JPS58103178A - 耐熱性薄膜太陽電池 - Google Patents
耐熱性薄膜太陽電池Info
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- JPS58103178A JPS58103178A JP56203155A JP20315581A JPS58103178A JP S58103178 A JPS58103178 A JP S58103178A JP 56203155 A JP56203155 A JP 56203155A JP 20315581 A JP20315581 A JP 20315581A JP S58103178 A JPS58103178 A JP S58103178A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金Ｊ！ｌ４ｗ３上に形成し九可撓性、耐熱性の
博膜上に形成されたアモルファスシリコン系の薄膜太陽
電池に＠するものである。
博膜上に形成されたアモルファスシリコン系の薄膜太陽
電池に＠するものである。
可撓性、耐熱性に富むポリインド等の樹脂薄膜を素板と
して使用し九太陽電池は特開昭５４−１４９４８９に記
載されている。しかるに樹脂薄膜のみをｌＸ、板として
使用した場合は、デポジションによって素板がカールし
、又デポジション中の変形によシ素板が均一に加熱され
ないという欠点があった。又加熱によりポリイミドから
Ｈ，Ｏが放出されるために性能に問題があった。本発明
者等はこれらを解決するため鋭意研究努力し九結果本発
明に到つ九ものである。
して使用し九太陽電池は特開昭５４−１４９４８９に記
載されている。しかるに樹脂薄膜のみをｌＸ、板として
使用した場合は、デポジションによって素板がカールし
、又デポジション中の変形によシ素板が均一に加熱され
ないという欠点があった。又加熱によりポリイミドから
Ｈ，Ｏが放出されるために性能に問題があった。本発明
者等はこれらを解決するため鋭意研究努力し九結果本発
明に到つ九ものである。
本発明を、その実施例を示す図面に従って説明すると以
下の通シである。
下の通シである。
第１図は本発明に係る薄膜層１ｌｉｌ）電池（以下、本
発明電池という）の−例を示す斜視図であって、この実
施例は、金属箔１ａ上に電気絶縁性の薄膜ｌｂを形成し
九素板ｌの電気絶縁性″／ｌ＃膜１ｂ側の表面にアモル
ファス半導体とオーミック接触をする金属薄膜２．９４
えばアルミニウム、モリブデン、ステンレス鋼を約５０
０ム〜１）１１１にの厚さに蒸着又はスパッタして基板
１０を作成し、次にプラズマグロー放電法又はスパッタ
蒸着法によシアモルファスシリコン系光起電力素子層３
を層厚０．２〜２μｍ程度に形成し、次に該素子層３に
対する電位障壁となり光は大部分が透過する光透過性電
極層４、例えば！〒０．８ｎＯ１，又絋工ＴＯとＳｎｕ
ｇの複合層を５００〜３０００ム程度の厚さに蒸着形成
し、この光透過性′＊Ｌ健層４上にアルミニウムやパラ
ジウムからなる櫛形電極５を形成し、最後に必’ＩＫよ
シ反射防止膜６として酸化ジルコニウム換婢を形成した
ものである。
発明電池という）の−例を示す斜視図であって、この実
施例は、金属箔１ａ上に電気絶縁性の薄膜ｌｂを形成し
九素板ｌの電気絶縁性″／ｌ＃膜１ｂ側の表面にアモル
ファス半導体とオーミック接触をする金属薄膜２．９４
えばアルミニウム、モリブデン、ステンレス鋼を約５０
０ム〜１）１１１にの厚さに蒸着又はスパッタして基板
１０を作成し、次にプラズマグロー放電法又はスパッタ
蒸着法によシアモルファスシリコン系光起電力素子層３
を層厚０．２〜２μｍ程度に形成し、次に該素子層３に
対する電位障壁となり光は大部分が透過する光透過性電
極層４、例えば！〒０．８ｎＯ１，又絋工ＴＯとＳｎｕ
ｇの複合層を５００〜３０００ム程度の厚さに蒸着形成
し、この光透過性′＊Ｌ健層４上にアルミニウムやパラ
ジウムからなる櫛形電極５を形成し、最後に必’ＩＫよ
シ反射防止膜６として酸化ジルコニウム換婢を形成した
ものである。
さらに必要により保＠膜が形成されるＯ全極箔１ｍは例
えばアルミニウム、銅、鉄、ニッケル、ステンレス−等
の金属であシ、厚みは５μ１ｍｌ〜２鰭、望ましくは５
０μｍ＝１ｍのものが良い。電気絶縁性薄膜１１）は光
