JPH08186296A - ペルチェ素子 - Google Patents
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- JPH08186296A JPH08186296A JP6327957A JP32795794A JPH08186296A JP H08186296 A JPH08186296 A JP H08186296A JP 6327957 A JP6327957 A JP 6327957A JP 32795794 A JP32795794 A JP 32795794A JP H08186296 A JPH08186296 A JP H08186296A
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はペルチェ効果を用いて冷却・加熱す
るペルチェ素子の耐久性の向上を企図したものであり、
特にヒートサイクルに対する耐久性の改善を目的とした
ものである。 【構成】 本発明によるペルチェ素子の構成としては、
銅電極2とP型およびN型の熱電素子エレメント3,4
とからなる配列と、強度保持のためのアルミナ基板1と
の接合を比較的高い熱伝導性を有するゴム状接着剤で、
機械的、熱的に接合することにより、素子全体の熱応力
を緩和し、ヒートサイクル耐久性を飛躍的に改善したも
のである。
るペルチェ素子の耐久性の向上を企図したものであり、
特にヒートサイクルに対する耐久性の改善を目的とした
ものである。 【構成】 本発明によるペルチェ素子の構成としては、
銅電極2とP型およびN型の熱電素子エレメント3,4
とからなる配列と、強度保持のためのアルミナ基板1と
の接合を比較的高い熱伝導性を有するゴム状接着剤で、
機械的、熱的に接合することにより、素子全体の熱応力
を緩和し、ヒートサイクル耐久性を飛躍的に改善したも
のである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は熱電材料の熱電効果を用
いて冷却や加熱を行うペルチェ素子の構成に関する。
いて冷却や加熱を行うペルチェ素子の構成に関する。
【0002】
【従来の技術】大別して熱電素子には、熱電材料に電流
を通じた時の吸熱作用を利用して冷却するペルチェ素子
と、逆に熱電材料内に温度差をつけたときに生じる熱起
電力を利用した発電素子がある。このうちペルチェ素子
は、フロン冷媒を使用する必要もなく、また回転摩耗に
よる劣化がないことから全固体の冷却装置として有用性
が高い。ペルチェ素子を用いた冷却装置の応用商品は冷
蔵庫、半導体冷却装置から空気除湿器、精密温度コント
ローラなど広範囲に及んでいる。そのペルチェ素子の基
本構成は概ね図4に示した構成となっている。3および
4はそれぞれP型、N型の熱電素子エレメントであり、
金属電極8を介して交互に電気的に直列に接続されてい
る。 熱電素子エレメントと金属電極との接合は、半田
9を用いて機械的にも強固に接合されている。さらに、
素子全体の機械的強度を確保するため、熱電素子エレメ
ントと金属電極からなる配列は対向する2枚のセラミッ
ク板10の間に半田9によって固定されている。半田に
よる接合を容易にするため、熱電素子エレメントや銅電
極、セラミック板の表面にはNiなどのメッキによる金
属メッキ層11やタングステンによる金属層12が施さ
れている。
を通じた時の吸熱作用を利用して冷却するペルチェ素子
と、逆に熱電材料内に温度差をつけたときに生じる熱起
電力を利用した発電素子がある。このうちペルチェ素子
は、フロン冷媒を使用する必要もなく、また回転摩耗に
よる劣化がないことから全固体の冷却装置として有用性
が高い。ペルチェ素子を用いた冷却装置の応用商品は冷
蔵庫、半導体冷却装置から空気除湿器、精密温度コント
ローラなど広範囲に及んでいる。そのペルチェ素子の基
本構成は概ね図4に示した構成となっている。3および
4はそれぞれP型、N型の熱電素子エレメントであり、
金属電極8を介して交互に電気的に直列に接続されてい
る。 熱電素子エレメントと金属電極との接合は、半田
9を用いて機械的にも強固に接合されている。さらに、
素子全体の機械的強度を確保するため、熱電素子エレメ
ントと金属電極からなる配列は対向する2枚のセラミッ
ク板10の間に半田9によって固定されている。半田に
よる接合を容易にするため、熱電素子エレメントや銅電
極、セラミック板の表面にはNiなどのメッキによる金
属メッキ層11やタングステンによる金属層12が施さ
れている。
【0003】熱電材料としてはゼーベック係数と導電率
が大きく、熱伝導率の小さい、いわゆる性能指数の大き
い材料が有利で、−80℃〜100℃温度領域での冷却
にはBi−Te系の熱電材料がよく用いられる。代表的
