KR20190094927A - 식각 잔류물 세정 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 - Google Patents

식각 잔류물 세정 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20190094927A
KR20190094927A KR1020180014630A KR20180014630A KR20190094927A KR 20190094927 A KR20190094927 A KR 20190094927A KR 1020180014630 A KR1020180014630 A KR 1020180014630A KR 20180014630 A KR20180014630 A KR 20180014630A KR 20190094927 A KR20190094927 A KR 20190094927A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
compound
cleaning composition
composition
etching residue
film
Prior art date
Application number
KR1020180014630A
Other languages
English (en)
Inventor
김정현
조한혁
김성식
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Priority to KR1020180014630A priority Critical patent/KR20190094927A/ko
Priority to PCT/KR2019/001151 priority patent/WO2019156407A1/ko
Publication of KR20190094927A publication Critical patent/KR20190094927A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D11/00—Special methods for preparing compositions containing mixtures of detergents
    • C11D11/0047—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예들은 3개의 히드록시 알킬기를 포함하는 암모늄 염 화합물을 포함하는 세정제, 및 여분의 물을 포함하는, 식각 잔류물 세정 조성물을 제공한다. 식각 잔류물 세정 조성물을 사용하여 식각 잔류물을 막질 손상 없이 효과적으로 제거할 수 있다.

Description

식각 잔류물 세정 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법{ETCHING RESIDUE CLEANING COMPOSITION AND METHOD OF FORMING CONDUCTIVE PATTERN USING THE SAME}
본 발명은 식각 잔류물 세정 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 금속 함유 잔류물을 제거할 수 있는 세정 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
예를 들면, 반도체 장치 및 디스플레이 장치의 구동 회로 중의 일부로서 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)가 활용되고 있다. TFT는 예를 들면, 유기 발광 디스플레이(OLED) 장치 또는 액정 표시 장치(LCD)의 기판 상에 각 화소마다 배열되며, 화소 전극, 대향 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 데이터 라인, 전원 라인 등의 배선 들이 상기 TFT와 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 전극 또는 배선을 형성하기 위해, 금속막을 디스플레이 기판 상에 형성하고, 상기 금속막 상에 포토레지스를 형성한 후, 식각액 조성물을 사용하여 상기 금속막을 부분적으로 제거할 수 있다.
예를 들어, 저저항 특성 구현을 위해 상기 금속막은 은(Ag)을 함유할 수 있으며, 산화 특성, 흡착 특성이 강한 은의 특성에 따라 상기 식각 공정 이후, 식각 잔류물이 발생할 수 있다.
따라서, 상기 식각 잔류물을 제거하기 위한 세정 공정이 수행될 필요가 있다. 그러나, 상기 세정 공정에 의해 다른 절연막 또는 도전 패턴이 함께 손상될 수 있으므로, 상기 식각 잔류물만을 선택적으로 제거하기 위한 세정 조성물이 적용될 필요가 있다.
예를 들면, 한국공개특허 제10-2018-0009021호는 산화물 제거용 세정 조성물을 개시하고 있으나, 상기 조성물이 적용될 경우 상술한 은 함유 잔류물 외에 산화물을 포함하는 절연막 또는 도전성 막을 함께 손상시킬 수 있다.
한국공개특허 제10-2018-0009021호
본 발명의 일 과제는 향상된 세정 효율 및 신뢰성을 갖는 식각 잔류물 세정 조성물을 제공하는 것이다,
본 발명의 일 과제는 상기 식각 잔류물 세정 조성물을 사용한 도전 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
1. 3개의 히드록시 알킬기를 포함하는 암모늄 염 화합물을 포함하는 세정제; 및 여분의 물을 포함하는, 식각 잔류물 세정 조성물.
2. 위 1에 있어서, 상기 세정제는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 식각 잔류물 세정 조성물:
[화학식 1]
Figure pat00001
(화학식 1 중, R1은 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기이고, R2는 탄소수 1 내지 5의 알킬기임).
3. 위 2에 있어서, 상기 세정제는 트리스(2-히드록시에틸)메틸 암모늄 히드록사이드 또는 트리스(2-히드록시프로필)메틸 암모늄 히드록사이드 중 적어도 하나를 포함하는, 식각 잔류물 세정 조성물.
4. 위 1에 있어서, 상기 세정제의 함량은 조성물 총 중량 중 0.2 내지 1중량%인, 식각 잔류물 세정 조성물.
5. 위 1에 있어서, 부식 방지제 또는 극성 유기 용매 중 적어도 하나를 더 포함하는, 식각 잔류물 세정 조성물.
6. 위 5에 있어서, 상기 부식 방지제는 유기산 계 화합물, 유기산 아미드 에스테르계 화합물, 아졸계 화합물, 페놀계 화합물 및 갈레이트 계 화합물로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는, 식각 잔류물 세정 조성물.
