CN1655336B - 基材支撑衬套 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 18
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 23
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 18
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 8
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16C—SHAFTS; FLEXIBLE SHAFTS; ELEMENTS OR CRANKSHAFT MECHANISMS; ROTARY BODIES OTHER THAN GEARING ELEMENTS; BEARINGS
- F16C29/00—Bearings for parts moving only linearly
- F16C29/04—Ball or roller bearings
- F16C29/045—Ball or roller bearings having rolling elements journaled in one of the moving parts
- F16C29/046—Ball or roller bearings having rolling elements journaled in one of the moving parts with balls journaled in pockets
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
- B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
- B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
- B65G49/061—Lifting, gripping, or carrying means, for one or more sheets forming independent means of transport, e.g. suction cups, transport frames
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
- C03C17/002—General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16C—SHAFTS; FLEXIBLE SHAFTS; ELEMENTS OR CRANKSHAFT MECHANISMS; ROTARY BODIES OTHER THAN GEARING ELEMENTS; BEARINGS
- F16C29/00—Bearings for parts moving only linearly
- F16C29/04—Ball or roller bearings
- F16C29/045—Ball or roller bearings having rolling elements journaled in one of the moving parts
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
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Abstract
本发明提供一种用来支撑处理室内基材的设备。在一个方案中,提供一个基材支撑件,该基材支撑件包含孔穿通其间的壳体,一支撑销至少部分设置在该孔内,及数个轴承件,它们被设置在壳体周围。在一个方案中,这些轴承件包含一中央孔穿通其间的滚子,一成形的(contoured)外表面,及一个设置成至少部分穿过该中央孔的轴。在另一方案中,这些轴承件包含一球组件,其具有一较大的球形件及四个被安排在较大的球形件周围的较小球形件。
Description
技术领域
本发明的实施例大体涉及一种基材支撑销。更特定地,本发明的实施例涉及一种用于大型玻璃板的支撑销。
背景技术
薄膜晶体管已经被制造在大型玻璃基材上或基板上,以应用于监视器,平板显示器,太阳能电池,个人数字助理(PDA),行动电话,及类此者。这些晶体管是通过不同膜层在真空室的依序沉积而在真空室中制造的,这些膜层包括非晶型硅,掺杂的及未掺杂的氧化硅,氮化硅及类似物。膜层沉积是发生在单一的沉积室或系统中,或被处理的基材被传送在数个沉积室之间。在每一沉积室内,被处理的基材一般置于处理室内的支撑托盘上。为了便于基材在处理与处理之间的传送,支撑件,例如复数根销,被安装在支撑件上,使得基材与基材支撑托盘之间有一间距。这可让传送机制,例如机械臂载盘,可滑入到基材的背侧底下并将基材举离支撑托盘而不会对支撑托盘或基材造成伤害。
