JPS6012604A - 透明導電性膜付き複合体 - Google Patents

透明導電性膜付き複合体

Info

Publication number
JPS6012604A
JPS6012604A JP12006083A JP12006083A JPS6012604A JP S6012604 A JPS6012604 A JP S6012604A JP 12006083 A JP12006083 A JP 12006083A JP 12006083 A JP12006083 A JP 12006083A JP S6012604 A JPS6012604 A JP S6012604A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
transparent conductive
conductive film
foil
transparent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12006083A
Other languages
English (en)
Inventor
角橋 武
相沢 幹雄
田原 宏
佳久 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Electric Industrial Co Ltd filed Critical Nitto Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP12006083A priority Critical patent/JPS6012604A/ja
Publication of JPS6012604A publication Critical patent/JPS6012604A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は導電性箔と透明絶縁体との面に透明導電性膜
が介在された構造の透明導電性膜付き複合体に関する。
従来の透明導電性膜付き複合体としては、ガラス板やプ
ラスチックフィルムなどの透明絶縁体上に蒸着tスパッ
タリング、液相メッキ法などにより金、パラジウム、酸
化インジウムなどの透明絶縁膜を形成した構造のものが
知られている。しかし、この複合体は、透明絶縁体とし
てガラス板を用いたものではこれが可撓性や軽量化の面
で劣ることから、連続的な膜形成を行いにくい、大面積
の膜形成が難しいなどの製造法上の問題点を有していた
また、透明絶縁体がポリエステルフィルムの如きプラス
チックフィルムの場合、これが耐熱性に劣ることが原因
で膜形成の前後に通常要求される熱処理、たとえば膜形
成前のフィルム表面にチタン系カップリング剤の如き表
面処理剤を塗布したのちこれを焼付けるための熱処理や
金、パラジウムなどの膜を形成したのちに行う熱処理〔
いずれも膜の密着性9表面硬度、耐摩耗性などの向上を
図るもの〕、あるいは膜形成後透明性などの向上を図る
ための酸化性ガス雰囲気中での熱酸化処理を、充分な条
件で行い難く、このため透明導電性膜の各種性能がガラ
ス板を絶縁体としたものに比べて著しく劣る欠点があっ
た。
このため、たとえば熱酸化処理の代りに、絶縁体の耐熱
性が特に要求されない陽極酸化処理や重クロム酸カリウ
ムによる酸化の如き化成処理が提案されているものの、
この場合設備面や条件管理面において多くの問題点を有
している。特に陽極酸化処理では膜の下地が絶縁体であ
ることによって電解のための電流容量に大きな制約があ
り、また不均一な酸化によって膜性能の均一性を損ない
やすい。
この発明者らは、以上の観点から鋭意検討した結果、透
明導電性膜を透明絶縁体上に直接付着形成するのではな
く、耐熱性および電気伝導性にすぐれる導電性箔を使用
してこの苗土に透明導電性膜を付着形成しさらにこの上
に透明絶縁体を積層した複合体とすることにより、使用
時この複合体の上記導電性箔を全面にあるいはパターン
状にエツチング除去すれば、透明絶縁体の種類に関係な
く作業性および膜性能にすぐれる複合体製品が得られる
ことを知り、この発明をなすに至った。
すなわち、この発明は、導電性箔と、この苗土に形成さ
れた透明導電性膜と、さらにこの膜上に積層された透明
絶縁体とからなることを特徴とする透明導電性膜付き複
合体に係るものである。
この発明の上記複合体は、透明導電性膜を導電性箔上に