7. 위 5에 있어서, 상기 극성 유기 용매는 알칸올 아민계 화합물, 알킬렌글리콜 모노알킬 에테르 계 화합물, 피롤리돈 계 화합물, 알코올계 화합물, 이미다졸리디논 계 화합물, 락톤계 화합물, 설폭사이드계 화합물, 포스페이트 계 화합물, 카보네이트계 화합물 및 아미드계 화합물로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는, 식각 잔류물 세정 조성물.
8. 위 5에 있어서, 조성물 총 중량 중,
상기 세정제 0.2 내지 1중량%; 상기 부식 방지제 0.001 내지 3중량%; 상기 극성 유기 용매 20 내지 80중량%; 및 여분의 물을 포함하는, 식각 잔류물 세정 조성물.
9. 기판 상에 도전막을 형성하는 단계; 상기 도전막을 식각하여 도전 패턴을 형성하는 단계; 및 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항의 식각 잔류물 조성물을 사용하여 세정하는 단계를 포함하는, 도전 패턴 형성 방법.
10. 위 9에 있어서, 상기 도전막을 형성하는 단계는,
상기 기판 상에 순차적으로 제1 투명 도전성 산화막, 은 함유막 및 제2 투명 도전성 산화막을 형성하는 단계를 포함하는, 도전 패턴 형성 방법.
11. 위 9에 있어서, 상기 도전 패턴을 형성하기 전에 상기 도전막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는, 도전 패턴 형성 방법.
전술한 본 발명의 실시예들에 따르는 식각 잔류물 세정 조성물은 예를 들면, 3개의 히드록실 알킬기를 포함하는 암모늄 염 화합물을 세정 성분으로 사용할 수 있다. 상대적으로 벌키(bulky)한 구조를 갖는 상기 세정 성분에 의해 예를 들면, 세정 대상체 상에 흡착된 은 함유 잔류물을 선택적으로 제거하면서 알루미늄을 포함하는 다른 도전 패턴 혹은 다른 절연 구조의 손상을 실질적으로 차단할 수 있다.
또한, 상기 세정 조성물은 부식 방지제 및/또는 극성 유기 용매를 더 포함할 수 있으며, 상기 도전 패턴의 부식, 손상 방지 효과를 보다 향상시키면서 세정력 역시 증가시킬 수 있다.
도 1 내지 도 3은 예시적인 실시예들에 따른 도전 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 히드록시알킬기 함유 암모늄염 화합물, 및 물을 포함하는 식각 잔류물 세정 조성물(이하, "세정 조성물"로 약칭될 수도 있다)이 제공된다. 또한, 상기 식각 잔류물 세정 조성물을 활용한 도전 패턴 형성방법이 제공된다.
이하에서는, 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다.
<식각 잔류물 세정 조성물>
세정제(암모늄염 화합물)
본 발명의 실시예들에 따른 세정 조성물은 세정제로서 히드록시 알킬기 함유 암모늄 염 화합물을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면 상기 암모늄 염 화합물은 히드록사이드 계 화합물로서 포함될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 세정 조성물은 세정제로서 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00002
화학식 1 중, R1은 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기일 수 있다. R2는 탄소수 1 내지 5의 알킬기일 수 있다. 본 출원에 사용된 용어 "알킬기", 및 "알킬렌기"는 직쇄형 및 분지형을 모두 포함하며, 분지형인 경우 탄소수는 3이상일 수 있다.
화학식 1로 표시되는 세정제의 예로서 트리스(2-히드록시에틸)메틸 암모늄 히드록사이드, 트리스(2-히드록시프로필)메틸 암모늄 히드록사이드 등을 들 수 있다.
화학식 1로 표시된 바와 같이, 상기 세정제는 3개의 히드록시 알킬기를 포함하는 알칼리성 화합물을 포함할 수 있다. 실질적으로 세정력을 제공하는 N+ 이온 부분 주변에 상기 3개의 히드록실 알킬기가 배치되어 입체 장애를 제공하므로, 도전막의 손상, 벌크 식각은 실질적으로 차단하면서 식각 잔류물 만을 제거할 수 있는 세정 활성이 효과적으로 구현될 수 있다.
또한, 상기 히드록시 알킬기는 예를 들면, 은 함유 식각 잔류물(예를 들면, 은 산화물)을 포획하는 집게로서 기능할 수 있다. 따라서, 다른 도전막 또는 절연막의 손상 없이 상기 식각 잔류물만을 선택적으로 포집, 제거할 수 있다.