な組成はP型が(Bi0.25Sb0.75)2Te3であり、N
型がBi2(Te0.95Se0.05)3である。Bi−Te系
材料は六方晶系でc軸に垂直な面でへき解しやすい性質
を有する。c軸に垂直な方向の熱電特性が高いので、エ
レメントとして溶性材料を用いるときには通電方向をc
軸に垂直な方向にとるのが普通である。
が大きく、熱伝導率の小さい、いわゆる性能指数の大き
い材料が有利で、−80℃〜100℃温度領域での冷却
にはBi−Te系の熱電材料がよく用いられる。代表的
な組成はP型が(Bi0.25Sb0.75)2Te3であり、N
型がBi2(Te0.95Se0.05)3である。Bi−Te系
材料は六方晶系でc軸に垂直な面でへき解しやすい性質
を有する。c軸に垂直な方向の熱電特性が高いので、エ
レメントとして溶性材料を用いるときには通電方向をc
軸に垂直な方向にとるのが普通である。
【0004】さらに、吸熱や放熱の効率を高めるためセ
ラミック板10に代えて表面を電気的に絶縁処理したア
ルミニウムなどの金属板で構成したペルチェ素子も提案
されている。
ラミック板10に代えて表面を電気的に絶縁処理したア
ルミニウムなどの金属板で構成したペルチェ素子も提案
されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】図4に示したペルチェ
素子に通電すると、エレメントの吸熱側の温度が低くな
り、放熱側の温度が高くなる。運転条件にもよるがその
温度差は30〜50℃に達する。また、沸騰水や高温の
食品などを5〜10℃に冷却する手段としてペルチェ素
子を用いる場合では、素子全体が70〜120度の温度
差のヒートサイクルを受けることになる。ペルチェ素子
は熱電材料や金属材料、セラミック材料などの熱膨張係
数の異なる多くの部品から構成されているので、このよ
うな長期間にわたる熱歪によって素子が劣化し、性能が
低下するという課題があった。
素子に通電すると、エレメントの吸熱側の温度が低くな
り、放熱側の温度が高くなる。運転条件にもよるがその
温度差は30〜50℃に達する。また、沸騰水や高温の
食品などを5〜10℃に冷却する手段としてペルチェ素
子を用いる場合では、素子全体が70〜120度の温度
差のヒートサイクルを受けることになる。ペルチェ素子
は熱電材料や金属材料、セラミック材料などの熱膨張係
数の異なる多くの部品から構成されているので、このよ
うな長期間にわたる熱歪によって素子が劣化し、性能が
低下するという課題があった。
【0006】また、ヒートサイクルに対する熱歪を緩和
するため、図5に示したように金属電極とセラミック
板、もしくは金属電極と放熱フィン13を半田などで固
定せず、熱伝導性のSiグリス14で摺り合わせ、熱伝
導性を確保した構造が開発されているが製造コストが高
く、機械的強度が弱いので冷却装置として構成する場
合、その取扱いに工夫が必要であった。
するため、図5に示したように金属電極とセラミック
板、もしくは金属電極と放熱フィン13を半田などで固
定せず、熱伝導性のSiグリス14で摺り合わせ、熱伝
導性を確保した構造が開発されているが製造コストが高
く、機械的強度が弱いので冷却装置として構成する場
合、その取扱いに工夫が必要であった。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも一
方のセラミック板と金属電極との接合をシリコンゴムな
どのゴム状物質で行うことにより、製造や取扱いが容易
で安価なペルチェ素子が構成できることを開示するもの
である。
方のセラミック板と金属電極との接合をシリコンゴムな
どのゴム状物質で行うことにより、製造や取扱いが容易
で安価なペルチェ素子が構成できることを開示するもの
である。
【0008】
【作用】ペルチェ素子にヒートサイクルが付与される
と、金属電極や熱電材料の熱膨張係数はセラミック板と
比較すると大きいので、金属電極とセラミック板の接合
部分や、熱電素子エレメントと金属電極の接合部分、あ
るいは熱電素子エレメント自身に引っ張りやせん断の熱
応力がかかる。本発明のゴム状物質は変形することによ
って素子全体の熱応力を緩和することができる。その結
果、素子のヒートサイクル耐久性を改善することができ
る。また、接合に用いるゴム状物質の厚みを薄くするこ
とにより、金属電極とセラミックス基板との間の熱伝導
性の低下を軽減することができる。
と、金属電極や熱電材料の熱膨張係数はセラミック板と
比較すると大きいので、金属電極とセラミック板の接合
部分や、熱電素子エレメントと金属電極の接合部分、あ
るいは熱電素子エレメント自身に引っ張りやせん断の熱
応力がかかる。本発明のゴム状物質は変形することによ
って素子全体の熱応力を緩和することができる。その結
