JPS60202644A - 電子線装置 - Google Patents

電子線装置

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Publication number
JPS60202644A
JPS60202644A JP5803884A JP5803884A JPS60202644A JP S60202644 A JPS60202644 A JP S60202644A JP 5803884 A JP5803884 A JP 5803884A JP 5803884 A JP5803884 A JP 5803884A JP S60202644 A JPS60202644 A JP S60202644A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
focusing lens
excitation current
electron beam
circuit
electron
Prior art date
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Pending
Application number
JP5803884A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Nakagawa
中川 清一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
Nihon Denshi KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Jeol Ltd, Nihon Denshi KK filed Critical Jeol Ltd
Priority to JP5803884A priority Critical patent/JPS60202644A/ja
Publication of JPS60202644A publication Critical patent/JPS60202644A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/295Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/2955Electron or ion diffraction tubes using scanning ray

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の利用分野] 本発明はエレクトロンチャンネリングパターンを表示す
ることのできる電子線装置に関する。
[従来技術] 第1図に示すように、結晶性試料Sに入射する電子線の
入射点Pを固定した状態において、入射電子線をθX、
θyの2方向に順次角度走査すれば、ブラッグ条件を満
ず角度の軌跡として表示画面上に結晶面と平行な2本の
線が表示される。尚、OLは対物レンズを示している。
このような2本の線の集合から成る像はエレクトロンチ
ャンネリングパターンと呼ばれており、このエレクトロ
ンチャンネリングパターンを解析することにより結晶の
口癖、結晶粒界や異相間の結晶方位関係等を知ることが
できるため、近時このパターンの観察が広く行なわれる
ようになった。ところで、エレクトロンチャンネリング
パターンを得るためのこの種の装置においては、通常の
走査像を得る装置と異なり、試料に照射される電子線の
平行度が最大になった際に最も解像度の良い像が得られ
るため、焦点合わせ作業は以下に述べるように面倒なも
のであった。即ち、第1.第2の集束レンズによる電子
線集束点が対物レンズの前焦点面上を走査するようにす
るため、主に第2段の集束レンズの励磁電流を調節する
が、第2段の集束レンズの励磁電流値を変化させると、
試料に照射される電子線量が変化して画像の輝度が大幅
に変化してしまう。そこで、そのままでは像の解像度を
比較できな(なるため、第1段の集束レンズの励磁電流
を調節して試料に照射される電流値を元の電流値になる
ようにすると共に、この第1段の集束レンズの励磁の変
化によるフォーカスずれを第2段の集束レンズの励磁電
流をわずかに変化させて調整した後、像を肉眼観察して
解像度を前の像と比較していた。このような作業は、最
も解像度の高い像と思われる像が得られるまで、何回が
繰り返す必要があり、そのため、従来においては焦点合
せ作業に熟練を要するばかりでなく、手間がががった。
[発明の目的] 本発明はこのような従来の欠点を解決して、エレクトロ
ンチャンネリングパターンを観察することのできる装置
において、高解像度の像を得るための焦点合せ作業を自
動的に行ない得る装置を提供することを目的としている
[発明の構成] 本発明は電子銃と、該電子銃よりの電子線を集束するた
めの第1及び第2段の集束レンズと、該第2段の集束レ
ンズの後段に配置された対物レンズと、該電子線を該対
物レンズの前焦点面の近傍で二次元的に走査するための
手段と、試料への電子線の照射に基づいて得られる情報
信号を検出するための検出器とを備えた装置において、
該第2段の集束レンズの励磁電流を変化させるための手
段と、該第2段の集束レンズの励磁電流の該変化に伴う
像のコントラストの変化をその都度自動的に補償するた
めの手段と、該第2段の集束レンズの励磁電流を変化さ
せた際に該電子線の一次元又は二次元走査に伴う検出器
出力を処理した信号を監視してその凹凸の急峻度が最大
になる該第2の集束レンズの励磁電流(10を検出する
と共に、該第2段の集束レンズの励1!電流を該電流値
に固定するための手段を具備したことを特徴としている
[実施例] 以下、図面に基づき本発明の実施例を詳述する。
第2図は本発明の一実施例を示すための図面であり、図
中1は電子銃であり、この電子銃1よりの電子線EBは
第1段、第2段の集束レンズ2゜3により集束され、そ
のうち絞り4を通過した電子線は偏向コイル5により偏
向された後、対物レンズ6を経て結晶性試料7に入射す
る。8,9は第1.第2段の集束レンズ2.3の励磁電
源であり、励磁電源9の出力電流は掃引回路1oよりの
掃引信号に基づいて自動的にステップ変化するようにな
っている。11は走査信号発生回路であり、この走査信
号発生回路11は演粋制御装置12よりの同期信号に基
づいて垂直及び水平走査信号を発生して偏向コイル5に
供給する。この走査信号発生回路11よりの走査信号は
陰極線管13の偏向コイル13Dにも供給されており、
陸棲線管13は電子線E13のθX、θy方向の角度走
査に同期して走査される。演粋制御装置12よりの制御
信号は掃引回路10に供給されており、掃引回路10の
出力信号は演紳制御装置12により制御される。14は
試料7より発生する二次電子を検出する二次電子検出器
であり、15はその出力電圧値により増幅利得を変化さ
せることのできる高圧電源である。検出器14よりの検
出信号は前置増幅器16及び映像増幅器17を介して前
記陰極線管13のグリッド13Gに供給されている。更
に前置増幅器16の出力信号は微分回路18に供給され
ていると共に、自動コントラスト補償回路19に供給さ
れている。この自動コントラスト補償回路19は既に公
知であるが、例えば以下のようなものを使用している。
即ち、自動コントラスト補償回路19は前記演算制御装
