CN1654713A - 用于半导体衬底上的金属层和图形的防腐蚀清洁剂 - Google Patents

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Abstract

一种用于半导体晶片处理的防腐蚀清洁剂，该清洁剂包括至少由水、表面活性剂和防腐蚀化合物构成的水混合物，其中防腐蚀化合物选自由氨基磷酸酯、聚胺和聚羧酸组成的组中。混合物中的防腐蚀化合物的量优选在从大约0.0001wt％至大约0.1wt％的范围内，而表面活性剂的量优选在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内。该水混合物还可以包括用作氧化物蚀刻剂的硫酸和氟化物以及用作金属蚀刻剂的过氧化物。

Description

用于半导体衬底上的金属层和图形的防腐蚀清洁剂
涉及的优先权申请
本申请要求2004年2月10日提交的韩国专利申请序列号No.2004-8798和2004年5月18日提交的No.2004-35210的优先权，其公开并入本文以作参考。
技术领域
本发明涉及形成集成电路器件的方法，更为具体地，涉及清洗和抛光集成电路衬底上的金属层的方法。
背景技术
集成电路芯片通常利用多层构图金属化和导电插塞来提供半导体衬底内的有源器件之间的电互连。为了获得低阻抗互连、已经沉积钨金属层并将其构图作为电极(例如栅电极)、导电插塞和金属布线层。钨和其它金属层的处理通常需要使用清洁剂来从金属层上除去聚合物和其它残留物。在诸如抗蚀剂灰化的常规工艺步骤之后会留下这种残留物。不幸的是，使用从金属层上除去残留物的清洁剂，会导致金属层被化学蚀刻剂腐蚀。
已经开发出配置成在半导体晶片处理期间抑制金属腐蚀的清洁剂。Pasch的U.S.专利No.6,117,795中公开了一种这样的清洁剂。该清洁剂包括在蚀刻后清洁期间使用诸如氮杂茂化合物的防腐蚀化合物。防腐蚀化合物还可以用于在化学机械抛光(CMP)期间抑制金属图形的腐蚀。在Pasch的U.S.专利No.6,068,879和6,383,414中公开了这种化合物，该化合物包括含硫化合物、含磷化合物和氮杂茂中的至少一种。Yokoi的U.S.专利No.6,482,750还公开了适合于处理钨金属层的防腐蚀化合物，而Naghshineh等人的U.S.专利No.6,194,366公开了适合于处理含铜的微电子衬底的防腐蚀化合物。在Aoki等人的U.S.专利No.6,387,190和6,767,409中公开了含有选自聚羧酸、其铵盐和聚氨基羧酸的净化剂的附加清洁剂。有机羧酸还可以用在用于除去等离子体蚀刻残留物的抗腐蚀清洁剂中，如在Honda等人的U.S.专利No.6,413,923中公开的。
虽然已经有这些用于半导体晶片处理的清洁和防腐蚀剂，但仍然需要具有增强清洁和防腐蚀特性的剂制品。
发明内容
本发明的实施例包括用于半导体晶片处理的防腐蚀清洁剂。这些剂制品包括至少由水、表面活性剂和防腐蚀化合物构成的水混合物，其中防腐蚀化合物选自由氨基磷酸酯、聚胺和聚羧酸组成的组中。混合物中的防腐蚀化合物的量优选在从大约0.0001wt％至大约0.1wt％的范围内，而表面活性剂的量优选在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内。在本发明的一些实施例中，表面活性剂可以选自由聚氧乙烯/聚氧丙二醇、聚氧乙烯/聚氧丙烯乙二胺的缩合物、环氧乙烯/乙二胺的缩合物、脂肪酸酯、脂肪酸酰胺、氧乙烯脂肪酸酰胺和多聚甘氨酸脂肪酸酯组成的组中。
该水混合物还包括用作氧化物蚀刻剂的硫酸和氟化物以及用作金属蚀刻剂的过氧化物。混合物中硫酸的量优选在从大约0.05wt％至大约15wt％的范围内，而混合物中过氧化物的量优选在从大约0.5wt％至大约15wt％的范围内。此外，混合物中氟化物的量优选在从大约0.001wt％至大约0.2wt％的范围内。过氧化物优选为过氧化氢，也可以是选自由臭氧、过硫酸、过磷酸、过醋酸、过苯酸和过钛酸构成的组中的其它过氧化物。氟化物可以选自由氟化氢、氟化铵、氟化四甲铵、氢氟化胺、氟硼酸和四甲铵四氟硼酸盐组成的组中。