照射時において約１０４（Ω・ａｍＴ”以下の電気体ａ
４度が会費である。材料としては金橋酸化物あるイｉｊ
、＃ｉ１性又ｕ 非１％ ｉｉｉ （’）８”（ｔ−ｘ
）Ｏｘ ： （Ｈ） 、 Ｑｉ−ｙ）’（ｙ）： （Ｈ
） −８１（ｔ −ｘ −ｙ）’ｘＮｙ ： （Ｈ）が
あけられる０金鵬酸化物については、そのスパッタやｗ
Ｂ＠漸、あるいは有機全極化合物のＣＶＤ＋塗布酸化分
解、又はアルミ薄膜の表向のアルマイト処理のような酸
化等で得る拳ができるｏ ８１＜ｘ−ｘ＞Ｏｘ ： （
Ｈ） 、 Ｑｉ−ｙ）Ｍｙ ： （叱８ｊ（ｘ−ｘ−ｙ
）Ｏｉｌｙ ： Ｏ”）等は、スノ（ツタやグロー放電
分解によって得る事ができる０スノくツタの場合は多結
晶の８１０ 、 Ｓｉ□Ｎ４をターゲットにして４得ら
れるし、８１とグラファイト等をターゲットにして得る
ことができる。水素＠は含んでもよいし含まなくて４よ
い。グロー放電分解法で得る、場合には後述する”Ｑ”
−ｘ）０（ｘ） ’ （”） ＊ ’−Ｑｌｙ）”（ｙ
） ：（”） ＃ ｅＬ−８ｉ（１−１７）ＯＸＮｙ：
＠と同様に得る事ができる０この場合ドープせずに用い
るのが良いが光照射時の電気伝褥匿が１０＝（Ω・備）
−１以下であれば、ボロン、りン尋でドーピングしても
よい。厚みは可撓性のある範囲でかつ金属箔を絶縁でき
ればよく、通常は約市■ム〜１０μの範囲で用いられる
。又、金属薄膜２としては上記の外にアンチモン、クロ
ム、ニクｐムのような適当な電気伝導度を有する金属を
用いることができる。
えばアルミニウム、銅、鉄、ニッケル、ステンレス−等
の金属であシ、厚みは５μ１ｍｌ〜２鰭、望ましくは５
０μｍ＝１ｍのものが良い。電気絶縁性薄膜１１）は光
照射時において約１０４（Ω・ａｍＴ”以下の電気体ａ
４度が会費である。材料としては金橋酸化物あるイｉｊ
、＃ｉ１性又ｕ 非１％ ｉｉｉ （’）８”（ｔ−ｘ
）Ｏｘ ： （Ｈ） 、 Ｑｉ−ｙ）’（ｙ）： （Ｈ
） −８１（ｔ −ｘ −ｙ）’ｘＮｙ ： （Ｈ）が
あけられる０金鵬酸化物については、そのスパッタやｗ
Ｂ＠漸、あるいは有機全極化合物のＣＶＤ＋塗布酸化分
解、又はアルミ薄膜の表向のアルマイト処理のような酸
化等で得る拳ができるｏ ８１＜ｘ−ｘ＞Ｏｘ ： （
Ｈ） 、 Ｑｉ−ｙ）Ｍｙ ： （叱８ｊ（ｘ−ｘ−ｙ
）Ｏｉｌｙ ： Ｏ”）等は、スノ（ツタやグロー放電
分解によって得る事ができる０スノくツタの場合は多結
晶の８１０ 、 Ｓｉ□Ｎ４をターゲットにして４得ら
れるし、８１とグラファイト等をターゲットにして得る
ことができる。水素＠は含んでもよいし含まなくて４よ
い。グロー放電分解法で得る、場合には後述する”Ｑ”
−ｘ）０（ｘ） ’ （”） ＊ ’−Ｑｌｙ）”（ｙ
） ：（”） ＃ ｅＬ−８ｉ（１−１７）ＯＸＮｙ：
＠と同様に得る事ができる０この場合ドープせずに用い
るのが良いが光照射時の電気伝褥匿が１０＝（Ω・備）
−１以下であれば、ボロン、りン尋でドーピングしても
よい。厚みは可撓性のある範囲でかつ金属箔を絶縁でき
ればよく、通常は約市■ム〜１０μの範囲で用いられる
。又、金属薄膜２としては上記の外にアンチモン、クロ
ム、ニクｐムのような適当な電気伝導度を有する金属を
用いることができる。
第２図はアモルファスシリコン薄膜、および該薄膜層を
包含するアモルファスシリコン系光起電力素子層をプラ
ズマグロー放電法又はスパッタ蒸着法によ多形成する真
空装置の概略図である。図中８と９は電極で、ｌＯは基
板であシ、１ｌｔ１所定の気体を真空容器７内に送り込
むパルプである。アモルファスシリコン系光起電力素子
層３の形成は、予め前記基板ｌＯをその金属薄１１２＠
が上になるようにして電＆９上に載置したうえで、プラ
ズマグロー放電法による場合は真空容器γ内の真空度を
一度１〜ｌ０ＸＩＯ””Ｔｏｒｒ ｉで減圧した後にパ
ルプ１１からＳｉＨ４等のガスを送り込み減圧度を１０
〜５Ｔｏｒｒ程度に＠減して保持し、電極８と電極９と
の間に直流電圧又は１〜数十−の高周波電圧を印加して
真空′６器７内をプラズマ状態にする。このような状態
で数十分間保持すると基板ｌＯ上に、膜厚瀘０．２〜１
μで、１０−７秒以上のキャリヤ寿命、１（？’／３”
以下の局在準位密度、および１０−５ｍ” ／ Ｖ・秒
以上のキャリア易ａｔを持つ真性アモルファスシリコン
