CN1627518A - 半导体器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种以无线标签为典型的半导体器件，它具有改进了的机械强度，能够用更简单的工艺以低的成本加以制作，并防止了无线电波被屏蔽，以及一种制造此半导体器件的方法。根据本发明，无线标签包括由具有薄膜半导体膜的隔离的TFT组成的薄膜集成电路。无线标签可以被直接固定到物品，或在固定到物品之前被固定到诸如塑料和纸之类的柔性支持件。本发明的无线标签可以包括天线以及薄膜集成电路。天线使得能够在读出器/写入器与薄膜集成电路之间进行信号通信，并能够将电源电压从读出器/写入器馈送到薄膜集成电路。

Description

半导体器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及到能够无线通信的半导体器件及该半导体器件的制造方法。
背景技术
以无线标签为典型的能够无线通信识别数据之类的半导体器件，已经在各种领域中进入了实际应用，作为一种新的通信信息终端，其市场很可能进一步扩大。无线标签也称为RFID(射频识别)标签或IC标签。实际应用中的无线标签通常具有天线和用半导体衬底制作的IC芯片。
由天线接收的AC信号，被诸如无线标签中的二极管之类的整流元件整流，然后被送到后续各级。通常，晶体管被用作整流二极管。从借助于控制施加到无线标签中的天线的电压而引起的天线阻抗的改变，能够读出来自无线标签的信号。晶体管还被用作开关元件，用来控制施加到天线的电压。
在作为用半导体衬底制作的二极管或开关元件的这种晶体管的情况下，存在的一个问题是，依赖于AC信号的极性，大量电流在晶体管的P型基区与漏区之间流动。参照图12具体描述了其机制。
图12示出了制作在单晶衬底上的晶体管的结构。晶体管7002被制作在半导体衬底的P型基区7001中，且包括各用作源区或漏区的N型区域7003和7004。假设半导体衬底的P型基区7001被连接到地电位而N型区域7003被电连接到天线7005。在此情况下，N型区域7003和P型区域7001形成整流接触，从而形成一个寄生二极管7006。
因此，在从天线7005馈送到N型区域7003的电位高于地电位的情况下，电流不容易从N型区7003流到P型区7001。同时，在从天线7005馈送到N型区域7003的电位低于地电位的情况下，电流容易从P型基区7001流到N型区域7003，可能导致晶体管7002的退化甚至毁坏。
为了解决上述问题，专利文献1公开了一种结构，其中在MOSFET外围提供了一个通过高阻施加有偏压的保护带。
[专利文献1]：日本专利公开No.2000-299440
发明内容
但在专利文献1的情况下，保护带阻碍了高密度集成，从而不可避免地增大了芯片尺寸。由于半导体衬底的单位面积成本高于玻璃衬底的单位面积成本，故芯片尺寸的增大导致每个芯片成本的提高。
此外，无线标签可以根据应用而被固定到诸如纸和塑料之类的柔性材料，虽然与柔性材料相比，半导体衬底具有较低的机械强度。无线标签本身面积的减小，使得机械强度能够有某种程度的提高。但在此情况下，难以保持电路规模和天线增益。确切地说，当天线增益被减小时，通信距离就被减小，无线标签的应用就不可取地受到限制。因此，考虑到IC芯片的电路规模和天线增益，无线标签的面积不能够被随便减小，导致对改善机械强度的限制。
而且，在用半导体衬底形成的IC芯片的情况下，半导体衬底用作导体来屏蔽无线电波。于是，存在着信号根据传输的无线电波的方向而容易被衰减的问题。
考虑到上述问题，本发明提供了一种以无线标签为典型的半导体器件，它具有改进了的机械强度，能够用更简单的工艺以低的成本加以制作，并防止无线电波被屏蔽。本发明还提供了半导体器件的制造方法。
根据本发明，采用由各具有半导体薄膜的隔离的TFT(薄膜晶体管)组成的集成电路(以下称为薄膜集成电路)的器件，被称为半导体器件。这种半导体器件被用于无线标签(也称为无线芯片)。此无线标签可以被直接固定到物品，或可以在固定到物品之前被固定到诸如塑料和纸之类的柔性支持件上。根据本发明的无线标签可以包括天线以及薄膜集成电路。天线使得能够在读出器/写入器与薄膜集成电路之间进行信号通信，并能够将电源电压从读出器/写入器馈送到薄膜集成电路。
天线可以与待要固定到物品或柔性支持件的薄膜集成电路集成制作。或者，天线可以与待要固定到物品或具有薄膜集成电路的柔性支持件的薄膜集成电路分别地制作。作为替换，天线可以预先被制作到物品或柔性支持件上，且薄膜集成电路可以被固定到物品或柔性支持件，以便电连接到天线。
可以用各种方法来固定薄膜集成电路：一种方法是，薄膜集成电路被形成在高抗热衬底上，以金属氧化物膜插入其间，并利用晶化来减弱金属氧化物膜的强度，薄膜集成电路从而被剥离以便待要被固定；一种方法是，薄膜集成电路被形成在高抗热衬底上，以包含氢的非晶硅膜插入其间，并用激光辐照或腐蚀来清除此非晶硅膜，薄膜集成电路从而被剥离于衬底以便待要被固定；一种方法是，薄膜集成电路被形成在高抗热衬底上，并机械地清除或用使用溶液或气体的腐蚀来清除衬底，薄膜集成电路从而被剥离于衬底以便待要被固定；等等。
本发明的无线标签可以包括当剥离薄膜集成电路时被清除的衬底。
此外，各个分别地形成的薄膜集成电路可以被固定和层叠，以便提高电路规模和存储容量。与用半导体衬底形成的IC芯片相比，薄膜集成电路的厚度被大幅度减小。因此，即使当多个薄膜集成电路被层叠时，也能够保持一定程度的无线标签机械强度。利用诸如倒装芯片技术、TAB(带自动键合)、以及金属丝键合之类的任何熟知的方法，层叠的薄膜集成电路能够被彼此连接。
由于本发明的无线标签采用了由隔离的TFT组成的薄膜集成电路，故不容易在衬底与TFT之间形成寄生二极管，这是与形成在半导体衬底上的晶体管不同的。因此，依赖于馈送到源区或漏区的AC信号，大量的电流不会流入到漏区中，这就防止了退化或损坏。
借助于将无线标签直接固定到物品或柔性支持件上，可以根据物品的形式来修正无线标签的形式，得到了更大的通用性。
