CN101180545A

CN101180545A - 晶片检查用片状探测器及其应用

Info

Publication number: CN101180545A
Application number: CNA2006800173574A
Authority: CN
Inventors: 木村洁; 原富士雄; 山田大典
Original assignee: JSR Corp
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 2005-05-19
Filing date: 2006-05-19
Publication date: 2008-05-14
Also published as: TW200702672A; US20090072844A1; KR20080015828A; EP1882952A4; WO2006123772A1; EP1882952A1

Abstract

公开了一种晶片检查用片状探测器及其应用：即使是被检查电极的间距极小的晶片，也能够确实实现良好电连接状态。本发明的晶片检查用片状探测器具有：按照与晶片上形成的全部或一部分集成电路中的被检查电极的图案对应的图案、形成有分别在厚度方向上延伸的多个贯穿孔的绝缘性片，设置在该绝缘性片的各贯穿孔中、分别从该绝缘性片的两面突出的电极结构体；电极结构体，由从绝缘性片表面露出的、直径大于绝缘性片的贯穿孔表面侧开口直径的表面电极部与从绝缘性片背面露出的、直径大于绝缘性片的贯穿孔背面侧开口直径的背面电极部，由插通绝缘性片贯穿孔的短路部连接而构成，相对绝缘性片，能够在其厚度方向上移动。

Description

晶片检查用片状探测器及其应用

技术领域

本发明是关于在晶片状态下进行在晶片上形成的多个集成电路的电检查所使用的晶片检查用片状探测器、晶片检查用探针部件、晶片检查用探针卡以及晶片检查装置。

背景技术

一般在半导体集成电路装置的制造工序中，在例如由硅构成的晶片上形成多个集成电路，然后对这些集成电路的每一个进行基础的电特性检查，由此进行挑选有缺陷的集成电路的探测试验。然后切割该晶片，形成半导体芯片，将此半导体芯片容纳在适宜的封装内并密封。然后对封装后的半导体集成电路装置的每一个，在高温环境下检查电特性，由此进行挑选有潜在缺陷的半导体集成电路装置的老化试验。

上述探测试验或者老化试验等集成电路的电检查中，为了使检查对象物中的各个被检查电极与检查器电连接，使用了具有检查用电极的探针卡，上述检查用电极按照与被检查电极的图案对应的图案设置。作为上述探针卡，以往使用由针或刀片构成的检查用电极(检查探测器)排列所形成的探针卡。

而且，对形成在晶片上的集成电路进行的探测试验中，以往采用的方法是：将晶片分割成多个区域，每个区域形成有多个如16个集成电路，对这个区域上形成的所有集成电路一并进行探测试验，依次对其他区域上形成的集成电路一并进行探测试验。近几年，为了提高检查效率、降低检查成本，需要对更多的集成电路一并进行探测试验。

另外，老化试验中，作为检查对象的集成电路装置很微小，其操作很不方便，所以，为了对多个集成电路装置分别进行老化试验，需要较长时间，所以检查成本相当高。因此，近几年，WLBI(Wafer LevelBurn-in)试验被提出，即，对晶片上形成的多个集成电路，一并进行老化试验。

但是，制作上述探测试验和WLBI试验所使用的探针卡，需要排列非常多的检查用探测器，所以该探针卡价格极高，并且在被检查电极多且其间距较小时，制作探针卡本身就很困难。

根据上述理由，最近，如图51所示，一种探针卡被提出，具有：一面上按照与被检查电极的图案对应的图案形成多个检查用电极86的检查用电路基板85，设置在该检查用电路基板85的一面上的各向异性导电弹性体片80，设置在该各向异性导电弹性体片80上的片状探测器90(例如专利文献1)。

上述探针卡中的片状探测器90由绝缘性片91和多个电极结构体95构成，上述多个电极结构体95在该绝缘性片91上，按照与作为检查对象的晶片中的被检查电极的图案对应的图案设置、分别在厚度方向上贯穿绝缘性片91并延伸，每一个电极结构体95，由从绝缘性片91表面露出的突起状表面电极部96和从绝缘性片91背面露出的片状的背面电极部97通过在厚度方向上插通绝缘性片91并延伸的短路部98连接为一体而构成。

这样的片状检测器90一般由下述方法制造。

首先，如图52(a)所示，准备绝缘性片91的一面上形成金属层92所构成的层叠材料90A，如图52(b)所示，由激光加工、干蚀加工等，形成在厚度方向上插通绝缘性片91的贯穿孔98H。

接着，如图52(c)所示，在绝缘性片91的金属层92上形成抗蚀膜93后，将金属层92作为共通电极，通过实施如电解电镀处理，在绝缘性片91的贯穿孔98H内部填充金属的淀积体，形成与金属层92连接为一体的短路部98，同时在该绝缘性片91表面形成与短路部98连接为一体的突起状表面电极部96。

然后从金属层92上除去抗蚀膜93，然后如图52(d)所示，在包含表面电极部96的绝缘性片91表面上形成抗蚀膜94A，同时在金属层92上，按照与应形成背面电极部的图案对应的图案，形成抗蚀膜94B，通过对该金属层92实施蚀刻处理，如图52(e)所示，除去金属层92中露出的部分，形成背面电极部97，由此形成电极结构体95。

然后从绝缘性片91表面剥离抗蚀膜94A，同时从背面电极部92上剥离抗蚀膜94B，得到片状探测器90。

上述探针卡中，作为检查对象的晶片表面上，片状探测器90中的电极结构体95的表面电极部96设置在该晶片的被检查电极上，在此状态下，晶片被探针卡压住，由此，各向异性导电弹性体片80被片状探测器90中的电极结构体95的背面电极部97压住，由此，该各向异性导电弹性体片80中，该背面电极部97与检查用电路基板85的检查用电极86之间，在其厚度上形成导电通路，其结果，晶片的被检查电极与检查用电路基板85的检查用电极86之间的电连接得到实现。然后，在此状态下，对该晶片进行所需的电检查。

并且，通过上述探针卡，晶片被探针卡压住时，根据该晶片弯曲的大小，各向异性导电弹性体片变形，所以对于晶片中的多个被检查电极的每一个，的确能够实现良好的电连接。

但是，上述探针卡中，有以下问题。

片状探测器90的制造方法中形成短路部98和表面电极部96的电解电镀处理工序中，对整个金属层92提供电流密度分布均匀的电流，实际上是很困难的，该电流密度分布的不均性会导致绝缘性片91的每个贯穿孔98H的镀层生长速度不同，如图53(a)所示，形成的表面电极部96的突出高度会有偏差。而且，如图53(b)所示，进行片状探测器90与晶片6的电连接时，表面电极部96突出高度的偏差被绝缘性片91所具有的柔软性吸收，即根据表面电极部96突出高度的偏差程度，绝缘性片91会弯曲，该电极结构体95发生位移，所以各表面电极部96与各被检查电极7接触，由此实现所需的电连接。

但是，晶片6中的被检查电极7的设置间距很小时，即片状探测器90中的电极结构体95的设置间距很小时，相邻电极结构体95之间的间隔距离与绝缘性片91厚度的比变小，所以整个片状探测器90的柔软性大幅降低。其结果，如图53(c)所示，进行片状探测器90与晶片6的电连接时，表面电极部96突出高度的偏差没有被完全吸收，即电极结构体95没有充分位移，所以，例如突出高度小的表面电极部96(图中左侧的表面电极部96)没有与被检查电极7接触，因此，难以对被检查电极7实现稳定的电连接。

专利文献1：特开2001-15565号公报

发明内容

本发明是根据上述问题发明的，其目的在于提供即使作为检查对象的晶片中的被检查电极的间距极小、也能够确实实现对晶片的良好电连接状态的晶片检查用片状探测器、晶片检查用探针部件、晶片检查用探针卡及晶片检查装置。

本发明的晶片检查用片状探测器具有：

绝缘性片，按照与作为检查对象的晶片上形成的全部或一部分集成电路中的被检查电极的图案对应的图案，分别形成在厚度方向上延伸的多个贯穿孔，

电极结构体，设置在该绝缘性片的各贯穿孔中，分别从该绝缘性片的两面突出；

其特征在于，各上述电极结构体中，从上述绝缘性片表面露出的、直径大于该绝缘性片的贯穿孔表面侧开口直径的表面电极部与从该绝缘性片背面露出的、直径大于该绝缘性片的贯穿孔背面侧开口直径的背面电极部，由插通该绝缘性片贯穿孔的短路部连接，相对该绝缘性片，能够在其厚度方向上移动。

