JP2003318455A - ペルチェ素子とその製造方法 - Google Patents
ペルチェ素子とその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ペルチェ素子の効率を改善するため熱電変換基
板のみで構成されたペルチェ素子は機械的強度に乏し
く、放熱器との熱的接合時の面接触に際してペルチェ素
子側の平坦度が問題となる。また、金属製の熱伝達板で
挟持したペルチェ素子は熱伝達板の腐食など問題があっ
た。全体的な問題としては熱電変換基板を構成している
半導体の強度が低く破損しやすく尚且つ湿度等による腐
食などの問題もあり、熱伝達板の隙間をシリコーンなど
で塞ぎ防湿する必要もあった。 【解決手段】本発明は、Ｐ型半導体素子とＮ型半導体素
子とを金属電極を介して交互に複数個π型直列接合して
構成された熱電変換基板をシリコーンワニスに含浸して
絶縁防湿塗膜層を形成した熱電変換部と、熱電変換部の
２面の熱伝達面にシリコーンワニスに含浸して絶縁防湿
塗膜層を形成した良熱伝導性の金属板を固着して熱伝達
部を構成した。
板のみで構成されたペルチェ素子は機械的強度に乏し
く、放熱器との熱的接合時の面接触に際してペルチェ素
子側の平坦度が問題となる。また、金属製の熱伝達板で
挟持したペルチェ素子は熱伝達板の腐食など問題があっ
た。全体的な問題としては熱電変換基板を構成している
半導体の強度が低く破損しやすく尚且つ湿度等による腐
食などの問題もあり、熱伝達板の隙間をシリコーンなど
で塞ぎ防湿する必要もあった。 【解決手段】本発明は、Ｐ型半導体素子とＮ型半導体素
子とを金属電極を介して交互に複数個π型直列接合して
構成された熱電変換基板をシリコーンワニスに含浸して
絶縁防湿塗膜層を形成した熱電変換部と、熱電変換部の
２面の熱伝達面にシリコーンワニスに含浸して絶縁防湿
塗膜層を形成した良熱伝導性の金属板を固着して熱伝達
部を構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はペルチェ素子（熱電
変換素子）に関する
変換素子）に関する
【０００２】
【従来の技術】Ｐ型半導体素子とＮ型半導体素子とを金
属電極を介して交互に複数個π型直列接合して構成され
た熱電変換基板をセラミック製熱伝達板で挟持して構成
されたペルチェ素子が一般的に普及しています。また、
その熱交換効率を向上するために熱電変換基板のみで構
成された素子や金属製の熱伝達板で挟持したものも一部
使用されています。
属電極を介して交互に複数個π型直列接合して構成され
た熱電変換基板をセラミック製熱伝達板で挟持して構成
されたペルチェ素子が一般的に普及しています。また、
その熱交換効率を向上するために熱電変換基板のみで構
成された素子や金属製の熱伝達板で挟持したものも一部
使用されています。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、熱電変換基板
のみで構成されたペルチェ素子は機械的強度に乏しく、
放熱器との熱的接合時の面接触に際してペルチェ素子側
の平坦度が問題となる。また、金属製の熱伝達板で挟持
したペルチェ素子は熱伝達板の腐食など問題があった。
のみで構成されたペルチェ素子は機械的強度に乏しく、
放熱器との熱的接合時の面接触に際してペルチェ素子側
の平坦度が問題となる。また、金属製の熱伝達板で挟持
したペルチェ素子は熱伝達板の腐食など問題があった。
【０００４】全体的な問題としては印加した電力に対し
て熱電変換効率が低い点が上げられる。理由としてはペ
ルチェ素子内部での接触熱抵抗が大きく、結果としてゼ
ーベック効果による熱起電力が大きくなり熱電変換効率
