KR102572755B1 - 포토레지스트 세정액 조성물 - Google Patents

포토레지스트 세정액 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR102572755B1
KR102572755B1 KR1020180109794A KR20180109794A KR102572755B1 KR 102572755 B1 KR102572755 B1 KR 102572755B1 KR 1020180109794 A KR1020180109794 A KR 1020180109794A KR 20180109794 A KR20180109794 A KR 20180109794A KR 102572755 B1 KR102572755 B1 KR 102572755B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
formula
balance
hydroxide
photoresist
cleaning liquid
Prior art date
Application number
KR1020180109794A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200030945A (ko
Inventor
윤성웅
김병묵
최한영
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우 화인켐 주식회사 filed Critical 동우 화인켐 주식회사
Priority to KR1020180109794A priority Critical patent/KR102572755B1/ko
Publication of KR20200030945A publication Critical patent/KR20200030945A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102572755B1 publication Critical patent/KR102572755B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • C11D11/0047
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/32Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22Organic compounds
    • C11D7/32Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3281Heterocyclic compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10Objects to be cleaned
    • C11D2111/14Hard surfaces
    • C11D2111/22Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 오존수(O3); 하기 화학식 1로 표시되는 4차 알킬 암모늄 하이드록사이드; 및 2차 아민을 포함하는 포토레지스트 세정액 조성물에 관한 것으로, 온화한 조건에서도 pre-bake, post-bake 및 implanted 포토레지스트를 우수하게 세정가능한 레지스트 세정액에 대한 것이다.
[화학식 1]

(상기 화학식 1 에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로, C1 내지C4의 알킬이다.)