本发明的晶片检查用探针部件，其特征在于，具有上述晶片检查用片状探测器和设置在该晶片检查用片状探测器背面的各向异性导电连接器。

本发明的晶片检查用探针卡，具有：按照与作为检查对象的晶片上形成的全部或一部分集成电路中的被检查电极的图案对应的图案、表面上形成多个检查用电极的检查用电路基板，设置在该检查用电路基板表面上的各向异性导电连接器，设置在该各向异性导电连接器上的晶片检查用片状探测器；

其特征在于，上述晶片检查用片状探测器具有：按照与上述被检查电极的图案对应的图案形成分别在厚度方向上延伸的多个贯穿孔的绝缘性片，设置在该绝缘性片的各贯穿孔中、分别从该绝缘性片的两面突出的电极结构体；

各上述电极结构体中，从上述绝缘性片表面露出的、直径大于该绝缘性片的贯穿孔表面侧开口直径的表面电极部与从该绝缘性片背面露出的、直径大于该绝缘性片的贯穿孔背面侧开口直径的背面电极部，由插通该绝缘性片贯穿孔的短路部连接，相对该绝缘性片，能够在其厚度方向上移动。

本发明的晶片检查用探针卡中，电极结构体在绝缘性片厚度方向上能够移动的距离为5～50μm较佳。

另外，绝缘性片由线热膨胀系数为3×10^-5/K以下的材料构成较佳。

另外，各向异性导电连接器具有：与作为检查对象的晶片上形成的全部或一部分集成电路中形成被检查电极的电极区域对应、形成多个开口的框架板，以堵住该框架板开口地被设置并被支持的多个弹性各向异性导电膜；该弹性各向异性导电膜具有：按照与上述电极区域中被检查电极的图案对应的图案设置的、弹性高分子物质中含有磁性导电性粒子的连接用导电部，使它们相互绝缘的弹性高分子物质构成的绝缘部，较佳。

本发明的晶片检查装置是对形成在晶片上的多个集成电路每一个、在晶片状态下进行该集成电路的电检查的晶片检查装置，其特征在于具有上述晶片检查用探针卡。

根据本发明的晶片检查用探针卡，晶片检查用片状探测器中的各电极结构体，相对绝缘性片，能够在其厚度方向上移动，所以即使电极结构体的表面电极部突出高度有偏差，对被检查电极加压时，根据该表面电极部的突出高度，电极结构体在绝缘性片的厚度方向上移动，所以能够实现对晶片的良好电连接状态。

另外，各表面电极部和背面电极部的直径大于绝缘性片的贯穿孔的表面侧开口直径和背面侧开口直径，所以该表面电极部和该背面电极部的每一个起阻挡作用，能够防止电极结构体从绝缘性片中脱落。

另外，形成绝缘性片的树脂材料，通过使用线热膨胀系数小的材料，能够抑制该绝缘性片的热膨胀所引起的电极结构体与被检查电极的错位。

另外，作为各向异性导电连接器，弹性各向异性导电膜被设置并被支持在框架板上形成的多个开口上，由此，各弹性各向异性导电膜可以面积较小，面积小的弹性各向异性导电膜，由于其面方向上的热膨胀绝对量小，所以能够抑制温度变化引起的连接用导电部与检查用电极及电极结构体的错位。

因此，晶片的检查中，能够稳定维持对晶片的良好电连接状态。

附图说明

[图1]表示关于本发明的探针卡第1例结构的说明用剖面图。

[图2]将第1例的探针卡的主要部分结构扩大后表示的说明用剖面图。

[图3]表示第1例的探针卡中的检查用电路基板的平面图。

[图4]将检查用电路基板中的引线电极部扩大后表示的说明图。

[图5]第1例的探针卡中的各向异性导电连接器的平面图。

[图6]将各向异性导电连接器中的弹性各向异性导电膜扩大后表示的说明用剖面图。

[图7]表示第1例的探针卡中的片状探测器结构的说明用剖面图。

[图8]将片状探测器的主要部分结构扩大后表示的说明用剖面图。

[图9]表示用于制造片状探测器的层叠材料结构的说明用剖面图。

[图10]表示层叠材料中的金属层上形成开口的状态的说明用剖面图。

[图11]表示层叠材料中的绝缘性片上形成贯穿孔的状态的说明用剖面图。

[图12]表示复合层叠材料结构的说明用剖面图。

[图13]表示复合层叠材料中形成抗蚀膜的状态的说明用剖面图。

[图14]表示复合层叠材料中的绝缘性片的贯穿孔中形成电极结构体的状态的说明用剖面图。

[图15]表示从复合层叠材料中除去抗蚀膜后的状态的说明用剖面图。

[图16]表示关于本发明的探针卡第2例结构的说明用剖面图。

[图17]将第2例的探针卡的主要部分结构扩大后表示的说明用剖面图。

[图18]表示第2例的探针卡中的检查用电路基板的平面图。

[图19]第2例的探针卡中的各向异性导电连接器的平面图。

[图20]表示关于本发明的晶片检查装置的第1例结构的说明用剖面图。

[图21]将第1例的晶片检查装置的主要部分结构扩大后表示的说明用剖面图。

[图22]将第1例的晶片检查装置中的连接器扩大后表示的说明用剖面图。

[图23]表示关于本发明的晶片检查装置的第2例结构的说明用剖面图。

[图24]表示片状探测器的其他例子中的主要部分结构的说明用剖面图。

[图25]表示用于制造图24所示的片状探测器的层叠体结构的说明用剖面图。

[图26]表示图25所示的层叠体中形成贯穿孔的状态的说明用剖面图。

[图27]表示层叠体表面及贯穿孔内壁面上形成金属薄层的状态的说明用剖面图。

[图28]表示层叠体的贯穿孔内形成电极结构体用支柱的状态的说明用剖面图。

[图29]表示复合体的结构的说明用剖面图。

[图30]表示绝缘性片设置在缓冲材料上的状态的说明用剖面图。

[图31]表示绝缘性片上设置了复合体的状态的说明用剖面图。

[图32]表示绝缘性片上形成贯穿孔的状态的说明用剖面图。

[图33]表示电极结构体用支柱的端面露出后的状态的说明用剖面图。

[图34]表示电极结构体形成后的状态的说明用剖面图。

[图35]表示金属箔和金属薄层露出后的状态的说明用剖面图。

[图36]表示片状探测器的其他例子中的主要部分结构的说明用剖面图。

[图37]表示用于制造图36所示的片状探测器的层叠体结构的说明用剖面图。

[图38]表示图37所示的层叠体中形成了贯穿孔的状态的说明用剖面图。

[图39]表示层叠体表面及贯穿孔内壁面上形成金属薄层的状态的说明用剖面图。

[图40]表示层叠体的贯穿孔内形成了电极结构体用支柱的状态的说明用剖面图。

[图41]表示复合体的结构的说明用剖面图。

[图42]表示绝缘性片的表面上形成抗蚀层后的状态的说明用剖面图。

[图43]表示绝缘性片的背面设置了复合体后的状态的说明用剖面图。

[图44]表示绝缘性片中形成了贯穿孔后的状态的说明用剖面图。

[图45]表示电极结构体用支柱的前端面露出后的状态的说明用剖面图。

[图46]表示电极结构体形成后的状态的说明用剖面图。

[图47]表示金属箔和金属薄层露出后的状态的说明用剖面图。

[图48]表示关于本发明的探针卡的其他例子中的主要部分结构的说明用剖面图。

[图49]表示关于本发明的晶片检查装置的其他例子的结构的说明用剖面图。

[图50]表示图49所示的晶片检查装置所使用的各向异性导电连接器的结构的说明用剖面图。

[图51]表示以往的探针卡的一例中的结构的说明用剖面图。

[图52]表示用于制造以往的探针卡中的片状探测器的工序的说明用剖面图。

[图53](a)是将以往的探针卡中的片状探测器中的电极结构体扩大后表示的说明用剖面图，(b)是表示各表面电极部与晶片的各被检查电极接触后的状态的说明用剖面图，(c)是表示表面电极部与被检查电极发生接触不良的状态的说明用剖面图。

