JP2003322978A

JP2003322978A - レジスト剥離剤およびそれを用いた半導体素子の製造方法

Info

Publication number: JP2003322978A
Application number: JP2002133205A
Authority: JP
Inventors: Kazuto Ikemoto; 一人池本; Takehito Maruyama; 岳人丸山
Original assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Current assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date: 2002-05-08
Filing date: 2002-05-08
Publication date: 2003-11-14
Anticipated expiration: 2022-05-08
Also published as: JP4150887B2

Abstract

(57)【要約】【課題】無機質基体上に塗布されたレジストを容易に剥
離でき、且つレジストを剥離する際に種々の材料の無機
質基体を全く腐食せずに高精度の回路配線を製造できる
レジスト剥離剤を提供すること。【解決手段】アミノヒドロキシメチル化合物と有機溶剤
を含有するレジスト剥離剤。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路や
液晶表示装置の半導体素子の配線工程または電極形成工
程におけるレジスト剥離剤およびそれを用いた半導体素
子の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】リソグラフ技術は半導体素子、液晶や有
機EL表示素子、微小機械等に使用されている。本発明は
このリソグラフ技術のレジスト剥離に関わる技術であ
る。半導体集積回路や液晶表示装置、有機EL表示素子の
半導体素子は、通常、無機質基体上にレジストを塗布
し、露光、現象によりパターンを形成し、次いで該レジ
ストパターンをマスクとし、非マスク領域の無機質基体
のエッチングを行い、微細回路を形成した後、上記レジ
スト膜を無機質基体から剥離する方法、あるいは同様に
して微細回路を形成した後、アッシングを行い残存する
レジスト残渣物を無機質基体から剥離する方法によって
製造される。従来、上記レジスト膜、レジスト残渣物等
を除去するレジスト剥離剤として、特開昭６２−４９３
５５号公報、特開昭６２−９５５３１号公報、特開平５
−２７３７６８号公報には、水を含有しない有機アミン
系剥離剤が開示されている。特開昭６４−８１９４９号
公報、特開昭６４−８１９５０号公報、特開平６−２６
６１１９号公報には水を含有するアミン系レジスト剥離
液が提案されている。しかし、これらの有機アミン系剥
離剤では上記エッチング後のレジスト膜、エッチング、
アッシング後のレジスト残渣物の剥離時、もしくはこれ
を使用したのちに行うリンス工程で腐食が生じる危険が
高い欠点があった。特に、近年微細加工が著しくなり、
レジスト剥離もしくはリンス時の腐食が問題になってき
た。レジスト剥離時に腐食のない液としてヒドロキシル
アミンを含む組成物が特開平4-289866号公報に開示され
ているが、この組成物でも水をリンスに使用した際には
腐食が生じる欠点がある。レジスト剥離を向上させる成
分として特開2000-250230号公報に記載のアミン化合物
とアミノヒドロキシメチル化合物を組み合わせた組成物
が提案されているがこれも水をリンスに使用した際には
腐食が生じる欠点がある。これらの欠点を無くすべく従
来の工夫はアミン濃度を下げ、防食剤を大量に加える事
がされている。しかし、これらの工夫ではレジスト剥離
性が極端に低下したり、腐食が抑えられない欠点があ
る。さらにこれらのアルカリ成分を大量に含むレジスト
剥離液では空気中の炭酸ガスを吸収して炭酸塩、重炭酸
塩、カルバミン酸塩を形成する。これによる組成変化や
レジスト剥離性が低下する欠点があることを本発明者は
明らかにした。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術における上記の如き、剥離剤の問題点を解決し、無
機質基体上に塗布されたレジスト膜、または無機質基体
上に塗布されたレジスト膜をエッチング後に残存するレ
ジスト膜、あるいはレジスト膜をエッチング後にアッシ
ングを行い残存するレジスト残渣物等を低温、短時間で
容易に剥離でき、かつ、レジストを剥離する際、もしく
はリンス時に種々の材料の無機質基体を全く腐食せず
に、高精度の回路配線を製造できるレジスト剥離剤およ
びそれを使用した半導体素子の製造方法を提供すること
である。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者等らは、前記目
的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、無機質基体
上に塗布されたレジスト膜をエッチング後に残存するマ
スク形成されたレジストおよびレジスト残渣物、あるい
はエッチング後にアッシングを行い残存するレジスト残
渣物を容易に短時間で剥離でき、その際、配線材料や絶
縁膜等を全く腐食せずに微細加工が可能であり、高精度
の配線回路を可能にするレジスト剥離剤を見出した。本
発明はかかる知見により完成したものである。すなわ
ち、本発明は、アミノヒドロキシメチル構造を１分子中
に１個以上有するアミノヒドロキシメチル化合物と有機
溶剤を含むレジスト剥離剤である。さらに半導体素子を
製造する際に、エッチング後に残存するレジスト膜およ
び／またはレジスト残渣物を上記記載のレジスト剥離剤
を用いて除去することを特徴とする半導体素子の製造
法、並びに、エッチング後にアッシングを行い残存する
レジスト膜および／またはレジスト残渣物を上記記載の
レジスト剥離剤を用いて除去することを特徴とする半導
体素子の製造方法である。

