RU2178221C2 - Термоэлектрический модуль (варианты) и способ формирования покрывающей пленки на термоэлектрическом элементе (варианты) - Google Patents
Термоэлектрический модуль (варианты) и способ формирования покрывающей пленки на термоэлектрическом элементе (варианты) Download PDFInfo
- Publication number
- RU2178221C2 RU2178221C2 RU99121198/28A RU99121198A RU2178221C2 RU 2178221 C2 RU2178221 C2 RU 2178221C2 RU 99121198/28 A RU99121198/28 A RU 99121198/28A RU 99121198 A RU99121198 A RU 99121198A RU 2178221 C2 RU2178221 C2 RU 2178221C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- thermoelectric
- coating film
- electrodes
- thermoelectric element
- thermoelectric elements
- Prior art date
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 14
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 14
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 12
- NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N p-quinodimethane Chemical group C=C1C=CC(=C)C=C1 NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- OOLUVSIJOMLOCB-UHFFFAOYSA-N 1633-22-3 Chemical group C1CC(C=C2)=CC=C2CCC2=CC=C1C=C2 OOLUVSIJOMLOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KZNRNQGTVRTDPN-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-1,4-dimethylbenzene Chemical group CC1=CC=C(C)C(Cl)=C1 KZNRNQGTVRTDPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims description 6
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 claims description 5
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 abstract 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- -1 poly (p-xylylene) Polymers 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Devices For Blowing Cold Air, Devices For Blowing Warm Air, And Means For Preventing Water Condensation In Air Conditioning Units (AREA)
Abstract
Использование: в термоэлектрических устройствах. Сущность: термоэлектрический модуль содержит термоэлектрические элементы р-типа и термоэлектрические элементы n-типа, которые расположены в чередующемся порядке и электрически соединены электродами, предусмотренными на верхней стороне и нижней стороне каждого термоэлектрического элемента, пластину теплообменника, которая закреплена на электродах на каждой стороне. Каждый термоэлектрический элемент имеет покрывающую пленку изолирующего материала из полиимида или поли(замещенного или незамещенного р-ксилена) на его сторонах, за исключением сторон, соединенных с электродами. Термоэлектрические элементы расположены с промежутками. Приведены способы формирования пленок. Покрывающая пленка повышает прочность и влагостойкость термоэлектрических элементов, предотвращает образование трещин и разрывов в термоэлектрических элементах даже в случае, когда они подвергаются воздействию удара, нагрузки или температурного напряжения, и защищает термоэлектрические элементы от коррозии в атмосфере высокой влажности с приданием термоэлектрическому модулю повышенной технической надежности. 5 с. и 2 з. п. ф-лы, 12 ил.
Description
Изобретение относится к термоэлектрическому модулю, имеющему большое количество расположенных в нем термоэлектрических элементов, а также к способам формирования покрывающей пленки на термоэлектрическом элементе.
Известен термоэлектрический модуль 1, показанный на фиг. 7, который изготовлен путем вырезания призматических термоэлектрических элементов 3 из слитка термоэлектрического материала, полученного путем выращивания из расплава, например - путем зонной плавки, соединения термоэлектрических элементов 3 с верхними и нижними электродами 4, выполненными из электропроводного материала, пайкой мягким припоем или аналогичным способом, и закрепления пластины 5 теплообменника на каждой наружной стороне электродов 4. Когда термоэлектрический элемент 3 и электрод 4 соединяют мягким припоем, вокруг соединения образуется галтель 7 из мягкого припоя, как показано на фиг. 8. Полученный таким образом термоэлектрический модуль 1 имеет четкую структуру и обладает тем преимуществом, что термоэлектрические элементы 3 проявляют постоянную теплопроводность и постоянную электропроводность. Имея плоскую поверхность на каждой стороне, термоэлектрический модуль 1 пригоден для изготовления устройства панельного типа, имеющего термоэлектрический элемент, соединенный с каждой его стороной.
Известны термоэлектрические модули, содержащие термоэлектрические элементы n-типа и термоэлектрические элементы р-типа, расположенные в чередующемся порядке, электроды, электрически соединяющие верхние и нижние стороны термоэлектрических элементов, пластину теплообменника, закрепленную на каждой наружной стороне электродов, причем каждый термоэлектрический элемент расположен с промежутком относительно соседних термоэлектрических элементов (см. , например, GB 1095744, 29.11.66).
Однако, поскольку термоэлектрические элементы (например, термоэлектрические элементы р-типа и термоэлектрические элементы n-типа) выполнены из хрупких материалов, они имеют тенденцию к развитию трещин и разрывов в случае, когда термоэлектрический модуль подвергается воздействию удара или нагрузки, или в случае, когда к термоэлектрическому элементу прикладывается температурное напряжение. Кроме того, поскольку термоэлектрические элементы имеют низкую влагостойкость, они имеют тенденцию подвергаться воздействию коррозии в атмосфере высокой влажности, что приводит к ухудшению рабочей характеристики.
Задача изобретения заключается в том, чтобы разработать термоэлектрический модуль, который обладает увеличенной прочностью и повышенной влагостойкостью и поэтому проявляет повышенную техническую надежность.
Поставленная задача достигается за счет того, что в термоэлектрическом модуле, содержащем
термоэлектрические элементы р-типа и термоэлектрические элементы n-типа, расположенные в чередующемся порядке,
электроды, электрически соединяющие верхние и нижние стороны термоэлектрических элементов, соответственно,
пластину теплообменника, закрепленную на каждой наружной стороне электродов, соответственно,
причем каждый термоэлектрический элемент имеет покрывающую пленку изолирующего материала на своей поверхности, за исключением зоны соединения термоэлектрического элемента и электродов, и
расположен с промежутком относительно соседних термоэлектрических элементов,
покрывающая пленка является полиимидной пленкой, полученной путем полимеризации при химическом осаждении из паровой фазы.
