JP2012502142A5 - 洗浄溶液および洗浄水溶液 - Google Patents

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誘電体エッチャント
一つの選択肢として、本発明のいくつかの実施形態に従った洗浄溶液は、1または複数の誘電体エッチャントを含んでもよい。誘電体エッチャントは、洗浄溶液によって洗浄される基板の誘電体層をエッチングすることができる洗浄溶液の成分である。誘電体エッチャントは、基板からの汚染物質の除去を円滑にするために提供される。上述のように、誘電体層は、通例、電子デバイス製造で利用される誘電体である。典型的な誘電体層は、ケイ素および酸素を含む。本発明の1または複数の実施形態は、炭素ドープ酸化ケイ素などの低誘電体のための誘電体エッチャントを含む。本発明の実施形態のための誘電体エッチャントのリストは、以下を含むがこれらに限定されない:フッ化水素、テトラフルオロホウ酸水素、ヘキサフルオロケイ酸水素、非アルカリ金属フッ化物、テトラフルオロホウ酸塩、および、ヘキサフルオロケイ酸塩などの化合物。
洗浄溶液であって、誘電体エッチャントは、ケイ素酸素化合物をエッチングする、洗浄溶液。洗浄溶液であって、誘電体エッチャントは、フッ化水素、テトラフルオロホウ酸水素、ヘキサフルオロケイ酸水素、非アルカリ金属フッ化物、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロケイ酸塩、および、それらの混合物のうちの1または複数を含む、洗浄溶液。
洗浄水溶液であって、pH調整剤は、硫酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフル酸、次亜リン酸、シュウ酸、ハロゲン化カルボン酸、トリフルオロ酢酸、アセチレンジカルボン酸、スクアリン酸、ジヒドロキシフマル酸、マレイン酸、または、それらの混合物を含み;錯化剤は、シュウ酸、クエン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、フィチン酸、または、それらの混合物を含み;腐食防止剤は、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、メチルベンゾトリアゾール、5ーメチルベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、メルカプトベンゾチアゾール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアミン、ポリイミン、ポリアルキルイミン、ポリエチレンイミン、長鎖アルキルアミン、テトラゾール、オルトリン酸塩、メタリン酸塩、亜リン酸塩、ホスホン酸塩、フルオロアルキルリン酸塩、ケイ酸塩、アルキルホスホン酸塩、フルオロアルキルホスホン酸塩、アルコキシシラン、亜硝酸塩、ジシクロヘキシルアンモニウム亜硝酸塩、それらの誘導体、および、それらの組み合わせを含み;可溶化剤は、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、および、イソプロピルアルコールのうちの1または複数を含み;誘電体エッチャントは、フッ化水素、テトラフルオロホウ酸水素、ヘキサフルオロケイ酸水素、非アルカリ金属フッ化物、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロケイ酸塩、および、それらの混合物のうちの1または複数を含み;界面活性剤は、陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、非イオン界面活性剤、両性界面活性剤、または、それらの組み合わせを含み;洗浄水溶液は、3以下のpHを有する、洗浄水溶液。
洗浄水溶液であって、pH調整剤は、約0.1M未満の濃度を有し、硫酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフル酸、次亜リン酸、シュウ酸、ハロゲン化カルボン酸、トリフルオロ酢酸、アセチレンジカルボン酸、スクアリン酸、ジヒドロキシフマル酸、マレイン酸、または、それらの混合物を含み;錯化剤は、約0.1mMから約200mMの濃度を有し、カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、クエン酸、シュウ酸、ホスホン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、フィチン酸、および、それらの組み合わせを含み;腐食防止剤は、約0.1mMから約50mMの濃度を有し、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、メチルベンゾトリアゾール、5−メチルベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、メルカプトベンゾチアゾール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアミン、ポリイミン、ポリアルキルイミン、ポリエチレンイミン、長鎖アルキルアミン、テトラゾール、オルトリン酸塩、メタリン酸塩、亜リン酸塩、ホスホン酸塩、フルオロアルキルリン酸塩、ケイ酸塩、アルキルホスホン酸塩、フルオロアルキルホスホン酸塩、アルコキシシラン、亜硝酸塩、ジシクロヘキシルアンモニウム亜硝酸塩、それらの誘導体、および、それらの組み合わせを含み;可溶化剤は、200mL/L未満の濃度を有し、第一級アルコール、第二級アルコール、第三級アルコール、ポリオール、エチレングリコール、プロピレングリコール、2−n−ブトキシエタノール、ジメチルスルホキシド、プロピレンカーボネート、および、それらの組み合わせのうちの1または複数を含み;誘電体エッチャントは、約1mMから約100mMの濃度を有し、フッ化水素、テトラフルオロホウ酸水素、ヘキサフルオロケイ酸水素、非アルカリ金属フッ化物、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロケイ酸塩、および、それらの混合物のうちの1または複数を含み;界面活性剤は、約2000ppm未満の濃度を有し、陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、非イオン界面活性剤、両性界面活性剤、または、それらの組み合わせを含み;洗浄水溶液は、3以下のpHを有する、洗浄水溶液。
本明細書では、具体的な実施形態を参照しつつ、本発明を説明している。しかしながら、当業者は、以下の特許請求の範囲に記載の本発明の範囲から逸脱することなく、様々な変形例および変更例が可能であることを理解すべきである。したがって、本明細書は、例示を目的としたものであり、限定を意図したものではないと見なされるべきであり、かかる変形例すべてが、本発明の範囲に含まれるよう意図されている。例えば、本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
[適用例1]
洗浄溶液であって、
腐食防止剤と、
可溶化剤と、
脱酸素剤と、
pH調整剤としても機能する錯化剤と、を含む、洗浄溶液。
[適用例2]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤はトリアゾール化合物である、洗浄溶液。
[適用例3]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤はトルオールトリアゾールまたはベンゾトリアゾールを含む、洗浄溶液。
[適用例4]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、0.1から10000ppmまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度で存在する、洗浄溶液。
[適用例5]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、100から2000ppmまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度で存在する、洗浄溶液。
[適用例6]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、0.1から10000ppmまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度のトリアゾール化合物を含む、洗浄溶液。
[適用例7]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、100から2000ppmまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度のトリアゾール化合物を含む、洗浄溶液。
[適用例8]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記脱酸素剤は、L−アスコルビン酸、D−アスコルビン酸、アスコルビン酸の誘導体、クロロゲン酸、コーヒー酸、ルテオリン、亜硫酸塩、亜硫酸アンモニウム、および、亜硫酸テトラメチルアンモニウムのうちの1または複数を含む、洗浄溶液。
[適用例9]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤はトリアゾール化合物を含み、前記脱酸素剤はL−アスコルビン酸を含む、洗浄溶液。
[適用例10]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤はトルオールトリアゾールまたはベンゾトリアゾールを含み、前記脱酸素剤はL−アスコルビン酸を含む、洗浄溶液。