の低下が生じた。尚且つ湿度等による腐食などの問題も
あり、熱伝達板の隙間をシリコーンなどで塞ぎ防湿する
必要もあった為に熱電変換効率はさらに低下した。
て熱電変換効率が低い点が上げられる。理由としてはペ
ルチェ素子内部での接触熱抵抗が大きく、結果としてゼ
ーベック効果による熱起電力が大きくなり熱電変換効率
の低下が生じた。尚且つ湿度等による腐食などの問題も
あり、熱伝達板の隙間をシリコーンなどで塞ぎ防湿する
必要もあった為に熱電変換効率はさらに低下した。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１の本発明は、Ｐ型半導体素子とＮ型半導体素子
とを金属電極を介して交互に複数個π型直列接合して構
成された熱電変換基板をシリコーンワニスに含浸して絶
縁防湿塗膜層を形成した熱電変換部と、熱電変換部の２
面の熱伝達面にシリコーンワニスに含浸して絶縁防湿塗
膜層を形成した良熱伝導性の金属板を固着して熱伝達部
を構成した。
請求項１の本発明は、Ｐ型半導体素子とＮ型半導体素子
とを金属電極を介して交互に複数個π型直列接合して構
成された熱電変換基板をシリコーンワニスに含浸して絶
縁防湿塗膜層を形成した熱電変換部と、熱電変換部の２
面の熱伝達面にシリコーンワニスに含浸して絶縁防湿塗
膜層を形成した良熱伝導性の金属板を固着して熱伝達部
を構成した。
【０００６】このように構成することにより、薄膜の絶
縁防湿層を介し効率よく熱が伝達されると共に、熱電変
換基板の強度を確保し、熱伝達部を含む全てを腐食から
保護することが可能となる。
縁防湿層を介し効率よく熱が伝達されると共に、熱電変
換基板の強度を確保し、熱伝達部を含む全てを腐食から
保護することが可能となる。
【０００７】請求項２の本発明は、Ｐ型半導体素子とＮ
型半導体素子とを金属電極を介して交互に複数個π型直
列接合して構成された熱電変換基板をシリコーンワニス
に含浸して絶縁防湿塗膜層を形成した複数枚の熱電変換
部の各熱伝達面を同一形状の面を対峙する形で積層して
固着した多段熱電変換部と、多段熱電変換部の２面の熱
伝達面にシリコーンワニスに含浸して絶縁防湿塗膜層を
形成した良熱伝導性の金属板を固着して熱伝達部を構成
した高効率な多段ペルチェ素子である。
型半導体素子とを金属電極を介して交互に複数個π型直
列接合して構成された熱電変換基板をシリコーンワニス
に含浸して絶縁防湿塗膜層を形成した複数枚の熱電変換
部の各熱伝達面を同一形状の面を対峙する形で積層して
固着した多段熱電変換部と、多段熱電変換部の２面の熱
伝達面にシリコーンワニスに含浸して絶縁防湿塗膜層を
形成した良熱伝導性の金属板を固着して熱伝達部を構成
した高効率な多段ペルチェ素子である。
【０００８】さらに、このように構成すれば一段目の素
子の発熱側より生じる熱量を薄膜の絶縁防湿層を介して
高効率に二段目の素子の吸熱面に伝えることが可能とな
り、吸熱側温度と放熱側温度の差が小さくなり、ペルチ
ェ素子の一般的な特性として素子単体の熱電変換効率が
向上し、多段ペルチェ素子の効率も飛躍的に向上する。
子の発熱側より生じる熱量を薄膜の絶縁防湿層を介して
高効率に二段目の素子の吸熱面に伝えることが可能とな
り、吸熱側温度と放熱側温度の差が小さくなり、ペルチ
ェ素子の一般的な特性として素子単体の熱電変換効率が
向上し、多段ペルチェ素子の効率も飛躍的に向上する。
【０００９】請求項３の本発明は、前記熱伝達面に良熱
伝導性シリコーンＲＴＶゴム接着剤を介して前記熱伝達
部を固着し、熱電変換基板と熱伝達部との膨張率の差を
吸収できる構成とした。
伝導性シリコーンＲＴＶゴム接着剤を介して前記熱伝達
