CN1602537A - 快速改变焦距的系统和方法 - Google Patents
快速改变焦距的系统和方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1602537A CN1602537A CN02824633.0A CN02824633A CN1602537A CN 1602537 A CN1602537 A CN 1602537A CN 02824633 A CN02824633 A CN 02824633A CN 1602537 A CN1602537 A CN 1602537A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- change
- charged particle
- focal length
- particle beam
- quick
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1471—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path for centering, aligning or positioning of ray or beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/153—Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/263—Contrast, resolution or power of penetration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/1501—Beam alignment means or procedures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
- H01J2237/1532—Astigmatism
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/21—Focus adjustment
- H01J2237/216—Automatic focusing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
- H01J2237/221—Image processing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
一种快速改变带电粒子束焦距的设备和方法,该方法包括步骤:改变控制信号以响应控制信号电压值与带电粒子束焦距之间的关系。
Description
技术领域
本发明一般涉及带电粒子束成像装置,例如,扫描电子显微镜等,具体涉及快速调整焦距的系统和方法。
背景技术
诸如电子束,离子束等带电粒子束的焦距通常是受馈入控制电流的物镜控制。现有技术物镜的特征是相对大的响应周期。例如,普通物镜的截止频率响应约为10Hz。因此,该物镜不能用于快速改变焦距。
需要提供一种快速调整带电粒子束焦距的系统和方法。
发明内容
本发明提供一种快速改变焦距的系统和方法。该系统和方法控制焦距是通过改变加速电压。按照本发明的一个方面,主加速电压是由稳定功率源提供,调制电压调制主加速电压以提供相对“清洁”(高信噪比)和稳定的加速电压,且加速电压还可以快速变化。最好是,稳定功率源的作用是提供主加速电压,主加速电压的范围是在0伏至几百伏,几千伏,和甚至几万伏之间。调制电压是由可控电压源提供,它提供的调制电压范围是在0伏至100伏或200伏之间。
按照本发明的一个方面,利用焦距系统和方法成像与带电粒子束轴不垂直的物体(“倾斜”物体)。加速电压调制跟踪用于控制带电粒子束位置的扫描信号。通常,倾斜物体的扫描信号类似于周期性锯齿信号。在每个周期中,该信号首先上升,然后下降。为了准确地跟踪相对陡峭的信号下降,需要一个相对大带宽的可控功率源。
按照本发明的一个方面,焦距的变化速率超过TV速率,并可用于在很大角度范围内倾斜的物体。
按照本发明的一个方面,焦距的变化速率远远超过实施自聚焦技术的速率。
本发明提供一种快速改变带电粒子束焦距的方法,该方法包括步骤:改变控制信号以响应控制信号电压值与带电粒子束焦距之间的关系。
本发明提供一种利用带电粒子束扫描倾斜物体的方法,该方法包括步骤:提供其焦距与倾斜物体预定扫描路程基本匹配的带电粒子束,其中焦距响应于控制信号,且其中焦距的快速变化是由快速调整控制信号产生的。
本发明提供一种快速改变带电粒子束焦距的系统,该系统包括:带电粒子束发生器,用于产生其焦距响应于控制信号的带电粒子束;控制信号发生器,用于提供允许焦距快速变化的控制信号。
最好是,控制信号是加速电压,但也可以利用其他的电压,电流。最好是,改变步骤之前是标定步骤,用于确定加速电压值与带电粒子束焦距之间的关系。加速电压包括:主加速电压和调制电压。带电粒子束是电子束。带电粒子束是由物镜聚焦,而快速改变是受快速变化速率的限制。物镜的作用是改变带电粒子束的焦距,其改变速率比快速变化速率慢。快速改变通常是受快速变化速率的限制,且其中快速变化速率超过10Hz。最好是,快速变化速率超过10kHz。通常,快速改变是扫描倾斜物体的结果。倾斜物体的倾斜角不超过45度。
附图说明
图1是不利用快速改变焦距的成像倾斜检查物体的示意图像;
图2是按照本发明一个方面的图像扫描图形示意图;
图3是按照本发明一个方面可用于成像图2中图像的扫描信号示意图;
图4是按照本发明一个方面的功率源和电子枪示意图;和
图5是按照本发明一个方面的标定靶侧视图。
具体实施方式
类似于每种成像装置,扫描电子显微镜中的焦深(DOF)是受限的。若像素尺寸小于探头尺寸,则DOF是受物镜数值孔径的限制,而在像素尺寸大于探头尺寸的情况下,DOF还受到相邻像素之间距离的限制。当被检查物体与诸如SEM的成像设备之间距离(也称之为“工作距离”)在被检查物体上变化时(例如,在倾斜物体的情况下),在保持整个图像上有类似锐度的同时,可以看到的最大视场(FOV)取决于倾斜角。
本领域中众所周知,较小的加速电压导致较小的DOF。实验证明,在倾斜角为45°的整个图像上可以看到相同锐度的最大FOV约为5微米,其中Vacc=600V。这意味着,这些条件下的DOF为±1.75微米。由于再检测的搜索FOV大于5微米,再检测性能在倾斜角为45°下退化。图1中所示图像表示在没有动态焦点校正时倾斜角为45°下焦点问题现象的例子。可以清楚地看出,图像的上部和下部出现模糊,它们不在焦点上,而仅仅中部的线条是清晰的。
另一方面,可以非常快速地改变粒子束能量,所以,它是动态校正大倾角下焦点的最佳方法。
图3和2描述在倾斜条件下扫描周期的动态焦点斜坡。斜坡表示扫描时的交变电子束能量(Vacc)。图2说明用于产生图像的电子束扫描路程,图像的边界是矩形12。水平线13(包含位于矩形12之外的线条)说明电子束的扫描路程。定向线条14表示焦距。
图4表示功率源的典型装置。稳定的功率提供Vaccelerator,而可控功率源是交变电流功率源,它提供0至±200V范围内的信号。