[適用例11]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、0.1から10000ppmまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度のトリアゾール化合物を含み、前記脱酸素剤はL−アスコルビン酸を含む、洗浄溶液。
[適用例12]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、100から2000ppmまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度のトリアゾール化合物を含み、前記脱酸素剤はL−アスコルビン酸を含む、洗浄溶液。
[適用例13]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記脱酸素剤は、0から10000ppmまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度のL−アスコルビン酸を含む、洗浄溶液。
[適用例14]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記脱酸素剤は、1000から5000ppmまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度のL−アスコルビン酸を含む、洗浄溶液。
[適用例15]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記錯化剤は、シュウ酸、ピロリン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、フィチン酸、マロン酸、マレイン酸、または、それらの混合物を含む、洗浄溶液。
[適用例16]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記可溶化剤は、第一級アルコール、第二級アルコール、第三級アルコール、ポリオール、エチレングリコール、プロピレングリコール、2−n−ブトキシエタノール、ジメチルスルホキシド、プロピレンカーボネート、または、それらの組み合わせを含む、洗浄溶液。
[適用例17]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記可溶化剤はジメチルスルホキシドを含む、洗浄溶液。
[適用例18]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記可溶化剤はイソプロピルアルコールを含む、洗浄溶液。
[適用例19]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、
前記腐食防止剤はトリアゾール化合物を含み、
前記可溶化剤は、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、プロピレングリコール、2−n−ブトキシエタノール、および、イソプロピルアルコールのうちの1または複数を含み、
前記脱酸素剤はL−アスコルビン酸を含み、
前記錯化剤はシュウ酸を含む、洗浄溶液。
[適用例20]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤はトルオールトリアゾールまたはベンゾトリアゾールを含み;溶媒は、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、および、イソプロピルアルコールのうちの1または複数を含み;前記脱酸素剤はL−アスコルビン酸を含み;前記錯化剤はシュウ酸を含む、洗浄溶液。
[適用例21]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、0.1から10000ppmまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度のトリアゾール化合物を含み;前記脱酸素剤はL−アスコルビン酸を含み;前記錯化剤はシュウ酸を含む、洗浄溶液。
[適用例22]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、100から2000ppmまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度のトリアゾール化合物を含み、前記脱酸素剤はL−アスコルビン酸を含み、前記錯化剤はシュウ酸を含む、洗浄溶液。
[適用例23]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記脱酸素剤は、0から10000ppmまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度のL−アスコルビン酸を含み;前記錯化剤はシュウ酸を含む、洗浄溶液。
[適用例24]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記脱酸素剤は、1000から5000ppmまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度のL−アスコルビン酸を含み;前記錯化剤はシュウ酸を含む、洗浄溶液。
[適用例25]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記錯化剤は、シュウ酸、ピロリン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、フィチン酸、マロン酸、マレイン酸、または、それらの混合物を、2から50g/Lの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度で含む、洗浄溶液。
[適用例26]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、
前記腐食防止剤は、0.1から10000ppmまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度のトリアゾール化合物を含み、
前記可溶化剤は、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、および、イソプロピルアルコールのうちの1または複数を、200mL/Lまでの濃度で含み、
前記脱酸素剤は、0から10000ppmまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度のL−アスコルビン酸を含み、
前記錯化剤は、0.5から20g/Lまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度のシュウ酸を含む、洗浄溶液。
[適用例27]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、
前記腐食防止剤は、100から2000ppmまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度のトリアゾール化合物を含み、
前記可溶化剤は、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、および、イソプロピルアルコールのうちの1または複数を、1から200mL/Lまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度で含み、
前記脱酸素剤は、1000から5000ppmの間の範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度のL−アスコルビン酸を含み、
前記錯化剤は、0.5から20g/Lまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度のシュウ酸を含む、洗浄溶液。
[適用例28]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、
前記腐食防止剤は、1g/Lの濃度の5−メチルベンゾトリアゾールを含み、
前記可溶化剤は、50mL/Lの濃度のエチレングリコールを含み、
前記脱酸素剤は、1g/Lの濃度のL(+)−アスコルビン酸を含み、
前記錯化剤は、10g/Lの濃度のシュウ酸二水和物を含む、洗浄溶液。
[適用例29]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤はトリアゾール化合物であり、前記可溶化剤は、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、および、イソプロピルアルコールのうちの1または複数を含む、洗浄溶液。
[適用例30]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤はトルオールトリアゾールまたはベンゾトリアゾールを含み、前記可溶化剤は、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、および、イソプロピルアルコールのうちの1または複数を含む、洗浄溶液。
[適用例31]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、0.1から10000ppmまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度で存在し、前記可溶化剤は、200mL/Lまでの濃度で存在する、洗浄溶液。
[適用例32]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、100から2000ppmまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度で存在し、前記可溶化剤は、1から200mL/Lの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度で存在する、洗浄溶液。