本发明的无线标签可以具有改进了的机械强度，同时不使其面积小于采用半导体衬底的常规无线标签的面积。结果就容易确保天线增益，增大通信距离，并提高无线标签的通用性。
通常，无线标签使用频率为13.56MHz或2.45GHz的无线电波。因此，为了得到广泛的应用，要求无线标签被制作成探测这些频率的无线电波。
本发明的无线标签的优点在于，与用半导体衬底制作的IC芯片相比，在薄膜集成电路中，无线电波被较少地屏蔽，从而能够防止由屏蔽的无线电波造成的信号衰减。因此，与IC芯片的情况相比，能够减小天线的直径。
由于不需要半导体衬底，故无线标签的成本能够大幅度降低。例如，对采用12英寸硅衬底的情况与采用尺寸为730×920平方毫米的玻璃衬底的情况进行了比较。硅衬底的面积约为73000平方毫米，而玻璃衬底的面积约为672000平方毫米，亦即，玻璃衬底的面积约为硅衬底的9.2倍。当不考虑衬底切割的裕度时，在面积约为672000平方毫米的玻璃衬底上，能够制作672000个面积各为1毫米见方的无线标签，这是制作在硅衬底上的无线标签的大约9.2倍。在采用尺寸为730×920平方毫米的玻璃衬底的情况下，要求的制造步骤较少，大规模生产无线标签的投资数量能够被降低到采用直径为12英寸的硅衬底情况下的投资数量的三分之一。而且，根据本发明，在从玻璃衬底剥离薄膜集成电路之后，能够重复利用此玻璃衬底。因此，与采用硅衬底的情况相比，即使考虑到修复破裂的玻璃衬底或清洗玻璃衬底表面的成本，采用玻璃衬底的情况下的成本也能够被明显地降低。本发明还涉及到其中形成在衬底上的薄膜集成电路不被剥离的无线标签。在被剥离之前就运输这种无线标签的情况下，用作材料的玻璃衬底的成本很大程度上影响到无线标签的成本。但尺寸为730×920平方毫米的玻璃衬底的成本约为直径为12英寸的硅衬底的大约一半。
从上面可见，采用尺寸为730×920平方毫米的玻璃衬底的无线标签的成本仅仅约为采用直径为12英寸硅衬底的无线标签的大约1/30。由于无线标签可望被用作一次性标签，故成本可以低得多的本发明的无线标签对于这种应用是非常有效的。
附图说明
图1A-1C示出了本发明的无线标签的构造。
图2A-2E示出了本发明采用折叠支持件制作的无线标签的构造。
图3A-3D示出了用于本发明的无线标签的天线的构造。
图4A和4B示出了本发明的无线标签的构造。
图5是方框图，示出了用于本发明无线标签的薄膜集成电路的功能。
图6A-6D示出了本发明无线标签的制造方法。
图7A和7B示出了本发明无线标签的制造方法。
图8A和8B示出了本发明无线标签的构造。
图9示出了本发明无线标签的构造。
图10A-10C示出了采用大支持件的本发明无线标签的制造方法。
图11A-11C示出了本发明无线标签的应用。
图12示出了具有用半导体衬底制作的IC芯片的无线标签的问题。
图13A-13C示出了本发明无线标签的应用。
具体实施方式
本发明的无线标签包括以馈自天线的AC信号工作的薄膜集成电路。本发明的无线标签还可以包括天线以及薄膜集成电路。在此情况下，天线可以与薄膜集成电路集成制作或与薄膜集成电路分别制作。薄膜集成电路可以被直接固定到物品，或可以在固定到物品之前被固定到柔性支持件。参照图1A-1C来描述本发明的无线标签的构造。
图1A示出了一种构造，其中，薄膜集成电路101和天线102被集成制作成直接固定到物品103。在图1A的情况下，薄膜集成电路101和天线102的制造步骤能够被简化，且其固定能够同时进行。
虽然在图1A中薄膜集成电路101和天线102被直接固定到物品103，但它们也可以在固定到物品103之前被固定到柔性支持件。在后一种情况下，无线标签到物品的固定能够被进一步简化，导致无线标签更大的通用性。
图1B示出了一种构造，其中，薄膜集成电路111和天线112被分别制作并固定到物品113。在图1B中，天线112被制作在柔性支持件114上，然后被固定到物品113。天线112可以预先被分别制作，然后固定到柔性支持件114，或可以用诸如丝网印刷和偏离印刷之类的印刷方法、微滴喷射、气相淀积、光刻等，被直接制作在柔性支持件114上。
微滴喷射意味着一种借助于从孔中喷射包含预定组分的微滴而形成预定图形的方法，且包括喷墨印刷等。
虽然在图1B中薄膜集成电路111被固定成层叠在天线112上，但本发明不局限于这种构造。薄膜集成电路111可以被固定成在物品113上邻近物品113上的天线112。在后一种情况下，可以利用固定之后分别形成的布线，或利用预先形成在物品113上的布线，来形成薄膜集成电路111与天线112之间的电连接。
此外，层叠薄膜集成电路111和天线112的层叠顺序不局限于图1B所示。天线112不一定要形成在薄膜集成电路111与物品113之间，薄膜集成电路111也可以被形成在天线112与物品113之间。
而且，虽然在图1B中仅仅天线112被固定到柔性支持件114，但本发明不局限于这种构造。例如，薄膜集成电路111可以被固定到支持件，然后被固定到具有天线112的物品113。
而且在图1B中，分别形成的天线112和薄膜集成电路111可以被固定到同一个支持件，然后被固定到物品113。在此情况下，无线标签到物品的固定能够被进一步简化，导致无线标签更大的通用性。
图1C示出了一种构造，其中，天线122被预先制作在物品123上。天线122可以被分别制作并被固定到物品123上，或可以用直接印刷、微滴喷射、气相淀积、光刻之类的方法被制作在物品123上。然后薄膜集成电路121被固定到其上制作了天线122的物品123上。注意，薄膜集成电路121可以被固定成邻近天线122或与天线122重叠以便具有叠层结构。
或者，薄膜集成电路121可以被制作在分别制备的支持件上，然后被固定到物品123上。在此情况下，无线标签到物品的固定能够被进一步简化，导致无线标签更大的通用性。
在采用柔性支持件的情况下，无线标签能够被制作成天线或薄膜集成电路被柔性支持件环绕或被置于柔性支持件中。参照图2A-2E来描述利用折叠支持件制作的无线标签的构造。