또한, 상기 히드록시 알킬기의 말단에 히드록실기가 노출되므로, 은 또는 구리 등과 같은 금속 잔류물과 함께, 절연막으로부터 생성된 잔류물 역시 함께 효과적으로 세정 또는 제거할 수 있다. 상기 절연막은 예를 들면 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등과 같은 무기 절연 물질 및/또는 이미드계, 아크릴계, 실록산 계 수지 물질과 같은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
R1 또는 R5의 탄소수가 5이상인 경우는 상기 세정제의 수용성 또는 용해성이 저하되어 조성물 내에 균일한 세정 활성이 확보되지 않을 수 있다. 바람직하게는, R1 및 R5의 탄소수는 각각 1 내지 3일 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 히드록시 알킬기 함유 암모늄 염 화합물은 상기 세정 조성물 총 중량 중 약 0.2 내지 1중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 상기 암모늄 염 화합물의 함량이 약 0.2 중량% 미만인 경우, 충분한 잔류물 세정력이 제공되지 않을 수 있다. 상기 암모늄 염 화합물의 함량이 약 1중량%를 초과하는 경우 도전막 또는 절연막 부식, 손상 방지 효과가 저해될 수 있다. 바람직하게는, 상기 히드록시 알킬기 함유 암모늄 염 화합물의 함량은 약 0.3 내지 1중량%일 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 세정제는 화학식 1로 표시되는 암모늄 염 화합물로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 세정제로부터 히드록실기가 결여된 암모늄 염 화합물(예를 들면, 테트라메틸 암모늄 히드록사이드 또는 테트라에틸 암모늄 히드록사이드), 또는 1개의 히드록실기 혹은 히드록시 알킬기가 포함된 암모늄염 화합물(예를 들면, 콜린)은 배제될 수 있다.
부식 방지제
일부 실시예들에 있어서, 상기 세정 조성물은 부식 방지제를 더 포함할 수도 있다. 상기 부식 방지제는 상술한 세정제로서 암모늄 염 화합물의 알칼리성을 완충하여 도전막의 부식 방지 효과를 보다 향상시킬 수 있다.
예를 들면, 상기 부식 방지제는 유기산 계 화합물, 유기산 아미드 에스테르계 화합물, 아졸계 화합물, 페놀계 화합물 및/또는 갈레이트 계 화합물을 포함할 수 있다.
상기 유기산 계 화합물의 예로서 포름산, 아세트산, 프로피온산 등과 같은 모노카르복실산; 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루탐산, 아디프산, 피멜산, 말레산, 푸마르산, 글루타르 산 등과 같은 디카르복실산; 트리멜리트산, 트리카르발릴산 등과 같은 트리카르복실산; 히드록시초산, 젖산, 살리실산, 말산, 주석산, 구연산, 글루콘산, 실세스퀴옥산, 옥시카르복실산 등의 유기산 등을 들 수 있다.
유기산 아미드 에스테르계 화합물의 예로서 숙시닉 아미드 에스터, 말릭 아미드 에스터, 말레릭 아미드 에스터, 푸마릭 아미드 에스터, 옥살릭 아미드 에스터, 말로닉 아미드 에스터, 글루타릭 아미드 에스터, 아세틱 아미드 에스터, 락틱 아미드 에스터, 시트릭 아미드 에스터, 타르타릭 아미드 에스터, 글루콜릭 아미드 에스터, 포믹 아미드 에스터 및 우릭 아미드 에스터 등을 들 수 있다.
상기 아졸계 화합물의 예로서 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 메틸 톨리트리아졸, 2,2’-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2’-[[[에틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2’-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올 4-메틸-1-수소-벤조트리아졸, 6-메틸-4,5,6,7-테트라히드로-1H-벤조[1,2,3]트리아졸, 5,6-디메틸-4,5,6,7-테트라히드로-1H-벤조[1,2,3]트리아졸, 4,6-디메틸-4,5,6,7-테트라히드로-1H-벤조[1,2,3]트리아졸, 5-메틸-1-수소-벤조트리아졸 등을 들 수 있다.
상기 페놀계 화합물의 예로서 2,6-디메틸페놀, 2,4,6-트리메틸페놀, 2,6-디에틸페놀, 2,6-디에틸-4-메틸페놀, 2,6-디프로필페놀, 2,6-트리프로-4-메틸페놀, 2,6-디-t-부틸페놀, 2,4,6-트리-t-부틸페놀, 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀 등과 같은 대칭형 페놀 화합물을 들 수 있다.
상기 갈레이트 계 화합물의 예로서 파이로갈롤, 메틸갈레이트, 프로필갈레이트, 도데실갈레이트, 옥틸갈레이트, 갈릭산 등을 들 수 있다.
상술한 화합물들은 단독으로 혹은 2종 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
예를 들면, 상기 부식 방지제는 상기 세정 조성물 총 중량 중 5 중량% 이하의 함량으로 포함될 수 있다. 상기 부식 방지제의 함량이 약 5 중량%를 초과하는 경우, 상기 세정제와의 경쟁 반응으로 인해 식각 잔류물 세정력이 오히려 저해될 수도 있다. 바람직하게는 상기 부식 방지제의 함량은 약 0.001 내지 3 중량%일 수 있다.