[適用例33]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、0.1から10000ppmまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度のトリアゾール化合物を含み、前記可溶化剤は、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、および、イソプロピルアルコールのうちの1または複数を、50mL/Lまでの濃度で含む、洗浄溶液。
[適用例34]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、100から2000ppmまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度のトリアゾール化合物を含み、前記可溶化剤は、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、および、イソプロピルアルコールのうちの1または複数を、1から200mL/Lまでの範囲およびその範囲に含まれるすべての部分範囲の濃度で含む、洗浄溶液。
[適用例35]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、
前記腐食防止剤は、1g/Lの濃度の5−メチルベンゾトリアゾールを含み、
前記可溶化剤は、50mL/Lの濃度のイソプロピルアルコールを含み、
前記脱酸素剤は、1g/Lの濃度のL(+)−アスコルビン酸を含み、
前記錯化剤は、10g/Lの濃度のシュウ酸二水和物を含む、洗浄溶液。
[適用例36]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、
前記腐食防止剤は、1g/Lの濃度の5−メチルベンゾトリアゾールを含み、
前記可溶化剤は、1000mL/Lまでの濃度のジメチルスルホキシドを含み、
前記脱酸素剤は、1g/Lの濃度のL(+)−アスコルビン酸を含み、
前記錯化剤は、10g/Lの濃度のシュウ酸二水和物を含む、洗浄溶液。
[適用例37]
適用例1に記載の洗浄溶液であって、前記脱酸素剤は、D−アスコルビン酸、アスコルビン酸の誘導体、および/または、亜硫酸塩を含む、洗浄溶液。
[適用例38]
洗浄溶液であって、
pH調整剤と、
錯化剤と、
腐食防止剤と、を含み、
前記洗浄溶液は、3以下のpHを有する、洗浄溶液。
[適用例39]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、前記pHは2以下である、洗浄溶液。
[適用例40]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、さらに、可溶化剤を含む、洗浄溶液。
[適用例41]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、さらに、前記腐食防止剤を可溶化することができる可溶化剤を含む、洗浄溶液。
[適用例42]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、さらに、界面活性剤を含む、洗浄溶液。
[適用例43]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、さらに、誘電体エッチャントを含む、洗浄溶液。
[適用例44]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、さらに、可溶化剤および界面活性剤を含む、洗浄溶液。
[適用例45]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、さらに、
可溶化剤、誘電体エッチャント、および、界面活性剤のうちの1または複数を含む、洗浄溶液。
[適用例46]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、前記錯化剤は、カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、クエン酸、シュウ酸、ホスホン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、フィチン酸、または、それらの混合物を含む、洗浄溶液。
[適用例47]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、pH調整剤は、硫酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフル酸、次亜リン酸、シュウ酸、ハロゲン化カルボン酸、トリフルオロ酢酸、アセチレンジカルボン酸、スクアリン酸、ジヒドロキシフマル酸、マレイン酸、または、それらの混合物を含む、洗浄溶液。
[適用例48]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、前記pH調整剤は、2以下のpKaを有する1または複数の酸を含み、前記1または複数の酸は、前記洗浄溶液を3以下のpHに調整することができる、洗浄溶液。
[適用例49]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、前記pH調整剤は、1.5以下のpKaを有する1または複数の酸を含み、前記1または複数の酸は、前記洗浄溶液を3以下のpHに調整することができる、洗浄溶液。
[適用例50]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、メチルベンゾトリアゾール、5−メチルベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、メルカプトベンゾチアゾール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアミン、ポリイミン、ポリアルキルイミン、ポリエチレンイミン、長鎖アルキルアミン、テトラゾール、リン酸塩、無機リン酸塩、アルキルリン酸塩、オルトリン酸塩、メタリン酸塩、亜リン酸塩、ホスホン酸塩、フルオロアルキルリン酸塩、ケイ酸塩、アルキルホスホン酸塩、フルオロアルキルホスホン酸塩、アルコキシシラン、亜硝酸塩、ジシクロヘキシルアンモニウム亜硝酸塩、それらの誘導体、および、それらの組み合わせのうちの1または複数を含む、洗浄溶液。
[適用例51]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、さらに、第一級アルコール、第二級アルコール、第三級アルコール、ポリオール、エチレングリコール、ジメチルスルホキシド、プロピレンカーボネート、および、それらの組み合わせからなる群より選択された可溶化剤を含む、洗浄溶液。
[適用例52]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、さらに、エチレングリコールを含む、洗浄溶液。
[適用例53]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、さらに、イソプロピルアルコールを含む、洗浄溶液。
[適用例54]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、さらに、ジメチルスルホキシドを含む、洗浄溶液。
[適用例55]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、さらに、陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、非イオン界面活性剤、両性界面活性剤、および、それらの組み合わせからなる群より選択された界面活性剤を含む、洗浄溶液。
[適用例56]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、さらに、硫酸塩および/またはスルホン酸塩を含む界面活性剤を含む、洗浄溶液。
[適用例57]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、さらに、ケイ素酸素化合物をエッチングすることができる誘電体エッチャントを含む、洗浄溶液。
[適用例58]
適用例38に記載の洗浄溶液であって、さらに、フッ化水素、テトラフルオロホウ酸水素、ヘキサフルオロケイ酸水素、非アルカリ金属フッ化物、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロケイ酸塩、および、それらの混合物からなる群より選択された誘電体エッチャントを含む、洗浄溶液。
[適用例59]
洗浄水溶液であって、
pH調整剤と、
錯化剤と、
腐食防止剤と、
可溶化剤、誘電体エッチャント、および、界面活性剤のうちの1または複数と、を含む、洗浄水溶液。
[適用例60]
適用例59に記載の洗浄水溶液であって、前記pH調整剤は実質的に非錯化性である、洗浄水溶液。
[適用例61]
適用例59に記載の洗浄水溶液であって、前記pH調整剤は第1の酸を含み、前記錯化剤は第2の酸を含む、洗浄水溶液。
[適用例62]
適用例59に記載の洗浄水溶液であって、
前記pH調整剤は、硫酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフル酸、次亜リン酸、シュウ酸、ハロゲン化カルボン酸、トリフルオロ酢酸、アセチレンジカルボン酸、スクアリン酸、ジヒドロキシフマル酸、マレイン酸、または、それらの混合物を含み、