果、素子のヒートサイクル耐久性を改善することができ
る。また、接合に用いるゴム状物質の厚みを薄くするこ
とにより、金属電極とセラミックス基板との間の熱伝導
性の低下を軽減することができる。
【0009】一方、Siグリスなどによる摺り合わせ接
合と異なり、ゴム状物質を用いる本発明の接合は、素子
全体の機械的強度も高く、従来の素子と同様の取扱いや
製造方法が可能となる。
合と異なり、ゴム状物質を用いる本発明の接合は、素子
全体の機械的強度も高く、従来の素子と同様の取扱いや
製造方法が可能となる。
【0010】
【実施例】図1は、本発明によるBi−Te系熱電材料
を用いたペルチェ素子の構成を示す図であり、同図を用
いてまず、一実施例の製造方法及び構成を説明する。
を用いたペルチェ素子の構成を示す図であり、同図を用
いてまず、一実施例の製造方法及び構成を説明する。
【0011】P型については(Bi0.25Sb0.75)2T
e3、N型についてはBi2(Te0.9 5Se0.05)3の組
成であるBi−Te系熱電材料インゴットを切断砥石を
用いて厚さ2.0mmにスライスした。表面にNiの無
電解メッキを施した後、1.4mm角、長さ2.0mm
の熱電素子エレメントを作製した。
e3、N型についてはBi2(Te0.9 5Se0.05)3の組
成であるBi−Te系熱電材料インゴットを切断砥石を
用いて厚さ2.0mmにスライスした。表面にNiの無
電解メッキを施した後、1.4mm角、長さ2.0mm
の熱電素子エレメントを作製した。
【0012】アルミナ基板1(40×40×0.8mm)の接
合面には、タングステンペーストによってメタライズ処
理を行い、Niメッキ処理した銅電極2を、所定の部位
に半田を用いて接合した。銅電極2に半田ペーストを印
刷した後、 *P型3とN型4の熱電素子エレメントを交互に配置
し、Arのリフロー炉で加熱して半田接合した。一方、
対向するアルミナ基板5には、接合面全面にSiゴム接
着剤6塗布し、ただちにアルミナ基板1側と同様に銅電
極2を接合した。アルミナ基板1側の熱電素子エレメン
ト上に半田印刷を行なった後、アルミナ基板1と組合
せ、圧接圧を加えた状態でリフロー炉にて接合した。最
後に、正負のリード線7を、素子の配列の両端部に半田
付けした。このようにして構成したペルチェ素子の半田
層の厚みは70μm程度で、Siゴム接着層の厚みは5
0μm程度であることが分かった。また、ゴム状物質の
適性を調べるためウレタンゴム、ブチルゴムを接合物質
として用いたペルチェ素子を試作した。
合面には、タングステンペーストによってメタライズ処
理を行い、Niメッキ処理した銅電極2を、所定の部位
に半田を用いて接合した。銅電極2に半田ペーストを印
刷した後、 *P型3とN型4の熱電素子エレメントを交互に配置
し、Arのリフロー炉で加熱して半田接合した。一方、
対向するアルミナ基板5には、接合面全面にSiゴム接
着剤6塗布し、ただちにアルミナ基板1側と同様に銅電
極2を接合した。アルミナ基板1側の熱電素子エレメン
ト上に半田印刷を行なった後、アルミナ基板1と組合
せ、圧接圧を加えた状態でリフロー炉にて接合した。最
後に、正負のリード線7を、素子の配列の両端部に半田
付けした。このようにして構成したペルチェ素子の半田
層の厚みは70μm程度で、Siゴム接着層の厚みは5
0μm程度であることが分かった。また、ゴム状物質の
適性を調べるためウレタンゴム、ブチルゴムを接合物質
として用いたペルチェ素子を試作した。
【0013】従来のSiグリス法ではアルミナ基板がな
く、実際の冷却装置に組み込む際に熱伝導性のSiグリ
スを用いて接合しなければならず、機械的強度も不十分
なので取扱いに注意を要したが、本発明のペルチェ素子
では従来の半田による接合の素子と同様の取扱が可能と
なった。また、製造プロセスも半田による接合素子とほ
ぼ同様で、特殊な治具も必要ないので製造コストを低く
抑えることができる。
く、実際の冷却装置に組み込む際に熱伝導性のSiグリ
スを用いて接合しなければならず、機械的強度も不十分
なので取扱いに注意を要したが、本発明のペルチェ素子
では従来の半田による接合の素子と同様の取扱が可能と
なった。また、製造プロセスも半田による接合素子とほ
ぼ同様で、特殊な治具も必要ないので製造コストを低く
抑えることができる。
【0014】つぎに、図1で示した本発明のペルチェ素
子のヒートサイクル耐久性を試験した。通常ペルチェ素
子は通電時に吸熱側と放熱側とでは30〜50度の温度
差が誘起され、その際に熱歪が発生する。また、被冷却
物の温度変化にともなって素子全体が50〜100度の
ヒートサイクルを繰り返すことになり、その時にも大き
な熱歪が伴うことになる。そこで素子に3Aの電流を流