термоэлектрические элементы р-типа и термоэлектрические элементы n-типа, расположенные в чередующемся порядке,
электроды, электрически соединяющие верхние и нижние стороны термоэлектрических элементов, соответственно,
пластину теплообменника, закрепленную на каждой наружной стороне электродов, соответственно,
причем каждый термоэлектрический элемент имеет покрывающую пленку изолирующего материала на своей поверхности, за исключением зоны соединения термоэлектрического элемента и электродов, и
расположен с промежутком относительно соседних термоэлектрических элементов,
покрывающая пленка является полиимидной пленкой, полученной путем полимеризации при химическом осаждении из паровой фазы.
Поставленная задача достигается также за счет того, что в термоэлектрическом модуле, содержащем
термоэлектрические элементы р-типа и термоэлектрические элементы n-типа, расположенные в чередующемся порядке,
электроды, электрически соединяющие верхние и нижние стороны термоэлектрических элементов, соответственно,
пластину теплообменника, закрепленную на каждой наружной стороне электродов, соответственно,
причем каждый термоэлектрический элемент имеет покрывающую пленку изолирующего материала на своей поверхности, за исключением зоны соединения термоэлектрического элемента и электродов, и
расположен с промежутком относительно соседних термоэлектрических элементов,
покрывающая пленка является пленкой поли(замещенного или незамещенного р-ксилилена), полученной путем полимеризации при химическом осаждении из паровой фазы.
термоэлектрические элементы р-типа и термоэлектрические элементы n-типа, расположенные в чередующемся порядке,
электроды, электрически соединяющие верхние и нижние стороны термоэлектрических элементов, соответственно,
пластину теплообменника, закрепленную на каждой наружной стороне электродов, соответственно,
причем каждый термоэлектрический элемент имеет покрывающую пленку изолирующего материала на своей поверхности, за исключением зоны соединения термоэлектрического элемента и электродов, и
расположен с промежутком относительно соседних термоэлектрических элементов,
покрывающая пленка является пленкой поли(замещенного или незамещенного р-ксилилена), полученной путем полимеризации при химическом осаждении из паровой фазы.
Поставленная задача достигается также за счет того, что в термоэлектрическом модуле, содержащем
термоэлектрические элементы р-типа и термоэлектрические элементы n-типа, расположенные в чередующемся порядке,
электроды, электрически соединяющие верхние и нижние стороны термоэлектрических элементов, соответственно,
пластину теплообменника, закрепленную на каждой наружной стороне электродов, соответственно,
причем каждый термоэлектрический элемент имеет покрывающую пленку изолирующего материала на своей поверхности, за исключением зоны соединения термоэлектрического элемента и электродов, и
расположен с промежутком относительно соседних термоэлектрических элементов, указанная зона включает часть, образованную в непосредственной близости от соединяемого участка зоны.
термоэлектрические элементы р-типа и термоэлектрические элементы n-типа, расположенные в чередующемся порядке,
электроды, электрически соединяющие верхние и нижние стороны термоэлектрических элементов, соответственно,
пластину теплообменника, закрепленную на каждой наружной стороне электродов, соответственно,
причем каждый термоэлектрический элемент имеет покрывающую пленку изолирующего материала на своей поверхности, за исключением зоны соединения термоэлектрического элемента и электродов, и
расположен с промежутком относительно соседних термоэлектрических элементов, указанная зона включает часть, образованную в непосредственной близости от соединяемого участка зоны.
Изобретение также относится к способу формирования покрывающей пленки на термоэлектрическом элементе, заключающемся в том, что
вводят ангидрид кислоты и диамин в реактор для получения полиамовой кислоты на термоэлектрическом элементе при условии, что ангидрид кислоты испаряется при 160-180oС и диамин испаряется при 150-170oС, а реактор поддерживается при 160-230oС и 1,333 0,001 Па, и
осуществляют дегидратирующую циклизацию для получения полиимидной пленки на указанном термоэлектрическом элементе при условии, что реактор поддерживается при 200-350oС.
вводят ангидрид кислоты и диамин в реактор для получения полиамовой кислоты на термоэлектрическом элементе при условии, что ангидрид кислоты испаряется при 160-180oС и диамин испаряется при 150-170oС, а реактор поддерживается при 160-230oС и 1,333 0,001 Па, и
осуществляют дегидратирующую циклизацию для получения полиимидной пленки на указанном термоэлектрическом элементе при условии, что реактор поддерживается при 200-350oС.
В другом варианте осуществления изобретения толщина полиимида находится в диапазоне 1-10 мкм.
Изобретение также относится к способу формирования покрывающей пленки на термоэлектрическом элементе, заключающемуся в том, что
испаряют и пиролизуют ди-р-ксилилен при условии, что температура находится в диапазоне от 120 до 180oС, а давление составляет 13,332 Па или менее,
пиролизуют ди-р-ксилилен для получения монохлоро-р-ксилена при условии, что температура находится в диапазоне от 650 до 730oС, а давление составляет 13,332 Па или менее, и
осуществляют полимеризацию из паровой фазы монохлоро-р-ксилена для получения пленки поли(замещенного или незамещенного р-ксилиена) на термоэлектрическом элементе при условии, что температура составляет 40oС или менее, а давление составляет 6,666 Па.
испаряют и пиролизуют ди-р-ксилилен при условии, что температура находится в диапазоне от 120 до 180oС, а давление составляет 13,332 Па или менее,
пиролизуют ди-р-ксилилен для получения монохлоро-р-ксилена при условии, что температура находится в диапазоне от 650 до 730oС, а давление составляет 13,332 Па или менее, и
осуществляют полимеризацию из паровой фазы монохлоро-р-ксилена для получения пленки поли(замещенного или незамещенного р-ксилиена) на термоэлектрическом элементе при условии, что температура составляет 40oС или менее, а давление составляет 6,666 Па.