前記錯化剤は、カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、クエン酸、シュウ酸、ホスホン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、フィチン酸、または、それらの混合物を含む、洗浄水溶液。
[適用例63]
適用例59に記載の洗浄水溶液であって、前記pH調整剤は強酸を含む、洗浄水溶液。
[適用例64]
適用例59に記載の洗浄水溶液であって、
前記pH調整剤は、硫酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフル酸、次亜リン酸、シュウ酸、ハロゲン化カルボン酸、トリフルオロ酢酸、アセチレンジカルボン酸、スクアリン酸、ジヒドロキシフマル酸、マレイン酸、または、それらの混合物を含み、
前記錯化剤は、カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、クエン酸、シュウ酸、ホスホン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、フィチン酸、または、それらの混合物を含み、
前記腐食防止剤は、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、メチルベンゾトリアゾール、5−メチルベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、メルカプトベンゾチアゾール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアミン、ポリイミン、ポリアルキルイミン、ポリエチレンイミン、長鎖アルキルアミン、テトラゾール、リン酸塩、無機リン酸塩、アルキルリン酸塩、オルトリン酸塩、メタリン酸塩、亜リン酸塩、ホスホン酸塩、フルオロアルキルリン酸塩、ケイ酸塩、アルキルホスホン酸塩、フルオロアルキルホスホン酸塩、アルコキシシラン、亜硝酸塩、ジシクロヘキシルアンモニウム亜硝酸塩、それらの誘導体、および、それらの組み合わせを含み、
前記可溶化剤は、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、プロピレングリコール、2−n−ブトキシエタノール、および、イソプロピルアルコールのうちの1または複数を含むものであり、
前記誘電体エッチャントは、フッ化水素、テトラフルオロホウ酸水素、ヘキサフルオロケイ酸水素、非アルカリ金属フッ化物、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロケイ酸塩、および、それらの混合物のうちの1または複数を含むものであり、
前記界面活性剤は、陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、非イオン界面活性剤、両性界面活性剤、または、それらの組み合わせを含むものであり、
前記洗浄水溶液は、3以下のpHを有する、洗浄水溶液。
[適用例65]
適用例59に記載の洗浄水溶液であって、
前記pH調整剤は、0から0.1Mの間の範囲およびその範囲に含まれるすべての範囲の濃度を有し、
前記錯化剤は、0.1から200mMの間の範囲およびその範囲に含まれるすべての範囲の濃度を有し、
前記腐食防止剤は、0.1から50mMの間の範囲およびその範囲に含まれるすべての範囲の濃度を有し、
前記可溶化剤は、0から200mL/Lの間の範囲およびその範囲に含まれるすべての範囲の濃度を有し、
前記誘電体エッチャントは、1から100mMの間の範囲およびその範囲に含まれるすべての範囲の濃度を有し、
前記界面活性剤は、0から2000ppmの間の範囲およびその範囲に含まれるすべての範囲の濃度を有し、
前記洗浄水溶液は、3以下のpHを有する、洗浄水溶液。
[適用例66]
適用例59に記載の洗浄水溶液であって、
前記pH調整剤は、0.1M未満の濃度を有し、硫酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフル酸、次亜リン酸、シュウ酸、ハロゲン化カルボン酸、トリフルオロ酢酸、アセチレンジカルボン酸、スクアリン酸、ジヒドロキシフマル酸、マレイン酸、または、それらの混合物を含み、
前記錯化剤は、0.1から200mMの濃度を有し、カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、クエン酸、シュウ酸、ホスホン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、フィチン酸、または、それらの組み合わせを含み、
前記腐食防止剤は、0.1から50mMの濃度を有し、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、メチルベンゾトリアゾール、5−メチルベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、メルカプトベンゾチアゾール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアミン、ポリイミン、ポリアルキルイミン、ポリエチレンイミン、長鎖アルキルアミン、テトラゾール、リン酸塩、無機リン酸塩、アルキルリン酸塩、オルトリン酸塩、メタリン酸塩、亜リン酸塩、ホスホン酸塩、フルオロアルキルリン酸塩、ケイ酸塩、アルキルホスホン酸塩、フルオロアルキルホスホン酸塩、アルコキシシラン、亜硝酸塩、ジシクロヘキシルアンモニウム亜硝酸塩、それらの誘導体、または、それらの組み合わせを含み、
前記可溶化剤は、200mL/L未満の濃度で存在し、第一級アルコール、第二級アルコール、第三級アルコール、ポリオール、エチレングリコール、プロピレングリコール、2−n−ブトキシエタノール、ジメチルスルホキシド、プロピレンカーボネート、および、それらの組み合わせのうちの1または複数を含むものであり、
前記誘電体エッチャントは、1から100mMの濃度で存在し、フッ化水素、テトラフルオロホウ酸水素、ヘキサフルオロケイ酸水素、非アルカリ金属フッ化物、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロケイ酸塩、および、それらの混合物のうちの1または複数を含むものであり、
前記界面活性剤は、2000ppm未満の濃度で存在し、陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、非イオン界面活性剤、両性界面活性剤、または、それらの組み合わせを含むものであり、
前記洗浄水溶液は、3以下のpHを有する、洗浄水溶液。

Claims (63)

  1. 電子デバイス用の洗浄溶液であって、
    金属及び誘電体構造上の無電界めっきキャップ層を保護可能な腐食防止剤と、
    前記洗浄溶液中の前記腐食防止剤を可溶化する可溶化剤と、
    脱酸素剤と、
    pH調整剤としても機能する錯化剤と、を含み、
    前記洗浄溶液は、前記誘電体から金属イオンを除去可能である
    洗浄溶液。
  2. 請求項1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤はトリアゾール化合物を含む、洗浄溶液。
  3. 請求項1または2に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤はトルオールトリアゾールまたはベンゾトリアゾールを含む、洗浄溶液。
  4. 請求項1から3のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、0.1から10000ppmの濃度で存在する、洗浄溶液。
  5. 請求項1から4のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、100から2000ppmの濃度で存在する、洗浄溶液。
  6. 請求項1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、0.1から10000ppmの濃度のトリアゾール化合物を含む、洗浄溶液。
  7. 請求項1または6に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、100から2000ppmの濃度のトリアゾール化合物を含む、洗浄溶液。
  8. 請求項1から7のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、前記脱酸素剤は、L−アスコルビン酸、D−アスコルビン酸、アスコルビン酸の誘導体、クロロゲン酸、コーヒー酸、ルテオリン、亜硫酸塩、亜硫酸アンモニウム、および、亜硫酸テトラメチルアンモニウムのうちの1または複数を含む、洗浄溶液。
  9. 請求項1から3および6,7のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、前記脱酸素剤はL−アスコルビン酸を含む、洗浄溶液。
  10. 請求項に記載の洗浄溶液であって、前記L−アスコルビン酸は、0から10000ppmの濃である、洗浄溶液。
  11. 請求項に記載の洗浄溶液であって、前記L−アスコルビン酸は、1000から5000ppmの濃である、洗浄溶液。
  12. 請求項1から11のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、前記錯化剤は、シュウ酸、ピロリン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、フィチン酸、マロン酸、マレイン酸、または、それらの混合物を含む、洗浄溶液。