部を固着し、熱電変換基板と熱伝達部との膨張率の差を
吸収できる構成とした。
【００１０】請求項４の本発明は、前記熱伝達部に複数
個の固定用ビス穴を配置したことを特徴とする。
個の固定用ビス穴を配置したことを特徴とする。
【００１１】請求項５の本発明は前記熱伝達部を放熱可
能な構成としたことを特徴とする。
能な構成としたことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明をより具体的に示すため、
添付の図を参考にして幾つかの実施例を以下に示す。
添付の図を参考にして幾つかの実施例を以下に示す。
【００１３】
【実施例１】本実施例は請求項１記載の本発明を図１を
参考にして説明する。(１)はＰ型半導体素子であり、金
属電極(３)を介して(２)のＮ型半導体素子と交互に複数
個π型直列に電気的に接合し、本実施例ではリード線
(８)ＡをＰ型半導体素子と接合した金属電極(３)のマイ
ナス電極側に、リード線(８)ＢをＮ型半導体素子と接合
した金属電極(３)のプラス電極側に半田付けして熱電変
換基板を構成した。前記熱電変換基板をシリコーンワニ
スに含浸して乾燥行程を経て(６)の絶縁防湿塗膜層を形
成し、接合部（７）Ａ（７）Ｂにシリコーンワニスに含
浸した未乾燥の伝熱板(４)(５)を接合した後に全体を乾
燥させて一体化したペルチェ素子である。
参考にして説明する。(１)はＰ型半導体素子であり、金
属電極(３)を介して(２)のＮ型半導体素子と交互に複数
個π型直列に電気的に接合し、本実施例ではリード線
(８)ＡをＰ型半導体素子と接合した金属電極(３)のマイ
ナス電極側に、リード線(８)ＢをＮ型半導体素子と接合
した金属電極(３)のプラス電極側に半田付けして熱電変
換基板を構成した。前記熱電変換基板をシリコーンワニ
スに含浸して乾燥行程を経て(６)の絶縁防湿塗膜層を形
成し、接合部（７）Ａ（７）Ｂにシリコーンワニスに含
浸した未乾燥の伝熱板(４)(５)を接合した後に全体を乾
燥させて一体化したペルチェ素子である。
【００１４】このように構成することにより、機械的強
度の低いＰ型半導体素子(１)及びＮ型半導体素子(２)の
機械的強度を補強すると共にπ型に構成された熱電変換
基盤の構造を強化することが出来る上に水蒸気やその他
有害気体からの腐食を低減することが出来る上に通風性
も確保した。
度の低いＰ型半導体素子(１)及びＮ型半導体素子(２)の
機械的強度を補強すると共にπ型に構成された熱電変換
基盤の構造を強化することが出来る上に水蒸気やその他
有害気体からの腐食を低減することが出来る上に通風性
も確保した。
【００１５】さらに伝熱板(４)及び(５)をシリコーンワ
ニスに含浸し、未乾燥状態に於いて接合部(７)Ａ及び
(７)Ｂと接合して乾燥行程を経て(６)の絶縁防湿塗膜層
を一体的に、そして薄膜に形成することが可能となり、
熱電変換基板から熱伝達部の伝熱板(４)及び(５)に効率
よく熱を伝達することでゼーベック効果を軽減し、ペル
チェ素子そのものの性能を大幅に向上した。また、伝熱
板(４)(５)は絶縁防湿塗膜層(６)に覆われているため耐
腐食性に優れると共に、熱交換器に取り付ける際にも絶
縁防湿塗膜層(６)を研磨することにより十分な面精度を
容易に出すことが出来る。
ニスに含浸し、未乾燥状態に於いて接合部(７)Ａ及び
(７)Ｂと接合して乾燥行程を経て(６)の絶縁防湿塗膜層
を一体的に、そして薄膜に形成することが可能となり、
熱電変換基板から熱伝達部の伝熱板(４)及び(５)に効率
よく熱を伝達することでゼーベック効果を軽減し、ペル
チェ素子そのものの性能を大幅に向上した。また、伝熱
板(４)(５)は絶縁防湿塗膜層(６)に覆われているため耐