形成するものであるから上記箔の柔軟性を利用して膜形
成作業を連続的にまた大面積で行うことができ、一方膜
形成後透明絶縁体を積層する前に、上記箔の耐熱性およ
び導電性を利用することによって、膜特性を向上させる
ための前述した如き熱処理や陽極酸化処理を所望の条件
で行うことができ、したがって透明絶縁体の種類に関係
なく透明陸、導電性、密着性1表面硬度、耐摩耗性、耐
熱性、耐薬品性などの膜性能に非常にすぐれる複合体を
製造容易に提供できるという利点がある。
そして、この複合体の導電性箔を全面的にエツチング除
去することによって従来と同様の横木の透明絶縁体と透
明導電性膜とからなる複合体製品を得ることができると
ともに、上記エツチングを部分的に行いまたこの際透明
導電性膜の一部をパターン状にエツチングすることによ
り、透明絶縁体を支持体としてこの上にパターン化され
た透明導電性膜を有しさらにこの上にパターン化された
導電性箔を有する各種の複合体製品を製造容易に提供で
きるという特徴がある。
また、上記エツチング前においては、透明導電性膜が導
電性箔に保護された状態にあることから、使用前の取り
扱いが有利となり、また外的要因に起因した膜表面の傷
発生や熱、水分、薬品などによる性能劣化をきたすおそ
れはないために、この点からも膜性能に一段とすぐれた
透明導電性膜を提供することができる。
この発明の複合体は、以上の利点、特徴を有するために
、液晶ディスプレイ、エレクトロ・クロミックディスプ
レイ、エレクトロ・ルミネッセンスディスプレイなどの
新しいディスプレイ方式における透明電極のほか、透明
物品の帯電防止や電磁波遮断などの各種用途に非常に有
利に応用することができる。
なお、この発明と同様の構造を有する複合体として、前
記従来法に準じて透明絶縁体上に直接透明導電性膜を形
成し、この上に導電性箔を積層したものが考えられる。
しかし、このものは上記箔の積層時に適宜の接着剤を介
在させる必要があるから、箔と膜との間が絶縁され箔の
一部をノ々ター状に残す場合の透明電極などへの用途に
応用できない。また上記箔を全面的にエツチング除去し
た場合でも膜上に接着剤層が残存することとなる力・ら
膜性能の低下をきたし、このため工・ンチング除去後に
さらに接着剤層を取り除く必要があり、この作業は面倒
であるとともに取り除き作業特に下地の膜の性能を損な
いやすい。
すなわち、上記構造の複合体は、透明導電性膜と導電性
箔との間に接着剤層を介在させる必要力≦ある点でこの
発明の前記複合体とは構造的にもまた作用効果の面でも
本質的に相違し、さらに透明絶縁体上に直接膜形成rる
場合の前記欠点を以前として有するものである。この発
明の複合体力(b−。
かに有用なものであるかは上記説明によってもきわめて
明らかである。 ・ 以下に、この発明の透明導電性膜付き複合体につき図面
を参考にして説明する。
第1図はこの発明の上記複合体を示したもので、1は圧
延銅箔、電解銅箔、アルミニウム箔、二・ンケル箔など
の厚みが10〜50μm程度の導電性箔、2は上記箔1
上に形成された厚みが一般に0.002〜0.10 μ
m程度、好適には0.004〜0.05μIl’lの透
明導電性膜、3はこの膜2上に積層された透明絶縁体で
ある。
透明導電性膜2は、波長700mμの可視光線透過率が
50%以上好悪として70〜90係を有し、また波長4
’0Qtnμの可視光線透過率が50係以上好態として
60〜90%を有するような透明性を備えたものであり
、さらにその表面抵抗値が10〜2.00 ’oΩ/口
好態として100〜1,000Ω/口 を示す電気伝導
性を有している。
透明導電性膜2の材質としては、インジウム系、スズ系
、クロム系、タングステン系、タンタル系、チタン系、
ビスマス系、モリブデン系、ロジウム系、アンチモン系
、イリジウム系、レニウム系、ルテニウム系などの金属
、合金または酸化物などが、また金糸、パラジウム系、
銀系などの貴金属またはその合金などが広く含まれる。
その曲者種金属のヨウ化物、リン化物、ホウ化物、硫化
物なども使用可能である。
インジウム系としてはインジウム、インジウム−スズ、
インジウム−銀、インジウム−鉛、インジウム−ガリウ
ム、インジウム−硫黄、インジウム−燐、インジウム−
ホウ素およびこれらの酸化物などが挙げられる。スズ系
としてはスズ、スズ−亜鉛、スズ−コバルト、スズ−カ