在本发明另外的实施例中，防腐蚀清洁溶液基本上由表面活性剂、选自由氨基磷酸酯、聚胺和聚羧酸组成的组中的防腐蚀化合物、第一和第二氧化物蚀刻剂、金属蚀刻剂和去离子水组成。在这些实施例中，防腐蚀化合物用作螯合剂，在执行清洁步骤以从金属层和衬底的其它暴露部分上除去蚀刻剂和其它残留物时，该鳌合剂粘附于半导体衬底上的构图金属层(例如，钨金属层)并防止其被腐蚀。
本发明的附加实施例包括通过在集成电路衬底上形成栅极氧化层并在栅极氧化层上形成钨金属层来形成集成电路器件的方法。然后构图钨金属层和栅极氧化物层以限定钨基绝缘栅电极。然后将被构图的钨金属层暴露于含有表面活性剂、第一和第二氧化物蚀刻剂、金属蚀刻剂、去离子水和选自由氨基磷酸酯、聚胺和聚羧酸组成的组中的防腐蚀化合物的清洁溶液中。清洁溶液中防腐蚀化合物的量优选在从大约0.0001wt％至大约0.1wt％的范围内，而清洁溶液中表面活性剂的量优选在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内。
本发明的另一些实施例包括通过在集成电路衬底上形成层间电介质层并在该层间电介质层中形成互连开口来形成存储器件的方法。互连开口可以由导电插塞来填充。可以利用包括化学蚀刻金属层(例如，钨金属层)的构图步骤来形成位线节点。然后将被构图的位线暴露于清洁溶液中，该清洁溶液包括表面活性剂、选自由氨基磷酸酯、聚胺和聚羧酸组成的组中的防腐蚀化合物、第一和第二氧化物蚀刻剂、金属蚀刻剂和去离子水。防腐蚀化合物在清洁步骤期间用作粘附于位线节点上的暴露表面的螯合剂。在清洁之后，可以在去离子水中漂洗半导体衬底以除去清洁溶液中的任何成分。
附图说明
图1A-1D是示出根据本发明实施例的清洁半导体衬底上的金属层的方法的中间结构的横截面图。
图2A-2F是示出根据本发明附加实施例的清洁半导体衬底上的金属层的方法的中间结构的横截面图。
具体实施方式
现在参考附图将更加全面地描述本发明，在附图中示出本发明优选的实施例。然而，本发明可以以不同的形式来体现且不应该被限制为本文中所阐述的实施例，当然，提供这些实施例以便于该公开物会详尽而全面，且会向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。贯穿全文，相同的数字表示相同的参考标记。
清洁半导体衬底上的金属层的方法包括清洁钨基栅电极。如图1A中所示，这些方法包括在其中具有至少一个半导体有源区的半导体衬底100上形成栅极氧化层104。该有源区可以由多个利用常规浅沟槽隔离(STI)技术形成的沟槽基隔离区102来限定。在栅极氧化层104上还形成栅极金属层106。可以利用诸如化学气相沉积(CVD)的沉积技术将该栅极金属层形成为钨金属覆层。在该栅极金属层106上沉积一层电绝缘覆盖材料108(例如，光刻胶)。如图1B中所示，对覆盖材料层108光刻构图(例如，利用光刻胶层(未示出))，然后将其用作蚀刻掩模以限定多个栅极图形110。这些栅极图形110的每一个示为包括被构图的栅极氧化物104a、被构图的金属栅电极106a和被构图的覆盖层108a。在包括光刻胶除去(例如通过等离子体灰化)的这些步骤期间，会在栅极图形110的侧壁上和其它暴露的表面上形成聚合物或其它残留物120。如本文中更全面地描述，可以利用清洁溶液来除去这些残留物120，该清洁溶液含有多种蚀刻剂和至少一种用以保护被构图的金属栅电极106a的暴露侧壁的防腐蚀化合物。如图1C中所示，清洁溶液中的防腐蚀剂130可以与被构图的金属栅电极106a的暴露侧壁螯合并由此抑制暴露侧壁与清洁溶液中的蚀刻剂之间的化学反应。清洁步骤后可以跟着漂洗步骤，漂洗步骤从衬底100上除去任何剩余的残留物120和防腐蚀剂130。然后可以在栅极图形110上形成电绝缘侧壁间隔物112，由此限定多个绝缘栅电极114，如图1D所示。这些侧壁间隔物112可以通过利用常规技术沉积并回蚀刻电绝缘层来形成。
