JP2001210263A - 走査電子顕微鏡、そのダイナミックフォーカス制御方法および半導体デバイスの表面および断面形状の把握方法 - Google Patents
走査電子顕微鏡、そのダイナミックフォーカス制御方法および半導体デバイスの表面および断面形状の把握方法Info
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- JP2001210263A JP2001210263A JP2000023276A JP2000023276A JP2001210263A JP 2001210263 A JP2001210263 A JP 2001210263A JP 2000023276 A JP2000023276 A JP 2000023276A JP 2000023276 A JP2000023276 A JP 2000023276A JP 2001210263 A JP2001210263 A JP 2001210263A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ダイナミックフォーカス機能を有した走査電子
顕微鏡において、２つ以上の傾斜角を持つ試料、特にデ
バイス割断面やＦＩＢ加工試料の表面および断面を同時
に観察する鳥瞰図観察に当り、視野全面にフォーカスの
合った像を得ることにある。 【解決手段】試料の傾斜角度の変更位置を、フォーカス
後の信号波形より特定する。その角度の変更位置，フォ
ーカス電流値，Tilt角度読込み部１７からの傾斜角度情
報および倍率読込み部１８からの観察倍率情報から、そ
の変更位置前後の傾斜角に合わせた走査線１本ごとのフ
ォーカス変化量ΔＩを計算し、Ｙ方向走査に合わせて、
ダイナミックフォーカス制御部１９から対物レンズ電源
２０のフォーカス電流に逐次重畳させることを特徴と
し、鳥瞰図観察におけるフォーカス外れを防ぐことがで
きる。
顕微鏡において、２つ以上の傾斜角を持つ試料、特にデ
バイス割断面やＦＩＢ加工試料の表面および断面を同時
に観察する鳥瞰図観察に当り、視野全面にフォーカスの
合った像を得ることにある。 【解決手段】試料の傾斜角度の変更位置を、フォーカス
後の信号波形より特定する。その角度の変更位置，フォ
ーカス電流値，Tilt角度読込み部１７からの傾斜角度情
報および倍率読込み部１８からの観察倍率情報から、そ
の変更位置前後の傾斜角に合わせた走査線１本ごとのフ
ォーカス変化量ΔＩを計算し、Ｙ方向走査に合わせて、
ダイナミックフォーカス制御部１９から対物レンズ電源
２０のフォーカス電流に逐次重畳させることを特徴と
し、鳥瞰図観察におけるフォーカス外れを防ぐことがで
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイナミックフォ
ーカス機能および試料傾斜機能を有した、試料表面から
発生する信号により像を形成する走査電子顕微鏡に係
り、傾斜した試料の観察に関し、特に半導体デバイスの
割断面やＦＩＢ加工を行った試料の表面および断面の同
時観察に関する。ここでＦＩＢ加工とはFocused Ion Be
amによる加工の意味でＧａイオンビームを試料に照射す
ることにより任意の場所に任意の断面を作成できる加工
法である。
ーカス機能および試料傾斜機能を有した、試料表面から
発生する信号により像を形成する走査電子顕微鏡に係
り、傾斜した試料の観察に関し、特に半導体デバイスの
割断面やＦＩＢ加工を行った試料の表面および断面の同
時観察に関する。ここでＦＩＢ加工とはFocused Ion Be
amによる加工の意味でＧａイオンビームを試料に照射す
ることにより任意の場所に任意の断面を作成できる加工
法である。
【０００２】
【従来の技術】一般に、走査電子顕微鏡では、深い焦点
深度を持つことで知られるが、高分解能観察にあたって
は、試料照射時の電子ビームの開き角を大きくし、電子
ビームのスポット径を小さくする必要がある。このとき
焦点深度は、開き角に反比例する（浅くなる）。
深度を持つことで知られるが、高分解能観察にあたって
は、試料照射時の電子ビームの開き角を大きくし、電子
ビームのスポット径を小さくする必要がある。このとき
焦点深度は、開き角に反比例する（浅くなる）。
【０００３】よって、試料を傾斜した状態で高分解能観
察を行う場合、試料の高さの違いによる焦点のボケをな
くすために、ダイナミックフォーカスが使用される。
察を行う場合、試料の高さの違いによる焦点のボケをな
くすために、ダイナミックフォーカスが使用される。
【０００４】また、単一傾斜の試料の表面観察において
も、ダイナミックフォーカスを使用するにあたっては、
フォーカスの変化量は画面を見ながら手動により行わ
れ、その操作は煩雑であり多少の熟練を要する。
も、ダイナミックフォーカスを使用するにあたっては、
フォーカスの変化量は画面を見ながら手動により行わ
れ、その操作は煩雑であり多少の熟練を要する。
【０００５】Ｚ方向に広がりをもつ試料に対しての計測
手法として、例えば特開平5-299048号に示されるよう
に、フォーカスを前後に振り、フォーカスの合った部位
およびそのＺ軸情報を抽出し、それを足しあわせること
により鳥瞰図を生成，表示する手法がある。
手法として、例えば特開平5-299048号に示されるよう
に、フォーカスを前後に振り、フォーカスの合った部位
およびそのＺ軸情報を抽出し、それを足しあわせること
により鳥瞰図を生成，表示する手法がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ダイナミックフォーカ
スの実際の操作において、パルス信号の振幅の調整は、
走査電子顕微鏡像を観察しながら、画面中心にフォーカ
スを合わせた後、画面上部および下部にて同時にフォー
カスが合うように手動によりその変化量を調整するた
め、煩雑な操作を必要としている。
スの実際の操作において、パルス信号の振幅の調整は、
走査電子顕微鏡像を観察しながら、画面中心にフォーカ
スを合わせた後、画面上部および下部にて同時にフォー
カスが合うように手動によりその変化量を調整するた
め、煩雑な操作を必要としている。
【０００７】収束イオンビーム加工装置の普及に伴い、
その加工面の観察ニーズは高まる一方である。特にボッ
クス加工においては、物理的制限からその観察には、試
料傾斜を行う必要があり、表面構造との対応をとるため
に表面・断面の同時観察が行われる。ここでボックス加
工とは、試料の任意個所(例えばデバイスの故障個所)の
断面観察を行うため、試料表面から箱型に穴を開ける加
工方法である。
その加工面の観察ニーズは高まる一方である。特にボッ
クス加工においては、物理的制限からその観察には、試
料傾斜を行う必要があり、表面構造との対応をとるため
に表面・断面の同時観察が行われる。ここでボックス加
工とは、試料の任意個所(例えばデバイスの故障個所)の
断面観察を行うため、試料表面から箱型に穴を開ける加
工方法である。
【０００８】また、半導体やディスプレイデバイスにお
ける薄膜評価については、表面形状やその形状に対応す
る断面構造および断面方向からの膜の形成過程などが薄
膜の特性を決める重要なファクターとなり、そのために
表面・断面の同時観察が必須である。
ける薄膜評価については、表面形状やその形状に対応す
る断面構造および断面方向からの膜の形成過程などが薄
膜の特性を決める重要なファクターとなり、そのために
表面・断面の同時観察が必須である。
【０００９】しかし従来技術でのダイナミックフォーカ
スでは、ＦＩＢ加工試料や半導体デバイスの割断面の様
に、試料の断面と表面を一緒に観察する鳥瞰図観察にお
いては、フレーム中で観察面の傾斜角度が変化するた
め、一方の傾斜に合わせると反対側にフォーカスが合わ
ない。そのため、試料表面および断面のどちらかの傾斜
のみにフォーカスを合わせるか、ダイナミックフォーカ
スを使用せず、表面と断面の変わり目付近の極一部のみ
にフォーカスを合わせ、観察を行っているのが現状であ
る。
スでは、ＦＩＢ加工試料や半導体デバイスの割断面の様
に、試料の断面と表面を一緒に観察する鳥瞰図観察にお
いては、フレーム中で観察面の傾斜角度が変化するた
め、一方の傾斜に合わせると反対側にフォーカスが合わ
ない。そのため、試料表面および断面のどちらかの傾斜
のみにフォーカスを合わせるか、ダイナミックフォーカ
スを使用せず、表面と断面の変わり目付近の極一部のみ
にフォーカスを合わせ、観察を行っているのが現状であ
る。
【００１０】しかしながら前述したように、半導体やデ
ィスプレイデバイスの要素技術開発において、ミクロン
オーダまたはそれ以下の薄膜の表・断面同時観察評価は
不可欠であり、鳥瞰図全面にフォーカスが合う観察手法
の確立が切望されていた。
ィスプレイデバイスの要素技術開発において、ミクロン
オーダまたはそれ以下の薄膜の表・断面同時観察評価は
不可欠であり、鳥瞰図全面にフォーカスが合う観察手法
の確立が切望されていた。
【００１１】ＦＩＢ加工試料や薄膜の表面・断面の同時
観察の様な比較的Ｚ軸方向の変化が大きな試料に特化し
た場合、前述した特開平5-299048号の手法では必要取得
画像枚数が増加し、多大な処理時間を要するため高スル
ープットでの測定を容易に行い得ない。
観察の様な比較的Ｚ軸方向の変化が大きな試料に特化し
た場合、前述した特開平5-299048号の手法では必要取得
画像枚数が増加し、多大な処理時間を要するため高スル
ープットでの測定を容易に行い得ない。
【００１２】本発明の目的は、ＦＩＢ加工試料や半導体
デバイスの割断面試料などの試料傾斜の方向が少なくと
も２つ以上ある場合、特に表面・断面の同時観察におい
て、視野全面にフォーカスを自動かつ簡便にあわせるこ