图2A是其上形成天线201的柔性支持件202的俯视平面图。虚线203对应于折叠线。利用光刻、印刷、气相淀积、微滴喷射等方法，天线201可以被分别制作，然后被固定到支持件202上，或可以被直接制作在柔性支持件202上。薄膜集成电路205被固定到虚线204环绕的区域，以便不与折叠线203重叠。由于这一固定，天线201的连接端子206能够被电连接到薄膜集成电路205的连接端子207。
在图2B中，图2A所示的支持件202沿作为折叠线的虚线203被折叠。支持件202被折叠成天线201与薄膜集成电路205置于支持件202内部。根据这种构造，天线201和薄膜集成电路205能够被排列成不暴露于外界，导致无线标签改进了的机械强度。
为了防止天线201的重叠部分由于折叠而被连接，可以用具有绝缘性质的树脂之类来覆盖天线201和薄膜集成电路205。
依赖于支持件202的厚度，在作为折叠线的虚线203的周围208处，支持件202被压缩，天线201于是破裂。为了防止天线201破裂，如图2C所示，可以沿作为折叠线的虚线203将凹陷209形成在支持件202内部。凹陷209使得能够防止折叠过程中支持件202的压缩，从而能够防止天线201的破裂。
此外，如图2D所示，折叠线中的部分天线221可以由多个平行连接的布线组成，以便防止破裂。或者，如图2E所示，可以增大折叠线230中的部分天线231的宽度来防止破裂。
注意，为了防止破裂，天线与折叠线的交点最好尽可能少。作为替换，天线可以被形成为不与折叠线相交来防止破裂。图3A示出了一个例子，其中，天线302仅仅被排列在支持件301上折叠线303的一侧上。在图3A的情况下，天线302不与折叠线303相交，于是能够防止折叠线303中的破裂。天线302和薄膜集成电路在连接端子304处被电连接。
在根据本发明的薄膜集成电路中，与用半导体衬底制作的IC芯片中相比，无线电波被较少地屏蔽。因此，即使当如图2A-2E所示薄膜集成电路被置于天线201中或被天线201环绕，与IC芯片情况下相比，也能够防止由屏蔽的无线电波造成的信号衰减。于是，与IC芯片情况下相比，能够使天线201所占据的面积更小。
虽然在图2A-2E中借助于折叠支持件而封闭了无线标签的一侧，但本发明不局限于这种构造。如图3B所示，本发明的无线标签可以具有支持件311，其二个边被封闭，或其3个边被封闭成袋状。而且，在薄膜集成电路被固定在其中之后，支持件的4个边可以被封闭。
此外，在图2A-2E中，天线201与作为折叠线的虚线203相交，虽然本发明不局限于这种构造。如图3C所示，分别与折叠线相交排列的二个天线321和322在折叠过程中可以被电连接成一起用作天线。在图3C中，天线321和薄膜集成电路在连接端子323处被电连接，且连接端子324和连接端子325在折叠支持件326时被电连接。
在图3C的情况下，要求连接端子324和325被电连接，同时要求天线321和322的重叠部分除了连接端子324和325之外被绝缘。如图4A所示，可以用导电树脂覆盖连接端子324和325，同时可以用绝缘树脂329覆盖其它部分。根据这种构造，在天线321和322中仅仅连接端子324和325能够被电连接。注意，在本发明中，用来电连接各个连接端子的方法不局限于用导电树脂的方法，也可以采取焊接之类以及形成在连接端子表面上的焊料球。
或者，可以用薄膜集成电路中所用的绝缘膜来绝缘折叠天线321和322过程中的重叠部分。图4B示出了一个例子，其中，天线321被薄膜集成电路330的绝缘膜覆盖。薄膜集成电路330的绝缘膜被形成来暴露连接端子324和325。在此情况下，由于薄膜集成电路330的绝缘膜的厚度，可以用导电树脂来覆盖连接端子324和325，以便确保各个连接端子324和325之间的电连接。
虽然在图3C中借助于折叠支持件而连接二个天线，但此二个天线可以分别被制作在分别排列的二个支持件上。图3D示出了一个例子，其中，二个天线341和342被分别制作在支持件343和344上。借助于重叠二个支持件343和344，二个天线341和342的连接端子346和347能够被电连接。但在图3D的情况下，如图3C所示，要求连接端子346和347被电连接，同时要求除了连接端子346和347之外天线341和342的重叠部分被绝缘。因此，如图4A和4B所示，可以选择性地使用导电树脂和绝缘树脂，或可以利用薄膜集成电路的绝缘膜。
接着，参照图5来描述本发明的无线标签的功能构造的例子。
参考号400表示天线，而401表示薄膜集成电路。天线401包括天线线圈402和形成在天线线圈402中的电容器403。薄膜集成电路401包括解调电路409、调制电路404、整流电路405、微处理器406、存储器407、以及用来将负载加于天线400的开关408。注意，存储器407不局限于一个，而是可以提供多个存储器。
作为无线电波的从读出器/写入器发射的信号被天线线圈402中的电磁感应转换成AC电信号。此AC电信号在解调电路409中被解调，并被传送到后续级中的微处理器406。而且，由整流电路405中的AC电信号产生电源电压，并被馈送到后续级中的微处理器406。
在微处理器406中，根据输入的信号而执行各种类型的处理。存储器407不仅能够被用来储存用于微处理器406的程序和数据等，而且可以在处理过程中被用作工作区。从微处理器406传送到调制电路404的信号被调制成AC电信号。开关408能够根据来自调制电路404的AC电信号而将负载加于天线线圈402。读出器/写入器用无线电波接收施加到天线线圈402的负载，从而有效地从微处理器406读出信号。
图5所示的无线标签的上述构造仅仅是一个例子，本发明不局限于此。传送信号的方法不局限于图5所示的电磁耦合方法，也可以采用电磁感应方法、微波方法、以及其它传送方法。而且，本发明的无线标签可以包括诸如GPS之类的功能。
