KR20110051227A - 기판용 세정 용액 조성물 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 186
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title description 25
- 238000009472 formulation Methods 0.000 title 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 94
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 94
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 93
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 31
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 17
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 114
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 84
- -1 triazole compound Chemical class 0.000 claims description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 73
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 72
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 70
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims description 67
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 38
- 239000002211 L-ascorbic acid Substances 0.000 claims description 36
- 235000000069 L-ascorbic acid Nutrition 0.000 claims description 36
- 229940123973 Oxygen scavenger Drugs 0.000 claims description 30
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 claims description 30
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 29
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical class OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid group Chemical group S(O)(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- BAERPNBPLZWCES-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxy-1-phosphonoethyl)phosphonic acid Chemical compound OCC(P(O)(O)=O)P(O)(O)=O BAERPNBPLZWCES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1H-benzotriazole Chemical compound C1=C(C)C=CC2=NNN=C21 LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 14
- IMQLKJBTEOYOSI-GPIVLXJGSA-N Inositol-hexakisphosphate Chemical compound OP(O)(=O)O[C@H]1[C@H](OP(O)(O)=O)[C@@H](OP(O)(O)=O)[C@H](OP(O)(O)=O)[C@H](OP(O)(O)=O)[C@@H]1OP(O)(O)=O IMQLKJBTEOYOSI-GPIVLXJGSA-N 0.000 claims description 13
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- IMQLKJBTEOYOSI-UHFFFAOYSA-N Phytic acid Natural products OP(O)(=O)OC1C(OP(O)(O)=O)C(OP(O)(O)=O)C(OP(O)(O)=O)C(OP(O)(O)=O)C1OP(O)(O)=O IMQLKJBTEOYOSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000000467 phytic acid Substances 0.000 claims description 13
- 235000002949 phytic acid Nutrition 0.000 claims description 13
- 229940068041 phytic acid Drugs 0.000 claims description 13
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 11
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 11
- 150000002826 nitrites Chemical class 0.000 claims description 11
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical class C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Natural products CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 claims description 8
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 claims description 8
- YTIVTFGABIZHHX-UHFFFAOYSA-N butynedioic acid Chemical class OC(=O)C#CC(O)=O YTIVTFGABIZHHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 claims description 8
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- JMTMSDXUXJISAY-UHFFFAOYSA-N 2H-benzotriazol-4-ol Chemical class OC1=CC=CC2=C1N=NN2 JMTMSDXUXJISAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-carboxylic acid Chemical class OC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical class CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims description 7
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000005600 alkyl phosphonate group Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 claims description 7
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 claims description 7
- BZCOSCNPHJNQBP-OWOJBTEDSA-N dihydroxyfumaric acid Chemical class OC(=O)C(\O)=C(/O)C(O)=O BZCOSCNPHJNQBP-OWOJBTEDSA-N 0.000 claims description 7
- 150000004761 hexafluorosilicates Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000005341 metaphosphate group Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 7
- GEVPUGOOGXGPIO-UHFFFAOYSA-N oxalic acid;dihydrate Chemical compound O.O.OC(=O)C(O)=O GEVPUGOOGXGPIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 7
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 claims description 7
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 claims description 7
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 claims description 7
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 7
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 claims description 7
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 7
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 7
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PWEBUXCTKOWPCW-UHFFFAOYSA-N squaric acid Chemical class OC1=C(O)C(=O)C1=O PWEBUXCTKOWPCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000003509 tertiary alcohols Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 claims description 7
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CIWBSHSKHKDKBQ-SZSCBOSDSA-N 2-[(1s)-1,2-dihydroxyethyl]-3,4-dihydroxy-2h-furan-5-one Chemical compound OC[C@H](O)C1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-SZSCBOSDSA-N 0.000 claims description 6
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000003138 primary alcohols Chemical class 0.000 claims description 6
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 claims description 6
- 150000003333 secondary alcohols Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 5
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- NPZTUJOABDZTLV-UHFFFAOYSA-N hydroxybenzotriazole Substances O=C1C=CC=C2NNN=C12 NPZTUJOABDZTLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 5
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 5
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 claims description 5
- CIWBSHSKHKDKBQ-MVHIGOERSA-N D-ascorbic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-MVHIGOERSA-N 0.000 claims description 4
- 150000000996 L-ascorbic acids Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052816 inorganic phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QAIPRVGONGVQAS-DUXPYHPUSA-N trans-caffeic acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C1=CC=C(O)C(O)=C1 QAIPRVGONGVQAS-DUXPYHPUSA-N 0.000 claims description 4
- PQUCIEFHOVEZAU-UHFFFAOYSA-N Diammonium sulfite Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S([O-])=O PQUCIEFHOVEZAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- FDALDWWTCHMERF-UHFFFAOYSA-L tetramethylazanium;sulfite Chemical compound [O-]S([O-])=O.C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C FDALDWWTCHMERF-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- ACEAELOMUCBPJP-UHFFFAOYSA-N (E)-3,4,5-trihydroxycinnamic acid Natural products OC(=O)C=CC1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 ACEAELOMUCBPJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CWVRJTMFETXNAD-FWCWNIRPSA-N 3-O-Caffeoylquinic acid Natural products O[C@H]1[C@@H](O)C[C@@](O)(C(O)=O)C[C@H]1OC(=O)\C=C\C1=CC=C(O)C(O)=C1 CWVRJTMFETXNAD-FWCWNIRPSA-N 0.000 claims description 2
- PZIRUHCJZBGLDY-UHFFFAOYSA-N Caffeoylquinic acid Natural products CC(CCC(=O)C(C)C1C(=O)CC2C3CC(O)C4CC(O)CCC4(C)C3CCC12C)C(=O)O PZIRUHCJZBGLDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CWVRJTMFETXNAD-KLZCAUPSSA-N Neochlorogenin-saeure Natural products O[C@H]1C[C@@](O)(C[C@@H](OC(=O)C=Cc2ccc(O)c(O)c2)[C@@H]1O)C(=O)O CWVRJTMFETXNAD-KLZCAUPSSA-N 0.000 claims description 2
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000004883 caffeic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940074360 caffeic acid Drugs 0.000 claims description 2
- CWVRJTMFETXNAD-JUHZACGLSA-N chlorogenic acid Chemical compound O[C@@H]1[C@H](O)C[C@@](O)(C(O)=O)C[C@H]1OC(=O)\C=C\C1=CC=C(O)C(O)=C1 CWVRJTMFETXNAD-JUHZACGLSA-N 0.000 claims description 2
- 235000001368 chlorogenic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940074393 chlorogenic acid Drugs 0.000 claims description 2
- FFQSDFBBSXGVKF-KHSQJDLVSA-N chlorogenic acid Natural products O[C@@H]1C[C@](O)(C[C@@H](CC(=O)C=Cc2ccc(O)c(O)c2)[C@@H]1O)C(=O)O FFQSDFBBSXGVKF-KHSQJDLVSA-N 0.000 claims description 2
- BMRSEYFENKXDIS-KLZCAUPSSA-N cis-3-O-p-coumaroylquinic acid Natural products O[C@H]1C[C@@](O)(C[C@@H](OC(=O)C=Cc2ccc(O)cc2)[C@@H]1O)C(=O)O BMRSEYFENKXDIS-KLZCAUPSSA-N 0.000 claims description 2
- QAIPRVGONGVQAS-UHFFFAOYSA-N cis-caffeic acid Natural products OC(=O)C=CC1=CC=C(O)C(O)=C1 QAIPRVGONGVQAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BTVWZWFKMIUSGS-UHFFFAOYSA-N dimethylethyleneglycol Natural products CC(C)(O)CO BTVWZWFKMIUSGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MWDZOUNAPSSOEL-UHFFFAOYSA-N kaempferol Natural products OC1=C(C(=O)c2cc(O)cc(O)c2O1)c3ccc(O)cc3 MWDZOUNAPSSOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IQPNAANSBPBGFQ-UHFFFAOYSA-N luteolin Chemical compound C=1C(O)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(O)C(O)=C1 IQPNAANSBPBGFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000009498 luteolin Nutrition 0.000 claims description 2
- LRDGATPGVJTWLJ-UHFFFAOYSA-N luteolin Natural products OC1=CC(O)=CC(C=2OC3=CC(O)=CC(O)=C3C(=O)C=2)=C1 LRDGATPGVJTWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 2
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229940068984 polyvinyl alcohol Drugs 0.000 claims 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 210000001217 buttock Anatomy 0.000 claims 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 239000008279 sol Substances 0.000 claims 1
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 156
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Etidronic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M Nitrite anion Chemical compound [O-]N=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 2
- AQSJGOWTSHOLKH-UHFFFAOYSA-N phosphite(3-) Chemical class [O-]P([O-])[O-] AQSJGOWTSHOLKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L sulfite Chemical class [O-]S([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYVFRCHFRAPULL-UHFFFAOYSA-N [B].[P].[W].[Co] Chemical compound [B].[P].[W].[Co] VYVFRCHFRAPULL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co][Ni][Co] NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPNWDVUTVSTKMV-UHFFFAOYSA-N cobalt tungsten Chemical compound [Co].[W] JPNWDVUTVSTKMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 125000001273 sulfonato group Chemical group [O-]S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02041—Cleaning
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
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- C11D7/10—Salts
- C11D7/16—Phosphates including polyphosphates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/261—Alcohols; Phenols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
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- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
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Abstract
부식 방지제, 가용화제, 산소 포획제, 및 pH 조절제로서도 또한 가능한 착화제를 포함하는, 본 발명의 일 실시형태에 의한 세정 용액이 존재한다. 본 발명의 다른 실시형태는 pH 조절제, 부식 방지제 및 선택적으로 착화제를 포함한다. 세정 용액은 선택적으로 존재하는 가용화제를 가질 수 있고, 선택적으로 존재하는 계면활성제를 가질 수도 있으며, 그리고 선택적으로 존재하는 유전체 에천트를 가질 수도 있다.