腐食性に優れると共に、熱交換器に取り付ける際にも絶
縁防湿塗膜層(６)を研磨することにより十分な面精度を
容易に出すことが出来る。
【００１６】
【実施例２】本実施例は請求項２記載の本発明を図２を
参考にして説明する。(１)はＰ型半導体であり、金属電
極(３)を介して(２)のＮ型半導体と交互に複数個π型直
列に電気的に接合して、熱電変換基板１(９)Ａ及び熱電
変換基板２(９)Ｂを形成し、本実施例ではリード線(８)
Ａを熱電変換基板１(９)ＡのＰ型半導体と接合した金属
電極(３)のマイナス電極側に、リード線(８)Ｂを熱電変
換基板２(９)ＢのＰ型半導体と接合した金属電極(３)の
マイナス電極側に半田付けして吸熱面と放熱面を反転し
た熱電変換基板を構成した。前記熱電変換基板１(９)Ａ
をシリコーンワニスに含浸して乾燥行程を経て(６)の絶
縁防湿塗膜層を形成し、接合部(７)Ｃにシリコーンワニ
スに含浸した未乾燥の熱電変換基板２(９)Ｂを同一形状
の面どうしを対峙して接合した後に全体を乾燥させて熱
電変換基板１(９)Ａ及び熱電変換基板２(９)Ｂの各々の
金属電極(３)のプラス電極側の絶縁防湿塗膜層(６)を一
部除去し本実施例ではリード線(８)Ｃにより電気的に接
合し２段重ねの多段熱電変換基板を形成し、接合部(７)
Ａ(７)Ｂにシリコーンワニスに含浸した未乾燥の伝熱板
(４)(５)を接合した後にさらに全体を乾燥させて一体化
した多段ペルチェ素子である。
参考にして説明する。(１)はＰ型半導体であり、金属電
極(３)を介して(２)のＮ型半導体と交互に複数個π型直
列に電気的に接合して、熱電変換基板１(９)Ａ及び熱電
変換基板２(９)Ｂを形成し、本実施例ではリード線(８)
Ａを熱電変換基板１(９)ＡのＰ型半導体と接合した金属
電極(３)のマイナス電極側に、リード線(８)Ｂを熱電変
換基板２(９)ＢのＰ型半導体と接合した金属電極(３)の
マイナス電極側に半田付けして吸熱面と放熱面を反転し
た熱電変換基板を構成した。前記熱電変換基板１(９)Ａ
をシリコーンワニスに含浸して乾燥行程を経て(６)の絶
縁防湿塗膜層を形成し、接合部(７)Ｃにシリコーンワニ
スに含浸した未乾燥の熱電変換基板２(９)Ｂを同一形状
の面どうしを対峙して接合した後に全体を乾燥させて熱
電変換基板１(９)Ａ及び熱電変換基板２(９)Ｂの各々の
金属電極(３)のプラス電極側の絶縁防湿塗膜層(６)を一
部除去し本実施例ではリード線(８)Ｃにより電気的に接
合し２段重ねの多段熱電変換基板を形成し、接合部(７)
Ａ(７)Ｂにシリコーンワニスに含浸した未乾燥の伝熱板
(４)(５)を接合した後にさらに全体を乾燥させて一体化
した多段ペルチェ素子である。
【００１７】このように構成したことにより、熱電変換
基板２(９)Ｂの接合部(７)Ｃに接する発熱部から薄膜の
絶縁防湿塗膜層(６)を介して熱電変換基板１(９)Ａの吸
熱面に効率よく熱伝達され、熱電変換基板１(９)Ａ及び
熱電変換基板２(９)Ｂの各吸熱面温度と放熱面温度の温
度差が小さくなるため吸熱効率はペルチェ素子の一般的
特性として向上する。同時にゼーベック効果により発生
する熱起電力による印加電力の減少を抑えることが出来
るため同じ電圧を印加した場合には本実施例に示された
構成を採用することにより、より大きな電流を供給する
ことが可能となり、多段ペルチェ素子の効率は飛躍的に
向上する。実施例１と共通する効果の記載は省いた。
基板２(９)Ｂの接合部(７)Ｃに接する発熱部から薄膜の
絶縁防湿塗膜層(６)を介して熱電変換基板１(９)Ａの吸
熱面に効率よく熱伝達され、熱電変換基板１(９)Ａ及び
熱電変換基板２(９)Ｂの各吸熱面温度と放熱面温度の温
度差が小さくなるため吸熱効率はペルチェ素子の一般的