符号说明

2控制器

3输入输出端子

3R输入输出端子部

4连接器

4A导电针

4B支持部件

5晶片载台

6晶片

7被检查电极

10探针卡

10A探针部件

11检查用电路基板

12第1基板元件

13引线电极

13R引线电极部

14支架

14K开口

14S台阶部

15第2基板元件

16检查用电极

16R检查用电极部

17加强部件

20各向异性导电连接器

21框架板

22开口

23、23A弹性各向异性导电膜

24连接用导电部

25绝缘部

26功能部

27突出部

28被支持部

29各向异性导电弹性体片

30片状探测器

30A复合层叠材料

30B层叠材料

31绝缘性片

31H开口

32电极结构体

32a表面电极部

32b背面电极部

32c短路部

32P电极结构体用支柱

33A金属层

33B金属薄层

33K开口

34、35抗蚀膜

34H、35H图案孔

40保持部件

50复合体

50A层叠体

50H贯穿孔

51金属箔

51H贯穿孔

52、53抗蚀层

52H、53H贯穿孔

54、55树脂片

54H、55H贯穿孔

56金属薄层

57缓冲材料

60复合体

60A层叠体

60H贯穿孔

61金属箔

61H贯穿孔

62、63抗蚀层

62H、63H贯穿孔

64、65树脂片

64H、65H贯穿孔

66金属薄层

67抗蚀层

70各向异性导电连接器

71支持体

72开口

75各向异性导电弹性体片

76移动机构

77缠绕辊

78卷绕辊

80各向异性导电弹性体片

85检查用电路基板

86检查用电极

90片状探测器

90A层叠材料

91绝缘性片

92金属层

93抗蚀膜

94A、94B抗蚀膜

95电极结构体

96表面电极部

97背面电极部

98短路部

98H贯穿孔

P导电性粒子

具体实施方式

下面详细说明本发明的实施方式。

<晶片检查用探针卡>

图1表示关于本发明的晶片检查用探针卡(以下简称为“探针卡”)第1例结构的说明用剖面图，图2表示第1例的探针卡的主要部分结构的说明用剖面图。

该第1例探针卡10，用于例如对形成了多个集成电路的晶片、在晶片状态下一并进行各个该集成电路的老化试验，由检查用电路基板11和设置在该检查用电路基板11的一面(图1及图2的上面)上的晶片检查用探针部件(以下简称为“探针部件”)10A构成，探针部件10A由晶片检查用片状探测器(以下简称为“片状探测器”)30和设置在该片状探测器30背面的各向异性导电连接器20构成。

检查用电路基板11，如图3所示，具有圆片状的第1基板元件12，该第1基板元件12的表面(图1及图2的上面)的中央部分，设置了正八角形的片状第2基板元件15，该第2基板元件15由固定在第1基板元件12表面上的支架14保持。另外，第1基板元件12背面的中央部分上设置了加强部件17。

第1基板元件12表面的中央部分上，多个连接用电极(省略图示)按照适宜的图案形成。另外，第1基板元件12背面的周边部上，如图4所示，形成引线电极部13R，引线电极部13R中，多个引线电极13沿着该第1基板元件12的圆周方向排列。引线电极13的图案，是与后述的晶片检查装置中的控制器的输入输出端子的图案对应的图案。各引线电极13通过内部布线(省略图示)与连接用电极电连接。

第2基板元件15的表面(图1及图2的上面)形成检查用电极部16R，检查用电极部16R中，多个检查用电极16按照与作为检查对象的晶片上形成的所有集成电路中的被检查电极的图案对应的图案设置。另外，第2基板元件15背面，多个端子电极(省略图示)按照适宜的图案设置，各端子电极通过内部布线(省略图示)与检查用电极16电连接。

并且，第1基板元件12的连接用电极与第2基板元件15的端子电极，通过适宜的方式电连接。

构成检查用电路基板11中第1基板元件12的基板材料，可以使用以往众所周知的各种材料，具体例子比如玻璃纤维增强型环氧树脂、玻璃纤维增强型酚醛树脂、玻璃纤维增强型聚酰亚胺树脂、玻璃纤维增强型双马来酰亚胺三嗪树脂等复合树脂基板材料等。

构成检查用电路基板11中第2基板元件15的材料，使用线热膨胀系数为3×10^-5/K以下的材料较好，更好的是1×10^-7～1×10^-5/K、最好是1×10^-6～6×10^-6/K。这样的基板材料的具体例子比如，パイレツクス(注册商标)玻璃、石英玻璃、矾土、氧化铍、碳化硅、氮化铝、氮化硼等构成的无机类基板材料、以42合金、科洛铁镍钴合金、因瓦合金等铁-镍合金钢构成的金属板为核心材料、层叠了环氧树脂或聚酰亚胺树脂等树脂的层叠基板材料等。

支架14具有适合第2基板元件15外形的正八角形开口14K，此开口14K内容纳了第2基板元件15。另外，支架14的外缘为圆形，该支架14的外缘上，沿着圆周方向形成台阶部14S。

探针部件10A中的各向异性导电连接器20，如图5所示，具有形成有分别在厚度方向上贯穿的多个开口22的圆片状框架板21。该框架板21的开口22，与作为检查对象的晶片上形成的全部集成电路中的形成被检查电极的电极区域的图案对应地形成。框架板21中，在厚度方向上具有导电性的多个弹性各向异性导电膜23被设置为：分别堵住一个开口22，且被该框架板21的开口边缘部支持。

各弹性各向异性导电膜23的基底材料由弹性高分子物质构成，如图6扩大表示，具有：在厚度方向上延伸的多个连接用导电部24，由形成在该连接用导电部24的每一个的周围、使该连接用导电部24的每一个互相绝缘的绝缘部25构成的功能部26；该功能部26设置在框架板21的开口22内。此功能部26中的连接用导电部24，按照与作为检查对象的晶片上形成的集成电路中的电极区域的被检查电极的图案对应的图案设置。

功能部26周围形成由框架板21开口边缘部固定支持的被支持部28，与该功能部26连续形成为一体。具体来说，此例中的被支持部28形成为两股，将框架板21的开口边缘部夹住，以紧贴地状态被固定支持。

弹性各向异性导电膜23的功能部26中的连接用导电部24中，以在厚度方向上排列的方式紧密地包含了具有磁性的导电性粒子P。与之相对，绝缘部25完全不含有或者几乎不含有导电性粒子P。

另外，图示的例子中，弹性各向异性导电膜23中的功能部26的两面上，从连接用导电部24及其周边部分所在的地方之外的表面突出，形成突出部27。

框架板21的厚度，根据其材质而不同，一般为20～600μm较佳，40～400μm更好。

此厚度不足20μm时，使用各向异性导电连接器20时，得不到必要的强度，容易变得耐久性较低，或者得不到维持该框架板21形状的刚性，各向异性导电连接器20的操作性变低。另外，厚度超过600μm时，开口22上形成的弹性各向异性导电膜23的厚度过大，难以得到连接用导电部24中的良好导电性以及相邻连接用导电部24之间的绝缘性。

框架板21的开口22的面方向的形状和尺寸根据作为检查对象的晶片的被检查电极的尺寸、间距以及图案设计。

构成框架板21的材料并没有特别限定，只要是该框架板21不易变形、具有稳定维持其形状的刚性的材料即可，例如可以使用金属材料、陶瓷材料、树脂材料等各种材料，框架板21由金属材料构成时，该框架板21表面上也可以形成绝缘性被覆膜。

构成框架板21的金属材料的具体例子，例如铁、铜、镍、钛、铝等金属或者这些金属中2种以上组合的合金或合金钢等。

另外，构成框架板21的材料，线热膨胀系数为3×10^-5/K以下较佳、-1×10^-7～1×10^-5/K更佳，最好是1×10^-6～8×10^-6/K。

这样的材料的具体例子，例如可举出因瓦合金等的因瓦型合金、镍铬恒弹性合金等埃林瓦尔型恒弹性合金、超因瓦合金、科洛铁镍钴合金、42合金等合金或者合金钢等。

弹性各向异性导电膜23的全厚(图示例中为连接用导电部24的厚度)为50～3000μm较佳，70～2500μm更佳，最好为100～2000μm。此厚度在50μm以上时，能够得到具有足够强度的弹性各向异性导电膜23。另外，此厚度在3000μm以下时，能够得到具有所需导电性特性的连接用导电部23。

突出部27的突出高度，其合计为该突出部27厚度的10％以上较佳，20％以上更佳。形成具有上述突出高度的突出部27，以小的加压力能够充分压缩连接用导电部24，所以能够得到良好的导电性。

另外，突出部27的突出高度，为该突出部27的最短宽度或者直径的100％以下较佳，70％以下更佳。形成具有上述突出高度的突出部27，该突出部27被加压时不会弯曲，所以能够得到期望的导电性。