薄膜層を包含するアモルファスシリコン系光起電力素子
層３を形成することができる０スパツター蒸承法による
場合も、同様に一度１〜１０ Ｘ １０’−”Ｔｏｒｒ
まで減圧した後に、パルプ１１からアルゴン等の不活性
ガスと水素等との混合気体を真空谷ｂ７内に送シ込み減
圧度を５ Ｘ １０−〜１０−１テｏｒｒ程度に軽減し
て保持し、次にターゲットを有する電＆８と前記基板１
０を載置し九電Ｉｋｇとの間に直流電圧又は１〜数十肋
の高地波電圧を印加して真空容器内をプラズマ状ｗＡＫ
する。この際の印加電圧は約１〜３！ス電流Ｆｉ１００
〜３００−１電力は１００〜３００１で十分である０こ
のような状態で約６０分間保持すると、基板１０上に膜
厚が０．２〜２μｍで、１０４秒以上のキャリヤ寿命、
１０１７／／ｃｊ以下の局在準位密度および１Ｇ−”ｃ
ｍ”／’Ｖ”秒以上のキャリヤ易動度を４つ真性アモル
ファスシリコン薄膜層を包含するアモルファスシリコン
系光起電力素子層３を形成することができる。また第１
図においてオーミック接触用金属薄膜２や、光透過性電
極層４は、抵抗加熱法、電子ビーム蒸着法、又はスノ（
ツタ法等で形成することができる。
包含するアモルファスシリコン系光起電力素子層をプラ
ズマグロー放電法又はスパッタ蒸着法によ多形成する真
空装置の概略図である。図中８と９は電極で、ｌＯは基
板であシ、１ｌｔ１所定の気体を真空容器７内に送り込
むパルプである。アモルファスシリコン系光起電力素子
層３の形成は、予め前記基板ｌＯをその金属薄１１２＠
が上になるようにして電＆９上に載置したうえで、プラ
ズマグロー放電法による場合は真空容器γ内の真空度を
一度１〜ｌ０ＸＩＯ””Ｔｏｒｒ ｉで減圧した後にパ
ルプ１１からＳｉＨ４等のガスを送り込み減圧度を１０
〜５Ｔｏｒｒ程度に＠減して保持し、電極８と電極９と
の間に直流電圧又は１〜数十−の高周波電圧を印加して
真空′６器７内をプラズマ状態にする。このような状態
で数十分間保持すると基板ｌＯ上に、膜厚瀘０．２〜１
μで、１０−７秒以上のキャリヤ寿命、１（？’／３”
以下の局在準位密度、および１０−５ｍ” ／ Ｖ・秒
以上のキャリア易ａｔを持つ真性アモルファスシリコン
薄膜層を包含するアモルファスシリコン系光起電力素子
層３を形成することができる０スパツター蒸承法による
場合も、同様に一度１〜１０ Ｘ １０’−”Ｔｏｒｒ
まで減圧した後に、パルプ１１からアルゴン等の不活性
ガスと水素等との混合気体を真空谷ｂ７内に送シ込み減
圧度を５ Ｘ １０−〜１０−１テｏｒｒ程度に軽減し
て保持し、次にターゲットを有する電＆８と前記基板１
０を載置し九電Ｉｋｇとの間に直流電圧又は１〜数十肋
の高地波電圧を印加して真空容器内をプラズマ状ｗＡＫ
する。この際の印加電圧は約１〜３！ス電流Ｆｉ１００
〜３００−１電力は１００〜３００１で十分である０こ
のような状態で約６０分間保持すると、基板１０上に膜
厚が０．２〜２μｍで、１０４秒以上のキャリヤ寿命、
１０１７／／ｃｊ以下の局在準位密度および１Ｇ−”ｃ
ｍ”／’Ｖ”秒以上のキャリヤ易動度を４つ真性アモル
ファスシリコン薄膜層を包含するアモルファスシリコン
系光起電力素子層３を形成することができる。また第１
図においてオーミック接触用金属薄膜２や、光透過性電
極層４は、抵抗加熱法、電子ビーム蒸着法、又はスノ（
ツタ法等で形成することができる。
第１図のアモルファスシリコン系光起電力素子層３は、
次の如き３ＩｖｊＩＩ造を有するものであることが望ま
しい。す々わち第１の層がアモルファスシリコン内にボ
ロンを１０’／ｃｓｓ”以上でドープしたｐ型層であシ
、第２の層が主体とする真性アモルファスシリコンの層
であシ、第３の鳩がアモルファスシリコン内にリンをｌ
θ”／ＣＨＩ”以上でドープしたｎ型層の３層から成る
ものである。表お、上記ｐ又はｎ型層のうち少なくとも
光照射する＠に光学的バンドギャップが約１．８５ｅＶ
以上であ夛かつ２０’ＣＫおける電気伝導度が約１０−
＠（Ω・ａｍ）−”以上であプ、かつｐ−１−ｎｉｌ付
し′ｆｉｃ場合の拡散電位ｖａが約１．１ ｖｏｘｔｓ
以上であるｐｍ又はｎ型アモルファス半導体のドープ薄
膜を用いれば短絡電流と開放電圧を大輪に改善できる。
次の如き３ＩｖｊＩＩ造を有するものであることが望ま