  13. 請求項1から12のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、前記可溶化剤は、第一級アルコール、第二級アルコール、第三級アルコール、ポリオール、エチレングリコール、プロピレングリコール、2−n−ブトキシエタノール、ジメチルスルホキシド、プロピレンカーボネート、または、それらの組み合わせを含む、洗浄溶液。
  14. 請求項1から13のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、前記可溶化剤はジメチルスルホキシドを含む、洗浄溶液。
  15. 請求項1から14のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、前記可溶化剤はイソプロピルアルコールを含む、洗浄溶液。
  16. 請求項1に記載の洗浄溶液であって、
    前記腐食防止剤はトリアゾール化合物を含み、
    前記可溶化剤は、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、プロピレングリコール、2−n−ブトキシエタノール、および、イソプロピルアルコールのうちの1または複数を含み、
    前記脱酸素剤はL−アスコルビン酸を含み、
    前記錯化剤はシュウ酸を含む、洗浄溶液。
  17. 請求項1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤はトルオールトリアゾールまたはベンゾトリアゾールを含み;前記可溶化剤は、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、および、イソプロピルアルコールのうちの1または複数を含み;前記脱酸素剤はL−アスコルビン酸を含み;前記錯化剤はシュウ酸を含む、洗浄溶液。
  18. 請求項1、および、9から11、のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、前記錯化剤はシュウ酸を含む、洗浄溶液。
  19. 請求項1に記載の洗浄溶液であって、前記錯化剤は、シュウ酸、ピロリン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、フィチン酸、マロン酸、マレイン酸、または、それらの混合物を、2から50g/L濃度で含む、洗浄溶液。
  20. 請求項1に記載の洗浄溶液であって、
    前記腐食防止剤は、0.1から10000ppmの濃度のトリアゾール化合物を含み、
    前記可溶化剤は、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、および、イソプロピルアルコールのうちの1または複数を、200mL/Lまでの濃度で含み、
    前記脱酸素剤は、0から10000ppmの濃度のL−アスコルビン酸を含み、
    前記錯化剤は、0.5から20g/Lの濃度のシュウ酸を含む、洗浄溶液。
  21. 請求項1に記載の洗浄溶液であって、
    前記腐食防止剤は、100から2000ppmの濃度のトリアゾール化合物を含み、
    前記可溶化剤は、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、および、イソプロピルアルコールのうちの1または複数を、1から200mL/Lの濃度で含み、
    前記脱酸素剤は、1000から5000ppmの濃度のL−アスコルビン酸を含み、
    前記錯化剤は、0.5から20g/Lの濃度のシュウ酸を含む、洗浄溶液。
  22. 請求項1、20および21のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、
    前記腐食防止剤は、1g/Lの濃度の5−メチルベンゾトリアゾールを含み、
    前記可溶化剤は、50mL/Lの濃度のエチレングリコールを含み、
    前記脱酸素剤は、1g/Lの濃度のL(+)−アスコルビン酸を含み、
    前記錯化剤は、10g/Lの濃度のシュウ酸二水和物を含む、洗浄溶液。
  23. 請求項1から3のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤はトリアゾール化合物であり、前記可溶化剤は、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、および、イソプロピルアルコールのうちの1または複数を含む、洗浄溶液。
  24. 請求項1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、0.1から10000ppmの濃度で存在し、前記可溶化剤は、200mL/Lまでの濃度で存在する、洗浄溶液。
  25. 請求項1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、100から2000ppmの濃度で存在し、前記可溶化剤は、1から200mL/L濃度で存在する、洗浄溶液。
  26. 請求項1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、0.1から10000ppmの濃度のトリアゾール化合物を含み、前記可溶化剤は、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、および、イソプロピルアルコールのうちの1または複数を、50mL/Lまでの濃度で含む、洗浄溶液。
  27. 請求項1に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、100から2000ppmの濃度のトリアゾール化合物を含み、前記可溶化剤は、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、および、イソプロピルアルコールのうちの1または複数を、1から200mL/Lまで濃度で含む、洗浄溶液。
  28. 請求項1に記載の洗浄溶液であって、
    前記腐食防止剤は、1g/Lの濃度の5−メチルベンゾトリアゾールを含み、
    前記可溶化剤は、50mL/Lの濃度のイソプロピルアルコールを含み、
    前記脱酸素剤は、1g/Lの濃度のL(+)−アスコルビン酸を含み、
    前記錯化剤は、10g/Lの濃度のシュウ酸二水和物を含む、洗浄溶液。
  29. 請求項1に記載の洗浄溶液であって、
    前記腐食防止剤は、1g/Lの濃度の5−メチルベンゾトリアゾールを含み、
    前記可溶化剤は、1000mL/Lまでの濃度のジメチルスルホキシドを含み、
    前記脱酸素剤は、1g/Lの濃度のL(+)−アスコルビン酸を含み、
    前記錯化剤は、10g/Lの濃度のシュウ酸二水和物を含む、洗浄溶液。
  30. 請求項1に記載の洗浄溶液であって、前記脱酸素剤は、D−アスコルビン酸、アスコルビン酸の誘導体、および/または、亜硫酸塩を含む、洗浄溶液。
  31. 電子デバイス用の洗浄溶液であって、
    前記洗浄溶液のpHを3以下の所望のレベルに維持する官能基を有するpH調整剤と、
    金属イオンと錯体を形成する官能基を有する錯化剤と、
    金属及び誘電体構造上の無電界めっきキャップ層を保護可能な腐食防止剤と、を含み、
    前記洗浄溶液は、前記誘電体から金属イオンを除去可能である、洗浄溶液。
  32. 請求項31に記載の洗浄溶液であって、前記pHは2以下である、洗浄溶液。
  33. 請求項31または32に記載の洗浄溶液であって、さらに、前記腐食防止剤を可溶化することができる可溶化剤を含む、洗浄溶液。
  34. 請求項31から33のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、さらに、洗浄中の基板を十分に湿潤させる界面活性剤を含む、洗浄溶液。
  35. 請求項31から34のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、さらに、誘電体エッチャントを含み、前記誘電体エッチャントは、テトラフルオロホウ酸水素、ヘキサフルオロケイ酸水素、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロケイ酸塩、または、それらの混合物を含む、洗浄溶液。
  36. 請求項31または32に記載の洗浄溶液であって、さらに、
    前記洗浄溶液中の前記腐食防止剤を可溶化する可溶化剤と、
    洗浄中の基板を十分に湿潤させる界面活性剤を含む、洗浄溶液。
  37. 請求項31または32に記載の洗浄溶液であって、さらに、
    前記洗浄溶液中の前記腐食防止剤を可溶化する可溶化剤、誘電体エッチャント、および、洗浄中の基板を十分に湿潤させる界面活性剤のうちの1または複数を含む、洗浄溶液。
  38. 請求項31から37のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、前記錯化剤は、カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、クエン酸、シュウ酸、ホスホン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、フィチン酸、または、それらの混合物を含む、洗浄溶液。
  39. 請求項31から38のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、pH調整剤は、硫酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフル酸、次亜リン酸、シュウ酸、ハロゲン化カルボン酸、トリフルオロ酢酸、アセチレンジカルボン酸、スクアリン酸、ジヒドロキシフマル酸、マレイン酸、または、それらの混合物を含む、洗浄溶液。
  40. 請求項31から39のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、前記pH調整剤は、2以下のpKaを有する1または複数の酸を含み、前記1または複数の酸は、前記洗浄溶液を3以下のpHに調整することができる、洗浄溶液。
