CN102131911B - 用于基底的清洁溶液配方 - Google Patents
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Abstract
本发明的一个实施方案提供了一种清洁溶液，所述清洁溶液包含腐蚀抑制剂、增溶剂、除氧剂和同时能作为pH调节剂的络合剂。本发明的另一实施方案包括包含pH调节剂、任选络合剂和腐蚀抑制剂的清洁溶液。所述清洁溶液可任选存在增溶剂，可任选存在表面活性剂和可任选存在电介质蚀刻剂。
Description
技术领域
本发明涉及电子设备如集成电路的制备；更具体地讲，本发明涉及用于具有金属线、带有保护盖和电介质以形成金属化结构的基底的清洁溶液配方。
背景技术
无电镀保护盖可用于电子设备中来改善金属化结构的电迁移和应力迁移性能。无电沉积工艺是湿式化学工艺。这种工艺通常和湿清洁工艺一起用来清洁基底。尽管液体溶液对于许多清洁应用而言是已知的，本发明的发明人已认识到需要适合于清洁用于制备电子设备的基底的新型和/或改善的清洁溶液配方和方法。
发明内容
本发明涉及电子设备的制备。本发明的一个实施方案为清洁溶液，所述清洁溶液包含腐蚀抑制剂、增溶剂、除氧剂和同时能作为pH调节剂的络合剂。本发明的另一实施方案为清洁溶液，所述清洁溶液可包含pH调节剂、任选的络合剂和腐蚀抑制剂；所述清洁溶液可还包含如下的一种或多种：增溶剂、电介质蚀刻剂和表面活性剂。
应该理解本发明不局限于以下说明中阐述的结构的细节和组件设置的应用。本发明可具有其它实施方案并可以各种方式实施和进行。此外，应该理解本文中采用的用语和术语用于说明，而不应作为限定。
具体实施方式
对于以下定义的术语，应采用这些定义，除非权利要求书或本说明书的其它地方给出了不同的定义。不管是否明确指出，所有的数值在本文中定义为被术语“约”修饰的。术语“约”通常指本领域技术人员会认为与描述的值等同以产生基本上相同性能、作用、结果等的数值范围。用低值和高值表示的数值范围定义为包含纳入该数值范围的所有数值和纳入该数值范围内的所有子范围。例如，范围10-15包括但不局限于10、10.1、10.47、11、11.75-12.2、12.5、13-13.8、14、14.025和15。
本发明涉及采用带有保护盖和电介质的导电金属形成用于电子设备如集成电路的大马士革金属化结构的互连金属化。更具体地讲，本发明针对用于清洁电子设备用的基底的清洁溶液配方。对于一些应用，互连金属化层包含电介质和金属，如铜。
下面将主要在加工半导体晶片如用于制备集成电路的硅晶片的背景下对本发明的实施方案进行讨论。集成电路的金属化层包含形成大马士革和/或双大马士革介电结构的金属线用的铜。所述铜金属线具有无电沉积保护盖。一些优选保护盖为多元素合金如钴合金、钴-钨合金、钴-钨-磷-硼合金、钴-镍合金和镍合金。任选，所述介电材料为低k介电材料如掺杂碳的氧化硅(SiOC:H)。然而，应理解本发明的实施方案可用于其它半导体设备、不是铜的金属、具有不是镍和/或钴的金属的保护盖，和不是半导体晶片的晶片。
对于一些应用，本发明实施方案的清洁溶液可用于在所述保护盖沉积后清洁基底。所述清洁溶液可能能够移除污染物，如留在带保护盖的铜互连结构之间的介电表面上的离子。这种污染物的移除可产生如改善漏电流性能、改善的电压击穿性能和改善的依时性电介质击穿性能等的结果。第1部分
本发明的一个实施方案的清洁溶液包含腐蚀抑制剂、增溶剂、除氧剂和同时能作为pH调节剂的络合剂。任选，对于本发明的一些实施方案，所述清洁溶液为水溶液。然而，本发明的其它实施方案可为不含水的清洁溶液，其中采用非水的液体代替水。
总地来说，本发明的实施方案的清洁溶液的pH小于或等于3。任选，对于一些实施方案，所述清洁溶液的pH可为小于或等于2.5。本发明的优选实施方案包括pH可达到约2.3的清洁溶液。腐蚀抑制剂
如上所述，本发明实施方案的清洁溶液包含腐蚀抑制剂。任选，所述清洁溶液可包含超过一种腐蚀抑制剂。所述腐蚀抑制剂的作用之一可为基本上保护所述保护盖或阻止所述保护盖在所述清洁溶液中的溶解。对于一些应用而言，本发明实施方案的清洁溶液被配制来清洁具有所述基底，可忽略量地或基本上没有减少所述保护盖的厚度。为了此目的，所述一种或多种腐蚀抑制剂可包含于本发明实施方案中。
许多化合物适合用作本发明实施方案的清洁溶液中的腐蚀抑制剂。用于本发明实施方案的一系列腐蚀抑制剂包括但不局限于三唑及其衍生物如苯并三唑、甲基-苯并三唑、5-甲基-苯并三唑(Chemical Abstracts Services(CAS)#[136-85-6])、羧基-苯并三唑、羟基苯并三唑及衍生物如巯基苯并噻唑；聚乙烯吡咯烷酮；聚乙烯醇及其衍生物；聚胺；聚亚胺；聚烷基亚胺；聚乙烯亚胺；长链烷基胺；四唑；磷酸盐如但不局限于无机磷酸盐、烷基磷酸盐、氟烷基磷酸盐；偏磷酸盐；亚磷酸盐；膦酸酯如但不局限于烷基膦酸酯；氟烷基膦酸酯；硅酸盐；烷氧基硅烷；亚硝酸盐；亚硝酸二环己胺；其衍生物；及其组合物。
总地来说，清洁溶液中具有有效量腐蚀抑制剂。换句话说，选择清洁溶液中腐蚀抑制剂的量使得所述清洁溶液有效清洁基底并提供防止保护盖腐蚀的满意效果。对于本发明的一些实施方案，所述清洁溶液包含一种或多种腐蚀抑制剂，所述腐蚀抑制剂各自以0.1-50毫摩尔(mM)的浓度范围存在于所述清洁溶液。作为本发明实施方案的一些清洁溶液的一种选择，所述腐蚀抑制剂以0.1-10000每百万份(ppm)及纳入其中的所有子范围内的浓度存在。作为另一选择，所述腐蚀抑制剂以100-2000ppm及纳入其中的所有子范围内的浓度存在。
本发明的具体实施方案的清洁溶液为，但不局限于以下。清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂为三唑类化合物。清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含甲苯三唑或苯并三唑。清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度在0.1-10000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物。清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度在100-2000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物。增溶剂