しい。す々わち第１の層がアモルファスシリコン内にボ
ロンを１０’／ｃｓｓ”以上でドープしたｐ型層であシ
、第２の層が主体とする真性アモルファスシリコンの層
であシ、第３の鳩がアモルファスシリコン内にリンをｌ
θ”／ＣＨＩ”以上でドープしたｎ型層の３層から成る
ものである。表お、上記ｐ又はｎ型層のうち少なくとも
光照射する＠に光学的バンドギャップが約１．８５ｅＶ
以上であ夛かつ２０’ＣＫおける電気伝導度が約１０−
＠（Ω・ａｍ）−”以上であプ、かつｐ−１−ｎｉｌ付
し′ｆｉｃ場合の拡散電位ｖａが約１．１ ｖｏｘｔｓ
以上であるｐｍ又はｎ型アモルファス半導体のドープ薄
膜を用いれば短絡電流と開放電圧を大輪に改善できる。
ま九上記ｐ又ｄｎｆｆｉアモルファス半尋体は、％に限
定されないが、一般式ＩＬ−８１（１−Ｘ）Ｏ（Ｘ）：
（Ｈ） 、 ａ−Ｑｔ ７）Ｍｙ ： （Ｈ） −ａ
−８１（ｔ −ｘ−７）ＯＸＮ７ ： ＣＨ） Ｊｌで
例示されるアモルファスシリコンカーバイト、アモルフ
ァスシリコンナイトライド、アモルファスシリコンカー
ボンナイトライド等が有利である０これらはシリコンの
水素又はフッ素化合物と炭素又はチツ業の水素又はフッ
素化合物をグロー放電分解して得られる０前記光起電力
素子層３を太陽電池やＩ’ｒＯ電体４を透過した光が光
起電力素子１ｍ３内に電子と正孔の対を発生させ、これ
ら電子、正孔が空乏層領域に到達するようＫして外部に
起電力として取出せるように構成する０ 従来のポリイミド系層の樹脂薄膜上に形成され九薄膜型
の太陽電池ではアモルファスシリコン系層をデポジショ
ンするとその内部応力によｎｗ躾型の太陽電池全体がカ
ールし、フラットな太陽電池をえる仁とができず、又、
デポジション中にもカールするため前記樹脂薄膜がサセ
プター上から浮きあがって、該薄膜表面の温ＵＫむらが
生じ、均質なアモルファス層がえられないという欠点が
１りフ、またこれを改善するためには製造設備が極めて
ＩＪＩ！Ｉｍになるという欠点があった。又、ポリイミ
ド等の高分子薄膜の場合は、加熱中に繻合し、Ｈ，Ｏを
放出したシ、プラズマにより炭素がスパッタアウトされ
、真性アモルファスシリコンの局在準位密度が増加する
という欠点があつ九。これに対し本発明電池の如く金属
箔と電気絶縁性＊ａを形成した基板ｌＯ上にアモルファ
スシリコン系の光起電力素子層３を形成する場合は、デ
ポジションによるカールが全く見られず、耐熱性が高い
のでガラス板やステンレス板を素板として用いる場合と
同様の製造装置で高品質の薄膜太陽電池をえることがで
きるのである。
定されないが、一般式ＩＬ−８１（１−Ｘ）Ｏ（Ｘ）：
（Ｈ） 、 ａ−Ｑｔ ７）Ｍｙ ： （Ｈ） −ａ
−８１（ｔ −ｘ−７）ＯＸＮ７ ： ＣＨ） Ｊｌで
例示されるアモルファスシリコンカーバイト、アモルフ
ァスシリコンナイトライド、アモルファスシリコンカー
ボンナイトライド等が有利である０これらはシリコンの
水素又はフッ素化合物と炭素又はチツ業の水素又はフッ
素化合物をグロー放電分解して得られる０前記光起電力
素子層３を太陽電池やＩ’ｒＯ電体４を透過した光が光
起電力素子１ｍ３内に電子と正孔の対を発生させ、これ
ら電子、正孔が空乏層領域に到達するようＫして外部に
起電力として取出せるように構成する０ 従来のポリイミド系層の樹脂薄膜上に形成され九薄膜型
の太陽電池ではアモルファスシリコン系層をデポジショ
ンするとその内部応力によｎｗ躾型の太陽電池全体がカ
ールし、フラットな太陽電池をえる仁とができず、又、
デポジション中にもカールするため前記樹脂薄膜がサセ
プター上から浮きあがって、該薄膜表面の温ＵＫむらが
生じ、均質なアモルファス層がえられないという欠点が
１りフ、またこれを改善するためには製造設備が極めて
ＩＪＩ！Ｉｍになるという欠点があった。又、ポリイミ
ド等の高分子薄膜の場合は、加熱中に繻合し、Ｈ，Ｏを
放出したシ、プラズマにより炭素がスパッタアウトされ
、真性アモルファスシリコンの局在準位密度が増加する
という欠点があつ九。これに対し本発明電池の如く金属
箔と電気絶縁性＊ａを形成した基板ｌＯ上にアモルファ
スシリコン系の光起電力素子層３を形成する場合は、デ
ポジションによるカールが全く見られず、耐熱性が高い
のでガラス板やステンレス板を素板として用いる場合と
同様の製造装置で高品質の薄膜太陽電池をえることがで