  41. 請求項31から39のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、前記pH調整剤は、1.5以下のpKaを有する1または複数の酸を含み、前記1または複数の酸は、前記洗浄溶液を3以下のpHに調整することができる、洗浄溶液。
  42. 請求項31から41のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤は、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、メチルベンゾトリアゾール、5−メチルベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、メルカプトベンゾチアゾール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアミン、ポリイミン、ポリアルキルイミン、ポリエチレンイミン、長鎖アルキルアミン、テトラゾール、リン酸塩、無機リン酸塩、アルキルリン酸塩、オルトリン酸塩、メタリン酸塩、亜リン酸塩、ホスホン酸塩、フルオロアルキルリン酸塩、ケイ酸塩、アルキルホスホン酸塩、フルオロアルキルホスホン酸塩、アルコキシシラン、亜硝酸塩、ジシクロヘキシルアンモニウム亜硝酸塩、それらの誘導体、および、それらの組み合わせのうちの1または複数を含む、洗浄溶液。
  43. 請求項31に記載の洗浄溶液であって、さらに、第一級アルコール、第二級アルコール、第三級アルコール、ポリオール、エチレングリコール、ジメチルスルホキシド、プロピレンカーボネート、および、それらの組み合わせからなる群より選択された可溶化剤を含み、前記可溶化剤は、前記洗浄溶液中の前記腐食防止剤を可溶化する、洗浄溶液。
  44. 請求項31に記載の洗浄溶液であって、さらに、エチレングリコールを含む、洗浄溶液。
  45. 請求項31に記載の洗浄溶液であって、さらに、イソプロピルアルコールを含む、洗浄溶液。
  46. 請求項31に記載の洗浄溶液であって、さらに、ジメチルスルホキシドを含む、洗浄溶液。
  47. 請求項31に記載の洗浄溶液であって、さらに、陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、非イオン界面活性剤、両性界面活性剤、および、それらの組み合わせからなる群より選択された界面活性剤を含み、前記界面活性剤は、洗浄中の基板を十分に湿潤させる、洗浄溶液。
  48. 請求項31に記載の洗浄溶液であって、さらに、硫酸塩および/またはスルホン酸塩を含む界面活性剤を含み、前記界面活性剤は、洗浄中の基板を十分に湿潤させる、洗浄溶液。
  49. 請求項31に記載の洗浄溶液であって、さらに、ケイ素酸素化合物をエッチングすることができる誘電体エッチャントを含む、洗浄溶液。
  50. 請求項31に記載の洗浄溶液であって、さらに、フッ化水素、テトラフルオロホウ酸水素、ヘキサフルオロケイ酸水素、非アルカリ金属フッ化物、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロケイ酸塩、および、それらの混合物からなる群より選択された誘電体エッチャントを含む、洗浄溶液。
  51. 電子デバイス用の洗浄水溶液であって、
    前記洗浄水溶液のpHを所望のレベルに維持する官能基を有するpH調整剤と、
    金属イオンと錯体を形成する官能基を有する錯化剤と、
    金属及び誘電体構造体上の無電界めっきキャップ層を保護可能な腐食防止剤と、
    前記洗浄水溶液中の前記腐食防止剤を可溶化する可溶化剤、誘電体エッチャント、および、洗浄中の基板を十分に湿潤させる界面活性剤のうちの1または複数と、を含み、
    前記洗浄水溶液は、前記誘電体から金属イオンを除去可能である、洗浄水溶液。
  52. 請求項51に記載の洗浄水溶液であって、前記pH調整剤は実質的に非錯化性である、洗浄水溶液。
  53. 請求項51に記載の洗浄水溶液であって、前記pH調整剤は第1の酸を含み、前記錯化剤は第2の酸を含む、洗浄水溶液。
  54. 請求項51に記載の洗浄水溶液であって、
    前記pH調整剤は、硫酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフル酸、次亜リン酸、シュウ酸、ハロゲン化カルボン酸、トリフルオロ酢酸、アセチレンジカルボン酸、スクアリン酸、ジヒドロキシフマル酸、マレイン酸、または、それらの混合物を含み、
    前記錯化剤は、カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、クエン酸、シュウ酸、ホスホン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、フィチン酸、または、それらの混合物を含む、洗浄水溶液。
  55. 請求項51に記載の洗浄水溶液であって、前記pH調整剤は強酸を含む、洗浄水溶液。
  56. 請求項51に記載の洗浄水溶液であって、
    前記pH調整剤は、硫酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフル酸、次亜リン酸、シュウ酸、ハロゲン化カルボン酸、トリフルオロ酢酸、アセチレンジカルボン酸、スクアリン酸、ジヒドロキシフマル酸、マレイン酸、または、それらの混合物を含み、
    前記錯化剤は、カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、クエン酸、シュウ酸、ホスホン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、フィチン酸、または、それらの混合物を含み、
    前記腐食防止剤は、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、メチルベンゾトリアゾール、5−メチルベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、メルカプトベンゾチアゾール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアミン、ポリイミン、ポリアルキルイミン、ポリエチレンイミン、長鎖アルキルアミン、テトラゾール、リン酸塩、無機リン酸塩、アルキルリン酸塩、オルトリン酸塩、メタリン酸塩、亜リン酸塩、ホスホン酸塩、フルオロアルキルリン酸塩、ケイ酸塩、アルキルホスホン酸塩、フルオロアルキルホスホン酸塩、アルコキシシラン、亜硝酸塩、ジシクロヘキシルアンモニウム亜硝酸塩、それらの誘導体、および、それらの組み合わせを含み、
    前記可溶化剤は、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、プロピレングリコール、2−n−ブトキシエタノール、および、イソプロピルアルコールのうちの1または複数を含むものであり、
    前記誘電体エッチャントは、フッ化水素、テトラフルオロホウ酸水素、ヘキサフルオロケイ酸水素、非アルカリ金属フッ化物、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロケイ酸塩、および、それらの混合物のうちの1または複数を含むものであり、
    前記界面活性剤は、陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、非イオン界面活性剤、両性界面活性剤、または、それらの組み合わせを含むものであり、
    前記洗浄水溶液は、3以下のpHを有する、洗浄水溶液。
  57. 請求項51に記載の洗浄水溶液であって、
    前記pH調整剤は、0から0.1M濃度を有し、
    前記錯化剤は、0.1から200mM濃度を有し、
    前記腐食防止剤は、0.1から50mM濃度を有し、
    前記可溶化剤は、0から200mL/L濃度を有し、
    前記誘電体エッチャントは、1から100mM濃度を有し、
    前記界面活性剤は、0から2000ppm濃度を有し、
    前記洗浄水溶液は、3以下のpHを有する、洗浄水溶液。
  58. 請求項51に記載の洗浄水溶液であって、
    前記pH調整剤は、0.1M未満の濃度を有し、硫酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トリフル酸、次亜リン酸、シュウ酸、ハロゲン化カルボン酸、トリフルオロ酢酸、アセチレンジカルボン酸、スクアリン酸、ジヒドロキシフマル酸、マレイン酸、または、それらの混合物を含み、
    前記錯化剤は、0.1から200mMの濃度を有し、カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、クエン酸、シュウ酸、ホスホン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、フィチン酸、または、それらの組み合わせを含み、
    前記腐食防止剤は、0.1から50mMの濃度を有し、トリアゾール、ベンゾトリアゾール、メチルベンゾトリアゾール、5−メチルベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、メルカプトベンゾチアゾール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアミン、ポリイミン、ポリアルキルイミン、ポリエチレンイミン、長鎖アルキルアミン、テトラゾール、リン酸塩、無機リン酸塩、アルキルリン酸塩、オルトリン酸塩、メタリン酸塩、亜リン酸塩、ホスホン酸塩、フルオロアルキルリン酸塩、ケイ酸塩、アルキルホスホン酸塩、フルオロアルキルホスホン酸塩、アルコキシシラン、亜硝酸塩、ジシクロヘキシルアンモニウム亜硝酸塩、それらの誘導体、または、それらの組み合わせを含み、
