CN1254959A - 热电组件 - Google Patents

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Abstract

一种热电组件1包括p型热电元件3a和n型热电元件3b,交替地排列并通过提供在每个热电元件3的上表面和下表面上的电极电连接,以及固定在每侧电极上的热交换板5,其中除了结合到电极4的表面之外,每个热电元件3在它的侧面上有绝缘材料的覆盖膜2,热电元件3间隔设置。覆盖膜2提高了热电元件3的强度和抗潮湿性,即使当施加负荷、震动或热应力时,可以防止热电元件裂缝或断裂,在高湿度气氛中防止腐蚀,提高了热电组件1的操作可靠性。

Description

热电组件
本申请涉及排列有大量热电元件的热电组件。
如图7所示，常规的热电组件1通过以下方案制备：从由如区熔法等的熔解生长制备的热电材料的坯料切割下棱柱形热电元件3、通过焊接等将热电材料3焊接到由导电材料制成的上和下电极4提供预定的导电图形、以及将热交换板5固定在每个电极4的外侧。当热电元件3和电极4用焊料焊接在一起时，在结合部的周围形成焊缝7，如图8所示。由此完成的热电组件1具有整齐结构，并且热电元件3显示出恒温和恒定热导的优点。热电组件1在每一侧上具有平坦的表面，适合于制造热电元件粘接到它的每一侧的面板型装置。
然而，由于热电元件3(即，p型热电元件3a和n型热电元件3b)由脆性材料制成，当震动或负荷施加到热电组件1时或热应力施加到热电元件3时，产生裂缝或断裂。此外，由于热电组件3的抗潮湿性很差，在高湿度气氛中它们往往会被腐蚀，导致性能变差。
本发明的一个目的是提供一种热电组件，能增加强度和提高抗潮湿性，由此操作的可靠性提高。
本发明提供一种热电组件，包括p型热电元件和n型热电元件，这些元件交替地排列并通过提供在每个热电元件的顶部和底部上的电极电连接，以及固定在热电元件两侧电极上的热交换板，其中除了结合到电极的侧面之外，每个热电元件在它的侧面上有绝缘材料的覆盖膜，热电元件被隔开。
在本发明的优选实施例中，热电元件为从热电元件坯料上切下然后用绝缘材料覆盖的元件。
在本申请的另一优选实施例中，覆盖膜为通过化学汽相淀积聚合形成的聚酰亚胺膜。
在本申请的又一实施例中，覆盖膜为通过化学汽相淀积聚合形成的聚(取代或未取代的对苯二亚甲基)膜。
在本申请的还一实施例中，除了结合到电极的侧面之外，在每个热电元件两侧的上和下电极附近部分没有绝缘材料的覆盖膜。
图1为根据本发明热电组件的一个例子的剖面图。
图2B示出了根据本发明热电组件的一个例子的透视图。
图2A为除去了上热交换板的图2B的热电组件的透视图。
图3A和3B示出了分别使用片型坯件和棒型坯件的热电元件的制备模式。
图4A和4B分别为覆盖的热电元件的透视图和平面图。
图5A和5B示出了另一覆盖的热电元件的剖面图，其中图5B为图5A中画圆部分的放大图。
图6示出了使用棒型坯件热电元件的另一制备模式。
图7示出了常规热电组件的剖面图。
图8示出了常规热电组件的剖面图，其中示出了焊缝。
下面参考附图介绍本发明的实施和优选实施例。其中，参考数字3用于表示p型或n型的热电元件，参考数字3a和3b用于区分p型和n型。
图1和2示出了根据本发明的热电组件的一个例子。图1为热电组件1的剖面图。图2A表示上表面上没有热交换板5和电极4的热电组件1的透视图，图2B为上表面带有热交换板5和电极4的热电组件1的透视图。热电组件1包括由n型半导体制成的n型热电元件3b和由p型半导体制成的p型热电元件3a，它们交替地排列在相同的平面上。形成大量的电极4覆盖每个热电元件3的上表面和下表面，并桥接相邻的p型热电元件3a和n型热电元件3b的上表面或下表面，由此所有交替的热电元件3a和3b都串联地电连接。由如陶瓷等绝缘材料制成的热交换板5借助电极4固定到热电元件3的上表面和下表面。热电元件3相间地排列，由此在热电组件1工作时，可以抑制热电元件3之间的热泄露提高热交换效率。优选热电元件3以0.05到1.0mm间距隔开。
在本发明中使用的热电元件3可以如下制备。首先，通过切割热电材料坯件或烧结或挤压粉状的热电材料制备热电材料的片型坯件6(图3A)或棒型坯件6(图3B)。p型元件的材料包括Sb2Te3，n型元件的材料包括Bi2Te3。切割片型坯件6或棒型坯件6制备如图3所示的热电棱柱3。棱柱的上表面和下表面与各电极4接合，下文有时称做接合面或接合表面。
如图4所示，由绝缘材料制成的覆盖膜2提供在棱柱形热电元件3的每个侧面上，即，除了接合面以外的所有表面。在热电元件3的周围提供覆盖膜2有效地增强了热电元件3的强度，由此当施加负荷、震动、或热应力时，可以防止元件3裂缝或断裂。覆盖膜2还提高了抗潮湿性，由此在高湿度气氛中可以保护元件3不被腐蚀，提高了热电组件1的操作可靠性。