극성 유기 용매
일부 실시예들에 있어서, 상기 세정 조성물은 후술하는 물과 함께 용매 성분으로서 극성 유기 용매를 더 포함할 수 있다. 상기 극성 유기 용매에 의해 은 함유 잔류물과 함께 유기 잔류물의 세정력이 함께 향상될 수 있다. 예를 들면, 식각 공정을 위한 포토레지스트 패턴 형성시 생성되는 유기 잔류물이 상기 세정 조성물을 이용하여 함께 세정, 제거될 수 있다.
상기 극성 유기용매로서 예를 들면, 알칸올 아민계 화합물, 알킬렌글리콜 모노알킬 에테르 계 화합물, 피롤리돈 계 화합물, 알코올계 화합물, 이미다졸리디논 계 화합물, 락톤계 화합물, 설폭사이드계 화합물, 포스페이트 계 화합물, 카보네이트계 화합물, 아미드계 화합물 등을 들 수 있다.
상기 알칸올 아민계 화합물의 예로는, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, N-메틸 디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-(2-히드록시에틸)메틸피페라진, N-(2-히드록시에틸)모폴린, N-(3-히드록시프로필)모폴린 등을 들 수 있다.
상기 알킬렌글리콜 모노알킬 에테르 계 화합물의 예로서 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 등의 알킬렌글리콜 모노알킬 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 등을 들 수 있다.
상기 피롤리돈 계 화합물의 예로서 Ｎ-메틸 피롤리돈, Ｎ-에틸 피롤리돈 등을 들 수 있다, 상기 알코올계 화합물의 예로서 테트라하이드로퍼푸릴 알코올 등을 들 수 있다.
상기 이미다졸리디논 계 화합물의 예로서 １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논 등을 들 수 있다.
상기 락톤계 화합물의 예로서 γ―부티로락톤 등을 들 수 있다. 상기 설폭사이드 계 화합물의 예로서 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란 등을 들 수 있다. 상기 포스페이트 계 화합물의 예로서 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트 등을 들 수 있다. 상기 카보네이트 계 화합물의 예로서 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이트 등을 들 수 있다.
상기 아미드계 화합물의 예로서 포름아미드, N-메틸포름아미드, N-에틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, N,N-디메틸프로피온아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드 등을 들 수 있다.
상술한 화합물들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
예를 들면, 상기 극성 유기 용매는 상기 세정 조성물 총 중량 중 약 20 내지 80중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 유기 잔류물 세정이 확보되면서 도전막의 부식, 손상을 방지할 수 있다. 바람직하게는, 상기 극성 유기 용매의 함량은 약 30 내지 60중량%일 수 있다.
상기 세정 조성물은 여분 또는 잔량의 물(예를 들면, 탈이온수)를 포함할 수 있다. 본 출원에 사용되는 용어 "여분" 또는 "잔량"은 추가적인 성분에 따라 변화하는 가변적인 양을 의미한다.
전술한 바와 같이, 예시적인 실시예들에 따른 세정 조성물은 3개의 히드록시 알킬기를 포함하는 세정제를 포함함에 따라 예를 들면, 은 함유 잔류물을 선택적으로 포획 및 제거할 수 있으며, 도전막, 절연막의 막질 손상을 실질적으로 방지할 수 있다. 또한, 부식 방지제를 더 포함함에 따라 상기 막질 손상 방지 효과가 보다 향상될 수 있으며, 상기 극성 유기 용매를 더 포함함에 따라, 금속성 잔류물과 함께 유기 잔류물의 세정력도 향상될 수 있다.
<도전 패턴 형성 방법>
도 1 내지 도 3은 예시적인 실시예들에 따른 도전 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 기판(100) 상에 하부 도전 패턴(115) 및 하부 절연막(110)을 형성할 수 있다.
기판(100)은 글래스 기판, 고분자 수지 또는 플라스틱 기판, 무기 절연 기판 등을 포함할 수 있다.
하부 도전 패턴(115)은 예를 들면, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), ITO와 같은 투명 도전성 산화물 등을 포함하도록 형성될 수 있다. 하부 절연막(110)은 아크릴계 수지, 폴리실록산 등과 같은 유기 절연 물질, 및/또는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등과 같은 무기 절연 물질을 포함하도록 형성될 수 있다.
하부 도전 패턴(115)은 예를 들면, 도전 비아 또는 도전 콘택으로 제공될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 하부 절연막(110) 및 하부 도전 패턴(115) 상에 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화막(121), 은 함유막(123) 및 제2 투명 도전성 산화막(125)을 포함하는 도전막(120)을 형성할 수 있다.