Description
본 발명은 집적 회로와 같은 전기 디바이스의 제조와 관련된 것으로, 보다 구체적으로, 본 발명은 금속화 구조를 형성하기 위해서 캡 및 유전체를 갖는 금속 라인들을 구비하는 기판용 세정 용액 조성물에 관한 것이다.
무전해 도금 캡은 금속화 구조의 전자 이동 및 스트레스 이동 특성을 개선하기 위해 전자 디바이스에서 사용될 수 있다. 무전해 퇴적 (deposition) 프로세스는 습식 화학 공정이다. 이러한 공정은 기판을 세정하기 위한 습식 세정 공정과 함께 종종 적용된다. 많은 세정 애플리케이션을 위한 액체 용액들이 알려져 있지만, 본 발명자는 새롭고 및/또는 개선된 세정 용액 조성물 및 전자 디바이스의 제작을 위해 기판을 세정하기에 적합한 방법에 대한 필요성을 인식하였다.
본 발명은 전자 디바이스의 제조에 관련된다. 본 발명의 일 실시형태는 부식 방지제, 가용화제, 산소 포획제, 및 pH 조절제로서도 또한 가능한 착화제를 포함하는 세정 용액이다. 본 발명의 다른 실시형태는 pH 조절제, 부식 방지제 및 선택적으로 착화제를 포함할 수 있는 세정 용액이고; 세정 용액은 또한 가용화제, 유전체 에천트, 및 계면활성제 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
본 발명은 하기 설명에 기재된 컴포넌트들의 배열 및 구성의 세부에 그 애플리케이션이 제한되지 않음을 이해한다. 본 발명은 다른 실시형태일 수 있으며, 다양한 방식으로 실행 및 수행될 수 있다. 또한, 본 명세서에 채택된 어법 (phraseology) 및 용어 (terminology) 는 설명을 위한 것이며, 제한으로 간주되어서는 안됨을 이해한다.
하기 정의된 용어에 대해서는, 이 명세서의 청구항 또는 다른 부분에서 다른 정의가 주어지지 않는 한, 이들 정의가 적용된다. 모든 수치 값은 본 명세서에서, 명확하게 나타냈는지의 여부를, 용어 "약"에 의해 변경되는 것으로 정의된다. 용어 "약" 은 일반적으로, 당업자들이 실질적으로 동일한 특성, 기능, 결과 등을 만들어내기 위해 언급된 값과 등가일 것으로 생각하는 수치 범위를 말한다. 낮은 값 및 높은 값으로 나타낸 수치 범위는 그 수치 범위 내에 포함되는 모든 수들 및 그 수치 범위 내에 포함되는 모든 부범위들 (subranges) 을 포함하는 것으로 정의된다. 예로서, 범위 10 ~ 15 는, 이에 한정되지 않지만, 10, 10.1, 10.47, 11, 11.75 ~ 12.2, 12.5, 13 ~ 13.8, 14, 14.025, 및 15 를 포함한다.
본 발명은 집적 회로와 같은 전자 디바이스를 위한 다마신 금속화 구조를 형성하는 캡 및 유전체와 함께 전기 전도성 금속을 사용하는 상호접속 금속화에 관련된 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 전자 디바이스용 기판을 세정하기 위한 세정 용액 조성물 측에 관한 것이다. 일부 애플리케이션에 있어서, 상호접속 금속화 층은 유전체 및 금속, 예컨대 구리를 포함한다.
본 발명의 실시형태는 이하의 집적 회로의 제조시 사용되는 반도체 웨이퍼, 예컨대, 실리콘 웨이퍼를 프로세싱하는 내용에서 주로 논의된다. 집적 회로를 위한 금속화 층은 다마신 및/또는 듀얼 다마신 유전체 구조로 형성된 금속 라인으로서 구리를 포함한다. 구리 금속 라인은 무전해로 퇴적된 캡을 갖는다. 일부 바람직한 캡은 다원소 합금, 예컨대, 코발트 합금, 코발트-텅스텐 합금, 코발트-텅스텐-포스포러스-붕소 합금, 코발트-니켈 합금, 및 니켈 합금이다. 선택적으로, 유전체는 로우 k 유전체 재료, 예컨대, 탄소 도핑된 규소 산화물 (SiOC:H) 이다. 하지만, 본 발명에 의한 실시형태가 다른 반도체 디바이스, 구리 이외의 금속, 니켈 및/또는 코발트 이외의 금속을 가진 캡, 및 반도체 웨이퍼 이외의 웨이퍼에 사용될 수 있음을 이해한다.
일부 애플리케이션에 있어서, 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액은 캡의 퇴적 이후에 기판을 세정하기 위해 사용될 수 있다. 세정 용액은 캡핑된 구리 상호접속 구조 사이의 유전체 표면 상에 남아있는 이온들과 같은 오염물을 제거할 수 있다. 그러한 오염물 제거는 개선된 누설 전류 특성, 개선된 전압 파괴 특성, 및 개선된 시간-의존적 유전체 파괴 성능과 같은 결과를 만들 수 있다.
섹션 1
본 발명의 일 실시형태에 따른 세정 용액은 부식 방지제, 가용화제, 산소 포획제, 및 pH 조절제로서도 또한 가능한 착화제를 포함한다. 선택적으로, 본 발명의 일부 실시형태에 있어서 세정 용액은 수용액이다. 하지만, 본 발명의 다른 실시형태는, 물 대신에 비수성 액체가 사용되는 비수성 세정 용액일 수 있다.
일반적으로, 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액은 pH 가 3 이하이다. 선택적으로, 세정 용액의 pH 는 일부 실시형태에 있어서 2.5 이하일 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시형태는 약 2.3 까지의 pH 를 가지는 세정 용액을 포함한다.
부식 방지제(들)
상기에서 언급된 바와 같이, 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액은 부식 방지제를 포함한다. 선택적으로 세정 용액은 하나 초과의 부식 방지제를 함유할 수 있다. 부식 방지제의 기능 중 하나는 실질적으로 세정 용액에서의 캡의 용해를 지연시키거나 또는 캡을 보호하는 것일 수 있다. 일부 애플리케이션에 있어서, 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액은, 캡의 두께 감소가 무시할 정도로 또는 실질적으로 없이 기판을 세정하도록 구성된다. 하나 이상의 부식 방지제가 그 목적을 위해서 본 발명의 실시형태에서 포함될 수 있다.
많은 화합물이 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액에서의 부식 방지제로서 사용하기에 적합하다. 본 발명의 실시형태를 위한 부식 방지제의 리스트는, 이에 한정되지 않지만, 트리아졸 및 그 유도체들, 예컨대, 벤조트리아졸, 메틸-벤조트리아졸, 5-메틸-벤조트리아졸 (Chemical Abstracts Services (CAS) # [136-85-6]), 카르복시-벤조트리아졸, 히드록시벤조트리아졸, 및 유도체들, 예컨대, 메르캅토벤조티아졸; 폴리비닐피롤리돈; 폴리비닐알코올 및 그 유도체들; 폴리아민; 폴리이민; 폴리알킬이민; 폴리에틸렌이민; 장쇄 알킬아민; 테트라졸; 포스페이트, 예컨대, 이에 한정되지는 않지만 무기 포스페이트, 알킬포스페이트, 플루오르알킬포스페이트; 메타포스페이트; 포스파이트; 포스포네이트, 예컨대, 이에 한정되지는 않지만 알킬포스포네이트; 플루오로알킬포스포네이트; 실리케이트; 알콕시실란, 나이트라이트; 비시클로헥실암모늄 나이트라이트; 그 유도체들; 및 그 조합물들을 포함한다.
일반적으로, 부식 방지제의 유효량이 세정 용액에 제공된다. 즉, 세정 용액 내의 부식 방지제의 양은, 세정 용액이 기판을 세정함에 있어서 효과적이고, 만족스러운 캡의 부식 방지를 제공하도록 선택된다. 본 발명의 일부 실시형태에 있어서, 세정 용액은 하나 이상의 부식 방지제를 함유하며, 각각의 부식 방지제는 세정 용액 내에 0.1 ~ 50 mM (millimolar) 의 농도 범위로 존재한다. 본 발명의 실시형태에 따른 일부 세정 용액에 대한 옵션으로서, 부식 방지제는 0.1 ~ 10000 ppm (parts per million) 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 존재한다. 다른 옵션으로서, 부식 방지제는 100 ~ 2000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 존재한다.