とのできる走査電子顕微鏡、そのダイナミックフォーカ
ス制御方法、および半導体デバイスの表面および断面形
状の把握方法を提供することにある。
デバイスの割断面試料などの試料傾斜の方向が少なくと
も２つ以上ある場合、特に表面・断面の同時観察におい
て、視野全面にフォーカスを自動かつ簡便にあわせるこ
とのできる走査電子顕微鏡、そのダイナミックフォーカ
ス制御方法、および半導体デバイスの表面および断面形
状の把握方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明においては、前記
目的を達成するため、電子線を発生する電子銃と、電子
線を収束し照射させる手段と、電子線を試料上に走査す
るための偏向手段と、電子線照射により試料表面から発
生した信号を検出する検出器と、検出された信号を表示
するための手段と、試料を傾斜する手段と、ダイナミッ
クフォーカス機能を備える走査電子顕微鏡において、対
物レンズ励磁電流の変化量を、観察条件に基づいて設定
し、観察することにある。これにより、少なくとも二つ
以上の傾斜を有する試料において、特にＦＩＢ加工面や
半導体デバイスの割断面など二つの観察面の傾斜間の角
度が９０度である試料に対し、自動的にかつ簡便に、視
野全面にフォーカスが合った画像を得ることにある。
目的を達成するため、電子線を発生する電子銃と、電子
線を収束し照射させる手段と、電子線を試料上に走査す
るための偏向手段と、電子線照射により試料表面から発
生した信号を検出する検出器と、検出された信号を表示
するための手段と、試料を傾斜する手段と、ダイナミッ
クフォーカス機能を備える走査電子顕微鏡において、対
物レンズ励磁電流の変化量を、観察条件に基づいて設定
し、観察することにある。これにより、少なくとも二つ
以上の傾斜を有する試料において、特にＦＩＢ加工面や
半導体デバイスの割断面など二つの観察面の傾斜間の角
度が９０度である試料に対し、自動的にかつ簡便に、視
野全面にフォーカスが合った画像を得ることにある。
【００１４】ここで前記「観察条件」とは、最終画像を
得る時の観察条件であり、フォーカス電流値情報，傾斜
角度情報，倍率情報，画像情報を含む。
得る時の観察条件であり、フォーカス電流値情報，傾斜
角度情報，倍率情報，画像情報を含む。
【００１５】本発明は、具体的には次に掲げる装置およ
び方法を提供する。
び方法を提供する。
【００１６】本発明は、電子線を発生する電子銃と、電
子線を収束し照射させる照射部と、電子線を試料上に走
査させるための偏向部と、電子線照射により試料表面か
ら発生した信号を検出する検出器と、ダイナミックフォ
ーカスを動作させるダイナミックフォーカス制御部とを
備えた走査電子顕微鏡において、フォーカス電流情報か
ら試料の傾斜の変更位置を求め、変更位置の前後の傾斜
に合わせたフォーカス変化量を算出し、該フォーカス変
化量によって対物レンズ励磁電流の変化量を設定する走
査電子顕微鏡を提供する。
子線を収束し照射させる照射部と、電子線を試料上に走
査させるための偏向部と、電子線照射により試料表面か
ら発生した信号を検出する検出器と、ダイナミックフォ
ーカスを動作させるダイナミックフォーカス制御部とを
備えた走査電子顕微鏡において、フォーカス電流情報か
ら試料の傾斜の変更位置を求め、変更位置の前後の傾斜
に合わせたフォーカス変化量を算出し、該フォーカス変
化量によって対物レンズ励磁電流の変化量を設定する走
査電子顕微鏡を提供する。
【００１７】本発明は、更に検出された信号を画面表示
する表示部を備え、フォーカスサーチによる信号波形の
変化からトップピークを求めてそのピーク位置を算出
し、表示画面の中心とピーク位置とからトップピークの
位置を表示画面上に確定する走査電子顕微鏡を提供す
る。
する表示部を備え、フォーカスサーチによる信号波形の
変化からトップピークを求めてそのピーク位置を算出
し、表示画面の中心とピーク位置とからトップピークの
位置を表示画面上に確定する走査電子顕微鏡を提供す
る。
【００１８】本発明は、更に対物レンズ励磁電流の変化
量は、ステージ制御部もしくは入力装置からの試料傾斜
角度読込み部に読み込まれた傾斜角度情報，倍率制御部
もしくは入力装置から倍率読込み部に読み込まれた倍率
情報，画像メモリに記憶された画像情報に基づいて設定
される走査電子顕微鏡を提供する。
量は、ステージ制御部もしくは入力装置からの試料傾斜
角度読込み部に読み込まれた傾斜角度情報，倍率制御部
もしくは入力装置から倍率読込み部に読み込まれた倍率
情報，画像メモリに記憶された画像情報に基づいて設定
される走査電子顕微鏡を提供する。
【００１９】本発明は、更にＹ方向走査の走査戻り時間
毎にフォーカス電流にフォーカス電流変化量を逐次加算
または減算して現在のフォーカス電流とし、試料の傾斜
の変更位置からは現在のフォーカス電流にフォーカス電
流変化量を逐次減算または加算して現在のフォーカス電
流を求め、１ラインの対物レンズ励磁電流を設定する走
査電子顕微鏡を提供する。
毎にフォーカス電流にフォーカス電流変化量を逐次加算
または減算して現在のフォーカス電流とし、試料の傾斜
の変更位置からは現在のフォーカス電流にフォーカス電
流変化量を逐次減算または加算して現在のフォーカス電
流を求め、１ラインの対物レンズ励磁電流を設定する走
査電子顕微鏡を提供する。
【００２０】本発明は、電子線を発生する電子銃と、電
子線を収束し照射させる照射部と、電子線を試料上に走
査させるための偏向部と、電子線照射により試料表面か
ら発生した信号を検出する検出器と、ダイナミックフォ
ーカスを動作させるダイナミックフォーカス制御部とを
備えた走査電子顕微鏡において、フォーカス電流情報か
ら試料の傾斜の変更位置を求め、変更位置の前後の傾斜
に合わせたフォーカス変化量を算出し、該フォーカス変
化量によって対物レンズ励磁電流を設定し、１フレーム
中の複数個所の設定された対物レンズ励磁電流を読み取
って記憶し、１フレーム中の対物レンズ励磁電流の基準
値および変化量を設定する走査電子顕微鏡を提供する。
子線を収束し照射させる照射部と、電子線を試料上に走
査させるための偏向部と、電子線照射により試料表面か
ら発生した信号を検出する検出器と、ダイナミックフォ
ーカスを動作させるダイナミックフォーカス制御部とを
備えた走査電子顕微鏡において、フォーカス電流情報か
ら試料の傾斜の変更位置を求め、変更位置の前後の傾斜
に合わせたフォーカス変化量を算出し、該フォーカス変
化量によって対物レンズ励磁電流を設定し、１フレーム
中の複数個所の設定された対物レンズ励磁電流を読み取
って記憶し、１フレーム中の対物レンズ励磁電流の基準
値および変化量を設定する走査電子顕微鏡を提供する。
【００２１】本発明は、電子線を発生する電子銃と、電
子線を収束し照射させる照射部と、電子線を試料上に走
査させるための偏向部と、電子線照射により試料表面か
ら発生した信号を検出する検出器と、ダイナミックフォ
ーカスを動作させるダイナミックフォーカス制御部とを
備えた走査電子顕微鏡のダイナミックフォーカス制御方
法において、観察面の傾斜方向が９０°変化する試料に
おいて、フォーカス電流情報から試料の傾斜の変更位置
を求め、観察面方向が９０°変化することに伴うフォー
カス変化量を算出する走査電子顕微鏡のダイナミックフ
ォーカス制御方法を提供する。
子線を収束し照射させる照射部と、電子線を試料上に走
査させるための偏向部と、電子線照射により試料表面か
ら発生した信号を検出する検出器と、ダイナミックフォ
ーカスを動作させるダイナミックフォーカス制御部とを
備えた走査電子顕微鏡のダイナミックフォーカス制御方
法において、観察面の傾斜方向が９０°変化する試料に
おいて、フォーカス電流情報から試料の傾斜の変更位置
を求め、観察面方向が９０°変化することに伴うフォー
カス変化量を算出する走査電子顕微鏡のダイナミックフ
ォーカス制御方法を提供する。
【００２２】本発明は、電子線を発生する電子銃と、電
子線を収束し照射させる照射部と、電子線を試料上に走
査させるための偏向部と、電子線照射により試料表面か
ら発生した信号を検出する検出器と、ダイナミックフォ
ーカスを動作させるダイナミックフォーカス制御部とを
備えた走査電子顕微鏡のダイナミックフォーカス制御方
法において、試料を任意角度傾斜させ、フォーカス電流
情報から試料の傾斜の変更位置を求め、変更位置の前後
の傾斜に伴うフォーカス変化量を傾斜の変更位置と走査
終了位置のそれぞれのフォーカス電流から算出する走査
電子顕微鏡のダイナミックフォーカス制御方法を提供す
る。
子線を収束し照射させる照射部と、電子線を試料上に走
査させるための偏向部と、電子線照射により試料表面か
ら発生した信号を検出する検出器と、ダイナミックフォ
ーカスを動作させるダイナミックフォーカス制御部とを
備えた走査電子顕微鏡のダイナミックフォーカス制御方
法において、試料を任意角度傾斜させ、フォーカス電流
情報から試料の傾斜の変更位置を求め、変更位置の前後
の傾斜に伴うフォーカス変化量を傾斜の変更位置と走査
終了位置のそれぞれのフォーカス電流から算出する走査
電子顕微鏡のダイナミックフォーカス制御方法を提供す
る。
【００２３】本発明は、走査電子顕微鏡による半導体デ
バイスの表面および断面形状の把握方法において、半導
体デバイスを任意角度傾斜させ、フォーカス電流情報か
ら試料の傾斜の変更位置を求め、変更位置の前後の傾斜
に伴うフォーカス変化量を算出し、励磁レンズ電流を制
御して表示画面の同一視野上の表面および断面を一枚の
画像に取得する半導体デバイスの表面および断面形状の
把握方法を提供する。
バイスの表面および断面形状の把握方法において、半導
体デバイスを任意角度傾斜させ、フォーカス電流情報か
ら試料の傾斜の変更位置を求め、変更位置の前後の傾斜