特性として向上する。同時にゼーベック効果により発生
する熱起電力による印加電力の減少を抑えることが出来
るため同じ電圧を印加した場合には本実施例に示された
構成を採用することにより、より大きな電流を供給する
ことが可能となり、多段ペルチェ素子の効率は飛躍的に
向上する。実施例１と共通する効果の記載は省いた。
【００１８】
【実施例３】本実施例は請求項３記載の本発明を図３を
参考にして説明する。実施例１及び実施例２に記載のペ
ルチェ素子に於いて熱電変換基板をシリコーンワニスに
含浸して乾燥行程を経て絶縁防湿塗膜層(６)を形成し、
伝熱板をシリコーンワニスに含浸し未乾燥の状態のシリ
コーンワニス樹脂層を接合部(７)Ａ(７)Ｂに接合し再度
全体を乾燥する行程を経てペルチェ素子を構成したが、
本発明では伝熱板をシリコーンワニスに含浸し、乾燥行
程を経た伝熱板(４)及び(５)と熱電変換基板を良熱伝導
性シリコーンＲＴＶゴム接着剤(１０)で固着する構成を
採用した。
参考にして説明する。実施例１及び実施例２に記載のペ
ルチェ素子に於いて熱電変換基板をシリコーンワニスに
含浸して乾燥行程を経て絶縁防湿塗膜層(６)を形成し、
伝熱板をシリコーンワニスに含浸し未乾燥の状態のシリ
コーンワニス樹脂層を接合部(７)Ａ(７)Ｂに接合し再度
全体を乾燥する行程を経てペルチェ素子を構成したが、
本発明では伝熱板をシリコーンワニスに含浸し、乾燥行
程を経た伝熱板(４)及び(５)と熱電変換基板を良熱伝導
性シリコーンＲＴＶゴム接着剤(１０)で固着する構成を
採用した。
【００１９】このように構成することで伝熱板と熱電変
換基板の膨張率の差をシリコーンＲＴＶゴムの弾性によ
り吸収することが可能となり、さらに機械的強度を補強
することが可能となる。
換基板の膨張率の差をシリコーンＲＴＶゴムの弾性によ
り吸収することが可能となり、さらに機械的強度を補強
することが可能となる。
【００２０】
【実施例４】本実施例は請求項４記載の本発明を図４を
参考に説明する。本発明のペルチェ素子の伝熱板(４)及
び(５)に熱交換器取り付けようのビス穴(１１)を配置し
たものである。
参考に説明する。本発明のペルチェ素子の伝熱板(４)及
び(５)に熱交換器取り付けようのビス穴(１１)を配置し
たものである。
【００２１】このようにビス穴を配置することにより熱
交換器を容易に固定できるのみならず、熱交換器を取り
付ける際にペルチェ素子の吸熱面と放熱面の熱が取り付
けようのビスを介して熱的に接続するのを防ぐことが出
来る。
交換器を容易に固定できるのみならず、熱交換器を取り
付ける際にペルチェ素子の吸熱面と放熱面の熱が取り付
けようのビスを介して熱的に接続するのを防ぐことが出
来る。
【００２２】
【実施例５】本実施例は請求項５記載の本発明を図５を
参考に説明する。本実施例では本発明のペルチェ素子の
放熱側の伝熱板(５)に放熱構造部(１２)を一体に形成し
たものである。もちろん吸熱側伝熱板(４)にも同様に放
熱構造部(１２)を一体に形成しても良い。
参考に説明する。本実施例では本発明のペルチェ素子の
放熱側の伝熱板(５)に放熱構造部(１２)を一体に形成し
たものである。もちろん吸熱側伝熱板(４)にも同様に放
熱構造部(１２)を一体に形成しても良い。
【００２３】このように構成すればペルチェ素子自体が
効率よく放熱若しくは吸熱を行うことが可能となり安定
した性能を提供できる。また、放熱器などを取り付ける
際に生じる接触熱抵抗をなくすことが可能となる。
効率よく放熱若しくは吸熱を行うことが可能となり安定
した性能を提供できる。また、放熱器などを取り付ける
際に生じる接触熱抵抗をなくすことが可能となる。
【００２４】
