KR102040068B1 - 레지스트 박리액 조성물, 이를 사용하여 제조되는 디스플레이 기판의 제조방법 및 이에 따른 디스플레이 기판 - Google Patents

레지스트 박리액 조성물, 이를 사용하여 제조되는 디스플레이 기판의 제조방법 및 이에 따른 디스플레이 기판 Download PDF

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Abstract

본 발명은 (a) 하기 화학식 1의 구조를 갖는 아미노알킬실란계 화합물;(b) 알칸올 아민; 및 (c) 극성유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물과 이를 사용하여 디스플레이 기판을 제조하는 방법 및 상기 제조방법으로 제조한 디스플레이 기판에 대한 것이다.
[화학식 1]

Description

레지스트 박리액 조성물, 이를 사용하여 제조되는 디스플레이 기판의 제조방법 및 이에 따른 디스플레이 기판{A RESIST STRIPPER COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING A DISPLAY DEVICE AND DISPLAY DEVICE}
본 발명은 갈바닉 및 틈새 부식 방지력이 우수한 아미노알킬실란계 화합물을 적용한 레지스트 박리액 조성물, 이를 사용하여 제조되는 디스플레이 기판의 제조방법 및 이에 따른 디스플레이 기판 에 관한 것이다.
최근 디스플레이 기판의 고해상도 구현 요구가 증가함에 따라 단위면적당의 화소수를 증가시키기 위한 노력이 계속되고 있다. 이러한 추세에 따라 배선 폭의 감소가 요구되고 있으며, 그에 대응하기 위해서 건식 식각 공정이 도입되는 등 공정 조건도 갈수록 가혹해지고 있다. 또한, 평판표시장치의 대형화로 인해 배선에서의 신호 속도 증가도 요구되고 있으며, 그에 따라 알루미늄에 비해 비저항이 낮은 구리가 배선재료로 실용화되고 있다. 이에 발맞추어 레지스트 제거 공정인 박리공정에 사용되는 박리액에 대한 요구 성능도 높아지고 있다. 구체적으로 금속배선에 대한 부식 억제력 등에 대하여 상당한 수준의 박리특성이 요구되고 있다. 특히 알루미늄뿐만 아니라 구리에 대한 부식억제력도 요구되고 있으며, 가격 경쟁력 확보를 위해, 기판의 처리매수 증대와 같은 경제성도 요구되고 있다. 상기와 같은 업계의 요구에 응하여, 새로운 기술이 공개되고 있다.
예컨대, 대한민국 등록특허 10-1557778에서 알칸올 아민, 유기용매 등을 포함하는 레지스트박리액 조성물을 개시하고 있으나, 몰리브덴등의 금속을 포함하는 하부 금속막 또는 금속배선 등에 대한 방식력을 개선시키지 못하였다.
대한민국 등록 특허 제 10-1557778호
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 몰리브덴을 포함하는 하부 금속막 또는 금속배선에 대한 방식력이 우수하면서, 높은 박리력을 나타내는 레지스트 박리액 조성물, 이를 사용하여 제조되는 디스플레이 기판의 제조방법 및 이에 따른 디스플레이 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여,
본 발명은 (a) 하기 화학식 1의 구조를 갖는 아미노알킬실란계 화합물; (b) 알칸올 아민; 및 (c) 극성유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.
본 발명은 상기 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 디스플레이 기판의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 제조방법으로 제조된 디스플레이 기판을 제공한다.
본 발명에 따른 레지스트 박리액 조성물은 탈이온수 및 극성용매에 용해력이 뛰어난 아미노알킬실란계 화합물의 사용으로, 알루미늄, 구리, 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄 및 이를 포함하는 하부 금속막 또는 금속배선에 부식을 발생시키지 않으며, 높은 박리력을 나타내는 효과를 갖는다.
본 발명은, 레지스트 박리액 조성물, 이를 사용하여 제조되는 디스플레이 기판의 제조방법 및 이에 따른 디스플레이 기판에 대한 것이다.
본 발명에 따른 레지스트 박리액 조성물은 (a) 아미노알킬실란계 화합물; (b) 알칸올 아민; 및 (c) 극성유기 용매를 포함하며, 특히 탈이온수 및 극성용매에 용해력이 뛰어난 아미노알킬실란계 화합물의 사용으로, 알루미늄, 구리, 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄 및 이를 포함하는 하부 금속막 또는 금속배선에 부식을 발생시키지 않으며, 높은 박리력을 나타내는 효과를 갖는다. 본발명에 따른 레지스트 박리액 조성물은 (d)부식방지제를 추가로 포함할 수 있다.