【０００５】

【発明の実施の形態】本発明のレジスト剥離剤は、下記
式（１）で表される構造を１分子中に１個以上有するア
ミノヒドロキシメチル化合物と有機溶剤を含むレジスト
剥離剤である。

【０００６】

【化３】さらに好ましくは下記式（2）で表されるアミノヒドロ
キシメチル化合物と有機溶剤を含むことを特徴とするレ
ジスト剥離剤である。

【０００７】

【化４】（式中、Ｒ¹ 、Ｒ² は互いに独立に水素、炭素数１〜12
の置換基または炭素数２〜１２の環状構造を有する置換
基を示す。）

【０００８】上記式（２）において、好ましくはＲ² が
水素またはメチル基であり、Ｒ¹ がアルキル基、含水酸
基アルキル基、含アミノ基アルキル基、含エーテル基ア
ルキル基、アシル基または含カルボニル基である。もし
くは、R¹とR²が、それぞれアルキル基、含水酸基アルキ
ル基、含アミノ基アルキル基、含エーテル基アルキル
基、アシル基、または含カルボニル基である。具体的な
例をあげるとＮ−ヒドロキシメチルエタノールアミン、
Ｎ−ヒドロキシメチルイソプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ
−ジヒドロキシメチルエタノールアミン、Ｎ−ヒドロキ
シメチルジエタノールアミン、Ｎ−ヒドロキシメチル−
Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−ヒドロキシメチル−
Ｎ−エチルエタノールアミンまたはＮ−ヒドロキシメチ
ルアミノエトキシエタノール、Ｎ−ヒドロキシメチルエ
チレンジアミン、Ｎ，Ｎ´−ジヒドロキシメチルエチレ
ンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシメチルエチレンジア
ミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ´−トリヒドロキシメチルエチレンジ
アミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ´，Ｎ´−テトラヒドロキシメチ
ルエチレンジアミン、Ｎ−ヒドロキシメチルブチレンジ
アミン、Ｎ−ヒドロキシメチルプロピレンジアミン、Ｎ
−ヒドロキシメチルジエチレントリアミンまたはＮ，Ｎ
´´−ジヒドロキシメチルジエチレントリアミン、Ｎ−
ヒドロキシメチルメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシ
メチルメチルアミン、Ｎ−ヒドロキシメチルジメチルア
ミン、Ｎ−ヒドロキシメチルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ
ヒドロキシメチルエチルアミン、Ｎ−ヒドロキシメチル
ジエチルアミン、Ｎ−ヒドロキメチルプロピルアミンま
たはＮ−ヒドロキシメチルブチルアミン、N-ヒドロキシ
メチルホルムアミド、N-ヒドロキシメチルアセトアミ
ド、N-ヒドロキシメチルピロリドン、N-ヒドロキシメチ
ル-Ｎ-メチルホルムアミド、N-ヒドロキシメチル-Ｎ-メ
チルアセトアミド、N-ヒドロキシメチルプロピオンアミ
ド N-ヒドロキシメチル尿素、N,N'-ジヒドロキシメチル
尿素、N-ヒドロキシメチルアクリルアミド、N-ヒドロキ
シメチルグリシン、N-ヒドロキシメチルグアニジンまた
はN,N'-ジヒドロキシメチルグアニジンがあげられる。
本発明において上記に限定されずアミノヒドロキシメチ
ル構造を有していれば何ら問題がない。本発明で使用さ
れる有機溶剤は特に制限がない。好ましくは水に対する
溶解度が、30重量％以上の水溶性有機溶剤である。