Description

포토레지스트 세정액 조성물{PHOTORESIST CLEANING COMPOSITION}
본 발명은 포토레지스트 세정액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 온화한 조건에서도 pre-bake, post-bake 및/또는 implanted 포토레지스트를 우수하게 세정가능한 레지스트 세정액에 대한 것이다.
광미세가공기술(Photo Lithography)은 반도체의 표면에 집적회로, 부품, 박막회로, 프린트 배선 패턴등을 만들어 넣는 기법이다. 광미세가공기술에서 포토레지스트는 빛에 의해 화학반응이 일어나 일반적으로 용해도 따위가 변화되는 감광성 고분자로서, 미세회로가 그려진 포토마스크를 통하여 빛이 조사된 부분에서 화학반응이 일어나 빛이 조사되지 않은 부분에 비하여 더욱 가용성이 되거나 또는 불가용성이 되어 이를 적당한 현상액으로 현상하면 각각 포지티브 또는 네가티브형 패턴이 형성된다.
빛이 닿은 부분만 고분자가 불용화(不溶化)하여 레지스트가 남는 감광성 수지를 네가형 포토 레지스트, 빛이 닿은 부분만 고분자가 가용화(可溶化)하여 레지스트가 사라지는 감광성 수지를 포지형 포토 레지스트라 하는데, 상기 포토레지스트의 정확한 제거는 다음 공정에 민감하게 영향을 미치므로 상당히 중요하다.
이에, 종래 대한민국 특허공개공보 제10-2000-0023187호 또는 대한민국 등록공보 제10-0795364호 등에는 황산 및 과산화수소계 화합물 등을 포함하는 포토레지스트 또는 폴리머를 효과적으로 제거하는 세정액 조성물을 제공하고 있다. 그러나, 황산(H2SO4) 또는 과산화수소(H2O2)를 주 산화제 또는 해리제로 사용하여 제거하는 방법의 경우, 사용되는 H2SO4 및 H2O2는 강산성의 화학약품으로 환경적인 측면 또한 고온으로 인한 장비의 부식과 안전측면 및 비용측면에 의한 문제점이 있어왔다.
특허공개공보 제10-2000-0023187호 대한민국 등록공보 제10-0795364호
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여, pre-bake, post-bake 및/또는 implanted 포토레지스트를 우수히 세정 가능하며 implanted 포토레지스트가 애슁(Ashing)된 후 잔류하는 포토레지스트 또한 효과적으로 세정가능하며, 세정되는 공정 조건이 과산화수소 및/또는 황산 등을 포함하는 세정액 조성물 대비 온화하며, 화학약품으로 인한 인체적 피해 문제가 현저히 개선되어 공정 및 환경 문제가 현저히 개선된 포토레지스트 세정액 조성물을 제공하는 것에 그 목적이 있다.
본 발명은 오존수(O3); 화학식 1의 4차 알킬 암모늄 하이드록사이드; 및 2차 아민을 포함하는 포토레지스트 세정액 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
(상기 화학식 1 에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로, C1 내지C4의 알킬이다.)
본 발명은 황산 및/또는 과산화수소를 포함하지 않으면서도, pre-bake, post-bake 및 implanted 포토레지스트가 애슁(Ashing)후 잔류된 잔류물을 효과적으로 세정가능하며, 세정되는 공정 조건이 과산화수소 및/또는 황산 등을 포함하는 세정액 조성물 대비 온화하며, 화학약품으로 인한 인체적 피해 문제가 현저히 개선되어 공정 및 환경 문제가 현저히 개선된 포토레지스트 세정액 조성물을 제공한다.
본 발명은 오존수(O3); 화학식 1의 암모늄 하이드록사이드; 및 2차 아민을 포함하는 포토레지스트 세정액 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
(상기 화학식 1 에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로, C1 내지C4의 알킬이다.)
Pre, post-baked 및/또는 Implanted 포토레지스트의 세정에 있어서 산화제 및 해리제의 성능이 좋을 수록, 농도가 높을수록 세정력이 높아지는데, 일반적으로 오존과 같은 mild한 조건의 산화제의 경우 산화력이 높지 못해 추후 해리제를 첨가하더라도 해리제의 성능이 충분히 발현되지 않는 경우가 있어, 포토레지스트 세정액에 있어 사용이 많지 않았다. 하지만 본원발명은, 오존을 산화제로 사용하여 mild한 조건에서 진행하더라도, 4차 알킬 암모늄 하이드록사이드 및 2차 아민을 함께 사용함으로써, mild한 조건에서도 포토레지스트의 세정을 가능하게 하였다.
오존수 (O 3 )
본 발명에서, 오존수(O3)는 포토 레지스트를 산화시키는 역할을 하며, 상기 오존수에 포함된 오존은 10 내지 15 ppm이 바람직하다. 오존수 내에 오존이 10 ppm 미만으로 포함될 경우 포토레지스트가 효과적으로 산화되지 않아, 그 제거가 어려우며, 15ppm을 초과하여 잔존 시 독성이 증가하여 인체에 해로울 수 있으며, 오존이 비례하여 산화 효과가 발생하는 것도 아니기 때문에 공정상 바람직하지 못할 수 있다.