이하, 본 발명의 내용을 구성별로 상세히 설명한다.
(a) 아미노알킬실란계 화합물
본 발명에 사용되는 (a) 아미노알킬실란계 화합물은 하기 화학식 1의 구조를 갖는다.
[화학식 1]
Figure 112016064718489-pat00001
상기 화학식 1 에서,
R1, R2 및 R3는, 각각 독립적으로, 탄소수 1내지 4의 알킬기이며;
R4는 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기이며;
R5 및 R6는, 각각 독립적으로, 수소원자, 탄소수 1내지 5의 알킬기, 하이드록시기 또는 탄소원자 1내지 4의 알콕시기이며, R5가 하이드록시기 또는 알콕시기 일 경우 R6는 수소원자 또는 알킬기 이며, R6가 히드록시기 또는 알콕시기일 경우 R5는 수소원자 또는 알킬기이다.
상기 탄소수 1내지 4의 알킬기는, 3개이상의 탄소수를 가지는 경우 사슬 또는 분지형 일 수 있다.
화학식 1로 나타내어지는 (a) 아미노알킬실란계 화합물의 종류로 바람직하게는 (2-아미노에틸)트리에톡시실란, (3-아미노프로필)트리메톡시실란, (3-아미노프로필)트리에톡시실란 등을 들을 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에서 상기(a) 아미노알킬실란계 화합물에 (3-아미노프로필)실란트리올 등의 화합물을 추가로 첨가하여 사용할 수 있다.
본 발명의 (a) 아미노알킬실란계 화합물은 레지스트 박리 중 발생할 수 있는 금속의 부식을 방지하는 능력이 우수하며 특히 알루미늄, 몰리브덴 및 구리와 몰리브덴을 포함하는 합금에서 발생하는 갈바닉부식 및 틈새부식의 방식력이 뛰어남을 실험적으로 확인하였다.
상기 화학식 1로 표현되는 (a) 아미노알킬실란계 화합물은 조성물 총 중량에 대해 0.001중량% 내지 3중량%로 포함하는 것이 바람직하고, 0.005중량% 내지 1중량%가 더욱 바람직하다. 0.001중량%미만이면 박리 혹은 탈이온수에 의한 린스 공정에서 금속배선에 부식이 발생 할 수 있으며 3중량%를 초과할 경우 부식 방지제 함량 증가에 따른 부식 방지 효과의 향상을 얻을 수 없으므로 경제적으로 바람직하지 않다.
(b) 알칸올아민
본 발명의 알칸올아민은 건식 또는 습식 식각, 애싱(ashing) 또는 이온주입 공정(ion implant processing) 등의 여러 공정 조건하에서 변질되거나 가교된 레지스트(resist)의 고분자 매트릭스에 강력하게 침투하여 분자 내 또는 분자간에 존재하는 결합을 깨뜨리는 역할을 하며, 기판에 잔류하는 레지스트 내의 구조적으로 취약한 부분에 빈 공간을 형성시켜 레지스트를 무정형의 고분자 겔(gel)덩어리 상태로 변형시킴으로써 기판 상부에 부착된 레지스트가 쉽게 제거될 수 있게 한다.
상기 알칸올아민에는 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, N-메틸 디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-(2-히드록시에틸)메틸피페라진, N-(2-히드록시에틸)모폴린, N-(3-히드록시프로필)모폴린 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 (b) 알칸올아민의 함량은 전체 조성물 총중량에 대해 0.1 내지 20 중량%가 바람직 하고 0.5 내지 10중량%가 더 바람직하다. 0.1 중량% 미만이면 레지스트 제거력 저하가 발생할 수 있으며 20중량%를 초과하면 알칸올아민 증량에 따른 레지스트 제거력 향상의 효과를 얻을 수 없어 경제적이지 못하며 또한 금속막질에 대한 부식 수준이 상승하게 되는 문제점이 발생할 수 있다.