清洁半导体衬底上的金属层的附加方法还可以包括清洁半导体存储器件中的金属基位线。如图2A中所示，这些方法包括在半导体衬底200上形成层间电介质层204。虽然未示出，可以在衬底200上形成图1D的绝缘栅电极114之后，形成该层间电介质层204。然后构图层间电介质层204以限定多个暴露衬底200内的各扩散区202(例如，源极/漏极和接触区)的接触孔206。然后使用常规技术来在被构图的层间电介质层204上保形沉积阻挡金属层208。例如，该阻挡金属层可以为钛层(Ti)、氮化钛层(TiN)或钛/氮化钛复合层。
然后在阻挡金属层208上沉积导电层(例如，铝(Al)或钨(W))。将该导电层沉积充足的厚度以填充接触孔206。然后在导电层上执行化学机械抛光(CMP)步骤，由此在接触孔206内限定多个导电插塞210。该CMP步骤可以包括使用具有本文中所述的与清洁溶液相关的防腐蚀特性的浆料成分。
如图2C中所示，将该抛光步骤执行充足的持续时间，以暴露出平坦化的层间电介质层204。现在参考图2D，可以将多个未线节点216形成在各个导电插塞210上。可以通过在层间电介质层204上顺序地沉积位线金属层212和位线覆盖层214，然后将这些层构图成分离的位线节点216，来形成这些位线节点216。如所示出的，该构图步骤会导致在被构图层的暴露表面上形成聚合物和其它残留物220。可以利用清洁溶液来除去这些残留物220，该清洁溶液含有多种蚀刻剂和至少一种用以保护位线节点216的暴露侧壁的防腐蚀化合物。如图2E中所示，清洁溶液中的防腐蚀剂230可以与位线节点216的暴露侧壁螯合，由此抑制这些暴露侧壁与清洁溶液内的蚀刻极之间的化学反应。如图2F中所示，清洁步骤之后跟随着漂洗步骤，该漂洗步骤从衬底200上除去任何剩余的残留物220和防腐蚀剂230。然后在位线节点216上形成电绝缘位线间隔物218，由此限定多个绝缘位线。可以通过利用常规技术沉积和回蚀刻电绝缘电介质层(例如，SiO2层)，来这些侧壁间隔物。
上述防腐蚀清洁溶液包括至少由水、表面活性剂和选自由氨基磷酸酯、聚胺和聚羧酸组成的组中的防腐蚀化合物构成的水混合物。
该组中的防腐蚀化合物包括：
五甲基二亚乙基三胺(PMDETA)、四甲基乙二胺(TMEDA)、乙二胺四乙酸(EDTA)、二亚乙基三胺五乙酸(DTPA)、N-(2-羟乙基)乙二胺三乙酸(HEDTA)、乙二醇醚二胺四乙酸(GEDTA)、三亚乙基四胺六乙酸(TTHA)、1，3丙二胺四乙酸(PDTA)、1，3-二胺-2-羟基丙烷四乙酸(PDTA-OH)、氨基三(甲基磷酸)(ATMPA)(a/k/a次氮基三亚甲基三磷酸(NTMP))、亚乙基二胺四亚甲基膦酸(EDTMPA)二乙基三胺五甲基磷酸(DTPMPA)和六甲基二胺四甲基磷酸(HDTMPA)。可以用于本发明的附加实施例中的附加防腐蚀化合物包括具有下述分子式的那些化合物：
Figure A20051000944800141
其中，R1至R5各自独立地选自于由氢、烷基、羟烷基、芳基、-(CH2)jCOOH、-P(＝O)(OH)2和-(CH2)kP(＝O)(OH)2组成的组中；其中“j”和“k”各自为范围从1到6的独立整数；其中R6和R7为各自独立的具有从1至6个碳原子的亚烃基、氧化烯、或聚氧化烯链；其中亚烃基、单氧化烯或聚氧化烯链为直的或分支的；其中亚烃基、单氧化烯或聚氧化烯链不被选自由羟基、羟烷基、芳基、-(CH2)mCOOH和-(CH2)nP(＝O)(OH)2组成的组中的一个或多个取代物取代或被其取代；其中“m”和“n”各自为范围从0到6的独立整数；且其“a”和“c”为0或1，“b”为从0到2的整数，且a+b+c≥1。
混合物中的防腐蚀化合物的量优选在从大约0.0001wt％至大约0.1wt％的范围内，而表面活性剂的量优选在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内。表面活性剂可以选自由聚氧乙烯/聚氧丙二醇、聚氧乙烯/聚氧丙烯和乙二胺的缩合物、环氧乙烯和乙二胺的缩合物、脂肪酸酯、脂肪酸酰胺、氧乙烯脂肪酸酰胺和多聚甘氨酸脂肪酸酯组成的组中。该组中优选的表面活性剂为聚氧乙烯/聚氧丙烯和乙二胺的缩合物。附加的表面活性剂包括具有下述分子式的那些：
R8B[{(EO)xB(PO)y}zBH]q                                (2)