본 발명의 구체적인 실시형태에 의한 세정 용액은, 이에 한정되지는 않지만 다음과 같다. 부식 방지제가 트리아졸 화합물인 세정 용액. 부식 방지제가 톨루올 트리아졸 또는 벤조트리아졸을 포함하는 세정 용액. 부식 방지제가 0.1 ~ 10000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 트리아졸 화합물을 포함하는 세정 용액. 부식 방지제가 100 ~ 2000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 트리아졸 화합물을 포함하는 세정 용액.
가용화제(들)
옵션으로서, 본 발명의 일부 실시형태는 하나 이상의 가용화제를 또한 함유하는 세정 용액을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시형태에서의 가용화제는, 액체에서 단지 부분적으로 용해될 수 있는 다른 재료의 물과 같은 액체에서 용해성을 증가시키는 물질이다. 본 발명의 일부 실시형태를 위한 가용화제는, 세정 용액에 대해 단일상 (single phase) 을 제조하기 위해서 하나 이상의 부식 방지제의 용해성을 증가시키도록 제공될 수 있다. 일부의 경우, 가용화제는, 수성 용액인 본 발명의 실시형태에 있어서 물에 부식 방지제를 용해하도록 제공될 수 있고, 부식 방지제는 물에서의 용해성이 낮거나 또는 불충분하다. 선택적으로, 가용화제는 기판의 표면으로부터 유기 오염물을 제거하는 것을 돕는 등의 작업을 수행하기 위해서 포함될 수도 있다.
많은 화합물들이 본 발명의 실시형태에서의 가용화제로 사용하기에 적합하다. 본 발명의 실시형태를 위한 가용화제의 리스트는 이에 한정되지 않지만, 1차 알코올, 2차 알코올, 3차 알코올, 이소프로필 알코올, 다수의 히드록시기를 가지는 알코올, 예컨대, 폴리올, 글리콜, 에틸렌 글리콜 (CAS # [107-21-1]), 프로필렌 글리콜, 2-n-부톡시에탄올, 디메틸술폭시드 (DMSO), 프로필렌카보네이트, 및 그 조합물들을 포함한다. 본 발명의 일부 실시형태는 세정 용액에 존재하는 하나 이상의 가용화제를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시형태는 가용화제의 유효량을 사용한다. 이것은, 세정 용액에 존재하는 가용화제의 양이 단일상 용액을 제조하기 위해서 효과적이라는 것을 의미한다. 구체적인 양은 세정 용액에 포함되는 부식 방지제의 특성 및 양과 같은 인자들에 의존한다. 일부 부식 방지제는 가용화제의 사용을 요구할 수 있는 반면, 다른 부식 방지제는 수성 세정 용액 또는 다른 비수성 세정 용액에 대해 충분한 수용성을 가질 수 있어 가용화제가 세정 용액에 요구되지 않는다. 본 발명의 하나 이상의 실시형태에 의한 수성 세정 용액에 대해서, 가용화제의 양은 세정 용액의 0 에서 약 200 mL/L (milliliters/liter) 까지의 농도로 존재할 수 있다.
산소 포획제(들)
본 발명의 일부 실시형태에 의한 세정 용액은 하나 이상의 산소 포획제를 포함한다. 산소 포획제는 세정 용액으로부터 용존 산소 또는 다른 산화 종을 제거하기 위해 사용될 수 있다. 보다 구체적으로, 산소 포획제는 세정 용액에서의 용존 산소 또는 다른 산화 종의 농도를 감소시킨다. 일부 애플리케이션에 있어서, 용존 산소의 양은, 용존 산소 또는 다른 산화 종에 의한 캡의 산화를 실질적으로 방지하기 위해서 최소로 유지된다.
많은 화합물이 용존 산소 또는 다른 산화 종을 위한 산소 포획제로서 사용하기에 적합하다. 본 발명의 실시형태에 대한 산소 포획제의 리스트는, 이에 한정되지 않지만, L-아스코르브산 (CAS # [50-81-7]), D-아스코르브산, 아스코르브산의 유도체들, 클로로겐산, 카페인산, 루테올린, 설파이트, 예컨대, 이에 한정되지는 않지만, 암모늄 설파이트 및 테트라메틸암모늄 설파이트, 및 그 조합물들을 포함한다.
일반적으로, 하나 이상의 산소 포획제의 유효량이 본 발명의 실시형태에 의한 세정 용액에 포함된다. 본 발명의 일부 실시형태는 약 0 ~ 10000 ppm 범위이고 그 범위 내에 모든 부범위들이 포함되는 양으로 세정 용액에 존재하는 하나 이상의 산소 포획제를 포함한다. 다른 실시형태에서, 산소 포획제는 1000 ~ 5000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 세정 용액에 존재한다. 본 발명의 하나 이상의 실시형태는 세정 용액에서의 용존 산소의 농도를 1 ppm 미만으로 유지한다. 본 발명의 일부 실시형태에 있어서, 낮은 레벨의 용존 산소가 하나 이상의 산소 포획제의 유효량을 제공함으로써 획득된다.
본 발명의 구체적인 실시형태에 의한 세정 용액은, 이에 한정되지 않지만, 다음와 같다: 산소 포획제가 0 ~ 10000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 L-아스코르브산을 포함하는 세정 용액. 산소 포획제가 1000 ~ 5000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 L-아스코르브산을 포함하는 세정 용액.
착화제(들) / pH 조절제(들)
본 발명의 일부 실시형태에 의한 세정 용액에서의 착화제는, 금속 이온들과 착화물을 형성할 수 있기 위해서 관능기들을 가지고, 또한 세정 용액의 pH 를 조절할 수 있기 위해서 하나 이상의 관능기를 가진다. 보다 구체적으로, 착화제는 또한 세정 용액의 pH 를 약 3 이하로 유지하기 위해서 pH 조절제로서 기능할 수도 있다. 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액에 대한 착화제는 Lars Gunnar Sillen 및 Arthur E. Martell 에 의한 "Stability Constants of Metal-Ion Complexes: Inorganic Ligands, Organic Ligands; and Supplement," 2 권 세트 (특별판 (Special Publication) 제 17 호 및 증보판 제 1 호), 1972 년에서 찾을 수 있으며, 이는 그 전체가 본 명세서에서 참조로서 포함된다. pH 조절제일 수 있는 착화제의 리스트는, 이에 한정되지 않지만, 옥살산 (CAS # [6153-56-6]), 피로포스포릭산, 히드록시에틸리덴 디포스폰산 (에티드론산, 에탄-1-히드록시-1,1-디포스폰산, 또는 HEDPA 으로도 또한 알려져 있는 CAS # [2809-21-4]), 피트산, 말론산, 말레산, 및 그 혼합물들을 포함한다.
일반적으로, 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액은 기판의 표면으로부터 제거되는 금속 이온과 함께 착물을 형성하고 pH 를 원하는 레벨로 유지하기 위해서, pH 조절제로서 기능할 수 있는 착화제의 유효량을 포함한다. 요구되는 구체적인 양은 착화제의 특성에 의존한다. 본 발명의 일부 실시형태에 있어서, 착화제의 양은 농도로 약 0.1 M (molar) 미만이거나 또는 중합체 산의 경우 농도로 약 50 g/L (grams/liter) 미만이다.
본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액은 많은 구체적인 조성물 중 임의의 것을 가질 수 있다. 세정 용액이 부식 방지제, 가용화제, 산소 포획제, 및 pH 조절제로서도 또한 가능한 착화제을 포함하는, 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액의 일부 선택적인 구체적인 조성물의 예는 이에 한정되지 않지만 다음을 포함한다.
부식 방지제가 트리아졸 화합물을 포함하고 산소 포획제가 L-아스코르브산을 포함하는 세정 용액. 부식 방지제가 톨루올 트리아졸 또는 벤조트리아졸을 포함하고 산소 포획제가 L-아스코르브산을 포함하는 세정 용액. 부식 방지제가 0.1 ~ 10000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 트리아졸 화합물을 포함하고 산소 포획제가 L-아스코르브산을 포함하는 세정 용액. 부식 방지제가 100 ~ 2000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 트리아졸 화합물을 포함하고 산소 포획제가 L-아스코르브산을 포함하는 세정 용액. 착화제가 옥살산, 피로포스포릭산, 히드록시에틸리덴 디포스폰산, 피트산, 말론산, 말레산, 또는 그 혼합물들을 포함하는 세정 용액.
가용화제가 1차 알코올, 2차 알코올, 3차 알코올, 폴리올, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 2-n-부톡시에탄올, 디메틸술폭시드, 프로필렌카보네이트, 또는 그 조합물들을 포함하는 세정 용액. 가용화제가 디메틸술폭시드를 포함하는 세정 용액. 가용화제가 이소프로필 알코올을 포함하는 세정 용액.