(c) 극성 유기용매
본 발명에 사용되는 (c) 극성유기용매는 양자성 극성용매와 비양자성 극성용매를 들 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 양자성 극성용매의 바람직한 예로는, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 등의 알킬렌글리콜 모노알킬 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 테트라하이드로퍼푸릴 알코올 등을 들 수 있으며,이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 비양자성 극성용매의 바람직한 예로는 Ｎ-메틸 피롤리돈, Ｎ-에틸 피롤리돈 등의 피롤리돈 화합물; １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논 화합물; γ-부티로락톤 등의 락톤 화합물; 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란 등의 설폭사이드 화합물; 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트 등의 포스페이트 화합물; 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이토 등의 카보네이트 화합물; 포름아미드, N-메틸포름아미드, N-에틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, N,N-디메틸프로피온아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드 등의 아미드 화합물을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 (c) 극성 유기용매는 겔화된 레지스트 고분자를 용해 시키는 역할을 하며, 또한 레지스트 박리 이후 탈이온수의 린스 과정에서 물에 의한 박리액의 제거를 수월하게 하여 박리액 및 용해된 레지스트의 재흡착/재부착을 최소화 한다. 상기 (c) 극성 유기용매는 적당한 박리력을 위해 비점이 너무 높거나 낮지 않은 것이 바람직하고, 혼합 사용할 수 있다. 상기 극성유기용매는 박리 공정에서 추가 요청되는 성능에 따라 추가 될 수 있다.
상기 (c) 극성 유기 용매의 함량은 전체 조성물 총중량에 대해 80 내지 99.8 중량%가 적당하다. 80 중량% 미만이면 용해력 저하가 발생할 수 있으며 탈이온수에 의한 린스 공정에서 레지스트의 재흡착/재부착이 발생할 수 있다. 또한 99.8 중량%를 초과하면 상대적으로 (b) 알칸올아민의 함량이 줄어들어 박리력이 저하될 수 있다.
(d) 부식 방지제
본 발명의 조성물은(d) 부식 방지제를 추가로 포함할 수 있으며, 구체적으로 본발명의 부식 방지제는 포름산, 아세트산, 프로피온산과 같은 모노카르복실산; 수산, 말론산, 숙신산, 글루탄산, 아디프산, 피멜산, 말레산, 푸르마산, 글루타코닉산과 같은 디카르복실산; 트리멜리트산, 트리카르발릴산과 같은 트리카르복실산; 히드록시초산, 젖산, 살리실산, 말산, 주석산, 구연산, 글루콘산 및 옥시카르복실산 등의 유기산 류; 숙시닉 아미드 에스터, 말릭 아미드 에스터, 말레릭 아미드 에스터, 푸마릭 아미드 에스터, 옥살릭 아미드 에스터, 말로닉 아미드 에스터, 글루타릭 아미드 에스터, 아세틱 아미드 에스터, 락틱 아미드 에스터, 시트릭 아미드 에스터, 타르타릭 아미드 에스터, 글루콜릭 아미드 에스터, 포믹 아미드 에스터 및 우릭 아미드 에스터 등의 유기산 아미드 에스터류; 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 메틸 톨리트리아졸, 2,2'-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2'-[[[에틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민 및 2,2'-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올 4-메틸-1-수소-벤조트리아졸, 6-메틸-4,5,6,7-테트라히드로-1H-벤조[1,2,3]트리아졸, 4-메틸-4,5,6,7-테트라히드로-1H 벤조[1,2,3]트리아졸, 5-메틸-4,5,6,7-테트라히드로-1H-벤조[1,2,3]트리아졸, 5,6-디메틸-4,5,6,7-테트라히드로-1H-벤조[1,2,3]트리아졸, 4,6-디메틸-4,5,6,7-테트라히드로-1H-벤조[1,2,3]트리아졸 및 5-메틸-1-수소-벤조트리아졸 등과 같은 아졸계화합물; 2,6-디메틸페놀, 2,4,6-트리메틸페놀, 2,6-디에틸페놀, 2,6-디에틸-4-메틸페놀, 2,6-디프로필페놀, 2,6-트리프로-4-메틸페놀, 2,6-디-t-부틸페놀, 2,4,6-트리-t-부틸페놀 및 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀 등과 같은 대칭형 페놀계 화합물; 등을 들 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 (d) 부식방지제의 함량은 조성물 총 중량 대비 0.001 내지 1.0 중량 %일 수 있다. 부식방지제가 0.001 중량 % 미만으로 포함될 경우 구리 표면에 미약한 부식이 발생하는 문제점이 있으며, 1.0 중량 % 초과하여 포함될 경우 증량에 따른 부식방지 효과를 얻지 못하여 경제적이지 못하다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 반도체 또는 전자제품, 특히 디스플레이용 레지스트의 제거 공정에서 유용하게 사용될 수 있다.