に伴うフォーカス変化量を算出し、励磁レンズ電流を制
御して表示画面の同一視野上の表面および断面を一枚の
画像に取得する半導体デバイスの表面および断面形状の
把握方法を提供する。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる一実施例を
図面に基づいて説明する。
図面に基づいて説明する。
【００２５】図１は、本発明の実施例を示すブロック図
であり、図２および図３は図１の一部詳細図である。こ
れらの図において、電子銃１，引き出し電極２および加
速電極３により得られた電子ビーム４は、コンデンサレ
ンズ５および対物レンズ６にて、試料７の表面に収束さ
せられる。このとき、任意の設定倍率に従い、倍率制御
部１０から倍率情報が、Ｘ方向走査制御部１１およびＹ
方向走査制御部１２にそれぞれ伝えられ、走査制御部１
１および１２から倍率に見合った走査パルス信号が、Ｘ
方向走査コイル８およびＹ方向走査コイル９にそれぞれ
入力されることにより、電子ビーム４は試料７表面を走
査する。この時、試料表面から発生した二次電子２２は
検出器２３により検出され信号となり、走査電子顕微鏡
像として表示されると同時に、その信号は画像信号とし
て、画像メモリ２７に記憶される。また、試料ステージ
１３は、試料傾斜動作装置（図示せず）を含み、ステー
ジ制御部１４により制御されて試料傾斜や試料移動など
を行う。
であり、図２および図３は図１の一部詳細図である。こ
れらの図において、電子銃１，引き出し電極２および加
速電極３により得られた電子ビーム４は、コンデンサレ
ンズ５および対物レンズ６にて、試料７の表面に収束さ
せられる。このとき、任意の設定倍率に従い、倍率制御
部１０から倍率情報が、Ｘ方向走査制御部１１およびＹ
方向走査制御部１２にそれぞれ伝えられ、走査制御部１
１および１２から倍率に見合った走査パルス信号が、Ｘ
方向走査コイル８およびＹ方向走査コイル９にそれぞれ
入力されることにより、電子ビーム４は試料７表面を走
査する。この時、試料表面から発生した二次電子２２は
検出器２３により検出され信号となり、走査電子顕微鏡
像として表示されると同時に、その信号は画像信号とし
て、画像メモリ２７に記憶される。また、試料ステージ
１３は、試料傾斜動作装置（図示せず）を含み、ステー
ジ制御部１４により制御されて試料傾斜や試料移動など
を行う。
【００２６】対物レンズ６からフォーカス電流読込み部
１５にて読み込まれた電流値情報と、ステージ制御部１
４若しくは入力装置１６からTilt角度読込み部１７にて
読み込まれた傾斜角度情報と、倍率制御部１０若しくは
入力装置１６から倍率読込み部１８にて読み込まれた倍
率情報と、画像メモリ２７に記憶された画像情報（メモ
リアドレス）を基に、図２に示すように、ダイナミック
フォーカス制御部１９にて、Ｙ方向走査における傾斜の
変更（端面）位置Pn（後述）および、端面位置前後の傾
斜に合わせたフォーカス変化量Δfを算出（後述）し、
対物レンズ電源２０に重畳させ、試料全面にフォーカス
を合わせることができる。このとき、ターン数の少ない
専用コイルまたは、静電補助レンズ９０を用いることに
より、フォーカス変化の即応性を向上することが可能で
ある。
１５にて読み込まれた電流値情報と、ステージ制御部１
４若しくは入力装置１６からTilt角度読込み部１７にて
読み込まれた傾斜角度情報と、倍率制御部１０若しくは
入力装置１６から倍率読込み部１８にて読み込まれた倍
率情報と、画像メモリ２７に記憶された画像情報（メモ
リアドレス）を基に、図２に示すように、ダイナミック
フォーカス制御部１９にて、Ｙ方向走査における傾斜の
変更（端面）位置Pn（後述）および、端面位置前後の傾
斜に合わせたフォーカス変化量Δfを算出（後述）し、
対物レンズ電源２０に重畳させ、試料全面にフォーカス
を合わせることができる。このとき、ターン数の少ない
専用コイルまたは、静電補助レンズ９０を用いることに
より、フォーカス変化の即応性を向上することが可能で
ある。
【００２７】試料表面２１から発生した二次電子２２
を、検出器２３にて検出する。検出された電子は信号と
して、陰極線管２４の表示画面上に、Ｘ方向走査コイル
８とＹ方向走査コイル９と同期の取られた、陰極線管Ｘ
方向走査コイル２５と陰極線管Ｙ方向走査コイル２６に
て走査され、走査電子顕微鏡像として表示される。ま
た、表示と同時に画像メモリ部２７に、その画像信号が
記憶される。
を、検出器２３にて検出する。検出された電子は信号と
して、陰極線管２４の表示画面上に、Ｘ方向走査コイル
８とＹ方向走査コイル９と同期の取られた、陰極線管Ｘ
方向走査コイル２５と陰極線管Ｙ方向走査コイル２６に
て走査され、走査電子顕微鏡像として表示される。ま
た、表示と同時に画像メモリ部２７に、その画像信号が
記憶される。
【００２８】電子ビーム走査時には、図４（ａ）の様
な、短周期のＸ方向走査パルス信号３１と、長周期のＹ
方向走査パルス信号３２が、それぞれの走査コイルに入
力される。走査時間３３においては、Ｘ方向走査パルス
信号３１が変化し、Ｘ方向走査が行われる。この時、Ｙ
方向走査パルス信号３２は変化せず、Ｙ方向走査は行わ
れない。走査もどり時間３４においては、Ｘ方向はもと
の走査位置に戻り、Ｙ方向走査は一定量移動する。この
時の移動により、走査線がＹ方向に一本分進むことにな
る。このサイクルを繰り返すことにより、図４（ｂ）の
様に、１フレーム分の走査３５が試料表面で行われる。
な、短周期のＸ方向走査パルス信号３１と、長周期のＹ
方向走査パルス信号３２が、それぞれの走査コイルに入
力される。走査時間３３においては、Ｘ方向走査パルス
信号３１が変化し、Ｘ方向走査が行われる。この時、Ｙ
方向走査パルス信号３２は変化せず、Ｙ方向走査は行わ
れない。走査もどり時間３４においては、Ｘ方向はもと
の走査位置に戻り、Ｙ方向走査は一定量移動する。この
時の移動により、走査線がＹ方向に一本分進むことにな
る。このサイクルを繰り返すことにより、図４（ｂ）の
様に、１フレーム分の走査３５が試料表面で行われる。
【００２９】図５に、本発明の実施の一例としてフロー
を示す。まず、目的とする視野を画面上に表示させる
（５０１）。この時、傾斜の軸を機械的な回転またはラ
スターローテーションでＸ方向に合わせる。Mag.（観察
倍率）およびTilt（試料傾斜角度）を記録（５０２）
し、操作者に対しその値を表示する（５０３）。この
時、Noの場合はキーボードなどから倍率および傾斜角度
を入力（５０４）し、ステップ５０２に戻り、ステップ
５０３でYesになるまで繰り返される。Yesの場合はオー
トフォーカス（５０５）を行い、その時のフォーカス電
流Ｉの値を、傾斜の変更位置のフォーカス電流Ｉ（St
d）として記憶する（５０６）。前記ステップ５０６
は、鳥瞰図観察において、オートフォーカスが端面位置
に焦点が合うことによる。時計方向に現在の観察条件プ
ラス９０度のラスターローテーション（５０７）およ
び、Focus Searchを行い（５０８）、画像信号のTop Pe
ak位置を検出し（５０９）、端面位置Ｐｎを算出する
（５１０）。
を示す。まず、目的とする視野を画面上に表示させる
（５０１）。この時、傾斜の軸を機械的な回転またはラ
スターローテーションでＸ方向に合わせる。Mag.（観察
倍率）およびTilt（試料傾斜角度）を記録（５０２）
し、操作者に対しその値を表示する（５０３）。この
時、Noの場合はキーボードなどから倍率および傾斜角度
を入力（５０４）し、ステップ５０２に戻り、ステップ
５０３でYesになるまで繰り返される。Yesの場合はオー
トフォーカス（５０５）を行い、その時のフォーカス電
流Ｉの値を、傾斜の変更位置のフォーカス電流Ｉ（St
d）として記憶する（５０６）。前記ステップ５０６
は、鳥瞰図観察において、オートフォーカスが端面位置
に焦点が合うことによる。時計方向に現在の観察条件プ
ラス９０度のラスターローテーション（５０７）およ
び、Focus Searchを行い（５０８）、画像信号のTop Pe
ak位置を検出し（５０９）、端面位置Ｐｎを算出する
（５１０）。
【００３０】上記ステップ５０７〜５１０での動作概念
図を図７に示す。ステップ５０７は、ステップ５０８に
おけるFocus SearchがＸ方向に対して行われるため、Ｙ
方向に対する端面位置ＰｎをＸ方向に合わせるためのス
テップである。ステップ５０８〜５０９では、端面位置
Ｐｎにフォーカスが合っている場合、フォーカスサーチ
（Focus Search）による信号波形７１のトップピーク
（Top Peak）７２が、その位置となる。ステップ５１０
は、トップピーク７２と、表示画面の中心７３との表示
画面上の二点間の距離７４から、端面位置７５を算出
（後述）するステップである。この時のトップピーク７
２と、表示画面の中心７３の位置は、画像メモリ部２７
の画素のアドレスにより決められる。また、二点間の距
離７４は、二点間の画素アドレスのＸの値の差から、そ
の値を表示画面上の距離に換算することで求められる。
図を図７に示す。ステップ５０７は、ステップ５０８に
おけるFocus SearchがＸ方向に対して行われるため、Ｙ
方向に対する端面位置ＰｎをＸ方向に合わせるためのス
テップである。ステップ５０８〜５０９では、端面位置
Ｐｎにフォーカスが合っている場合、フォーカスサーチ
（Focus Search）による信号波形７１のトップピーク
（Top Peak）７２が、その位置となる。ステップ５１０
は、トップピーク７２と、表示画面の中心７３との表示
画面上の二点間の距離７４から、端面位置７５を算出
（後述）するステップである。この時のトップピーク７
２と、表示画面の中心７３の位置は、画像メモリ部２７