另外，被支持部28的厚度(图示例中为两股部分中其中一股的厚度)为5～600μm较佳，10～500μm更佳，最好为20～400μm。

另外，被支持部28并不是必须形成为两股状，也可以只固定在框架板21的一面上。

作为构成弹性各向异性导电膜23的弹性高分子物质，具有交联结构的耐热性高分子物质较佳。能够用于得到上述交联高分子物质的硬化性高分子物质形成材料可以使用各种物质，具体例子比如，硅橡胶、聚丁二烯胶、天然橡胶、聚异戊二烯橡胶、苯乙烯-丁二烯共聚物橡胶、丙烯腈-丁二烯共聚物橡胶等共轭二烯类橡胶及其氢添加物、苯乙烯-丁二烯-二烯嵌段共聚物橡胶、苯乙烯-异戊二烯嵌段共聚物等嵌段共聚物橡胶及其氢添加物、氯丁二烯、聚氨酯橡胶、聚酯类橡胶、表氯醇橡胶、乙烯-丙烯共聚物橡胶、乙烯-丙烯-二烯共聚物橡胶、软质液状环氧橡胶等。

其中，硅橡胶因其成形加工性及电特性，较佳。

作为硅橡胶，将液状硅橡胶交联或缩合后较佳。液状硅橡胶，其粘度在变形速度10^-1sec时为10⁵泊以下较佳，可以是缩合型的、加成型的、含有乙烯基和羟基的等中任一种。具体来说，比如二甲基硅天然橡胶、甲基乙烯基硅天然橡胶、甲基苯基乙烯基硅天然橡胶等。

其中，含有乙烯基的液状硅橡胶(含乙烯基的聚二甲基硅氧烷)，通常是将二甲基二氯硅烷或二甲基二烷氧基硅烷，在二甲基乙烯基氯硅烷或二甲基乙烯基烷氧基硅烷的存在下，进行加水分解和缩合反应，例如连续溶解-沉淀的反复来进行区分。

另外，两末端含有乙烯基的液状硅橡胶，是将八甲基环四硅氧烷之类的环状硅氧烷在催化剂的存在下进行阴离子聚合，链终止剂例如使用二甲基二乙烯基硅氧烷，其他反应条件(例如环状硅氧烷的量和链终止剂的量)适当选择，由此得到。这里，作为阴离子聚合的催化剂，可以使用氢氧化四甲铵及氢氧化n-丁基磷等强碱或者它们的叔丁氧基(silanolate)溶液等，反应温度例如为80～130℃。

上述含乙烯基的聚二甲基硅氧烷，其分子量Mw(叫作标准聚苯乙烯换算重量平均分子量。下同)为10000～40000较佳。另外，从得到的弹性各向异性导电膜23的耐热性观点看来，分子量分布指数(叫作标准聚苯乙烯换算重量平均分子量Mw与标准聚苯乙烯换算数平均分子量Mn的比Mw/Mn的值。下同)为2以下较佳。

另外，含有羟基的液状硅橡胶(含羟基的聚二甲基硅氧烷)，通常是将二甲基二氯硅烷或二甲基二烷氧基硅烷，在二甲基氢氯硅烷或二甲基氢烷氧基硅烷的存在下，进行加水分解和缩合反应，例如连续溶解-沉淀的反复来进行区分。

另外，将环状硅氧烷在催化剂的存在下进行阴离子聚合，链终止剂例如使用二甲基氢氯硅烷、甲基二氢氯硅烷或二甲基氢烷氧基硅烷等，其他反应条件(例如环状硅氧烷的量和链终止剂的量)适当选择，由此得到。这里，作为阴离子聚合的催化剂，可以使用氢氧化四甲铵及氢氧化n-丁基磷等强碱或者它们的叔丁氧基(silanolate)溶液等，反应温度例如为80～130℃。

上述含羟基的聚二甲基硅氧烷，其分子量Mw为10000～40000较佳。另外，从得到的弹性各向异性导电膜23的耐热性观点看来，分子量分布指数为2以下较佳。

本发明中，可以使用上述含乙烯基的聚二甲基硅氧烷及含羟基的聚二甲基硅氧烷中任一种，也可以两者并用。

高分子物质形成材料中，可以含有使该高分子物质形成材料硬化的硬化催化剂。作为上述硬化催化剂，可以使用有机过氧化物、脂肪酸偶氮化合物、甲硅烷基化催化剂等。

作为硬化催化剂使用的有机过氧化物的具体例子，比如过氧化苯甲酰、过氧化bsidicyclo苯甲酰、过氧化二异丙苯、过氧化二叔丁酯等。

作为硬化催化剂使用的脂肪酸偶氮化合物的具体例子，比如偶氮双异丁腈等。

作为甲硅烷基化反应的催化剂使用的具体例子，比如氯铂氢酸及其盐、铂-含不饱和基硅氧烷络合物、乙烯基硅氧烷与铂的络合物、铂与1，3-二乙烯基四甲基二硅氧烷的络合物、triorganophosphine或亚磷酸酯与铂的络合物、乙酰乙酸铂螯合物、环状二烯与铂的络合物等众所周知的物质。

硬化催化剂的使用量，考虑高分子物质形成材料的种类、硬化催化剂的种类、其他硬化处理条件后适当选择，通常相对高分子物质形成材料100重量份，为3～15重量份。

弹性各向异性导电膜23中的连接用导电部24中含有的导电性粒子P，在该弹性各向异性导电膜23的形成中，从用于形成该弹性各向异性导电膜23的成形材料中、该导电性粒子P容易移动的观点看来，使用具有磁性的导电性粒子P较佳。上述具有磁性的导电性粒子P的具体例子，比如铁、镍、钴等具有磁性的金属粒子或者它们的合金粒子或者含有这些金属的粒子，或者将上述粒子作为芯粒子、在该芯粒子表面镀敷金、银、钯、铑等导电性良好的金属，或者将非磁性金属粒子或玻璃珠等无机物质粒子或聚合物粒子作为芯粒子、在该芯粒子表面镀敷镍、钴等导电性磁性体，或者在芯粒子上覆盖导电性磁性体及导电性良好的金属。

其中，使用将镍粒子作为芯粒子、其表面上镀敷了金、银等导电性良好的金属较佳。

在芯粒子表面覆盖导电性金属的方法没有特别限定，例如可以由无电解电镀进行。

作为导电性粒子P，使用芯粒子表面覆盖了导电性金属的粒子时，从得到良好导电性的观点看来，粒子表面的导电性金属的覆盖率(导电性金属覆盖面积与芯粒子表面积的比例)为40％以上较佳，45％以上更佳，最好为47～95％。

另外，导电性金属的覆盖量，为芯粒子的2.5～50重量％较佳、3～45重量％更佳、3.5～40重量％更佳、最好为5～30重量％。

另外，导电性粒子P的粒子径为1～500μm较佳、2～400μm更佳、5～300μm较佳、最好为10～150μm。

另外，导电性粒子P的粒子径分布(Dw/Dn)为1～10较佳、1～7更佳、1～5更佳、最好为1～4。

使用满足上述条件的导电性粒子P得到的弹性各向异性导电膜23，加压变形比较容易，而且该弹性各向异性导电膜23中的连接用导电部24中，导电性粒子P间能够得到足够的电连接。

具有上述平均粒子径的导电性粒子P，可以由空气分级装置、声波过滤装置等分级装置，对导电性粒子及/或形成该导电性粒子的芯粒子进行分级处理，由此进行调制。分级处理的具体条件，可以根据目的导电性粒子平均粒子径以及粒子径分布和分级装置的种类等适当设定。

另外，导电性粒子P的形状没有特别限定，从在高分子物质形成材料中容易分散的观点看来，球状、星球状或者由它们凝结后的2次粒子所构成的块状较佳。

另外，导电性粒子P的含水率为5％以下较佳、3％以下、2％以下更佳、最好为1％以下。使用满足上述条件的导电性粒子P，在成形材料层的硬化处理时，能够防止或抑制该成形材料层内产生气泡。

另外，可以适当使用导电性粒子P表面由硅烷偶联剂等偶合剂处理后的粒子。导电性粒子P表面经偶合剂处理后，该导电性粒子P与弹性高分子物质的粘合性变高，其结果，得到的弹性各向异性导电膜23在重复使用的耐久性高。

偶合剂的使用量，在不影响导电性粒子P的导电性的范围内适当选择，但导电性粒子P表面中的偶合剂覆盖率(偶合剂的覆盖面积与导电性芯粒子表面积的比例)为5％以上的量较佳、上述覆盖率为7～100％更佳、10～100％更佳、最好为20～100％。