В другом варианте осуществления изобретения толщина пленки поли(замещенного или незамещенного р-ксилиена) может находиться в диапазоне 1-10 мкм.
Сущность изобретения поясняется на чертежах, где:
Фиг. 1 представляет поперечный разрез примера термоэлектрического модуля в соответствии с изобретением.
Фиг. 1 представляет поперечный разрез примера термоэлектрического модуля в соответствии с изобретением.
Фиг. 2В показывает вид в перспективе примера термоэлектрического модуля в соответствии с изобретением.
Фиг. 2А представляет вид в перспективе термоэлектрического модуля, показанного на фиг. 2В, с которого удалена верхняя пластина теплообменника.
Фиг. 3А и 3В иллюстрируют режим получения термоэлектрических элементов с использованием листовой заготовки и стержневой заготовки, соответственно.
Фиг. 4А и 4В представляют виды в перспективе и вид сверху, соответственно, покрытого термоэлектрического элемента.
Фиг. 5А и 5В изображают поперечные сечения другого покрытого термоэлектрического элемента, причем фиг. 5В представляет увеличенный вид обведенной кружком части, показанной на фиг. 5А.
Фиг. 6 иллюстрирует другой режим получения термоэлектрических элементов с использованием стержневой заготовки.
Фиг. 7 показывает поперечный разрез обычного термоэлектрического модуля.
Фиг. 8 представляет поперечный разрез обычного термоэлектрического модуля, на котором показаны гантели из мягкого припоя.
Работа и предпочтительные варианты осуществления данного изобретения описаны ниже со ссылками на прилагаемые чертежи. В дальнейшем позиция 3 используется для обозначения термоэлектрического элемента безотносительно того, относится он к p-типу или n-типу, а позиции 3а и 3b используются для указания различия между p-типом или n-типом.
На фиг. 1 и 2 показан вариант термоэлектрического модуля в соответствии с изобретением. Фиг. 1 представляет поперечный разрез термоэлектрического модуля 1. Фиг. 2А представляет вид в перспективе примера термоэлектрического модуля 1 без пластины 5 теплообменника и электродов 4 на его верхней стороне, а фиг. 2В - вид в перспективе с пластиной 5 теплообменника и электродами 4 на верхней стороне. Термоэлектрический модуль 1 содержит и термоэлектрические элементы 3b n-типа, выполненные из полупроводников n-типа, термоэлектрические элементы 3а р-типа, выполненные из полупроводников р-типа, которые чередуются через некоторый промежуток в одной и той же плоскости. Большое количество электродов 4 сформировано для покрытия верха и низа каждого термоэлектрического элемента 3, а также для образования перемычки между верхними сторонами или нижними сторонами термоэлектрического элемента 3а р-типа и термоэлектрического элемента 3b n-типа, которые расположены рядом друг с другом так, что все чередующиеся термоэлектрические элементы 3a и 3b электрически соединены последовательно. Пластина 5 теплообменника, выполненная из такого изолирующего материала, как керамика, прикреплена к верхним и нижним сторонам термоэлектрических элементом 3 посредством электродов 4. Термоэлектрические элементы 3 расположены с промежутками между ними так, что можно уменьшить потерю тепла между термоэлектрическими элементами 3, чтобы повысить КПД теплообмена при эксплуатации термоэлектрического модуля 1. Предпочтительно, чтобы промежутки между термоэлектрическими элементами 3 составляли 0,05-1,0 мм.
Термоэлектрический элемент 3, используемый в этом изобретении, можно получить следующим образом. Прежде всего получают листовую заготовку 6 (фиг. 5А) или стержневую заготовку 6 (фиг. 5В) из термоэлектрического материала путем резки слитка термоэлектрического материала или спекания, или экструзии порошкообразного термоэлектрического материала. Материалы элементов р-типа включают Sb2Te3, а материалы элементов n-типа включают Bi2Te3. Листовую заготовку 6 или стержневую заготовку 6 разрезают для получения термоэлектрических призм 3, как показано на фиг. 3. Верх и низ призмы должны быть соединены с соответствующими электродами 4 и будут в дальнейшем иногда именоваться соединяемой стороной или поверхностью (соединяемыми сторонами или поверхностями).
Как показано на фиг. 4, покрывающая пленка 2, выполненная из изолирующего материала, предусмотрена на каждой боковой лицевой поверхности призматического термоэлектрического элемента 3, т. е. на всех сторонах, за исключением соединяемых сторон. Наличие покрывающей пленки 2 вокруг термоэлектрического элемента 3 повышает прочность термоэлектрического элемента 3 настолько, что можно предотвратить образование трещин или разрывов элемента 3 даже в случае, когда он подвергается воздействию нагрузки, удара или температурного напряжения. Покрывающая пленка 2 также вызывает повышенную влагостойкость, так что элемент 3 можно защитить от коррозии в атмосфере высокой влажности, придавая термоэлектрическому модулю 1 повышенную техническую надежность.
На изолирующий материал и способ формирования покрывающей пленки 2 не накладываются конкретные ограничения. В предпочтительном варианте осуществления покрывающая пленка является пленкой, содержащей полиимид или поли(замещенный или незамещенный р-ксилилен) и образованный путем полимеризации при химическом осаждении из паровой фазы (именуемой далее ХОПФ-полимеризацией). Перед образованием покрывающей пленки 2 или после него можно осуществлять разрезание заготовки 6 из термоэлектрического материала на термоэлектрические элементы 3.