    前記可溶化剤は、200mL/L未満の濃度で存在し、第一級アルコール、第二級アルコール、第三級アルコール、ポリオール、エチレングリコール、プロピレングリコール、2−n−ブトキシエタノール、ジメチルスルホキシド、プロピレンカーボネート、および、それらの組み合わせのうちの1または複数を含むものであり、
    前記誘電体エッチャントは、1から100mMの濃度で存在し、フッ化水素、テトラフルオロホウ酸水素、ヘキサフルオロケイ酸水素、非アルカリ金属フッ化物、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロケイ酸塩、および、それらの混合物のうちの1または複数を含むものであり、
    前記界面活性剤は、2000ppm未満の濃度で存在し、陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、非イオン界面活性剤、両性界面活性剤、または、それらの組み合わせを含むものであり、
    前記洗浄水溶液は、3以下のpHを有する、洗浄水溶液。
  59. 請求項1から50のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、前記錯化剤は、フィチン酸を含む、洗浄溶液。
  60. 請求項51から58のいずれか一項に記載の洗浄水溶液であって、前記錯化剤は、フィチン酸を含む、洗浄水溶液。
  61. 請求項31から38、および、42から50、のいずれか一項に記載の洗浄溶液であって、前記pH調整剤は、次亜リン酸、スクアリン酸、ジヒドロキシフマル酸、または、それらの混合物を含む、洗浄溶液。
  62. 請求項51または57に記載の洗浄水溶液であって、前記pH調整剤は、次亜リン酸、スクアリン酸、ジヒドロキシフマル酸、または、それらの混合物を含む、洗浄水溶液。
  63. 請求項51から55、および、57のいずれか一項に記載の洗浄水溶液であって、前記誘電体エッチャントは、テトラフルオロホウ酸水素、ヘキサフルオロケイ酸水素、テトラフルオロホウ酸塩、ヘキサフルオロケイ酸塩、または、それらの混合物を含む、洗浄水溶液。
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9691622B2 (en) * 2008-09-07 2017-06-27 Lam Research Corporation Pre-fill wafer cleaning formulation
CN102762708B (zh) * 2009-07-06 2015-03-04 布拉斯通产品公司 清洁具有铝组件的传热系统的方法和组合物
SG181854A1 (en) * 2009-12-23 2012-07-30 Lam Res Corp Post deposition wafer cleaning formulation
KR101936956B1 (ko) * 2010-06-11 2019-01-09 동우 화인켐 주식회사 세정액 조성물
KR101846597B1 (ko) * 2010-10-01 2018-04-06 미쯔비시 케미컬 주식회사 반도체 디바이스용 기판의 세정액 및 세정 방법
US8546016B2 (en) * 2011-01-07 2013-10-01 Micron Technology, Inc. Solutions for cleaning semiconductor structures and related methods
US8980815B2 (en) 2011-02-25 2015-03-17 Prestone Products Corporation Composition for cleaning a heat transfer system having an aluminum component
DE102011077098A1 (de) * 2011-06-07 2012-12-13 Henkel Kgaa Silberschützendes Geschirrspülmittel
JP2013032473A (ja) * 2011-07-29 2013-02-14 Mitsuhiro Kawada 水系洗浄剤
CN103987832A (zh) * 2011-12-14 2014-08-13 旭硝子株式会社 清洗剂和碳化硅单晶基板的制造方法
JP6151484B2 (ja) * 2012-06-11 2017-06-21 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用洗浄液及び配線形成方法
KR20160015228A (ko) * 2013-05-31 2016-02-12 히타치가세이가부시끼가이샤 에칭 조성물
CN103710180B (zh) * 2013-12-12 2016-04-13 内蒙古河西航天科技发展有限公司 一种硅酸盐污垢去除剂
CN103952246A (zh) * 2014-03-03 2014-07-30 西安通鑫半导体辅料有限公司 一种用于太阳能硅片制造的清洗液
KR102375342B1 (ko) * 2014-05-13 2022-03-16 바스프 에스이 Tin 풀-백 및 클리닝 조성물
US11978622B2 (en) 2014-06-30 2024-05-07 Entegris, Inc. Aqueous and semi-aqueous cleaners for the removal of post-etch residues with tungsten and cobalt compatibility
US9957469B2 (en) 2014-07-14 2018-05-01 Versum Materials Us, Llc Copper corrosion inhibition system
JP6471392B2 (ja) * 2015-02-12 2019-02-20 上村工業株式会社 無電解めっき用前処理剤、並びに前記無電解めっき用前処理剤を用いたプリント配線基板の前処理方法およびその製造方法
CN108885413B (zh) * 2016-04-08 2022-06-14 富士胶片株式会社 处理液、其制造方法、图案形成方法及电子器件的制造方法
CN105967357B (zh) * 2016-05-25 2019-01-29 常州市东南热电有限公司 一种水循环系统阻垢剂
WO2018061365A1 (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 株式会社フジミインコーポレーテッド 表面処理組成物
CN106854461A (zh) * 2016-12-11 2017-06-16 周益铭 一种高渗透快速注水井除垢剂的制备方法
TWI757441B (zh) * 2017-03-31 2022-03-11 日商關東化學股份有限公司 洗淨液組成物
CN107513707A (zh) * 2017-08-24 2017-12-26 南通市烨达汽车零部件有限公司 一种汽车专用处理剂
WO2019057278A1 (en) * 2017-09-20 2019-03-28 Hp Indigo B.V. PRETREATMENT COMPOSITION
CN109868193A (zh) * 2017-12-05 2019-06-11 南风化工集团股份有限公司 一种太阳能板清洗剂
WO2019208684A1 (ja) * 2018-04-27 2019-10-31 三菱瓦斯化学株式会社 水性組成物及びこれを用いた洗浄方法
US11613720B2 (en) 2018-04-27 2023-03-28 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Aqueous composition and cleaning method using same
KR20210003740A (ko) * 2018-04-27 2021-01-12 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 수성 조성물 및 이것을 이용한 세정방법
CN109306482A (zh) * 2018-12-11 2019-02-05 国网福建省电力有限公司 一种500kV架空输电线路接地圆钢除锈镀铜方法
KR20220118520A (ko) * 2019-12-20 2022-08-25 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 Co/cu 선택적 습식 에칭제
CN114367200A (zh) * 2021-12-30 2022-04-19 上海丰信环保科技有限公司 一种选矿行业废水回用膜系统清洗剂及清洗方法

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60195961A (ja) * 1984-03-19 1985-10-04 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH1055993A (ja) * 1996-08-09 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
US20010052351A1 (en) * 1998-09-29 2001-12-20 Brian J. Brown Method for cleaning semiconductor wafer having copper structure formed thereon