し、50度の温度差がついた時点で電流を反転し、再度
50度の温度差をつけるというサイクルAと、素子全体
を30分ずつ、95℃と5℃の環境に交互に出し入れす
るサイクルBとの2種類の耐久試験を行なった。素子の
特性は3Aの電流を流し、30度の温度差をつけたとき
の吸熱量で評価した。
子のヒートサイクル耐久性を試験した。通常ペルチェ素
子は通電時に吸熱側と放熱側とでは30〜50度の温度
差が誘起され、その際に熱歪が発生する。また、被冷却
物の温度変化にともなって素子全体が50〜100度の
ヒートサイクルを繰り返すことになり、その時にも大き
な熱歪が伴うことになる。そこで素子に3Aの電流を流
し、50度の温度差がついた時点で電流を反転し、再度
50度の温度差をつけるというサイクルAと、素子全体
を30分ずつ、95℃と5℃の環境に交互に出し入れす
るサイクルBとの2種類の耐久試験を行なった。素子の
特性は3Aの電流を流し、30度の温度差をつけたとき
の吸熱量で評価した。
【0015】ペルチェ素子の耐久性評価のために、ヒー
トサイクル試験中のペルチェ素子を取り出し、温度差を
25度にとり、3Aの電流を通じてその時の吸熱量(Q
c)を測定した。図2にサイクルAの耐久性評価試験結
果を示す。Siゴムに比して金属である半田は熱伝導率
が高く、その分だけ初期の吸熱量は従来の半田接合タイ
プの方が若干高かったが、10000サイクルを越えた
時点で徐々に性能の低下がみられた。しかしながら、本
発明のSiゴム接合タイプでは20000サイクルを経
ても吸熱量の低下はほとんど見られなかった。また、図
3にはサイクルBの耐久性評価試験結果を示した。従来
の半田接合タイプでは300サイクルを越えた時点で吸
熱量の低下がみられ、600サイクルを過ぎた時点で冷
却することができなくなった。一方、Siゴム接合タイ
プでは1000サイクルを経ても吸熱量の顕著な低下は
見られなかった。これらの耐久試験を通じて、Siゴム
による性能の低下は0.3W程度と小さく、逆にヒート
サイクル耐久性はSiゴムによって熱応力が緩和できる
ので飛躍的に改善できることが分かった。 *ブチルゴム、ウレタンゴムを用いたペルチェ素子につ
いても同様の耐久性評価試験を行ったところ、シリコン
ゴムを用いた素子に比べて初期の吸熱量が若干低かった
り、サイクルBにおいて多数サイクル後の吸熱量低下が
散見されたが実用的効果はある。これらのゴム状物質が
シリコンゴムに比べて熱劣化しやすいことや、熱伝導度
の違いが影響していると考えられる。
トサイクル試験中のペルチェ素子を取り出し、温度差を
25度にとり、3Aの電流を通じてその時の吸熱量(Q
c)を測定した。図2にサイクルAの耐久性評価試験結
果を示す。Siゴムに比して金属である半田は熱伝導率
が高く、その分だけ初期の吸熱量は従来の半田接合タイ
プの方が若干高かったが、10000サイクルを越えた
時点で徐々に性能の低下がみられた。しかしながら、本
発明のSiゴム接合タイプでは20000サイクルを経
ても吸熱量の低下はほとんど見られなかった。また、図
3にはサイクルBの耐久性評価試験結果を示した。従来
の半田接合タイプでは300サイクルを越えた時点で吸
熱量の低下がみられ、600サイクルを過ぎた時点で冷
却することができなくなった。一方、Siゴム接合タイ
プでは1000サイクルを経ても吸熱量の顕著な低下は
見られなかった。これらの耐久試験を通じて、Siゴム
による性能の低下は0.3W程度と小さく、逆にヒート
サイクル耐久性はSiゴムによって熱応力が緩和できる
ので飛躍的に改善できることが分かった。 *ブチルゴム、ウレタンゴムを用いたペルチェ素子につ
いても同様の耐久性評価試験を行ったところ、シリコン
ゴムを用いた素子に比べて初期の吸熱量が若干低かった
り、サイクルBにおいて多数サイクル後の吸熱量低下が
散見されたが実用的効果はある。これらのゴム状物質が
シリコンゴムに比べて熱劣化しやすいことや、熱伝導度
の違いが影響していると考えられる。
【0016】なお、ゴム状物質としては、天然ゴム、ア
クリルゴム、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、イソ
プレンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロスルホン
化ポリエチレンゴム、クロロプレンゴム、スチレンブタ
ジエンゴム、ハイスチレンゴム、ブタジエンゴム、フッ
素ゴム等がある、またゴムと同程度の弾性および機械的
強度があれば樹脂であってもよい。
クリルゴム、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、イソ
プレンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロスルホン
化ポリエチレンゴム、クロロプレンゴム、スチレンブタ
ジエンゴム、ハイスチレンゴム、ブタジエンゴム、フッ
素ゴム等がある、またゴムと同程度の弾性および機械的
強度があれば樹脂であってもよい。
【0017】シリコンゴムに関しても空気中の水分を吸
収したり、酸性物質の飛散によって硬化するタイプや、
硬化促進剤添加タイプなどについてその適性を検討した
が、比較的粘度の低い状態での接合が可能で硬化時間を
制御しやすい硬化促進剤添加タイプの結果が良好であっ
た。その際の接着層の厚みは平均して約30μmであ
り、吸熱量の低下は0.2W〜0.3Wに抑えられるこ
とが分かった。
収したり、酸性物質の飛散によって硬化するタイプや、
硬化促進剤添加タイプなどについてその適性を検討した
が、比較的粘度の低い状態での接合が可能で硬化時間を
制御しやすい硬化促進剤添加タイプの結果が良好であっ
た。その際の接着層の厚みは平均して約30μmであ
り、吸熱量の低下は0.2W〜0.3Wに抑えられるこ
とが分かった。
【0018】さらに吸熱量の低下を抑制するための方法
としてシリコンゴムやウレタンゴムにアルミナ、マグネ
シアなどの、ゴムに比べて熱伝導性の高い無機物質粉末
を充填剤として添加・混練し、ゴム状物質の熱伝導性の
改善を図った。その結果、吸熱量の低下を0.1W〜
0.2Wに抑えることができた。
としてシリコンゴムやウレタンゴムにアルミナ、マグネ
シアなどの、ゴムに比べて熱伝導性の高い無機物質粉末
を充填剤として添加・混練し、ゴム状物質の熱伝導性の
改善を図った。その結果、吸熱量の低下を0.1W〜
0.2Wに抑えることができた。
【0019】図1に示したペルチェ素子では一方のアル
ミナ板と銅電極との接合にゴム状物質を用いたが、今度
は両方のアルミナ板にシリコンゴム接着剤を用いて銅電
極を接合したペルチェ素子を作製した。この素子にもヒ
ートサイクル耐久試験を施したが片側のみシリコンゴム
を用いた素子と同様なヒートサイクル耐久性を有してい
た。
ミナ板と銅電極との接合にゴム状物質を用いたが、今度
は両方のアルミナ板にシリコンゴム接着剤を用いて銅電
極を接合したペルチェ素子を作製した。この素子にもヒ
ートサイクル耐久試験を施したが片側のみシリコンゴム
を用いた素子と同様なヒートサイクル耐久性を有してい
た。
【0020】つぎに、強度保持の端板としてアルミナ焼
結板に代え、金属であるアルミニウム板を用いて実験を
行なった。従来の半田によって接合した素子では、アル
ミナ板を用いた素子ほどではなかったが、サイクルA、
サイクルBともある程度の劣化が観測された。しかしな
がら、シリコンゴムによって接合した素子は著しい性能
の低下は認められなかった。アルミニウム板では熱的、
力学的性質が銅電極や熱電素子エレメントに近いことか
らアルミナ板を用いたときほど素子内部に熱ひずみは発
生しないものの、生じた熱ひずみはシリコンゴムによっ
て緩和・吸収されていると考えられる。
結板に代え、金属であるアルミニウム板を用いて実験を
行なった。従来の半田によって接合した素子では、アル
ミナ板を用いた素子ほどではなかったが、サイクルA、
サイクルBともある程度の劣化が観測された。しかしな
がら、シリコンゴムによって接合した素子は著しい性能
の低下は認められなかった。アルミニウム板では熱的、
力学的性質が銅電極や熱電素子エレメントに近いことか
らアルミナ板を用いたときほど素子内部に熱ひずみは発
生しないものの、生じた熱ひずみはシリコンゴムによっ
て緩和・吸収されていると考えられる。
【0021】以上は、ペルチェ効果を用いて室温近傍で
物体を加熱・冷却するペルチェ素子について例示した
が、逆に排熱を利用した発電素子などでもヒートサイク
ルによる熱歪を緩和する手段として有効であると考えら
れる。
物体を加熱・冷却するペルチェ素子について例示した
が、逆に排熱を利用した発電素子などでもヒートサイク
ルによる熱歪を緩和する手段として有効であると考えら
れる。
【0022】
【発明の効果】本発明によると、ペルチェ素子を用いた
冷却装置の耐久性を飛躍的に改善することができるので
産業上非常に有益である。
冷却装置の耐久性を飛躍的に改善することができるので
産業上非常に有益である。
【図1】本発明のペルチェ素子の基本構成を示した図
【図2】本発明のペルチェ素子のヒートサイクル耐久性
を表した図
を表した図
【図3】本発明のペルチェ素子のヒートサイクル耐久性
を表した図
を表した図
【図4】従来の半田接合によるペルチェ素子を表わした
図
図
【図5】従来のSiグリス接合によるペルチェ素子を表
わした図
わした図