Покрытие полиимидом путем ХОПФ-полимеризации осуществляют посредством введения ангидрида кислоты и диамина в реактор, содержащий в качестве подложки термоэлектрический элемент 3 или заготовку 6 из термоэлектрического материала, и поддержания при высокой температуре и пониженном давлении. При использовании, например, пиромеллитового диангидрида в качестве ангидрида кислоты и 4,4'-диаминофенилового простого эфира в качестве диамина, реакция сначала дает полиамовую кислоту -предшественник полиимида, которую подвергают дегидратирующей циклизации для получения полиимида на подложке, как показывает следующая схема реакции:
Более подробно, пиромеллитовый диангидрид, испаряющийся при 160-180oС, и 4,4'-диаминофениловый простой эфир, испаряющийся при 150-170oС, вводят в реактор. Реакционную систему поддерживают при 160-230oС и 1,333-0,001 Па в течение 30-120 минут для образования полиамовой кислоты. Затем реакционную систему поддерживают при 200-350oC и атмосферном давлении в течение 1-5 часов для преобразования полиамовой кислоты в полиимид. Сформированная таким образом полиимидная пленка имеет толщину 1-10 мкм.
Более подробно, пиромеллитовый диангидрид, испаряющийся при 160-180oС, и 4,4'-диаминофениловый простой эфир, испаряющийся при 150-170oС, вводят в реактор. Реакционную систему поддерживают при 160-230oС и 1,333-0,001 Па в течение 30-120 минут для образования полиамовой кислоты. Затем реакционную систему поддерживают при 200-350oC и атмосферном давлении в течение 1-5 часов для преобразования полиамовой кислоты в полиимид. Сформированная таким образом полиимидная пленка имеет толщину 1-10 мкм.
Благодаря ХОПФ-полимеризации полиимидная пленка обладает, в частности, превосходной теплостойкостью, так что она не отделяется, когда термоэлектрический элемент 3 и электрод 4 соединяют путем пайки мягким припоем. Она также обладает превосходной химической стойкостью, защищая термоэлектрический элемент 3 от ухудшения свойств даже тогда, когда термоэлектрический модуль 1 используют в окислительной атмосфере или коррозийонной атмосфере, и повышая таким образом техническую надежность термоэлектрического элемента 1.
Поли(замещенный или незамещенный р-ксилилен), который промышленность поставляет под торговым наименованием парилен, включает поли(р-ксилилен) и полимер р-ксилилена, имеющий органический или неорганический заместитель, например, галоген (например, хлор), или цианогруппу, обычно - на его бензольном кольце. Например, поли(замещенный или незамещенный р-ксилилен) можно получать путем ХОПФ-полимеризации, как показывает следующая схема реакции:
Ди-р-ксилилен, который является димером монохлоро-р-ксилилена, испаряют, а затем пиролизуют для получения монохлоро-р-ксилена - газообразного мономера. Этот мономер подают в реактор, содержащий термоэлектрический элемент 3 или заготовку 6 из термоэлектрического материала в качестве подложки, и дают полимеризоваться на подложке для формирования покрывающей пленки поли(монохлоро-р-ксилилена). Предпочтительными условиями реакции являются: 120-180oС и 13,332 Па или менее - для испарения ди-р-ксилилена, 650-730oС и 13,332 Па или менее - для пиролиза ди-р-ксилилена и 40oС или менее и 6,666 Па или менее - для полимеризации из паровой фазы монохлоро-р-ксилена. Полученная таким образом пленка поли(замещенного или незамещенного р-ксилилена) предпочтительно имеет толщину 1-10 мкм.
Ди-р-ксилилен, который является димером монохлоро-р-ксилилена, испаряют, а затем пиролизуют для получения монохлоро-р-ксилена - газообразного мономера. Этот мономер подают в реактор, содержащий термоэлектрический элемент 3 или заготовку 6 из термоэлектрического материала в качестве подложки, и дают полимеризоваться на подложке для формирования покрывающей пленки поли(монохлоро-р-ксилилена). Предпочтительными условиями реакции являются: 120-180oС и 13,332 Па или менее - для испарения ди-р-ксилилена, 650-730oС и 13,332 Па или менее - для пиролиза ди-р-ксилилена и 40oС или менее и 6,666 Па или менее - для полимеризации из паровой фазы монохлоро-р-ксилена. Полученная таким образом пленка поли(замещенного или незамещенного р-ксилилена) предпочтительно имеет толщину 1-10 мкм.
Имея малую влагопроницаемость, пленка поли(замещенного или незамещенного р-ксилилена), сформированная путем ХОПФ-полимеризации, придает термохимическому элементу 3 повышенную влагостойкость и весьма эффективна при защите термоэлектрического элемента 3 от коррозии или ухудшения рабочей характеристики.
Как указано выше, изолирующую покрывающую пленку 2 не формируют на соединяемых сторонах термоэлектрического элемента 3, т. е. на нижней и верхней поверхностях термоэлектрического элемента 3, т. е. на нижней и верхней поверхностях, соединенных с соответствующими электродами 4. В предпочтительном варианте осуществления сторон, за исключением соединяемых сторон, участки, находящиеся в непосредственной близости от соединяемых сторон, не снабжены покрывающей пленкой 2. То есть, предпочтительно, чтобы эти участки оставались не покрытыми или чтобы сразу же после образования изолирующей покрывающей пленки 2 на всех поверхностях, отличных от соединяемых сторон, покрывающая пленка была удалена с этих участков. Более конкретно, как показано на фиг. 5А и 5В, участок 0,01-0,5 мм от верхнего конца и участок 0,01-0,5 мм от нижнего конца термоэлектрического элемента 3 предпочтительно не имеют покрывающей пленки 2. Такие термоэлектрические элементы 3 с описанными участками своих боковых лицевых поверхностей, не имеющими покрывающей пленки, можно получать, например, как показано на фиг. 6, при этом покрывающую пленку 2 изолирующего материала формируют на всех поверхностях стержневой заготовки 6 из термоэлектрического материала и удаляют эту покрывающую пленку 2 путем облучения лазерным лучом 9 из лазера 8 с последующим разрезанием в середине зоны, где удалена покрывающая пленка 2. Обработку лазерным лучом можно заменить обработкой на токарном станке и т. д. В том случае поверхности реза служат в качестве соединяемых поверхностей. С участка, находящегося в непосредственной близости от соединяемых поверхностей, покрывающую пленку, образованную на сторонах, отличных от соединяемых поверхностей, удаляют путем лазерной обработки или обработки на станке.