作为一种选择，本发明的一些实施方案可包括还包含一种或多种增溶剂的清洁溶液。本发明实施方案中的增溶剂为一种物质，其提高另一材料在液体如水中的溶解度，所述另一材料可能仅部分溶解于所述液体中。可提供用于本发明一些实施方案的增溶剂来提高所述腐蚀抑制剂中的一种或多种的溶解度以产生单相的清洁溶液。对于一些情况，对于本发明实施方案为水溶液且所述腐蚀抑制剂在水中具有较低或不足的溶解度，可提供增溶剂以使所述腐蚀抑制剂溶解到水中。任选，可包含所述增溶剂来执行如帮助将有机污染物从所述基底表面移走等任务。
许多化合物适用作本发明实施方案中的增溶剂。用于本发明实施方案的一系列增溶剂包括但不局限于伯醇、仲醇、叔醇、异丙醇、具有多个羟基的醇如多元醇、二元醇、乙二醇(CAS#[107-21-1])、丙二醇、2-正丁氧基乙醇、二甲基亚砜(DMSO)、碳酸丙烯酯及其组合物。本发明的一些实施方案可包含存在于所述清洁溶液中的一种或多种增溶剂。
本发明的实施方案采用有效量的增溶剂。这意味着所述清洁溶液中增溶剂的存在量是有效的以产生单相溶液。具体量将取决于因素例如所述清洁溶液中包含的腐蚀抑制剂的量和性质。对于清洁水溶液或其它不含水的清洁溶液，一些腐蚀抑制剂可能需要使用增溶剂而其它腐蚀抑制剂可在水中具有足够的溶解度使得所述清洁溶液中不需要所述增溶剂。对于本发明一个或多个实施方案的清洁水溶液，增溶剂的量可以浓度为0-约200毫升/升(mL/L)清洁溶液存在。除氧剂
本发明一些实施方案的清洁溶液包含一种或多种除氧剂。所述除氧剂为可用于除去所述清洁溶液的溶解的氧或其它氧化物质的化合物。更具体地讲，所述除氧剂降低清洁溶液中溶解的氧或其它氧化物质的浓度。对于一些应用，将溶解的氧的量保持最低以基本上防止溶解的氧或其它氧化物质对所述保护盖的氧化。
许多化合物适合用作溶解的氧和其它氧化物质的除氧剂。用于本发明实施方案的一些除氧剂包括但不局限于L-抗坏血酸(CAS#[50-81-7])、D-抗坏血酸、抗坏血酸衍生物、绿原酸、咖啡酸、木犀草素、亚硫酸盐如不局限于亚硫酸铵和四甲基亚硫酸铵及其组合物。
总地来说，本发明实施方案的清洁溶液中包含有效量的一种或多种除氧剂。本发明的一些实施方案包含一种或多种除氧剂，以约0-10000ppm及纳入其中的所有子范围内的量存在于所述清洁溶液中。另一实施方案中，所述除氧剂以在1000-5000ppm及纳入其中的所有子范围内的浓度存在于所述清洁溶液中。本发明的一个或多个实施方案保持所述清洁溶液中溶解的氧的浓度小于1ppm。对于本发明的一些实施方案，通过提供有效量的一种或多种除氧剂来获得低水平的溶解氧。
本发明的具体实施方案的清洁溶液为，但不局限于：清洁溶液，其中所述除氧剂包含浓度在0-10000ppm及纳入其中的所有子范围内的L-抗坏血酸。清洁溶液，其中所述除氧剂包含浓度在1000-5000ppm及纳入其中的所有子范围内的L-抗坏血酸。络合剂/pH调节剂
本发明一些实施方案的清洁溶液中的络合剂具有官能团从而能与金属离子形成络合物且还具有一个或多个官能团从而能调节所述清洁溶液的pH。更具体地讲，所述络合剂还能起pH调节剂的作用以维持所述清洁溶液的pH等于或低于约3。用于本发明实施方案的清洁溶液的络合剂可在″Stability Constants of Metal-IonComplexes：Inorganic Ligands，Organic Ligands；and Supplement，″byLars Gunnar Sillen and Arthur E.Martell，2Volume Set(SpecialPublication No.17and Supplement No.1)，1972中找到，所述文献通过此次引用以全文结合于本文中。能作为pH调节剂的一系列络合剂包括但不局限于草酸(CAS#[6153-56-6])、焦磷酸、羟基乙叉二磷酸(CAS#[2809-21-4](也称为依替膦酸)、乙烷-1-羟基-1，1-二膦酸或HEDPA)、植酸、丙二酸、马来酸及其混合物。
总地来说，本发明实施方案的清洁溶液包含有效量的能作为pH调节剂的络合剂以与从所述基底表面移走的金属离子形成络合物并保持pH在所需水平。所需的具体量取决于所述络合剂的性质。对于本发明的一些实施方案，络合剂的量为小于约0.1摩尔(M)(浓度)或50克/升(g/L)(如果是聚合酸，浓度)。
本发明实施方案的清洁溶液可具有许多具体配方中的任何一个。本发明实施方案的一些任选清洁溶液具体配方的示例，其中所述清洁溶液包含腐蚀抑制剂、增溶剂、除氧剂和同时能作为pH调节剂的络合剂，包括但不局限于以下。
清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含三唑类化合物而所述除氧剂包含L-抗坏血酸。清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含甲苯三唑或苯并三唑而所述除氧剂包含L-抗坏血酸。清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度在0.1-10000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物而所述除氧剂包含L-抗坏血酸。清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度在100-2000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物而所述除氧剂包含L-抗坏血酸。清洁溶液，其中所述络合剂包含草酸、焦磷酸、羟基乙叉二磷酸、植酸、丙二酸、马来酸或其混合物。
清洁溶液，其中所述增溶剂包含伯醇、仲醇、叔醇、多元醇、乙二醇、丙二醇、2-正丁氧基乙醇、二甲基亚砜、碳酸丙烯酯或其组合物。清洁溶液，其中所述增溶剂包含二甲基亚砜。清洁溶液，其中所述增溶剂包含异丙醇。