其中：“EO”表示氧乙烯基团；“PO”表示氧丙烯基团；“R8”表示氢或通过从醇或胺中消除氢原子而形成的残留物或通过从氨基酸中消除氢原子而形成的残留物；“x”和“y”为满足0.05≤x/(x+y)≤0.4的正整数，而“z”和“q”为小于5的正整数。当关系式x/(x+y)小于0.05时，表面活性剂的溶解度很差，而当该关系式大于0.4时，表面活性剂的“气泡”效应很差。此外，当氧丙烯基团的总分子量小于500时，该清洁剂具有相对较差的清洁和漂洗特性，而当氧丙烯基团的总分子量大于5000时，表面活性剂具有相对较差的溶解度特性。氧丙烯基团的优选的总分子量在从大约1000至大约3500的范围内。
水混合物还包括用作氧化物蚀刻剂的硫酸和氟化物以及用作金属蚀刻剂的过氧化氢。混合物中硫酸的量优选在从大约0.05wt％至大约15wt％的范围内，而混合物中过氧化物的量优选在从大约0.5wt％至大约15wt％的范围内。混合物中氟化物的量优选在从大约0.001wt％至大约0.2wt％的范围内。过氧化物优选为过氧化氢，也可以是选自由臭氧、过硫酸、过磷酸、过醋酸、过苯酸和过钛酸构成的组中的其它过氧化物。氟化物可以选自由氟化氢、氟化铵、氟化四甲铵、氢氟化胺、氟硼酸和四甲铵四氟硼酸盐组成的组中。这些氟化物中，通常，氟化氢为最有选的氟化物。水混合物的pH值还影响清洁效力和清洁剂的蚀刻特性。具有小于0.1的pH值的清洁剂通常会产生良好的聚合物除去能力，但是会导致金属和氧化层的过量蚀刻。具有高于4.0的pH值的清洁剂通常会导致差的聚合物除去能力。本文中所描述的清洁剂的优选pH值在从大约0.5到大约2.0的范围内。
表1示出含有变浓度硫酸(H2SO4)、过氧化氢(H2O2)和氢氟酸(HF)和具有固定浓度的优选氨基磷酸酯(例如，乙二胺四甲基膦酸(EDTMPA)作为防腐蚀剂(C-I剂))和优选表面活性剂(例如，聚氧乙烯/聚氧丙烯和乙二胺的缩合物)的多个实例中的剂制品和比较例的清洁剂溶液。表1的清洁剂用于清洁具有大约1000厚度的被构图的钨层和具有大约1000厚度的被构图的氧化层(例如硼磷硅酸玻璃(BPSG))。表2示出用于其中钨蚀刻率小于40的情况的“Y”条件和用于其中钨蚀刻率大于40的情况的“X”条件。表2还示出用于其中氧化物蚀刻率小于50的情况的“Y”条件和用于其中氧化物蚀刻率大于50的情况的“X”条件。
   H2SO4     H2O2     HF   C-I剂     表面活性剂     去离子水
  实例1    1     5     0.05   0.05     0.05     93.85
  实例2    3     5     0.05   0.05     0.05     91.85
  实例3    5     5     0.05   0.05     0.05     89.85
  实例4    7     5     0.05   0.05     0.05     87.85
  实例5    10     5     0.05   0.05     0.05     84.85
  实例6    10     1     0.05   0.05     0.05     88.85
  实例7    10     3     0.05   0.05     0.05     86.85
  实例8    10     5     0.05   0.05     0.05     84.85
  实例9    10     7     0.05   0.05     0.05     82.85
  实例10    10     10     0.05   0.05     0.05     79.85
  实例11    10     3     0.01   0.05     0.05     86.89
  实例12    10     7     0.01   0.05     0.05     82.89
  实例13    10     3     0.1   0.05     0.05     86.80
  实例14    10     7     0.1   0.05     0.05     82.80