参照图6A-6D以及图7A和7B来描述本发明的无线标签的制造方法。图6A-6D以及图7A和7B示出了一个例子，其中，金属氧化物膜被提供在高抗热衬底与薄膜集成电路之间，且金属氧化物膜被晶化而减弱强度，以便将薄膜集成电路剥离并固定到柔性支持件。此外，虽然在图6A-6D以及图7A和7B中以绝缘的TFT作为半导体元件的例子，但包括在薄膜集成电路中的半导体元件不局限于此，而是可以采用任何类型的电路元件。例如，存储器、二极管、光电转换器、电阻器、线圈、电容器、电感器等，也与TFT一样被典型地采用。
首先，如图6A所示，用溅射方法，金属膜501被形成在第一衬底500上。此金属膜501由厚度为10-200nm，最好是50-75nm的钨组成。虽然在图6A中金属膜501被直接形成在第一衬底500上，但第一衬底500在其上形成金属膜501之前，可以被诸如氧化硅、氮化硅、以及氧氮化硅之类的绝缘膜覆盖。
在形成金属膜501之后，作为绝缘膜的氧化物膜502被层叠在其上而不暴露于大气。氧化物膜502由厚度为150-300nm的氧化硅膜组成。在采用溅射的情况中，还在第一衬底500的边沿上执行淀积。因此，为了防止氧化物膜502在后续的剥离步骤中保留在第一衬底500上，最好用氧烧蚀之类的方法选择性地清除形成在第一衬底500边沿上的金属膜501和氧化物膜502。
当形成氧化物膜502时，执行预溅射作为溅射的预备步骤，其中，靶和衬底被阻止产生等离子体。用流速为10sccm的Ar和流速为30sccm的O2，在保持第一衬底500处于270℃的温度下以及3kW的淀积功率的情况下执行预溅射。利用此预溅射，厚度为几nm(此处为3nm)的超薄金属氧化物膜503被形成在金属膜501与氧化物膜502之间。借助于对金属膜501的表面进行氧化而得到金属氧化物膜503，于是在图6A中，金属氧化物膜503由氧化钨组成。
虽然在图6A中用预溅射来形成金属氧化物膜503，但本发明不局限于此。例如，为了形成金属氧化物膜503，借助于加入O2或O2和诸如Ar之类的惰性气体的混合物，可以用等离子体有意地氧化金属膜501的表面。
在形成氧化物膜502之后，用PCVD方法形成作为绝缘膜的基底膜504。此基底膜504由厚度约为100nm的氮氧化硅膜组成。然后，在形成基底膜504之后，形成半导体膜505而不暴露于大气。此半导体膜505被形成为具有20-200nm(最好为40-170nm)的厚度。注意，此半导体膜505可以是非晶半导体、微晶半导体(包括半非晶半导体)、或多晶半导体。此外，不仅硅而且硅锗可以被用作半导体。在采用硅锗的情况下，锗的浓度最好约为0.01-4.5原子百分比。
可以用诸如电炉热晶化、激光晶化、以及红外灯退火晶化之类的熟知的方法来对半导体膜505进行晶化。或者，根据日本专利公开No.7-130652，也可以执行使用催化元素的晶化。
图6A示出了一个例子，其中，用激光晶化方法对半导体膜505进行晶化。在激光晶化之前，在500℃的温度下对半导体膜505进行1小时的热退火，以便改善半导体膜505的抗激光性。这一热处理提高了金属氧化物膜503的脆性，从而在后续步骤中更容易剥离第一衬底500。利用此晶化，金属氧化物膜503强度被减弱，从而容易在晶粒边界中破裂。在图6A的情况下，最好在420-550℃的温度下执行0.5-5小时的热处理，以便晶化金属氧化物膜503。
当以连续波固体激光器采用基波的二次至四次谐波时，有可能得到大晶粒尺寸的晶体。提出最好使用Nd：YVO4激光器(基波为1064nm)的二次谐波(532nm)或三次谐波(355nm)。更具体地说，从连续波YVO4激光器发射的激光被非线性光学元件转换成谐波，以便得到输出为10W的激光。更优选的是，激光被光学系统形成为矩形形状或椭圆形状，并被辐照在半导体膜505的表面上。此时，要求约为每平方厘米0.01-100MW(最好是每平方厘米0.1-10MW)的能量密度。此激光以大约每秒2000厘米的扫描速率被辐照。
或者，可以用振荡频率为10MHz或以上的脉冲激光来进行激光晶化，这一频率比通常使用的脉冲激光器的几十到几百Hz高得多。据说在脉冲激光辐照到半导体膜之后，需要几十到几百毫微秒来完全固化半导体膜。因此，利用上述的频率范围，能够在被前面激光溶化的半导体膜固化之前辐照脉冲激光。于是固液界面能够沿半导体膜被相继移动，从而形成具有沿扫描方向相继生长的晶粒的半导体膜。更具体地说，能够得到沿扫描方向各具有10-30微米且沿垂直于扫描方向的方向各具有1-5微米的晶粒宽度的一组晶粒。因此，形成了沿扫描方向延伸的单晶晶粒，从而能够得到至少在TFT的沟道长度内晶粒边界很少的半导体膜。
在激光晶化中，可以辐照连续波基波激光和连续波谐波激光，或可以辐照连续波基波激光和谐波脉冲激光。
可以在诸如稀有气体的惰性气氛和诸如氮气的惰性气体中进行激光辐照。因此，能够抑制激光辐照造成的半导体表面的不平整性，这就防止了由界面态密度变化引起的阈值变化。
根据对半导体膜505的上述激光辐照，能够大幅度改善半导体膜的结晶性。注意，可以预先用溅射、等离子体CVD、热CVD等方法形成多晶半导体作为半导体膜505。
虽然半导体膜在图6A中被晶化，但可以用未被晶化的非晶硅膜来执行后续的步骤。或者，也可以采用微晶半导体。采用非晶半导体或微晶半导体(包括半非晶半导体)的TFT的优点在于，能够用比采用多晶半导体的TFT更少的制造步骤来制作，导致成本和成品率的改善。在此情况下，为了提高金属氧化物膜503的脆性，额外地执行热处理。
半非晶半导体是一种具有非晶和结晶(包括单晶和多晶)结构之间的中间结构的半导体。此半导体具有自由能稳定的第三状态，并是一种具有短程有序和晶格畸变的结晶半导体。晶粒为0.5-20nm的半非晶半导体膜能够被分散在非晶半导体中，且拉曼谱被偏移到低于520cm-1的频带。半非晶半导体的X射线衍射图形在(111)和(220)处具有峰值，被认为是由硅晶格造成的。而且，此半导体与作为悬挂键中和剂的至少1％原子比的氢或卤素混合。此处为了方便而将这种半导体称为半非晶半导体(SAS)。当诸如氦、氩、氪、氖之类的稀有气体元素被混合到SAS中时，晶格畸变增大，稳定性于是提高，导致高质量的SAS。
随后，半导体膜505被图形化，以便形成小岛状半导体膜507和508，借以形成以TFT为典型的各种半导体元件。虽然在图6B中小岛状半导体膜507和508被直接形成在基底膜504上，但依赖于半导体元件，可以在基底膜504与小岛状半导体膜507和508之间形成电极和绝缘膜等。例如，在是为一种半导体元件的底栅TFT的情况下，栅电极和栅绝缘膜被形成在基底膜504与小岛状半导体膜507和508之间。
在图6A-6D以及图7A和7B中，分别利用小岛状半导体膜507和508制作了顶栅TFT 509和510(图6C)。具体地说，栅绝缘膜511被形成来覆盖小岛状半导体膜507和508，且导电膜被形成在栅绝缘膜511上，并被图形化以得到栅电极。然后，以栅电极或淀积且图形化的抗蚀剂作为掩模，赋予N型导电性的杂质被加入到小岛状半导体膜507和508，从而形成源区、漏区、以及LDD区。注意，N型TFT被用作TFT 509和510，但在采用P型TFT的情况下，赋予P型导电性的杂质被加入。通过上述各个步骤，就能够得到TFT 509和510。
在形成栅绝缘膜511之后，可以在包含3-100％的氢的气氛中，用300-450℃下1-12小时的热处理来氢化小岛状半导体膜507和508。也可以用等离子体氢化(利用等离子体激发的氢)方法来执行这一氢化。此晶化步骤使半导体膜的悬挂键能够被热激发的氢终止。此外，即使当在后续步骤中由于弯曲其上固定了半导体元件的柔性支持件而在半导体膜中出现缺陷时，由于半导体膜包含氢化引起的浓度为每立方厘米1×1019-5×1021原子的氢，故缺陷也被包含在半导体膜中的氢终止。而且，半导体膜可以包含卤素来终止缺陷。
TFT的制造方法不局限于上述方法。
随后，形成第一层间绝缘膜514来覆盖TFT 509和510。在栅绝缘膜511和第一层间绝缘膜514中形成接触孔之后，布线515-518被直接形成在第一层间绝缘膜514上，以便通过接触孔被连接到TFT 509和510。
然后，第二层间绝缘膜519被形成在第一层间绝缘膜514上，以便覆盖布线515和518。在第二层间绝缘膜519中形成接触孔之后，连接端子520被直接形成在第二层间绝缘膜519上，以便通过接触孔被连接到布线518。第一层间绝缘膜514和第二层间绝缘膜519可以由有机树脂膜、无机绝缘膜、由硅氧烷基材料形成并包括Si-O-Si键合的绝缘膜(以下称为硅氧烷基绝缘膜)等组成。硅氧烷基绝缘膜也可以包括氢替换材料，以及具有选自氟、烷基族、以及芳基碳氢化合物的一种或多种取代基的材料。硅氧烷基绝缘膜对采用诸如金的高熔点材料的布线具有高的热阻，从而被有效地用于布线键合。
接着，如图6D所示，天线522被制作在作为柔性支持件的第二衬底523上。天线522包含连接端子524，并可以用印刷、光刻、气相淀积、或微滴喷射方法来制作。在用微滴喷射方法制作天线522的情况下，希望对第二衬底523的表面进行处理，以便提高天线522的粘附性。
例如塑料衬底可以被用于柔性第二衬底523。由具有极性基团的聚降冰片烯组成的ARTON(JSR的产品)，可以被用作塑料衬底。还可以采用以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、尼龙、聚醚醚酮(PEEK)、聚砜(PSF)、聚醚酰亚胺(PEI)、多芳基化合物(PAR)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚酰亚胺、丙烯腈丁二烯苯乙烯树脂、聚氯乙烯、聚丙烯、聚乙酸乙烯酯、丙烯酸树脂等为典型的聚酯。希望第二衬底523具有大约2-30W/mK的高的热导率，以便扩散薄膜集成电路产生的热。
提高粘附性的方法具体包括为了用催化剂来提高导电膜或绝缘膜的粘附性而将金属或金属化合物固定到第二衬底523的表面的方法，将对导电膜或绝缘膜具有提高了的粘附性的有机绝缘膜、金属、或金属化合物固定到第二衬底523的表面的方法，在大气压或减压中对第二衬底523的表面进行等离子体处理以修正表面的方法等。对导电膜或绝缘膜具有提高了的粘附性的金属包括钛和氧化钛以及诸如Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn之类的3d族过渡元素。金属化合物包括这些金属的氧化物、氮化物、以及氮氧化物。有机绝缘膜包括聚酰亚胺、硅氧烷基绝缘膜等。硅氧烷基绝缘膜可以包括氢取代基以及具有选自氟、烷基族、以及芳基碳氢化合物的一种或多种取代基。
在固定到第二衬底523的金属或金属化合物具有导电性的情况下，其薄层电阻被控制，以便不妨碍天线522的正常工作。具体地说，具有导电性的金属或金属化合物被控制成具有例如1-10nm的平均厚度，或用氧化方法使金属或金属化合物局部或完全绝缘。或者，除了要求具有提高的粘附性的区域之外，可以用腐蚀方法选择性地清除金属或金属化合物。作为替换，金属或金属化合物不被固定到衬底的整个表面，而是用微滴喷射、印刷、溶胶-凝胶方法等仅仅选择性地固定到预定的区域。注意，不要求形成在第二衬底523表面上的金属或金属化合物是完全连续的膜，而是可以一定程度分散。
在此实施方案模式中，诸如ZnO和TiO2之类的光催化剂被固定到第二衬底523的表面，以便用光催化反应来提高粘附性。更具体地说，分散在溶剂中的ZnO或TiO2被喷雾在第二衬底523的表面上。或者，用溶胶-凝胶方法，ZnO化合物或Ti化合物被固定到第二衬底523的表面，然后被氧化或处理，ZnO或TiO2从而能够被固定到第二衬底523的表面。
随后，用微滴喷射或各种印刷方法，天线522被制作在对其已经执行了用来提高粘附性的预处理的第二衬底523的表面上。更具体地说，天线522可以由包括选自Ag、Au、Cu、Pd的一种或多种金属或金属化合物的导电材料组成。也有可能采用包括选自Cr、Mo、Ti、Ta、W、Al的一种或多种金属或金属化合物的导电材料，只要其聚集态能够被分散剂抑制成分散在溶液中即可。而且，当多次执行采用微滴喷射或各种印刷方法的导电材料的淀积时，也能够得到具有层叠导电膜的栅电极。或者，也可以采用涂敷有Ag的Cu导电颗粒。
在采用微滴喷射的情况下，分散在有机或无机溶剂中的导电材料从喷嘴被喷射，然后在室温下被干燥或烘焙，以便得到天线522。例如，在聚碳酸酯被用于第二衬底523的情况下，分散有Ag的十四烷被喷射，并在大约200℃的温度下烘焙1分钟到50小时，以便清除溶剂，从而形成天线522。注意，Ag最好被用于天线522，因为其成本低于Au，并比Cu更容易满足环境标准。在使用有机溶剂的情况下，借助于在氧化气氛中执行烘焙，能够有效地清除溶剂，并能够进一步降低天线522的电阻。
在导电材料分散其中的溶液被喷射之后，喷射的导电材料在烘焙之前被加压，从而能够提高天线522中的导电材料的密度，并能够控制膜的厚度。因此，能够提高天线522的柔性，同时能够进一步降低电阻。
在采用微滴喷射的情况下，图形化精度依赖于每个微滴的喷射速率、溶液的表面张力、其上喷射微滴的第二衬底523的表面的脱水性等。因此，最好根据预定的图形化精度对这些条件进行优化。
然后，如图6D所示，天线522的连接端子524被电连接到图6C所示的薄膜集成电路的连接端子520。更具体地说，用各向异性的导电树脂525来固定第一衬底500和第二衬底523，使连接端子520和连接端子524电连接。
虽然在图6D中用各向异性的导电树脂525来固定第一衬底500和第二衬底523，但本发明不局限于此。例如，各向异性导电树脂可以被用来固定天线522的连接端子524和薄膜集成电路的连接端子520的重叠区域，而绝缘树脂等可以被用来固定其它区域。
接着，进行用来剥离的预备步骤，以便局部地减弱金属氧化物膜503与氧化物膜502之间的粘附性或金属氧化物膜503与金属膜501之间的粘附性。具体地说，借助于沿其外围从外部将压力局部地施加到待要剥离的区域上，以便局部地损伤金属氧化物膜503的内部或边沿，来执行用于剥离的预备步骤。在图7A中，诸如金刚刀之类的硬针被垂直于金属氧化物膜503的边沿和附近加压，并随着对金属氧化物膜503加压而移动。最好可以用划片器来在范围为0.1-2mm的区域上加压移动。借助于执行这种用来局部减弱粘附性的预备步骤，能够减少剥离中的缺陷，并能够改善生产成品率。
然后，用物理方法分离金属膜501和氧化物膜502，从而剥离第一衬底500。此剥离从前面步骤中局部地减弱了金属氧化物膜503与金属膜501之间的粘附性或金属氧化物膜503与氧化物膜502之间的粘附性的区域开始。
根据此剥离，金属氧化物膜503被局部地分离于金属膜501，局部地分离于氧化物膜502，金属氧化物膜503本身从而被局部地分离成二边。于是，半导体元件(此处是TFT 509和510)在固定到第二衬底523的情况下被从第一衬底500分离。用比较小的力(例如人手、从喷嘴喷出的气体压力、超声波等)就能够执行此剥离。图7A示出了剥离之后的状态。
在第一衬底500的刚性低的情况下，第一衬底500可能被损伤，或半导体元件可能在剥离过程中超负荷。在此情况下，可以额外地提供第三衬底来增强第一衬底500的刚性。更具体地说，用双面胶带、粘合剂之类将第三衬底固定到第一衬底500。最好用刚性比第一衬底500更高的衬底，例如石英衬底和半导体衬底作为第三衬底。
随后，如图7B所示，形成保护层530，以便覆盖到其上金属氧化物膜503被局部地固定的氧化物膜502。保护层530保护着诸如TFT 509和510之类的半导体元件。保护层530可以由有机树脂膜、无机绝缘膜、以及硅氧烷基绝缘膜组成。更具体地说，保护层530包含由银、镍、铝、以及氮化铝组成的粉末或为了具有高的导热性而添加的填料。提高了的导热性使诸如用于薄膜集成电路的TFT 509和510之类的半导体元件产生的热能够有效地释放。
粘合剂可以被用作保护层530，且诸如TFT 509和510之类的半导体元件可以被额外提供的衬底覆盖。在此情况下，采用诸如TFT 509和510之类的半导体元件的薄膜集成电路，被排列在第二衬底523与固定到保护层530的衬底之间。各种类型的可固化的粘合剂，例如诸如可反应固化的粘合剂、可热固化的粘合剂、以及可紫外线固化的粘合剂之类的可光固化的粘合剂、或厌氧粘合剂，可以被用作粘合剂。
虽然在图6A-6D以及图7A和7B中金属膜501由钨组成，但本发明中的金属膜材料不局限于此。包含金属的任何材料都可以被使用，只要其上能够形成金属氧化物膜503且能够借助于对金属氧化物膜503进行晶化而卸下衬底即可。例如，可以使用TiN、WN、Mo等或这些材料的合金。在用包含钨的合金作为金属膜的情况下，晶化过程中加热的最佳温度根据其组分比而变化。因此，借助于改变组分比，能够在不干扰半导体元件的制造步骤的温度下执行热处理，半导体元件因而能够在限制较少的情况下被制造。
根据上述的制造方法，薄膜集成电路的厚度能够被大幅度减小到总厚度为0.3-3微米，典型约为2微米。此外，利用以塑料衬底为典型的柔性衬底，能够在减小厚度的情况下提高无线标签的机械强度。注意，薄膜集成电路的厚度包括形成在金属氧化物膜与半导体元件之间的绝缘膜的厚度和覆盖半导体元件的层间绝缘膜的厚度以及半导体元件本身的厚度。于是，薄膜集成电路的厚度不包括用作支持件的第二衬底523的、保护层530的、各向异性导电树脂525的、以及天线522的厚度。薄膜集成电路占据了5毫米见方或以下的面积，而占据0.3-4毫米见方的面积更优选。
当薄膜集成电路被排列在保护层530、各向异性导电树脂525、以及层叠在第二衬底523上的天线522的总厚度的中心时，能够提高薄膜集成电路的机械强度。更具体地说，假设保护层530、薄膜集成电路、各向异性导电树脂525、以及天线522的总厚度是d，保护层530、各向异性导电树脂525、以及天线522的厚度最好被控制成第二衬底523与薄膜集成电路的中心之间沿厚度方向的距离x满足下列公式1。
1 2 d - 30 &mu;m < x < 1 2 d + 30 &mu;m [公式1]
在用第一层间绝缘膜514覆盖TFT 509和510之前，可以用分别制备的氮化硅膜或氧氮化硅膜进行覆盖。据此，用基底膜504和氮化硅膜或氧氮化硅膜覆盖TFT 509和510。因此，可以防止诸如Na之类的碱金属或碱土金属扩散进入用于半导体元件的半导体膜中而不利地影响半导体元件的特性。
在为了保持无线标签的柔性而将有机树脂用于与氧化物层502和金属氧化物膜503接触的保护层530的情况下，当氮化硅膜或氧氮化硅膜被用作基底膜504时，能够防止诸如Na之类的碱金属或碱土金属从有机树脂通过氧化物膜502扩散进入半导体膜中。
即使当ROM中尚未储存图象数据的IC卡由于盗窃之类而被转移到第三者时，标注在用于无线标签中的半导体膜或绝缘膜上的序号，也使得能够一定程度上确定其散布途径。在此情况下，更为有效的是在无法擦除的位置上标注序号，除非半导体器件被分解到无法重新组合的程度。
图6A-6D以及图7A和7B示出了一个例子，其中，薄膜集成电路被固定到柔性支持件。但薄膜集成电路可以直接固定到物品。
而且，图6A-6D以及图7A和7B示出了一个例子，其中，薄膜集成电路被固定和连接到分别制作的天线，虽然本发明不局限于这种构造。天线和薄膜集成电路可以被制作在同一个衬底上，并一起被固定到支持件或物品。图8A示出了一个例子，其中，连接到TFT 601和602的源区或漏区的布线603-606以及天线607，由相同的导电膜形成。图8B示出了一个例子，其中，TFT 611和612的栅电极以及天线613由相同的导电膜形成。在图8A和8B的情况下，薄膜集成电路和天线可以被同时制作而无需额外的制造步骤，并能够同时执行剥离和固定。
图6A-6D以及图7A和7B示出了一个例子，其中，用印刷或微滴喷射方法制作天线，虽然本发明不局限于这种构造，并可以用如上所述的使用金属掩模的光刻或气相淀积的方法来制作。图9示出了无线标签例子的剖面图，其天线用光刻方法制作。参考号701表示用来图形化天线702的掩模。掩模701可以在图形化之后被清除，虽然如图9所示为了减少制造步骤的数目也可以留下。在图9的情况下，借助于用导电树脂705固定端子703和704的边缘以及用绝缘树脂706固定其它区域，薄膜集成电路的连接端子703和天线702的连接端子704被连接。
薄膜集成电路的固定不局限于使用图6A-6D以及图7A和7B所示的金属氧化物膜的固定。例如，可以采用各种固定方法：一种方法是含氢的非晶硅膜被形成在高抗热衬底与薄膜集成电路之间，并借助于用激光辐照或腐蚀清除非晶硅膜而从衬底剥离薄膜集成电路；另一种方法是其上制作薄膜集成电路的高抗热衬底被机械地或被使用溶液或气体的腐蚀清除，从而从衬底剥离薄膜集成电路。
例如，在用腐蚀清除非晶硅膜的情况下，厚度约为1微米的非晶硅膜被形成在高抗热的衬底上。然后，在非晶硅膜上形成厚度为100nm的氧化硅膜作为基底膜，并在基底膜上制作诸如TFT的半导体元件。在用诸如无机绝缘膜、有机树脂膜、以及硅氧烷基绝缘膜之类的保护膜覆盖半导体元件之后，借助于划线而彼此分离各个半导体元件以此来彼此分离各个薄膜集成电路。此划线不要求执行到将衬底分离的深度，而是仅仅要求执行到分离基底膜的深度。随后，用诸如ClF3之类的氟的卤化物腐蚀非晶硅膜，并将其清除。氟的卤化物可以是气体或液体。在此情况下，为了保护半导体元件免受氟的卤化物的影响，最好在非晶硅膜与半导体元件之间形成氮化硅膜或氧氮化硅膜。当氮化硅膜或氧氮化硅膜被提供时，可以防止诸如Na之类的碱金属或碱土金属扩散进入用于半导体元件的半导体膜中而不利地影响半导体元件的特性。通过上述各个步骤，能够从衬底剥离薄膜集成电路。剥离的薄膜集成电路可以被直接固定到柔性支持件或物品。
在物品具有弯曲表面，固定到弯曲表面的无线标签的支持件因而被弯曲成具有诸如锥形表面和柱形表面之类的母线所描绘的弯曲表面的情况下，母线的方向最好与TFT中载流子运动的方向相同。根据这种结构，有可能防止TFT的特性受到弯曲支持件的不利影响。此外，当小岛状半导体膜占据薄膜集成电路中5-30％的面积时，有可能进一步防止TFT的特性受到弯曲支持件的不利影响。
[实施方案1]
本实施方案所述的是利用大衬底制作多个无线标签的例子。
图10A示出了用于无线标签的多个天线902被制作在用作支持件的大柔性衬底901上的情况。同时，多个薄膜集成电路903在图10A中被固定到柔性衬底901上。当被固定时，薄膜集成电路903被电连接到天线902。
图10B示出了多个薄膜集成电路903被固定到衬底901的情况。虽然在图10B中天线902和薄膜集成电路903被排列成彼此相邻，但本发明不局限于这种构造。天线902和薄膜集成电路903可以被重叠，以便具有叠层结构。
然后，如图10C所示，沿虚线904执行划片或切片，以便将各个无线标签彼此分离。可以在此条件下完成无线标签，或可以在用密封部件密封之后被完成。注意，可以用激光辐照来分离各个无线标签。
[实施方案2]
在本实施方案中，描述了本发明的无线标签的应用。
本发明的无线标签可以被应用于各种领域。例如，本发明的无线标签能够被固定到产品标签，以便控制产品的流通。
如图11A所示，本发明的无线标签1102被制作在诸如密封层1101的具有粘性背面的支持件上，然后被固定到产品标签1103。随后，如图11B所示，固定有无线标签1102的标签1103，被置于产品1104上。
如图11C所示，从固定到标签1103的无线标签1102可以无线地读出产品1104的识别数据。因此，无线标签1102方便了分销过程中对产品的控制。
例如，在非易失存储器被用作无线标签1102中的薄膜集成电路的存储器的情况下，产品1104的分销过程能够被记录。此外，当产品的生产过程被记录时，批发商、零售商、以及消费者能够容易地找出产地、生产者、制造日期、加工方法等。
本实施方案仅仅示出了本发明的无线标签的应用的一个例子。本发明的无线标签的应用不局限于图11A-11C所示，各种应用都是可能的。
[实施方案3]
在本实施方案中，描述了本发明的无线标签的应用。
当本发明的无线标签中的薄膜集成电路包括诸如其中数据不能重新写入的ROM之类的存储器时，有可能防止伪造帐单、支票、户口簿、居留证、旅行支票、护照等。而且，当无线标签被用于其商业价值严格地依赖于产地，生产者等的食品时，能够以低的成本防止伪造产地和生产者等。
图13A示出了包括本发明的无线标签1302的支票1301的一个例子。在图13A中，无线标签1302被置于支票内部，但也可以暴露在支票1301外面。
图13B示出了包括本发明的无线标签1312的护照1311的一个例子。在图13B中，无线标签1312被置于护照1311的封面上，但也可以被置于护照1311的其它页面上。
由于本发明的无线标签便宜而小巧，故被有效地用作被消费者扔掉的一次性物品。特别是对于价格上涨几元或几十元就影响销售的产品，本发明的便宜而小巧的无线标签是很有效的。图13C示出了一种固定有包括本发明的无线标签1322的显示标签1323的肉类包装1321。无线标签1322可以被暴露在显示标签1323的表面上或被置于显示标签1323的内部。当产品价格被写到无线标签1322作为数据时，与使用常规条形码的情况相比，即使在产品与出纳机之间的距离更远的情况下，也能够为产品付款，并能够防止从商店偷窃。
本发明的无线标签的形式可以根据固定有此无线标签的物品的形式而在一定程度上被改变。此外，本发明的无线标签与采用IC芯片的无线标签相比能够呈现改进了的机械强度。于是，本发明的无线标签的应用范围不局限于本实施方案所示，其它的各种应用也是可能的。
本申请基于2003年12月12日在日本专利局提交的日本专利申请No.2003-414848以及2004年1月16日在日本专利局提交的日本专利申请No.2004-009529，这些专利的内容在此处被列为参考。
虽然参照附图以实施方案模式和实施方案的方式已经充分描述了本发明，但要理解的是，对于本技术的熟练人员来说，各种改变和修正是显而易见的。因此，除非这些改变和修正偏离了以下定义的本发明的范围，否则这些改变和修正应该被包括在其中。

Claims (15)

1.一种半导体器件，它包含采用薄膜晶体管的薄膜集成电路、天线、以及柔性衬底，
其中，天线被制作在衬底上；且
其中，薄膜集成电路被固定到衬底，以便电连接到天线。
2.一种半导体器件，它包含采用薄膜晶体管的薄膜集成电路以及天线，
其中，天线被制作在第一衬底上，然后借助于清除第一衬底而被剥离于第一衬底；
其中，薄膜集成电路被制作在第二衬底上，然后借助于清除第二衬底而被剥离于第二衬底；且
其中，薄膜集成电路和天线被彼此固定，以便电连接并具有叠层结构。
3.一种半导体器件，它包含采用薄膜晶体管的薄膜集成电路、天线、以及柔性衬底，
其中，天线被制作在衬底上；
其中，薄膜集成电路被固定到衬底，以便电连接到天线；且
其中，衬底被折叠，致使薄膜集成电路被插入其间。
4.一种半导体器件，它包含采用薄膜晶体管的薄膜集成电路、天线、以及柔性袋状衬底，
其中，天线被制作在袋状衬底内部；且
其中，薄膜集成电路被固定在袋状衬底内部，以便电连接到天线。
5.一种半导体器件，它包含采用薄膜晶体管的薄膜集成电路、天线、第一柔性衬底、以及第二柔性衬底，
其中，天线被制作在第一衬底上；
其中，薄膜集成电路被固定到第一衬底，以便被电连接到天线；且
其中，第二衬底被层叠在第一衬底上，致使天线和薄膜集成电路被插入其间。
6.根据权利要求1-5中任何一项的半导体器件，
其中，用微滴喷射方法来制作天线，且天线由Ag、Au、或Cu组成。
7.一种半导体器件，它包含采用薄膜晶体管的薄膜集成电路、第一天线、第二天线、第一柔性衬底、以及第二柔性衬底，
其中，第一天线被制作在第一衬底上；
其中，第二天线被制作在第二衬底上；
其中，薄膜集成电路被固定到第一衬底，以便被电连接到第一天线；且
其中，第二衬底被层叠在第一衬底上，致使第一天线被电连接到第二天线，且第一天线、第二天线、以及薄膜集成电路被插入在第一衬底与第二衬底之间。
8.根据权利要求7的半导体器件，
其中，用微滴喷射方法来制作第一天线或第二天线，且第一天线或第二天线由Ag、Au、或Cu组成。
9.一种半导体器件，它包含采用薄膜晶体管的薄膜集成电路，
其中，薄膜集成电路包含连接端子；且
其中，薄膜集成电路包含用来从由天线输入到连接端子的AC信号产生DC电源电压的整流电路、用来解调AC信号以产生第一信号的解调电路、用来根据第一信号执行处理以产生第二信号的微处理器、用来调制第二信号的调制电路、以及用来根据被调制了的第二信号而调制施加到天线的负载的开关。
10.一种半导体器件，它包含采用薄膜晶体管的薄膜集成电路，
其中，薄膜集成电路包含连接端子；
其中，薄膜集成电路包含用来从由天线输入到连接端子的AC信号产生DC电源电压的整流电路、用来解调AC信号以产生第一信号的解调电路、用来根据第一信号执行处理以产生第二信号的微处理器、用来调制第二信号的调制电路、以及用来根据被调制了的第二信号而调制施加到天线的负载的开关；且
其中，薄膜集成电路被制作在衬底上，然后借助于清除此衬底而被剥离于衬底。
11.一种半导体器件，它包含采用薄膜晶体管的薄膜集成电路、天线、以及柔性衬底，
其中，薄膜集成电路的栅电极或连接到薄膜晶体管的布线，由与天线相同的导电膜组成；且
其中，天线和薄膜集成电路被固定到衬底。
12.一种半导体器件，它包含采用薄膜晶体管的薄膜集成电路以及天线，
其中，薄膜集成电路的栅电极或连接到薄膜晶体管的布线以及天线，由相同的导电膜组成。
13.一种半导体器件，它包含采用薄膜晶体管的薄膜集成电路以及天线，
其中，薄膜集成电路和天线被制作在衬底上，然后借助于清除此衬底而被剥离于衬底。
14.一种制造半导体器件的方法，它包含：
在第一衬底上制作薄膜集成电路；
用印刷方法、微滴喷射方法、光刻方法、或气相淀积方法，使用金属掩模，在第二柔性衬底上制作天线，以及
固定第一衬底和第二衬底，使薄膜集成电路被电连接到天线，然后从薄膜集成电路剥离第一衬底。
15.一种制造半导体器件的方法，它包含：
在第一衬底上制作薄膜集成电路和天线；以及
固定第一衬底和第二柔性衬底，使薄膜集成电路和天线被插入在其间，然后从薄膜集成电路剥离第一衬底。
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