可控功率源30串联连接到Vaccelerator32。Vaccelerator32,Vextractor34和Vsupressor38连接到电子枪的各个部分和电极(例如,40和42)以提供所要求的电压方案,允许快速改变从电子枪36中提取的带电粒子束DOF。
按照本发明的一个方面,标定步骤是在扫描之前完成的。标定把调制电压值“变换”成焦距值。标定步骤用于匹配调制电压值和扫描图形。
以下是典型的标定步骤,它用于匹配调制电压值和45°倾斜物体的扫描图形。
其中,
1.ΔWD=0.7071·FOV
2.
其中Vacc的单位是kV。
a和b是一对常数,其值取决于Vacc。
参照图5,图5表示包含多个台阶51,52,53,...的标定靶,这些台阶的间隔是50微米。若OLC1(61)是用于聚焦粒子束到台阶1(51)上的物镜电流,而OLC3是用于聚焦粒子束到台阶3上的物镜电流,台阶3比台阶1高100微米,
在两个不同的Vacc值下聚焦到相同的位置,计算
若OLC4用于Vacc4下的聚焦和OLC5用于Vacc5下的聚焦,且Vacc4-Vacc5=10V,则
Claims (22)
1.一种快速改变带电粒子束焦距的方法,该方法包括步骤:改变控制信号以响应控制信号电压值与带电粒子束焦距之间的关系。
2.按照权利要求1的方法,其中控制信号是加速电压。
3.按照权利要求2的方法,其中改变步骤之前是标定步骤,用于确定加速电压值与带电粒子束焦距之间的关系。
4.按照权利要求2的方法,其中加速电压包括:主加速电压和调制电压。
5.按照权利要求2的方法,其中带电粒子束是电子束。
6.按照权利要求2的方法,其中带电粒子束是由物镜聚焦,且其中快速改变是受快速变化速率的限制。
7.按照权利要求6的方法,其中物镜的作用是改变带电粒子束焦距,其速率比快速变化速率慢。
8.按照权利要求2的方法,其中快速改变是受快速变化速率的限制,且其中快速变化速率超过10Hz。
9.按照权利要求2的方法,其中快速改变是受快速变化速率的限制,且其中快速变化速率超过10kHz。
10.按照权利要求2的方法,其中快速改变是扫描倾斜物体的结果。
11.按照权利要求10的方法,其中倾斜物体的倾斜角不超过45度。
12.一种利用带电粒子束扫描倾斜物体的方法,该方法包括步骤:提供其焦距与倾斜物体预定扫描路程基本匹配的带电粒子束,其中焦距响应于控制信号,且其中焦距快速变化是通过快速调整控制信号产生的。
13.一种用于快速改变带电粒子束焦距的系统,该系统包括:带电粒子发生器,用于产生其焦距响应于控制信号的带电粒子束;控制信号发生器,用于提供允许焦距快速变化的控制信号。
14.按照权利要求1的系统,其中控制信号是加速电压。
15.按照权利要求14的系统,其中该系统的作用是确定加速电压值与焦距之间的关系。
16.按照权利要求14的系统,其中加速电压包括:主加速电压和调制电压。
17.按照权利要求14的系统,其中带电粒子束是电子束。
18.按照权利要求14的系统,其中带电粒子束是由物镜聚焦,且其中快速改变是受快速变化速率的限制。
19.按照权利要求18的系统,其中物镜的作用是改变带电粒子束焦距,其改变速率比快速变化速率慢。
20.按照权利要求14的系统,其中快速改变是受快速变化速率的限制,且其中快速变化速率超过10Hz。
21.按照权利要求14的系统,其中快速改变是受快速变化速率的限制,且其中快速变化速率超过10kHz。
22.按照权利要求14的系统,其中控制信号发生器包括:稳定功率源和快速可控功率源。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US32845201P | 2001-10-10 | 2001-10-10 | |
US60/328,452 | 2001-10-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1602537A true CN1602537A (zh) | 2005-03-30 |
CN100397549C CN100397549C (zh) | 2008-06-25 |
Family
ID=23281045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB028246330A Expired - Lifetime CN100397549C (zh) | 2001-10-10 | 2002-10-09 | 快速改变焦距的系统和方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7335893B2 (zh) |
EP (2) | EP1306878B1 (zh) |
JP (1) | JP4928506B2 (zh) |
CN (1) | CN100397549C (zh) |
AT (2) | ATE484840T1 (zh) |
DE (2) | DE60237952D1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102737933A (zh) * | 2011-04-13 | 2012-10-17 | Fei公司 | Tem的无失真消像散 |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002025928A2 (en) * | 2000-09-21 | 2002-03-28 | Applied Science Fiction | Dynamic image correction and imaging systems |
EP1306878B1 (en) * | 2001-10-10 | 2010-10-13 | Applied Materials Israel Ltd. | Method and device for aligning a charged particle beam column |
CN100524601C (zh) * | 2001-10-10 | 2009-08-05 | 应用材料以色列有限公司 | 对准带电颗粒束列的方法与装置 |
EP1489641B1 (en) * | 2003-06-18 | 2019-08-14 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle deflecting system |
JP4111908B2 (ja) * | 2003-12-15 | 2008-07-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
EP1557866B1 (en) | 2004-01-21 | 2011-03-16 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Beam optical component having a charged particle lens |
JP4351108B2 (ja) * | 2004-04-07 | 2009-10-28 | 日本電子株式会社 | Semの収差自動補正方法及び収差自動補正装置 |
JP4383950B2 (ja) * | 2004-04-23 | 2009-12-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線調整方法、及び荷電粒子線装置 |
