JP3569836B2 - 熱電装置 - Google Patents

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文夫 豊田
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱電装置に係り、特にその電極構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
p型半導体とn型半導体とを、金属電極を介して接合してpn素子対を形成し、この接合部を流れる電流の方向によって一方の端部が発熱せしめられると共に他方の端部が冷却せしめられるいわゆるペルチェ効果を利用した熱電素子は、小型で構造が簡単なことから、携帯用ク―ラ等いろいろなデバイスにおいて幅広い利用が期待されている。
【0003】
従来このような熱電素子は、図8に示すように、例えばBi−Te系熱電半導体103の両端に形成されたニッケルめっき層106aと半田層106bとの2層構造の接触電極106を、セラミックスなどの絶縁性基板からなる熱交換基板101上に形成された銅電極105に、固着することによって形成されていた。このような熱電素子を多数個集めて形成したサ―モモジュ―ルは、例えば、図9に示すように、セラミックス基板等の熱伝導性の良好な絶縁性基板からなる第1および第2の熱交換基板111,112間にこれに対して良好な熱接触性をもつように多数個のpn素子対113が挟持せしめられると共に、各素子対113間を夫々第1および第2の電極114,115によって直列接続せしめられて構成されている。
【0004】
そして、この第1および第2の電極114,115は大電流にも耐え得るように通常銅板からなり、熱交換基板111,112表面に形成された導電体層パタ―ン上に半田層106bを介して固着されている。
【0005】
更にこの第1および第2の電極上には、半田層106bおよびニッケル層106aを介してp型熱電素子113a又はn型熱電素子113bが交互に夫々1対ずつ固着せしめられ、pn素子対113を構成すると共に各素子対間は直列接続されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の熱電装置においては製造過程で、電極板と熱電素子との半田接合部で、接合部にボイド(気泡)が発生し、これが排出されることなく残留するため、接合部強度が著しく低下するという問題があった。
【0007】
この問題はさらに発展して、温度変化が大きくなるに従い、熱電半導体が破損したり、脱落したりするという問題があった。
【0008】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、電極板と熱電素子との半田接合部に生じるボイドを効率良く外部に排出し、接合部強度を高め、熱電素子の信頼性および耐久性を向上することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明では、熱交換基板上に電極を介してn型熱電素子とp型熱電素子とからなる少なくとも1対の熱電素子対を接合してなる熱電装置において、前記電極が、少なくとも1本の溝を具備し、前記溝が、前記n型熱電素子またはp型熱電素子との接合領域内から、接合領域外まで到達するように構成される。
【0010】
【発明の実施の形態】
この溝は、電極上に接合される1対の熱電素子対の間の素子間領域から両熱電素子接合領域内に至る1本の溝であってもよいし、それぞれ両熱電素子接合領域内から外方に至る溝であってもよいし、これらがそれぞれ複数条の溝の集合体であってもよい。
【0011】
なおこの溝は、幅および長さを変化させて、接合部強度と、ボイド除去効果とを測定した結果を図6および図7に示すように、幅bが電極幅Bの0.01〜0.5倍(b=(0.01〜0.5)B)、長さlが、電極長Lの0.1〜1.0倍(l=(0.1〜1.0)L)の範囲とするのが望ましい。これらの領域よりも幅や長さが小さいと、ボイドの排出効果が十分でなく、また大きいと接合面積が小さくなるため、接合部強度が低下する。
【0012】
さらにまた、複数の溝を形成する場合には、互いに離間して配設したほうが、ボイドの除去効果が向上する。
【0013】
かかる構成によれば、半田接合時に生じるボイドを、溝を通して、接合部と外部との圧力差を利用して圧力の低い外部へ効率的に誘導排出し、ボイドのない接合部を形成することが可能となる。
【0014】
またボイドが除去されるため、温度サイクルに対する耐久性をさらに向上することができる。
【0015】
さらにまた、溝は、電極導体が完全にない状態に形成しても良いし、膜厚の一部が除去された状態となるようにしてもよい。
【0016】
【実施例】
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【0017】
この熱電装置は、図1および図2に示すように、電極が熱電素子間領域から接合領域内に至る溝Cを具備したことを特徴とする。すなわちこの溝Cは図3に要部説明図、図4に平面図を示すように電極幅B=0.8mm、電極長L=1.8mmのとき幅b=0.05mm、長さl=1mmとする。