본 발명의 오존수로서, 오존을 용해 시키는 용매인 물은 한정되지는 않지만, 바람직 하게 탈 이온수일 수 있다.
본 발명에 있어 식각시 식각액 온도는 50℃이상일 경우 세정력이 더 우수해 질 수 있으며, 공정상 안전등을 고려하여 50 내지 90, 보다 바람직하게는 70-90℃에서 세정이 진행 될 수 있다.
본 발명에서 오존수는, 조성물 총 중량%를 100중량%로 할 수 있도록 잔량으로 첨가될 수 있다.
4차 알킬 암모늄 하이드록사이드
본 발명에서, 4차 알킬 암모늄 하이드록사이드는 포토 레지스트를 해리하는 역할을 하며, 화학식 1로 표시되는 암모늄 하이드록 사이드일 수 있다.
[화학식 1]
(상기 화학식 1 에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로, C1 내지C4의 알킬이다.)
상기 화학식 1로 표시되는 4차 알킬 암모늄 하이드록사이드는 구체적으로, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라에틸암모늄 하이드록사이드 테트라프로필암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드 및/또는 에틸트리메틸 암모늄 하이드록사이드일 수 있다.
본 발명은, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라프로필암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드 및 에틸트리메틸 암모늄 하이드록사이드등 으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 4차 알킬 암모늄 하이드록사이드는 조성물 총 중량%에 대하여, 1 내지 15 중량%으로 포함될 수 있으며, 상술한 범위 내로 포함될 경우 제거력 저하 및 용해성이 떨어지는 문제가 발생되지 않는다는 점에서 바람직 할수 있다.
2차 아민
본 발명에서 2차 아민은 포토레지스트를 해리하는 역할을 함과 동시에, 젖음성을 향상시키는 보조제로서의 역할을 수행할 수 있다.
상기 2차 아민은 구체적으로, 화학식 2 내지 화학식 6으로 표시되는 화합물일 수 있으며, 보다 구체적으로, 피롤리딘 (pyrrolidine), 피페라진(piperazine), 2-(메틸아미노)에탄올(2-(methylamino)ethanol), 피페리딘(piperidine), 아지리딘(aziridine), 아제티딘(azetidine), 헥사메틸렌이민(hexamethylenemine) 2-메틸-2-옥사졸린(2-methyl-2-oxazoline), 2-에틸-2-옥사졸린(2-ethyl-2-oxazoline)및 모폴린 (morpholine)등으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다. 또한, 보다 바람직하게는 고리형 2차아민 일 수 있으며, 보다 구체적으로 피롤리딘 (pyrrolidine), 피페라진(piperazine), 피페리딘(piperidine), 및 모폴린 (morpholine)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상 일 수 있다.
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
[화학식 6]
본 발명의 조성물은 상기 화학식 2 내지 6으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 조성물은, H2SO4 및 H2O2등의 강산성 물질을 포함하지 않는 것을 하나의 특징으로 한다. 본 발명은 하기 구체적인 예로 한정되지 않으며, 당업자의 수준에서 그 변형 및 개량이 가능하다.
실시예 1 내지 20 및 비교예 1 내지 13
하기 표 1에 나타낸 조성 및 함량에 따라 실시예1 내지 실시예20 및 비교예1 내지 비교예13 각각의 세정액 조성물 1㎏을 제조하였으며, 세정액 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 오존수를 포함하였다. 구체적인 함량 및 구성은 하기 표 1과 같다.
오존수(O3) 4차 알킬
암모늄하이드록사이드
아민 NH4OH(%) Choline hydroxide (%) 불화수소
(%)
산화제
함량 ppm 종류 함량(%) 종류 함량(%) 종류 함량
(%)
실시예1 잔량 15 TMAH 10 Pyrrolidine 10 - - - - - -
실시예2 잔량 10 TMAH 1 Pyrrolidine 10 - - - - - -
실시예3 잔량 10 TMAH 5 Pyrrolidine 10 - - - - - -
실시예4 잔량 10 TMAH 10 Pyrrolidine 10 - - - - - -
실시예5 잔량 10 TMAH 15 Pyrrolidine 10 - - - - - -
실시예6 잔량 10 TMAH 5 Pyrrolidine 5 - - - - - -
실시예7 잔량 10 TMAH 5 Pyrrolidine 15 - - - - - -
실시예8 잔량 10 TMAH 5 Pyrrolidine 25 - - - - - -
실시예9 잔량 10 TMAH 1 Pyrrolidine 25 - - - - - -