JP4522203B2 (ja) * | 2004-09-14 | 2010-08-11 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子ビーム装置の色収差補正方法及び装置並びに荷電粒子ビーム装置 |
US7492057B2 (en) * | 2004-11-10 | 2009-02-17 | Baldwin Mark H | High reliability DC power distribution system |
JP2006173038A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置、試料像表示方法及びイメージシフト感度計測方法 |
JP4611755B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2011-01-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡及びその撮像方法 |
JP4652830B2 (ja) * | 2005-01-26 | 2011-03-16 | キヤノン株式会社 | 収差調整方法、デバイス製造方法及び荷電粒子線露光装置 |
US8026491B2 (en) * | 2006-03-08 | 2011-09-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam apparatus and method for charged particle beam adjustment |
JP4857101B2 (ja) * | 2006-12-21 | 2012-01-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プローブ評価方法 |
US8345162B2 (en) * | 2007-07-31 | 2013-01-01 | Verint Systems Inc. | Systems and methods for triggering an out of focus alert |
JP5188846B2 (ja) * | 2008-03-10 | 2013-04-24 | 日本電子株式会社 | 走査型透過電子顕微鏡の収差補正装置及び収差補正方法 |
JP5588439B2 (ja) * | 2008-07-28 | 2014-09-10 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | Euv放射又は軟x線を生成する方法及び装置 |
EP2166557A1 (en) * | 2008-09-22 | 2010-03-24 | FEI Company | Method for correcting distortions in a particle-optical apparatus |
EP2228817B1 (en) * | 2009-03-09 | 2012-07-18 | IMS Nanofabrication AG | Global point spreading function in multi-beam patterning |
GB0912332D0 (en) * | 2009-07-16 | 2009-08-26 | Vg Systems Ltd | Magnetic lens,method for focussing charged particles and charged particle energy analyser |
EP2316799A1 (en) * | 2009-10-30 | 2011-05-04 | AGC Glass Europe | Coated glass sheet |
KR101455944B1 (ko) * | 2010-09-30 | 2014-10-28 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 주사 전자 현미경 |
JP5537460B2 (ja) * | 2011-02-17 | 2014-07-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線顕微鏡及びそれを用いた計測画像の補正方法 |
JP5386544B2 (ja) * | 2011-06-07 | 2014-01-15 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 |
US8507855B2 (en) * | 2011-07-28 | 2013-08-13 | Applied Materials Israel, Ltd. | Inductive modulation of focusing voltage in charged beam system |
JP5959320B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2016-08-02 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子ビームの軸合わせ方法および荷電粒子ビーム装置 |
US9002097B1 (en) * | 2013-02-26 | 2015-04-07 | Hermes Microvision Inc. | Method and system for enhancing image quality |
US9437394B1 (en) * | 2014-03-28 | 2016-09-06 | Carl Zeiss Microscopy Ltd. | Method of operating a charged particle microscope and charged particle microscope operating according to such method |
JP6620170B2 (ja) | 2016-01-29 | 2019-12-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置およびその光軸調整方法 |
US10460903B2 (en) * | 2016-04-04 | 2019-10-29 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for charge control for imaging floating metal structures on non-conducting substrates |
JP6804043B2 (ja) * | 2016-10-21 | 2020-12-23 | コニカミノルタ株式会社 | 画像形成装置、画像形成システムおよび制御プログラム |
US10790114B2 (en) * | 2017-06-29 | 2020-09-29 | Kla-Tencor Corporation | Scanning electron microscope objective lens calibration using X-Y voltages iteratively determined from images obtained using said voltages |