제1 및 제2 투명 도전성 산화막들(121, 125)은 ITO, IZO, GZO, IGZO 등과 같은 투명 도전성 산화물을 포함하도록 형성될 수 있다. 은 함유막(123)은 상술한 바와 같이 은 및/또는 은 합금을 포함하도록 형성될 수 있다. 제1 투명 도전성 산화막(121), 은 함유막(123) 및 제2 투명 도전성 산화막(125)은 예를 들면, 스퍼터링(sputtering) 공정과 같은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
도전막(120) 상에는 마스크 패턴(130)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 제2 투명 도전성 산화막(125) 상에 포토레지스트 막을 형성한 후, 노광 및 현상 공정을 통해 상기 포토레지스트 막을 부분적으로 제거하여 마스크 패턴(130)을 형성할 수 있다.
도 2를 참조하면, 식각액 조성물을 사용하여 도전막(120)을 식각하여 상부 도전 패턴(120a)을 형성할 수 있다. 상부 도전 패턴(120a)은 예를 들면, 하부 절연막(110) 상에 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화막 패턴(122), 은 함유 패턴(124) 및 제1 투명 도전성 산화막 패턴(126)을 포함할 수 있다.
상부 도전 패턴(120a)은 예를 들면, 화상 표시 장치의 패드, 전극 또는 배선으로 활용될 수 있다. 저저항, 신호 전달 특성이 우수한 상대적으로 은 함유 패턴(124)을 내부식성이 우수한 제1 및 제2 투명 도전성 산화막 패턴들(122, 126) 사이에 형성함에 따라, 저저항 및 기계적, 화학적 신뢰성이 향상된 도전 패턴이 구현될 수 있다.
예를 들면, 상기 식각액 조성물은 인산, 질산, 초산, 유기산 등을 포함하는 산성계 조성물을 포함할 수 있다.
상술한 식각 공정에 의해 식각 잔류물이 생성될 수 있다. 예를 들면, 상기 식각 잔류물은 금속성 잔류물(50) 및 유기 잔류물(60)을 포함할 수 있다.
금속성 잔류물(50)은 도전막(120)에 대한 식각 공정으로부터 유래할 수 있다. 예를 들면, 금속성 잔류물(50)은 은 또는 은 이온이 산화되어 흡착 또는 부착된 은 산화물을 포함할 수 있다. 유기 잔류물(60)은 예를 들면, 마스크 패턴(130)에 포함된 포토레지스트 막 성분으로부터 유래할 수 있다.
상기 식각 잔류물은 도 2에 도시된 바와 같이, 하부 절연막(110), 하부 도전 패턴(115) 및/또는 상부 도전 패턴(120a)의 표면들 상에 분포할 수 있다.
도 3을 참조하면, 예시적인 실시예들에 따른 세정 조성물을 사용하여 상기 식각 잔류물을 세정, 제거할 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 세정 조성물은 예를 들면, 상기 화학식 1로 표시되는 히드록시 알킬기 포함 암모늄 염 화합물을 포함하므로, 상기 식각 잔류물만을 선택적으로 포획하여 제거할 수 있다. 따라서, 세정 공정 중, 예를 들면, 알루미늄(Al)을 포함하는 하부 도전 패턴(115)의 표면 손상을 효과적으로 억제할 수 있다. 또한, 하부 절연막(110)의 손상 역시 방지될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 세정 조성물은 부식 방지제를 더 포함하여, 하부 도전 패턴(115)의 표면 보호가 보다 효과적으로 구현될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 세정 조성물은 극성 유기 용매를 더 포함하여, 유기 잔류물(60) 세정 효과가 보다 향상될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 마스크 패턴(30) 제거를 위한 애싱(ashing) 공정 및/또는 스트립(strip) 공정이 더 수행될 수 있다.
도 1 내지 도 3에 도시된 세정 공정을 포함한 도전 패턴 형성 방법은 예시적인 것이며, 상기 세정 조성물을 사용하여 화상 표시 장치, 터치 센서 등에 포함되며 향상된 전기적, 기계적, 화학적 특성을 갖는 각종 도전 패턴들을 형성할 수 있다.
예를 들면, 상기 세정 조성물은 OLED 장치, LCD 장치 등에 포함되는 박막 트랜지스터(TFT) 어레이 기판에 포함되는 각종 전극, 또는 유기 발광층 또는 액정층 상에 형성되는 반사 전극 형성 시, 식각 잔류물을 제거하기 위해 효과적으로 적용될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 구체적인 실시예들 및 비교예들을 포함하는 실험예를 제시하나, 이는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실시예 및 비교예
하기의 표 1(실시예) 및 표 2(비교예)에 기재된 성분 및 함량(중량%)으로 세정 조성물을 제조하였다.