즉, 본 발명은 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 이용하여 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 디스플레이 기판의 제조방법 및 상기 제조방법으로 제조된 디스플레이 기판을 포함한다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
<실시예 및 비교예> 레지스트 박리액 조성물의 제조
하기 표 1에 기재된 성분을 해당 조성비로 혼합하여 실시예 및 비교예의 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.
Figure 112016064718489-pat00002
주)) APTES: (3-아미노프로필)트리에톡시실란
APSTO: (3-아미노프로필)실란트리올
AEE: 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올
MAE: 2-(메틸아미노)에탄올
MDEA: N-메틸디에탄올아민
IME: 이미다졸리딘 에탄올
NMF: N-메틸포름아미드
NEF: N-에틸포름아미드
NMP: N-메틸피롤리돈
MDG: 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르
EDG: 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르
BDG: 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르
MTG: 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르
TTA: 톨릴트리아졸
MTBT: 6-메틸-4,5,6,7-테트라히드로-1H-벤조[1,2,3]트리아졸
<실험예 1> 박리액의 포토레지스트 박리력 평가
레지스트 박리액 조성물의 박리효과를 확인하기 위하여 유리 기판상에 포지티브 포토레지스트(DWG-520:당사 PR)를 1.7um 도포 시킨 후 170℃에서 10분간 Hot plate에서 Hard bake를 실시하여 기판을 준비하였다. 레지스트 박리액 조성물을 50로 온도를 일정하게 유지시킨 후 상기 기판을 30초 간격으로 침적하여 박리력을 평가하였다. 이후 기판상에 잔류하는 박리액의 제거를 위해서 DIW로 1분간 세정을 실시하였으며, 세정 후 기판 상에 잔류하는 DIW를 제거하기 위하여 질소를 이용하여 기판을 완전히 건조시켰다. 평가가 완료된 기판을 육안으로 확인하여 완전히 레지스트가 제거되는 시간을 측정하였으며 그 결과를 하기 표 2에 나타냈으며 시간이 짧을수록 박리 효과가 우수하다고 할 수 있다.
<실험예 2> 박리액 금속 배선 방식력 평가
레지스트 박리액 조성물의 금속배선에 대한 부식 방지능력 평가를 위하여 통상적인 방법에 따라 유리 기판상에 박막 스퍼터링법을 사용하여 Mo/Al, Cu/X층(X : Ti, Mo, MoTi, MoW, MoNb)을 형성한 후, 포토 레지스트 패턴을 형성시킨 이후, 습식 식각 방식에 의해 금속막을 에칭한 기판을 각각 준비하였다. 간이 Strip Spray 평가 설비를 이용하여 박리액 조성물을 60℃로 온도를 일정하게 유지시키고 상기 기판을 2분간 2kgf/cm2 압력으로 Spray Strip을 진행한 후, 간이 DIW 세정 Spray 설비를 이용하여 상기 Strip이 완료된 기판을 상온에서 3분간 2kgf/cm2 압력으로 Spray 세정을 실시 하였다. 세정이 완료된 기판은 N2를 이용하여 건조를 실시하였으며 상기 Strip 공정에서 DIW 세정 및 건조에 이르는 공정을 3회 반복을 실시하여 그 기판을 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 평가하였다. 그 결과를 하기의 표 2에 나타냈으며 금속 별 부식 정도에 따라 부식이 관찰되지 않음은 ◎, 부식이 미세하게 관찰 되나 막질 적용에 문제 없음은 ○, 부식이 관찰되며 막질 적용 시 문제발생 가능성이 큼은 △, 부식이 심하게 관찰 되며 막질 적용 불가는 ×로 표시 하였다.
Figure 112016064718489-pat00003
상기 실험결과를 참고하면, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 탈이온수 및 극성용매에 용해력이 뛰어난 아미노알킬실란계 화합물의 사용으로 알루미늄, 구리, 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄 및 이를 포함하는 금속배선에 부식을 발생시키지 않으면서 높은 박리력 효과를 가짐을 확인 할 수 있다.