ドミウム、スズー鉛、スズー銅、スズー銅−亜鉛、スズ
−銀、スズ−アンチモジおよびこれらの酸化物などが挙
げられる。
クロム系としてはクロム、クロム−鉄、クロム−マンガ
ン、クロム−モリブデン、クロム−バナジウム、クロム
−タングステン、クロム−チタンおよびこれらの酸化物
などが、タングステン系としてはタングステン、タング
ステン−ニッケル、タングステン−鉄、タングステン−
スズおよびこれらの酸化物などが、タンタル系としては
タンタノへタンクルータングステン、タンタル−ニッケ
ル、タンタル−コバルトおよびこれらの酸化物などが、
それぞれ挙げられる。
チタン系としてはチタン、チタン−銅およびこれらの酸
化物などが、ビスマス系としてはビスマス、ビスマス−
銅、ビスマス−鉛およびこれらの酸化物などが、モリブ
デン系としてはモリブデン、モリブデン−鉄およびこれ
らの酸化物などが、ロジウム系としてはロジウム、ロジ
ウム−タングステンおよびこれらあ酸化物などが、アン
チモン系としてはアンチモン、アンチモン−銅、アンチ
モムー白金およびこれらの酸化物などが、レニウムムー
銀およびこれらの酸化物などが、それぞれ挙げられる。
金糸としては金、金−ニッケル、金−スズ、金−銅、金
−銅一ニツケノペ金−銀、金−亜鉛、金−パラジウム−
ニッケル、金〜モリブデンおよび金−コバルトなどが、
パラジウム系としてはパラジウム−銀およびパラジウム
−白金などが、銀糸としては銀、銀−鉛などが、それぞ
れ挙げられる。
上記材質のなかから、各種メッキ法で膜形成した直後あ
るいはその後所要の酸化処理を施したのちに前記透明性
および導電性を示すだけでなく、導電性箔1の選択的エ
ツチング時にエツチング液に浸されない耐エツチング性
にすぐれたものが選ばれ、また特′に表面硬度、耐摩耗
性、可撓性および絶縁体に対する密着性などの機械的物
理的特性にすぐれ、しかも水分や薬品、熱に対して安定
である耐湿(水)性、耐薬品性および耐熱性にすぐれた
ものが賞月される。
上記観点からもつとも好適な材質としては、インジウム
系、スズ系、モリブデン系およびクロム系の金属、合金
および酸化物、金糸、パラジウム系および銀糸の金属お
よび合金などが挙げられる。
透明絶縁体3の代表的なものとしては、厚み0.5〜2
m程度のガラス板または厚み25〜125μm程度のプ
ラスチックフィルムである。上記プラスチックフィルム
のなかには、硝酸セルロース、酢酸セルロースナトのセ
ルロースエステル系樹脂かうするフィルム、エチルセル
ロース、カルボキジメチルセルロースナトのセルロース
エーテル系樹脂からなるフィルム、ポリカーボネートフ
ィルム、ポリエステルフィルムなどのフィルムや、フッ
素樹脂フィルム、ポリアミド系フィルム、エチレン−酢
酸ビニル共重合樹脂フィルム、テレフタル酸系ポリエス
テルフィルムなどの熱融着性に富むフィルムなどの各種
のフィルムが含まれる。
つぎに、上記複合体の製造法につき説明すると、まず導
電性箔1の膜形成すべき面を化学的手法ないし電解手法
により脱脂処理および平滑処理したのち、真空蒸着法や
スパッタリング法などの気相メッキ法、化学メッキや電
気メツキ法などの液相メッキ法により前記材質からなる
透明導電性膜2を形成する。膜形成の手段として特に好
適な方法は、膜形成するべき下地が導電性箔であること
の利点を活かすことができ、膜の均一性、設備面および
生産性にもすぐれる化学メッキ法および電気メツキ法で
ある。
上記膜形成後、膜の材質がインジウム系、スズ系、モリ
ブデン系、クロム系などである場合通常適宜の酸化処理
、好適には酸化性ガス雰囲気中での熱酸化処理または陽
極酸化処理を行う。この場合下地が耐熱性および電気伝
導性に富む導電性箔であることから所要な熱酸化ないし
陽極酸化条件を選択でき、これによって主として膜の透
明性を著しく向上できる。また膜の材質が金糸、パラジ
ウム系、銀糸などである場合熱処理を施して主として表
面硬度や耐摩耗性などの機械的物理的特性、さらには耐
熱性、耐薬品性などを向上させる。
さらに、上述の如き処理を施したのちに、膜2の表面に
テトラ−インプロポキンチタン、テトラ−n−ブトキシ
チタン、ジヒドロキシ−ビス(ラクタト〕チタンなどの
チタン酸アリルエステル系のチタン系カップリング剤や
その他各種のシラン系カップリング剤などの表面処理剤
を塗布し高温下で焼付けることにより、膜2の表面硬度
、耐摩耗性、絶縁体に対する密着性などの機械的物理的