구분 세정제(A) 부식
방지제(B)		 극성 유기
용매(C)		 탈이온수
(D)
실시예1 HEMAH 0.3 - - - - 잔량
실시예2 HEMAH 0.5 - - - - 잔량
실시예3 HEMAH 1.0 - - - - 잔량
실시예4 HEMAH 0.5 B1 0.2 - - 잔량
실시예5 HEMAH 0.5 B2 0.5 - - 잔량
실시예6 HEMAH 0.5 B3 1.0 - - 잔량
실시예7 HEMAH 0.5 B2
B4		 0.4
0.01		 - - 잔량
실시예8 HEMAH 0.5 - - NMP 30 잔량
실시예9 HEMAH 0.5 - - NEF 70 잔량
실시예10 HEMAH 0.5 - - NEF
EDG		 30
15		 잔량
실시예11 HEMAH 0.5 B1
B4		 0.2
0.01		 NMP
AEE		 50
5		 잔량
실시예12 HEMAH 0.5 B2
B4		 0.3
0.01		 NMP
MAE
EDG		 30
5
15		 잔량
실시예 13 HPMAH 0.5 - - - - 잔량
실시예 14 HEMAH 1.5 - - - - 잔량
구분 세정제(A) 부식
방지제(B)		 극성 유기
용매(C)		 탈이온수
(D)
비교예1 - - B2
B4		 0.3
0.01		 NMP
MAE
EDG		 30
5
15		 잔량
비교예2 TMAH 0.5 - - - - 잔량
비교예3 TEAH 0.5 - - - - 잔량
비교예4 CH 0.5 - - - - 잔량
비교예5 TMAH 0.5 B1 0.2 - - 잔량
비교예6 TMAH 0.5 B1 1.0 - - 잔량
비교예7 TMAH 0.5 - - NEF
EDG		 30
15		 잔량
비교예8 TMAH 0.5 B2
B4		 0.3
0.01		 NMP
MAE
EDG		 30
5
15		 잔량
표 1 및 표 2에 기재된 구체적인 성분들은 하기와 같다
A) 세정제
HEMAH: 트리스(2-히드록시에틸)메틸 암모늄히드록사이드
HPMAH: 트리스(2-히드록시프로필)메틸 암모늄히드록사이드
TMAH: 테트라메틸 암모늄히드록사이드
TEAH: 테트라에틸 암모늄히드록사이드
CH: 콜린히드록사이드
B) 부식 방지제
B1: 메틸갈레이트
B2: 실세스퀴옥산
B3: 숙시닉아미드에스터
B4: 6-메틸-4,5,6,7-테트라히드로-1H-벤조[1,2,3]트리아졸
C) 극성 유기 용매
NMP: Ｎ-메틸피롤리돈
NEF: N-에틸포름아미드
EDG: 디에틸렌글리콜모노에틸에테르
AEE: 2-(2-아미노에톡시)에탄올
MAE: 2-(메틸아미노)에탄올
실험예
(1) 금속 잔류물 제거 특성
유리 기판 상에 은 도전막(1000 Å)을 증착하고, 인산 계열 식각액을 사용한 습식 식각 공정을 통해 패턴을 형성하여 상기 은 도전막 표면에 은 잔류물을 생성시켰다. 광학 현미경을 통하여 상기 은 잔류물의 파티클 수를 세고, 스프레이 세정기를 이용하여 표 1 및 표 2에 기재된 실시예 및 비교예의 세정 조성물을 1kgf/cm2, 30 조건으로 분사하여 30초간 세정 처리를 수행하였다. 세정 공정 이후 잔류하는 파티클의 수를 세어 잔류물 제거력을 평가 하였다.
(2) 부식 방지 특성
유리 기판 상에 단일막으로서 알루미늄(Al) 막(1000 Å)을 증착하고, 실시예 및 비교예의 세정 조성물 내에 상기 상기 알루미늄 막이 형성된 기판을 30℃에서 30분간 침적시켰다. 이후, 식각된 알루미늄 막의 두께를 측정하여 식각속도를 계산하였다.
또한 티타늄(Ti), 구리(Cu), ITO 막이 각각 증착 된 기판을 에 대해 실시예 및 비교예의 세정 조성물 내에 30에서 10분간 침적하였다, 이후, 탈이온수 세정 및 건조를 수행하고, 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 부식 정도를 평가하였다. 평가기준은 하기와 같다.
◎: 부식 관찰 안됨
○: 일부 미세 부식 관찰
△: 부식이 용이하게 관찰됨
×: 막의 절반 이상 면적에서 부식 관찰됨
(3) 유기 잔류물 제거 특성
기판 상에 ITO 막(1000 Å)이을 증착하고, 상기 ITO막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 상기 포토레지스트 패턴이 잔류하는 상기 기판을 실시예 및 비교예의 세정 조성물 내에 30에서 1분간 침적시켰다. 이후. 탈이온수 세정 및 건조를 수행하고, 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 유기물 잔류여부를 평가하였다. 평가기준은 하기와 같다.