부식 방지제가 트리아졸 화합물을 포함하고; 가용화제가 디메틸술폭시드, 에틸렌 글리콜, 및 이소프로필 알코올 중 하나 이상을 포함하고; 산소 포획제가 L-아스코르브산을 포함하며; 그리고 착화제가 옥살산, 피로포스포릭산, 히드록시에틸리덴 디포스폰산, 피트산, 말론산, 말레산, 또는 그 혼합물들을 포함하는 세정 용액. 부식 방지제가 톨루올 트리아졸 또는 벤조트리아졸을 포함하고; 용매가 디메틸술폭시드, 에틸렌 글리콜, 및 이소프로필 알코올 중 하나 이상을 포함하고; 산소 포획제가 L-아스코르브산을 포함하며; 그리고 착화제가 옥살산을 포함하는 세정 용액. 부식 방지제가 0.1 ~ 10000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 트리아졸 화합물을 포함하고; 산소 포획제가 L-아스코르브산을 포함하며; 그리고 착화제가 옥살산을 포함하는 세정 용액. 부식 방지제가 100 ~ 2000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 트리아졸 화합물을 포함하고; 산소 포획제가 L-아스코르브산을 포함하며; 그리고 착화제가 옥살산을 포함하는 세정 용액.
산소 포획제가 0 ~ 10000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 L-아스코르브산을 포함하고; 착화제는 옥살산을 포함하는 세정 용액. 산소 포획제가 1000 ~ 5000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 L-아스코르브산을 포함하며; 그리고 착화제가 옥살산을 포함하는 세정 용액.
착화제가 옥살산, 피로포스포릭산, 히드록시에틸리덴 디포스폰산, 피트산, 말론산, 말레산, 또는 그 혼합물들을 약 2 g/L ~ 약 50 g/L 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 포함하는 세정 용액. 부식 방지제가 약 0.1 ~ 약 10000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 트리아졸 화합물을 포함하고; 가용화제가 디메틸술폭시드, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 2-n-부톡시에탄올, 및 이소프로필 알코올 중 하나 이상을 약 200 mL/L 까지의 농도로 포함하고; 산소 포획제가 0 ~ 약 10000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 L-아스코르브산을 포함하며; 그리고 착화제가 약 0.5 ~ 약 20 g/L 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 옥살산을 포함하는 세정 용액.
부식 방지제가 트리아졸 화합물을 약 100 ~ 약 2000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 포함하고; 가용화제가 디메틸술폭시드, 에틸렌 글리콜, 및 이소프로필 알코올 중 하나 이상을 약 1 mL/L ~ 약 200 mL/L 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 포함하고; 산소 포획제가 L-아스코르브산을 약 1000 ~ 약 5000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 포함하며; 그리고 착화제가 옥살산을 약 0.5 ~ 약 20 g/L 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 포함하는 세정 용액.
부식 방지제가 5-메틸벤조트리아졸을 약 1 g/L 의 농도로 포함하고; 가용화제가 에틸렌 글리콜을 약 50 mL/L 의 농도로 포함하고; 산소 포획제가 L-(+)-아스코르브산을 약 1 g/L 의 농도로 포함하며; 그리고 착화제가 옥살산 이수화물을 약 10 g/L 의 농도로 포함하는 세정 용액. 부식 방지제가 트리아졸 화합물이고 가용화제가 디메틸술폭시드, 에틸렌 글리콜, 및 이소프로필 알코올 중 하나 이상을 포함하는 세정 용액.
부식 방지제가 톨루올 트리아졸 또는 벤조트리아졸을 포함하고 가용화제가 디메틸술폭시드, 에틸렌 글리콜, 및 이소프로필 알코올 중 하나 이상을 포함하는 세정 용액. 부식 방지제가 약 0.1 ~ 약 10000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 존재하고, 가용화제가 약 200 mL/L 까지의 농도로 존재하는 세정 용액. 부식 방지제가 약 100 ~ 약 2000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 존재하고, 가용화제가 약 1 mL/L ~ 약 200 mL/L 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 존재하는 세정 용액. 부식 방지제가 0.1 ~ 10000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 트리아졸 화합물을 포함하고, 가용화제가 디메틸술폭시드, 에틸렌 글리콜, 및 이소프로필 알코올 중 하나 이상을 약 200 mL/L 까지의 농도로 포함하는 세정 용액. 부식 방지제가 트리아졸 화합물을 100 ~ 2000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 포함하고, 가용화제가 디메틸술폭시드, 에틸렌 글리콜, 및 이소프로필 알코올 중 하나 이상을 약 1 mL/L 내지 약 200 mL/L 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 포함하는 세정 용액.
부식 방지제가 5-메틸벤조트리아졸을 약 1 g/L 의 농도로 포함하고; 가용화제가 이소프로필 알코올을 약 50 mL/L 의 농도로 포함하고; 산소 포획제가 L-(+)-아스코르브산을 약 1 g/L 의 농도로 포함하며; 그리고 착화제가 옥살산 이수화물을 약 10 g/L 의 농도로 포함하는 세정 용액. 부식 방지제가 5-메틸벤조트리아졸을 약 1 g/L 의 농도로 포함하고; 가용화제가 디메틸술폭시드를 약 1000 mL/L 까지의 농도로 포함하고; 산소 포획제가 L-(+)-아스코르브산을 약 1 g/L 의 농도로 포함하며; 그리고 착화제가 옥살산 이수화물을 약 10 g/L 의 농도로 포함하는 세정 용액. 산소 포획제가 D-아스코르브산, 아스코르브산의 유도체, 및/또는 설파이트, 예컨대, 이에 한정되지는 않지만, 암모늄 설파이트 및 테트라메틸암모늄 설파이트를 포함하는 세정 용액.
본 발명의 일 실시형태에 따라서, 세정 용액은 가용화제로서 약 20 mL/L 의 디메틸 술폭시드를 함유한다. 본 발명의 일부 실시형태에 대한 옵션으로서, 세정 용액은 디메틸 술폭시드와 같은 비수성 용매를 포함하는 비수성 용액일 수도 있다. 보다 구체적으로, 세정 용액은 부식 방지제, 산소 포획제, 및 착화제가 내부에 용해된 디메틸 술폭시드와 같은 비수성 용매를 포함할 수 있다.
섹션 2
이하, 본 발명의 다른 실시형태에 의한 세정 용액을 위한 조성물의 리스트가 나타나있는 표 1을 참조한다. 세정 용액은 이에 한정되지 않지만 표 1에 나타낸 것을 포함한다. 세정 용액은 pH 조절제, 부식 방지제, 및 선택적으로 착화제를 포함할 수 있다. 표 1 은 또한, 세정 용액이 선택적으로 존재하는 가용화제를 가질 수 있고, 선택적으로 존재하는 계면활성제를 가질 수 있고, 그리고 선택적으로 존재하는 유전체 에천트를 가질 수 있음을 나타낸다.
본 발명의 일부 실시형태에 대한 옵션으로서, 세정 용액은 세정 용액의 주성분으로서 물을 가지는 수용액일 수 있다. 하지만, 본 발명의 다른 실시형태는, 용액의 주성분이 비수성 액체 용매일 수 있는 비수성 용액이기도 한 세정 용액이다.
일반적으로, 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액은 pH 가 3 이하이다. 선택적으로, 세정 용액의 pH 는 일부 실시형태에 있어서 2 이하일 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시형태는 약 2.3 까지의 pH 를 가지는 세정 용액을 포함한다.
pH 조절제(들)
본 발명의 일부 실시형태에 의한 세정 용액에서의 pH 조절제는 세정 용액의 pH 를 약 3 미만의 원하는 레벨로 유지할 수 있기 위해서 관능기를 가진다. 본 발명의 구체적인 실시형태에 있어서, 이것은 pH 조절제가 산성 세정 용액을 제조하기 위한 관능기를 가진다는 것을 의미할 수도 있다. 선택적으로, pH 조절제는 또한 착화제로서의 능력들도 가질 수 있다.
본 발명의 실시형태를 위한 pH 조절제의 리스트는, 이에 한정되지 않지만, 황산, 술폰산, 예컨대, 이에 한정되지 않지만, 메탄술폰산, 벤젠 술폰산, 및 트리플산, 히포포스포러스산, 옥살산, 할로겐화 카르복실산, 예컨대, 이에 한정되지 않지만, 트리플루오로아세트산, 아세틸렌디카르복실산, 스쿠아릭산, 디히드록시푸마르산, 말레산, 및 그 혼합물들을 포함한다. 옵션으로서, pH 조절제는 pKa 가 2 이하인 하나 이상의 산 (여기서, pKa 는 산 이온화 상수 (Ka) 의 음의 로그값임), 및 세정 용액을 3 이하의 원하는 산성 pH 로 조절하도록 할 수 있는 하나 이상의 산을 포함할 수 있다. 선택적으로, pH 조절제는 pKa 가 1.5 이하인 하나 이상의 산, 및 세정 용액을 3 이하의 원하는 산성 pH 로 조절하도록 할 수 있는 하나 이상의 산을 포함할 수 있다.