绝缘材料和形成覆盖膜2的方法没有特别地限定。在最优选的实施例中，覆盖膜为通过化学汽相淀积聚合(下文称做CVD聚合)形成的聚酰亚胺或聚(取代或未取代的对苯二亚甲基)膜。形成覆盖膜2之前或之后将热电材料坯件6切割为热电元件3。
通过将酸酐和二元胺引入到含有、热电元件3或热电材料坯件6作为基片的反应容器内并在高温和减压下进行通过CVD聚合覆盖聚酰亚胺。使用例如1，2，4，5-苯四酸二酐(pyromellitic dianhydride)作为酸酐，4，4′-二氨基二苯醚作为二元胺，反应首先得到聚酰胺酸、聚酰亚胺前体，进行脱水环化在衬底上产生聚酰亚胺，如下面的反应图解所示：
具体地，将在160到180℃汽化的1，2，4，5-苯四酸二酐和在150到170℃汽化的4，4′-二胺基二苯醚引入到反应容器内。反应系统保持在160到230℃，10-2到10-5乇30到120分钟形成聚酰胺酸。然后，反应系统在大气压下保持在200到350℃1到5小时，将聚酰胺酸转换成聚酰亚胺。由此形成的聚酰亚胺膜厚度为1到10μm。
通过CVD聚合形成的聚酰亚胺膜的耐热性特别优秀，当通过焊接接合热电元件3和电极4时，它不会剥离。此外它的耐化学性也很优越，当热电组件1在氧化性气氛或腐蚀性气氛中使用时，可以保护热电元件3不退化，由此提高了热电组件1的操作可靠性。
可以买到商品名为Parylene的聚(取代或未取代的对苯二亚甲基)，包括聚(对苯二亚甲基)和具有有机或无机取代基的聚对苯二亚甲基聚合物，例如卤素(例如氯)或氰基取代基，通常在它的苯环上取代。例如，可以通过CVD聚合形成聚合物聚(一氯对苯二亚甲基)，如下面的反应图解所示：
Figure A9912196600071
汽化为一氯聚对苯二亚甲基的环状二聚物的二聚对苯二亚甲基，然后热解以产生一氯聚对苯二亚甲基，气体单体。单体引入含有作为基片的热电元件3或热电材料坯件6的反应容器，在基片上聚合形成聚(一氯对苯二亚甲基)的覆盖膜。优选的反应条件为120到180℃，0.1乇或以下，汽化二聚对苯二亚甲基；650到730℃，0.1乇或以下，高温分解二聚对苯二亚甲基；以及40℃或以下和0.05乇或以下，汽相聚合一氯对苯二亚甲基。由此制备的聚(取代或未取代的对苯二亚甲基)膜优选厚度为1到10μm。
由于潮气渗透很小，通过CVD聚合形成的聚(取代或未取代的对苯二亚甲基)膜提供了抗潮湿性提高的热电元件3，并能非常有效地防止热电元件3腐蚀或性能退化。
如前所述，绝缘覆盖膜2并不形成在热电元件3的接合侧面，即，与各电极4接合的上和下表面。在最优选实施例中，除了接合侧面之外的其它表面，接合面附近的部分没有覆盖膜2。即，优选这些部分不覆盖，或绝缘覆盖膜2一旦形成在除接合面之外的整个表面上之后，从这些部分上除去覆盖膜。具体地，如图5A和5B所示，距热电元件3上端0.01到0.5mm的部分和下端0.01到0.5mm的部分优选没有覆盖膜。可以得到所介绍的侧面部分没有覆盖膜的所述热电元件3，例如，如图6所示，绝缘材料的覆盖膜2形成在热电材料棒型坯件6的所有表面上，通过用激光震荡器8的激光束9照射除去预定部分上的覆盖膜2，之后切割已除去覆盖膜2的中间区域。可以用车床等加工代替激光束加工。此时，切割表面作为接合表面。形成在除了接合表面以外表面上的覆盖膜，通过激光加工或加工可以除去接合表面附近的部分。
当通过焊接接合热电元件3和电极4时，焊料缝7形成在接缝周围。当形成的焊料缝7的部分有覆盖膜2时，焊料对该部分的润湿性下降，往往降低了热电元件3和电极4之间的接合强度。另一方面，当如上面介绍的优选实施例中一样该部分没有覆盖覆盖膜2时，可以保证足够的接合强度。
根据本发明，热电元件周围的覆盖膜增加了热电元件的强度并提高了抗潮湿性。由此，当施加负荷、震动或热应力时，可以防止元件裂缝或断裂，在高湿度气氛中防止腐蚀，提高了热电组件的操作可靠性。此外，热电元件隔开设置，可以抑制元件之间的热泄露，提高了热交换效率。
根据第一优选实施例，热电元件为从热电元件坯料上切下然后用绝缘材料覆盖的元件。热电元件周围的覆盖膜不仅增强了热电元件的强度，而且提高了抗潮湿性。由此，当施加负荷、震动或热应力时，可以防止元件裂缝或断裂，在高湿度气氛中防止腐蚀，提高了热电组件的操作可靠性。此外，热电元件分隔开，可以抑制元件之间的热泄露，提高了热交换效率。
根据第二优选实施例，覆盖膜为通过化学汽相淀积聚合形成的聚酰亚胺膜，焊接热电元件和电极时覆盖膜不剥离。它的耐腐蚀性也很优越，当热电组件用在氧化性气氛或腐蚀性气氛中时，可以保护热电元件不退化，由此提高热电组件的操作可靠性。
根据第三优选实施例，覆盖膜为通过化学汽相淀积聚合形成的聚(取代或未取代的对苯二亚甲基)膜，热电元件还提高了抗潮湿性，在高湿度气氛中防止腐蚀或性能退化。
根据第四优选实施例，除了结合到电极的表面之外，在每个热电元件侧面的上和下电极附近的部分没有绝缘材料的覆盖膜，在没有焊料缝的部分中没有覆盖膜，由此确保了热电元件和电极之间的接合强度。