功能部26的连接用导电部24中的导电性粒子P的含有比例，体积分率10～60％、更好的是15～50％比例较佳。此比例不足10％时，有时会得不到电阻值足够小的连接用导电部24。另外，此比例超过60％时，得到的连接用导电部24容易变得脆弱，作为连接用导电部24，得不到必需的弹性。

高分子物质形成材料中，根据需要，可以含有通常的石英粉、硅胶、氧化硅气凝胶、矾土等无机填充材。含有这样的无机填充材，能够确保得到的成形材料的触变性，其粘度变高，而且导电性粒子P的分散稳定性得到提高，硬化处理后得到的弹性各向异性导电膜23的强度变高。

这样的无机填充材的使用量没有特别限定，但使用量过大时，在后述的制造方法中，大幅阻碍磁场所引起的导电性粒子P的移动，所以不适宜。

这样的各向异性导电连接器20，例如可以由特开2002-334732号公报中记载的方法来制造。

图7是表示第1例的探针卡10中片状探测器30的结构的说明用剖面图，图8是将片状探测器30的主要部分扩大后表示的说明用剖面图。

此片状探测器30具有绝缘性片31，该绝缘性片31中，分别在厚度方向上延伸的多个贯穿孔31H按照与作为检查对象的晶片的被检查电极的图案对应的图案形成。此例的绝缘性片31的各贯穿孔31H是同样的直径，因此，该贯穿孔31H的表面侧开口直径及背面侧开口直径实质上相同。该绝缘性片31的各贯穿孔31H中，电极结构体32分别从该绝缘性片31两面突出。而且，绝缘性片31背面，圆形的环状保持部件40沿着该绝缘性片31的周边部设置(参照图1)，绝缘性片31由该保持部件40保持。

各电极结构体32的结构为：从绝缘性片31表面露出的、突起状的表面电极部31a与从绝缘性片31背面露出的、平片状的背面电极部32b，由插通绝缘性片31的贯穿孔31H的圆柱状短路部32c连接为一体。此例的电极结构体32中的短路部32a是同样的直径。电极结构体32中短路部32c的长度L大于绝缘性片31的厚度d，并且该短路部32a的直径r2小于绝缘性片31的贯穿孔31H的直径r1，由此，该电极结构体32能够在绝缘性片31的厚度方向上移动。另外，电极结构体32中的表面电极部32a的直径r3及背面电极部32b的直径r4分别大于绝缘性片31的贯穿孔31H的直径r1。

构成绝缘性片31的材料，例如可以使用液状聚合物、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、酰胺树脂、聚芳酰胺树脂等树脂材料、玻璃纤维增强型环氧树脂、玻璃纤维增强型聚酯树脂、玻璃纤维增强型聚酰亚胺树脂等纤维增强型树脂材料、将钒土、氮化硼等无机材料作为填充物包含在环氧树脂等中的复合树脂材料等。

另外，绝缘性片31，使用线热膨胀系数为3×10^-5/K以下的材料较好，更好的是1×10^-6～2×10^-5/K、最好是1×10^-6～6×10^-6/K。使用这样的绝缘性片31，能够抑制该绝缘性片31的热膨胀所引起的电极结构体32的错位。

另外，绝缘性片31的厚度d为10～200μm较佳、15～100μm更佳。

另外，绝缘性片31的贯穿孔31H的直径r1为20～250μm较佳、30～150μm更佳。

构成电极结构体32的材料，可以适当使用金属材料，特别是后述的制造方法中，使用比绝缘性片上形成的金属薄层难蚀刻的材料较佳。这样的金属材料的具体例子，比如镍、钴、金、铝等金属单质或者它们的合金等。电极结构体32也可以是2种以上金属层叠后构成。

另外，对表面形成了氧化膜的被检查电极进行电检查时，使被检查电极与片状探测器30的电极结构体32接触，需要由电极结构体32的表面电极部32a来破坏被检查电极表面的氧化膜，以实现该电极结构体32与被检查电极的电连接。因此，电极结构体32的表面电极部32a的硬度是容易破坏氧化膜的程度较佳。为了得到这样的表面电极部32a，可以将硬度高的粉末物质含在构成表面电极部32a的金属中。

这样的粉末物质，可以使用金刚石粉末、氮化硅、碳化硅、陶瓷、玻璃等，含有适量的这些非导电性粉末物质，可以不损坏电极结构体32导电性，由电极结构体32的表面电极部32a破坏形成在被检查电极表面的氧化膜。

另外，为了容易破坏被检查电极表面的氧化膜，电极结构体32中的表面电极部32a的形状可以做成锐利的突起状，也可以在表面电极部32a表面上形成微细的凹凸。

另外，电极结构体32中的表面电极部32a及背面电极部32b上，根据需要，也可以形成覆盖膜。例如被检查电极由锡焊材料构成时，从防止该锡焊材料扩散的观点看来，在表面电极部32a上形成由银、钯、铑等耐扩散性金属构成的覆盖膜较佳。

电极结构体32中短路部32c的直径r2为18μm以上较佳、25μm以上更佳。此直径r2过小时，该电极结构体32有时得不到必要的强度。另外，绝缘性片31的贯穿孔31H的直径r1与电极结构体32中的短路部32c的直径r2的差(r1-r2)为0.5μm以上较佳、1μm以上更佳、最好为2μm以上。此差过小时，在绝缘性片31厚度方向上，难以使电极结构体32移动。

电极结构体32中的表面电极部32a的直径r3，为被检查电极直径的70～150％较佳。另外，电极结构体32中的表面电极部32a的直径r3与绝缘性片31的贯穿孔31H的直径r1的差(r3-r1)，为3μm以上较佳、5μm以上更佳、最好为10μm以上。此差过小时，电极结构体32可能从绝缘性片31上脱落。

另外，电极结构体32中的背面电极部32b的直径r4为检查用电路基板11的检查用电极16直径的70～150％较佳。另外，电极结构体32中的背面电极部32b的直径r4与绝缘性片31的贯穿孔31H的直径r1的差(r4-r1)为3μm以上较佳、5μm以上更佳、最好为10μm以上。此差过小时，电极结构体32可能会从绝缘性片31上脱落。

电极结构体32在绝缘性片31的厚度方向上能够移动的距离，即电极结构体32中的短路部32c的长度L与绝缘性片31的厚度d的差(L-d)，为5～50μm较佳、10～40μm更佳。电极结构体32能够移动的距离过小时，难以实现良好的电连接。另外，电极结构体32能够移动的距离过大时，从绝缘性片31的贯穿孔31H中露出的电极结构体32的短路部32c的长度变大，用于检查时，电极结构体32的短路部32c可能会弯曲或损伤。

电极结构体32的间距，根据作为检查对象的晶片的被检查电极的间距来设定，例如为40～250μm较佳、40～150μm更佳。

这里，“电极结构体的间距”是指相邻电极结构体间的中心间距，是最短的距离。

构成保持部件40的材料，可以使用因瓦合金、超因瓦合金等因瓦型合金、镍铬恒弹性合金等埃林瓦尔型恒弹性合金、科洛铁镍钴合金、42合金等低热膨胀金属材料或者矾土、碳化硅、氮化硅等陶瓷材料等。

并且，设置片状探测器30时，使各电极结构体32中的背面电极部32b与各向异性导电连接器20的弹性各向异性导电膜23中的连接用导电部24对接，使保持部件40与检查用电路基板11中的支架14的台阶部14S相嵌固定。

这样的片状探测器30例如可以由下述方法制造。

首先，如图9所示，准备易蚀性金属层33A与绝缘性片31的一面层叠为一体所构成的层叠材料30B，对此层叠材料30B中的金属层33A进行蚀刻处理，除去其中一部分，由此，如图10所示，按照与应连接金属层33A的电极的图案对应的图案，形成多个开口33K。接着，如图11所示，在层叠材料30B中的绝缘性片31上，形成分别与金属层33A的开口33K连通、在厚度方向上延伸的贯穿孔31H。然后如图12所示，形成易蚀性的筒状金属薄层33B，覆盖绝缘性片31的贯穿孔31H内壁面及金属层33A的开口边缘。由此制造出复合层叠材料30A，其具有：形成了分别在厚度方向上延伸的多个贯穿孔31H的绝缘性片31，层叠在该绝缘性片31的一面上、分别具有与绝缘性片31的贯穿孔31H连通的多个开口33K的易蚀性金属层33A，覆盖绝缘性片31的贯穿孔31H内壁面及金属层33A开口边缘的易蚀性金属薄层33B。