清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含三唑类化合物；所述增溶剂包含以下一种或多种：二甲基亚砜、乙二醇和异丙醇；所述除氧剂包含L-抗坏血酸；而所述络合剂包含草酸、焦磷酸、羟基乙叉二磷酸、植酸、丙二酸、马来酸或其混合物。清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含甲苯三唑或苯并三唑；所述溶剂包含以下的一种或多种：二甲基亚砜、乙二醇和异丙醇；所述除氧剂包含L-抗坏血酸；而所述络合剂包含草酸。清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度在0.1-10000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物；所述除氧剂包含L-抗坏血酸；而所述络合剂包含草酸。清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度在100-2000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物；所述除氧剂包含L-抗坏血酸；而所述络合剂包含草酸。
清洁溶液，其中所述除氧剂包含浓度在0-10000ppm及纳入其中的所有子范围内的L-抗坏血酸；所述络合剂包含草酸。清洁溶液，其中所述除氧剂包含浓度在1000-5000ppm及纳入其中的所有子范围内的L-抗坏血酸；而所述络合剂包含草酸。
清洁溶液，其中所述络合剂包含浓度在约2g/L-约50g/L及纳入其中的所有子范围内的草酸、焦磷酸、羟基乙叉二磷酸、植酸、丙二酸、马来酸或其混合物。清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度在约0.1-约10000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物；所述增溶剂包含以下的一种或多种：二甲基亚砜、乙二醇、丙二醇、2-正丁氧基乙醇和异丙醇，浓度可达约200mL/L；所述除氧剂包含浓度在0-约10000ppm及纳入其中的所有子范围的L-抗坏血酸；而所述络合剂包含浓度在约0.5-约20g/L及纳入其中的所有子范围内的草酸。
清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度在约100-约2000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物；所述增溶剂包含以下的一种或多种：二甲基亚砜、乙二醇和异丙醇，浓度在约1mL/L-约200mL/L及纳入其中的所有子范围内；所述除氧剂包含约1000-约5000ppm及纳入其中的所有子范围内的L-抗坏血酸；而所述络合剂包含浓度在约0.5-约20g/L及纳入其中的所有子范围内的草酸。
清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度为约1g/L的5-甲基苯并三唑；所述增溶剂包含浓度为约50mL/L的乙二醇；所述除氧剂包含浓度为约1g/L的L-(+)-抗坏血酸；而所述络合剂包含浓度为约10g/L的草酸二水合物。清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂为三唑类化合物而所述增溶剂包含二甲基亚砜、乙二醇和异丙醇中的一种或多种。
清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含甲苯三唑或苯并三唑而所述增溶剂包含二甲基亚砜、乙二醇和异丙醇的一种或多种。清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂以约0.1-约10000ppm及纳入其中的所有子范围内的浓度存在而所述增溶剂以可达200mL/L的浓度存在。清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂以约100-约2000ppm及纳入其中的所有子范围内的浓度存在而所述增溶剂以约1mL/L-约200mL/L及纳入其中的所有子范围内的浓度存在。清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度在0.1-10000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物而所述增溶剂包含以下的一种或多种：二甲基亚砜、乙二醇和异丙醇，浓度可达约200mL/L。清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度在100-2000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物而所述增溶剂包含以下的一种或多种：二甲基亚砜、乙二醇和异丙醇，浓度在约1mL/L-约200mL/L及纳入其中的所有子范围内。
清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度为约1g/L的5-甲基苯并三唑；所述增溶剂包含约50mL/L的异丙醇；所述除氧剂包含浓度为约1g/L的L-(+)-抗坏血酸；而所述络合剂包含浓度为约10g/L的草酸二水合物。清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度为1g/L的5-甲基苯并三唑；所述增溶剂包含浓度为约1000mL/L的二甲基亚砜；所述除氧剂包含浓度为1g/L的L-(+)-抗坏血酸；而所述络合剂包含浓度为约10g/L的草酸二水合物。清洁溶液，其中所述除氧剂包含D-抗坏血酸、抗坏血酸衍生物和/或亚硫酸盐如但不局限于亚硫酸铵和四甲基亚硫酸铵。
根据本发明的一个实施方案，所述清洁溶液包含约20mL/L二甲基亚砜作为增溶剂。作为本发明一些实施方案的选择，所述清洁溶液可为包含非水溶剂如二甲基亚砜的不含水的溶液。更具体地讲，所述清洁溶液可包含将所述腐蚀抑制剂、所述除氧剂和所述络合剂溶解于其中的非水溶剂如二甲基亚砜。第2部分