【０００９】具体的な例を示すとエチレングリコールモ
ノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエー
テル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエ
チレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエー
テル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレン
グリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコー
ルモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブ
チルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリエ
チレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレング
リコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル系溶
剤、ホルムアミド、モノメチルホルムアミド、ジメチル
ホルムアミド、モノエチルホルムアミド、ジエチルホル
ムアミド、アセトアミド、モノメチルアセトアミド、ジ
メチルアセトアミド、モノエチルアセトアミド、ジエチ
ルアセトアミド等のアミド系溶剤、Ｎ−メチルピロリド
ン、Ｎ−エチルピロリドン等のピロリドン系溶剤、メチ
ルアルコール、エチルアルコール、イソプロパノール、
エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレ
ングリコール、トリエチレングリコール、ジプロピレン
グリコール等のアルコール系溶剤、ジメチルスルホキシ
ド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−
ヒドロキシスルホン、テトラメチレンスルホン等の硫黄
含有化合物系溶剤、１，３−ジメチル−２−イミダゾリ
ジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、
１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン、γ−
ブチロラクトン、σ−バレロラクトン、γ−バレロラク
トン等のラクトン系溶剤、ニトリロトリエタノール、ジ
メチルアミノエタノール、メチルジエタノールアミン、
ジエチルアミノエタノール等のアルカノールアミン系溶
剤があげられる。本発明において有機溶剤は上記の例だ
けに限定されない。

【００１０】本発明においてアミノヒドロキシメチル化
合物と有機溶剤が含まれることが特徴であるが、アミノ
ヒドロキシメチル化合物が溶剤の役割を果たしても本発
明の主旨から逸脱しない。本発明の組成比としてはアミ
ノヒドロキシメチル化合物が0.01〜100重量％、溶剤量
が5〜99.99重量％である。更に、水を含有することは何
ら制限されず、必要に応じて加えることが出来る。水分
があることで残渣除去に効果的である場合が多い。本発
明のアミノヒドロキシメチル化合物は腐食性が小さいこ
とを特徴としており、水分の添加に問題はない。好まし
くは70重量％以下である。本発明のアミノヒドロキシメ
チル化合物はレジストを除去する能力が高い。その機構
は以下のように推定されている。芳香族ヒドロキシ化合
物であるレジストとアミノヒドロキシメチル化合物と反
応することにより、アミノメチル構造がレジストに導入
され、この官能基により溶解度が上昇する。さらに溶剤
部が溶解し、これによりレジスト除去能を高めている。
さらに、本発明は材料への腐食を抑制する効果も有して
いる。これはアミノヒドロキシメチル化合物のアミノ基
の塩基性が1炭素原子をはさんで存在する酸素原子の効
果により弱くなっているために腐食性が小さい、さらに
立体障害も加わって腐食性を下げていると予想してい
る。本発明の主旨はアミノヒドロキシメチル化合物の腐
食性が小さく、レジスト剥離性を有していることを利用
している。通常の一級、二級アミンと溶剤を混合した剥
離剤では組成物での状態、もしくは水でリンスした状態
で腐食を生じる。本発明の組成物は組成物である場合の
みでなく、水リンス時（水で希釈された時）にも腐食性
が小さいことを特徴としている。本発明の主旨から腐食
性の小さい弱塩基アミン、三級アミンを含有することは
何ら問題がない。弱塩基アミンとしてはヒドロキシルア
ミンがあげられ、三級アミンとしてはトリエタノールア
ミン、ジエチルアミノエタノールがあげられる。

【００１１】本発明のアミノヒドロキシメチル化合物は
十分に防食性を有しているが、さらに防食剤を含有する
ことは本発明の趣旨から逸脱する物ではない。防食剤と
して糖または糖アルコールが使用しやすく、具体的には
ソルビトール、キシリトールがあげられる。さらに一般
的に防食剤としてキレート化合物が良く使用され、本発
明で使用しても何ら問題がない。具体的には、蟻酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、シュウ酸、マロン
酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、安
息香酸、フタル酸、１，２，３−ベンゼントリカルボン
酸、グリコール酸、ジグリコール酸、乳酸、リンゴ酸、
クエン酸、サリチル酸、ベンゾトリアゾール、アミノテ
トラゾール、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリ
アミンペンタメチレンホスホン酸、プロピレンジアミン
テトラメチレンホスホン酸等があげられる。