1 アルミナ基板 2 銅電極 3 P型エレメント 4 N型エレメント 5 アルミナ基板 6 シリコンゴム接着剤 7 リード線 8 金属電極 9 半田 10 セラミック板 11 金属層 12 金属層 13 放熱フィン 14 Siグリス
フロントページの続き (72)発明者 岡部 良行 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】対向する2枚の支持板間に、P型とN型の
複数の熱電素子エレメントと金属電極からなる平面状の
熱電素子群を配し、前記熱電素子と接触する前記支持板
を直接あるいは絶縁層を介してシリコンゴム等のゴム状
物質によって接合したことを特徴とするペルチェ素子。 - 【請求項2】ゴム状物質が、弾性を有する有機物とその
有機物より熱伝導性の高い無機物との混合物であること
を特徴とする請求項1記載のペルチェ素子。 - 【請求項3】前記支持板はセラミック基板、金属板ある
いはその両者を合わせたものであることを特徴とする請
求項1あるいは2記載のペルチェ素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6327957A JPH08186296A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | ペルチェ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6327957A JPH08186296A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | ペルチェ素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08186296A true JPH08186296A (ja) | 1996-07-16 |
Family
ID=18204910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6327957A Pending JPH08186296A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | ペルチェ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08186296A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100345823B1 (ko) * | 1998-11-25 | 2002-07-24 | 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 | 열전 모듈 |
JP2009302168A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Fine Rubber Kenkyusho:Kk | 熱電変換装置 |
JP2017069520A (ja) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | 株式会社リコー | 熱電変換装置 |
JP2019169702A (ja) * | 2018-03-21 | 2019-10-03 | アールエムティー リミテッド | 熱電マイクロ冷却器(変形)を製造する方法 |
-
1994
- 1994-12-28 JP JP6327957A patent/JPH08186296A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100345823B1 (ko) * | 1998-11-25 | 2002-07-24 | 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 | 열전 모듈 |
JP2009302168A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Fine Rubber Kenkyusho:Kk | 熱電変換装置 |
JP2017069520A (ja) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | 株式会社リコー | 熱電変換装置 |
JP2019169702A (ja) * | 2018-03-21 | 2019-10-03 | アールエムティー リミテッド | 熱電マイクロ冷却器(変形)を製造する方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040420 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040824 |