Claims (9)

1.一种热电组件，包括：
交替地排列的p型热电元件和n型热电元件；
电连接在每个热电元件的上表面和下表面的电极；
分别固定在电极各侧上的热交换板；
除了热电元件和电极结合的区域之外，每个热电元件的表面上的绝缘材料的覆盖膜；以及
相邻热电元件之间限定的间隙。
2.根据权利要求1的热电组件，其中所述热电元件为从热电元件坯料上切下然后用绝缘材料覆盖的元件。
3.根据权利要求1的热电组件，其中所述覆盖膜为通过化学汽相淀积聚合形成的聚酰亚胺膜。
4.根据权利要求1的热电组件，其中所述覆盖膜为通过化学汽相淀积聚合形成的聚(取代或未取代的对苯二亚甲基)膜。
5.根据权利要求1的热电组件，其中所说区域包括接合区域附近限定的部分。
6.一种在热电元件上形成覆盖膜的方法，包括以下步骤：
将酸酐和二元胺引入到反应容器内，在酸酐在160到180℃汽化和二元胺在150到170℃汽化的条件下，在热电元件上产生聚酰胺酸，反应容器保持在160到230℃和10-2到10-5℃乇；以及
在反应容器保持在200到350℃的条件下，进行脱水环化在所述热电元件上产生聚酰亚胺膜。
7.根据权利要求6在热电元件上形成覆盖膜的方法，其中聚酰亚胺膜厚度在1到10μm以内。
8.一种在热电元件上形成覆盖膜的方法，包括以下步骤：
在120到180℃内的温度和0.1乇或以下压力的条件下，汽化和热解二聚对苯二亚甲基；
在650到730℃内的温度和0.1乇或以下压力的条件下热解二聚对苯二亚甲基产生一氯对苯二亚甲基；
在40℃或以下的温度和0.05乇或以下压力的条件下，汽相聚合一氯对苯二亚甲基产生聚(取代或未取代的对苯二亚甲基)膜。
9.根据权利要求8在热电元件上形成覆盖膜的方法，其中聚(取代或未取代的对苯二亚甲基)膜厚度在1到10μm以内。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100452465C (zh) * 2005-02-15 2009-01-14 雅马哈株式会社 热电组件及其制造方法
CN105359285A (zh) * 2013-07-09 2016-02-24 Kelk株式会社 热电发电模块
CN105474417A (zh) * 2013-09-04 2016-04-06 富士胶片株式会社 热电转换装置

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100446957B1 (ko) * 2001-08-16 2004-09-01 전배혁 폴리머 코팅에 의한 드라이 플라워의 보존처리 방법
US7038234B2 (en) * 2001-12-12 2006-05-02 Hi-Z Technology, Inc. Thermoelectric module with Si/SiGe and B4C/B9C super-lattice legs
US6828579B2 (en) * 2001-12-12 2004-12-07 Hi-Z Technology, Inc. Thermoelectric device with Si/SiC superlattice N-legs
KR20030092692A (ko) * 2002-05-30 2003-12-06 이지환 열전소자와 전극이 일체화된 열전재료의 제조 방법
CA2539610C (en) * 2002-10-28 2011-08-16 Dialight Corporation Led illuminated lamp with thermoelectric heat management
US6964501B2 (en) * 2002-12-24 2005-11-15 Altman Stage Lighting Co., Ltd. Peltier-cooled LED lighting assembly
WO2006006884A1 (fr) * 2004-07-08 2006-01-19 Gennadiy Gusamovich Gromov Module thermoelectrique
WO2006033875A2 (en) * 2004-09-09 2006-03-30 Orobridge, Inc. Thermoelectric devices with controlled current flow and related methods
US20060090787A1 (en) * 2004-10-28 2006-05-04 Onvural O R Thermoelectric alternators and thermoelectric climate control devices with controlled current flow for motor vehicles