◎: 유기 잔류물 관찰 안됨
○: 유기 잔류물 국소적으로 관찰
△: 유기 잔류물이 용이하게 관찰됨
×: 막의 절반 이상 면적에서 유기 잔류물 관찰됨
평가 결과는 하기의 표 3 및 표 4에 나타낸다.
구분 금속 잔류물
제거		 부식 방지 특성 유기 잔류물
제거
Al(Å/min) Ti Cu ITO
실시예1 90% 14 ◎ △ ◎ X
실시예2 95% 16 ◎ △ ◎ X
실시예3 97% 21 ◎ X ◎ X
실시예4 95% 5 ◎ ○ ◎ X
실시예5 95% 4 ◎ ○ ◎ X
실시예6 94% 6 ◎ ○ ◎ X
실시예7 94% 5 ◎ ◎ ◎ X
실시예8 94% 16 ◎ △ ◎ ○
실시예9 94% 16 ◎ △ ◎ ○
실시예10 94% 17 ◎ △ ◎ ○
실시예11 95% 5 ◎ ◎ ◎ ◎
실시예 12 95% 5 ◎ ◎ ◎ ◎
실시예 13 90% 13 ◎ △ ◎ X
실시예 14 95% 48 ◎ X ◎ X
구분 금속 잔류물
제거		 부식 방지 특성 유기 잔류물
제거
Al(Å/min) Ti Cu ITO
비교예1 20% 54 ◎ ◎ ◎ ○
비교예2 95% 243 ◎ X ◎ X
비교예3 94% 210 ◎ X ◎ X
비교예4 94% 198 ◎ △ ◎ X
비교예5 95% 235 ◎ △ ◎ X
비교예6 25% 4 ◎ △ ◎ X
비교예7 95% 231 ◎ X ◎ ○
비교예8 95% 237 ◎ ○ ◎ ◎
표 3 및 표 4의 경우, 화학식 1로 표시된 세정제를 사용한 실시예들의 경우 우수한 금속 잔류물 제거 특성이 확보되면서 도전막들의 부식이 방지되었다. 또한, 부식 방지제 및 극성 유기 용매가 함께 사용되면서, 도전막 보호 및 유기 잔류물 제거 특성이 추가적으로 향상되었다.
반면, TMAH 또는 콜린 히드록사이드가 사용된 비교예들의 경우, Al 막의 식각 속도가 급격히 증가하면서, 구리막에 대한 부식도 심화되었다.
50: 금속성 잔류물 60: 유기 잔류물
100: 기판 110: 하부 절연막
115: 하부 도전 패턴 120: 도전막
121: 제1 투명 도전성 산화막
122: 제1 투명 도전성 산화막 패턴
123: 은 함유막 124: 은 함유 패턴
125: 제2 투명 도전성 산화막
126: 제2 투명 도전성 산화막 패턴
130: 마스크 패턴

Claims (11)

  1. 3개의 히드록시 알킬기를 포함하는 암모늄 염 화합물을 포함하는 세정제; 및
    여분의 물을 포함하는, 식각 잔류물 세정 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 세정제는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 식각 잔류물 세정 조성물:
    [화학식 1]
    Figure pat00003

    (화학식 1 중, R1은 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기이고, R2는 탄소수 1 내지 5의 알킬기임).
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 세정제는 트리스(2-히드록시에틸)메틸 암모늄 히드록사이드 또는 트리스(2-히드록시프로필)메틸 암모늄 히드록사이드 중 적어도 하나를 포함하는, 식각 잔류물 세정 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 세정제의 함량은 조성물 총 중량 중 0.2 내지 1중량%인, 식각 잔류물 세정 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서, 부식 방지제 또는 극성 유기 용매 중 적어도 하나를 더 포함하는, 식각 잔류물 세정 조성물.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 부식 방지제는 유기산 계 화합물, 유기산 아미드 에스테르계 화합물, 아졸계 화합물, 페놀계 화합물 및 갈레이트 계 화합물로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는, 식각 잔류물 세정 조성물.
  7. 청구항 5에 있어서, 상기 극성 유기 용매는 알칸올 아민계 화합물, 알킬렌글리콜 모노알킬 에테르 계 화합물, 피롤리돈 계 화합물, 알코올계 화합물, 이미다졸리디논 계 화합물, 락톤계 화합물, 설폭사이드계 화합물, 포스페이트 계 화합물, 카보네이트계 화합물 및 아미드계 화합물로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는, 식각 잔류물 세정 조성물.