特性やさらに耐熱性、耐薬品性などの緒特性を向上させ
ることができる。
このようにして性能の良好な膜2を形成したのち、透明
絶縁体3を積層することにより、この発明の前記瞑合体
が得られる。上記積層手段としては2、熱融着性に富む
プラスチックフィルムでは熱圧着法が有効であり、また
ガラス板や熱融着性の低いプラスチックフィルムでは接
着剤を用いて加熱もしくは非加熱下で圧着すればよい。
接着剤としては耐熱性の点からエポキシ樹脂やアクリル
系樹脂の如き熱硬化性のものが好ましく、特に硬化剤と
して酸無水物を用いたエポキシ樹脂が透明性にすぐれて
いるため望ましい。もちろん用途目的によりエチレン−
酢酸ビニル共重合樹脂などの熱可塑性樹脂を用いた接着
剤であってもよい。
なお、特殊な積層手段として、プラスチックフィルムを
用いる代りにフィルム形成用の樹脂を液状ないし溶液状
にして膜2の表面に塗布したのち硬化ないし溶剤を揮散
させてフィルム化する塗工形式を採用してもよい。この
目的に好適な上記フィルム形成用樹脂としては、エポキ
シ樹脂〔特に硬化剤として酸無水物を用いたもの〕、ア
クリル系樹脂、セルロースエステル果樹llL 中ルロ
ース工−テル系樹脂、ポリカーボネート樹脂などが挙げ
られる。
つぎに、この発明の上記複合体の使用形態につき説明す
る。第2図〜第5図は上記使用形態のそれぞれ異なる例
を示したものである。
まず、第2図では、導電性箔1および透明絶縁体2をい
ずれも部分的にエツチング除去してパターン化したもの
である。この製造は、第1図に示す複合体の導電性箔1
上にパターン状のエツチングレジストを形成して露出し
ている上記箔1とその下地となる透明導電性膜2とを同
時にエツチング除去し、その後上記のエツチングレジス
トを除去して露出させた箔1の上にさらに新たなパター
ン化エツチングレジストを形成してこれによりなお露出
している箔1をその下地となる膜2が残存するように選
択的にエツチング除去すればよい。
導電性箔1とその下地の透明導電性膜2とを同時にエツ
チング除去するためのエツチング液あるいは導電性箔1
のみを選択的にエツチング除去するためのエツチング液
としては、箔1と膜2との材質に応じて適宜のものが選
ばれる。たとえば銅箔に対してはアンモニア系エツチン
グ液、塩化第二鉄系エツチング液などのなかから、アル
ミニウム箔に対しては苛性ソーダ系エツチング液、塩酸
系エツチング液などのなかから、ニッケル箔に対しては
アンモニア系エツチング液、塩化第二鉄系エツチング液
、硝酸−硫酸エツチング液などのなかから、それぞれ膜
2の材質に応じて適宜選択使用すればよい。
第3図では、上記第2図のパターン化導電性箔1上にさ
らにニッケルメッキおよび金メッキからなる電極層4を
形成したものであり、この場合上記第2図の複合体の製
造法におけるパターン状のエツチングレジストを除去し
て露出させた導電性箔1の上に前記同様に新たなパター
ン化レジストを形成してこれによりなお露出している箔
1の上゛ にニッケルメッキおよび金メッキを施し、そ
の後上記パターン化レジストを除去してこの除去部分の
箔1を選択的にエツチング除去すればよい。
第4図および第5図は、いずれも導電性箔1を全面にエ
ツチング除去して透明絶縁体3と透明導電性膜2との複
合体製品としたもめて、このうち第5図は上記膜2を特
にパターン状としたものである。上記パターン状とする
手法は、前記第2図の複合体製品における導電性箔1を
残さない以外は、第2図の場合と同様である。
以下、この発明の実施例を記載してより具体的に説明す
る。
実施例1 厚さ35μmの圧延銅箔を、その片面にマスキング用フ
ィルム(日東電気工業社製商品名SPV盃224)をラ
ミネートしたのち、クリーナー160(ジャパン・メタ
ル・フィニツシユ社製商品名)の609/l 水からな
る浴温50°Cの電解脱脂槽(陰極としてステンレス板
を使用)に浸漬して、電流密度2A/dd 、処理時間
2分の条件で電解脱脂した。水洗後、りん酸6709/
l: 水およびグリセリン10 ’Og/l 水からな
る浴温25°Gの電解研摩槽(陰極として不銹鋼を使用
)に浸漬して、電流密度10 A/dy+f 、処理時
間13分の条件で電解研摩した。
上記の前処理後、ピロリン酸スズ219/l 水、ピロ
リン酸亜鉛a o !/12 水、ピロリン酸カリウム
280 !/l 水およびゼラチン1 fj/l 水か