US8039726B2 (en) * 2005-05-26 2011-10-18 General Electric Company Thermal transfer and power generation devices and methods of making the same
US20070101737A1 (en) 2005-11-09 2007-05-10 Masao Akei Refrigeration system including thermoelectric heat recovery and actuation
US7310953B2 (en) * 2005-11-09 2007-12-25 Emerson Climate Technologies, Inc. Refrigeration system including thermoelectric module
EP1949464A4 (en) * 2005-11-17 2011-10-12 Carrier Corp VERSATILE ENERGY CONVERTER
JP2007150035A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Kyocera Corp 熱電モジュール
EP2080237B1 (en) * 2006-09-28 2015-04-08 Rosemount, Inc. Improved industrial thermoelectric generator
KR100883852B1 (ko) * 2007-06-01 2009-02-17 주식회사 제펠 고집적 마이크로 전자 냉각 모듈 및 그 제조 방법
US7871847B2 (en) * 2007-10-05 2011-01-18 Marlow Industries, Inc. System and method for high temperature compact thermoelectric generator (TEG) device construction
DE102009009586A1 (de) * 2009-02-19 2010-08-26 Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh Thermoelektrische Vorrichtung
CN101969094B (zh) * 2009-07-27 2012-08-29 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种用于热电材料的涂层及其含有该涂层的器件
DE102009046099A1 (de) * 2009-10-28 2011-05-05 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Seebeckschenkelmoduls und korrespondierendes Seebeckschenkelmodul
JP5377753B2 (ja) * 2010-03-25 2013-12-25 京セラ株式会社 熱電素子及び熱電モジュール
US20120060889A1 (en) * 2010-09-13 2012-03-15 Ferrotec (Usa) Corporation Thermoelectric modules and assemblies with stress reducing structure
KR20140009208A (ko) * 2010-10-27 2014-01-22 바스프 에스이 열전 모듈 및 이의 제조 방법
DE102010050395A1 (de) 2010-11-03 2012-05-03 Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh Thermoelektrisches Modul für einen thermoelektrischen Generator eines Fahrzeugs
US9082928B2 (en) 2010-12-09 2015-07-14 Brian Isaac Ashkenazi Next generation thermoelectric device designs and methods of using same
US20130228205A1 (en) * 2011-01-25 2013-09-05 Yury Vernikovskiy Apparatus for reversibly converting thermal energy to electric energy