の画素のアドレスにより決められる。また、二点間の距
離７４は、二点間の画素アドレスのＸの値の差から、そ
の値を表示画面上の距離に換算することで求められる。
【００３１】図６に示すように、Mag.，Tilt（θ），Ｐ
ｎの値より、Ｙ方向走査開始位置Ｐ１から端面位置Ｐｎ
までのフォーカス変化量Δｆ(P1,Pn)および、端面位置
ＰｎからＹ方向走査終了位置Ｐmaxまでのフォーカス変
化量Δｆ(Pn,Pmax)を算出（後述）する（５１１）。
ｎの値より、Ｙ方向走査開始位置Ｐ１から端面位置Ｐｎ
までのフォーカス変化量Δｆ(P1,Pn)および、端面位置
ＰｎからＹ方向走査終了位置Ｐmaxまでのフォーカス変
化量Δｆ(Pn,Pmax)を算出（後述）する（５１１）。
【００３２】前記ステップより得られたΔｆ(P1,Pn)，
Δｆ(Pn,Pmax)および、Ｉ(Std）の値から、Ｙ方向走査
開始位置Ｐ１の時のフォーカス電流Ｉ(P1)と、Ｙ方向走
査終了位置Ｐmax の時のフォーカス電流Ｉ(Pmax)を算出
（後述）する（５１２）。
Δｆ(Pn,Pmax)および、Ｉ(Std）の値から、Ｙ方向走査
開始位置Ｐ１の時のフォーカス電流Ｉ(P1)と、Ｙ方向走
査終了位置Ｐmax の時のフォーカス電流Ｉ(Pmax)を算出
（後述）する（５１２）。
【００３３】前記ステップより得られたＩ(P1)，Ｉ(Pma
x)より、Ｙ方向走査開始位置Ｐ１から端面位置Ｐｎまで
の区間の、走査線１本当たりのフォーカス電流変化量Δ
Ｉ(P1,Pn)と、端面位置ＰｎからＹ方向走査終了位置Ｐm
ax までの区間の、走査線１本当たりのフォーカス電流
変化量ΔＩ(Pn,Pmax)を算出（後述）する（５１３）。
x)より、Ｙ方向走査開始位置Ｐ１から端面位置Ｐｎまで
の区間の、走査線１本当たりのフォーカス電流変化量Δ
Ｉ(P1,Pn)と、端面位置ＰｎからＹ方向走査終了位置Ｐm
ax までの区間の、走査線１本当たりのフォーカス電流
変化量ΔＩ(Pn,Pmax)を算出（後述）する（５１３）。
【００３４】以下のステップは、上記ステップ５１１〜
５１３により得られた、ΔＩ(P1,Pn)，ΔＩ(Pn,Pmax)，
Ｉ(P1)，Ｉ(Pmax)を用い、フォーカス量を逐次変化させ
るステップである。フォーカス電流ＩをＩ(P1)に設定す
る（５１４）。Ｙ方向走査を１ライン行う（５１５）。
この時、Ｙ方向走査は走査時間３３だけ進む。Ｙ方向走
査線数ｌｎがｌｎ(Pn)（後述）になるまで、走査戻り時
間３４になるたびに、フォーカス電流Ｉにフォーカス電
流変化量ΔＩ(P1,Pn)を逐次加算する（５１６〜５１
７）。
５１３により得られた、ΔＩ(P1,Pn)，ΔＩ(Pn,Pmax)，
Ｉ(P1)，Ｉ(Pmax)を用い、フォーカス量を逐次変化させ
るステップである。フォーカス電流ＩをＩ(P1)に設定す
る（５１４）。Ｙ方向走査を１ライン行う（５１５）。
この時、Ｙ方向走査は走査時間３３だけ進む。Ｙ方向走
査線数ｌｎがｌｎ(Pn)（後述）になるまで、走査戻り時
間３４になるたびに、フォーカス電流Ｉにフォーカス電
流変化量ΔＩ(P1,Pn)を逐次加算する（５１６〜５１
７）。
【００３５】ｌｎがｌｎ(Pn)となった時、次ステップに
進み、走査戻り時間３４の区間において、現在のフォー
カス電流Ｉからフォーカス電流変化量ΔＩ(Pn,Pmax)を
逐次減算し（５１８）、その後ステップ５１５同様にＹ
方向走査を１ライン行い、Ｙ方向走査線数ｌｎがｌｎ(P
max)（後述）になるまで、走査戻り時間３４になるたび
に、フォーカス電流Ｉからフォーカス電流変化量ΔＩ(P
n,Pmax）を逐次減算する（５１８〜５２０）。ステップ
５２０で、Yesとなった時、１フレーム分の走査が終了
し、最終的なフォーカス電流ＩはＩ(Pmax)となる。
進み、走査戻り時間３４の区間において、現在のフォー
カス電流Ｉからフォーカス電流変化量ΔＩ(Pn,Pmax)を
逐次減算し（５１８）、その後ステップ５１５同様にＹ
方向走査を１ライン行い、Ｙ方向走査線数ｌｎがｌｎ(P
max)（後述）になるまで、走査戻り時間３４になるたび
に、フォーカス電流Ｉからフォーカス電流変化量ΔＩ(P
n,Pmax）を逐次減算する（５１８〜５２０）。ステップ
５２０で、Yesとなった時、１フレーム分の走査が終了
し、最終的なフォーカス電流ＩはＩ(Pmax)となる。
【００３６】上記ステップ５１４〜５２０により、試料
傾斜にそってフォーカス電流Ｉが変化し、全体にフォー
カスのあった鳥瞰図画像を得ることができる。
傾斜にそってフォーカス電流Ｉが変化し、全体にフォー
カスのあった鳥瞰図画像を得ることができる。
【００３７】前述したステップ５１０における端面位置
Ｐｎの算出方法を、図７を使用して以下に示す。Ｙ方向
走査開始位置Ｐ１から端面位置Ｐｎまでの試料上での走
査移動量および走査線数をそれぞれｙ(Pn)７６およびｌ
ｎ(Pn)とし、Ｙ方向走査開始位置Ｐ１からＹ方向走査終
了位置Ｐmaxまで試料上での走査移動量および走査線数
をそれぞれｙ(Pmax)７７およびｌｎ(Pmax)とする。ここ
でｙ(Pmax)およびｌｎ(Pmax)は、それぞれ試料上Ｙ方向
の全走査移動量および全走査線数と同一である。よっ
て、最終表示画面におけるＹ方向の表示幅をＬｙ、倍率
をＭとするとＹ方向の全走査移動量は、 ｙ(Pmax)＝Ｌｙ／Ｍ −（式１） で表される。これより、試料上での走査線１本当たりの
Ｙ方向の移動量ｙ（１）は次式で表される。
Ｐｎの算出方法を、図７を使用して以下に示す。Ｙ方向
走査開始位置Ｐ１から端面位置Ｐｎまでの試料上での走
査移動量および走査線数をそれぞれｙ(Pn)７６およびｌ
ｎ(Pn)とし、Ｙ方向走査開始位置Ｐ１からＹ方向走査終
了位置Ｐmaxまで試料上での走査移動量および走査線数
をそれぞれｙ(Pmax)７７およびｌｎ(Pmax)とする。ここ
でｙ(Pmax)およびｌｎ(Pmax)は、それぞれ試料上Ｙ方向
の全走査移動量および全走査線数と同一である。よっ
て、最終表示画面におけるＹ方向の表示幅をＬｙ、倍率
をＭとするとＹ方向の全走査移動量は、 ｙ(Pmax)＝Ｌｙ／Ｍ −（式１） で表される。これより、試料上での走査線１本当たりの
Ｙ方向の移動量ｙ（１）は次式で表される。
【００３８】 ｙ（１）＝ｙ(Pmax)／ｌｎ(Pmax) −（式２） また、表示画面中心までのＹ方向走査線数ｌｎ(center)
は次式で表される。
は次式で表される。
【００３９】 ｌｎ(center)＝ｌｎ(Pmax)／２ −（式３） また、画像メモリ部２７の画素アドレスより求めた、画
面中心からTop PeakまでのＸ方向画素数をＰixel(ＸT-
C)，Ｙ方向全画素数をＰixel(Ｙ)とすると、表示画面上
での二点間の距離ＬT-Cは、 ＬT-C＝Ｐixel(ＸT-C)・Ｌｙ／Ｐixel(Ｙ) −（式４） となる。上式は、Ｘ方向画素数Ｐixel(ＸT-C）が、９０
度のラスターローテーションの後の値であるため、実質
はラスターローテーション前のＹ方向の画素数と同じで
あることによる。また、その走査線数ｌｎ(ＬT-C)は、 ｌｎ(ＬT-C)＝ｌｎ(Pmax)・ＬT-C／Ｌｙ −（式５） となる。これより、端面位置Ｐｎまでの走査線数ｌｎ(P
n)は ｌｎ(Pn)＝ｌｎ(center)±ｌｎ(ＬT-C） −（式６） ＝ｌｎ(Pmax)・（０.５±ＬT-C／Ｌｙ） −（式７） となる。よって、（式１），（式２）および（式７）よ
り端面位置Ｐｎまでの移動量ｙ(Pn)７６は、 ｙ(Pn)＝ｌｎ(Pn)・ｙ(Pmax)／ｌｎ(Pmax) −（式８） ＝（０.５Ｌｙ±ＬT-C）／Ｍ −（式９） となる。端面位置Ｐｎの走査線数ｌｎ(Pn)は（式７）か
ら、移動量ｙ(Pn)７６は（式９）から求まる。（式
６），（式７）および（式９）中の±は、本例のよう
に、Top Peak７２の位置が、画面中心７３よりも左にあ
る場合は加算，逆に右にある場合は減算となる。
面中心からTop PeakまでのＸ方向画素数をＰixel(ＸT-
C)，Ｙ方向全画素数をＰixel(Ｙ)とすると、表示画面上
での二点間の距離ＬT-Cは、 ＬT-C＝Ｐixel(ＸT-C)・Ｌｙ／Ｐixel(Ｙ) −（式４） となる。上式は、Ｘ方向画素数Ｐixel(ＸT-C）が、９０
度のラスターローテーションの後の値であるため、実質
はラスターローテーション前のＹ方向の画素数と同じで
あることによる。また、その走査線数ｌｎ(ＬT-C)は、 ｌｎ(ＬT-C)＝ｌｎ(Pmax)・ＬT-C／Ｌｙ −（式５） となる。これより、端面位置Ｐｎまでの走査線数ｌｎ(P
n)は ｌｎ(Pn)＝ｌｎ(center)±ｌｎ(ＬT-C） −（式６） ＝ｌｎ(Pmax)・（０.５±ＬT-C／Ｌｙ） −（式７） となる。よって、（式１），（式２）および（式７）よ
り端面位置Ｐｎまでの移動量ｙ(Pn)７６は、 ｙ(Pn)＝ｌｎ(Pn)・ｙ(Pmax)／ｌｎ(Pmax) −（式８） ＝（０.５Ｌｙ±ＬT-C）／Ｍ −（式９） となる。端面位置Ｐｎの走査線数ｌｎ(Pn)は（式７）か
ら、移動量ｙ(Pn)７６は（式９）から求まる。（式
６），（式７）および（式９）中の±は、本例のよう
に、Top Peak７２の位置が、画面中心７３よりも左にあ
る場合は加算，逆に右にある場合は減算となる。
【００４０】ステップ５１１〜５１３における動作概略
図を図８に、Δｆ(P1,Pn)，Δｆ(Pn,Pmax),Ｉ(P1)，Ｉ
(Pmax)，ΔＩ(P1,Pn)，ΔＩ(Pn,Pmax)それぞれの値の算
出式を以下に示す。図８より、試料（断面）８１に電子
ビーム４が走査される場合、Ｙ方向走査開始位置Ｐ１か
ら端面位置Ｐｎまでフォーカスの必要変化量Δｆ(P1,P
n)８２と、端面位置ＰｎからＹ方向走査終了位置Ｐmax
までのフォーカスの必要変化量Δｆ(Pn,Pmax)８３は、