这些支撑销绝大多数为具有固定高度的垂直桩柱,其被固定在支撑托盘的上表面上。这些支撑销通常是坚硬的,其对于支撑于其上的玻璃基材有害的摩擦并没有任何的宽容。此外,这些支撑销会因为基材的反复装载及卸载而有形成屑片,弯折,或断裂的倾向。这些情况是因为在基材进入及离开处理室时基材没有对准而发生的。销的损伤也会因为操作员的错误而发生,大多数时候损伤是因为正常的磨损所造成的。因此,支撑销在使用一段时间之后都需要更换,造成用于移除受损的销并安装新销的停机时间。
因此,对于能够降低与被支撑在其上的基材之间的摩擦的支撑销存在着需求,其可增长支撑销的寿命并减少停机的时间长度。
发明内容
本发明大体上提供一种基材支撑件用于在处理室内支撑基材。在一个方案中,基材支撑件包含具有穿通孔的壳体,至少部分地设置在该孔内的支撑销,及数个轴承件,它们被设置在壳体周围。
在另一方案中,基材支撑件包含具有一穿通孔的壳体,及被设置在该孔内的数个轴承件,其中至少一个轴承件包含一个具有一穿通中央孔的滚子,成形的(contoured)外表面,及一个至少部分地设置成穿过该中央孔的轴,该轴将轴承件。
在另一方案中,基材支撑件包含具有穿通孔的壳体,及被设置在该孔内的数个轴承件,其中至少一个轴承件包含一个由一较大的球形件及四个被安排在该较大的球形件周围较小的球形件组成的球组件。
本发明同时提供一种处理室,其具有设置于其内的基材支撑组件。在一个方案中,该处理室包括具有设置于其内的支撑托盘的室本体,及两个或多个支撑件,每一支撑件都被设置在基材支撑托盘的上表面上。这些支撑件包含具有穿通孔的壳体,至少部分地设置在该孔内的支撑销,及数个轴承件,它们被设置在该孔内。在另一方案中,该处理室包括被设置于室本体内且邻近支撑托盘的举升组件。举升组件被设计来将基材装载至支撑托盘上或将基材从支撑托盘上取下。
在一个方案中,这些轴承件包含具有穿通中央孔的滚子,成形的外表面,及一个至少部分地设置成穿过该中央孔的轴,该轴将轴承件。在另一方案中,这些轴承件包含一个由一较大的球形件及四个被安排在该较大的球形件周围较小的球形件组成的球组件。
附图说明
本发明更为特定的描述可通过参照显示于附图中的实施例而被作成,使得本发明的上述特征,优点及目的可被详细了解。然而,应注意的是,附图中所示的为本发明典型的实施例,因此不应被认为是本发明范围的限制,因为本发明可以有其它等效的实施例。
图1A为本发明的支撑件实施例的立体示意图。
图1B为示于图1A中衬套的实施例的立体示意图。
图1C为示于图1A中轴承件的实施例的立体示意图。
图1D为示于图1C中轴承件的部分剖面图。
图2A为本发明的支撑件的另一实施例立体示意图。
图2B为示于图2A中支撑件的顶视图。
图2C为示于图2A中支撑件组合好的另一立体示意图。
图3为举例性的等离子增强的化学气相沉积室的剖面示意图,该等离子增强的化学气相沉积室单独地或组合地使用到示于图1A-1D及图2A-2C中的支撑件。
图3A为示于图3的等离子增强化学气相沉积室的特定实施例的剖面示意图。在此实施例中,该室包括一举离板用以方便将基材送上及送下承接器。
图3B为示于图3的等离子增强化学气相沉积室的另一特定实施例的剖面示意图。在此实施例中,示于图1A-1C及图2A-2D中的支撑件被设置成至少部分地在位于该室中的支撑组件内。
图3C为示于图3的等离子增强化学气相沉积室的另一特定实施例的剖面示意图。在此实施例中,示于图1A-1C及图2A-2D中的支撑件如图3B所示被设置成至少部分在位于该室中的支撑组件内。该室也包括一举升板用来作动这些支撑板。
图4为举例性多室处理系统的顶视示意图。
图5为批次式加热或冷却匣的剖面图,该批次式加热或冷却匣单独地或组合地使用到示于图1A-1D及图2A-2C中的支撑件。
【图中数字符号说明】
100 支撑件 102 衬套
105 中央孔 107 窗口
110A-B 轴承件 112 滚子
113 中央孔 114 轴
115 切除部 120A 第一端
120B 第二端 200 支撑件
202 衬套 205 孔
210 套筒 220A-D 轴承件
221 球形件 222 球形件
230A-D 窗口 240 凸缘
300 支撑销 302 第一端
304 第二端 310 室
312 室本体 314 顶壁
316 气体入口岐管 318 支撑组件
319A 上侧 319B 底侧
320 轴 322 底壁
324 举升组件 325 基材
328 孔 330 气体出口
332 侧壁 336 电源
340 数个孔 342 气体入口导管
344 莲蓬头 351 突起或高起部
400 处理系统 412 中央传送室
414 负载锁定室 416 细缝阀
417A-C 储存匣盒 438-448 处理室
474 机械臂 480 轨道架
512,514 侧壁 516 底壁
517 批次式储存匣盒 518 盖子
520 通道 524 入口导管
526 出口导管 527 导管