  实例15    10     3     0.05   0.001     0.05     6.899
  实例16    10     3     0.05   0.01     0.05     86.89
  实例17    10     3     0.05   0.05     0.1     86.80
  实例18    10     3     0.05   0.05     1     85.90
  比较例1    5     2     0.05   -     -     92.95
  比较例2    5     2     0.05   0.05     -     92.90
  比较例3    5     2     -   -     0.05     92.95
                                       表1
    钨图形侵蚀   氧化层侵蚀   聚合物除去能力
    实例1     Y   Y   好
    实例2     Y   Y   好
    实例3     Y   Y   好
    实例4     Y   Y   好
    实例5     Y   好
    实例6     Y   Y   好
    实例7     Y   Y   好
    实例8     Y   Y   好
    实例9     Y   Y   好
    实例10     Y   Y   好
    实例11     Y   Y   好
    实例12     Y   Y   好
    实例13     Y   Y   好
    实例14     Y   Y   好
    实例15     Y   Y   好
    实例16     Y   Y   好
    实例17     Y   Y   好
    实例18     Y   Y   好
    比较例1     X   X   好
    比较例2     Y   X   好
    比较例3     X   Y   好
                        表2
如表2所示每一比较例的清洗溶液(比较例1-3)具有良好的聚合物除去能力而差的钨和/或氧化物蚀刻特性。
附加实例的解决方案的分析证明利用小于0.0001wt％的防腐蚀剂导致差的防腐蚀而防腐蚀度在大于大约0.1wt％的水平处饱和。这一分析还表明利用小于0.5wt％的过氧化物导致差的聚合物除去能力而用大于15wt％的过氧化物导致金属层过蚀刻。过氧化物的更加优选的范围在大约0.5wt％至大约10wt％。该分析进一步表面利用小于0.001wt％的氟化物导致差的氧化物聚合物除去能力而利用大于0.2wt％的氟化物导致氧化层的过蚀刻和金属图形的起皱。氟化物的更加优选的范围在大约0.01wt％至大约0.1wt％。
在附图和说明书中，已经公开了本发明的典型优选实施例，虽然采用具体的术语，但是它们是通用的仅为描述意义的而非限制性目的，在下属权利要求书中阐明本发明的范围。

Claims (45)

1.一种用于半导体晶片处理的防腐蚀清洁剂，包括至少由水、表面活性剂和防腐蚀化合物构成的水混合物，该防腐蚀化合物选自由氨基磷酸酯、聚胺和聚羧酸组成的组中。
2.权利要求1的清洁剂，其中混合物中防腐蚀化合物的量在从大约0.0001wt％至大约0.1wt％的范围内。
3.权利要求2的清洁剂，其中混合物中表面活性剂的量在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内。
4.权利要求1的清洁剂，其中混合物中表面活性剂的量在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内。
5.权利要求1的清洁剂，其中混合物还包括硫酸、过氧化物和氟化物。
6.权利要求5的清洁剂，其中混合物中硫酸的量在从大约0.05wt％至大约15wt％的范围内。
7.权利要求5的清洁剂，其中混合物中过氧化物的量在从大约0.5wt％至大约15wt％的范围内。