JP2013012597A (ja) * 2011-05-31 2013-01-17 Imasen Electric Ind Co Ltd 熱交換器
US9444027B2 (en) 2011-10-04 2016-09-13 Infineon Technologies Ag Thermoelectrical device and method for manufacturing same
JP6008293B2 (ja) * 2012-04-09 2016-10-19 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 熱電変換素子および熱電変換モジュール
JP6020239B2 (ja) * 2012-04-27 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
RU2515128C1 (ru) * 2012-09-11 2014-05-10 Общество с ограниченной ответственностью "ВИННЕР" Способ изготовления полупроводниковых ветвей для термоэлектрического модуля и термоэлектрический модуль
RU2537096C2 (ru) * 2013-01-28 2014-12-27 Открытое Акционерное Общество "Автоштамп" Термоэлектрический модуль (варианты)
JP5696261B1 (ja) 2013-06-11 2015-04-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 熱電変換モジュール
DE102013214988A1 (de) 2013-07-31 2015-02-05 Behr Gmbh & Co. Kg Thermoelektrisches Modul
KR102158578B1 (ko) * 2014-01-08 2020-09-22 엘지이노텍 주식회사 열전모듈 및 이를 포함하는 열전환장치
KR101827663B1 (ko) 2014-02-24 2018-02-08 오브쉬체스트보 에스 오그라니첸노이 오트베트스트벤노스트유 “러스텍” 열전 모듈용 반도체 브랜치 및 열전 모듈의 제조 방법
JP6254459B2 (ja) * 2014-02-27 2017-12-27 東京エレクトロン株式会社 重合膜の耐薬品性改善方法、重合膜の成膜方法、成膜装置、および電子製品の製造方法
RU2601209C2 (ru) * 2014-11-17 2016-10-27 Александр Григорьевич Григорьянц Способ создания гибкого термоэлектрического модуля
JP6689701B2 (ja) * 2016-07-27 2020-04-28 小島プレス工業株式会社 熱電変換モジュール及びその製造方法
KR101998220B1 (ko) * 2016-11-09 2019-07-09 중앙대학교 산학협력단 3차원 조립블록형 인-플레인 박막구조를 가지는 열전소자 모듈
CN111403584B (zh) * 2019-12-23 2023-03-10 杭州大和热磁电子有限公司 一种适用于非气密封装的热电模块及其制造方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2976430A (en) * 1959-04-20 1961-03-21 Tasker Instr Corp Function generator circuits
US3070644A (en) * 1960-02-11 1962-12-25 Gen Electric Thermoelectric generator with encapsulated arms
DE1272408B (de) * 1961-05-22 1968-07-11 North American Aviation Inc Thermoelektrischer Wandler
CH454980A (de) * 1967-04-27 1968-04-30 Bbc Brown Boveri & Cie Thermoelektrischer Generator
US4123308A (en) * 1977-10-19 1978-10-31 Union Carbide Corporation Process for chemically bonding a poly-p-xylylene to a thermosetting resin and article produced thereby