일반적으로, 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액은 pH 를 원하는 레벨로 유지하도록 pH 조절제의 유효량을 포함한다. 구체적인 요구량은 pH 조절제의 특성에 의존한다. 본 발명의 일부 실시형태에 있어서, 착화제의 양은 농도로 약 0 M ~ 약 0.1 M 이거나 또는 중합체 산의 경우 50 g/L 이다.
착화제(들)
본 발명의 일부 실시형태에 의한 세정 용액 내의 착화제는 금속 이온과 착물을 형성할 수 있도록 관능기를 가진다. 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액의 착화제는 Lars Gunnar Sillen 및 Arthur E. Martell 에 의한 "Stability Constants of Metal-Ion Complexes: Inorganic Ligands, Organic Ligands; and Supplement," 2 권 세트 (특별판 제 17 호 및 증보판 제 1 호), 1972 년에서 찾을 수 있으며, 이는 그 전체가 본 명세서에서 참조로써 포함된다. 많은 화합물이 본 발명의 실시형태에서 착화제로 사용하기에 적합하다. 본 발명의 실시형태를 위한 착화제의 리스트는, 이에 한정되지 않지만, 카르복실산, 히드록시카르복실산, 시트르산, 옥살산, 포스폰산, 예컨대, 이에 한정되지 않지만 히드록시에틸리덴 디포스폰산, 피트산, 및 그 조합물들을 포함한다. 일반적으로, 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액은 기판의 표면으로부터 제거된 금속 이온과 함께 착물을 형성할 수 있는 착화제의 유효량을 포함한다. 본 발명의 일부 실시형태는 각 착화제에 대해서 약 0.1 mM ~ 200 mM 농도 범위의 양으로 세정 용액 중에 존재하는 하나 이상의 착화제를 포함한다.
부식 방지제(들)
표 1에 나타낸 것과 같은 본 발명의 실시형태를 위한 세정 용액에서의 부식 방지제는, 섹션 1에서 상술한 부식 방지제와 본질적으로 동일하다.
가용화제(들)
표 1에 나타낸 것과 같은 본 발명의 실시형태를 위한 세정 용액에서의 가용화제는 섹션 1에서 상술한 부식 방지제와 본질적으로 동일하다.
계면활성제(들)
옵션으로서, 본 발명의 일부 실시형태에 의한 세정 용액은 하나 이상의 계면활성제, 즉, 표면 활성제를 포함할 수 있다. 계면활성제는 세정 동안 기판의 적절한 습윤 (wetting) 을 제공하도록 포함된다. 바람직하게, 기판의 전체 표면은 세정 용액에 의해 적절하게 습윤되어, 기판의 유전체 영역이 습윤되고 기판의 캡 영역이 습윤된다.
많은 화합물이 본 발명의 실시형태에서 계면활성제로 사용하기에 적합하다. 본 발명의 실시형태를 위한 계면 활성제의 리스트는, 이에 한정되지 않지만, 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제, 양쪽성 계면활성제, 및 그 조합물들을 포함한다. 본 발명의 일부 실시형태를 위한 음이온성 계면활성제의 일부는 설페이트 또는 술포네이트 헤드기를 가지는 계면활성제이다. 본 발명의 일부 실시형태에 의한 세정 용액은 각 계면활성제에 대한 조성물의 활성 성분에 대해서 약 0 ppm ~ 약 2000 ppm 범위의 양으로 존재하는 하나 이상의 계면활성제를 포함한다. 계면활성제의 분자량이 항상 알려져 있는 것은 아니다.
유전체 에천트(들)
옵션으로서, 본 발명의 일부 실시형태에 의한 세정 용액은 하나 이상의 유전체 에천트를 포함할 수 있다. 유전체 에천트는 세정 용액에 의해 세정될 기판의 유전체 층을 에칭할 수 있는 세정 용액의 성분이다. 유전체 에천트는 기판으로부터 오염물의 제거를 용이하게 하기 위해서 제공된다. 상기에 나타낸 바와 같이, 유전체층은 통상적으로 전자 디바이스 제조에 사용되는 유전체이다. 통상적인 유전체 층들은 규소 및 산소를 포함한다. 본 발명의 하나 이상의 실시형태는 탄소 도핑된 규소 산화물과 같은 로우 k 유전체를 대한 유전체 에천트를 포함한다. 본 발명의 실시형태를 위한 유전체 에천트의 리스트는, 이에 한정되지 않지만, 화합물, 예컨대 하이드로젠 플루오라이드, 하이드로젠 테트라플루오로보레이트, 하이드로젠 헥사플루오로실리케이트, 플루오라이드, 테트라플루오로보레이트, 및 헥사플루오로실리케이트의 비알칼리 금속 염들을 포함한다.
선택적으로, 유전체 에천트의 선택 및 세정 용액에서의 그 농도는, 유전체 층의 금속 오염된 표면의 구체적인 양의 제거를 제어하기 위한 파라미터로서 사용될 수 있다. 본 발명의 일부 실시형태에 있어서, 세정 용액에서의 유전체 에천트의 양은 1 mM ~ 100 mM 의 범위이다.
본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액은 많은 구체적인 조성물 중 어느 하나를 가질 수 있다. 세정 용액이 pH 조절제, 부식 방지제, 및 선택적으로 착화제를 포함하는, 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액의 일부 선택적인 구체적인 조성물의 예는 이에 한정되지 않지만 다음을 포함한다.
부식 방지제를 용해할 수 있는 가용화제를 또한 포함하는 세정 용액. 가용화제 및 계면활성제를 또한 포함하는 세정 용액. 가용화제, 유전체 에천트, 및 계면활성제 중 하나 이상을 또한 포함하는 세정 용액. 1차 알코올, 2차 알코올, 3차 알코올, 폴리올, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 2-n-부톡시에탄올, 디메틸술폭시드, 프로필렌카보네이트, 및 그 조합물들로 이루어진 그룹으로부터 선택된 가용화제를 또한 포함하는 세정 용액. 에틸렌 글리콜을 또한 포함하는 세정 용액. 이소프로필 알코올을 또한 포함하는 세정 용액. 디메틸술폭시드를 또한 포함하는 세정 용액. 착화제가 옥살산, 시트르산, 히드록시에틸리덴 디포스폰산, 또는 그 혼합물들을 포함하는 세정 용액.
부식 방지제가 트리아졸, 벤조트리아졸, 메틸-벤조트리아졸, 5-메틸-벤조트리아졸, 카르복시-벤조트리아졸, 히드록시벤조트리아졸, 메르캅토벤조티아졸, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알코올, 폴리아민, 폴리이민, 폴리알킬이민, 폴리에틸렌이민, 장쇄 알킬아민, 테트라졸, 오르토포스페이트, 메타포스페이트, 포스파이트, 포스포네이트, 플루오로알킬포스페이트, 실리케이트, 알킬포스포네이트, 플루오로알킬포스포네이트, 알콕시실란, 나이트라이트, 비시클로헥실암모늄 나이트라이트, 그 유도체들 및 그 조합물들 중 하나 이상을 포함하는 세정 용액.
계면활성제가 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제, 양쪽성 계면활성제, 또는 그 조합물들을 포함하는 세정 용액. 계면활성제가 설페이트 및/또는 술포네이트를 포함하는 세정 용액.
유전체 에천트가 규소-산소 화합물을 에칭하는 세정 용액. 유전체 에천트가 하이드로젠 플루오라이드, 하이드로젠 테트라플루오로보레이트, 하이드로젠 헥사플루오로실리케이트, 플루오라이드, 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로실리케이트의 비알칼리 금속 염들, 및 그 혼합물들 중 하나 이상을 포함하는 세정 용액.