8.权利要求5的清洁剂，其中过氧化物选自由过氧化氢、臭氧、过硫酸、过磷酸、过醋酸、过苯酸和过钛酸构成的组中。
9.权利要求5的清洁剂，其中混合物中氟化物的量在从大约0.001wt％至大约0.2wt％的范围内。
10.权利要求9的清洁剂，其中氟化物选自由氟化氢、氟化铵、氟化四甲铵、氢氟化胺、氟硼酸和四甲铵四氟硼酸盐组成的组中。
11.权利要求1的清洁剂，其中表面活性剂选自由聚氧乙烯/聚氧丙二醇、聚氧乙烯/聚氧丙烯和乙二胺的缩合物、环氧乙烯和乙二胺的缩合物、脂肪酸酯、脂肪酸酰胺、氧乙烯脂肪酸酰胺和多聚甘氨酸脂肪酸酯组成的组中。
12.一种用于半导体晶片处理的防腐蚀清洁溶液，基本上由表面活性剂、防腐蚀化合物、第一和第二氧化物蚀刻剂、金属蚀刻剂和去离子水组成，防腐蚀化合物选自由氨基磷酸酯、聚胺和聚羧酸组成的组中。
13.权利要求12的清洁剂，其中混合物中防腐蚀化合物的量在从大约0.0001wt％至大约0.1wt％的范围内。
14.权利要求13的清洁剂，其中混合物中表面活性剂的量在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内。
15.权利要求12的清洁剂，其中混合物中表面活性剂的量在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内。
16.权利要求12的清洁剂，其中第一氧化物蚀刻剂为硫酸；其中第二氧化物蚀刻剂为氟化物；且其中金属蚀刻剂为过氧化物。
17.权利要求16的清洁剂，其中混合物中硫酸的量在从大约0.05wt％至大约15wt％的范围内。
18.权利要求16的清洁剂，其中混合物中过氧化物的量在从大约0.5wt％至大约15wt％的范围内。
19.权利要求16的清洁剂，其中过氧化物选自由过氧化氢、臭氧、过硫酸、过磷酸、过醋酸、过苯酸和过钛酸构成的组中。
20.权利要求16的清洁剂，其中混合物中氟化物的量在从大约0.001wt％至大约0.2wt％的范围内。
21.权利要求20的清洁剂，其中氟化物选自由氟化氢、氟化铵、氟化四甲铵、氢氟化胺、氟硼酸和四甲铵四氟硼酸盐组成的组中。
22.权利要求12的清洁剂，其中表面活性剂选自由聚氧乙烯/聚氧丙二醇、聚氧乙烯/聚氧丙烯和乙二胺的缩合物、环氧乙烯和乙二胺的缩合物、脂肪酸酯、脂肪酸酰胺、氧乙烯脂肪酸酰胺和多聚甘氨酸脂肪酸酯组成的组中。
23.一种用于半导体晶片处理的防腐蚀清洁剂，包括至少由氨基磷酸酯、表面活性剂、硫酸、氟化物、过氧化物和去离子水构成的水混合物。
24.权利要求23的清洁剂，其中混合物中氨基磷酸酯的量在从大约0.0001wt％至大约0.1wt％的范围内。
25.权利要求24的清洁剂，其中混合物中表面活性剂的量在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内。
26.权利要求23的清洁剂，其中混合物中表面活性剂的量在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内。
27.权利要求23的清洁剂，其中混合物中硫酸的量在从大约0.05wt％至大约15wt％的范围内。
28.权利要求23的清洁剂，其中混合物中过氧化物的量在从大约0.5wt％至大约15wt％的范围内。
29.权利要求23的清洁剂，其中过氧化物选自由过氧化氢、臭氧、过硫酸、过磷酸、过醋酸、过苯酸和过钛酸构成的组中。
30.权利要求23的清洁剂，其中混合物中氟化物的量在从大约0.001wt％至大约0.2wt％的范围内。
31.权利要求30的清洁剂，其中氟化物选自由氟化氢、氟化铵、氟化四甲铵、氢氟化胺、氟硼酸和四甲铵四氟硼酸盐组成的组中。
32.权利要求23的清洁剂，其中表面活性剂选自由聚氧乙烯/聚氧丙二醇、聚氧乙烯/聚氧丙烯和乙二胺的缩合物、环氧乙烯和乙二胺的缩合物、脂肪酸酯、脂肪酸酰胺、氧乙烯脂肪酸酰胺和多聚甘氨酸脂肪酸酯组成的组中。
33.一种用于半导体处理的清洁剂，包括至少由水、表面活性剂和防腐蚀化合物构成的混合物，该防腐蚀化合物具有下述分子式：
Figure A2005100094480005C1