らなる浴温50°Cのメッキ槽〔陽極としてスズ80重
i%のスズ−亜鉛合金板を使用〕に浸漬し、電流密度0
.5 A/dyf 、メッキ時間3秒の条件で電気メッ
キすることにより、銅箔露出面にスズ含量が80重ff
i%のスズー亜鉛合金メッキからなる厚さ約0,01μ
n1の透明導電性膜を形成した。
水洗乾燥後、マスキング用フィルムを剥離除去したのち
、厚さ5μn1のエポキシ−酸無水物系接着剤層を形成
した透明絶縁体としての厚さ100μI11のポリエス
テルフィルムに、上記接着剤層を介して透明導電性膜が
内側となるようにローラー型プレスにより熱圧着して、
銅箔、透明導電性膜およびポリエステルフィルムからな
るこの発明の透明導電性膜付き複合体とした。
実施例2 厚さ25μn1のアルミニウム箔を、その片面に実施例
1と同じマスキング用フィルムをラミネートしたのち、
実施例1と同様に電解脱脂し、水洗後、りん酸950 
!/l 全量およびニカワ5 Vl全量からなる浴温2
5°Cの電解研摩槽(陰極として不銹鋼を使用)に浸漬
して、電流密度300A/dtyf 、処理時間5分間
の条件で電解研摩した。
上記の前処理後、ホウフッ化カドミ撃ウムの43重J3
L%水溶液300.d/j’ 水、ホウフッ化第−スズ
の46重量%の水溶液70m1/l 水、ホウ酸20が
Z’7L ホウフッ化アンモニウム509/l 水、ホ
ウフッ酸の43重fi%水溶液60n4/l水およびゼ
ラチン19/l水からなる浴温25°Cのメッキ槽(陽
極として信金メッキチタンネットを使用)に浸漬し、電
流密度1へ47d、メッキ時間2秒の条件で電気メッキ
することにより、アルミニウム箔露出面にカドミウム含
量が75重量%のスス−カドミウム合金メッキからなる
厚さ約0.01μmの薄膜を形成した。
水洗後、苛性ソーダ28 g/l水および炭酸ソーダ5
0g/J水からなる浴温25°Gの電解槽(陰極として
鉄を使用)に浸漬し、電流密度5A/d、(。
処理時間10秒の条件で電解処理して前記薄膜を多 すぐれる導電性膜とした。
水洗乾燥後、マスキング用フィルムを剥離したのち透明
導電性膜上にテトラエトキシチタン系処理剤(日本曹達
社製の商品名1′BTポリマーB −10)を塗布し、
400’Cで20分間加熱し焼付ケタ。ついで、この焼
イ」け面に厚さ75μmのフッ素系ポリマーフィルム(
東し社製商品名FEP)を重ね合せ、ホットプレスによ
り275°C12に9A+#の条件で数分間加熱圧着し
て、アルミニウム箔、透明導電性膜およびフッ素系ポリ
マーフィルムからなるこの発明の透明導電性膜利き複合
体とした。
実施例3 厚さ35μmの電解銅箔を、その片面に実施例1と同じ
マスキング用フィルムをラミネートしたのち、実施例1
と同様に電解脱脂し、水洗後、酸性フッ化アンモニウム
−過酸化水素系の液温320Cの化学研摩液に5分間浸
漬して化学研摩した。
上記の前処理後、硫酸第一鉄(七水塩〕39g/l水、
モリブデ′ン酸ソーダ〔二水塩〕29W水およびクエン
酸ソーダ(二水塩) 76.59/l水なる浴温30°
Cのメッキ槽〔陽極として信金メツキメタンネットを使
用〕に浸漬し、電流密度0,5M曜、メッキ時間3秒の
条件で電気メッキすることにより、銅箔露出面にモリブ
デン含量が38重量係のモリブデン−鉄合金メッキから
なる厚さ約0,02μn1の薄膜を形成した。水洗後、
マスキング用フィルムを剥離したのち空気中500°C
で3時間加熱して上記薄膜を酸化し酸化物とすることに
より、透明性にすぐれる導電性膜とした。
この導電性膜上に実施例2と同じテトラエトキシチタン
系処理剤を塗布し、400°Gで20分間焼付けた。つ
いで、この焼料は面にエポキシ−酸無水物系接着剤を5
μm厚に塗布しこの上に厚さ1111111のガラス板
を熱圧着して、銅箔、透明導電性膜およびガラス板から
なるこの発明の透明導電性膜付き複合体とした。
実施例4 実施例1と同様にして電解研摩により表面を研摩した厚
さ35μn1の圧延銅箔を抵抗加熱方式の真空蒸着装置
中に保ち、真空度10 ”mmHy(残ガス組成;酸素
20(容N)%、他はアルゴン〕で蒸着材料としてスズ
を用いて銅箔上に厚み0.02μmnの蒸着膜を形成し
た。この蒸着膜は残ガス中の酸素とスズが反応したスズ
の低級酸化物からなる不透明で白っぽいかっ色の外観を
呈していた。
次に、この蒸着膜の付いた銅箔を空気中で400’C、
30分間加熱処理すると、蒸着膜は透明で光沢のある膜