JP4516176B2 (ja) * 1999-04-20 2010-08-04 関東化学株式会社 電子材料用基板洗浄液
US7208049B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants used as post-chemical mechanical planarization treatment
TW479262B (en) * 1999-06-09 2002-03-11 Showa Denko Kk Electrode material for capacitor and capacitor using the same
WO2001097268A1 (fr) * 2000-06-16 2001-12-20 Kao Corporation Composion detergente
JP2002069495A (ja) 2000-06-16 2002-03-08 Kao Corp 洗浄剤組成物
TW532052B (en) * 2001-06-27 2003-05-11 Ngk Spark Plug Co Production method of a distribution substrate
JP3787085B2 (ja) * 2001-12-04 2006-06-21 関東化学株式会社 フォトレジスト残渣除去液組成物
JP4221191B2 (ja) * 2002-05-16 2009-02-12 関東化学株式会社 Cmp後洗浄液組成物
US20040077295A1 (en) * 2002-08-05 2004-04-22 Hellring Stuart D. Process for reducing dishing and erosion during chemical mechanical planarization
TWI324362B (en) * 2003-01-10 2010-05-01 Kanto Kagaku Cleaning solution for semiconductor substrate
JP4375991B2 (ja) * 2003-04-09 2009-12-02 関東化学株式会社 半導体基板洗浄液組成物
TWI362415B (en) * 2003-10-27 2012-04-21 Wako Pure Chem Ind Ltd Novel detergent and method for cleaning
BRPI0416067A (pt) * 2003-10-29 2007-01-02 Mallinckrodt Baker Inc removedores alcalinos de resìduo de cinza/gravação pós-plasma e composições de descascamento de fotorresistes contendo inibidores de corrosão de haleto de metal
US20060003570A1 (en) * 2003-12-02 2006-01-05 Arulkumar Shanmugasundram Method and apparatus for electroless capping with vapor drying
JP4397800B2 (ja) * 2003-12-24 2010-01-13 花王株式会社 半導体素子洗浄用組成物
KR100795364B1 (ko) * 2004-02-10 2008-01-17 삼성전자주식회사 반도체 기판용 세정액 조성물, 이를 이용한 세정 방법 및도전성 구조물의 제조 방법
US7087564B2 (en) * 2004-03-05 2006-08-08 Air Liquide America, L.P. Acidic chemistry for post-CMP cleaning
KR20050110470A (ko) * 2004-05-19 2005-11-23 테크노세미켐 주식회사 반도체 기판용 세정액 조성물, 이를 이용한 반도체 기판세정방법 및 반도체 장치 제조 방법
JP4456424B2 (ja) * 2004-06-29 2010-04-28 関東化学株式会社 フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去組成物
US8030263B2 (en) * 2004-07-01 2011-10-04 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for stripping and cleaning and use thereof
KR100606187B1 (ko) 2004-07-14 2006-08-01 테크노세미켐 주식회사 반도체 기판 세정용 조성물, 이를 이용한 반도체 기판세정방법 및 반도체 장치 제조 방법
JP4744228B2 (ja) * 2004-08-10 2011-08-10 株式会社東芝 半導体基板洗浄液及び半導体基板洗浄方法
EP1628336B1 (en) * 2004-08-18 2012-01-04 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Cleaning liquid and cleaning method
US7611588B2 (en) * 2004-11-30 2009-11-03 Ecolab Inc. Methods and compositions for removing metal oxides
US7718590B2 (en) * 2005-02-25 2010-05-18 Ekc Technology, Inc. Method to remove resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper and low-k dielectric material
KR20080025697A (ko) * 2005-05-26 2008-03-21 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 구리를 부동태화하는 cmp후 세정 조성물 및 이용 방법
JPWO2006129549A1 (ja) 2005-06-01 2008-12-25 日産化学工業株式会社 ホスホン酸及びアスコルビン酸を含む半導体用洗浄液組成物及び洗浄方法
US8772214B2 (en) * 2005-10-14 2014-07-08 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous cleaning composition for removing residues and method using same
US20070111523A1 (en) * 2005-11-17 2007-05-17 Ismail Emesh Process for conditioning conductive surfaces after electropolishing
KR101330509B1 (ko) * 2005-12-01 2013-11-15 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 반도체 소자 또는 표시 소자용 세정액 및 세정 방법
KR101349491B1 (ko) * 2005-12-20 2014-01-08 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 배선 기판의 잔사 제거용 조성물 및 세정 방법
US20070179072A1 (en) * 2006-01-30 2007-08-02 Rao Madhukar B Cleaning formulations
JP2007291505A (ja) * 2006-03-31 2007-11-08 Sanyo Chem Ind Ltd 銅配線用洗浄剤
US7772128B2 (en) 2006-06-09 2010-08-10 Lam Research Corporation Semiconductor system with surface modification
US7947637B2 (en) * 2006-06-30 2011-05-24 Fujifilm Electronic Materials, U.S.A., Inc. Cleaning formulation for removing residues on surfaces
WO2008023214A1 (en) 2006-08-23 2008-02-28 Freescale Semiconductor, Inc. Rinse formulation for use in the manufacture of an integrated circuit
JP5237300B2 (ja) * 2006-12-21 2013-07-17 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド エッチング後残留物を除去するための液体洗浄剤
JP2008205400A (ja) 2007-02-22 2008-09-04 Fujifilm Corp 半導体デバイス用洗浄剤
US8404626B2 (en) * 2007-12-21 2013-03-26 Lam Research Corporation Post-deposition cleaning methods and formulations for substrates with cap layers

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