532 玻璃基材 560 导热架子
实施方式
图1A显示支撑件100的实施例示意立体图。如图所示,支撑件100包括具有一或多个轴承件110A,110B(两个被示出)的衬套102及支撑销120被部分地设置于其内。在其第一端处,基材(未示出),如包括平板显示器,圆的晶圆,液晶显示器,玻璃板基材,塑料基材,等等任何半导体基材,被支撑在其上。在其第二端处,支撑件100通常被设置在支撑托盘,承接器,机械臂载盘,介子,或其它用来固持或支撑基材(未示出)于其上的构件上表面上。
图1B为衬套102的立体示意图。衬套102为一圆筒形件,其具有中央孔105及一或多个形成于其上的窗口107。最好是,衬套102类似一圆柱形管子。在一个方案中,衬套102包括位于衬套的第一端的第一组窗口107,及位于衬套的第二端上的第二组窗口107。窗口107的实际数目为设计上的选择,最好有一组四个或更多个窗口107位于衬套102的第一端处,及有一组四个或更多个窗口位于衬套102的第二端处。额外的窗口组107可根据支撑件100的用途及处理环境而增加。
图1C显示在图1A中的轴承件110A,110B的示意图。图1D显示轴承件110A,110B的部分剖面图。参照图1C及1D,第一轴承件110A被包容在第一组窗口107内且至少部分地穿过衬套102的第一端。第二轴承件110B被包容在第一组窗口107内且至少部分地穿过衬套102的第二端。在一个方案中,轴承件110A,110B包括一个或多个滚子112,其具有中央穿孔113及轴114被设置成至少部分地穿过该中央孔113。轴114被固定到衬套102上以将滚子112固定在定位上。在一个方案中,每一轴114的端部被切角用以形成如第1C图所示的圆锥形。在将轴承件110A,110B安装到衬套102中时,滚子112通过被彼此相对地安排的轴114的端部所进行的摩擦嵌合而被保持在位置上。切除部115有助于在衬套102内操弄轴114。
轴承件110A,110B将销120支撑在衬套102内。轴承件110A,110B也容许销120轴向地移动穿过衬套102的孔105并在很小的阻力下于孔105内转动。因此,轴承件110A,110B可减小支撑销120的磨损并可减少因摩擦所产生的颗粒。
参照图1A1D,每一滚子112最好都具有弧度的或是内凹的外表面,用以适合支撑销120的轮廓,支撑销的轮廓典型地为圆柱形。滚子112的有弧度外表面提供导引以方便销120在相对于衬套102的轴向上运动。滚子112的有弧度外表面也可让销120自由地转动于衬套102内。滚子112可以用能够与任何处理兼容的材料来制成,如陶瓷,石墨,不锈钢,铝,它们的合金,及它们的组合。
图2A-2C显示支撑件200的另一实施例的示意图。在此实施例中,支撑件200包括套筒210及衬套202,该衬套具有一或多个被设置于其内的轴承件220。支撑件200也包括设置在该衬套202上端周围的凸缘240。
参照图2A,每一个轴承件220都包括至少一个球形件221。在一个方案中,每一轴承件220都进一步包括四个额外的球形件222,其具有比球形件221直径小的直径。每一轴承件220都被设置在形成于该衬套202上的球座或窗口230内。套筒210被设置在衬套202的外径周围以将轴承件220包围在它们各自的窗口230内。凸缘240是作为套筒210的肩部或挡止件用。
在一个方案中,四个窗口230被等间距地设置在衬套202的第一端的第一直径周围(每一窗口230都有轴承件220被至少部分地设置于其内)上,及四个窗口230被等间距地设置在衬套202的第二端的第二直径周围上(每一窗口230都有一轴承件220被至少部分地设置于其内)。窗口230与轴承件220的合作可让支撑销120轴向地移动在衬套202的孔205内,以及可绕着衬套202的中心轴转动。
图2B显示图2A中的支撑件200的顶视图,图2C为完全组装好的支撑件200的另一示意图。衬套202为具有一中央穿孔205的圆筒形件。最好是,衬套202类似圆柱形管子。上述的轴承件220A-D每一个都被至少部分地设置在各自的窗口230A-D内,被至少部分地形成在衬套202中。套筒210被设置在衬套202的外径周围,且支撑销120至少部分地被设置在孔205内。套筒210及支撑销120合作用以将球221,222包容在它们各自的窗口230中。凸缘240可以是如图所示的分开来的构件或凸缘240可以是衬套202的延伸外径。凸缘240可防止套筒210径向地移动超过衬套202的第一端。
再次参照图1A及2C,现在对支撑件100及支撑件200的支撑销120加以详细说明。支撑销120最好是具有第一端120A及第二端120B的圆柱形件,如图1A及2C所示。在一个方案中,支撑销120可具有一较重的下部或第二端120B可用较重的材质来制成以将支撑销120的整体重心降低。例如,销120的下部或第二端120B可用较致密的材料来制造,如使用铁氟龙或涂上陶瓷的不锈钢等材料。