DE102017220398B3 (de) | 2017-11-15 | 2019-02-28 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Justieren eines Teilchenstrahlmikroskops |
JP6953324B2 (ja) * | 2018-02-07 | 2021-10-27 | Tasmit株式会社 | 走査電子顕微鏡のオートフォーカス方法 |
DE102018010335B3 (de) | 2018-02-22 | 2023-08-10 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts, Computerprogrammprodukt und Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens |
DE102018202728B4 (de) * | 2018-02-22 | 2019-11-21 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts, Computerprogrammprodukt und Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens |
JP7040199B2 (ja) * | 2018-03-26 | 2022-03-23 | 株式会社島津製作所 | 荷電粒子ビーム軸合わせ装置、荷電粒子ビーム照射装置および荷電粒子ビーム軸合わせ方法 |
EP3651182A1 (en) * | 2018-11-12 | 2020-05-13 | FEI Company | Charged particle microscope for examining a specimen, and method of determining an aberration of said charged particle microscope |
US11086118B2 (en) * | 2019-04-29 | 2021-08-10 | Molecular Devices, Llc | Self-calibrating and directional focusing systems and methods for infinity corrected microscopes |
JP7308581B2 (ja) * | 2019-10-18 | 2023-07-14 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置、複合荷電粒子ビーム装置、及び荷電粒子ビーム装置の制御方法 |
JP7431136B2 (ja) * | 2020-10-09 | 2024-02-14 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置、及び制御方法 |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4162403A (en) | 1978-07-26 | 1979-07-24 | Advanced Metals Research Corp. | Method and means for compensating for charge carrier beam astigmatism |
JPS57212754A (en) * | 1981-06-24 | 1982-12-27 | Hitachi Ltd | Electron-beam controller for electron microscope |
US4423305A (en) * | 1981-07-30 | 1983-12-27 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for controlling alignment of an electron beam of a variable shape |
US4438336A (en) * | 1982-03-26 | 1984-03-20 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Corpuscular radiation device for producing an irradiation pattern on a workpiece |
NL8304217A (nl) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Philips Nv | Automatisch instelbare electronenmicroscoop. |
JPS614140A (ja) | 1984-06-15 | 1986-01-10 | Toshiba Corp | 電子光学鏡筒 |
DE3522340A1 (de) * | 1985-06-22 | 1987-01-02 | Finnigan Mat Gmbh | Linsenanordnung zur fokussierung von elektrisch geladenen teilchen und massenspektrometer mit einer derartigen linsenanordnung |
JPH0652650B2 (ja) | 1985-06-24 | 1994-07-06 | 株式会社東芝 | 荷電ビ−ムの軸合わせ方法 |
JPS63307652A (ja) | 1987-06-08 | 1988-12-15 | Nikon Corp | 電子顕微鏡の焦点位置検出装置 |
JP2803831B2 (ja) | 1989-03-07 | 1998-09-24 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
JPH0658795B2 (ja) * | 1989-05-09 | 1994-08-03 | 日本電子株式会社 | ダイナミックフォーカス回路 |
JPH03194839A (ja) | 1989-12-25 | 1991-08-26 | Hitachi Ltd | 電子顕微鏡における焦点調整方法及び非点収差補正方法 |
JP3148353B2 (ja) * | 1991-05-30 | 2001-03-19 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 電子ビーム検査方法とそのシステム |
JPH053009A (ja) * | 1991-06-21 | 1993-01-08 | Jeol Ltd | 電子顕微鏡における軸上コマ補正方式 |
JPH05266840A (ja) | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | 走査形電子顕微鏡 |