세정 용액이 pH 조절제, 선택적인 착화제, 부식 방지제, 및 가용화제, 유전체 에천트, 및 계면활성제 중 하나 이상을 포함하는, 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액의 일부 선택적인 구체적인 조성물의 예는 이에 한정되지 않지만 다음을 포함한다.
pH 조절제가 황산, 술폰산, 메탄술폰산, 벤젠 술폰산, 트리플산, 히포포스포러스산, 옥살산, 할로겐화 카르복실산, 트리플루오로아세트산, 아세틸렌디카르복실산, 스쿠아릭산, 디히드록시푸마르산, 말레산, 또는 그 혼합물들을 포함하고; 착화제가 옥살산, 시트르산, 히드록시에틸리덴 디포스폰산, 피트산, 또는 그 혼합물들을 포함하고; 부식 방지제가 트리아졸, 벤조트리아졸, 메틸-벤조트리아졸, 5-메틸-벤조트리아졸, 카르복시-벤조트리아졸, 히드록시벤조트리아졸, 메르캅토벤조티아졸, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알코올, 폴리아민, 폴리이민, 폴리알킬이민, 폴리에틸렌이민, 장쇄 알킬아민, 테트라졸, 오르토포스페이트, 메타포스페이트, 포스파이트, 포스포네이트, 플루오로알킬포스페이트, 실리케이트, 알킬포스포네이트, 플루오로알킬포스포네이트, 알콕시실란, 나이트라이트, 비시클로헥실암모늄 나이트라이트, 그 유도체들, 및 그 조합물들을 포함하고; 가용화제가 디메틸술폭시드, 에틸렌 글리콜, 및 이소프로필 알코올 중 하나 이상을 포함하고; 유전체 에천트가 하이드로젠 플루오라이드, 하이드로젠 테트라플루오로보레이트, 하이드로젠 헥사플루오로실리케이트, 플루오라이드, 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로실리케이트의 비알칼리 금속 염들, 및 그 혼합물들 중 하나 이상을 포함하고; 그리고 계면활성제가 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제, 양쪽성 계면활성제, 또는 그 조합물들을 포함하는 수성 세정 용액; 및 pH 가 3 이하인 수성 세정 용액.
pH 조절제가 약 0 M ~ 약 0.1 M 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 범위들의 농도를 가지고; 착화제가 약 0.1 mM ~ 약 200 mM 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 범위들의 농도를 가지고; 부식 방지제가 약 0.1 mM ~ 약 50 mM 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 범위들의 농도를 가지고; 가용화제가 약 0 mL/L ~ 약 200 mL/L 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 범위들의 농도를 가지고; 유전체 에천트가 약 1 mM ~ 약 100 mM 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 범위들의 농도를 가지고; 그리고 계면활성제가 약 0 ppm ~ 약 2000 ppm 의 농도 및 그 범위 내에 포함되는 모든 범위들의 농도를 가지는 수성 세정 용액; 및 pH 가 3 이하인 수성 세정 용액.
약 0.1 M 미만의 농도를 가지고 황산, 술폰산, 메탄술폰산, 벤젠 술폰산, 트리플산, 히포포스포러스산, 옥살산, 할로겐화 카르복실산, 트리플루오로아세트산, 아세틸렌디카르복실산, 스쿠아릭산, 디히드록시푸마르산, 말레산, 또는 그 혼합물들을 포함하고; 착화제가 약 0.1 mM ~ 약 200 mM 의 농도를 가지고 카르복실산, 히드록시카르복실산, 시트르산, 옥살산, 포스폰산, 히드록시에틸리덴 디포스폰산, 피트산, 및 그 조합물들을 포함하고; 부식 방지제가 약 0.1 M ~ 약 50 mM 의 농도를 가지고 트리아졸, 벤조트리아졸, 메틸-벤조트리아졸, 5-메틸-벤조트리아졸, 카르복시-벤조트리아졸, 히드록시벤조트리아졸, 메르캅토벤조티아졸, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알코올, 폴리아민, 폴리이민, 폴리알킬이민, 폴리에틸렌이민, 장쇄 알킬아민, 테트라졸, 오르토포스페이트, 메타포스페이트, 포스파이트, 포스포네이트, 플루오로알킬포스페이트, 실리케이트, 알킬포스포네이트, 플루오로알킬포스포네이트, 알콕시실란, 나이트라이트, 비시클로헥실암모늄 나이트라이트, 그 유도체들, 및 그 조합물들을 포함하고; 가용화제가 200 mL/L 미만의 농도로 존재하고 1차 알코올, 2차 알코올, 3차 알코올, 폴리올, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 2-n-부톡시에탄올, 디메틸술폭시드, 프로필렌카보네이트, 및 그 조합물들 중 하나 이상을 포함하고; 유전체 에천트가 약 1 mM ~ 약 100 mM 의 농도로 존재하고 하이드로젠 플루오라이드, 하이드로젠 테트라플루오로보레이트, 하이드로젠 헥사플루오로실리케이트, 플루오라이드, 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로실리케이트의 비알칼리 금속 염들, 및 그 혼합물들 중 하나 이상을 포함하고; 계면활성제가 약 2000 ppm 미만의 농도로 존재하고 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제, 양쪽성 계면활성제, 또는 그 조합물들을 포함하는 수성 세정 용액; 및 pH 가 3 이하인 수정 세정 용액.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 수개의 선택적인 세정 용액이 나타나있는 표 2를 참조한다. 일반적으로, 표 2로부터의 세정 용액은 부식 방지제, 표 2에서 A1 로 나타낸 착화제, 및 표 2에서 A2 로 나타낸 pH 조절제를 포함한다. 착화제 A1 은 산이고 또한 pH 조절제 특성을 가질 수 있다. pH 조절제 A2 도 또한 산이다. 본 발명의 일부 실시형태에 있어서, pH 조절제 A2 는 강산이다. 바람직하게 pH 조절제 A2 는 실질적으로 비착화하고 실질적으로 비산화한다. 또한, pH 조절제 A2 가 세정 용액의 일부 애플리케이션에 있어서 비할로겐화물 산 (non-halide acid) 인 것이 바람직하다. 세정 용액은 선택적으로 가용화제 및/또는 선택적으로 계면활성제를 포함할 수 있다. 일부 실시형태에 있어서, 세정 용액은 약 3 미만의 pH 를 가진다. 선택적으로, pH 는 약 2 미만일 수도 있다.
표 2에 나타낸 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액의 일부 선택적인 구체적인 조성물의 예는 이에 한정되지 않으나 다음을 포함한다. pH 조절제가 실질적으로 비착화하는 수성 세정 용액. pH 조절제가 제 1 산을 포함하고 착화제가 제 2 산을 포함하는 수성 세정 용액. pH 조절제가 강산을 포함하는 수성 세정 용액. pH 조절제가 황산, 술폰산, 메탄술폰산, 벤젠 술폰산, 트리플산, 히포포스포러스산, 옥살산, 할로겐화 카르복실산, 트리플루오로아세트산, 아세틸렌디카르복실산, 스쿠아릭산, 디히드록시푸마르산, 말레산, 또는 그 혼합물들을 포함하고; 착화제가 옥살산, 시트르산, 히드록시에틸리덴 디포스폰산, 또는 그 혼합물들을 포함하는 수성 세정 용액.
옵션으로서, 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액을 사용하는 기판 세정 공정은, 세정 용액을 기판에 도포하기 위한 브러시를 사용하여 수행될 수 있다. 선택적으로, 그 공정은, 기판을 세정 용액에 딥핑 또는 침지시키거나, 기판을 세정 용액으로 린싱하거나, 세정 용액 기판 상에 분사하거나, 그리고 세정 용액을 근접 헤드를 이용하여 도포하거나 하는 방법에 의해서, 세정 용액을 기판에 도포함으로써 수행될 수 있다. 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액의 세정 효율은, 세정 동안 기판에 울트라소닉 또는 메가소닉 에너지를 가하거나 하는 공정을 이용하고 및/또는 세정 동안 승온을 이용함으로써 더욱 개선될 수 있다. 일부 애플리케이션에 있어서, 세정 용액은 약 5℃ ~ 약 90℃ 범위의 온도에서 사용된다. 본 발명의 실시형태에 따른 세정 용액은 캡 층의 퇴적 이후 기판들을 세정하기 위해 도포될 수 있다.
상기 명세서에서, 본 발명은 구체적인 실시형태를 참조하여 설명되었다. 하지만, 당업자는 각종 변경 및 변화가 아래의 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서 이루어질 수 있음을 이해한다. 따라서, 명세서는 제한적인 의미라기 보다는 예시적인 것으로 간주되어야 하며, 그러한 모든 변경은 본 발명의 범위 내에 포함되는 것으로 의도된다.
혜택, 다른 이점, 및 문제에 대한 해결책이 구체적인 실시형태와 관련하여 상술되었다. 하지만, 혜택, 이점, 문제에 대한 해결책, 및 임의의 혜택, 이점, 또는 해결책을 발생 또는 보다 현저하게 할 수 있는 임의의 엘리먼트(들)이, 임의의 청구항 또는 모든 청구항의 중요하거나, 필요하거나, 또는 필수적인 특징 또는 엘리먼트로서 해석되어서는 안된다.
본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "포함하다 (comprises)", "포함하는 (comprising)", "포함하다 (includes)", "포함하는 (including)", "가지다 (has)", "가지는 (having)", "적어도 하나 (at least one of)" 또는 이들의 임의의 다른 변형은 비배타적인 포함을 커버하도록 의도된다. 예를 들어, 엘리먼트들의 리스트를 포함하는 공정, 방법, 아티클 또는 장치는 반드시 이들 엘리먼트들에 한정되는 것은 아니지만, 그러한 공정, 방법, 아티클 또는 장치에 고유하거나 또는 명확하게 열거되지 않은 다른 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 또한, 반대로 명확하게 언급되지 않는 한, "또는" 은 포함적 논리합 (inclusive or) 이고 배타적 논리합 (exclusive or) 이 아닌 것을 말한다. 예를 들어, 조건 A 또는 B 는 다음 중 어느 하나에 의해 만족된다: A 는 참 (또는 존재) 및 B 는 거짓 (또는 비존재), A 는 거짓 (또는 비존재) 및 B 는 참 (또는 존재), 그리고 A 및 B 의 양자는 참 (또는 존재).