第一端或销头120A直接与基材(未示出)接触以支撑基材。在一个方案中,第一端120A被涂上可降低摩擦且不会与基材起化学反应的物质。例如,第一端120A可被涂上化学上钝态的物质用以降低或消除支撑销120与基材之间的化学反应。此外,第二端120A可被涂上能够让与基材之间的摩擦最小化的物质用以减少断裂或形成屑片。举例性的涂料包括但不局限于陶瓷材料及氮化物,如氮化硅,氮化钛,及氮化钽。此外,第一端120A具有被加工的或被研磨的抛光或其它适当的抛光用以产生不大于4微英时的表面粗糙度用以将摩擦减至最小。有关这些涂料的更详细的说明可在美国专利第6,528,767号中找到,该专利案作为参照被并于本文中。
在一个方案中,第一端120A可具有平面的或大致平面的表面,如图所示。在另一方案中,第一端120A可具有圆角的上部其与基材相接触。圆角化的表面可降低与基材接触的表面积,来降低基材断裂或形成屑片的可能性。在实施例中,该圆角化的表面类似半球形,椭圆形,或抛物线形。有关支撑销及涂料的详细说明可在美国专利第6,528,767号中找到,该专利案作为参照被并于本文中。
在另一方案中,第一端120A可是一两件式系统,其具有可被设置在销120本体上的帽子(未示出)。该帽子最好是用陶瓷材料制成,且包括一中空本体用以容纳销120的本体。该帽子的上部可被圆角化及平滑化。类似地,该帽子可被涂上与上文所述相同的涂料。有关这两件式系统的详细说明可在美国专利第6,528,767号中找到,该专利案作为参照被并于本文中。
在另一方案中,第一端120A可以是一种可让一球被可活动地保持在其中的承窝。球与基材相接触并支撑基材。球被容许能够在承窝内旋转,很像球珠轴承,让基材能够在没有刮痕下移动通过该球。该球通常是由可降低摩擦及/或可抑制该球与基材之间的化学反应的金属或非金属材质所制成。例如,该球可包括金属或金属合金,石英,青玉,氮化硅或其它适当的非金属物质。最好是,该球具有4微英时或更光滑的表面抛光。有关支撑销的详细说明可在美国专利第6,528,767号中找到,该专利案作为参照被并于本文中。
另一方案中,第一端120A可是两件式系统,其具有可被设置在销120的本体上的帽子,帽子包括上述承窝与球的结构。有关球与承窝的详细说明可在美国专利申请案第09/982,406及第10/376,857号中找到,这两个申请案的名称皆为“Substrate Support”,且皆被让渡给Applied Material公司。这两个申请中的专利案作为参照被并于本文中。
本文所述的支撑件100,200适合使用在任何测试室,处理室,或需要支撑基材的系统中。例如,支撑件100,200在沉积室中特别适用,如化学气相沉积(CVD)室或等离子增强的化学气相沉积(PECVD)室。为了清晰及易于说明其件,应用了本文所述的支撑件100,200的PECVD室将在下文中参照图3及3A-3C加以说明。
图3为等离子增强的化学气相沉积(PECVD)室的示意剖面图。该PECVD室包括室本体312,其具有一开孔穿过一顶壁314,一气体入口岐管316被设置在该开孔内。或者顶壁314可以是实心的且气体入口岐管316位于与内表面相邻处。气体入口岐管316是作为电极使用且被连接至电源336,如RF电源。
接受器或支撑件318被设置在室本体312内。接受器318与一般的形式类似且与气体入口岐管316平行地延伸。接受器318典型地是用铝制成且被涂上一层铝氧化物。接受器318被连接至地极且作为第二电极使用,且连接至电源336横跨气体入口岐管316及接受器318。
接受器318被安装在轴320的端部上,轴320垂直地延伸穿过室本体312的底壁322。轴320是可活动的,用以容许接受器318垂直上下移动于室本体312内。两个或多个支撑件300,即上文中所述的支撑件100及200,被设置在接受器318的上表面上用以直接接触基材325。虽然只有两个支撑件300被示出,但任何数量的支撑件300都可被安排在承接器318的上表面上。支撑件300的数量及配置与将被处理的基材的形状,尺寸以及在室310中实施的处理有关。在一个方案中,每一支撑件300都是相同的,如上文所所描述的支撑件100或200。在另一方案中,支撑件300是上文所述的支撑件实施例100,200的组合。例如,一或多个支撑件300可以是上文所述的支撑件实施例100及一或多个支撑件300可以是上文所述的支撑件实施例200。
仍然参照图3,室310进一步包括延伸穿过室本体312的侧壁332的气体出口330。气体出口330被连接至泵(未示出)用以将气体从室本体312中排出。气体入口导管342与气体入口岐管316成流体联通,且通过气体开关网络(未示出)被连接至不同的气体来源(未示出)。处理气体通过该入口导管流经莲蓬头344并进入到室本体312。莲蓬头344包括数个孔用以均匀地将气体散布在将被处理的基材325的整个表面上。
图3A为等离子增强的化学气相沉积室310的特定实施例剖面示意图,该室具有举升组件324以方便将基材325送上及送下承接器318。举升组件324大致平行于承接器318且是可垂直移动的。在一个实施例中,两根或多根支撑销200被设置在举升组件324的上表面上,而不是在承接器318的上表面上。在另一实施例(未示出)中,承接器318及举升组件324两者都具有两根或多根支撑销300被设置在它们的上表面上。