JP3730263B2 (ja) * | 1992-05-27 | 2005-12-21 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法 |
JP2877624B2 (ja) * | 1992-07-16 | 1999-03-31 | 株式会社東芝 | 走査電子顕微鏡の対物レンズアライメント制御装置及び制御方法 |
US5414261A (en) * | 1993-07-01 | 1995-05-09 | The Regents Of The University Of California | Enhanced imaging mode for transmission electron microscopy |
KR100220674B1 (ko) * | 1994-01-18 | 1999-09-15 | 전주범 | 투사형 화상표시장치 |
JP3319854B2 (ja) * | 1994-02-04 | 2002-09-03 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 走査型電子顕微鏡 |
US5627373A (en) * | 1996-06-17 | 1997-05-06 | Hewlett-Packard Company | Automatic electron beam alignment and astigmatism correction in scanning electron microscope |
JP3595079B2 (ja) | 1996-07-25 | 2004-12-02 | 株式会社東芝 | 陰極線管 |
US6370093B1 (en) * | 1996-07-31 | 2002-04-09 | Sanyo Electric Co., Ltd | Optical disc device |
US6067164A (en) * | 1996-09-12 | 2000-05-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for automatic adjustment of electron optics system and astigmatism correction in electron optics device |
JPH1092354A (ja) | 1996-09-12 | 1998-04-10 | Toshiba Corp | 走査型電子顕微鏡の電子光学系自動調節装置及び電子光学系自動調節方法 |
JPH10269975A (ja) | 1997-03-24 | 1998-10-09 | Shimadzu Corp | 荷電粒子用軸合せ装置 |
JPH11149895A (ja) * | 1997-08-11 | 1999-06-02 | Hitachi Ltd | 電子線式検査または測定装置およびその方法、高さ検出装置並びに電子線式描画装置 |
US6441384B1 (en) * | 1998-04-08 | 2002-08-27 | Nikon Corporation | Charged particle beam exposure device exhibiting reduced image blur |
JP2000048749A (ja) * | 1998-07-30 | 2000-02-18 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡および電子ビームの軸合わせ方法 |
JP2000077018A (ja) | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Jeol Ltd | 走査電子顕微鏡の焦点合わせ装置 |
JP2001068048A (ja) | 1999-06-23 | 2001-03-16 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線装置および自動非点収差調整方法 |
US6583413B1 (en) * | 1999-09-01 | 2003-06-24 | Hitachi, Ltd. | Method of inspecting a circuit pattern and inspecting instrument |
JP2001084934A (ja) | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Jeol Ltd | 絞り支持装置 |
JP2001084938A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Hitachi Ltd | 透過形電子顕微鏡及び透過電子顕微鏡像観察方法 |
JP2001210263A (ja) * | 2000-01-27 | 2001-08-03 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡、そのダイナミックフォーカス制御方法および半導体デバイスの表面および断面形状の把握方法 |
US6552340B1 (en) * | 2000-10-12 | 2003-04-22 | Nion Co. | Autoadjusting charged-particle probe-forming apparatus |
JP3951590B2 (ja) * | 2000-10-27 | 2007-08-01 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線装置 |
EP1306878B1 (en) | 2001-10-10 | 2010-10-13 | Applied Materials Israel Ltd. | Method and device for aligning a charged particle beam column |
US7539340B2 (en) * | 2003-04-25 | 2009-05-26 | Topcon Corporation | Apparatus and method for three-dimensional coordinate measurement |
US7151258B2 (en) * | 2003-07-24 | 2006-12-19 | Topcon Corporation | Electron beam system and electron beam measuring and observing methods |
US7164128B2 (en) * | 2003-11-25 | 2007-01-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for observing a specimen |
JP4587742B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2010-11-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線顕微方法及び荷電粒子線応用装置 |