置12より動作の開始が命じられると、演算制御装置1
2よりのタイミング信号に基づいて電子線EBをθX方
向に繰り返し走査(θyは固定されている)する都度、
前記高圧電源15の出力電圧をステップ変化させ、各ス
テップ変化毎に前置増幅器14の出力信号の最大ピーク
ホールド値と最小ピークホールド値の差をめて基準値と
比較し、その差が基準値に一致する電圧値を児い出して
、高圧電源15の出力電圧をこの電圧値に固定する作業
を自動的に行なう。更に、微分回路18の出力信号はス
イッチ回路20を介してピークホールド回路21に供給
されており、ピークホールド回路21の出力信号は比較
回路22に供給されている。この比較回路22の出力信
号は演算制御装置12に供給されている。又、スイッチ
回路20の制御、ピークホールド回路21のリセット等
は演算制御装置12よりの制御に基づいて行なわれる。
このような構成において、最初の状態においては、像の
輝度及びコントラストは適切な値に調節されているもの
とする。そこで、演算制御装置12より掃引回路10に
制御信号を送って励磁電源9よりの出力電流を第3図(
e)に示すように、予め定められた最小設定値11にす
る。同時に演算制御装置12は走査信号発生回路11に
制御信号を送って、第3図(a)に示す如き水平走査信
号を発生させ、θyを固定した状態において電子線EE
3をθX方向に走査させる。同時に演算制御装置12は
スイッチ回路20に制御信号を送ってスイッチ回路20
を非導通状態にすると共に、自動コントラスト補償回路
19に動作の開始を指令する。最初の走査に伴って第3
図(b)の期間T11に示す如き検出信号が前置増幅器
16より得られたものとすると、自動コントラスト補償
回路19は電子線EBをθX方向に走査させる都度、演
算制御装@12の制御信号に基づいて高圧電源15の出
力電圧をステップ変化させると共に、各セットされた電
圧値における増幅器16の出力信号の幅(最大ピークホ
ールド値と最小ピークホールド値の差)を評価して、そ
の幅が基準値Δになるように高圧電源15の出力電圧を
固定する。自動コントラスト補償回路19の作業が終了
すると、回路19より終了を知らせる信号が演算制御装
置12に送られる。そこで、演算制御装置12はスイッ
チ回路20(!−導通状態にすると共に、次のθX方向
の走査、例えば期間T1mにお【プる走査に伴う増幅器
16の出力信号を微分回路18及びスイッチ回路20を
介してピークホールド回路21に供給する。従って、ピ
ークホールド回路21には期間T1mにおいて、第3図
(b)に示す如き信号を微分した第3図(C)に示す如
き信号が供給される。その結果、ピークホールド回路2
1の出力信号は第3図(d)の期間T1111に示す如
きものとなる。そこで、次に演算制御装置12は掃引回
路10に制御信号を送ってレンズ3に供給される励磁電
流を一定のきざみ量だけ増加させて、第3図(e)に示
すI2にすると共に、スイッチ回路20を非導通状態に
し、更に自動コントラスト補償回路19に動作の開始を
命じる。そこで、次の走査に伴って、第3図(b)の期
間T21における検出信号を得たものとすると、最初の
場合と同様に自動コントラスト補償回路19は何回かの
走査の後、コントラストを基準値Δにし得る電圧を見い
出して高圧電源15の出力電圧を固定し、作業の終了を
演算制御装置12に知らせる。そこで、最初の場合と同
様に演算制御装置12はスイッチ回路20を介して次の
走査、例えば期間T2nにおける検出信号をピークホー
ルド回路22に供給づる。
その結果、微分回路18及びピークホールド回路22の
出力信号は各々、第3図(c)、(d)の期間T2nに
示す如きものとなる。演算制御装置12はスイッチ回路
20を閉じる毎にピークホールド回路22の出力値を前
の値と比較して、その増加量が基準値AC(ACは予め
設定された極めて小さい値)より大きければ、前述した
過程を更に繰り返させる。このような過程の繰り返しに
より、ピークホールド回路22の出力信号は最初のうち
は増加して行くが、例えば期間T7vにおける走査の際
に得られたピークボールド回路22の出力信号が、前回
の期間T6uにおいて得られたピークホールド回路22
の出力信号に対してAC以下の増加(殆ど増加しなかっ
た)であったとすると、演算制御装置は期間T7vにお
ける走査において、最大の解像度のエレクトロンチャン
ネリングパターンが得られたものと見なして、掃引回路
11の出力信号を期間T7vの値に固定する。そこで、
最後に前置増幅器16の出力信号の直流レベルを調節し
て1i!度を適切な値にした後、偏向フィル5に走査信
号発生回路11より水平及び垂直走査信号を供給すれば
、電子線EBの集束点が対物レンズ6の前焦点面Sを走
査するため、試料7に平行度の良い電子線を照射して、
S/Nの良い検出信号に基づき高解像度のエレクトロン
チャンネリングパターンを陰極線管13に表示すること
ができる。
尚、上述した実施例は、本発明の一実施例に過ぎず、実
施にあたっては幾多の他の態様を取り得る。
例えば、上述した実施例においては、検出信号の増幅利
得を変化させてコントラスト補償を行なうようにしたが
、第1段の集束レンズの励磁強度を変化させることによ
りコントラスト補償を行なうようにしても良い。
又、上述した実施例においては、画像の解像度を評価す
るための信号処理手段として微分回路を用いたが、微分
回路にかぎらず、信号の凹凸の急峻度に応じて異なった
出力を発生し得るような他の公知の信号処理手段を用い
ることもできる。
又、上述した実施例においては、説明を簡単にするため
電子線EBをθX方向にのみ走査した際に得られる検出
信号を処理して評価するようにしたが、電子線EBをθ
X及びθy力方向走査した際に得られる一画面分の信号
を評価して行なえば、より高精度の焦点合せを行なうこ
とができる。
又、上述した実施例においては、第2段の集束レンズの
励磁電流をステップ状に変化させたが、連続的に変化さ
せて実施することもできる。
更に又、上述した実施例においては、試料より二次電子
を検出づる場合に本発明を適用した例について説明した
が、試料より反射電子又はX線を検出する場合等にも本
発明は同様に適用できる。
[効果] 上述した説明から明らかなように、本発明に基づく装置
においては、自動的に電子線の集束点を対物レンズの前
焦点面に一致させることができ、簡単且つ短時間に高解
像度のエレクトロンチャンネリングパターンを表示する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図にエレクトロンチャンネリングパターンを得る際
の電子線の光路を説明するための図、第2図は本発明の
一実施例を示すための図、第3図は第2図に示した一実
施例装置の各回路よりの出力信号を例示するための図で
ある。 1:電子銃、2.3:集束レンズ、4:絞り、5:偏向
コイル、6:対物レンズ、7:試料、8゜9:励磁電源
、10.:釦用回路、11:走査信号発生回路、12:
演算制御装置、13:陰極線管、14:二次電子検出器
、15:高圧電源、16:前置増幅器、17:映像増幅
器、18:微分回路、19:自動コントラスト補償回路
、20:スイッチ回路、21:ピークホールド回路、2
2:比較回路。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 伊藤 −夫