支撑销300被放置在可延伸穿过形成在承接器318上的举升孔328的位置处。虽然只有两个支撑销300被示出,但任何数量的支撑件300都可被安排在举升组件324的上表面上。支撑件300的数量及配置与将被处理的基材325的形状,尺寸以及在室310中实施的处理有关。如前所述,每一支撑件300都是相同的,如上文所描述的支撑件实施例100或支撑件实施例200,或300可以是上文所述的支撑件实施例100,200的组合。
图3B显示PEVCD室310的另一实施例,其中这些支撑件300被设置成至少部分位于支撑组件318内。在此实施例中,支撑组件318包括数个穿孔328。支撑件300被设置成至少部分地位于这些孔328中。当支撑件300位于正常位置(即,相对于该支撑组件318是撤回的)时,支撑件300的第一端302大致上与支撑组件318的上侧319A齐平或稍微下陷。此外,支撑件300的第二端304延伸超过支撑组件318的下侧319B。当支撑组件318被降低至输送位置时,支撑件300会与室312的底面322接触且被位移通过支撑组件318,用以从支撑组件318的上侧319A突伸出,通过与该支撑组件318间隔开来的方式放置基材325。
在此实施例的一个方案中,支撑件300如图所示可具有不同的长度,使得支撑件300与底部322接触且在不同的时间被作动。例如,较长的支撑件300被彼此间隔开地安排在基材325的外缘周围,较短的支撑件300可从基材的外缘朝向基材的中心被朝内地间隔开地安排,以容许基材325从外缘至中心被逐渐地举起。
在此实施例的另一方案中,支撑件可具有一致的长度,但室312的底部322可包括突起或高起部351位于被选定的支撑件300的底下,使得这些被选定的支撑件300在其它支撑件之前被作动。或者,室底部322可包含沟槽或渠道(未示出)对准于被选定的支撑件300底下,使得这些支撑件300在其它支撑件之后被作动。
图3C显示PEVCD室310的另一实施例,其中如图3B所示,这些支撑件300被设置成至少部分位于支撑组件318内,且该室也包括举升板324用来作动这些支撑件300。在此实施例中,举升板324被设置在靠近支撑组件318的底侧319B处,且是在这些支撑件300的第二端304的底下。举升板324被耦合至作动器,如气压汽缸,液压缸,螺杆,螺线管,步进马达或典型地被设置在室本体312外面的其它运动装置(未示出)。324及支撑组件318的垂直运动可透过运用了弹簧及用来控制举升板324与支撑组件318之间相对运动的运动挡止件的单一作动器来控制。在操作时,该举升板324向上运动接触这些支撑件300的第二端304,其将支撑件300推升超过支撑组件318的上表面。
如上文所述,支撑件300每一个都预有不同的长度用以在不同的时间作动这些支撑件300。典型地,被设置在支撑组件318周边附近的支撑件300的长度比被设置在支撑组件318的中心附近的支撑件300的支撑件长。相反的配置亦可被使用。
使用上文所述支撑件100,200的测试室及处理室,如上文所述的处理室310,可被整合到处理平台中,如由设在美国加州的Santa Clara市的AKT公司所制造的AKT 15K,25K或40K PECVD系统。这些PECVD系统的细节系被描述在名称为:“Vacuum Processing Apparatus HavingImproved Throughput”的美国专利第5,512,320号中。
图4为显示举例性的多室处理系统400的示意顶视图。处理系统400包括中央传送室412,用来传送玻璃基材进出该系统的负载锁定室414被连接至该中央传送室。处理系统400也包括一或多个处理室438,440,442,444,446,448,每一处理室都被设置在中央传送室412的周围。处理室438,440,442,444,446,448中的任何一个或多个都可以是化学气相沉积(CVD)室,物理气相沉积(PVD)室,原子层沉积(ALD)室,退火或热处理室,或此工艺中习知的其它处理室。利用本文中所述的支撑件100,200,300举例性的CVD室被示出且在上文中被说明。其它的处理室可以类似的方式使用支撑件100,200,300,因此将不在本文中赘述。
负载锁定室414包括一个可闭合的开口,如被设置在该室的一侧壁上之细缝阀416,用来将基材从大气环境传送至处理系统400的真空环境中。又,负载锁定室414包含一匣盒(未示出),其内嵌设有数个架子或平台用来支撑及冷却承装于其内的基材,如图5所示。
图5显示特定的批次式储存匣盒517的剖面图。匣盒517包括侧壁512,514,底壁516及盖子518。数个通道520被设置在侧壁512,514中。在一个方案中,通道20与入口导管524及出口导管526是流体联通的,用来循环温度被控制的流体。在另一方案中,通道包含经由导管527连接至电源(未示出)的加热线圈。或者,同样的导管524,526可被用来包覆这些加热线圈且被用来循环该热传递媒体于这些信道520内。