に変化し、下地の銅箔の色がすけて見えるようになった
。しかるのち、上記膜面にテトラエトキシチタン系処理
剤(日本曹達社製の商品名”l’ B Tボ!17−B
−10)を塗布し、4000Cで20分間加熱し焼判け
た。その後、この面に実施例1と同様に厚さ5μmのエ
ポキシ−酸無水物系接着剤層を介して厚さ100μmの
ポリエステルフィルムをローラ型プレスにより熱圧着し
、銅箔、透明導電性膜およびポリエステルフィルムから
なるこの発明の透明導電性膜付き複合体とした。
上記各実施例の複合体を用いて第3図および第4図の複
合体製品を下記の方法で得、この複合体製品に付き各種
の性能を調べた結果は、後記の表に示されるとおりであ
った。
く第4図の複合体製品の製造〉 実施例1.2.′4’の複合体を、エツチング液として
実施例1,4のものでは液温40°c 、 pIg□、
0(2s0C)のアンモニア系エツチング液(上材工業
社製商品名アルファイン〕を、実施例2のものでは液温
50°C,PI114(25°C)の苛性ソーダ系エツ
チング液を用いて、スプレー型エツチャーによりエツチ
ング処理することにより各導電性箔のみを全面に選択的
にエツチング除去し、その後水洗乾燥を行って、それぞ
れ第4図に示す透明絶縁体と透明導電性膜とから複合体
製品を得た。
く第3図の複合体製品の製造〉 実施例3の複合体の銅箔上に印刷によりパターン状のエ
ツチングレジストを形成し、露出している銅箔とその下
地となる透明導電性膜とを液温500C+ ”110 
(25°C)のアンモニア系エツチング液(上材工業社
製商品名アルファイン)によりスプレー型エツチャを用
いて3分間エツチング除去した。ついで、前記のエツチ
ングレジストを溶解除去し露出させた残存する銅箔の上
にさらに新たなパターン化レジストを形成し、これによ
りなお露出している銅箔の上に厚さ3μmのニッケルメ
ッキおよび厚さ1μmの金メッキを順次族して電ホ揺を
形成した。
しかるのち、上記のパターン化レジストを剥離し、これ
により露出してくる銅箔を下地の透明導電性膜が残存す
るように液温50°C、I’ll 2(250C→の塩
化第二鉄系エツチング液により1分間選択的にエツチン
グ除去した。その陵、水洗乾燥を行ってガラス板とこの
上にパターン化された透明導電性膜とさらにこの上にパ
ターン化された銅箔および電極層とを有する第3図に示
す複合体製品を得た。
/ なお、表中の各性能は以下の方法で測定評価した。
〈導電性〉 透明導電性膜の表面抵抗値(Ω/口〕を四探針法により
測定した。
〈透明性〉 透明絶縁体(プラスチックフィルムまたはガラ板 スλを補償光路に入れて波長700mμおよび400 
mμの可視光線透過率を測定した。なお、実施例3では
銅箔および電極層が設けられていない部分の透明導電性
膜につき実測した。
〈耐熱性〉 150°Cで10分間保存したのちの表面抵抗値を測定
し、保存前の初期の表面抵抗値に対する増加率〔%〕を
調べた。
く耐アルカリ性〉 J規定の苛性ソーダ水溶液中に25°Cで1時間浸漬し
たのちの表面抵抗値を測定し、浸漬前の初期の表面抵抗
値に対する増加率〔%〕を調べた。
く密着性〉 透明絶縁体と透明導電性膜との密着性を調べるために、
銅箔またはアルミニウム箔をエツチングする前の段階で
接着剤層と透明導電性膜間を剥離したときの剥離強度を
テンシロン測定機により測定した。
く面j摩耗性〉 透明導電性膜の耐摩耗性を調べるために、上記膜面に対
してガーゼによる摩擦(100yyanを往復100回
行ったのちの表面抵抗値を測定し、摩擦前の初期の表面
抵抗値に対する増加率(%〕 。
を調べた。
上記の結果から明らかなように、この発明の透明導電性
膜付き複合体によれば、各種の膜性能にすぐれる複合体
製品を透明絶縁体の種類に関係なく、しかも作業性良好
に製造できるものであることがわかる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の透明導電性膜付き複合体を示す断面
図、第2図〜第5図は上記複合体を用いてつくられる複
合体製品のそれぞれ異なる例を示す断面図である。 1・・・導電性箔、2・・・透明導電性膜、3・・・透
明絶縁体。 特許出願人 日東電気工業株式会社 ・ ・−」1 第1 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)導電性箔と、この苗土に形成された透明導電性膜