JP4708856B2 (ja) * | 2005-05-16 | 2011-06-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子ビーム校正方法及び電子ビーム装置 |
-
2002
- 2002-07-29 EP EP02016838A patent/EP1306878B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-29 AT AT02016838T patent/ATE484840T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-07-29 AT AT02016839T patent/ATE453205T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-07-29 DE DE60237952T patent/DE60237952D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-29 EP EP02016839A patent/EP1302971B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-29 DE DE60234802T patent/DE60234802D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-04 US US10/492,257 patent/US7335893B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-04 US US10/492,574 patent/US7271396B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-09 CN CNB028246330A patent/CN100397549C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-03-22 US US11/689,870 patent/US7385205B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-07-11 JP JP2008181754A patent/JP4928506B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102737933A (zh) * | 2011-04-13 | 2012-10-17 | Fei公司 | Tem的无失真消像散 |
CN102737933B (zh) * | 2011-04-13 | 2016-01-20 | Fei公司 | Tem的无失真消像散 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050012050A1 (en) | 2005-01-20 |
US7271396B2 (en) | 2007-09-18 |
EP1306878A3 (en) | 2006-04-19 |
JP4928506B2 (ja) | 2012-05-09 |
EP1306878A2 (en) | 2003-05-02 |
DE60237952D1 (de) | 2010-11-25 |
US7335893B2 (en) | 2008-02-26 |
US7385205B2 (en) | 2008-06-10 |
CN100397549C (zh) | 2008-06-25 |
ATE484840T1 (de) | 2010-10-15 |
EP1302971B1 (en) | 2009-12-23 |
JP2008300358A (ja) | 2008-12-11 |
US20070235659A1 (en) | 2007-10-11 |
EP1306878B1 (en) | 2010-10-13 |
ATE453205T1 (de) | 2010-01-15 |
US20050006598A1 (en) | 2005-01-13 |
DE60234802D1 (de) | 2010-02-04 |
EP1302971A3 (en) | 2006-04-19 |
EP1302971A2 (en) | 2003-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1602537A (zh) | 快速改变焦距的系统和方法 | |
US20060016992A1 (en) | Electron beam apparatus | |
JP6782795B2 (ja) | 走査電子顕微鏡および走査電子顕微鏡による試料観察方法 | |
JP4616180B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
JP2535695B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡の自動焦点合わせ方法 | |
EP1442471B1 (en) | System and method for fast focal length alterations | |
JP4668807B2 (ja) | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線画像生成方法 | |
CN111971775B (zh) | 电荷粒子线装置 | |
JP2007285966A (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
KR102628711B1 (ko) | 하전 입자선 장치 | |
JP3784041B2 (ja) | チャージアップ現象を利用した下層配線構造の推定方法 | |
JPS6324617Y2 (zh) | ||
US20200258713A1 (en) | Charged-Particle Beam Device | |
JPH0636726A (ja) | 走査形顕微鏡 | |
KR20210135318A (ko) | 하전 입자빔 시스템, 및 하전 입자선 장치에 있어서의 관찰 조건을 결정하는 방법 | |
JPH05205688A (ja) | 走査型電子顕微鏡 | |
JPH027506B2 (zh) | ||
JPH06243811A (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
JPS58198842A (ja) | 立体走査型電子顕微鏡の非点補正装置 | |
JPH0251833A (ja) | 寸法測定用走査型電子顕微鏡 | |
JPS60202644A (ja) | 電子線装置 | |
JP2009187851A (ja) | 荷電粒子ビーム装置、及び試料の表面の帯電状態を知る方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20080625 |
|
CX01 | Expiry of patent term |