侧壁512,514的内部被嵌设有复数的导热架560。架子560与侧壁512,514导热良好地相连结用以确保快速且均匀的架子560的温度控制。可被用来制造既子560的材料的例子包括但不局限于铝,铜,不锈钢,镀铜等。
一或多个上文中参照图1A-1D及图2A-2C描述的支撑件300被适当地安排自每一架子560上用来支撑玻璃基材532于其上。这些支撑件300支撑着将被处理的玻璃基材532,使得在架子560与基材532之间有一间隙。此间隙可确保架子560与玻璃基材532之间不会有直接接触,直接接触会对玻璃基材532形成应力并将玻璃基材断裂或会造成污染物从架子560被转移到玻璃基材532上。玻璃基材532通过幅射及气体传导被间接加热,而不是通过玻璃基材532与架子560的直接接触来加热。又,玻璃基材532与架子560的穿插设置使得热可从玻璃基材532的上方及下方被传递到玻璃基材532上,以提供更加快速及更均匀的玻璃基材加热。
再次参照图4,玻璃基材可被手动地或以自动化的方式加载到处理系统400中。如图4所示的,被安装在该处理系统400的外面与该负载锁定室414相对的第一站台处的轨道架480上之市面上可购得的机械臂474可从储存匣盒417A,B或C处取得玻璃基材,并通过负载锁定室414一次一片地将玻璃基材加载到处理系统400。同样地,该机械臂474可从负载锁定室414中取得已处理过的基材并将基材送回到储存匣合417A,B或C中的一个内。相同地,被设置在该输送室412内的机械臂(在此图中未示出)移动玻璃基材并将玻璃基材放在该处理系统内。
虽然以上所述为有关于本发明的实施例,但本发明的其它及进一步的实施例可在不偏离本发明的基本范围下完成,且本发明的范围是由权利要求范围来决定。
Claims (21)
1.一种用于在沉积室中支撑基材的基材支撑件,包含:
圆柱形衬套,具有穿通形成的纵向孔,一或多个形成于第一端处的径向穿通的窗口,一或多个形成于第二端处的径向穿通的窗口,以及一或多个形成在该衬套的外表面以及至少一个窗口之间的切除部;
至少部分设置于该衬套内的支撑销,该支撑销具有具第一直径的第一端和具第二直径的第二端,该第二直径大于该第一直径;及
数个滚子件,至少部分地设置在该一或多个窗口的每一个中,其中数个滚子件中的每一个包含:
陶瓷材料;
一形成在该滚子件内的中央孔;及
被设置成至少部分穿过中央孔的轴,其中每一滚子件具有内凹的外表面以适合设置该支撑销的外径。
2.一种用于在沉积室中支撑基材的基材支撑件,包含:
圆柱形衬套,具有穿通形成的中央孔;
支撑销,至少部分设置在该孔内并能轴向地移动,该支撑销具有具第一直径的第一端和具第二直径的第二端,该第二直径大于该第一直径;及
数个滚子,设置在衬套的周围,数个滚子中的每一个包括陶瓷材料,其中衬套包含数个窗口,其中的每一窗口沿径向形成在衬套的第一端和第二端并穿通该衬套,每一窗口都具有一个被至少部分地设置于其内的滚子,以及每一滚子配置成沿具有第一直径的支撑销的长度接触该支撑销。
3.如权利要求2所述的支撑件,其中每一滚子都具有内凹的外表面用以接触所述支撑销。
4.一种用于在沉积室中支撑基材的基材支撑件,包含:
衬套,具有纵向穿通形成的孔,该衬套设置在该沉积室中的接受器内;
支撑销,至少部分地设置在孔内,该支撑销具有第一直径和第二直径,该第二直径小于该第一直径,该第一直径具有展开的端部以适合支撑基材;及
数个轴承件,所述轴承件包含一或多个陶瓷材料制作的滚子,轴承件设置在衬套的周围并轴向地支撑该支撑销,其中衬套包含至少一或多个径向穿通的窗口,每一窗口都具有一个被至少部分设置于其内的轴承件。
5.如权利要求4所述的支撑件,其中衬套包含一或多个形成在其第一端处的穿通窗口及一或多个形成在其第二端处的穿通窗口。
6.如权利要求4所述的支撑件,其中至少一个滚子具有一穿通形成的中央孔,及一被设置成至少部分穿过中央孔的轴。
7.如权利要求4所述的支撑件,其中每一滚子都具有内凹的外表面以接触支撑销的第二直径。
8.如权利要求4所述的支撑件,其中衬套包含一或多个形成在其第一端处的穿通窗口及一或多个形成在其第二端处的穿通窗口,所述滚子具有穿通形成的中央孔、一成形的外表面、及一个被设置成至少部分穿过中央孔的轴。
9.一种处理室,包含:
一室本体;
支撑托盘,设置在室本体中,该支撑托盘具有第一侧、第二侧、以及形成二或多个穿通该第一侧至该第二侧的凹孔,每一凹孔具有一基材支撑件,该基材支撑件由该凹孔支撑以在一处理位置与该第一侧平齐;每一支撑件包含:
衬套,形成穿通的中央孔;
至少部分设置在该孔内的支撑销,该支撑销具有具第一直径的第一端和具第二直径的第二端,该第二直径大于该第一直径;及
被设置在该孔内的数个由陶瓷材料制作的滚子件,这些滚子件允许所述支撑销相对于所述衬套轴向移动;其中衬套包含至少一或多个径向穿通的窗口,每一窗口都具有被至少部分设置于其内的一个滚子件。
10.如权利要求9所述的处理室,其中衬套包含一或多个形成在其第一端处的穿通窗口及一或多个形成在其第二端处的穿通窗口。