  8. 청구항 5에 있어서, 조성물 총 중량 중,
    상기 세정제 0.2 내지 1중량%; 상기 부식 방지제 0.001 내지 3중량%; 상기 극성 유기 용매 20 내지 80중량%; 및 여분의 물을 포함하는, 식각 잔류물 세정 조성물.
  9. 기판 상에 도전막을 형성하는 단계;
    상기 도전막을 식각하여 도전 패턴을 형성하는 단계; 및
    청구항 1 내지 8 중 어느 한 항의 식각 잔류물 조성물을 사용하여 세정하는 단계를 포함하는, 도전 패턴 형성 방법.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 도전막을 형성하는 단계는,
    상기 기판 상에 순차적으로 제1 투명 도전성 산화막, 은 함유막 및 제2 투명 도전성 산화막을 형성하는 단계를 포함하는, 도전 패턴 형성 방법.
  11. 청구항 9에 있어서, 상기 도전 패턴을 형성하기 전에 상기 도전막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는, 도전 패턴 형성 방법.
KR1020180014630A 2018-02-06 2018-02-06 식각 잔류물 세정 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 KR20190094927A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180014630A KR20190094927A (ko) 2018-02-06 2018-02-06 식각 잔류물 세정 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법
PCT/KR2019/001151 WO2019156407A1 (ko) 2018-02-06 2019-01-28 식각 잔류물 세정 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180014630A KR20190094927A (ko) 2018-02-06 2018-02-06 식각 잔류물 세정 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190094927A true KR20190094927A (ko) 2019-08-14

Family

ID=67548347

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180014630A KR20190094927A (ko) 2018-02-06 2018-02-06 식각 잔류물 세정 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20190094927A (ko)
WO (1) WO2019156407A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210028447A (ko) * 2019-09-04 2021-03-12 에스케이이노베이션 주식회사 식각 조성물, 이를 이용한 절연막의 식각방법 및 반도체 소자의 제조방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180009021A (ko) 2016-07-15 2018-01-25 삼성디스플레이 주식회사 산화물 제거용 세정 조성물 및 이를 이용한 세정 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100569533B1 (ko) * 2001-10-25 2006-04-07 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트 세정용 조성물
KR100795364B1 (ko) * 2004-02-10 2008-01-17 삼성전자주식회사 반도체 기판용 세정액 조성물, 이를 이용한 세정 방법 및도전성 구조물의 제조 방법
KR101730649B1 (ko) * 2009-09-07 2017-04-27 동우 화인켐 주식회사 유기계 포토레지스트 제거용 조성물
KR101397682B1 (ko) * 2012-06-26 2014-05-26 (주)네패스디스플레이 투명 전극 구조물을 가지는 윈도우 일체형 터치스크린 패널 및 그 제조 방법
US10100272B2 (en) * 2014-07-18 2018-10-16 Cabot Microelectronics Corporation Cleaning composition following CMP and methods related thereto

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180009021A (ko) 2016-07-15 2018-01-25 삼성디스플레이 주식회사 산화물 제거용 세정 조성물 및 이를 이용한 세정 방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019156407A1 (ko) 2019-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100700998B1 (ko) 기판으로부터 잔사를 제거하기 위한 조성물 및 그의 사용방법
KR20110126037A (ko) 세정 조성물, 반도체 장치의 제조 방법 및 세정 방법
KR19990023681A (ko) 반도체장치용 세정제
JP5801594B2 (ja) 洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法
EP1519234B1 (en) Stripping and cleaning compositions for microelectronics
EP1883863B1 (en) Compositions for the removal of post-etch and ashed photoresist residues and bulk photoresist
KR20140086927A (ko) 구리, 텅스텐, 및 다공성의 유전 상수 κ가 낮은 유전체들에 대한 양립성이 향상된 반수성 중합체 제거 조성물
KR102032321B1 (ko) 얼룩 발생 방지용 레지스트 박리액 조성물
KR20130131796A (ko) Ｔｆｔ 제조용 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 ｔｆｔ의 제조방법
KR102009545B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물
JP2012033774A (ja) 洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法
KR102392062B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물
KR20190094927A (ko) 식각 잔류물 세정 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법
KR101957525B1 (ko) 포토레지스트 박리액 조성물
KR20160104454A (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR102040068B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물, 이를 사용하여 제조되는 디스플레이 기판의 제조방법 및 이에 따른 디스플레이 기판
KR102572751B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR102392027B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물, 상기 조성물을 사용하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조방법, 및 상기 제조방법으로 제조된 플랫 패널 디스플레이 기판
KR101292497B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법
KR102611875B1 (ko) 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법
KR102092919B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR102346160B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
KR102012464B1 (ko) 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 평판표시장치의 제조방법
KR20160029646A (ko) 레지스트 박리액 조성물
KR20210036690A (ko) 반도체 또는 디스플레이 기판용 세정제 조성물