실시예10 잔량 10 TMAH 15 Pyrrolidine 5 - - - - - -
실시예11 잔량 10 TMAH 10 MAE 10 - - - - - -
실시예12 잔량 10 TMAH 10 Piperazine 10 - - - - - -
실시예13 잔량 10 TMAH 10 Morpholine 10 - - - -
실시예14 잔량 10 TMAH 10 Piperidine 10 - - - - - -
실시예15 잔량 10 ETMAH 10 Piperidine 10 - - - - - -
실시예16 잔량 10 TEAH 10 Piperidine 10 - - - - - -
실시예17 잔량 10 TMAH 0.9 Pyrrolidine 10 - - - - - -
실시예18 잔량 10 TMAH 16 Pyrrolidine 10 - - - - - -
실시예19 잔량 10 TMAH 5 MAE 4 - - - - - -
실시예20 잔량 10 TMAH 5 MAE 26 - - - - - -
비교예1 잔량 10 - - - - - - - - - -
비교예2 잔량 10 - - - - 20 - - - - -
비교예3 잔량 10 - - - - - 20 - - - -
비교예4 잔량 10 TMAH 5 - - - - - - - -
비교예5 잔량 10 - - Pyrrolidine 20 - - - - - -
비교예6 잔량 9 - - - - - - - - - -
비교예7 잔량 16 - - - - - - - - - -
비교예8 잔량 10 - - - - - - 0.5 - - -
비교예9 잔량 10 - - - - 20 - 0.5 - - -
비교예10 - - TMAH 10 Pyrrolidine 10 H2O2 1 잔량
비교예11 - - TMAH 10 Pyrrolidine 10 H2SO4 5 잔량
비교예12 잔량 10 TMAH 10 4-Amino-2-butanone 10 - - - - - -
비교예13 잔량 10 TMAH 10 TEA 10 - - - - - -
TMAH(Tetramethylammoniumhydroxide)
TEAH(Tetraethylammoniumhydroxide)
ETMAH(EthylTrimethylammoniumhydroxide)
MAE(2-(methylamino)ethanol)
TEA(Triethylamine)
실험예 1 : 조성물의 PR 제거력평가
각 실시예 1 내지 20 및 비교예 1 내지 13에 해당하는 용액 15g에 대하여, pre-baked PR, post-baked PR 및/또는 implanted PR이 코팅된 기판 (1x3cm2)을 침지하고 10초 간격으로 shaking하면서 PR 전체가 용해 또는 박리되어 기판을 세정하는데 소요되는 시간을 측정하여, 하기 표 2에 구체적인 결과를 기재하였다.
PR 세정력
Pre-baked PR Post-baked PR Implanted PR
실시예1
실시예2
실시예3
실시예4
실시예5
실시예6
실시예7
실시예8
실시예9
실시예10
실시예11
실시예12
실시예13
실시예14
실시예15
실시예16
실시예17
실시예18
실시예19
실시예20
비교예1 X X X
비교예2 X X X
비교예3 X X X
비교예4 X
비교예5 X
비교예6 X X X
비교예7 X X X
비교예8 X
비교예9 X
비교예10 X
비교예11 X
비교예12
비교예13
Pre-baked PR 및 post-baked PR 세정력
-Pre-baked 포토레지스트 및 post-baked 포토레지스트가 세정되는 데 소요되는 시간에 따라 그 효과를 다음과 같은 기준으로 평가하였다.
- ◎ (매우우수): 30초 미만,
- ○ (우수): 30초 이상 1분 미만
- △ (보통): 1분 이상 15분 미만
- X (나쁨) : 15분 이상
Implanted 포토레지스트 (PR) 세정력
-Implanted 포토레지스트 세정 능력에 따라 그 효과를 다음과 같은 기준으로 평가하였다.
- ◎ : 90 이상 제거 (매우우수)
- ○: 80% 이상 90% 미만 제거(우수)
- △ : 30% 이상 80%미만 제거(보통)
- X: 30% 미만 제거(나쁨)
또한, Implanted PR의 경우 이온 첨가에 의해 변성된 포토레지스트에 해당하는 것으로, pre 및 post 포토레지스트 대비 박리 및 세정이 어려운 것인데, 본 발명은 실시예 1 내지 14로부터 온화한 조건에서도 세정이 가능함을 확인 하였다.
한편, 비교예 1 내지 11의 경우, pre, post- baked 포토레지스트의 세정능력이 본원발명의 구성을 전부 포함하는 실시예 1 내지 20대비 현저히 효과가 떨어지며, implanted 포토레지스트의 경우 세정능력이 나쁨을 확인하였다.
또한, 2차 아민이 아닌 1차 또는 3차 아민을 포함할 경우 pre, post- baked 및 implanted 포토레지스트의 세정능력이 저하됨을 확인 할 수 있다.
즉, 본 발명은 상기 실험을 통해 과산화수소 및 황산 등의 강한 산화제의 포함없이도, 세정이 어려운 포토레지스트를 온화한 조건에서 빠른 시간내 세정 가능한 것으로, 공정이 우수하며 세정액으로 인해 발생하는 환경문제를 저감할 수 있는 우수한 세정액 조성물을 제공 가능함을 확인 할 수 있었다.