Когда термоэлектрический элемент 3 и электрод 4 соединяют путем пайки мягким припоем, вокруг соединяющего шва образуется галтель 7 из мягкого припоя. В случае, если участок, на котором образуется галтель 7, имеет покрывающую пленку 2, смачиваемость этого участка мягким припоем уменьшается, приводя к снижению прочности соединения между термоэлектрическим элементом 3 и электродом 4. С другой стороны, если этот участок не покрыт покрывающей пленкой 2, как в вышеописанном предпочтительном варианте осуществления, можно сохранить достаточную прочность соединения.
В соответствии с изобретением покрывающая пленка вокруг термоэлектрического элемента дает увеличенную прочность и повышенную влагостойкость термоэлектрического элемента. В результате предотвращается образование трещин и разрывов элемента даже в случае, когда он подвергается воздействию нагрузки, удара или температурного напряжения, и обеспечивается защита от коррозии в атмосфере высокой влажности с приданием термоэлектрическому модулю повышенной технической надежности. Кроме того, поскольку термоэлектрические элементы расположены с промежутками, подавляется потеря тепла между элементами для повышения КПД теплообмена.
Согласно первому предпочтительному варианту осуществления, в котором термоэлектрические элементы являются элементами, вырезанными из заготовки термоэлектрических элементов, а затем покрытыми изолирующим материалом, покрывающая пленка вокруг термоэлектрического элемента не только повышает прочность этого термоэлектрического элемента, но и приводит к повышению влагостойкости. В результате предотвращается образование трещин и разрывов элемента даже в случае, когда он подвергается воздействию нагрузки, удара или температурного напряжения, и обеспечивается защита от коррозии в атмосфере высокой влажности с приданием термоэлектрическому модулю повышенной технической надежности.
Согласно второму предпочтительному варианту осуществления, в котором покрывающая пленка является полиимидной пленкой, полученной путем полимеризации при химическом осаждении из паровой фазы, покрывающая пленка не отделяется при пайке мягким припоем термоэлектрических элементов и электродов. Превосходная по химической стойкости покрывающая пленка предотвращает ухудшение рабочей характеристики термоэлектрических элементов даже в окислительной или коррозионной атмосфере, придавая термоэлектрическому модулю повышенную техническую надежность.
Согласно третьему предпочтительному варианту осуществления, в котором покрывающая пленка является пленкой поли(замещенного или незамещенного р-ксилилена), полученной путем полимеризации при химическом осаждении из паровой фазы, термоэлектрические элементы имеют дополнительно повышенную влагостойкость и защищены от коррозии или ухудшения рабочей характеристики в атмосфере высокой влажности.
Согласно четвертому предпочтительному варианту осуществления, в котором участки, находящиеся в непосредственной близости от электродов сторон каждого термоэлектрического элемента, отличных от сторон, соединяемых с электродами, не имеют покрытия изолирующим материалом, а на участках, где образовались галтели из мягкого припоя, нет покрывающей пленки, и таким образом гарантирована прочность соединения между термоэлектрическими элементами и электродами.
Claims (7)
1. Термоэлектрический модуль, содержащий термоэлектрические элементы p-типа и термоэлектрические элементы n-типа, расположенные в чередующемся порядке, электроды, электрически соединяющие верхние и нижние стороны термоэлектрических элементов соответственно, пластину теплообменника, закрепленную на каждой наружной стороне электродов соответственно, причем каждый термоэлектрический элемент имеет покрывающую пленку изолирующего материала на своей поверхности, за исключением зоны соединения термоэлектрического элемента и электродов, и расположен с промежутком относительно соседних термоэлектрических элементов, в котором покрывающая пленка является полиимидной пленкой, полученной путем полимеризации при химическом осаждении из паровой фазы.
2. Термоэлектрический модуль, содержащий термоэлектрические элементы р-типа и термоэлектрические элементы n-типа, расположенные в чередующемся порядке, электроды, электрически соединяющие верхние и нижние стороны термоэлектрических элементов соответственно, пластину теплообменника, закрепленную на каждой наружной стороне электродов соответственно, причем каждый термоэлектрический элемент имеет покрывающую пленку изолирующего материала на своей поверхности, за исключением зоны соединения термоэлектрического элемента и электродов, и расположен с промежутком относительно соседних термоэлектрических элементов, в котором покрывающая пленка является пленкой поли(замещенного или незамещенного p-ксилилена), полученной путем полимеризации при химическом осаждении из паровой фазы.
3. Термоэлектрический модуль, содержащий термоэлектрические элементы р-типа и термоэлектрические элементы n-типа, расположенные в чередующемся порядке, электроды, электрически соединяющие верхние и нижние стороны термоэлектрических элементов соответственно, пластину теплообменника, закрепленную на каждой наружной стороне электродов соответственно, причем каждый термоэлектрический элемент имеет покрывающую пленку изолирующего материала на своей поверхности, за исключением зоны соединения термоэлектрического элемента и электродов, и расположен с промежутком относительно соседних термоэлектрических элементов, в котором указанная зона включает часть, образованную в непосредственной близости от соединяемого участка зоны.