11.如权利要求9所述的处理室,其中每一滚子件都具有内凹的的外表面以适合支撑销的第一直径。
12.如权利要求10所述的处理室,其中衬套包含一或多个形成在其第一端处的穿通窗口及一或多个形成在其第二端处的穿通窗口,并且这些滚子件包含穿通形成的中央孔、成形的外表面、及一个被设置成至少部分地穿过该中央孔的轴。
13.一种用于支撑基材的基材支撑件,该基材支撑件设置在设在一真空室中的接受器内,该基材支撑件包括:
圆柱形衬套,具有穿通形成的孔;
支撑销,至少部分地设置在该孔内,该支撑销具有具第一直径的第一端和具第二直径的第二端,该第二直径大于该第一直径;以及
数个陶瓷材料制作的滚子轴承,每一滚子轴承被轴支撑于衬套内并具有适合支撑销的第一直径的轮廓的外表面,其中衬套包含一或多个形成在第一端处的径向穿通的窗口及一或多个形成在第二端处的径向穿通的窗口,其中轴承件的其中之一的至少一部分被设置于各窗口内。
14.如权利要求13所述的支撑件,其中第一端和第二端被隔开。
15.如权利要求13所述的支撑件,其中轴的至少一端部被切削用以形成圆锥形。
16.如权利要求13所述的支撑件,其中衬套包含一或多个穿通形成的切除部,其在第一端邻接一或多个窗口,以及一或多个穿通形成的切除部,其在第二端邻接一或多个窗口。
17.如权利要求13所述的支撑件,其中数个滚子轴承的第一组配置在衬套中,使支撑销方便相对于衬套进行轴向移动,以及数个滚子轴承的第二组与第一组分开配置在衬套中,使支撑销方便相对于衬套进行轴向移动。
18.如权利要求13所述的支撑件,其中每一个滚子轴承的外表面与支撑销的第一直径来机械性联络。
19.一种用于支撑基材的基材支撑件,该基材支撑件设置在设在一真空室中的接受器内,该基材支撑件包含:
衬套,形成一圆柱形管子并具有轴向穿通形成的孔;
支撑销,该支撑销具有具第一直径的第一端和具第二直径的第二端,该第二直径大于该第一直径;及
数个滚子轴承,位于圆柱形管子的第一端,及数个滚子轴承,位于圆筒形管子的第二端,其中支撑销的第一直径配置在该孔内,且其中各滚子轴承包含由陶瓷材料制成的本体,本体具有外表面用以接触支撑销的第一直径,其中该管子包含形成于第一端的一或多个径向穿通的窗口,以及形成于第二端的一或多个径向穿通的窗口,该轴承元件的其中之一的至少一部分配置在每一窗口内,该管子还包含一或多个切除部,形成在该衬套的外表面以及至少一个窗口之间。
20.如权利要求19所述的支撑件,其中第一及第二端被分开。
21.如权利要求19所述的支撑件,其中还包含数个轴,用以支撑该衬套中的数个滚子轴承。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/779,130 US8033245B2 (en) | 2004-02-12 | 2004-02-12 | Substrate support bushing |
US10/779,130 | 2004-02-12 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008100032083A Division CN101221896B (zh) | 2004-02-12 | 2004-09-02 | 基材支撑衬套 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1655336A CN1655336A (zh) | 2005-08-17 |
CN1655336B true CN1655336B (zh) | 2010-12-22 |
Family
ID=34701410
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2004100771941A Expired - Lifetime CN1655336B (zh) | 2004-02-12 | 2004-09-02 | 基材支撑衬套 |
CN2008100032083A Expired - Lifetime CN101221896B (zh) | 2004-02-12 | 2004-09-02 | 基材支撑衬套 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008100032083A Expired - Lifetime CN101221896B (zh) | 2004-02-12 | 2004-09-02 | 基材支撑衬套 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8033245B2 (zh) |
EP (1) | EP1564791A3 (zh) |
JP (1) | JP4473144B2 (zh) |
KR (3) | KR100597495B1 (zh) |
CN (2) | CN1655336B (zh) |