前述ｙ(Pn)およびｙ(Pmax)から次式の様に表される。
図を図８に、Δｆ(P1,Pn)，Δｆ(Pn,Pmax),Ｉ(P1)，Ｉ
(Pmax)，ΔＩ(P1,Pn)，ΔＩ(Pn,Pmax)それぞれの値の算
出式を以下に示す。図８より、試料（断面）８１に電子
ビーム４が走査される場合、Ｙ方向走査開始位置Ｐ１か
ら端面位置Ｐｎまでフォーカスの必要変化量Δｆ(P1,P
n)８２と、端面位置ＰｎからＹ方向走査終了位置Ｐmax
までのフォーカスの必要変化量Δｆ(Pn,Pmax)８３は、
前述ｙ(Pn)およびｙ(Pmax)から次式の様に表される。
【００４１】 Δｆ(P1,Pn)＝ｙ(Pn)・tanθ −（式１０） Δｆ(Pn,Pmax)＝(ｙ(Pmax)−ｙ(Pn)・tan(９０−θ） −（式１１） ここで、図８において、ｙ(Pn)は８４に、(ｙ(Pmax)−
ｙ(Pn))は８５に相当する。これより、Ｉ(Std）より求
められる端面位置Ｐｎでのワーキングディスタンスをｄ
(Pn)とすると、Ｙ方向走査開始位置Ｐ１において必要と
されるフォーカス電流量Ｉ(P1)，走査終了位置Ｐmax に
おいて必要とされるフォーカス電流量Ｉ(Pmax)は、 Ｉ(P1)＝ｋ・(ｄ(Pn)＋Δｆ(P1,Pn)) −（式１２） Ｉ(Pmax)＝ｋ・(ｄ(Pn)＋Δｆ(Pn,Pmax)) −（式１３） で表される。図中のｋは、加速電圧，レンズのコイル巻
数，レンズの形状などにより定まる定数である。
ｙ(Pn))は８５に相当する。これより、Ｉ(Std）より求
められる端面位置Ｐｎでのワーキングディスタンスをｄ
(Pn)とすると、Ｙ方向走査開始位置Ｐ１において必要と
されるフォーカス電流量Ｉ(P1)，走査終了位置Ｐmax に
おいて必要とされるフォーカス電流量Ｉ(Pmax)は、 Ｉ(P1)＝ｋ・(ｄ(Pn)＋Δｆ(P1,Pn)) −（式１２） Ｉ(Pmax)＝ｋ・(ｄ(Pn)＋Δｆ(Pn,Pmax)) −（式１３） で表される。図中のｋは、加速電圧，レンズのコイル巻
数，レンズの形状などにより定まる定数である。
【００４２】これより、Ｙ方向走査開始位置Ｐ１から端
面位置Ｐｎまでの区間のＹ方向走査線一本あたりのフォ
ーカス電流変化量ΔＩ(P1,Pn)と、端面位置Ｐｎから走
査終了位置Ｐmaxまでの区間のＹ方向走査線一本あたり
のフォーカス電流変化量ΔＩ(Pn,Pmax)は、 ΔＩ(P1,Pn)＝Ｉ(P1)／ｌｎ(Pn) −（式１４） ΔＩ(Pn,Pmax)＝Ｉ(Pmax)／（ｌｎ(Pmax)−ｌｎ(Pn)） −（式１５） となる。
面位置Ｐｎまでの区間のＹ方向走査線一本あたりのフォ
ーカス電流変化量ΔＩ(P1,Pn)と、端面位置Ｐｎから走
査終了位置Ｐmaxまでの区間のＹ方向走査線一本あたり
のフォーカス電流変化量ΔＩ(Pn,Pmax)は、 ΔＩ(P1,Pn)＝Ｉ(P1)／ｌｎ(Pn) −（式１４） ΔＩ(Pn,Pmax)＝Ｉ(Pmax)／（ｌｎ(Pmax)−ｌｎ(Pn)） −（式１５） となる。
【００４３】上記実施の形態において、ステップ５０５
をオートフォーカスを用いたが、マニュアルにより合わ
せてもよい。
をオートフォーカスを用いたが、マニュアルにより合わ
せてもよい。
【００４４】本実施の１形態は、試料の観察面の角度が
９０度変化する場合である。これはＦＩＢ加工面におい
ては、試料表面に対し垂直方向からイオンビームを照射
し加工するため、また半導体デバイスの割断面において
は、そのＳｉ基板の結晶方位によるへき開性のため、表
面と断面の間の角度がほぼ９０度になることによる。
９０度変化する場合である。これはＦＩＢ加工面におい
ては、試料表面に対し垂直方向からイオンビームを照射
し加工するため、また半導体デバイスの割断面において
は、そのＳｉ基板の結晶方位によるへき開性のため、表
面と断面の間の角度がほぼ９０度になることによる。
【００４５】また、試料の二つの観察面の間の角度が、
９０度以外かつ既知でない場合は、端面位置Ｐｎのフォ
ーカス電流Ｉ(Std）の他に、走査終了位置Ｐmaxにフォ
ーカスを合わせ、その時のフォーカス電流Ｉ(Pmax)を記
憶し、そこからＹ方向走査線一本あたりのフォーカス電
流変化量ΔＩ(Pn,Pmax)を算出し、フォーカス電流Ｉ
（＝Ｉ(Std)）に逐次減算することにより、画像の取得
ができる。
９０度以外かつ既知でない場合は、端面位置Ｐｎのフォ
ーカス電流Ｉ(Std）の他に、走査終了位置Ｐmaxにフォ
ーカスを合わせ、その時のフォーカス電流Ｉ(Pmax)を記
憶し、そこからＹ方向走査線一本あたりのフォーカス電
流変化量ΔＩ(Pn,Pmax)を算出し、フォーカス電流Ｉ
（＝Ｉ(Std)）に逐次減算することにより、画像の取得
ができる。
【００４６】また、試料形状の関係で試料台に水平に搭
載できない場合は、試料傾斜角度が未知数となるため、
Ｙ方向走査開始位置Ｐ１，端面位置Ｐｎ，走査終了位置
Ｐmax のそれぞれにフォーカスを合わせ、それぞれのフ
ォーカス電流をそれぞれＩ(P1)，Ｉ(Std），Ｉ(Pmax)と
して記憶する。このときＹ方向走査線一本あたりのフォ
ーカス電流変化量ΔＩ(P1,Pn)およびΔＩ(Pn,Pmax)は、 ΔＩ(P1,Pn)＝｜Ｉ(P1)−Ｉ(Std)｜／ｌｎ(Pn) −（式１６） ΔＩ(Pn,Pmax)＝｜Ｉ(Std)−Ｉ(Pmax)｜／ｌｎ(Pmax) −（式１７） となる。よって、Ｙ方向走査開始位置Ｐ１から端面位置
Ｐｎまではフォーカス電流Ｉ（＝Ｉ(P1)）にΔＩ(P1,P
n)をＹ方向走査線一本ごとに逐次加算することにより、
端面位置Ｐｎから走査終了位置Ｐmaxまではフォーカス
電流Ｉ（＝Ｉ(Std)）にΔＩ(Pn,Pmax)をＹ方向走査線一
本ごとに逐次減算することにより、画像の取得ができ
る。
載できない場合は、試料傾斜角度が未知数となるため、
Ｙ方向走査開始位置Ｐ１，端面位置Ｐｎ，走査終了位置
Ｐmax のそれぞれにフォーカスを合わせ、それぞれのフ
ォーカス電流をそれぞれＩ(P1)，Ｉ(Std），Ｉ(Pmax)と
して記憶する。このときＹ方向走査線一本あたりのフォ
ーカス電流変化量ΔＩ(P1,Pn)およびΔＩ(Pn,Pmax)は、 ΔＩ(P1,Pn)＝｜Ｉ(P1)−Ｉ(Std)｜／ｌｎ(Pn) −（式１６） ΔＩ(Pn,Pmax)＝｜Ｉ(Std)−Ｉ(Pmax)｜／ｌｎ(Pmax) −（式１７） となる。よって、Ｙ方向走査開始位置Ｐ１から端面位置
Ｐｎまではフォーカス電流Ｉ（＝Ｉ(P1)）にΔＩ(P1,P
n)をＹ方向走査線一本ごとに逐次加算することにより、
端面位置Ｐｎから走査終了位置Ｐmaxまではフォーカス
電流Ｉ（＝Ｉ(Std)）にΔＩ(Pn,Pmax)をＹ方向走査線一
本ごとに逐次減算することにより、画像の取得ができ
る。
【００４７】図９はダイナミックフォーカスの動作を示
す概略図である。通常、試料傾斜時における観察は、図
４（ａ）の様に、試料表面４１の角度と電子ビーム４の
フォーカス面４２が一致しないため、表示画面上部に相
当する試料面４３と表示画面下部に相当する試料面４４
でフォーカスのずれた画像になる。このとき、対物レン
ズ電源２０に入力されるパルス信号５０は、図のように
なっている。この時、対物レンズ電源２０から対物レン
ズ６に入力されるフォーカス電流波形（傾斜なし）４５
は、図の様に一定値である。
す概略図である。通常、試料傾斜時における観察は、図
４（ａ）の様に、試料表面４１の角度と電子ビーム４の
フォーカス面４２が一致しないため、表示画面上部に相
当する試料面４３と表示画面下部に相当する試料面４４
でフォーカスのずれた画像になる。このとき、対物レン
ズ電源２０に入力されるパルス信号５０は、図のように
なっている。この時、対物レンズ電源２０から対物レン
ズ６に入力されるフォーカス電流波形（傾斜なし）４５
は、図の様に一定値である。
【００４８】そこで、ダイナミックフォーカスを動作さ
せ、図９（ｂ）の様に、Ｙ方向走査に前述のようにフォ
ーカス変化量によって調整したパルス信号４６を、対物
レンズ電源２０を通して、対物レンズ６のフォーカス電
流に重畳させることで、Ｙ方向走査に合わせてフォーカ
ス位置が変化し、試料表面４１とフォーカス面４２が重
なり、全面にフォーカスがあった画像を得られる。この
時、対物レンズ電源２０から対物レンズ６に入力される
フォーカス電流波形（傾斜あり）４７は、図の様なパル
ス信号になっている。
せ、図９（ｂ）の様に、Ｙ方向走査に前述のようにフォ
ーカス変化量によって調整したパルス信号４６を、対物
レンズ電源２０を通して、対物レンズ６のフォーカス電
流に重畳させることで、Ｙ方向走査に合わせてフォーカ
ス位置が変化し、試料表面４１とフォーカス面４２が重
なり、全面にフォーカスがあった画像を得られる。この
時、対物レンズ電源２０から対物レンズ６に入力される
フォーカス電流波形（傾斜あり）４７は、図の様なパル
ス信号になっている。
【００４９】また、逆側の傾斜については、図９（ｃ）
の様に、Ｙ方向走査の極性を反転させて調整したパルス
信号４８をフォーカス電流に重畳することで対応可能で
ある。このときのフォーカス電流波形（逆傾斜あり）４
９は、図の様なパルス信号になっている。
の様に、Ｙ方向走査の極性を反転させて調整したパルス
信号４８をフォーカス電流に重畳することで対応可能で
ある。このときのフォーカス電流波形（逆傾斜あり）４
９は、図の様なパルス信号になっている。
【００５０】電子線を発生する電子銃と、電子線を収束
し照射させる手段と、電子線を試料上に走査するための
偏向手段と、電子線照射により試料表面から発生した信
号を検出する検出器と、検出された信号を表示するため
の手段と、試料を傾斜する手段と、ダイナミックフォー
カス機能を備えて、１フレーム中の複数箇所の対物レン
ズ励磁電流を別々に読み取り、記憶することにより、対