きるのである。
第１図は本発明の実施例における薄膜太陽電池の一部分
を拡大し九斜視図、第２図はアモルファスシリコン薄膜
および該薄膜層を包含するアモルファスシリコン系光起
電力素子層３を形成する真空装置の概略図である。 ｌ・・・木＠ ｌａ・・・金属箔 １ｂ・・・電
気絶縁性薄膜２・・・ア毛ルファス半導体とオーミック
接触する全極薄膜 ３・・・アモルファスシリコン系光
起電力素子層 ４・・・電位障壁をつくる光透過性電
極層５・・・櫛型電極 ６・・・反射防止膜 １０
・・・基板特許出願人 鍾棚化学工業株式会社 代理人 弁理士内田敏彦 第１図 第２図
を拡大し九斜視図、第２図はアモルファスシリコン薄膜
および該薄膜層を包含するアモルファスシリコン系光起
電力素子層３を形成する真空装置の概略図である。 ｌ・・・木＠ ｌａ・・・金属箔 １ｂ・・・電
気絶縁性薄膜２・・・ア毛ルファス半導体とオーミック
接触する全極薄膜 ３・・・アモルファスシリコン系光
起電力素子層 ４・・・電位障壁をつくる光透過性電
極層５・・・櫛型電極 ６・・・反射防止膜 １０
・・・基板特許出願人 鍾棚化学工業株式会社 代理人 弁理士内田敏彦 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＊ＩＩｉ箔上に電気絶縁性のＩＩＩＩ膜を形成し
てなる素板の電気絶縁性薄膜儒表面にアモルファス半導
体とオー建ツタ接触する金属薄膜を形成して基板となし
、該基板上ＫＩＯ″″１秒以上の中ヤリャ舟命、１０１
ンー以下の局在単位密度、および１０ ｃｐｓ”／Ｖ・
秒以上のキャリア易動度を持つ真性アモルファスシリコ
ン薄膜層を包含するアモルファスシリコン系光起電力素
子層と、該素子層に対する電位障壁を形成する光透過性
電極層とが積場されていることを％黴とする薄膜太陽電
池０ ２ 前記絶縁性薄膜の電気伝導度が光照射時においても
約１０４（Ω・ｅｘａ）−”以下である拳を特徴とする
薄膜太陽電池。 ３ 前記絶縁性薄膜が金属酸化物あるいは一般式％式％
） ０（ｘ）Ｍ（ｙ） ： （Ｂ）で示される墨を特徴とす
る薄膜太陽電池。 ４ 前記絶縁性薄膜の厚みが約１ｏｏｏムから約１゜声
である事を特徴とする薄膜太陽電池０５ 前記アモルフ
ァスシリコン系光起電力素子層が３層構造を有し、＃！
ｌの層がボーシン等の周期律表■族の元素を不純物とし
て含むｐｌｊｌｉアモルファス半導体であ）、第２の層
が真性アモルファスシリコンであル、第３の層がリン等
の周期律＊Ｗ族の元素を不純物として含むｎ型アモルフ
ァス半導体からなる特許請求の範囲第１項記載の薄膜太
Ｗ／ｈ電池。 ６ 前記ｐ又＃ｉｎ ａ！！アモルファス半導体のうち
、少くとも光照射する側のアモルファス半導体は、光学
的バンドギャップＩｇ＠ｏｐｔが約１．８５・ｖ以上で
あ如、かつ２０ ’ＣＫおける電気伝導度が約１０−’
（Ω＠ ｍ）−”以上であ夛、かっＰ−１−！＞＃合か
ら成る前記光起電力素子層の拡散電位Ｖａが約１．１ｖ
以上であることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
の薄膜太陽電離〇 ７ 前記ｐ又はｎ型アモルファス半導体が一般式ａ−８
１（ｉ −ｘ）Ｏｘ ： ＠、ａ−８１（ｍ−ｙ）Ｍｙ
： （”０％ ＆−８１（１−ｘ−７）’Ｘ％ ：
（”）で表わされるアモルファス半導体であることを特
徴とする！ｌＦＦ誇求の範囲第２項又は第３項記載の薄
膜太陽電池。 ８ 前記光透過性電極層を形成する物質がＩテ０゜８ｎ
０１ 、父は工ＴＯと８ｎｏ、との徴合層であることを
特徴とする特許軸求の範囲第１項乃至第４項に配軟のＷ
Ｉ膜太陽電池。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56203155A JPS58103178A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 耐熱性薄膜太陽電池 |
| EP82110122A EP0078541B1 (en) | 1981-11-04 | 1982-11-03 | Flexible photovoltaic device |
| EP89111929A EP0341756B2 (en) | 1981-11-04 | 1982-11-03 | Flexible photovoltaic device |