以上工序中，形成绝缘性片31的贯穿孔31H的方法，可以使用激光加工法、钻孔加工法、蚀刻加工法等。

构成金属层33A及金属薄层33B的易蚀性金属材料，可以使用铜等。

另外，金属层33A的厚度，考虑目的电极结构体32能够移动距离等来设定，具体来说，为5～25μm较佳、8～20μm更佳。

另外，金属薄层33B的厚度，考虑绝缘性片31的贯穿孔31H的直径和应形成的电极结构体32中的短路部32c的直径后设定。

另外，形成金属薄层33B的方法，可以使用无电解电镀法等。

然后对此复合层叠材料30A进行光镀处理，在绝缘性片31的各贯穿孔31H内形成电极结构体32。具体来说，如图13所示，在金属层33A表面形成抗蚀膜34，此抗蚀膜34上，按照与应形成的电极结构体32中的表面电极部32a图案对应的图案，形成有分别与绝缘性片31的贯穿孔31H连通的多个图案孔34H；同时在绝缘性片31背面形成抗蚀膜35，此抗蚀膜35上，按照与应形成的电极结构体32中的背面电极部32b图案对应的图案，形成有分别与绝缘性片31的贯穿孔31H连通的多个图案孔35H。接着，将金属层33A作为共通电极，实施电解电镀处理，在该金属层33A中露出的部分上淀积金属，同时在金属薄层33B表面淀积金属，在绝缘性片31的贯穿孔31H内及抗蚀膜34、35的图案孔34H、35H内形成金属体，通过研磨从该金属体中的抗蚀膜35的图案孔35H中露出的一个端面，如图14所示，形成在绝缘性片31厚度方向上延伸的电极结构体32。

由此形成电极结构体32后，从金属层33A表面除去抗蚀膜34，同时从绝缘性片31背面除去抗蚀膜35，如图15所示，露出金属层33A及绝缘性片31。然后实施蚀刻处理，除去金属层33A和金属薄层33B，由此，得到图7所示的片状探测器30。

根据上述第1例的探针卡10，片状探测器30中的各电极结构体32，相对绝缘性片31，能够在其厚度方向上移动，所以即使电极结构体32的表面电极部32a的突出高度有偏差，被检查电极加压时，根据该表面电极部32a的突出高度，电极结构体32在绝缘性片31的厚度方向上移动，所以能够实现对晶片的良好电连接状态。

另外，各表面电极部32a及背面电极部32b的直径大于绝缘性片31的贯穿孔31H的直径，所以该表面电极部32a与该背面电极部32b的每一个起阻挡作用，结果，能够防止电极结构体32从绝缘性片31中脱落。

另外，形成绝缘性片31的材料，使用线热膨胀系数较小的材料，由此，能够抑制该绝缘性片31的热膨胀所引起的电极结构体32与被检查电极的错位。

另外，各向异性导电连接器20中，弹性各向异性导电膜23设置在框架板21上形成的多个开口22上并被支持，因此，各弹性各向异性导电膜23可以面积很小，面积小的弹性各向异性导电膜23，因其面方向上的热膨胀绝对量很小，所以能够抑制温度变化引起的、相对检查用电极12及电极结构体32的连接用导电部24的错位。

因此，晶片的老化试验中，能够稳定维持对晶片的良好电连接状态。

图16是表示关于本发明的探针卡第2例结构的说明用剖面图。图17是表示第2例的探针卡的主要部分结构的说明用剖面图。

该第2例探针卡10，用于例如对形成了多个集成电路的晶片、在晶片状态下进行各个该集成电路的老化试验，具有检查用电路基板11和设置在该检查用电路基板11的一面(图16及图17的上面)上的探针部件10A，探针部件10A具有片状探测器30和设置在该片状探测器30背面的各向异性导电连接器20。

第2例的探针卡10的检查用电路基板11中，如图18所示，第2基板元件15的表面上形成有检查用电极部16R，该检查用电极部16R中，多个检查用电极16按照与作为检查对象的晶片上形成的集成电路中例如32个(8个×4个)集成电路中的被检查电极的图案对应的图案设置。检查用电路基板11中的其他结构，与第1例的探针卡10中检查用电路基板11基本相同。

探针部件10A中的各向异性导电连接器20，如图19所示，具有矩形片状的框架板21，该框架板21上形成了分别在厚度方向上贯穿延伸的多个开口22。该框架板21的开口22，与作为检查对象的晶片上形成的集成电路中例如32个(8个×4个)集成电路中形成被检查电极的电极区域图案对应形成。框架板21上，在厚度方向上具有导电性的多个弹性各向异性导电膜23分别堵住一个开口22地被该框架板21的开口边缘部支持。各向异性导电连接器20中的其他结构，与第1例的探针卡10中的各向异性导电连接器20相同。

片状探测器30具有绝缘性片31，绝缘性片31上，分别在厚度方向上延伸的多个贯穿孔31H，按照与作为检查对象的晶片上形成的集成电路中例如32个(8个×4个)集成电路中的被检查电极的图案对应的图案形成；该绝缘性片31的各贯穿孔31H上，电极结构体32分别从该绝缘性片31两面突出。另外，绝缘性片31的背面，圆形的环状保持部件40沿着该绝缘性片31的周边部设置，绝缘性片31由该保持部件40保持。此片状探测器30中的其他结构与第1例的探针卡10中的片状探测器30一样。

另外，此例的片状探测器30可以与第1例的探针卡10中的片状探测器30一样制造。

根据上述第2例的探针卡10，片状探测器30中的各电极结构体32，相对绝缘性片31，能够在其厚度方向上移动，所以即使电极结构体32的表面电极部32a的突出高度有偏差，被检查电极加压时，根据该表面电极部32a的突出高度，电极结构体32在绝缘性片31的厚度方向上移动，所以能够实现对晶片的良好电连接状态。

[晶片检查装置]

图20表示关于本发明的晶片检查装置的第1例结构大概的说明用剖面图，图21是将第1例的晶片检查装置的主要部分结构扩大后表示的说明用剖面图。该第1晶片检查装置，对于晶片上形成的多个集成电路的每一个，在晶片状态下一并进行该集成电路的老化试验。

第1例的晶片检查装置具有控制器2，用于进行作为检查对象的晶片6的温度控制、进行晶片6的检查的电源供给、信号的输入输出控制、检测来自晶片6的输出信号后判断该晶片6中的集成电路是否良好。如图22所示，控制器2的下面具有多个输入输出端子3沿着圆周方向设置的输入输出端子部3R。

控制器2的下方设置了第1例的探针卡10，其设置状态如图22所示，检查用电路基板11中的第1基板元件12上形成的各引线电极13，与该控制器2的输入输出端子3相对，由适当的保持方式被保持。

控制器2的输入输出端子部3R与探针卡10中的检查用电路基板11的引线电极部13R之间设置了连接器4，由该连接器4，将第1基板元件12上形成的各引线电极13与控制器2的各输入输出端子3电连接。图示例的连接器4具有：长度方向上能够弹性压缩的多个导电针4A，支持这些导电针4A的支持部件4B，导电针4A排列在控制器2的输入输出端子3与第1基板元件12上形成的引线电极13之间。

探针卡10的下方设置了承载作为检查对象的晶片6的晶片载台5。

上述晶片检查装置中，晶片载台5上放置了作为检查对象的晶片6，接着从下方对探针卡10加压，其片状探测器30的电极结构体32中的各表面电极部32a与晶片6的各被检查电极7接触，并且，通过该表面电极部32a的每一个，对晶片6的各被检查电极7加压。此状态下，各向异性导电连接器20的弹性各向异性导电膜23中的各连接用导电部24被检查用电路基板11的检查用电极16和片状探测器30的电极结构体32的背面电极部32b夹着，在厚度方向上被压缩，由此，该连接用导电部24在其厚度方向上形成导电通路，其结果，晶片6的被检查电极7与检查用电路基板11的检查用电极16之间实现电连接。然后，通过晶片载台5，将晶片6加热到规定温度，在此状态下，对该晶片6中的多个集成电路中的每一个进行所需的电检查。

根据上述第1例的晶片检查装置，通过第1例的探针卡10，实现与作为检查对象的晶片6的被检查电极7的电连接，所以能够实现对晶片的良好电连接状态，而且能够稳定维持对晶片的良好的电连接，因此，晶片的老化试验中，能够进行对该晶片的所需的电检查。