物レンズ励磁電流の基準値および変化量を設定すること
ができる。また、１フレーム中で対物レンズ励磁電流の
変化量を変更できる。
し照射させる手段と、電子線を試料上に走査するための
偏向手段と、電子線照射により試料表面から発生した信
号を検出する検出器と、検出された信号を表示するため
の手段と、試料を傾斜する手段と、ダイナミックフォー
カス機能を備えて、１フレーム中の複数箇所の対物レン
ズ励磁電流を別々に読み取り、記憶することにより、対
物レンズ励磁電流の基準値および変化量を設定すること
ができる。また、１フレーム中で対物レンズ励磁電流の
変化量を変更できる。
【００５１】試料の傾斜角度が例えば、９０度変わった
と想定して対物レンズ励磁電流の変化量を変更すること
ができる。
と想定して対物レンズ励磁電流の変化量を変更すること
ができる。
【００５２】断面・表面の双方を同時に観察する場合に
おいて、視野全面にフォーカスが合った状態で観察可能
になる。
おいて、視野全面にフォーカスが合った状態で観察可能
になる。
【００５３】また、図１０の様なθ傾斜させた半導体な
どの基板１０１上の酸化膜１０２付のレジスト１０３の
ラインパターンの把握に本発明を適用する場合（図９
（ａ））、前記実施の形態と凹凸が逆になるため、図９
（ｂ）において、式１０および式１１をそれぞれ、 Δｆ(P1,Pn)＝ｙ(Pn)・tan（９０−θ） −（式１８ ） Δｆ(Pn,Pmax)＝(ｙ(Pmax)−ｙ(Pn))・tanθ −（式１９ ） とし、ステップ５１７における加算を減算に、ステップ
５１８における減算を加算にすることにより、画像を取
得し、レジストサイド部のラフネスや酸化膜表面の微細
形状の把握ができる。
どの基板１０１上の酸化膜１０２付のレジスト１０３の
ラインパターンの把握に本発明を適用する場合（図９
（ａ））、前記実施の形態と凹凸が逆になるため、図９
（ｂ）において、式１０および式１１をそれぞれ、 Δｆ(P1,Pn)＝ｙ(Pn)・tan（９０−θ） −（式１８ ） Δｆ(Pn,Pmax)＝(ｙ(Pmax)−ｙ(Pn))・tanθ −（式１９ ） とし、ステップ５１７における加算を減算に、ステップ
５１８における減算を加算にすることにより、画像を取
得し、レジストサイド部のラフネスや酸化膜表面の微細
形状の把握ができる。
【００５４】また顧客使用形態は、例えば薄膜評価のた
め同一視野上の表面および断面を、それぞれの傾斜方向
に合わせた２枚の画像を一組として撮影していた場合、
本発明により１枚の画像取得で済むことになる。これ
は、視野決定後の撮影時間が半分になることを示し、特
にルーチンワーク的に広範囲多数試料を測定する場合に
効率向上が図られ効果的である。
め同一視野上の表面および断面を、それぞれの傾斜方向
に合わせた２枚の画像を一組として撮影していた場合、
本発明により１枚の画像取得で済むことになる。これ
は、視野決定後の撮影時間が半分になることを示し、特
にルーチンワーク的に広範囲多数試料を測定する場合に
効率向上が図られ効果的である。
【００５５】
【発明の効果】この発明によれば、２つ以上の傾斜角度
を持つ試料の観察において、視野全面にフォーカスが合
った画像が得られないと言う問題を解消でき、特にデバ
イス割断面やＦＩＢ加工試料表面・断面の両方同時にフ
ォーカスの合った鳥瞰図画像を簡易に取得できる走査電
子顕微鏡を提供できる。
を持つ試料の観察において、視野全面にフォーカスが合
った画像が得られないと言う問題を解消でき、特にデバ
イス割断面やＦＩＢ加工試料表面・断面の両方同時にフ
ォーカスの合った鳥瞰図画像を簡易に取得できる走査電
子顕微鏡を提供できる。
【図１】本発明に基づく走査電子顕微鏡の実施の形態の
概略構成を示すブロック図である。
概略構成を示すブロック図である。
【図２】図１の一部詳細を示すブロック図である。
【図３】図１の一部詳細を示すブロック図である。
【図４】走査電子顕微鏡における走査パルス信号波形を
示す図である。
示す図である。
【図５】図１の実施の形態の一つの動作フローチャート
を示す図である。
を示す図である。
【図６】図５の動作フローチャートに後続する図１の実
施の形態の動作フローチャートを示す図である。
施の形態の動作フローチャートを示す図である。
【図７】図５の動作フローチャートの内ステップ５０７
〜５０９の動作を示す概略図である。
〜５０９の動作を示す概略図である。
【図８】図６の動作フローチャートの内ステップ５１１
〜５１３の動作を示す概略図である。
〜５１３の動作を示す概略図である。
【図９】ダイナミックフォーカスの動作概略図である。
【図１０】本発明に基づくその他の実施の形態の動作を
示す概略図である。
示す概略図である。
１…電子銃、２…引出し電極、３…加速電極、４…電子
ビーム、５…コンデンサレンズ、６…対物レンズ、７…
試料、８…Ｘ方向走査コイル、９…Ｙ方向走査コイル、
１０…倍率制御部、１１…Ｘ方向走査制御部、１２…Ｙ
方向走査制御部、１３…試料ステージ、１４…ステージ
制御部、１５…フォーカス電流読込み部、１６…入力装
置、１７…Tilt角度読込み部、１８…倍率読込み部、１
９…ダイナミックフォーカス制御部、２０…対物レンズ
電源、２１…試料表面、２２…二次電子、２３…検出
器、２４…陰極線管、２５…陰極線管Ｘ方向走査コイ
ル、２６…陰極線管Ｙ方向走査コイル、２７…画像メモ
リ部、３１…Ｘ方向走査パルス信号、３２…Ｙ方向走査
パルス信号、３３…走査時間、３４…走査もどり時間、
３５…１フレーム分の走査、４１…試料表面、４２…フ
ォーカス面、４３…表示画面上部に相当する試料面、４
４…表示画面下部に相当する試料面、４５…フォーカス
電流波形（傾斜なし）、４６…振幅を調整したパルス信
号、４７…フォーカス電流波形（傾斜あり）、４８…極
性を反転し振幅を調整したパルス信号、４９…フォーカ
ス電流波形（逆傾斜あり）、５０…パルス信号、７１…
信号波形、７２…トップピーク(Top Peak）、７３…表
示画面の中心、７４…表示画面上の二点間の距離、７５
…端面位置、７６…試料上での走査移動量ｙ（Ｐｎ）、
７７…試料上での走査移動量ｙ(Pmax)、８１…試料（断
面）、８２…フォーカスの必要変化量Δｆ(P1,Pn)、８
３…フォーカスの必要変化量Δｆ(Pn,Pmax)、８４…ｙ
(Pn)、８５…（ｙ(Pmax)−ｙ(Pn)）、９０…静電補助レ
ンズ、１０１…基板、１０２…酸化膜、１０３…レジス
ト。
ビーム、５…コンデンサレンズ、６…対物レンズ、７…
試料、８…Ｘ方向走査コイル、９…Ｙ方向走査コイル、
１０…倍率制御部、１１…Ｘ方向走査制御部、１２…Ｙ
方向走査制御部、１３…試料ステージ、１４…ステージ
制御部、１５…フォーカス電流読込み部、１６…入力装
置、１７…Tilt角度読込み部、１８…倍率読込み部、１
９…ダイナミックフォーカス制御部、２０…対物レンズ
電源、２１…試料表面、２２…二次電子、２３…検出
器、２４…陰極線管、２５…陰極線管Ｘ方向走査コイ
ル、２６…陰極線管Ｙ方向走査コイル、２７…画像メモ
リ部、３１…Ｘ方向走査パルス信号、３２…Ｙ方向走査
パルス信号、３３…走査時間、３４…走査もどり時間、
３５…１フレーム分の走査、４１…試料表面、４２…フ
ォーカス面、４３…表示画面上部に相当する試料面、４
４…表示画面下部に相当する試料面、４５…フォーカス
電流波形（傾斜なし）、４６…振幅を調整したパルス信
号、４７…フォーカス電流波形（傾斜あり）、４８…極
性を反転し振幅を調整したパルス信号、４９…フォーカ
ス電流波形（逆傾斜あり）、５０…パルス信号、７１…
信号波形、７２…トップピーク(Top Peak）、７３…表
示画面の中心、７４…表示画面上の二点間の距離、７５
…端面位置、７６…試料上での走査移動量ｙ（Ｐｎ）、
７７…試料上での走査移動量ｙ(Pmax)、８１…試料（断
面）、８２…フォーカスの必要変化量Δｆ(P1,Pn)、８
３…フォーカスの必要変化量Δｆ(Pn,Pmax)、８４…ｙ
(Pn)、８５…（ｙ(Pmax)−ｙ(Pn)）、９０…静電補助レ
ンズ、１０１…基板、１０２…酸化膜、１０３…レジス
ト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中川 美音 茨城県ひたちなか市大字市毛1040番地 株 式会社日立サイエンスシステムズ内 (72)発明者 武藤 篤 茨城県ひたちなか市大字市毛1040番地 株 式会社日立サイエンスシステムズ内 Ｆターム(参考） 5C033 MM03 MM05
Claims (8)
- 【請求項１】電子線を発生する電子銃と、電子線を収束
し照射させる照射部と、電子線を試料上に走査させるた
めの偏向部と、電子線照射により試料表面から発生した
信号を検出する検出器と、ダイナミックフォーカスを動
作させるダイナミックフォーカス制御部とを備えた走査
電子顕微鏡において、 フォーカス電流情報から試料の傾斜の変更位置を求め、
変更位置の前後の傾斜に合わせたフォーカス変化量を算
出し、該フォーカス変化量によって対物レンズ励磁電流
の変化量を設定することを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 【請求項２】請求項１において、検出された信号を画面
表示する表示部を備え、 フォーカスサーチによる信号波形の変化からトップピー
クを求めてそのピーク位置を算出し、表示画面の中心と
ピーク位置とからトップピークの位置を表示画面上に確
定することを特徴とする走査電子顕微鏡。 - 【請求項３】請求項１において、 対物レンズ励磁電流の変化量は、ステージ制御部もしく
は入力装置からの試料傾斜角度読込み部に読み込まれた
傾斜角度情報，倍率制御部もしくは入力装置から倍率読
込み部に読み込まれた倍率情報，画像メモリに記憶され