Claims (13)

  1. (a) 하기 화학식 1의 구조를 갖는 아미노알킬실란계 화합물;
    (b) 알칸올 아민; 및
    (c) 극성유기용매를 포함하며,
    물을 포함하지 않는 레지스트 박리액 조성물로써,
    상기 화학식 1의 구조를 갖는 아미노 알킬실란계 화합물은 (2-아미노에틸)트리에톡시실란, (3-아미노프로필)트리메톡시실란 및 (3-아미노프로필)트리에톡시실란 중 하나 이상을 포함하고,
    상기 아미노알킬실란계 화합물은 가수분해가 일어나지 않는 것이며,
    상기 레지스트 박리액 조성물은 하부금속막 또는 금속배선에 대한 방식용인, 레지스트 박리액 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 112019102000625-pat00004

    (상기 화학식 1 에서,
    R1, R2 및 R3는, 각각 독립적으로, 탄소수 1내지 4의 알킬기이며;
    R4는 탄소수 1 내지 5의 알킬렌기이며; 및
    R5 및 R6는, 각각 독립적으로, 수소원자, 탄소수 1내지 5의 알킬기, 하이드록시기 또는 탄소원자 1내지 4의 알콕시기이며, R5가 하이드록시기 또는 알콕시기 일 경우 R6는 수소원자 또는 알킬기 이며, R6가 히드록시기 또는 알콕시기일 경우 R5는 수소원자 또는 알킬기이다.)
  2. 제1항에 있어서,
    (d) 부식방지제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 부식방지제는 Cu 부식방지제인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 (b)알칸올 아민은 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, N-메틸 디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-(2-히드록시에틸)메틸피페라진, N-(2-히드록시에틸)모폴린 및 N-(3-히드록시프로필)모폴린 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  6. 제 1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (c) 극성유기용매는 양자성 극성용매 및 비양자성 극성용매 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 양자성 극성용매는 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 테트라하이드로퍼푸릴 알코올 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리제 조성물.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 비양자성 극성용매는 N-메틸 피롤리돈(NMP), N-에틸 피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디프로필-２-이미다졸리디논, γ-부티로락톤, 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란, 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트, 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이토, 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드 및 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리제 조성물.
  9. 제 2항에 있어서,
    (d) 부식 방지제는 포름산, 아세트산, 프로피온산, 수산, 말론산, 숙신산, 글루탄산, 아디프산, 피멜산, 말레산, 푸르마산, 글루타코닉산, 트리멜리트산, 트리카르발릴산, 히드록시초산, 젖산, 살리실산, 말산, 주석산, 구연산, 글루콘산, 옥시카르복실산, 숙시닉 아미드 에스터, 말릭 아미드 에스터, 말레릭 아미드 에스터, 푸마릭 아미드 에스터, 옥살릭 아미드 에스터, 말로닉 아미드 에스터, 글루타릭 아미드 에스터, 아세틱 아미드 에스터, 락틱 아미드 에스터, 시트릭 아미드 에스터, 타르타릭 아미드 에스터, 글루콜릭 아미드 에스터, 포믹 아미드 에스터 , 우릭 아미드 에스터, 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 메틸 톨리트리아졸, 2,2'-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2'-[[[에틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2'-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2'-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올 4-메틸-1-수소-벤조트리아졸, 6-메틸-4,5,6,7-테트라히드로-1H-벤조[1,2,3]트리아졸, 4-메틸-4,5,6,7-테트라히드로-1H 벤조[1,2,3]트리아졸, 5-메틸-4,5,6,7-테트라히드로-1H-벤조[1,2,3]트리아졸, 5,6-디메틸-4,5,6,7-테트라히드로-1H-벤조[1,2,3]트리아졸, 4,6-디메틸-4,5,6,7-테트라히드로-1H-벤조[1,2,3]트리아졸, 5-메틸-1-수소-벤조트리아졸, 2,6-디메틸페놀, 2,4,6-트리메틸페놀, 2,6-디에틸페놀, 2,6-디에틸-4-메틸페놀, 2,6-디프로필페놀, 2,6-트리프로-4-메틸페놀, 2,6-디-t-부틸페놀, 2,4,6-트리-t-부틸페놀 및 2,6-디-t-부틸-4-메틸페놀 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  10. 제 1항에 있어, 조성물 총 중량에 대하여,
    (a) 아미노 알킬 실란계 화합물 0.001 내지 3.0 중량%;
    (b) 알칸올 아민 화합물 0.1 내지 20.0 중량 %; 및
    (c) 극성 유기용매 80.0 내지 99.8중량 % 을 포함하는, 레지스트 박리액 조성물.
  11. 제 10항에 있어,
    (d) 부식방지제 0.001 내지 1.0 중량%을 더 포함하는 레지스트 박리액 조성물.
  12. 제 1 내지 제 3항 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 디스플레이 기판의 제조방법.
  13. 삭제
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