现在参考表1，其中显示了本发明其它实施方案的一系列清洁溶液配方。所述清洁溶液包括但不局限于表1中所示的那些。所述清洁溶液可包含pH调节剂、任选络合剂和腐蚀抑制剂。表1还显示：所述清洁溶液可任选存在增溶剂、可任选存在表面活性剂和可任选存在电介质蚀刻剂。表1
作为本发明的一些实施方案的一个选择，所述清洁溶液可为水溶液，水作为所述清洁溶液主要成分。然而，本发明的一些实施方案为可能是不含水的溶液的清洁溶液，其中所述溶液的主要成分可为非水液体溶剂。
总地来说，本发明实施方案的清洁溶液的pH小于或等于3。任选，对于一些实施方案，所述清洁溶液的pH可为小于或等于2。本发明的优选实施方案包括pH可达约2.3的清洁溶液。pH调节剂
本发明一些实施方案的清洁溶液中的pH调节剂具有官能团从而能保持所述清洁溶液的pH在小于约3的所需水平。对于本发明的具体实施方案，这可能意味着所述pH调节剂具有产生酸性清洁溶液的官能团。任选，所述pH调节剂可还具有作为络合剂的能力。
用于本发明实施方案的一系列pH调节剂包括但不局限于硫酸、磺酸(如但不局限于甲磺酸、苯磺酸和三氟甲磺酸)、次磷酸、草酸、卤代羧酸(如但不局限于三氟乙酸)、乙炔二酸、方酸、二羟基富马酸、马来酸及其混合物。作为一个选择，所述pH调节剂可包含pKa等于或小于2的一种或多种酸，其中pKa为酸电离常数Ka的负对数，所述一种或多种酸能将所述清洁溶液调节到小于或等于3的所需酸性pH。或者，所述pH调节剂可包含pKa等于或小于1.5的一种或多种酸且所述一种或多种酸能将所述清洁溶液调节到小于或等于3的所需酸性pH。
总地来说，本发明的实施方案的清洁溶液包含有效量的pH调节剂以将pH调节到所需水平。所需的具体量取决于所述pH调节剂的性能。对于本发明的一些实施方案，络合剂的量为约0M-约0.1M(浓度)或50g/L(如果是聚合酸)。络合剂
本发明一些实施方案的清洁溶液中的络合剂具有官能团从而能与金属离子形成络合物。用于本发明实施方案的清洁溶液的络合剂可在″Stability Constants ofMetal-Ion Complexes：InorganicLigands，Organic Ligands；and Supplement，″by Lars Gunnar Sillen andArthur E.Martell，2Volume Set(Special Publication No.17andSupplement No.1)，1972中找到，所述文献通过此次引用以全文结合于本文中。许多化合物适合用作本发明实施方案中的络合剂。用于本发明实施方案的一系列络合剂包括但不局限于羧酸、羟基羧酸、柠檬酸、草酸、膦酸(如但不局限于羟基乙叉二磷酸)、植酸及其组合物。总地来说，本发明实施方案的清洁溶液包含有效量的、能与从基底表面移走的金属离子形成络合物的络合剂。本发明的一些实施方案包括一种或多种络合剂，以各络合剂约0.1mM-200mM浓度的量存在于所述清洁溶液中。腐蚀抑制剂
本发明实施方案的清洁溶液(如表1中所示的那些)中的腐蚀抑制剂基本上与以上在第1部分中所述的腐蚀抑制剂相同。增溶剂
本发明实施方案的清洁溶液(如表1中所示的那些)中的增溶剂基本上与以上在第1部分中所述的增溶剂相同。表面活性剂
作为一个选择，本发明一些实施方案的清洁溶液可包含一种或多种表面活性剂。包含表面活性剂以在清洁过程中提供足够的基底润湿。优选，所述基底的整个表面被所述清洁溶液足够润湿从而所述基底的电介质区域被润湿且所述基底的保护盖区域被润湿。
许多化合物适合用作本发明实施方案中的表面活性剂。用于本发明实施方案的表面活性剂包括但不局限于阴离子表面活性剂、离子表面活性剂、非离子表面活性剂、两性表面活性剂及其组合物。用于本发明的一些实施方案的一些阴离子表面活性剂是具有硫酸盐或磺酸盐头基的表面活性剂。本发明一些实施方案的清洁溶液包含一种或多种表面活性剂，以各表面活性剂的配方的活性组分为约0ppm-约2000ppm存在。所述表面活性剂的分子量并不总是已知的。电介质蚀刻剂
作为一个选择，本发明实施方案的清洁溶液可包含一种或多种电介质蚀刻剂。所述电介质蚀刻剂是能蚀刻将被所述清洁溶液清洁的基底的介电层的清洁溶液的组分。提供所述电介质蚀刻剂以促进从所述基底除去污染物。如上所示，所述电介质层通常为用于电子设备制造中的电介质。通常的电介质层包含硅和氧。本发明的一个或多个实施方案包含用于低k电介质如掺杂碳的氧化硅的电介质蚀刻剂。用于本发明实施方案的一系列电介质蚀刻剂包括但不局限于如氢氟酸、四氟硼酸、六氟硅酸，以及氢氟酸、四氟硼酸和六氟硅酸的非碱金属盐等化合物。
任选电介质蚀刻剂的选择及其在所述清洁溶液中的浓度可用作参数来控制具体量的所述电介质层的金属污染表面的去除。对于本发明的一些实施方案，所述清洁溶液中电介质蚀刻剂的量为1mM-100mM。
本发明实施方案的清洁溶液可具有许多具体配方中的任一个。本发明实施方案的一些任选清洁溶液具体配方的实例，其中所述清洁溶液包含pH调节剂、任选络合剂和腐蚀抑制剂，包括但不局限于以下。
还包含能使所述腐蚀抑制剂溶解的增溶剂的清洁溶液。还包含增溶剂和表面活性剂的清洁溶液。还包含以下的一种或多种的清洁溶液：增溶剂、电介质蚀刻剂和表面活性剂。还包含选自如下的增溶剂的清洁溶液：伯醇、仲醇、叔醇、多元醇、乙二醇、丙二醇、2-正丁氧基乙醇、二甲基亚砜、碳酸丙烯酯及其组合物。还包含乙二醇的清洁溶液。还包含异丙醇的清洁溶液。还包含二甲基亚砜的清洁溶液。清洁溶液，其中所述络合剂包含草酸、柠檬酸、羟基乙叉二磷酸或其混合物。
清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含以下的一种或多种：三唑、苯并三唑、甲基-苯并三唑、5-甲基-苯并三唑、羧基-苯并三唑、羟基苯并三唑、巯基苯并噻唑、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚胺、聚亚胺、聚烷基亚胺、聚乙烯亚胺、长链烷基胺、四唑、正磷酸盐、偏磷酸盐、亚磷酸盐、膦酸酯、氟烷基磷酸盐、硅酸盐、烷基膦酸酯、氟烷基膦酸酯、烷氧基硅烷、亚硝酸盐、亚硝酸二环己胺、其衍生物及其组合物。