た画像情報に基づいて設定されることを特徴とする走査
電子顕微鏡。 - 【請求項４】請求項１において、 Ｙ方向走査の走査戻り時間毎にフォーカス電流にフォー
カス電流変化量を逐次加算または減算して現在のフォー
カス電流とし、試料の傾斜の変更位置からは現在のフォ
ーカス電流にフォーカス電流変化量を逐次減算または加
算して現在のフォーカス電流を求め、１ラインの対物レ
ンズ励磁電流を設定することを特徴とする走査電子顕微
鏡。 - 【請求項５】電子線を発生する電子銃と、電子線を収束
し照射させる照射部と、電子線を試料上に走査させるた
めの偏向部と、電子線照射により試料表面から発生した
信号を検出する検出器と、ダイナミックフォーカスを動
作させるダイナミックフォーカス制御部とを備えた走査
電子顕微鏡において、 フォーカス電流情報から試料の傾斜の変更位置を求め、
変更位置の前後の傾斜に合わせたフォーカス変化量を算
出し、該フォーカス変化量によって対物レンズ励磁電流
を設定し、 １フレーム中の複数個所の設定された対物レンズ励磁電
流を読み取って記憶し、１フレーム中の対物レンズ励磁
電流の基準値および変化量を設定することを特徴とする
走査電子顕微鏡。 - 【請求項６】電子線を発生する電子銃と、電子線を収束
し照射させる照射部と、電子線を試料上に走査させるた
めの偏向部と、電子線照射により試料表面から発生した
信号を検出する検出器と、ダイナミックフォーカスを動
作させるダイナミックフォーカス制御部とを備えた走査
電子顕微鏡のダイナミックフォーカス制御方法におい
て、 観察面の傾斜方向が９０°変化する試料において、フォ
ーカス電流情報から試料の傾斜の変更位置を求め、観察
面方向が９０°変化することに伴うフォーカス変化量を
算出することを特徴とする走査電子顕微鏡のダイナミッ
クフォーカス制御方法。 - 【請求項７】電子線を発生する電子銃と、電子線を収束
し照射させる照射部と、電子線を試料上に走査させるた
めの偏向部と、電子線照射により試料表面から発生した
信号を検出する検出器と、ダイナミックフォーカスを動
作させるダイナミックフォーカス制御部とを備えた走査
電子顕微鏡のダイナミックフォーカス制御方法におい
て、 試料を任意角度傾斜させ、フォーカス電流情報から試料
の傾斜の変更位置を求め、変更位置の前後の傾斜に伴う
フォーカス変化量を傾斜の変更位置と走査終了位置のそ
れぞれのフォーカス電流から算出することを特徴とする
走査電子顕微鏡のダイナミックフォーカス制御方法。 - 【請求項８】走査電子顕微鏡による半導体デバイスの表
面および断面形状の把握方法において、 半導体デバイスを任意角度傾斜させ、フォーカス電流情
報から試料の傾斜の変更位置を求め、変更位置の前後の
傾斜に伴うフォーカス変化量を算出し、励磁レンズ電流
を制御して表示画面の同一視野上の表面および断面を一
枚の画像に取得することを特徴とする半導体デバイスの
表面および断面形状の把握方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000023276A JP2001210263A (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 走査電子顕微鏡、そのダイナミックフォーカス制御方法および半導体デバイスの表面および断面形状の把握方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000023276A JP2001210263A (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 走査電子顕微鏡、そのダイナミックフォーカス制御方法および半導体デバイスの表面および断面形状の把握方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001210263A true JP2001210263A (ja) | 2001-08-03 |
Family
ID=18549451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000023276A Pending JP2001210263A (ja) | 2000-01-27 | 2000-01-27 | 走査電子顕微鏡、そのダイナミックフォーカス制御方法および半導体デバイスの表面および断面形状の把握方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001210263A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1442471A2 (en) * | 2001-10-10 | 2004-08-04 | Applied Materials Israel Ltd. | System and method for fast focal length alterations |
| JP2006294354A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Nec Electronics Corp | 試料体の加工観察装置及び試料体の観察方法 |
| JP2008300358A (ja) * | 2001-10-10 | 2008-12-11 | Applied Materials Israel Ltd | 急速に焦点距離を変更する為のシステム及び方法 |
| US7518652B2 (en) * | 2000-05-03 | 2009-04-14 | Aperio Technologies, Inc. | Method and apparatus for pre-focus in a linear array based slide scanner |
| US7646495B2 (en) | 2000-05-03 | 2010-01-12 | Aperio Technologies, Inc. | System and computer readable medium for pre-focus of digital slides |
| US8103082B2 (en) | 2000-05-03 | 2012-01-24 | Aperio Technologies, Inc. | Optimizing virtual slide image quality |
| US8199358B2 (en) | 2003-02-28 | 2012-06-12 | Aperio Technologies, Inc. | Digital slide image analysis |
| US8565480B2 (en) | 2004-05-27 | 2013-10-22 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Creating and viewing three dimensional virtual slides |
| US8582849B2 (en) | 2000-05-03 | 2013-11-12 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Viewing digital slides |
| US8705825B2 (en) | 2009-12-11 | 2014-04-22 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Signal to noise ratio in digital pathology image analysis |
| US8743195B2 (en) | 2008-10-24 | 2014-06-03 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Whole slide fluorescence scanner |
| US9235041B2 (en) | 2005-07-01 | 2016-01-12 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | System and method for single optical axis multi-detector microscope slide scanner |
-
2000
- 2000-01-27 JP JP2000023276A patent/JP2001210263A/ja active Pending
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8582849B2 (en) | 2000-05-03 | 2013-11-12 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Viewing digital slides |
| US7978894B2 (en) | 2000-05-03 | 2011-07-12 | Aperio Technologies, Inc. | Fully automatic rapid microscope slide scanner |
| US9851550B2 (en) | 2000-05-03 | 2017-12-26 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Fully automatic rapid microscope slide scanner |