图23表示关于本发明的晶片检查装置的第2例结构大概的说明用剖面图，该晶片检查装置，对于晶片上形成的多个集成电路的每一个，在晶片状态下进行该集成电路的老化试验。

该第2例的晶片检查装置，除了用第2例的探针卡10代替第1例的探针卡10以外，结构基本与第1例的晶片检查装置相同。

该第2例的晶片检查装置中，从晶片6上形成的全部集成电路中选择出比如32个集成电路的被检查电极7，与探针卡10电连接，进行检查，然后从其他集成电路中选择出的多个集成电路的被检查电极7，与探针卡10电连接，进行检查，通过重复这个工序，对晶片6上形成的全部集成电路进行探测试验。

根据上述第2例的晶片检查装置，通过第2例的探针卡10，实现与作为检查对象的晶片6的被检查电极7的电连接，所以能够实现对晶片的良好电连接状态，而且能够稳定维持对晶片的良好的电连接，因此，晶片的老化试验中，能够进行对该晶片的所需的电检查。

本发明并不限定于上述实施方式，如下述，可以有各种变更。

(1)各向异性导电连接器20中，弹性各向异性导电膜23上不是必须要形成突出部，弹性各向异性导电膜23的整个表面可以是平坦的。

(2)各向异性导电连接器20中的弹性各向异性导电膜23上，除了按照与被检查电极的图案对应的图案形成的连接用导电部24，还可以形成不与被检查电极电连接的非连接用导电部。

(3)片状探测器30的结构可以具有形成了单一开口的绝缘性片和以堵住该绝缘性片开口的方式设置的绝缘膜，也可以是具有形成了多个开口的绝缘性片和以分别堵住每个开口的方式设置的多个绝缘膜，或者是具有形成了多个开口的绝缘性片、以堵住该绝缘性片的一个开口的方式设置的1个或2个以上的绝缘膜、堵住绝缘性片的2个以上开口设置的1个或2个以上的绝缘膜。

(4)片状探测器30中，如图24所示，电极结构体32中的各表面电极部32a及背面电极部32b的形状可以为近似圆锥台状，其端面的直径大于绝缘性片31的贯穿孔31H的表面侧开口直径及背面侧开口直径。

这种片状探测器30可以由以下方法制造。

首先，如图25所示，制造层叠体50A，其具有：易蚀性的金属箔51，分别与此金属箔51的一面(图中的下面)及另一面层叠为一体的抗蚀层52、53。此层叠体50A中金属箔51及抗蚀层52、53这三者合计的厚度大于应形成的电极结构体32的长度，形成在金属箔51一面上的抗蚀层(以下也称为“一面抗蚀层”)52的厚度大于目的片状探测器的绝缘性片的厚度。另外，图示例的层叠体50A中，抗蚀层52、53的各自表面上层叠了例如由聚氯乙烯构成的树脂片54、55。

这种层叠体50A中，构成金属箔51的易蚀性金属材料，可以使用铜等。

另外，金属箔51的厚度为3～75μm较佳、5～50μm更佳、最好为8～25μm。

一面抗蚀层52的厚度，根据目的片状探测器的绝缘性片的厚度适当选择，例如为10～200μm，15～100μm较佳。

形成在金属箔51另一面的抗蚀层(以下也称为“另一面抗蚀层”)53的厚度，例如为10～50μm，15～30μm较佳。

另外，树脂片54、55的厚度分别为10～100μm。

对上述层叠体50A进行激光加工，如图26所示，与金属箔51、抗蚀层52、53和树脂片54、55分别互相连通的贯穿孔51H、52H、53H、54H、55H，分别按照与作为检查对象的晶片的被检查电极的图案对应的图案形成，由此，形成在层叠体50A的厚度方向上贯穿的贯穿孔50H。

接着对层叠体50A实施无电解电镀处理，如图27所示，形成易蚀性的金属薄层56，覆盖层叠体50A的贯穿孔50H的内壁面、即金属箔51的贯穿孔51H的内壁面以及抗蚀层52、53的贯穿孔52H、53H的内壁面和树脂片54、55表面以及贯穿孔54H、55H的内壁面，然后从抗蚀层52、53中剥离树脂片54、55。接着对于层叠体50A，将金属箔51和金属薄层56作为电极，实施电解电镀处理，在金属箔51的贯穿孔51H及抗蚀层52、53的贯穿孔52H、53H内淀积金属，其结果，如图28所示，形成圆柱状的电极结构体用支柱32P。接着，对抗蚀层52、53表面及电极结构体用支柱32P的两端面进行研磨处理，然后从金属箔51的一面上剥离一面抗蚀层52，对电极结构体用支柱32P实施无电解电镀处理，如图29所示，从电极结构体用支柱32P中的金属箔51的一面突出的部分的整个表面是被易蚀性金属薄层56覆盖的状态，由此得到复合体50。

上述中，层叠体50A上形成的贯穿孔50H的直径，根据应形成的电极结构体32的短路部32c的直径设定。

构成金属薄层56的易蚀性金属材料，可以使用铜等。

金属薄层56的厚度，考虑层叠体50A的贯穿孔50H的直径以及应形成的电极结构体32中的短路部32c的直径等来设定。

如图30所示，将绝缘性片31设置在由高分子弹性物质构成的缓冲材料57上，同时在该绝缘性片31上面形成粘附层(省略图示)，在形成了该粘附层的绝缘性片31的上面设置制造的复合体50，如图31所示，各电极结构体用支柱32P的前端面上形成的金属薄膜56与该绝缘性片31接触。在此状态下，例如由复合体50在厚度方向上挤压绝缘性片31，由此，利用形成了金属薄层56的各电极结构体用支柱32P，使绝缘性片31穿孔，如图32所示，绝缘性片31上形成多个贯穿孔31H，同时各贯穿孔31H内插入电极结构体用支柱32P。这时，复合体50中的金属箔51，通过粘附层，可以剥离地固定在绝缘性片31上面。

接着，对形成在电极结构体用支柱32P端面上的金属薄层进行研磨处理，如图33所示，露出电极结构体用支柱32P的端面。然后对电极结构体用支柱32P的两端进行锻造加工。具体来说，在厚度方向上对电极结构体用支柱32P加压后解除，重复此操作，如图34所示，形成端面直径大于绝缘性片31的贯穿孔31H表面侧开口直径及背面侧开口直径的表面电极32a及背面电极部32b，由此，插入绝缘性片31的贯穿孔31H的短路部32c两端上，端面直径大于绝缘性片31的贯穿孔31H表面侧开口及背面侧开口的表面电极部32a及背面电极部32b连续形成为一体，形成电极结构体32。

上述锻造加工中对电极结构体用支柱32P的加压条件，根据电极结构体用支柱32P的材质和尺寸等有所不同，例如由压花机进行加热加工较佳。

形成电极结构体32后，从金属箔51上除去抗蚀层52，如图35所示，露出金属箔及金属薄层56。然后实施蚀刻处理，除去金属箔51及金属薄层56，由此在绝缘性片31的贯穿孔31H背面和电极结构体32表面之间形成间隙，由此，电极结构体32在绝缘性片31的厚度方向上能够移动，由此，得到图24所示的片状探测器30。

(5)另外，片状探测器中，如图36所示，绝缘性片31的贯穿孔31H的形状可以是，由该绝缘性片31表面(图中下面)向背面直径增大的锥状，各电极结构体32具有：从绝缘性片31表面侧的一端向背面侧的另一端直径增大的锥状的短路部32c，与短路部32c的一端形成为一体的片状表面电极部32a，与短路部32c的另一端连续形成、直径朝端面增大的锥状的背面电极部32b；表面电极部31a的直径大于绝缘性片31的贯穿孔31H的表面侧开口直径，背面电极部31b的端面直径大于绝缘性片31的贯穿孔31H的背面侧开口直径。

上述片状探测器30可以由下述方法制造。

首先，如图37所示，制造层叠体60A，其具有：易蚀性的金属箔61，分别与此金属箔61的一面(图中的下面)及另一面层叠为一体的抗蚀层62、63。此层叠体60A中金属箔61及抗蚀层62、63，三者合计的厚度大于应形成的电极结构体32中背面电极部32b及短路部32c合计的长度，形成在金属箔61一面上的抗蚀层(以下也称为“一面抗蚀层”)62的厚度大于绝缘性片31的厚度。另外，图示例的层叠体60A中，抗蚀层62、63的各自表面上层叠了例如由聚氯乙烯构成的树脂片64、65。