【００１２】本発明では界面活性剤は適時使用可能であ
り、カチオン、アニオン、ノニオン、ベタイン等のどの
タイプの使用に制限はない。通常のアルカリ性レジスト
剥離液は空気中もしくは空気と窒素等の不活性ガスの混
合中で使用される事が多い。通常、これらのガスの場
合、空気に由来する二酸化炭素が含まれている。二酸化
炭素がアルカリに溶解した場合に炭酸塩、重炭酸塩、カ
ルバミン酸塩を形成する。これにより組成変化する欠点
を有している。さらには組成変化してレジスト剥離性能
が低下する。

【００１３】本発明のレジスト剥離液は炭酸ガスの吸収
速度が小さく、この影響を受けにくいことを特徴として
いる。本発明のレジスト剥離液は窒素ガス等の不活性ガ
ス中での使用に問題はなく、空気のような二酸化炭素を
含むガスの使用でも性能の低下は小さい。特に二酸化炭
素濃度50ppm以上の濃度の時に有効である。本発明の組
成物で特に好ましい組成はアミノヒドロキシメチル化合
物が0.01〜50重量％、溶剤量が5〜99.99重量％、水分量
0-70重量％、防食剤0-15重量％である。

【００１４】通常の使用温度は常温〜１５０℃の範囲で
あるが、特に６０℃以下の低い温度で剥離することが出
来る。本発明の半導体素子を製造する際に使用される無
機質基体としては、シリコン、非晶性−シリコン、ポリ
シリコン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミニ
ウム、アルミニウム合金、銅および銅合金、チタン、チ
タン−タングステン、窒化チタン、タングステン、タン
タル、タンタル化合物、タンタル合金、クロム、クロム
酸化物、クロム合金、ＩＴＯ（インジウム−錫酸化物）
等半導体配線材料あるいはガリウム−砒素、ガリウム−
リン、インジウム−リン等の化合物半導体、さらにＬＣ
Ｄのガラス基板、有機EL基板等があげられる。本発明の
半導体素子の製造方法は、所定のパターンをレジストで
形成された不要部分をエッチング除去し、その際に生じ
るレジスト残渣を上述した剥離液で除去するものである
が、エッチング後、所望により灰化処理を行い、しかる
後にエッチングにより生じた残渣を、上述した剥離液で
除去することもできる。ここで言う灰化処理（アッシン
グ）とは、例えば有機高分子よりなるレジストをプラズ
マ中で発生する酸素プラズマにより、燃焼反応でＣＯ，
ＣＯ₂ として除去するものである。具体的な方法として
は、一対の電極間に介在される容器内に、被処理基板と
アッシングガスを封入し、前記電極に高周波電力を印
加、前記容器内にアッシングガスのプラズマを発生さ
せ、このプラズマ中の活性イオンと基板表面の物質とを
反応させてレジストを気化させることによりレジストを
除去する。本発明のレジスト剥離剤を使用した後のリン
ス法としては、アルコールのような有機溶剤を使用して
も良く、あるいは、水でリンスを行っても良く、特に制
限はない。本発明のレジスト剥離剤の特徴は低腐食性で
あり、特に水リンス時に腐食が小さいことを特徴として
いるため、水でのリンスがコスト、環境面からも推奨で
きる。

【００１５】以下に実施例及び比較例をしめして本発明
をさらに詳細に説明する。

【００１６】

【実施例】実施例1-18、比較例1-7 ガラス基板上にチタニウム（Ti）、その上にアルミニウ
ム（Al）、さらにその上にTiが成膜された基板を、パタ
−ニングされたレジストをマスクとして塩素系のガスで
ドライエッチングした。50℃に保った表1に示した剥離
剤組成物に上述の基板を所定時間浸漬し、水リンスし、
窒素ガスで乾燥した。基板上のレジストの有無を光学顕
微鏡および走査型電子顕微鏡で観察した。結果を表１に
示した。表1に示したように、アミノヒドロキシメチル
化合物を含む組成物でレジストは短時間に除去された。

【００１７】

【表１】 1） HMAE: ヒドロキシメチルアミノエタノール、HMA
P：ヒドロキシメチルアミノイソプロパノール、DMAC:
ジメチルアセトアミド、DGME: ジエチレングリコールモ
ノメチルエーテル、DGBE: ジエチレングリコールモノブ
チルエーテル, DHME: Ｎ，Ｎ´−ジヒドロキシメチルエ
チレンジアミン, HMAC: N-ヒドロキシメチルアセトアミ
ド, NMP: N-メチルピロリドン、HMMA: ヒドロキシメチ
ルメチルアミン、DMSO: ジメチルスルホキシド, HA: ヒ
ドロキシルアミン, DMU: ジメチロール尿素、DPGME :
ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、CA: クエ
ン酸