| US9729749B2 (en) | 2000-05-03 | 2017-08-08 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Data management in a linear-array-based microscope slide scanner |
| US7646495B2 (en) | 2000-05-03 | 2010-01-12 | Aperio Technologies, Inc. | System and computer readable medium for pre-focus of digital slides |
| US9535243B2 (en) | 2000-05-03 | 2017-01-03 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Optimizing virtual slide image quality |
| US7893988B2 (en) | 2000-05-03 | 2011-02-22 | Aperio Technologies, Inc. | Method for pre-focus of digital slides |
| US9521309B2 (en) | 2000-05-03 | 2016-12-13 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Data management in a linear-array-based microscope slide scanner |
| US8055042B2 (en) | 2000-05-03 | 2011-11-08 | Aperio Technologies, Inc. | Fully automatic rapid microscope slide scanner |
| US8103082B2 (en) | 2000-05-03 | 2012-01-24 | Aperio Technologies, Inc. | Optimizing virtual slide image quality |
| US9386211B2 (en) | 2000-05-03 | 2016-07-05 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Fully automatic rapid microscope slide scanner |
| US9213177B2 (en) | 2000-05-03 | 2015-12-15 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Achieving focus in a digital pathology system |
| US8385619B2 (en) | 2000-05-03 | 2013-02-26 | Aperio Technologies, Inc. | Fully automatic rapid microscope slide scanner |
| US8731260B2 (en) | 2000-05-03 | 2014-05-20 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Data management in a linear-array-based microscope slide scanner |
| US8805050B2 (en) | 2000-05-03 | 2014-08-12 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Optimizing virtual slide image quality |
| US8456522B2 (en) | 2000-05-03 | 2013-06-04 | Aperio Technologies, Inc. | Achieving focus in a digital pathology system |
| US7518652B2 (en) * | 2000-05-03 | 2009-04-14 | Aperio Technologies, Inc. | Method and apparatus for pre-focus in a linear array based slide scanner |
| JP2008300358A (ja) * | 2001-10-10 | 2008-12-11 | Applied Materials Israel Ltd | 急速に焦点距離を変更する為のシステム及び方法 |
| EP1442471A2 (en) * | 2001-10-10 | 2004-08-04 | Applied Materials Israel Ltd. | System and method for fast focal length alterations |
| EP1442471B1 (en) * | 2002-10-09 | 2010-08-11 | Applied Materials Israel Ltd. | System and method for fast focal length alterations |
| US8780401B2 (en) | 2003-02-28 | 2014-07-15 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Systems and methods for analyzing digital slide images using algorithms constrained by parameter data |
| US8467083B2 (en) | 2003-02-28 | 2013-06-18 | Aperio Technologies, Inc. | Framework for processing the content of a digital image of a microscope sample |
| US9019546B2 (en) | 2003-02-28 | 2015-04-28 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Image processing of digital slide images based on a macro |
| US8199358B2 (en) | 2003-02-28 | 2012-06-12 | Aperio Technologies, Inc. | Digital slide image analysis |
| US8923597B2 (en) | 2004-05-27 | 2014-12-30 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Creating and viewing three dimensional virtual slides |
| US8565480B2 (en) | 2004-05-27 | 2013-10-22 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Creating and viewing three dimensional virtual slides |
| US9069179B2 (en) | 2004-05-27 | 2015-06-30 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Creating and viewing three dimensional virtual slides |
| JP2006294354A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Nec Electronics Corp | 試料体の加工観察装置及び試料体の観察方法 |
| US8309920B2 (en) | 2005-04-07 | 2012-11-13 | Renesas Electronics Corporation | Sample milling/observing apparatus and method of observing sample |
| US9235041B2 (en) | 2005-07-01 | 2016-01-12 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | System and method for single optical axis multi-detector microscope slide scanner |
| US9523844B2 (en) | 2008-10-24 | 2016-12-20 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Whole slide fluorescence scanner |
| US8743195B2 (en) | 2008-10-24 | 2014-06-03 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Whole slide fluorescence scanner |
| US8705825B2 (en) | 2009-12-11 | 2014-04-22 | Leica Biosystems Imaging, Inc. | Signal to noise ratio in digital pathology image analysis |
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