4. Способ формирования покрывающей пленки на термоэлектрическом элементе, заключающийся в том, что вводят ангидрид кислоты и диамин в реактор для получения полиамовой кислоты на термоэлектрическом элементе при условии, что ангидрид кислоты испаряется при 160-180oС и диамин испаряется при 150-170oС, а реактор поддерживается при 160-230oС и 1,333-0,001 Па, и осуществляют дегидратирующую циклизацию для получения полиимидной пленки на указанном термоэлектрическом элементе при условии, что реактор поддерживается при 200-350oС.
5. Способ формирования покрывающей пленки на термоэлектрическом элементе по п. 4, отличающийся тем, что толщина полиимида находится в диапазоне 1-10 мкм.
6. Способ формирования покрывающей пленки на термоэлектрическом элементе, заключающийся в том, что испаряют и пиролизуют ди-p-ксилилен при условии, что температура находится в диапазоне от 120 до 180oС, а давление составляет 13,332 Па или менее, пиролизуют ди-p-ксилилен для получения монохлоро-p-ксилена при условии, что температура находится в диапазоне от 650 до 730oС, а давление составляет 13,332 Па или менее, и осуществляют полимеризацию из паровой фазы монохлоро-p-ксилена для получения пленки поли(замещенного или незамещенного p-ксилилена) на термоэлектрическом элементе при условии, что температура составляет 40oС или менее, а давление составляет 6,666 Па.
7. Способ формирования покрывающей пленки на термоэлектрическом элементе по п. 6, отличающийся тем, что толщина пленки поли(замещенного или незамещенного p-ксилилена) находится в диапазоне 1-10 мкм.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10333898A JP2000164942A (ja) | 1998-11-25 | 1998-11-25 | 熱電モジュール |
| JP10-333898 | 1998-11-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU99121198A RU99121198A (ru) | 2001-07-10 |
| RU2178221C2 true RU2178221C2 (ru) | 2002-01-10 |
Family
ID=18271198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU99121198/28A RU2178221C2 (ru) | 1998-11-25 | 1999-09-29 | Термоэлектрический модуль (варианты) и способ формирования покрывающей пленки на термоэлектрическом элементе (варианты) |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6252154B1 (ru) |
| JP (1) | JP2000164942A (ru) |
| KR (1) | KR100345823B1 (ru) |
| CN (1) | CN1243381C (ru) |
| DE (1) | DE19946700B4 (ru) |
| RU (1) | RU2178221C2 (ru) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006006884A1 (fr) * | 2004-07-08 | 2006-01-19 | Gennadiy Gusamovich Gromov | Module thermoelectrique |
| RU2515128C1 (ru) * | 2012-09-11 | 2014-05-10 | Общество с ограниченной ответственностью "ВИННЕР" | Способ изготовления полупроводниковых ветвей для термоэлектрического модуля и термоэлектрический модуль |
| RU2537096C2 (ru) * | 2013-01-28 | 2014-12-27 | Открытое Акционерное Общество "Автоштамп" | Термоэлектрический модуль (варианты) |
| WO2015126272A1 (ru) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Рустек" | Способ изготовления полупроводниковых ветвей для термоэлектрического модуля и термоэлектрический модуль |
| RU2568078C2 (ru) * | 2010-11-03 | 2015-11-10 | Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх | Термоэлектрический модуль для термоэлектрического генератора автомобиля |
| RU2601209C2 (ru) * | 2014-11-17 | 2016-10-27 | Александр Григорьевич Григорьянц | Способ создания гибкого термоэлектрического модуля |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100446957B1 (ko) * | 2001-08-16 | 2004-09-01 | 전배혁 | 폴리머 코팅에 의한 드라이 플라워의 보존처리 방법 |
| US7038234B2 (en) * | 2001-12-12 | 2006-05-02 | Hi-Z Technology, Inc. | Thermoelectric module with Si/SiGe and B4C/B9C super-lattice legs |
| US6828579B2 (en) * | 2001-12-12 | 2004-12-07 | Hi-Z Technology, Inc. | Thermoelectric device with Si/SiC superlattice N-legs |
| KR20030092692A (ko) * | 2002-05-30 | 2003-12-06 | 이지환 | 열전소자와 전극이 일체화된 열전재료의 제조 방법 |
| US7510303B2 (en) * | 2002-10-28 | 2009-03-31 | Dialight Corporation | LED illuminated lamp with thermoelectric heat management |
| US6964501B2 (en) * | 2002-12-24 | 2005-11-15 | Altman Stage Lighting Co., Ltd. | Peltier-cooled LED lighting assembly |
| US20060048809A1 (en) * | 2004-09-09 | 2006-03-09 | Onvural O R | Thermoelectric devices with controlled current flow and related methods |
| US20060090787A1 (en) * | 2004-10-28 | 2006-05-04 | Onvural O R | Thermoelectric alternators and thermoelectric climate control devices with controlled current flow for motor vehicles |
| JP4274134B2 (ja) * | 2005-02-15 | 2009-06-03 | ヤマハ株式会社 | 熱電モジュールおよびその製造方法 |
| US8039726B2 (en) * | 2005-05-26 | 2011-10-18 | General Electric Company | Thermal transfer and power generation devices and methods of making the same |
| US7310953B2 (en) * | 2005-11-09 | 2007-12-25 | Emerson Climate Technologies, Inc. | Refrigeration system including thermoelectric module |
| US20070101737A1 (en) | 2005-11-09 | 2007-05-10 | Masao Akei | Refrigeration system including thermoelectric heat recovery and actuation |