这种层叠体60A中，构成金属箔61的易蚀性金属材料，可以使用铜等。

另外，金属箔61的厚度为3～75μm较佳、5～50μm更佳、最好为8～25μm。

一面抗蚀层62的厚度，根据绝缘性片31的厚度适当选择，例如为10～200μm，15～100μm较佳。

形成在金属箔61另一面的抗蚀层(以下也称为“另一面抗蚀层”)63的厚度，例如为10～50μm，15～30μm较佳。

另外，树脂片64、65的厚度分别为10～100μm。

对上述层叠体60A进行激光加工，如图38所示，与金属箔61、抗蚀层62、63和树脂片64、65分别互相连通的锥状贯穿孔61H、62H、63H、64H、65H，分别按照与作为检查对象的晶片的被检查电极的图案对应的图案形成，由此，形成在层叠体60A的厚度方向上贯穿的锥状贯穿孔60H。

接着对层叠体60A实施无电解电镀处理，如图39所示，形成易蚀性的金属薄层66，覆盖层叠体60A的贯穿孔60H的内壁面、即金属箔61的贯穿孔61H的内壁面以及抗蚀层62、63的贯穿孔62H、63H的内壁面和树脂片64、65表面以及贯穿孔64H、65H的内壁面，然后从抗蚀层62、63中剥离树脂片64、65。接着对于层叠体60A，将金属箔61和金属薄层66作为电极，实施电解电镀处理，在金属箔61的贯穿孔61H及抗蚀层62、63的贯穿孔62H、63H内淀积金属，其结果，如图40所示，形成锥状的电极结构体用支柱32P。接着，对抗蚀层62、63表面及电极结构体用支柱32P的两端面进行研磨处理，然后从金属箔61的一面上剥离一面抗蚀层62，对电极结构体用支柱32P实施无电解电镀处理，如图41所示，从电极结构体用支柱32P中的金属箔61的一面突出的部分的整个表面是被易蚀性金属薄层66覆盖的状态，由此得到复合体60。

上述中，层叠体60A上形成的贯穿孔60H的直径，根据应形成的电极结构体32的背面电极部32b及短路部32c的直径设定。

构成金属薄层66的易蚀性金属材料，可以使用铜等。

金属薄层66的厚度，考虑层叠体60A的贯穿孔60H的直径以及应形成的电极结构体32中的背面电极部32b及短路部32c的直径等来设定。

接着，如图42所示，在绝缘性片31的表面(图中下面)上形成抗蚀层67，然后，如图43所示，在绝缘性片31背面上设置制造的复合体60，其电极结构体用支柱32P的各前端面上形成的金属薄层66与该绝缘性片31背面接触。在此状态下，例如利用复合体60在厚度方向上挤压绝缘性片31，由此，利用形成了金属薄层66的各电极结构体用支柱32P，对绝缘性片31及抗蚀层67进行穿孔，由此，如图44所示，绝缘性片31上形成多个贯穿孔31H，同时各贯穿孔31H内插入电极结构体用支柱32P。然后，对形成在抗蚀层67表面及电极结构体用支柱32P表面上的金属薄层66进行研磨处理，如图45所示，露出电极结构体用支柱32P的前端面，对该电极结构体用支柱32P的前端面进行镀敷处理，如图46所示，形成片状的表面电极32a，由此形成由锥状的短路部32c、与短路部32c一端形成为一体的片状的表面电极32a、与短路部32c另一端连续形成为一体的锥状的背面电极32b所构成的电极结构体32。

如上述，形成电极结构体32后，从金属箔61及绝缘性片31上分别除去抗蚀层63、67，由此，如图47所示，露出金属箔61及金属薄层66。然后实施蚀刻处理，除去金属箔61及金属薄层66，由此得到图36所示的片状探测器30。

(6)本发明的探针卡中，如图48所示，各向异性导电连接器可以具有弹性各向异性导电膜23A，该弹性各向异性导电膜23A的结构为：在弹性高分子物质中含有具有磁性的导电性粒子P，具有磁性的导电性粒子P在厚度方向上排列、形成链，且在该状态下由该导电性粒子P形成的链在面方向上呈分散状态。另外，片状探测器30上可以设置各向异性导电弹性体片29。上述各向异性导电弹性体片29的结构可以是：在弹性高分子物质中含有具有磁性的导电性粒子P，具有磁性的导电性粒子P在厚度方向上排列、形成链，且在该状态下，由该导电性粒子P形成的链在面方向上呈分散状态。

(7)晶片检查装置中，如图49及图50所示，可以设置：各向异性导电连接器70，其具有沿长度方向排列形成多个开口72的超长框状支持体71和设置在支持体71的各开口72上的各向异性导电弹性体片75，一个各向异性导电弹性体片75设置在作为检查对象的晶片6与探针卡30之间；移动机构76，用于使该各向异性导电连接器70在其长度方向上移动。

作为构成支持体71的材料，可以使用树脂材料，其具体例子比如，液状聚合物、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、酰胺树脂、聚芳酰胺树脂等。

各向异性导电弹性体片75的结构可以是：在弹性高分子物质中含有具有磁性的导电性粒子，具有磁性的导电性粒子在厚度方向上排列、形成链，且在该状态下，由该导电性粒子形成的链在面方向上呈分散状态。

移动机构76可以具有缠绕辊77及卷绕辊78。

根据上述结构的晶片检查装置，重复进行晶片的检查时，各向异性导电连接器70中的各向异性导电弹性体片75发生故障时，由移动机构76移动各向异性导电连接器70，该故障的各向异性导电弹性体片75能够容易且短时间地交换为该各向异性导电连接器70中的其他各向异性导电弹性体片75，所以能够提高晶片的检查效率。

(8)使晶片检查装置中的控制器2与检查用电路基板11电连接的连接器4，并不限定于图22所示的连接器，可以使用各种结构。

Claims

1.一种晶片检查用片状探测器，具有：

绝缘性片，按照与作为检查对象的晶片上形成的全部或一部分集成电路中的被检查电极的图案对应的图案形成有分别在厚度方向上延伸的多个贯穿孔；以及

电极结构体，设置在该绝缘性片的各贯穿孔中，分别从该绝缘性片的两面突出，其特征在于：

每一个上述电极结构体，由从上述绝缘性片表面露出的、直径大于该绝缘性片的贯穿孔表面侧开口直径的表面电极部与从该绝缘性片背面露出的、直径大于该绝缘性片的贯穿孔背面侧开口直径的背面电极部通过插通该绝缘性片贯穿孔的短路部连接而构成，相对于该绝缘性片，能够在其厚度方向上移动。

2.一种晶片检查用探针部件，其特征在于，具有权利要求1所述的晶片检查用片状探测器和设置在该晶片检查用片状探测器背面的各向异性导电连接器。

3.一种晶片检查用探针卡，具有：

按照与作为检查对象的晶片上形成的全部或一部分集成电路中的被检查电极的图案对应的图案、在表面上形成有多个检查用电极的检查用电路基板；

设置在该检查用电路基板表面上的各向异性导电连接器；以及

设置在该各向异性导电连接器上的晶片检查用片状探测器，

其特征在于，上述晶片检查用片状探测器具有：

按照与上述被检查电极的图案对应的图案形成分别在厚度方向上延伸的多个贯穿孔的绝缘性片；以及

设置在该绝缘性片的各贯穿孔中、分别从该绝缘性片的两面突出的电极结构体，且

每一个上述电极结构体，由从上述绝缘性片表面露出的、直径大于该绝缘性片的贯穿孔表面侧开口直径的表面电极部与从该绝缘性片背面露出的、直径大于该绝缘性片的贯穿孔背面侧开口直径的背面电极部通过插通该绝缘性片贯穿孔的短路部连接而构成，相对该绝缘性片，能够在其厚度方向上移动。

4.根据权利要求3所述的晶片检查用探针卡，其特征在于，电极结构体在绝缘性片厚度方向上能够移动的距离为5～50μm。

5.根据权利要求3或4所述的晶片检查用探针卡，其特征在于，绝缘性片由线热膨胀系数为3×10^-5/K以下的材料构成。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的晶片检查用探针卡，其特征在于，

各向异性导电连接器具有：与作为检查对象的晶片上形成的全部或一部分集成电路中形成被检查电极的电极区域对应地形成有多个开口的框架板；和以堵住该框架板开口的方式设置并被支持的多个弹性各向异性导电膜，

该弹性各向异性导电膜具有：按照与上述电极区域中被检查电极的图案对应的图案设置的、在弹性高分子物质中含有具有磁性的导电性粒子的连接用导电部；和使它们相互绝缘的由弹性高分子物质构成的绝缘部。

7.一种晶片检查装置，对形成在晶片上的多个集成电路的每一个、在晶片状态下进行该集成电路的电检查，

其特征在于，具有权利要求3至6中任一项所述的晶片检查用探针卡。