチングボックス
第1図 第2図 ;、1度(に) 第3図 高nit力(w/cm’)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 酸化イリジウムを主成分としたことを特徴とする
p型透明導電性膜。 2 酸素ガス中で金属イリジウム又は酸化イリジウムを
ターrヮトとしてそれに対向する基体上に反応性ス・や
ツタリングによシ室温で酸化イリジウムの膜を形成する
ことを特徴とするp型透明導電性膜の作成方法。 3、酸素ガス中で金属イリジウム又は酸化イリジウムを
蒸発源としてそれに対向する基体上に反応性イオングレ
ーティングによシ室温で酸化イリジウムの膜を形成する
ことを特徴とするp型透明導電性膜の作成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58192720A JPS6084716A (ja) | 1983-10-15 | 1983-10-15 | 透明導電性膜およびその作成方法 |
US06/659,850 US4670334A (en) | 1983-10-15 | 1984-10-11 | Transparent electroconductive film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58192720A JPS6084716A (ja) | 1983-10-15 | 1983-10-15 | 透明導電性膜およびその作成方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1261510A Division JPH02139805A (ja) | 1989-10-06 | 1989-10-06 | p型半導体に使用する電極 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6084716A true JPS6084716A (ja) | 1985-05-14 |
Family
ID=16295938
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58192720A Pending JPS6084716A (ja) | 1983-10-15 | 1983-10-15 | 透明導電性膜およびその作成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4670334A (ja) |
JP (1) | JPS6084716A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0649051U (ja) * | 1992-12-21 | 1994-07-05 | 株式会社パイロット | 熱転写リボンカセット |
JPH09302284A (ja) * | 1996-05-14 | 1997-11-25 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 日射遮蔽膜用塗布液及びこれを用いた日射遮蔽膜 |
EP1193757A2 (en) | 2000-09-29 | 2002-04-03 | JSR Corporation | Conductive metal particles, conductive composite metal particles and applied products using the same |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4837068A (en) * | 1987-01-27 | 1989-06-06 | The Foxboro Company | Compliant diaphragm material |
WO1995013562A1 (en) * | 1993-11-12 | 1995-05-18 | Ppg Industries, Inc. | Iridium oxide film for electrochromic device |
US5798860A (en) * | 1996-01-16 | 1998-08-25 | Ppg Industries, Inc. | Iridium oxide film for electrochromic device |
US7713773B2 (en) * | 2005-11-02 | 2010-05-11 | Solopower, Inc. | Contact layers for thin film solar cells employing group IBIIIAVIA compound absorbers |
JP2008306080A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Hitachi Ltd | 光センサ素子、およびこれを用いた光センサ装置、画像表示装置 |
GB0817224D0 (en) * | 2008-09-19 | 2008-10-29 | Dupont Teijin Films Us Ltd | Coated polymeric substrates |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6012604A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-23 | 日東電工株式会社 | 透明導電性膜付き複合体 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3926751A (en) * | 1972-05-18 | 1975-12-16 | Electronor Corp | Method of electrowinning metals |
US4173518A (en) * | 1974-10-23 | 1979-11-06 | Sumitomo Aluminum Smelting Company, Limited | Electrodes for aluminum reduction cells |
US4258984A (en) * | 1979-09-14 | 1981-03-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Iridium oxide based electrochromic devices |
US4263112A (en) * | 1980-06-20 | 1981-04-21 | Frosch Robert A | Cell and method for electrolysis of water and anode therefor |
US4396690A (en) * | 1981-05-04 | 1983-08-02 | Diamond Shamrock Corporation | Device for the simultaneous production of electricity and thermal energy from the conversion of light radiation |
-
1983
- 1983-10-15 JP JP58192720A patent/JPS6084716A/ja active Pending
-
1984
- 1984-10-11 US US06/659,850 patent/US4670334A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS6012604A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-23 | 日東電工株式会社 | 透明導電性膜付き複合体 |
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EP1193757A2 (en) | 2000-09-29 | 2002-04-03 | JSR Corporation | Conductive metal particles, conductive composite metal particles and applied products using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4670334A (en) | 1987-06-02 |
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