| EP1949464A4 (en) * | 2005-11-17 | 2011-10-12 | Carrier Corp | VERSATILE ENERGY CONVERTER |
| JP2007150035A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | 熱電モジュール |
| US9373770B2 (en) * | 2006-09-28 | 2016-06-21 | Rosemount Inc. | Industrial thermoelectric generator |
| KR100883852B1 (ko) * | 2007-06-01 | 2009-02-17 | 주식회사 제펠 | 고집적 마이크로 전자 냉각 모듈 및 그 제조 방법 |
| US7871847B2 (en) * | 2007-10-05 | 2011-01-18 | Marlow Industries, Inc. | System and method for high temperature compact thermoelectric generator (TEG) device construction |
| DE102009009586A1 (de) | 2009-02-19 | 2010-08-26 | Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh | Thermoelektrische Vorrichtung |
| CN101969094B (zh) * | 2009-07-27 | 2012-08-29 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种用于热电材料的涂层及其含有该涂层的器件 |
| DE102009046099A1 (de) * | 2009-10-28 | 2011-05-05 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Seebeckschenkelmoduls und korrespondierendes Seebeckschenkelmodul |
| WO2011118341A1 (ja) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | 京セラ株式会社 | 熱電素子及び熱電モジュール |
| WO2012037099A2 (en) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Ferrotec (Usa) Corporation | Thermoelectric modules and assemblies with stress reducing structure |
| WO2012056411A1 (en) | 2010-10-27 | 2012-05-03 | Basf Se | Thermoelectric module and process for production thereof |
| US9082928B2 (en) | 2010-12-09 | 2015-07-14 | Brian Isaac Ashkenazi | Next generation thermoelectric device designs and methods of using same |
| US20130228205A1 (en) * | 2011-01-25 | 2013-09-05 | Yury Vernikovskiy | Apparatus for reversibly converting thermal energy to electric energy |
| JP2013012597A (ja) * | 2011-05-31 | 2013-01-17 | Imasen Electric Ind Co Ltd | 熱交換器 |
| US9444027B2 (en) | 2011-10-04 | 2016-09-13 | Infineon Technologies Ag | Thermoelectrical device and method for manufacturing same |
| JP6008293B2 (ja) * | 2012-04-09 | 2016-10-19 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 熱電変換素子および熱電変換モジュール |
| JP6020239B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2016-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
| US9496476B2 (en) | 2013-06-11 | 2016-11-15 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Thermoelectric conversion module |
| JP6022419B2 (ja) * | 2013-07-09 | 2016-11-09 | 株式会社Kelk | 熱電発電モジュール |
| DE102013214988A1 (de) | 2013-07-31 | 2015-02-05 | Behr Gmbh & Co. Kg | Thermoelektrisches Modul |
| CN105474417B (zh) * | 2013-09-04 | 2018-11-23 | 富士胶片株式会社 | 热电转换装置 |
| KR102158578B1 (ko) * | 2014-01-08 | 2020-09-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 열전모듈 및 이를 포함하는 열전환장치 |
| JP6254459B2 (ja) * | 2014-02-27 | 2017-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 重合膜の耐薬品性改善方法、重合膜の成膜方法、成膜装置、および電子製品の製造方法 |
| JP6689701B2 (ja) * | 2016-07-27 | 2020-04-28 | 小島プレス工業株式会社 | 熱電変換モジュール及びその製造方法 |
| KR101998220B1 (ko) * | 2016-11-09 | 2019-07-09 | 중앙대학교 산학협력단 | 3차원 조립블록형 인-플레인 박막구조를 가지는 열전소자 모듈 |
| CN111403584B (zh) * | 2019-12-23 | 2023-03-10 | 杭州大和热磁电子有限公司 | 一种适用于非气密封装的热电模块及其制造方法 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2976430A (en) * | 1959-04-20 | 1961-03-21 | Tasker Instr Corp | Function generator circuits |
| US3070644A (en) * | 1960-02-11 | 1962-12-25 | Gen Electric | Thermoelectric generator with encapsulated arms |
| DE1272408B (de) * | 1961-05-22 | 1968-07-11 | North American Aviation Inc | Thermoelektrischer Wandler |
| CH454980A (de) * | 1967-04-27 | 1968-04-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | Thermoelektrischer Generator |
| US4123308A (en) * | 1977-10-19 | 1978-10-31 | Union Carbide Corporation | Process for chemically bonding a poly-p-xylylene to a thermosetting resin and article produced thereby |
| JPS60254677A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-16 | Ricoh Co Ltd | ペルチエ効果素子 |
| DE3782983T2 (de) * | 1986-07-30 | 1993-04-08 | Hitachi Ltd | Verfahren zur herstellung eines polyimidfilms durch chemische ablagerung aus der dampfphase. |
| JPH02113348U (ru) * | 1989-02-23 | 1990-09-11 | ||
| DE3926592A1 (de) * | 1989-08-11 | 1991-02-14 | Rheydt Kabelwerk Ag | Optische faser |
| JP2833162B2 (ja) * | 1990-06-20 | 1998-12-09 | 三菱電機株式会社 | 回路基板への実装方法 |
| EP0495997B1 (en) * | 1990-08-09 | 1998-03-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Thermocouple |
| JPH0529666A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 被覆熱電対 |
| JP3400479B2 (ja) * | 1993-02-10 | 2003-04-28 | 松下電工株式会社 | 電子加熱冷却装置 |
| JP3188070B2 (ja) * | 1993-10-07 | 2001-07-16 | 三菱重工業株式会社 | 熱電発電モジュール |
| JPH07307495A (ja) * | 1994-05-12 | 1995-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ペルチェ素子 |
| JPH07322644A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-12-08 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 静電アクチュエーター用電極構造及びその製造方法 |
| JP3151759B2 (ja) | 1994-12-22 | 2001-04-03 | モリックス株式会社 | 熱電半導体針状結晶及び熱電半導体素子の製造方法 |
| JPH08186296A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ペルチェ素子 |