【００１８】実施例19-21、比較例8-9 表2に示した組成物の50℃におけるAl及びアモルファス
シリコン（a-Si）のエッチングレ−トを測定した。Alは
蛍光Ｘ線強度、a-Siは光学式膜厚計を使用して測定し
た。結果を表２に示した。表2に示したように、本発明
の組成物は、従来のアミンを含む剥離液に比べ明らかに
低いエッチングレ−トだった。

【００１９】

【表２】 2） HMAE: ヒドロキシメチルアミノエタノール、DMAC:
ジメチルアセトアミド、DGME: ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、DGBE: ジエチレングリコールモノ
ブチルエーテル、AE: アミノエタノール、MEA: N-メチ
ルアミノエタノール

【００２０】実施例22、比較例10 実施例1に例示の組成物及び比較例8に例示の組成物を水
と混合し、30℃におけるAl及びa-Siのエッチングレ−ト
を測定した。その結果を表３に示す。

【００２１】

【表３】

【００２２】剥離剤でレジストが除去されたのちの水リ
ンス時に、基板は、一時的に、剥離剤と水が混合した液
にさらされるが、表３に示したように、本発明の剥離剤
では、このような状態になったときでも、Alおよびa-Si
の腐食が起きないことが分かった。

【００２３】実施例23、比較例11 炭酸ガスの影響炭酸ガスを200ｍｌ/minの流速で室温の組成物100gに吹
き込んだ。使用した組成物は実施例1の組成物、比較例8
の組成物である。30分後の重量増加量は実施例1の組成
物は0.8g, 比較例8の組成物は3.9gであった。ヒドロキ
シメチルアミン化合物は通常のアミン化合物に比べ、炭
酸ガスの吸収量は小さく組成の変化が小さい。