| DE8282110122T DE3280293D1 (de) | 1981-11-04 | 1982-11-03 | Biegsame photovoltaische einrichtung. |
| DE3280455T DE3280455T3 (de) | 1981-11-04 | 1982-11-03 | Biegsame photovoltaische Vorrichtung. |
| US06/439,627 US4612409A (en) | 1981-11-04 | 1982-11-04 | Flexible photovoltaic device |
| US06/835,717 US4773942A (en) | 1981-11-04 | 1986-03-03 | Flexible photovoltaic device |
| US07/202,608 US4875943A (en) | 1981-11-04 | 1988-06-06 | Flexible photovoltaic device |
| US07/652,492 US5127964A (en) | 1981-11-04 | 1991-02-08 | Flexible photovoltaic device |
| US08/192,304 US5419781A (en) | 1981-11-04 | 1994-02-04 | Flexible photovoltaic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56203155A JPS58103178A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 耐熱性薄膜太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58103178A true JPS58103178A (ja) | 1983-06-20 |
Family
ID=16469335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56203155A Pending JPS58103178A (ja) | 1981-11-04 | 1981-12-15 | 耐熱性薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58103178A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60119784A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 絶縁金属基板の製法およびそれに用いる装置 |
| JPS6166317A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-05 | 鐘淵化学工業株式会社 | 高絶縁性基板の製法 |
| US4773944A (en) * | 1987-09-08 | 1988-09-27 | Energy Conversion Devices, Inc. | Large area, low voltage, high current photovoltaic modules and method of fabricating same |
| JPS6455875A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Taiyo Yuden Kk | Amorphous semiconductor photovoltaic device |
| JPH01123366U (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-22 | ||
| WO1991017572A1 (en) * | 1990-05-07 | 1991-11-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54149489A (en) * | 1978-05-16 | 1979-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film solar battery |