清洁溶液，其中所述表面活性剂包含阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂、两性表面活性剂或其组合物。清洁溶液，其中所述表面活性剂包含硫酸盐和/或磺酸盐。
清洁溶液，其中所述电介质蚀刻剂蚀刻硅-氧化合物。清洁溶液，其中所述电介质蚀刻剂包含以下的一种或多种：氢氟酸、四氟硼酸、六氟硅酸，以及氢氟酸、四氟硼酸、六氟硅酸的非碱金属盐，及其混合物。
本发明实施方案的一些任选的具体清洁溶液配方的实例，其中所述清洁溶液包含pH调节剂、任选的络合剂、腐蚀抑制剂和以下的一种或多种：增溶剂、电介质蚀刻剂和表面活性剂，包括但不局限于以下。
清洁水溶液，其中所述pH调节剂包含硫酸、磺酸、甲磺酸、苯磺酸、三氟甲磺酸、次磷酸、草酸、卤代羧酸、三氟乙酸、乙炔二酸、方酸、二羟基富马酸、马来酸或其混合物；所述络合剂包含草酸、柠檬酸、羟基乙叉二磷酸、植酸或其混合物；所述腐蚀抑制剂包括三唑、苯并三唑、甲基-苯并三唑、5-甲基-苯并三唑、羧基-苯并三唑、羟基苯并三唑、巯基苯并噻唑、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚胺、聚亚胺、聚烷基亚胺、聚乙烯亚胺、长链烷基胺、四唑、正磷酸盐、偏磷酸盐、亚磷酸盐、膦酸酯、氟烷基磷酸盐、硅酸盐、烷基膦酸酯、氟烷基膦酸酯、烷氧基硅烷、亚硝酸盐、亚硝酸二环己胺、其衍生物及其组合物；所述增溶剂包含以下的一种或多种：二甲基亚砜、乙二醇和异丙醇；所述电介质蚀刻剂包含以下的一种或多种：氢氟酸、四氟硼酸、六氟硅酸，以及氢氟酸、四氟硼酸、六氟硅酸盐的非碱金属盐，及其混合物；而所述表面活性剂包含阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂、两性表面活性剂或其组合物且pH小于或等于3。
清洁水溶液，其中所述pH调节剂的浓度在约0M-约0.1M及纳入其中的所有范围内；所述络合剂的浓度在约0.1mM-约200mM及纳入其中的所有范围内；所述腐蚀抑制剂的浓度在约0.1mM-约50mM及纳入其中的所有范围内；所述增溶剂的浓度在约0mL/L-约200mL/L及纳入其中的所有范围内；所述电介质蚀刻剂的浓度在约1mM-约100mM及纳入其中的所有范围内而所述表面活性剂的浓度在约0ppm-约2000ppm及纳入其中的所有范围内且pH小于或等于3。
清洁水溶液，其中所述pH调节剂的浓度小于约0.1M且包含硫酸、磺酸、甲磺酸、苯磺酸、三氟甲磺酸、次磷酸、草酸、卤代羧酸、三氟乙酸、乙炔二酸、方酸、二羟基富马酸、马来酸或其混合物；所述络合剂的浓度为约0.1mM-约200mM并包含羧酸、羟基羧酸、柠檬酸、草酸、膦酸、羟基乙叉二磷酸、植酸及其组合物；所述腐蚀抑制剂的浓度为约0.1M-约50mM并包含三唑、苯并三唑、甲基-苯并三唑、5-甲基-苯并三唑、羧基-苯并三唑、羟基苯并三唑、巯基苯并噻唑、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚胺、聚亚胺、聚烷基亚胺、聚乙烯亚胺、长链烷基胺、四唑、正磷酸盐、偏磷酸盐、亚磷酸盐、膦酸酯、氟烷基磷酸盐、硅酸盐、烷基膦酸酯、氟烷基膦酸酯、烷氧基硅烷、亚硝酸盐、亚硝酸二环己胺、其衍生物及其组合物；所述增溶剂以小于200mL/L的浓度存在并包含以下的一种或多种：伯醇、仲醇、叔醇、多元醇、乙二醇、丙二醇、2-正丁氧基乙醇、二甲基亚砜、碳酸丙烯酯及其组合物；所述电介质蚀刻剂以约1mM-约100mM的浓度存在并包含以下的一种或多种：氢氟酸、四氟硼酸、六氟硅酸盐，以及氢氟酸、四氟硼酸、六氟硅酸的非碱金属盐，及其混合物；而所述表面活性剂以不到约2000ppm的浓度存在并包含阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂、两性表面活性剂或其组合物；且pH小于或等于3。
现在参考表2，其中显示了本发明实施方案的几种任选清洁溶液。总地来说，表2的清洁溶液包含腐蚀抑制剂、络合剂(在表2中用Al表示)和pH调节剂(在表2中用A2表示)。所述络合剂Al为酸且可还具有pH调节性能。所述pH调节剂A2也为酸。对本发明的一些实施方案而言，所述pH调节剂A2为强酸。优选所述pH调节剂A2基本上是非络合的且基本上是非氧化性的。对所述清洁溶液的一些应用而言，还优选所述pH调节剂A2为非卤化物酸。所述清洁溶液可包含任选的增溶剂和/或任选的表面活性剂。对于一些实施方案而言，所述清洁溶液的pH小于约3。任选，所述pH可小于约2。表2
Al-还具有pH调节性能的络合剂A2-pH调节剂，其为非络合的、非氧化性的和非卤化物的酸P-存在于溶液中
表2中显示的本发明实施方案的一些任选的清洁溶液具体配方的实例包括但不局限于以下。清洁水溶液，其中所述pH调节剂基本上是不络合的。清洁水溶液，其中所述pH调节剂包含第一酸而所述络合剂包含第二酸。清洁水溶液，其中所述pH调节剂包含强酸。清洁水溶液，其中所述pH调节剂包含硫酸、磺酸、甲磺酸、苯磺酸、三氟甲磺酸、次磷酸、草酸、卤代羧酸、三氟乙酸、乙炔二酸、方酸、二羟基富马酸、马来酸或其混合物；所述络合剂包含草酸、柠檬酸、羟基乙叉二磷酸或其混合物。
作为一种选择，采用本发明实施方案的清洁溶液清洁基底的方法可采用刷子将所述清洁溶液涂敷到所述基底上来进行。或者，所述方法可通过将所述清洁溶液涂敷到所述基底来进行，如将所述基底浸渍到所述清洁溶液，如用所述清洁溶液清洗所述基底，如将所述清洁溶液喷射到所述基底上和如采用接近头(proximityhead)涂敷所述清洁溶液的方法。本发明实施方案的清洁溶液的清洁效率可通过采用如在清洁过程中向所述基底施加超声或超声能的方法和/或通过在清洁过程中采用较高温度来进一步提高。对于一些应用，在约5℃-约90℃的温度下使用所述清洁溶液。本发明实施方案的清洁溶液可在保护盖层沉积后用于清洁基底。
以上说明书中，已参考具体实施方案对本发明进行描述。然而，本领域技术人员理解可进行各种改进和变化而不背离以下权利要求术中列出的本发明范围。从而，本说明书应理解为说明性的而非限定性的，所有改进将属于本发明范围。
以上已经针对具体实施方案对益处、其它优点和问题的解决方案进行描述。然而，所述益处、优点、问题的解决方案及可导致任何益处、优点、解决方案产生或变得更显著的任何元素不应理解为任何或所有权利要求的关键的、要求的或必要特征或元素。