Claims (5)

  1. 오존수(O3); 하기 화학식 1로 표시되는 4차 알킬 암모늄 하이드록사이드; 및 2차 아민을 포함하며,
    과산화수소를 포함하지 않는 포토레지스트 세정액 조성물.
    [화학식 1]

    (상기 화학식 1 에서, R1 내지 R4는 각각 독립적으로, C1 내지 C4의 알킬이다.)
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 2차 아민은 화학식 2 내지 화학식 6으로 표시되는 화합물 중 1종 이상을 포함하는 것인, 포토레지스트 세정액 조성물.
    [화학식 2]

    [화학식 3]

    [화학식 4]

    [화학식 5]

    [화학식 6]

  3. 청구항 1에 있어서,
    조성물 총 중량에 대하여
    화학식 1로 표시되는 4차 알킬 암모늄 하이드록 사이드 1 내지 15 중량%;
    2차 아민 5 내지 25 중량%; 및
    오존수 잔량을 포함하는 것인, 포토 레지스트 세정액 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 오존수는 오존을 10 내지 15 ppm을 포함하는 것인, 포토 레지스트 세정액 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 4차 알킬 암모늄 하이드록 사이드는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라프로필암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드 및 에틸트리메틸 암모늄 하이드록사이드으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것인, 포토 레지스트 세정액 조성물.
KR1020180109794A 2018-09-13 2018-09-13 포토레지스트 세정액 조성물 KR102572755B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180109794A KR102572755B1 (ko) 2018-09-13 2018-09-13 포토레지스트 세정액 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180109794A KR102572755B1 (ko) 2018-09-13 2018-09-13 포토레지스트 세정액 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200030945A KR20200030945A (ko) 2020-03-23
KR102572755B1 true KR102572755B1 (ko) 2023-08-30

Family

ID=69998521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180109794A KR102572755B1 (ko) 2018-09-13 2018-09-13 포토레지스트 세정액 조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102572755B1 (ko)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999060448A1 (en) * 1998-05-18 1999-11-25 Mallinckrodt Inc. Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
JP3189892B2 (ja) 1998-09-17 2001-07-16 日本電気株式会社 半導体基板の洗浄方法及び洗浄液
JP3516446B2 (ja) * 2002-04-26 2004-04-05 東京応化工業株式会社 ホトレジスト剥離方法
KR100795364B1 (ko) 2004-02-10 2008-01-17 삼성전자주식회사 반도체 기판용 세정액 조성물, 이를 이용한 세정 방법 및도전성 구조물의 제조 방법
US20120048295A1 (en) * 2009-03-11 2012-03-01 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Cleaning formulation for removing residues on surfaces
US9416338B2 (en) * 2010-10-13 2016-08-16 Advanced Technology Materials, Inc. Composition for and method of suppressing titanium nitride corrosion

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200030945A (ko) 2020-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100323326B1 (ko) 플라즈마 에칭 잔류물 제거용 비부식성 세정 조성물
KR100297893B1 (ko) 교차결합된또는경화된레지스트수지를가진금속의부식을감소시키는알칼리함유포토레지스트스트리핑조성물
TWI304525B (ko)
TWI315030B (en) Photoresist stripper composition, and exfoliation method of a photoresist using it
KR100504979B1 (ko) 비부식성 스트리핑 및 세정 조성물
EP1470207B1 (en) Aqueous stripping and cleaning composition
KR20040032855A (ko) 술폭시드 피롤리드(인)온 알칸올아민 박리 및 세정 조성물
KR20010072673A (ko) 비부식성 스트립핑 및 세정용 조성물
JP2006079093A (ja) フォトレジスト剥離液組成物
KR101999641B1 (ko) 구리/아졸 중합체 억제를 갖는 마이크로일렉트로닉 기판 세정 조성물
KR20070025444A (ko) 변성된 포토레지스트 제거를 위한 반도체 소자용 박리액조성물
JPS63208043A (ja) ポジ型フオトレジスト用水溶性剥離液
JP2006085017A (ja) ホトレジスト用剥離液およびこれを用いた基板の処理方法
JP2006152303A (ja) 残留物を除去するための組成物及び方法
JP2006343604A (ja) ホトリソグラフィ用洗浄液およびこれを用いた基板の処理方法
KR102572755B1 (ko) 포토레지스트 세정액 조성물
JP2008058625A (ja) フォトレジスト用剥離液及びこれを用いた基板の処理方法
JP2004533010A (ja) レジスト除去剤組成物
CN107239006B (zh) 抗蚀剂剥离液组合物、平板及其制造方法和显示装置
JP2019120926A (ja) ドライフィルムレジスト除去用剥離組成物及びこれを用いたドライフィルムレジストの剥離方法
JP4442817B2 (ja) ホトレジスト用剥離液
KR102572758B1 (ko) 포토레지스트 세정액 조성물
JP2003322978A (ja) レジスト剥離剤およびそれを用いた半導体素子の製造方法
KR20100071136A (ko) 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 반도체 패턴 형성 방법
KR100842072B1 (ko) 포토레지스트 제거액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트제거 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right