TW (1) | TWI260064B (zh) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8033245B2 (en) * | 2004-02-12 | 2011-10-11 | Applied Materials, Inc. | Substrate support bushing |
US20060016398A1 (en) * | 2004-05-28 | 2006-01-26 | Laurent Dubost | Supporting and lifting device for substrates in vacuum |
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-
2004
- 2004-02-12 US US10/779,130 patent/US8033245B2/en active Active
- 2004-08-10 TW TW093123965A patent/TWI260064B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-08-31 KR KR1020040069032A patent/KR100597495B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-09-02 CN CN2004100771941A patent/CN1655336B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-09-02 CN CN2008100032083A patent/CN101221896B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-11-08 EP EP04026466A patent/EP1564791A3/en not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-01-18 JP JP2005010725A patent/JP4473144B2/ja active Active
- 2005-01-27 US US11/044,245 patent/US8216422B2/en active Active
- 2005-06-13 KR KR1020050050315A patent/KR101108389B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-06-17 KR KR1020110059222A patent/KR20110074839A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8216422B2 (en) | 2012-07-10 |
CN1655336A (zh) | 2005-08-17 |
US20050180737A1 (en) | 2005-08-18 |
JP4473144B2 (ja) | 2010-06-02 |
JP2005240173A (ja) | 2005-09-08 |
CN101221896A (zh) | 2008-07-16 |
US8033245B2 (en) | 2011-10-11 |
TWI260064B (en) | 2006-08-11 |
KR20050081839A (ko) | 2005-08-19 |
US20050220604A1 (en) | 2005-10-06 |
KR101108389B1 (ko) | 2012-01-30 |
KR20110074839A (ko) | 2011-07-04 |
TW200527577A (en) | 2005-08-16 |
CN101221896B (zh) | 2010-07-21 |
KR20050081179A (ko) | 2005-08-18 |
KR100597495B1 (ko) | 2006-07-10 |
EP1564791A3 (en) | 2006-08-09 |
EP1564791A2 (en) | 2005-08-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: California, USA Patentee after: APPLIED MATERIALS, Inc. Address before: California, USA Patentee before: APPLIED MATERIALS, Inc. |
|
CX01 | Expiry of patent term | ||
CX01 | Expiry of patent term |
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