JPS60254677A (ja) * 1984-05-30 1985-12-16 Ricoh Co Ltd ペルチエ効果素子
EP0255037B1 (en) * 1986-07-30 1992-12-09 Hitachi, Ltd. A method for forming polyimide film by chemical vapor deposition
JPH02113348U (zh) * 1989-02-23 1990-09-11
DE3926592A1 (de) * 1989-08-11 1991-02-14 Rheydt Kabelwerk Ag Optische faser
JP2833162B2 (ja) * 1990-06-20 1998-12-09 三菱電機株式会社 回路基板への実装方法
JPH0529666A (ja) * 1991-07-22 1993-02-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 被覆熱電対
CA2067230C (en) * 1990-08-09 1996-10-22 Kazuo Sawada Thermocouple
JP3400479B2 (ja) * 1993-02-10 2003-04-28 松下電工株式会社 電子加熱冷却装置
JP3188070B2 (ja) * 1993-10-07 2001-07-16 三菱重工業株式会社 熱電発電モジュール
JPH07307495A (ja) * 1994-05-12 1995-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd ペルチェ素子
JPH07322644A (ja) * 1994-05-25 1995-12-08 Mitsubishi Cable Ind Ltd 静電アクチュエーター用電極構造及びその製造方法
JP3151759B2 (ja) 1994-12-22 2001-04-03 モリックス株式会社 熱電半導体針状結晶及び熱電半導体素子の製造方法
JPH08186296A (ja) * 1994-12-28 1996-07-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd ペルチェ素子
JP3569836B2 (ja) * 1995-08-14 2004-09-29 小松エレクトロニクス株式会社 熱電装置
JPH09107129A (ja) * 1995-10-09 1997-04-22 Sharp Corp 半導体素子及びその製造方法
US5808233A (en) * 1996-03-11 1998-09-15 Temple University-Of The Commonwealth System Of Higher Education Amorphous-crystalline thermocouple and methods of its manufacture
JPH10313134A (ja) * 1997-05-14 1998-11-24 Kubota Corp 熱電モジュールの製造方法
JPH10144967A (ja) * 1996-11-06 1998-05-29 Nhk Spring Co Ltd 冷却用熱電素子モジュール
JPH10229223A (ja) * 1997-02-17 1998-08-25 Tekunisuko:Kk 熱電素子
JPH1168174A (ja) 1997-08-13 1999-03-09 Seru Appl Kk 熱電半導体チップ及び熱電モジュールの製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100452465C (zh) * 2005-02-15 2009-01-14 雅马哈株式会社 热电组件及其制造方法
CN105359285A (zh) * 2013-07-09 2016-02-24 Kelk株式会社 热电发电模块
CN105359285B (zh) * 2013-07-09 2018-01-26 Kelk株式会社 热电发电模块
CN105474417A (zh) * 2013-09-04 2016-04-06 富士胶片株式会社 热电转换装置
CN105474417B (zh) * 2013-09-04 2018-11-23 富士胶片株式会社 热电转换装置

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