本文中所用的术语“包括”、“包含”、“具有”“至少其一”或其任何其它变形将覆盖非排他的包含。例如，包括一列元素的工艺、方法、制件或仪器不必仅局限于那些元素，而可包含没有明确列出或者这种工艺、方法、制件或仪器固有的其它元素。此外，除非明确地相反描述，“或”是指包含性的“或”而不是排他性的“或”。例如，以下中的任一个满足条件A或B：A成立(或存在)而B不成立(或不存在)、A不成立(或不存在)而B成立(或存在)，和A和B都成立(或存在)。
Claims (66)
1.一种清洁溶液，包含：
能保护在金属和介电结构上的无电沉积保护盖层的腐蚀抑制剂；
增溶剂；
除氧剂；和
同时能作为pH调节剂的络合剂；
其中所述清洁溶液能移除所述介电结构上的金属离子。
2.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂为三唑类化合物。
3.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含甲苯三唑或苯并三唑。
4.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂以0.1-10000ppm及纳入其中的所有子范围内的浓度存在。
5.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂以100-2000ppm及纳入其中的所有子范围内的浓度存在。
6.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度在0.1-10000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物。
7.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度在100-2000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物。
8.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述除氧剂包含以下中的一种或多种：L-抗坏血酸、D-抗坏血酸、抗坏血酸衍生物、绿原酸、咖啡酸、木犀草素、亚硫酸盐和四甲基亚硫酸铵。
9.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含三唑类化合物而所述除氧剂包含L-抗坏血酸。
10.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含甲苯三唑或苯并三唑而所述除氧剂包含L-抗坏血酸。
11.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度在0.1-10000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物而所述除氧剂包含L-抗坏血酸。
12.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度在100-2000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物而所述除氧剂包含L-抗坏血酸。
13.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述除氧剂包含浓度在0-10000ppm及纳入其中的所有子范围内的L-抗坏血酸。
14.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述除氧剂包含浓度在1000-5000ppm及纳入其中的所有子范围的L-抗坏血酸。
15.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述络合剂包含草酸、焦磷酸、羟基乙叉二磷酸、植酸、丙二酸、马来酸或其混合物。
16.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述增溶剂包含伯醇、仲醇、叔醇、多元醇、乙二醇、丙二醇、2-正丁氧基乙醇、二甲基亚砜、碳酸丙烯酯或其组合物。
17.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述增溶剂包含二甲基亚砜。
18.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述增溶剂包含异丙醇。
19.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中：
所述腐蚀抑制剂包含三唑类化合物；
所述增溶剂包含以下中的一种或多种：二甲基亚砜、乙二醇、丙二醇、2-正丁氧基乙醇和异丙醇；
所述除氧剂包含L-抗坏血酸；而
所述络合剂包含草酸。
20.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含甲苯三唑或苯并三唑；所述增溶剂包含以下中的一种或多种：二甲基亚砜、乙二醇和异丙醇；所述除氧剂包含L-抗坏血酸；而所述络合剂包含草酸。
21.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度在0.1-10000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物；所述除氧剂包含L-抗坏血酸；而所述络合剂包含草酸。
22.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度在100-2000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物；所述除氧剂包含L-抗坏血酸；而所述络合剂包含草酸。
23.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述除氧剂包含浓度在0-10000ppm及纳入其中的所有子范围内的L-抗坏血酸；而所述络合剂包含草酸。