    と、さらにこの膜上に積層された透明絶縁体とからなる
    ことを特徴とする透明導電性膜イ」き複合体。
JP12006083A 1983-06-30 1983-06-30 透明導電性膜付き複合体 Pending JPS6012604A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12006083A JPS6012604A (ja) 1983-06-30 1983-06-30 透明導電性膜付き複合体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12006083A JPS6012604A (ja) 1983-06-30 1983-06-30 透明導電性膜付き複合体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6012604A true JPS6012604A (ja) 1985-01-23

Family

ID=14776892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12006083A Pending JPS6012604A (ja) 1983-06-30 1983-06-30 透明導電性膜付き複合体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6012604A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6084716A (ja) * 1983-10-15 1985-05-14 キヤノン株式会社 透明導電性膜およびその作成方法
JPS62264027A (ja) * 1986-01-16 1987-11-17 Nippon Denso Co Ltd 液晶表示素子の製造方法
JPH01222750A (ja) * 1988-02-29 1989-09-06 Shigemitsu Sangyo Kk 栄養めんの製造方法および特殊ミックス粉の製造方法
JPH0388223U (ja) * 1989-12-26 1991-09-10
WO2003081609A1 (en) * 2002-03-26 2003-10-02 Fujikura Ltd. Conductive glass and photoelectric conversion device using same
JP2008117782A (ja) * 2002-03-26 2008-05-22 Fujikura Ltd 導電性ガラスおよびこれを用いた光電変換素子

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55143706A (en) * 1979-04-24 1980-11-10 Kureha Chemical Ind Co Ltd Method of fabricating high molecular formed compound formed with transparent conductive layer

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55143706A (en) * 1979-04-24 1980-11-10 Kureha Chemical Ind Co Ltd Method of fabricating high molecular formed compound formed with transparent conductive layer

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6084716A (ja) * 1983-10-15 1985-05-14 キヤノン株式会社 透明導電性膜およびその作成方法
JPS62264027A (ja) * 1986-01-16 1987-11-17 Nippon Denso Co Ltd 液晶表示素子の製造方法
JPH01222750A (ja) * 1988-02-29 1989-09-06 Shigemitsu Sangyo Kk 栄養めんの製造方法および特殊ミックス粉の製造方法
JPH0388223U (ja) * 1989-12-26 1991-09-10