| JPS55151328A (en) * | 1979-05-16 | 1980-11-25 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for fabricating hydrogen-containing amorphous semiconductor film |
| JPS56152278A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-25 | Sanyo Electric Co Ltd | Device for generating photo-electromotive force |
| JPS5936435A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 架空ケーブル監視装置 |
-
1981
- 1981-12-15 JP JP56203155A patent/JPS58103178A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54149489A (en) * | 1978-05-16 | 1979-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film solar battery |
| JPS55151328A (en) * | 1979-05-16 | 1980-11-25 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for fabricating hydrogen-containing amorphous semiconductor film |
| JPS56152278A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-25 | Sanyo Electric Co Ltd | Device for generating photo-electromotive force |
| JPS5936435A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 架空ケーブル監視装置 |
Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
| JPS60119784A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 絶縁金属基板の製法およびそれに用いる装置 |
| JPS6166317A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-05 | 鐘淵化学工業株式会社 | 高絶縁性基板の製法 |
| JPS6455875A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Taiyo Yuden Kk | Amorphous semiconductor photovoltaic device |
| US4773944A (en) * | 1987-09-08 | 1988-09-27 | Energy Conversion Devices, Inc. | Large area, low voltage, high current photovoltaic modules and method of fabricating same |
| JPH01123366U (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-22 | ||
| WO1991017572A1 (en) * | 1990-05-07 | 1991-11-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell |
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