24.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述除氧剂包含浓度在1000-5000ppm及纳入其中的所有子范围内的L-抗坏血酸；而所述络合剂包含草酸。
25.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述络合剂包含浓度在2-50g/L及纳入其中的所有子范围内的草酸、焦磷酸、羟基乙叉二磷酸、植酸、丙二酸、马来酸或其混合物。
26.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中：
所述腐蚀抑制剂包含浓度在0.1-10000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物；
所述增溶剂包含以下中的一种或多种：二甲基亚砜、乙二醇和异丙醇，浓度可达200mL/L；
所述除氧剂包含浓度在0-10000ppm及纳入其中的所有子范围内的L-抗坏血酸；和
所述络合剂包含浓度在0.5-20g/L及纳入其中的所有子范围内的草酸。
27.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中：
所述腐蚀抑制剂包含浓度在100-2000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物；
所述增溶剂包含以下中的一种或多种：二甲基亚砜、乙二醇和异丙醇，浓度在1-200mL/L及纳入其中的所有子范围内；
所述除氧剂包含浓度在1000-5000ppm及纳入其中的所有子范围内的L-抗坏血酸；和
所述络合剂包含浓度在0.5-20g/L及纳入其中的所有子范围内的草酸。
28.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中：
所述腐蚀抑制剂包含浓度为1g/L的5-甲基苯并三唑；
所述增溶剂包含浓度为50mL/L的乙二醇；
所述除氧剂包含浓度为1g/L的L-(+)-抗坏血酸；和
所述络合剂包含浓度为10g/L的草酸二水合物。
29.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂为三唑类化合物而所述增溶剂包含以下中的一种或多种：二甲基亚砜、乙二醇和异丙醇。
30.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含甲苯三唑或苯并三唑而所述增溶剂包含以下中的一种或多种：二甲基亚砜、乙二醇和异丙醇。
31.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂以0.1-10000ppm及纳入其中的所有子范围内的浓度存在而所述增溶剂以可达200mL/L的浓度存在。
32.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂以100-2000ppm及纳入其中的所有子范围内的浓度存在而所述增溶剂以1-200mL/L及纳入其中的所有子范围内的浓度存在。
33.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度在0.1-10000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物而所述增溶剂包含以下中的一种或多种：二甲基亚砜、乙二醇和异丙醇，浓度可达50mL/L。
34.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含浓度在100-2000ppm及纳入其中的所有子范围内的三唑类化合物而所述增溶剂包含以下中的一种或多种：二甲基亚砜、乙二醇和异丙醇，浓度在1-200mL/L及纳入其中的所有子范围内。
35.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中：
所述腐蚀抑制剂包含浓度为1g/L的5-甲基苯并三唑；
所述增溶剂包含浓度为50mL/L的异丙醇；
所述除氧剂包含浓度为1g/L的L-(+)-抗坏血酸；和
所述络合剂包含浓度为10g/L草酸二水合物。
36.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中：
所述腐蚀抑制剂包含浓度为1g/L的5-甲基苯并三唑；
所述增溶剂包含浓度可达1000mL/L的二甲基亚砜；
所述除氧剂包含浓度为1g/L的L-(+)-抗坏血酸；和
所述络合剂包含浓度为10g/L的草酸二水合物。
37.根据权利要求1所述的清洁溶液，其中所述除氧剂包含D-抗坏血酸、抗坏血酸衍生物和/或亚硫酸盐。
38.一种用于在所述保护盖沉积后清洁基底的清洁溶液，包含：
pH调节剂；
络合剂；和
腐蚀抑制剂；
其中所述清洁溶液的pH小于或等于3。
39.根据权利要求38所述的清洁溶液，其中所述pH小于或等于2.
40.根据权利要求38所述的清洁溶液，还包含增溶剂。
41.根据权利要求38所述的清洁溶液，还包含能使所述腐蚀抑制剂溶解的增溶剂。
42.根据权利要求38所述的清洁溶液，还包含表面活性剂。
43.根据权利要求38所述的清洁溶液，还包含电介质蚀刻剂。
44.根据权利要求38所述的清洁溶液，还包含增溶剂和表面活性剂。
45.根据权利要求38所述的清洁溶液，还包含以下的一种或多种：
增溶剂，
电介质蚀刻剂，和
表面活性剂。
46.根据权利要求38所述的清洁溶液，其中所述络合剂包含羧酸、羟基羧酸、柠檬酸、草酸、膦酸、羟基乙叉二磷酸、植酸或其混合物。
47.根据权利要求38所述的清洁溶液，其中所述pH调节剂包含硫酸、磺酸、甲磺酸、苯磺酸、三氟甲磺酸、次磷酸、草酸、卤代羧酸、三氟乙酸、乙炔二酸、方酸、二羟基富马酸、马来酸或其混合物。
48.根据权利要求38所述的清洁溶液，其中所述pH调节剂包含pKa等于或小于2的一种或多种酸，所述一种或多种酸能将所述清洁溶液调节到pH小于或等于3。