WO2003081609A1 (en) * 2002-03-26 2003-10-02 Fujikura Ltd. Conductive glass and photoelectric conversion device using same
CN1326158C (zh) * 2002-03-26 2007-07-11 株式会社藤仓 导电性玻璃和使用其的光电变换元件
JP2008117782A (ja) * 2002-03-26 2008-05-22 Fujikura Ltd 導電性ガラスおよびこれを用いた光電変換素子
US8546683B2 (en) 2002-03-26 2013-10-01 Fujikura Ltd. Electrically conductive glass and photoelectric conversion element using the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5392732B2 (ja) 銅表面の対樹脂接着層、配線基板および接着層形成方法
US5448037A (en) Transparent panel heater and method for manufacturing same
KR900000865B1 (ko) 구리-크롬-폴리이미드 복합체 및 그의 제조방법
US3981691A (en) Metal-clad dielectric sheeting having an improved bond between the metal and dielectric layers
TW321689B (ja)
TW201212048A (en) Transparent electrically conductive substrate
JP2005076091A (ja) キャリア付き極薄銅箔の製造方法、及びその製造方法で製造されたキャリア付き極薄銅箔
JP3641632B1 (ja) 導電性シート、それを用いた製品およびその製造方法
JPH03119701A (ja) 抵抗層付導電材料及び抵抗層付プリント回路基板
JPH0447038B2 (ja)
EP3101517A1 (en) Conductive substrate, conductive substrate laminate, method for producing conductive substrate, and method for producing conductive substrate laminate
KR20190038803A (ko) 투시형 전극용 적층판, 투시형 전극 소재, 디바이스 및 투시형 전극용 적층판의 제조 방법
JPH0382750A (ja) ポリイミド基体の少なくとも1面の変性方法
JP5256880B2 (ja) プラズマディスプレイ前面板用黒色化シールドメッシュおよびその製造方法
US20050097735A1 (en) Process for forming metal layers
TWI253979B (en) Double-sided copper-clad laminate for forming capacitor layer and method for manufacture thereof, and printed wiring board obtained using the double-sided copper-clad laminate for forming capacitor layer
JPS6012604A (ja) 透明導電性膜付き複合体
US20040075528A1 (en) Printed circuit heaters with ultrathin low resistivity materials
JP4423547B2 (ja) 導体層パターン及び電磁波遮蔽体の製造法
JPH06283260A (ja) 透明面状ヒーター及びその製造法
JPH06338381A (ja) 透明面状ヒーター及びその製造方法
JPS6012605A (ja) 透明導電性膜付き複合体の製造法
JP2017222907A (ja) めっき装置
JP2006159632A (ja) 銅メタライズド積層板及びその製造方法
CN113412041B (zh) 一种防辐射侧透板及其制作方法