【0018】
すなわち、この熱電装置は、アルミナセラミックス基板からなる第1および第2の熱交換基板1,2間にこれに対して良好な熱接触性をもつように多数個のpn素子対3が挟持せしめられると共に、各素子対3間を夫々溝Cを形成してなる第1および第2の電極4,5によって直列接続せしめられて構成されている。ここで7a,7bは外部リードである。
【0019】
そして、この第1および第2の電極4,5は厚膜印刷法にて溝Cを具備した銅パターンを形成し、この上層をニッケルめっき層で被覆してなる厚さ30〜100μm の導体層から構成されている。
【0020】
更にこの第1および第2の電極上には、半田層8を介してp型熱電素子3a又はn型熱電素子3bが交互に夫々1対ずつ固着せしめられ、pn素子対3を構成すると共に各素子対間は直列接続されている。
【0021】
すなわち、Bi−Te系熱電半導体からなる熱電素子3の両端に形成されたニッケルめっき層6aと半田層6bとからなる2層構造の接触電極6を、アルミナセラミックスなどの絶縁性基板からなる熱交換基板1上に形成された電極5に、半田層8を介して固着することによって形成されている。
【0022】
組み立てに際しては、あらかじめ第1および第2の熱交換基板1,2上にそれぞれ、厚膜印刷法によって銅パターンを形成したのちこの上層をニッケルめっき層で被覆し電極を形成しておく。
【0023】
そして、両端にあらかじめニッケルめっき層6aおよび半田層6bを形成してなるp型熱電素子3a又はn型熱電素子3bを前記第2の熱交換基板2上に位置決めし、半田層8を介して加熱および加圧しつつ固着する。まず第2の熱交換基板2上への固着が完了した後、第1の熱交換基板1を位置決めし、半田層8を介して固着する。
【0024】
これらの固着工程では、ボイドは溝Cを介して外部に導かれ排出されるため、ボイドの残留による接合部強度の低下もなく、接合が強固で信頼性の高い熱電装置を提供することが可能となる。また、ボイドが残留しないため、温度サイクルに対する耐久性が増大する。
【0025】
なお、前記実施例では、第1および第2の電極4,5はそれぞれ1本の溝を具備したが、図5に変形例を示すようにp型熱電素子3aおよびn型熱電素子3bそれぞれの接合領域下外方に形成された溝C1,C2からなる2本の溝を具備するようにしてもよい。
【0026】
また、所定の間隔を隔てて複数条の溝を形成するようにしてもよい。
【0027】
さらにまた、前記実施例では第1および第2の電極は、厚幕印刷法によって第1および第2の熱交換基板上に形成したが、銅板を打ち抜き加工することによって形成し、第1および第2の熱交換基板に貼着してもよく、またメタライズ加工、めっき加工などにより、第1および第2の熱交換基板上に形成しても良い。この場合にも溝を具備したパターンを形成するようにすれば良い。
【0028】
また、溝は電極の厚さ全体にわたるように形成しても良いが、厚さの一部に形成するようにしてもよい。また熱交換基板としてはアルミナセラミックスに限定されることなくセラミックスなどの絶縁性基板であればよい。
【0029】
加えて、本発明の構成は、熱交換基板が一方の面にのみ形成されているタイプの熱電装置にも適用可能であることはいうまでもない。
【0030】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、n型熱電素子またはp型熱電素子との接合領域内から、接合領域外まで到達するように溝を具備した電極を用いることにより、半田による電極との接合に際して発生するボイドを溝を介して効率よく外方に排出し、より接合部強度が高く、耐久性および信頼性の高い熱電装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明実施例の熱電装置を示す図
【図2】本発明実施例の熱電装置を示す要部図
【図3】本発明実施例の熱電装置を示す要部図
【図4】本発明実施例の熱電装置の電極を示す平面図
【図5】本発明実施例の熱電装置の電極の変形例
【図6】溝の幅と接続強度との関係を測定した結果を示す図
【図7】溝の長さと接続強度との関係を測定した結果を示す図
【図8】従来例の熱電装置を示す図
【図9】従来例の熱電装置を示す図
【符号の説明】
1,2 熱交換基板
3 pn素子対
3a p型熱電素子
3b n型熱電素子
4,5 電極
C 溝
C1,C2 溝
6a ニッケルめっき層
6b 半田めっき層
7a,7b 外部リード
8 半田層

Claims (1)

  1. 熱交換基板上に電極を介してn型熱電素子とp型熱電素子とからなる少なくとも1対の熱電素子対を接合してなる熱電装置において、
    前記電極が、少なくとも1本の溝を具備し、前記溝が、前記n型熱電素子またはp型熱電素子との接合領域内から、接合領域外まで到達するように構成されていることを特徴とする熱電装置。
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