Claims (66)
- 부식 방지제;
가용화제;
산소 포획제; 및
pH 조절제로서도 또한 가능한 착화제를 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 트리아졸 화합물인, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 톨루올 트리아졸 또는 벤조트리아졸을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 0.1 ~ 10000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들 (subranges) 의 농도로 존재하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 100 ~ 2000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 존재하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 0.1 ~ 10000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 트리아졸 화합물을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 100 ~ 2000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 트리아졸 화합물을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 산소 포획제는 L-아스코르브산, D-아스코르브산, 아스코르브산의 유도체들, 클로로겐산, 카페인산, 루테올린, 설파이트, 암모늄 설파이트, 및 테트라메틸암모늄 설파이트 중 하나 이상을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 트리아졸 화합물을 포함하고, 상기 산소 포획제는 L-아스코르브산을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 톨루올 트리아졸 또는 벤조트리아졸을 포함하고, 상기 산소 포획제는 L-아스코르브산을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 0.1 ~ 10000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 트리아졸 화합물을 포함하고,
상기 산소 포획제는 L-아스코르브산을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 100 ~ 2000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 트리아졸 화합물을 포함하고,
상기 산소 포획제는 L-아스코르브산을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 산소 포획제는 0 ~ 10000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 L-아스코르브산을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 산소 포획제는 1000 ~ 5000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 L-아스코르브산을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 착화제는 옥살산, 피로포스포릭산, 히드록시에틸리덴 디포스폰산, 피트산, 말론산, 말레산, 또는 그 혼합물들을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 가용화제는 1차 알코올, 2차 알코올, 3차 알코올, 폴리올, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 2-n-부톡시에탄올, 디메틸술폭시드, 프로필렌카보네이트, 또는 그 조합물들을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 가용화제는 디메틸술폭시드를 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 가용화제는 이소프로필 알코올을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 트리아졸 화합물을 포함하고;
상기 가용화제는 디메틸술폭시드, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 2-n-부톡시에탄올, 및 이소프로필 알코올 중 하나 이상을 포함하고;
상기 산소 포획제는 L-아스코르브산을 포함하며;
상기 착화제는 옥살산을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 톨루올 트리아졸 또는 벤조트리아졸을 포함하고;
상기 용매는 디메틸술폭시드, 에틸렌 글리콜, 및 이소프로필 알코올 중 하나 이상을 포함하며;
상기 산소 포획제는 L-아스코르브산을 포함하며;
상기 착화제는 옥살산을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 0.1 ~ 10000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 트리아졸 화합물을 포함하고,
상기 산소 포획제는 L-아스코르브산을 포함하며;
상기 착화제는 옥살산을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 100 ~ 2000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 트리아졸 화합물을 포함하고;
상기 산소 포획제는 L-아스코르브산을 포함하며;
상기 착화제는 옥살산을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 산소 포획제는 0 ~ 10000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 L-아스코르브산을 포함하고;
상기 착화제는 옥살산을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 산소 포획제는 1000 ~ 5000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 L-아스코르브산을 포함하고;
상기 착화제는 옥살산을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 착화제는 옥살산, 피로포스포릭산, 히드록시에틸리덴 디포스폰산, 피트산, 말론산, 말레산, 또는 그 혼합물들을, 2 ~ 50 g/L 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 0.1 ~ 10000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 트리아졸 화합물을 포함하고;
상기 가용화제는 디메틸술폭시드, 에틸렌 글리콜, 및 이소프로필 알코올 중 하나 이상을 200 mL/L 까지의 농도로 포함하고;
상기 산소 포획제는 0 ~ 10000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 L-아스코르브산을 포함하며;
상기 착화제는 0.5 ~ 20 g/L 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 옥살산을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 100 ~ 2000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 트리아졸 화합물을 포함하고;
상기 가용화제는 디메틸술폭시드, 에틸렌 글리콜, 및 이소프로필 알코올 중 하나 이상을 1 ~ 200 mL/L 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 포함하고;
상기 산소 포획제는 1000 ~ 5000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 L-아스코르브산을 포함하며;
상기 착화제는 0.5 ~ 20 g/L 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 옥살산을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 1 g/L 의 농도로 5-메틸벤조트리아졸을 포함하고;
상기 가용화제는 50 mL/L 의 농도로 에틸렌 글리콜을 포함하고;
상기 산소 포획제는 1 g/L 의 농도로 L-(+)-아스코르브산을 포함하며;
상기 착화제는 10 g/L 의 농도로 옥살산 이수화물을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 트리아졸 화합물이고,
상기 가용화제는 디메틸술폭시드, 에틸렌 글리콜, 및 이소프로필 알코올 중 하나 이상을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 톨루올 트리아졸 또는 벤조트리아졸을 포함하고,
상기 가용화제는 디메틸술폭시드, 에틸렌 글리콜, 및 이소프로필 알코올 중 하나 이상을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 0.1 ~ 10000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 존재하고,
상기 가용화제는 200 mL/L 까지의 농도로 존재하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 100 ~ 2000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 존재하고,
상기 가용화제는 1 ~ 200 mL/L 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 존재하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 0.1 ~ 10000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 트리아졸 화합물을 포함하고,
상기 가용화제는 50 mL/L 까지의 농도로 디메틸술폭시드, 에틸렌 글리콜, 및 이소프로필 알코올 중 하나 이상을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 100 ~ 2000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 트리아졸 화합물을 포함하고,
상기 가용화제는 1 ~ 200 mL/L 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 부범위들의 농도로 디메틸술폭시드, 에틸렌 글리콜, 및 이소프로필 알코올 중 하나 이상을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 1 g/L 의 농도로 5-메틸벤조트리아졸을 포함하고;
상기 가용화제는 50 mL/L 의 농도로 이소프로필 알코올을 포함하며;
상기 산소 포획제는 1 g/L 의 농도로 L-(+)-아스코르브산을 포함하고;
상기 착화제는 10 g/L 의 농도로 옥살산 이수화물을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 1 g/L 의 농도로 5-메틸벤조트리아졸을 포함하고;
상기 가용화제는 1000 mL/L 까지의 농도로 디메틸 술폭시드를 포함하며;
상기 산소 포획제는 1 g/L 의 농도로 L-(+)-아스코르브산을 포함하고;
상기 착화제는 10 g/L 의 농도로 옥살산 이수화물을 포함하는, 세정 용액. - 제 1 항에 있어서,
상기 산소 포획제는 D-아스코르브산, 아스코르브산의 유도체, 및/또는 설파이트를 포함하는, 세정 용액. - pH 조절제;
착화제; 및
부식 방지제를 포함하는 세정 용액으로서,
상기 세정 용액은 pH 가 3 이하인, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
상기 pH 가 2 이하인, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
가용화제를 더 포함하는, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
상기 부식 방지제를 가용화할 수 있는 가용화제를 더 포함하는, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
계면활성제를 더 포함하는, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
유전체 (dielectric) 에천트를 더 포함하는, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
가용화제 및 계면활성제를 더 포함하는, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
가용화제,
유전체 에천트, 및