49.根据权利要求38所述的清洁溶液，其中所述pH调节剂包含pKa等于或小于1.5的一种或多种酸，所述一种或多种酸能将所述清洁溶液调节到pH小于或等于3。
50.根据权利要求38所述的清洁溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含以下中的一种或多种：三唑、苯并三唑、甲基-苯并三唑、5-甲基-苯并三唑、羧基-苯并三唑、羟基苯并三唑、巯基苯并噻唑、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚胺、聚亚胺、聚烷基亚胺、聚乙烯亚胺、长链烷基胺、四唑、磷酸盐、无机磷酸盐、烷基磷酸盐、正磷酸盐、偏磷酸盐、亚磷酸盐、膦酸酯、氟烷基磷酸盐、硅酸盐、烷基膦酸酯、氟烷基膦酸酯、烷氧基硅烷、亚硝酸盐、亚硝酸二环己胺、其衍生物及其组合物。
51.根据权利要求38所述的清洁溶液，还包含选自如下的增溶剂：伯醇、仲醇、叔醇、多元醇、乙二醇、二甲基亚砜、碳酸丙烯酯及其组合物。
52.根据权利要求38所述的清洁溶液，还包含乙二醇。
53.根据权利要求38所述的清洁溶液，还包含异丙醇。
54.根据权利要求38所述的清洁溶液，还包含二甲基亚砜。
55.根据权利要求38所述的清洁溶液，还包含选自如下的表面活性剂：阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂、两性表面活性剂及其组合物。
56.根据权利要求38所述的清洁溶液，还包含表面活性剂，所述表面活性剂包含硫酸盐和/或磺酸盐。
57.根据权利要求38所述的清洁溶液，还包含能蚀刻硅-氧化合物的电介质蚀刻剂。
58.根据权利要求38所述的清洁溶液，还包含选自如下的电介质蚀刻剂：氢氟酸，四氟硼酸、六氟硅酸，以及氢氟酸、四氟硼酸、六氟硅酸的非碱金属盐，及其混合物。
59.一种用于在所述保护盖沉积后清洁基底的清洁水溶液，包含：
pH调节剂；
络合剂；
腐蚀抑制剂；和
以下中的一种或多种：
增溶剂，
电介质蚀刻剂，和
表面活性剂，
其中所述清洁溶液的pH小于或等于3。
60.根据权利要求59的清洁水溶液，其中所述pH调节剂大体上是非络合的。
61.根据权利要求59的清洁水溶液，其中所述pH调节剂包含第一酸而所述络合剂包含第二酸。
62.根据权利要求59的清洁水溶液，其中：
所述pH调节剂包含硫酸、磺酸、甲磺酸、苯磺酸、三氟甲磺酸、次磷酸、草酸、卤代羧酸、三氟乙酸、乙炔二酸、方酸、二羟基富马酸、马来酸或其混合物；和
所述络合剂包含羧酸、羟基羧酸、柠檬酸、草酸、膦酸、羟基乙叉二磷酸、植酸或其混合物。
63.根据权利要求59的清洁水溶液，其中所述pH调节剂包含强酸。
64.根据权利要求59的清洁水溶液，其中：
所述pH调节剂包含硫酸、磺酸、甲磺酸、苯磺酸、三氟甲磺酸、次磷酸、草酸、卤代羧酸、三氟乙酸、乙炔二酸、方酸、二羟基富马酸、马来酸或其混合物；
所述络合剂包含羧酸、羟基羧酸、柠檬酸、草酸、膦酸、羟基乙叉二磷酸、植酸或其混合物；
所述腐蚀抑制剂包含三唑、苯并三唑、甲基-苯并三唑、5-甲基-苯并三唑、羧基-苯并三唑、羟基苯并三唑、巯基苯并噻唑、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚胺、聚亚胺、聚烷基亚胺、聚乙烯亚胺、长链烷基胺、四唑、磷酸盐、无机磷酸盐、烷基磷酸盐、正磷酸盐、偏磷酸盐、亚磷酸盐、膦酸酯、氟烷基磷酸盐、硅酸盐、烷基膦酸酯、氟烷基膦酸酯、烷氧基硅烷、亚硝酸盐、亚硝酸二环己胺、其衍生物和其组合物；
所述增溶剂包含如下中的一种或多种：二甲基亚砜、乙二醇、丙二醇、2-正丁氧基乙醇和异丙醇；
所述电介质蚀刻剂包含如下中的一种或多种：氢氟酸、四氟硼酸、六氟硅酸，以及氢氟酸、四氟硼酸、六氟硅酸盐的非碱金属盐，及其混合物；
所述表面活性剂包含阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂、两性表面活性剂或其组合物；
所述清洁水溶液的pH小于或等于3。
65.根据权利要求59的清洁水溶液，其中：
所述pH调节剂的浓度在0-0.1M及纳入其中的所有范围内；
所述络合剂的浓度在0.1-200mM及纳入其中的所有范围内；
所述腐蚀抑制剂的浓度在0.1-50mM及纳入其中的所有范围内；
所述增溶剂的浓度在0-200mL/L及纳入其中的所有范围内；
所述电介质蚀刻剂的浓度在1-100mM及纳入其中的所有范围内；
所述表面活性剂的浓度在0-2000ppm及纳入其中的所有范围内；
所述清洁水溶液的pH小于或等于3。
66.根据权利要求59的清洁水溶液，其中：
所述pH调节剂的浓度小于0.1M并包含硫酸、磺酸、甲磺酸、苯磺酸、三氟甲磺酸、次磷酸、草酸、卤代羧酸、三氟乙酸、乙炔二酸、方酸、二羟基富马酸、马来酸或其混合物；
所述络合剂的浓度为0.1-200mM并包含羧酸、羟基羧酸、柠檬酸、草酸、膦酸、羟基乙叉二磷酸、植酸或其组合物；
所述腐蚀抑制剂的浓度为0.1-50mM并包含三唑、苯并三唑、甲基-苯并三唑、5-甲基-苯并三唑、羧基-苯并三唑、羟基苯并三唑、巯基苯并噻唑、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚胺、聚亚胺、聚烷基亚胺、聚乙烯亚胺、长链烷基胺、四唑、磷酸盐、无机磷酸盐、烷基磷酸盐、正磷酸盐、偏磷酸盐、亚磷酸盐、膦酸酯、氟烷基磷酸盐、硅酸盐、烷基膦酸酯、氟烷基膦酸酯、烷氧基硅烷、亚硝酸盐、亚硝酸二环己胺、其衍生物或其组合物；
所述增溶剂以小于200mL/L的浓度存在并包含以下中的一种或多种：伯醇、仲醇、叔醇、多元醇、乙二醇、丙二醇、2-正丁氧基乙醇、二甲基亚砜、碳酸丙烯酯及其组合物；
所述电介质蚀刻剂以1-100mM的浓度存在并包含以下中的一种或多种：氢氟酸、四氟硼酸、六氟硅酸，以及氢氟酸、四氟硼酸、六氟硅酸的非碱金属盐，及其混合物；
所述表面活性剂以小于2000ppm的浓度存在并包含阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂、两性表面活性剂或其组合物；
所述清洁水溶液的pH小于或等于3。
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