【００２４】

【発明の効果】ヒドロキシメチルアミンを使用すること
で腐食性が非常に低いレジスト剥離液を作ることができ
る。また、リンス時の腐蝕もほとんどない。さらに炭酸
ガスによる影響も非常に小さく組成が変化しにくい。本
発明のレジスト剥離剤は剥離性に優れ、特に、低温、短
時間でレジストを容易に剥離でき、かつ、レジストを剥
離する際に種々の材料の無機質基体を全く腐食せず、半
導体素子の製造に好適に用いられる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記式（１）で表される構造を１分子中に
１個以上有するアミノヒドロキシメチル化合物と有機溶
剤を含むことを特徴とするレジスト剥離剤。【化１】
【請求項２】式（１）で表される構造を１分子中に１個
以上有するアミノヒドロキシメチル化合物が、下記式
（２）で表される化合物である請求項１記載のレジスト
剥離剤。【化２】（式中、Ｒ¹ 、Ｒ² は互いに独立に水素、炭素数１〜12
の置換基または炭素数２〜１２の環状構造を有する置換
基を示す。）
【請求項３】Ｒ² が水素である請求項2記載のレジスト
剥離剤。
【請求項４】Ｒ² がメチル基である請求項2記載のレジ
スト剥離剤。
【請求項５】Ｒ¹ がアルキル基、含水酸基アルキル基、
含アミノ基アルキル基、含エーテル基アルキル基、アシ
ル基、または含カルボニル基である請求項２記載のレジ
スト剥離剤。
【請求項６】R¹とR²がそれぞれ、アルキル基、含水酸基
アルキル基、含アミノ基アルキル基、含エーテル基アル
キル基、アシル基、または含カルボニル基である請求項
2記載のレジスト剥離剤
【請求項７】式（１）で表される構造を１分子中に１個
以上有するアミノヒドロキシメチル化合物が、Ｎ−ヒド
ロキシメチルエタノールアミン、Ｎ−ヒドロキシメチル
イソプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシメチル
エタノールアミン、Ｎ−ヒドロキシメチルジエタノール
アミン、Ｎ−ヒドロキシメチル−Ｎ−メチルエタノール
アミン、Ｎ−ヒドロキシメチル−Ｎ−エチルエタノール
アミンまたはＮ−ヒドロキシメチルアミノエトキシエタ
ノールである請求項１記載のレジスト剥離剤。
【請求項８】式（１）で表される構造を１分子中に１個
以上有するアミノヒドロキシメチル化合物が、Ｎ−ヒド
ロキシメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ´−ジヒドロキ
シメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシメチ
ルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ´−トリヒドロキシメ
チルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ´，Ｎ´−テトラ
ヒドロキシメチルエチレンジアミン、Ｎ−ヒドロキシメ
チルブチレンジアミン、Ｎ−ヒドロキシメチルプロピレ
ンジアミン、Ｎ−ヒドロキシメチルジエチレントリアミ
ンまたはＮ，Ｎ´´−ジヒドロキシメチルジエチレント
リアミンである請求項１記載のレジスト剥離剤。
【請求項９】式（１）で表される構造を１分子中に１個
以上有するアミノヒドロキシメチル化合物が、Ｎ−ヒド
ロキシメチルメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシメチ
ルメチルアミン、Ｎ−ヒドロキシメチルジメチルアミ
ン、Ｎ−ヒドロキシメチルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジヒ
ドロキシメチルエチルアミン、Ｎ−ヒドロキシメチルジ
エチルアミン、Ｎ−ヒドロキメチルプロピルアミンまた
はＮ−ヒドロキシメチルブチルアミンである請求項１記
載のレジスト剥離剤。
【請求項１０】式（１）で表される構造を１分子中に１
個以上有するアミノヒドロキシメチル化合物が、N-ヒド
ロキシメチルホルムアミド、N-ヒドロキシメチルアセト
アミド、N-ヒドロキシメチルピロリドン、N-ヒドロキシ
メチル-Ｎ-メチルホルムアミド、N-ヒドロキシメチル-
Ｎ-メチルアセトアミド、N-ヒドロキシメチルプロピオ
ンアミド N-ヒドロキシメチル尿素、N,N'-ジヒドロキシ
メチル尿素、N-ヒドロキシメチルアクリルアミド、N-ヒ
ドロキシメチルグリシン、N-ヒドロキシメチルグアニジ
ンまたはN,N'-ジヒドロキシメチルグアニジンである請
求項１記載のレジスト剥離剤。
【請求項１１】有機溶剤の水に対する溶解度が30重量％
以上であることを特徴とする請求項1記載のレジスト剥
離剤。
【請求項１２】有機溶剤がエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
モノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチル
エーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、
プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレ
ングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコ
ールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ
プロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエ
ーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプ
ロピレングリコールジメチルエーテル、トリエチレング
リコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコール
ジメチルエーテル、ホルムアミド、モノメチルホルムア
ミド、ジメチルホルムアミド、モノエチルホルムアミ
ド、ジエチルホルムアミド、アセトアミド、モノメチル
アセトアミド、ジメチルアセトアミド、モノエチルアセ
トアミド、ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリド
ン、Ｎ−エチルピロリドン、メチルアルコール、エチル
アルコール、イソプロパノール、エチレングリコール、
プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエ
チレングリコール、ジプロピレングリコール、ジメチル
スルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、
ビス（２−ヒドロキシスルホン、テトラメチレンスルホ
ン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３
−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプ
ロピル−２−イミダゾリジノン、γ−ブチロラクトン、
σ−バレロラクトン、ニトリロトリエタノール、ジメチ
ルアミノエタノール、メチルジエタノールアミン、また
はジエチルアミノエタノールである請求項１記載のレジ
スト剥離剤。
【請求項１３】更に、水を含有することを特徴とする請
求項１〜１２何れか１項記載のレジスト剥離剤。
【請求項１４】更に、弱塩基アミンまたは三級アミンを
含有することを特徴とする請求項１〜１３何れか１項記
載のレジスト剥離剤。
【請求項１５】更に、防食剤を含有することを特徴とす
る請求項１〜１４何れか１項記載のレジスト剥離剤。
【請求項１６】防食剤が、糖または糖アルコールである
請求項１５記載のレジスト剥離剤。
【請求項１７】防食剤がキレート化合物である請求項１
５記載のレジスト剥離剤。
【請求項１８】半導体素子を製造するに際し、エッチン
グ後に残存するレジスト膜および／またはレジスト残渣
物を、請求項１記載のレジスト剥離剤を用いて除去する
ことを特徴とする半導体素子の製造法。
【請求項１９】半導体素子を製造するに際し、エッチン
グ後にアッシングを行い残存するレジスト膜および／ま
たはレジスト残渣物を、請求項１記載のレジスト剥離剤
を用いて除去することを特徴とする半導体素子の製造
法。
【請求項２０】請求項１記載のレジスト剥離剤を用いて
基板上のレジスト膜および／またはレジスト残渣物を除
去する際に、二酸化炭素濃度50ppm以上の雰囲気で使用
することを特徴とする半導体素子の製造法。