계면활성제
중 하나 이상을 더 포함하는, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
상기 착화제는 카르복실산, 히드록시카르복실산, 시트르산, 옥살산, 포스폰산, 히드록시에틸리덴 디포스폰산, 피트산, 또는 그 혼합물들을 포함하는, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
상기 pH 조절제는 황산, 술폰산, 메탄술폰산, 벤젠 술폰산, 트리플산, 히포포스포러스산, 옥살산, 할로겐화 카르복실산, 트리플루오로아세트산, 아세틸렌디카르복실산, 스쿠아릭산, 디히드록시푸마르산, 말레산, 또는 그 혼합물들을 포함하는, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
상기 pH 조절제는 pKa 가 2 이하인 하나 이상의 산들을 포함하고,
상기 하나 이상의 산들은 상기 세정 용액을 3 이하의 pH 로 조절할 수 있는, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
상기 pH 조절제는 pKa 가 1.5 이하인 하나 이상의 산들을 포함하고,
상기 하나 이상의 산들은 상기 세정 용액을 3 이하의 pH 로 조절할 수 있는, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
상기 부식 방지제는 트리아졸, 벤조트리아졸, 메틸-벤조트리아졸, 5-메틸-벤조트리아졸, 카르복시-벤조트리아졸, 히드록시벤조트리아졸, 메르캅토벤조티아졸, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알코올, 폴리아민, 폴리이민, 폴리알킬이민, 폴리에틸렌이민, 장쇄 알킬아민, 테트라졸, 포스페이트, 무기 포스페이트, 알킬포스페이트, 오르토포스페이트, 메타포스페이트, 포스파이트, 포스포네이트, 플루오로알킬포스페이트, 실리케이트, 알킬포스포네이트, 플루오로알킬포스포네이트, 알콕시실란, 나이트라이트, 비시클로헥실암모늄 나이트라이트, 그 유도체들, 및 그 조합물들 중 하나 이상을 포함하는, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
1차 알코올, 2차 알코올, 3차 알코올, 폴리올, 에틸렌 글리콜, 디메틸술폭시드, 프로필렌카보네이트, 및 그 조합물들로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 가용화제를 더 포함하는, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
에틸렌 글리콜을 더 포함하는, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
이소프로필 알코올을 더 포함하는, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
디메틸술폭시드를 더 포함하는, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제, 양쪽성 계면활성제, 및 그 조합물들로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 계면활성제를 더 포함하는, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
설페이트 및/또는 술포네이트를 포함하는 계면활성제를 더 포함하는, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
규소-산소 화합물을 에칭할 수 있는 유전체 에천트를 더 포함하는, 세정 용액. - 제 38 항에 있어서,
하이드로젠 플루오라이드, 하이드로젠 테트라플루오로보레이트, 하이드로젠 헥사플루오로실리케이트, 플루오라이드, 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로실리케이트의 비알칼리 금속 염들, 및 그 혼합물들로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 유전체 에천트를 더 포함하는, 세정 용액. - pH 조절제;
착화제;
부식 방지제; 및
가용화제, 유전체 에천트, 및 계면활성제 중 하나 이상을 포함하는, 수성 세정 용액. - 제 59 항에 있어서,
상기 pH 조절제는 실질적으로 비착화하는 (non-complexing), 수성 세정 용액. - 제 59 항에 있어서,
상기 pH 조절제는 제 1 산을 포함하고,
상기 착화제는 제 2 산을 포함하는, 수성 세정 용액. - 제 59 항에 있어서,
상기 pH 조절제는 황산, 술폰산, 메탄술폰산, 벤젠 술폰산, 트리플산, 히포포스포러스산, 옥살산, 할로겐화 카르복실산, 트리플루오로아세트산, 아세틸렌디카르복실산, 스쿠아릭산, 디히드록시푸마르산, 말레산, 또는 그 혼합물들을 포함하고;
상기 착화제는 카르복실산, 히드록시카르복실산, 시트르산, 옥살산, 포스폰산, 히드록시에틸리덴 디포스폰산, 피트산, 또는 그 혼합물들을 포함하는, 수성 세정 용액. - 제 59 항에 있어서,
상기 pH 조절제는 강산을 포함하는, 수성 세정 용액. - 제 59 항에 있어서,
상기 pH 조절제는 황산, 술폰산, 메탄술폰산, 벤젠 술폰산, 트리플산, 히포포스포러스산, 옥살산, 할로겐화 카르복실산, 트리플루오로아세트산, 아세틸렌디카르복실산, 스쿠아릭산, 디히드록시푸마르산, 말레산, 또는 그 혼합물들을 포함하고;
상기 착화제는 카르복실산, 히드록시카르복실산, 시트르산, 옥살산, 포스폰산, 히드록시에틸리덴 디포스폰산, 피트산, 또는 그 혼합물들을 포함하고;
상기 부식 방지제는 트리아졸, 벤조트리아졸, 메틸-벤조트리아졸, 5-메틸-벤조트리아졸, 카르복시-벤조트리아졸, 히드록시벤조트리아졸, 메르캅토벤조티아졸, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알코올, 폴리아민, 폴리이민, 폴리알킬이민, 폴리에틸렌이민, 장쇄 알킬아민, 테트라졸, 포스페이트, 무기 포스페이트, 알킬포스페이트, 오르토포스페이트, 메타포스페이트, 포스파이트, 포스포네이트, 플루오로알킬포스페이트, 실리케이트, 알킬포스포네이트, 플루오로알킬포스포네이트, 알콕시실란, 나이트라이트, 비시클로헥실암모늄 나이트라이트, 그 유도체들, 및 그 조합물들을 포함하고;
상기 가용화제는 디메틸술폭시드, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 2-n-부톡시에탄올, 및 이소프로필 알코올 중 하나 이상을 포함하고;
상기 유전체 에천트는 하이드로젠 플루오라이드, 하이드로젠 테트라플루오로보레이트, 하이드로젠 헥사플루오로실리케이트, 플루오라이드, 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로실리케이트의 비알칼리 금속 염들, 및 그 혼합물들 중 하나 이상을 포함하며;
상기 계면활성제는 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제, 양쪽성 계면활성제, 또는 그 조합물들을 포함하고,
상기 수성 세정 용액은 pH 가 3 이하인, 수성 세정 용액. - 제 59 항에 있어서,
상기 pH 조절제는 0 ~ 0.1 M 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 범위들의 농도를 가지고;
상기 착화제는 0.1 ~ 200 mM 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 범위들의 농도를 가지고;
상기 부식 방지제는 0.1 ~ 50 mM 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 범위들의 농도를 가지고;
상기 가용화제는 0 ~ 200 mL/L 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 범위들의 농도를 가지고;
상기 유전체 에천트는 1 ~ 100 mM 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 범위들의 농도를 가지며;
상기 계면활성제는 0 ~ 2000 ppm 범위의 농도 및 상기 범위 내에 포함되는 모든 범위들의 농도를 가지고;
상기 수성 세정 용액은 pH 가 3 이하인, 수성 세정 용액. - 제 59 항에 있어서,
상기 pH 조절제는 0.1 M 미만의 농도를 가지고, 황산, 술폰산, 메탄술폰산, 벤젠 술폰산, 트리플산, 히포포스포러스산, 옥살산, 할로겐화 카르복실산, 트리플루오로아세트산, 아세틸렌디카르복실산, 스쿠아릭산, 디히드록시푸마르산, 말레산, 또는 그 혼합물들을 포함하며;
상기 착화제는 0.1 ~ 200 mM 의 농도를 가지고, 카르복실산, 히드록시카르복실산, 시트르산, 옥살산, 포스폰산, 히드록시에틸리덴 디포스폰산, 피트산, 또는 그 조합물들을 포함하며;
상기 부식 방지제는 0.1 ~ 50 mM 의 농도를 가지고, 트리아졸, 벤조트리아졸, 메틸-벤조트리아졸, 5-메틸-벤조트리아졸, 카르복시-벤조트리아졸, 히드록시벤조트리아졸, 메르캅토벤조티아졸, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알코올, 폴리아민, 폴리이민, 폴리알킬이민, 폴리에틸렌이민, 장쇄 알킬아민, 테트라졸, 포스페이트, 무기 포스페이트, 알킬포스페이트, 오르토포스페이트, 메타포스페이트, 포스파이트, 포스포네이트, 플루오로알킬포스페이트, 실리케이트, 알킬포스포네이트, 플루오로알킬포스포네이트, 알콕시실란, 나이트라이트, 비시클로헥실암모늄 나이트라이트, 그 유도체들, 또는 그 조합물들을 포함하며;
상기 가용화제는 200 mL/L 미만의 농도로 존재하고, 1차 알코올, 2차 알코올, 3차 알코올, 폴리올, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 2-n-부톡시에탄올, 디메틸술폭시드, 프로필렌카보네이트, 및 그 조합물들 중 하나 이상을 포함하며;
상기 유전체 에천트는 1 ~ 100 mM 의 농도로 존재하고, 하이드로젠 플루오라이드, 하이드로젠 테트라플루오로보레이트, 하이드로젠 헥사플루오로실리케이트, 플루오라이드, 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로실리케이트의 비알칼리 금속 염들, 및 그 혼합물들 중 하나 이상을 포함하며;
상기 계면활성제는 2000 ppm 미만의 농도로 존재하고, 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제, 양쪽성 계면활성제, 또는 그 조합물들을 포함하며;
상기 수성 세정 용액은 pH 가 3 이하인, 수성 세정 용액.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/205,896 US9058975B2 (en) | 2006-06-09 | 2008-09-07 | Cleaning solution formulations for substrates |
US12/205,896 | 2008-09-07 | ||
PCT/US2009/055943 WO2010028186A1 (en) | 2008-09-07 | 2009-09-03 | Cleaning solution formulations for substrates |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20110051227A true KR20110051227A (ko) | 2011-05-17 |
KR101723691B1 KR101723691B1 (ko) | 2017-04-05 |
Family
ID=41797487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020117005284A KR101723691B1 (ko) | 2008-09-07 | 2009-09-03 | 기판용 세정 용액 조성물 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9058975B2 (ko) |
JP (2) | JP2012502142A (ko) |
KR (1) | KR101723691B1 (ko) |
CN (1) | CN102131911B (ko) |
SG (1) | SG193861A1 (ko) |
TW (1) | TWI464259B (ko) |
WO (1) | WO2010028186A1 (ko) |
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CN102131911B (zh) | 2012-11-28 |
TW201022431A (en) | 2010-06-16 |
TWI464259B (zh) | 2014-12-11 |
US9058975B2 (en) | 2015-06-16 |
SG193861A1 (en) | 2013-10-30 |
KR101723691B1 (ko) | 2017-04-05 |
JP2012502142A (ja) | 2012-01-26 |
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