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電子銃と、該電子銃よりの電子線を集束するため
    の第1及び第2段の集束レンズと、該第2段の集束レン
    ズの後段に配置された対物レンズと、該電子線を該対物
    レンズの前焦点面の近傍で二次元的に走査するための手
    段と、試料への電子線の照射に基づいて得られる情報信
    号を検出するための検出器とを備えた装置において、該
    第2段の集束レンズの励磁電流を変化させるための手段
    と、該第2段の集束レンズの励磁電流の該変化に伴う像
    のコントラストの変化をその都度自動的に補償するため
    の手段と、該第2段の集束レンズの励磁電流を変化させ
    た際に該電子線の一次元又は二次元走査に伴う検出器出
    力を処理した信号を監視してその凹凸の急峻度が最大に
    なる該第2の集束レンズの励磁電流値を検出すると共に
    、該第2段の集束レンズの励磁電流を該電流値に固定す
    るための手段を具備したことを特徴とする電子線装置。
  2. (2)該第2段の集束レンズの励磁電流の該変化に伴う
    コントラストの変化をその都度自動的に補償するための
    手段は、該検出器よりの出力信号の信号幅を検出して、
    この幅が基準値に一致するように該検出器の出力信号の
    増幅利得を自動的に切換える回路である前記第(1)項
    記載の電子線装置。
  3. (3)該第2段の集束レンズの励磁電流の該変化に伴う
    コントラストの変化をその都度自動的に補償するための
    手段は、該検出器よりの出力信号の信号幅を検出して、
    この幅が基準値に一致するように該第1段の集束レンズ
    の励磁強度を自動的に切換える回路である前記第(1)
    項記載の電子線装置。
JP5803884A 1984-03-26 1984-03-26 電子線装置 Pending JPS60202644A (ja)

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JP5803884A JPS60202644A (ja) 1984-03-26 1984-03-26 電子線装置

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JP5803884A JPS60202644A (ja) 1984-03-26 1984-03-26 電子線装置

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JPS60202644A true JPS60202644A (ja) 1985-10-14

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