其中，R1至R5各自独立地选自于由氢、烷基、羟烷基、芳基、-(CH2)jCOOH、-P(＝O)(OH)2和-(CH2)kP(＝O)(OH)2组成的组中；其中“j”和“k”各自为范围从1到6的独立整数；其中R6和R7为各自独立的具有从1至6个碳原子的亚烃基、氧化烯、或聚氧化烯链；其中亚烃基、单氧化烯或聚氧化烯链为直的或分支的；其中亚烃基、单氧化烯或聚氧化烯链不被选自由羟基、羟烷基、芳基、-(CH2)mCOOH和-(CH2)nP(＝O)(OH)2组成的组中的一个或多个取代物取代或被其取代；其中“m”和“n”各自为范围从0到6的独立整数；且其“a”和“c”为0或1，“b”为从0到2的整数，且a+b+c≥1。
34.权利要求33的清洁剂，其中表面活性剂具有下述分子式：包括具有下述分子式的那些表面活性剂：R8B[{(EO)xB(PO)y}zBH]q
其中：“EO”表示氧乙烯基团；“PO”表示氧丙烯基团；“R8”表示氢或通过从醇或胺中消除氢原子而形成的残留物或通过从氨基酸中消除氢原子而形成的残留物；“x”和“y”为满足0.05≤x/(x+y)≤0.4的正整数，而“z”和“q”为小于5的正整数。
35.权利要求34的清洁剂，其中(PO)y的总分子量在从大约500至大约5000的范围内。
36.权利要求34的清洁剂，其中(PO)y的总分子量在从大约1000至大约3500的范围内。
37.一种形成集成电路器件的方法，包括下述步骤：
在集成电路衬底上形成栅极氧化层；
在栅极氧化层上形成钨金属层；
构图钨金属层和栅极氧化层以限定钨基绝缘栅电极；和
将被构图的钨金属层暴露于清洁溶液中，该清洁溶液包括表面活性剂、防腐蚀化合物、第一和第二氧化物蚀刻剂、金属蚀刻剂和去离子水，该防腐蚀化合物选自由氨基磷酸酯、聚胺和聚羧酸组成的组中。
38.权利要求37的方法，其中清洁溶液中防腐蚀化合物的量在从大约0.0001wt％至大约0.1wt％的范围内；其中清洁溶液中表面活性剂的量在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内；且其中第一氧化物蚀刻剂为硫酸，第二氧化物蚀刻剂为氟化物，而金属蚀刻剂为过氧化物。
39.权利要求38的方法，其中清洁溶液中硫酸的量在从大约0.05wt％至大约15wt％的范围内；且其中清洁溶液中过氧化物的量在从大约0.5wt％至大约15wt％的范围内。
40.权利要求39的方法，其中过氧化物为过氧化氢(H2O2)而氟化物为氟化氢(HF)。
41.一种形成存储器件的方法，包括下述步骤：
在集成电路衬底上形成层间电介质层；
在层间电介质层中形成互连开口；
用导电插塞来填充互连开口；
形成电耦合于导电插塞的位线节点；
将位线节点暴露于清洁溶液中，该清洁溶液包括表面活性剂、防腐蚀化合物、第一和第二氧化物蚀刻剂、金属蚀刻剂和去离子水，该防腐蚀化合物选自由氨基磷酸酯、聚胺和聚羧酸组成的组中。
42.权利要求41的方法，其中清洁溶液中防腐蚀化合物的量在从大约0.0001wt％至大约0.1wt％的范围内；其中清洁溶液中表面活性剂的量在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内；且其中第一氧化物蚀刻剂为硫酸，第二氧化物蚀刻剂为氟化物，而金属蚀刻剂为过氧化物。
43.权利要求42的方法，其中清洁溶液中硫酸的量在从大约0.05wt％至大约15wt％的范围内；且其中清洁溶液中过氧化物的量在从大约0.5wt％至大约15wt％的范围内。
44.权利要求43的方法，其中过氧化物为过氧化氢(H2O2)而氟化物为氟化氢(HF)。
45.一种形成集成电路器件的方法，包括下述步骤：
在集成电路衬底上形成栅极氧化层；
在栅极氧化层上形成钨金属层；
构图钨金属层和栅极氧化层以限定钨基绝缘栅电极；
将被构图的钨金属层暴露于清洁溶液中，该清洁溶液基本上由表面活性剂、防腐蚀化合物、氟化氢、过氧化氢、硫酸和去离子水构成，该防腐蚀化合物选自由氨基磷酸酯、聚胺和聚羧酸组成的组中。
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication