CN1618911B - 粘合带 - Google Patents
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Abstract
一种粘合带,在支持体的一面或两面上具有由含有基体聚合物以及交联剂的粘合剂形成的粘合剂层,其特征在于,支持体中含有含增塑剂的软质聚氯乙烯,且至少在一面的粘合剂中,作为基体聚合物含有具有羧基的丙烯酸系共聚物,而且作为交联剂含有异氰酸酯系交联剂、缩水甘油胺系交联剂以及三聚氰胺系交联剂。根据本发明可以提供一种作为支持体使用了含增塑剂的软质聚氯乙烯的粘合带,该粘合带可以同时满足初期粘接性以及经时稳定的粘接力这相反的特性,并且不存在涉及表面污染的问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种粘合带(a pressure-sensitive adhesive tape)。本发明的粘合带可以用于各种用途。本发明的粘合带具有初期粘接性优良并且粘接力随时间的推移而上升得较少的特征,可以用于以再剥离为目的而使用的用途。另外本发明还涉及上述粘合带中使用的粘合剂(a pressure-sensitive adhesive agent)。
本发明的粘合带,可作为用于半导体晶圆的切片工序中的粘合带使用。上述切片工序中使用的粘合带,在将半导体晶圆等元件的小片切割分离(切片)时,可以用作固定该半导体晶圆等被切割物的切片用粘合带,还可用作一个一个地剥离(拾取“pick up”)被切成片的该被切割物的半导体拾取用粘合带。由于通常从切片工序至拾取工序大多采用同一粘合带进行,所以半导体加工用粘合带作为包括了这些用途的半导体加工用粘合带特别有用。另外,还可以作为硅半导体切片用粘合带、化合物半导体晶圆切片用粘合带、半导体封装切片用粘合带、玻璃切片用粘合带等使用。另外,本发明还涉及一种使用该粘合带加工半导体晶圆的方法。
此外,本发明的粘合带也可以作为在不锈钢、铝等钢板的加工时、保管时、搬运时等中以再剥离为目的的表面保护带等使用。
背景技术
一般,含有邻苯二甲酸二辛酯(DOP)等增塑剂的软质聚氯乙烯(PVC)薄膜,由于其同时具有多种优良的机械特性(PVC所具有的刚性以及由增塑剂带来的柔软性),因此被广泛用作各种粘合带的支持体。例如,软质PVC薄膜,具有优良的、在将半导体晶圆切成片时所需要的振动吸收性、展开性、展开后的自修复性等特性,因此可被用作在切片工序中使用的粘合带的支持体。
但是,就使用软质PVC薄膜作为支持体的粘合带而言,由于软质PVC 薄膜中所含的增塑剂的影响,很难获得足够的初期粘接性。例如,在将以软质PVC薄膜作为支持体的粘合带用作切片用粘合带时,切片时不能充分地保持半导体晶圆,因此在切片工序时会产生芯片的溅飞等不良现象。
为了消除这种不良现象,通常采用的是对粘合带的粘合剂层进行改良的方法。例如提出了以下粘合剂层,即,作为基体聚合物使用具有羧基官能团的丙烯酸系共聚物,并利用异氰酸酯系交联剂、三聚氰胺系交联剂等的交联剂对其进行了交联的粘合剂层。但是,所述粘合剂层中存在其粘接力随时间的推移上升得较大、切片后拾取困难等其它的问题。
如上所述,作为支持体使用软质PVC薄膜的压敏型粘合带,不能满足充分的初期粘接性和经时稳定的粘接力这相反的特性。因此,在将该压敏型粘合带用作切片用粘合带时,不能满足切片时对半导体晶圆的保持性和与防止拾取不良有关的特性这两种特性。
为了获得满足上述相反的两种特性的压敏型粘合带,提出了以下方法,即,在软质PVC薄膜中,对粘合剂层赋予甲撑双硬脂酰胺等微量添加剂,使该添加剂向粘合剂层表面偏析,从而对剥离进行控制的方法(参照特开平10-316774号公报)。但是,当所述剥离控制剂偏析至表面时,其会作为污染物质附着在半导体晶圆表面上,且可达到可以用肉眼确认的程度。因此,在以往的所述压敏型粘合带中,无法挑出具有切片特性、拾取特性这相反特性并且对粘合剂层表面的污染少的粘合带。
另外,在软质PVC薄膜上形成粘合剂层时,也不能忽略该薄膜中以及粘合剂层中含有的增塑剂向表面移动而造成的影响(基于粘合剂的增塑化的凝聚破坏)。此外,也存在长期保存下残留浆料的问题。
发明内容
本发明目的在于提供一种作为支持体使用了含有增塑剂的软质聚氯乙烯的粘合带,其能够满足初期粘接性以及经时稳定的粘接力这相反的特性,并且不存在与表面污染有关的问题。
本发明的另一目的在于提供使用了上述粘合带的切片用粘合带,以及提供使用了该切片用粘合带的半导体晶圆的加工方法。
本发明的又一目的在于提供在上述粘合带的粘合剂层的形成中使用 的粘合剂。
本发明人等为了达到上述目的进行了深入的研究,结果发现了以下所示的粘合带,从而完成了本发明。
即,本发明涉及如下所述的粘合带,即,在支持体的一面或两面上具有由含有基体聚合物以及交联剂的粘合剂形成的粘合剂层,其特征在于,支持体中含有含增塑剂的软质聚氯乙烯,且至少在一面的粘合剂中,作为基体聚合物含有具有羧基的丙烯酸系共聚物,而作为交联剂含有异氰酸酯系交联剂、缩水甘油胺系交联剂以及三聚氰胺系交联剂。
在上述粘合带中,作为缩水甘油胺系交联剂优选1,3-双(N,N-二缩水甘油基氨基甲基)环己烷。
在上述粘合带中,作为三聚氰胺系交联剂优选丁醇改性三聚氰胺甲醛树脂。
在上述粘合带中,就上述各交联剂而言,相对于丙烯酸系共聚物100重量份,优选含有异氰酸酯系交联剂0.5~10重量份、缩水甘油胺系交联剂0.2~2重量份、三聚氰胺系交联剂0.5~10重量份。
另外,本发明还涉及一种切片用粘合带,其特征在于,在半导体晶圆的切片工序中使用上述粘合带。
此外,本发明涉及一种半导体晶圆的加工方法,其特征在于,具有使用上述切片用粘合带对半导体晶圆进行切片的工序。
还有,本发明涉及一种粘合剂,其特征在于,在上述粘合带的粘合剂层的形成中使用,其中,作为基体聚合物,含有具有羧基的丙烯酸系共聚物,并且作为交联剂含有异氰酸酯系交联剂、缩水甘油胺系交联剂以及三聚氰胺系交联剂。
上述本发明的粘合带是,以含有增塑剂的软质PVC作为支持体的粘合带,其中粘合剂层是由以下所述的粘合剂形成的,即,其中作为基体聚合物含有具有羧基的丙烯酸系共聚物,并且作为交联剂同时含有异氰酸酯系交联剂、缩水甘油胺系交联剂以及三聚氰胺系交联剂这三种交联剂。利用这种粘合剂层,即使不使用作为污染物质而残留的微量剥离控制剂,也可以很好地满足初期粘接性和与经时稳定的粘接力有关的特性之间的平衡。此外,本发明的粘合带是不容易受到软质PVC中含有的增塑剂的影响的压 敏型粘合带。
具有该特性的本发明的粘合带,可以用作切片用粘合带。即,本发明的粘合带具有良好的初期粘接力,因此其切片特性优良,而且由于具有经时稳定的粘接力,因此可以抑制粘接力的上升,从而还具有良好的拾取性。此外,由于可以不使用剥离控制剂,因此也不存在与剥离控制剂有关的半导体晶圆的污染问题。
一般来说,在作为基体聚合物使用含有羧基的丙烯酸系共聚物时,若考虑与羧基的化学反应,则作为交联剂一般单独使用异氰酸酯系交联剂、缩水甘油胺系交联剂或三聚氰胺系交联剂。此外,为了控制分子量和凝胶成分,也可以考虑将两种交联剂合并使用。但是,合并使用交联剂的主要目的是通过其它的交联剂来补充主交联剂的反应速度,并不是使各个交联剂独立地发挥其功能。例如对于在常温下可发生反应的异氰酸酯系交联剂或缩水甘油胺系交联剂而言,可以利用在高温下发生反应而常温下的化学反应少的三聚氰胺系交联剂进行补充。因此,一般认为,交联剂种类的最大并用数为两种,若将并用数目增加到其以上,就等于浪费。
上述本发明中同时配合了不同反应速度(反应条件)的三种交联剂,通过以各自独立的目的使用各交联剂,来满足上述特性。
已知在含有羧基的丙烯酸系共聚物中使用缩水甘油胺系交联剂时,交联间分子量将会变小,聚合物主链的活动会受阻碍,因此经时的粘接力稳定。但是,在将缩水甘油胺系交联剂的配合量增多时,初期粘接力会显著下降。为了对其进行补充,在本发明中通过并用异氰酸酯系交联剂,提高了粘合剂最表面的极性,从而提高粘接性。这样,通过并用缩水甘油胺系交联剂和异氰酸酯系交联剂,同时确保初期粘接力和经时的粘接力稳定性这一点是本发明最早发现的。一般来说,由于缩水甘油胺系交联剂与异氰酸酯系交联剂各自在常温下与羧基反应,因此没有补充反应速度的意思,而通过发挥双方独立的特性而得到相反的特性这一点是一种全新的见解。
另外,在PVC薄膜中大量配合有DOP等增塑剂,在长期保存时,存在向粘合剂中(尤其是表面)移动而使粘合剂增塑化后产生残留浆料的现象。这种现象在使用异氰酸酯系交联剂、缩水甘油胺系交联剂中的一种或合并使用时也不能解决。因此,在本发明中,在缩水甘油胺系交联剂与异氰酸 酯系交联剂中进一步并用三聚氰胺系交联剂,即合用三种交联剂。通过并用三聚氰胺系交联剂可以解决该问题,作为粘合带可以获得稳定的长期保存性。一般来说,三聚氰胺系交联剂在高温下的反应速度快,在室温下反应速度显著降低。因此,在并用三聚氰胺系交联剂时,它一直被用作异氰酸酯系交联剂或缩水甘油胺系交联剂的补充用交联剂。但是,由上述中可知,三聚氰胺系交联剂并不是被用作交联剂,而是起到了防止基于增塑剂而引起的粘合剂的增塑化的作用,这一点也是全新的见解。
具体实施方式
以下对本发明的粘合带进行说明。本发明的粘合带中,在支持体的单面或两面上具有由含有基体聚合物以及交联剂的粘合剂形成的粘合剂层。另外,在粘合剂层上可以设置隔板。
作为支持体主要使用含有增塑剂的软质聚氯乙烯(PVC)。对增塑剂没有特别限定,可用在软质PVC中使用的增塑剂,例如可以举出邻苯二甲酸二辛酯(DOP)、邻苯二甲酸二异壬酯(DINP)等。另外,作为软质PVC中含有的增塑剂,从生产量、价格方面考虑,一般使用所述DOP、DINP等,也可以使用邻苯二甲酸二丁酯(DBP)等低分子增塑剂或环氧系高分子增塑剂。另外,也可以并用这些。在软质PVC中相对于PVC的增塑剂含量没有特殊限定,但是相对于PVC100重量份,通常为10~50重量份,优选为20~40重量份。
使用了软质PVC的支持体(薄膜)的厚度,通常优选为50~200μm,更优选为60~130μm。在支持体上根据需要可以进行消光处理、电晕放电处理、底涂层处理等惯用的物理或化学处理。
粘合剂层的至少一面由以下的粘合剂形成,即作为基体聚合物含有具有羧基的丙烯酸系共聚物,并且作为交联剂含有异氰酸酯系交联剂、缩水甘油胺系交联剂以及三聚氰胺系交联剂的粘合剂。
所述丙烯酸系共聚物,以(甲基)丙烯酸烷基酯为主单体单元,在其中作为单体单元含有含羧基的单体。
作为(甲基)丙烯酸烷基酯,例如可以举出具有以下所述烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯,即,所述烷基是甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、 叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、十二烷基等碳数在30以下、进而碳数为4~18的直链或支链的烷基。另外(甲基)丙烯酸烷基酯是指丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯,本发明的“(甲基)”都是指相同的意思。这些(甲基)丙烯酸烷基酯可以使用一种或两种以上。
作为含有羧基的单体,可以举出丙烯酸、甲基丙烯酸、羧乙基丙烯酸酯、羧基戊基丙烯酸酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等。含有羧基的单体可以使用一种或两种以上。这些含有羧基的单体在丙烯酸系共聚物中的比例,相对于形成丙烯酸系共聚物的全部单体100重量份,为0.1~20重量份,优选为0.5~15重量份。
另外,在丙烯酸系共聚物中,除了(甲基)丙烯酸烷基酯、含羧基的单体外,还可使其含有与它们能够共聚的其它单体,并由此引入官能基或极性基团而对粘接性进行改良,还控制共聚物的玻璃化转变温度,对凝聚力或耐热性进行改善、改性。作为以此为目的使用的能够共聚的其它单体,可以举出马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体;(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羟己酯、(甲基)丙烯酸-8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基月桂酯、(4-羟基甲基环己基)-甲基丙烯酸酯等含有羟基的单体;苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、磺基丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含有磺酸基的单体;2-羟基乙基丙烯酰基磷酸酯等含有磷酸基的单体,除此之外还可以举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、乙酸乙烯酯、苯乙烯、(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯烷酮、(甲基)丙烯酰基吗啉、环己基马来酸酐缩亚胺、异丙基马来酸酐缩亚胺、(甲基)丙烯酰胺等。这些共聚单体可以使用一种或两种以上。这些共聚单体在丙烯酸系共聚物中的比例,相对于形成丙烯酸系共聚物的全部单体100重量份,优选在30重量份以下,更优选在15重量份以下。
另外,为了对丙烯酸系共聚物进行交联处理等,作为共聚单体也可以 根据需要使用多官能单体等。作为该单体的例子,可以举出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(多)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(多)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧基丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯等。多官能单体也可以使用一种或者两种以上。多官能单体在丙烯酸系共聚物中的比例,相对于形成丙烯酸系共聚物的全部单体100重量份,优选在30重量份以下,更优选在15重量份以下。
调制这种丙烯酸系共聚物时,可以在至少含有(甲基)丙烯酸烷基酯以及具有羧基的单体的单体混合物中,采用溶液聚合方式、乳液聚合方式、本体聚合方式、悬浮聚合方式等适宜的方式进行。另外,上述丙烯酸系共聚物的重均分子量例如为20万~150万,优选为25万~150万。
作为异氰酸酯系交联剂,可以没有限制地使用至少具有两个异氰酸酯基的交联剂。例如可以举出甲苯撑二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、六甲撑二异氰酸酯、苯二甲基二异氰酸酯等或它们与三羟甲基丙烷等醇化合物的加成物等,但是并不局限于这些。具体可以举出苯二甲基二异氰酸酯与三羟甲基丙烷的加成物商品CORONATE L(日本聚氨酯社制)、DESMODUR-L75(BAYER.A.G.社制)等,二苯基甲烷二异氰酸酯商品MILLIONATE MR-300(日本聚氨酯社制)等。
作为缩水甘油胺系交联剂,可以没有限制地使用至少含有两个缩水甘油基氨基并且在常温(20~30℃)下能够与羧基迅速进行化学反应的物质,。例如可以举出1,3-双(N,N-二缩水甘油基氨基甲基)环己烷等。具体可以举出1,3-双(N,N-二缩水甘油基氨基甲基)环己烷商品TETRAD-C(三菱瓦斯化学工业社制)等。
三聚氰胺系交联剂,是为了防止由增塑剂引起的粘合剂的增塑化而使用的。例如可以举出丁醇改性三聚氰胺甲醛改性树脂等,但并不局限于这些。具体可以举出作为丁醇改性三聚氰胺甲醛树脂商品SUPER BECKAMINEJ-82060N(日本聚氨酯社制)、Luwipal 012(BASF社制)等。
对所述各交联剂的配合比例没有特别限定,相对于丙烯酸系共聚物 100重量份,异氰酸酯系交联剂优选为0.5~10重量份,更优选1~5重量份。将异氰酸酯系交联剂设置为上述范围时,在提高粘合剂层表面的极性的效果以及生产性方面(若大量配合则粘合剂的适用期将变短,导致生产性下降)较理想。另外,缩水甘油胺系交联剂优选为0.2~2重量份,更优选为0.3~1重量份。将缩水甘油胺系交联剂设置为上述范围时,在初期粘接性以及经时粘接力的稳定性方面较理想。此外,三聚氰胺系交联剂优选为0.5~10重量份。将三聚氰胺系交联剂设置为上述范围时,除了可以防止由增塑剂引起的料浆残留之外,还可以保持通过合用异氰酸酯系交联剂与缩水甘油胺系交联剂而产生的、初期粘接力与经时粘接力的稳定性之间的平衡。
此外,本发明的粘合剂中,除了含有所述丙烯酸系共聚物以及三种交联剂之外,还可以含有增塑剂。使用的增塑剂的种类没有特别限定,可以示例出与PVC中含有的增塑剂相同的增塑剂。增塑剂的配合量没有特别限定,相对于丙烯酸系共聚物100重量份,一般为0~100重量份,优选为20~80重量份。此外,在粘合剂中可以根据需要以任意的比例含有增粘剂、填充剂、老化防止剂、着色剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂等各种添加剂。
本发明的粘合带可以通过以下方法制造,即在支持体的表面上涂布粘合剂并使其干燥(必要时实施加热交联)形成粘合剂层之后,根据需要在该粘合剂层的表面上粘贴隔板而成。另外,也可以采用单独地在隔板上形成粘合剂层后再将它们粘贴在支持体上的方法等。粘合剂层的厚度没有特别限定,通常为1~30μm,优选为5~15μm。
隔板是为了标签加工或为了使粘合剂层平滑而根据需要所设置的。作为隔板的构成材料,可以举出纸张、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等合成树脂薄膜等。为了提高从粘合剂层剥离的特性,必要时也可以对隔板的一面或两面实施硅酮处理、长链烷基处理、氟处理等剥离处理。另外,为了提高刚性等,也可以进行单向或双向拉伸处理,或者也可以用其它塑料薄膜等进行层叠。隔板的厚度通常为10~200μm,优选为25~100μm。在使用隔板时,可以将粘合带设置为卷筒状,但是不局限于此。
本发明的粘合带可以用于上述各种用途。尤其可以用于对半导体晶圆 进行切片的工序、拾取的工序。切片工序、拾取工序中可以采用常规方法。
以下根据实施例对本发明进行详细说明,但是本发明并不局限于这些实施例。
实施例1
(支持体)
使用了相对于聚合度为1050的PVC100重量份含有27重量份DOP并且厚度为70μm的软质PVC薄膜。
(粘合剂层的调制)
使丙烯酸丁酯85重量份、丙烯腈15重量份以及丙烯酸2.5重量份通过乳液聚合进行共聚,获得含有重均分子量为80万的丙烯酸系共聚物的溶液。
相对于该聚合物溶液(固体成分)100重量份,配合作为异氰酸酯系交联剂的CORONATE L(日本聚氨酯社制)3重量份、作为缩水甘油胺系交联剂的TETRAD-C(三菱瓦斯化学工业社制)0.5重量份、作为三聚氰胺系交联剂的SUPER BECKAMINE J-82060N(日本聚氨酯社制)1重量份以及DOP60重量份,调制粘合剂溶液。
(粘合带的制作)
将按照上述调制的粘合剂溶液涂布在上述支持体的单面上,在130℃下干燥90秒钟,形成厚度为10μm的粘合剂层。然后,在所述粘合剂层面上粘贴对厚度为38μm的对聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜表面进行了硅酮处理后的隔板,从而制作了粘合带。
实施例2
(粘合剂的调制)
除了在实施例1中作为交联剂使用作为异氰酸酯系交联剂的DESMODUR-L75(BAYER.A.G社制)5重量份、作为缩水甘油胺系交联剂的TETRAD-C(三菱瓦斯化学工业社制)0.5重量份、作为三聚氰胺系交联剂的Luwipal012(BASF社制)3重量份之外,其余的通过与实施例1相同的方式制作了粘合剂溶液。
(粘合带的制作)
除了在实施例1中使用了按照上述调制的粘合剂溶液之外,其余的通 过与实施例1相同的方式制作了粘合带。
比较例1
(粘合剂的调制)
除了在实施例1中作为交联剂只使用作为异氰酸酯系交联剂的DESMODUR-L75(BAYER.A.G社制)3重量份之外,其余的通过与实施例1相同的方式制作了粘合剂溶液。
(粘合带的制作)
除了在实施例1中使用了按照上述调制的粘合剂溶液外,其余的通过与实施例1相同的方式制作了粘合带。
比较例2
(粘合剂的调制)
除了在实施例1中作为交联剂只使用作为缩水甘油胺系交联剂的TETRAD-C(三菱瓦斯化学工业社制)0.5重量份之外,其余的通过与实施例1相同的方式制作了粘合剂溶液。
(粘合带的制作)
除了在实施例1中使用了按照上述调制的粘合剂溶液外,其余的通过与实施例1相同的方式制作了粘合带。
比较例3
(粘合剂的调制)
除了在实施例1中作为交联剂只使用作为三聚氰胺系交联剂的SUPERBECKAMINE J-82060N(日本聚氨酯社制)10重量份之外,其余的通过与实施例1相同的方式制作了粘合剂溶液。
(粘合带的制作)
除了在实施例1中使用了按照上述调制的粘合剂溶液外,其余的通过与实施例1相同的方式制作了粘合带。
比较例4
(粘合剂的调制)
除了在实施例1中作为交联剂使用作为异氰酸酯系交联剂的DESMODUR-L75(BAYER.A.G社制)5重量份、作为缩水甘油胺系交联剂的TETRAD-C(三菱瓦斯化学工业社制)0.5重量份之外,其余的通过与实施例1相同的 方式制作了粘合剂溶液。
(粘合带的制作)
除了在实施例1中使用了按照上述调制的粘合剂溶液外,其余的通过与实施例1相同的方式制作了粘合带。
比较例5
(粘合剂的调制)
除了在实施例1中作为交联剂使用作为异氰酸酯系交联剂的DESMODUR-L75(BAYER.A.G社制)3重量份、作为三聚氰胺系交联剂的SUPERBECKAMINE J-82060N(日本聚氨酯社制)2重量份之外,其余的通过与实施例1相同的方式制作了粘合剂溶液。
(粘合带的制作)
除了在实施例1中使用了按照上述调制的粘合剂溶液外,其余的通过与实施例1相同的方式制作了粘合带。
比较例6
(粘合剂的调制)
除了在实施例1中作为交联剂使用作为异氰酸酯系交联剂的DESMODUR-L75(BAYER.A.G社制)5重量份、作为缩水甘油胺系交联剂的TETRAD-C(三菱瓦斯化学工业社制)0.5重量份,还添加1,3,5-三(2-羟乙基)三聚氰酸3重量份之外,其余的通过与实施例1相同的方式制作了粘合剂溶液。
(粘合带的制作)
除了在实施例1中使用按照上述调制的粘合剂溶液外,其余的通过与实施例1相同的方式制作了粘合带。
比较例7
(粘合剂的调制)
除了在实施例1中作为交联剂使用作为异氰酸酯系交联剂的DESMODUR-L75(BAYER.A.G社制)5重量份、作为缩水甘油胺系交联剂的TETRAD-C(三菱瓦斯化学工业社制)0.5重量份,还添加2,4,6-三(羟基烯丙基)-1,3,5-三嗪3重量份之外,其余的通过与实施例1相同的方式制作了粘合剂溶液。
(粘合带的制作)
除了在实施例1中使用按照上述调制的粘合剂溶液外,其余的通过与实施例1相同的方式制作了粘合带。
比较例8
(粘合剂的调制)
除了在实施例1中作为交联剂使用作为异氰酸酯系交联剂的CORONATEL(日本聚氨酯社制)3重量份,还添加二辛基锡月桂酸酯0.2重量份之外,其余的通过与实施例1相同的方式制作了粘合剂溶液。
(粘合带的制作)
除了在实施例1中使用了按照上述调制的粘合剂溶液外,其余的通过与实施例1相同的方式制作了粘合带。
(评价试验)
通过下述方法对实施例以及比较例中得到的粘合带进行了评价。结果表示在表1~4中。其中对于比较例6、7只进行了(粘合带的保存稳定性)的评价。
(粘接强度与稳定性)
将实施例以及比较例中得到的粘合带切成20mm宽,对于硅晶片(CZ-N POLISHED WAFER 4英寸N(100)2.5 3.5,信越半导体(株)制),在用2kg辊来回重复2次(0.3m/min)的条件下进行压接。压接后分别在室温(23℃/50%RH)保存30分钟或7天或者在40℃下保存7天。保存后在室温(23℃/50%RH)下,在拉伸速度为0.3m/min、温度为180℃的剥离条件下,利用英斯特朗强力试验机测定了剥离强度(粘接强度:N/20mm)。结果表示在表1中。
表1
(切片适应性:切片时的芯片溅飞)
在下述条件下对实施例以及比较例中得到的粘合带进行了切片试验,确认切片时的芯片溅飞的个数(个/6英寸晶片中)。结果表示在表2中。
刀片类型:NBC-ZH2050 27HECC(Disco社制)
主轴转速:40000rpm
切割速度:80mm/秒
在带上切入深度:25μm
芯片大小:2.5mm×2.5mm,7.0mm×7.0mm
水量:1.0L/分钟
表2
(切片适用性:保存后的拾取性)
在上述条件下进行切片试验后,分别在23℃保存1天或7天或者在40℃保存7天。为了确定保存后拾取特性随时间的变化,在下述条件下进行了拾取试验,确认了拾取的稳定性。另外,拾取的条件如下所示。拾取稳定性以进行30次拾取试验时的成功率(%)表示。结果表示在表3中。
CPS-100(NEC Machinery Corporation制)
芯片大小:7.0mm×7.0mm
探针(needle)前端形状:250μmR
探针(needle)配置:4根4mm×4mm
上顶量:800μm
表3
(粘合带的保存稳定性)
将由实施例以及比较例得到的粘合带在刚制作后(初期)、或者在常温(23℃×80天)、加湿(40℃/92%RH×30天)或加温(50℃×30天)等不同条件下保存后,粘贴在硅晶片(CZ-N POLISHED WAFER 4英寸N(100)2.5 3.5:信越半导体(株)制)上,之后,在23℃/50%RH的条件下保存24小时。之后根据以下标准通过目视评价硅晶片表面的污染程度(残留浆料)。○:无残留浆料,×:有残留浆料,-:无比较数据。结果表示在表4中。
表4
Claims (5)
1.一种粘合带,在支持体的一面或两面上具有由含有基体聚合物及交联剂的粘合剂形成的粘合剂层,其特征在于,
支持体中含有含增塑剂的软质聚氯乙烯,而且
至少一面的粘合剂,是对于作为基体聚合物的具有羧基的丙烯酸系共聚物100重量份,至少配合作为交联剂的异氰酸酯系交联剂0.5~10重量份、缩水甘油胺系交联剂0.2~2重量份以及三聚氰胺系交联剂0.5~10重量份而得到的。
2.根据权利要求1所述的粘合带,其特征在于,缩水甘油胺系交联剂为1,3-双(N,N-二缩水甘油基氨甲基)环己烷。
3.根据权利要求1或2所述的粘合带,其特征在于,三聚氰胺系交联剂为丁醇改性三聚氰胺甲醛树脂。
4.一种半导体晶圆的加工方法,其特征在于,具有使用权利要求1所述的粘合带对半导体晶圆进行切片的工序。
5.一种粘合剂,其特征在于,在权利要求1~3中任一项所述的粘合带的粘合剂层的形成中使用,其中作为基体聚合物含有具有羧基的丙烯酸系共聚物,并且作为交联剂含有相对于具有羧基的丙烯酸系共聚物100重量份为0.5~10重量份的异氰酸酯系交联剂、0.2~2重量份的缩水甘油胺系交联剂以及0.5~10重量份的三聚氰胺系交联剂。
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