| JP3569836B2 (ja) * | 1995-08-14 | 2004-09-29 | 小松エレクトロニクス株式会社 | 熱電装置 |
| JPH09107129A (ja) * | 1995-10-09 | 1997-04-22 | Sharp Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
| US5808233A (en) * | 1996-03-11 | 1998-09-15 | Temple University-Of The Commonwealth System Of Higher Education | Amorphous-crystalline thermocouple and methods of its manufacture |
| JPH10313134A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-11-24 | Kubota Corp | 熱電モジュールの製造方法 |
| JPH10144967A (ja) * | 1996-11-06 | 1998-05-29 | Nhk Spring Co Ltd | 冷却用熱電素子モジュール |
| JPH10229223A (ja) * | 1997-02-17 | 1998-08-25 | Tekunisuko:Kk | 熱電素子 |
| JPH1168174A (ja) | 1997-08-13 | 1999-03-09 | Seru Appl Kk | 熱電半導体チップ及び熱電モジュールの製造方法 |
-
1998
- 1998-11-25 JP JP10333898A patent/JP2000164942A/ja active Pending
-
1999
- 1999-09-29 US US09/407,969 patent/US6252154B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-29 DE DE19946700A patent/DE19946700B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-29 RU RU99121198/28A patent/RU2178221C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1999-09-29 KR KR1019990041659A patent/KR100345823B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-09-30 CN CNB99121966XA patent/CN1243381C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006006884A1 (fr) * | 2004-07-08 | 2006-01-19 | Gennadiy Gusamovich Gromov | Module thermoelectrique |
| RU2568078C2 (ru) * | 2010-11-03 | 2015-11-10 | Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх | Термоэлектрический модуль для термоэлектрического генератора автомобиля |
| US9318683B2 (en) | 2010-11-03 | 2016-04-19 | Emitec Gesellschaft Fuer Emissionstechnologie Mbh | Thermoelectric module for a thermoelectric generator of a vehicle and vehicle having thermoelectric modules |
| RU2515128C1 (ru) * | 2012-09-11 | 2014-05-10 | Общество с ограниченной ответственностью "ВИННЕР" | Способ изготовления полупроводниковых ветвей для термоэлектрического модуля и термоэлектрический модуль |
| RU2537096C2 (ru) * | 2013-01-28 | 2014-12-27 | Открытое Акционерное Общество "Автоштамп" | Термоэлектрический модуль (варианты) |
| WO2015126272A1 (ru) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Рустек" | Способ изготовления полупроводниковых ветвей для термоэлектрического модуля и термоэлектрический модуль |
| KR101827663B1 (ko) | 2014-02-24 | 2018-02-08 | 오브쉬체스트보 에스 오그라니첸노이 오트베트스트벤노스트유 “러스텍” | 열전 모듈용 반도체 브랜치 및 열전 모듈의 제조 방법 |
| RU2601209C2 (ru) * | 2014-11-17 | 2016-10-27 | Александр Григорьевич Григорьянц | Способ создания гибкого термоэлектрического модуля |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000164942A (ja) | 2000-06-16 |
| DE19946700B4 (de) | 2007-12-06 |
| KR100345823B1 (ko) | 2002-07-24 |
| KR20000034951A (ko) | 2000-06-26 |
| CN1254959A (zh) | 2000-05-31 |
| DE19946700A1 (de) | 2000-06-15 |
| CN1243381C (zh) | 2006-02-22 |
| US6252154B1 (en) | 2001-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2178221C2 (ru) | Термоэлектрический модуль (варианты) и способ формирования покрывающей пленки на термоэлектрическом элементе (варианты) | |
| RU99121198A (ru) | Термоэлектрический модуль и способ формирования покрывающей пленки на термоэлектрическом элементе (варианты) | |
| EP0229850B1 (en) | Connection terminals between substrates and method of producing the same | |
| US6328201B1 (en) | Multilayer wiring substrate and method for producing the same | |
| JPH08510868A (ja) | 多層回路基板の隣接回路基板層間の電気的相互接続形成方法 | |
| US20030007330A1 (en) | Multilayer circuit board and method for manufacturing multilayer circuit board | |
| DE102012102090A1 (de) | Thermoelektrisches Generatormodul, Metall-Keramik-Substrat sowie Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates | |
| US7369589B2 (en) | Diode laser subelement and arrangements with such diode laser subelement | |
| JP2009164498A (ja) | 熱電モジュール | |
| WO1997045882A1 (fr) | Procede de fabrication d'un module thermoelectrique | |
| RU99112481A (ru) | Пьезоэлектрический исполнительный элемент с контактированием нового типа и способ изготовления | |
| US20130283611A1 (en) | Thermoelectric module | |
| US20180242464A1 (en) | Multilayer substrate and method for manufacturing the same | |
| US20210410282A1 (en) | Carrier substrate for electrical, more particularly electronic, components, and method for producing a carrier substrate | |
| JP3724262B2 (ja) | 熱電素子モジュール | |
| US5254811A (en) | Hybrid microchip bonding article | |
| NO313352B1 (no) | Piezoelektrisk resonator og komponent med samme | |
| KR102374415B1 (ko) | 열전 소자 | |
| US20020024138A1 (en) | Wiring board for high dense mounting and method of producing the same | |
| US6815874B2 (en) | Form-adaptable electrode structure in layer construction | |
| WO2018021173A1 (ja) | 熱電変換モジュール | |
| US7161089B2 (en) | Electronic component | |
| CN114171317A (zh) | 电子组件 | |
| JPH0620010B2 (ja) | 超電導コイル | |
| JP7439485B2 (ja) | 半導体モジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130930 |