【発明の効果】以上要するに、熱電変換基板と伝熱板に
絶縁防湿塗膜層を形成し、機械的強度を補強すると共に
薄膜の絶縁防湿層により熱電変換基板と伝熱板が固着さ
れているため接触熱抵抗が大幅に軽減され、効率よく熱
電変換基板から発生する冷熱及び温熱を伝熱板に伝達す
ることが可能になり、熱電変換基板の接合部温度と伝熱
板温度との差を小さくすることが出来き、より熱交換効
率の高いペルチェ素子を提供することが可能となった。
絶縁防湿塗膜層を形成し、機械的強度を補強すると共に
薄膜の絶縁防湿層により熱電変換基板と伝熱板が固着さ
れているため接触熱抵抗が大幅に軽減され、効率よく熱
電変換基板から発生する冷熱及び温熱を伝熱板に伝達す
ることが可能になり、熱電変換基板の接合部温度と伝熱
板温度との差を小さくすることが出来き、より熱交換効
率の高いペルチェ素子を提供することが可能となった。
【００２５】さらに伝熱板に放熱構造を付与することに
より安定した性能を発揮する自己放熱型のペルチェ素子
の提供を可能とした。
より安定した性能を発揮する自己放熱型のペルチェ素子
の提供を可能とした。
【図１】は、実施例１を示す構成図である。
【図２】は、実施例２を示す構成図である。
【図３】は、実施例３を示す構成図である。
【図４】は、実施例４を示す構成図である。
【図５】は、実施例５を示す構成図である。
（１） Ｐ型半導体素子
（２） Ｎ型半導体素子
（３） 金属電極
（４） 熱伝達部 吸熱側伝熱板
（５） 熱伝達部 放熱側伝熱板
（６） 絶縁防湿塗膜層
（７）Ａ 接合部
（７）Ｂ 接合部
（７）Ｃ 接合部
（８）Ａ マイナス側リード線
（８）Ｂ プラス側リード線
（８）Ｃ 接続用リード線
（９）Ａ 熱電変換基板１
（９）Ｂ 熱電変換基板２
（１０） シリコーンＲＴＶゴム
（１１） ビス穴
（１２） 放熱構造部
Claims (5)
- 【請求項１】Ｐ型半導体素子とＮ型半導体素子とを金属
電極を介して交互に複数個π型直列接合して構成された
熱電変換基板をシリコーンワニスに含浸して絶縁防湿塗
膜層を形成した熱電変換部と、熱電変換部の２面の熱伝
達面にシリコーンワニスに含浸して絶縁防湿塗膜層を形
成した良熱伝導性の金属板を固着して熱伝達部を構成し
たことを特徴とするペルチェ素子。 - 【請求項２】Ｐ型半導体素子とＮ型半導体素子とを金属
電極を介して交互に複数個π型直列接合して構成された
熱電変換基板をシリコーンワニスに含浸して絶縁防湿塗
膜層を形成した複数枚の熱電変換部の各熱伝達面を同一
形状の面を対峙する形で積層して固着した多段熱電変換
部と、多段熱電変換部の２面の熱伝達面にシリコーンワ
ニスに含浸して絶縁防湿塗膜層を形成した良熱伝導性の
金属板を固着して熱伝達部を構成したことを特徴とする
ペルチェ素子。 - 【請求項３】前記熱伝達面に良熱伝導性シリコーンＲＴ
Ｖゴム接着剤を介して前記熱伝達部を固着したことを特
徴とする請求項１及び２記載のペルチェ素子。 - 【請求項４】前記熱伝達部に複数個の固定用ビス穴を配
置したことを特徴とする請求項１から３記載のペルチェ
素子。 - 【請求項５】前記熱伝達部を放熱可能な構成としたこと
を特徴とする請求項１から４記載のペルチェ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002117361A JP2003318455A (ja) | 2002-04-19 | 2002-04-19 | ペルチェ素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002117361A JP2003318455A (ja) | 2002-04-19 | 2002-04-19 | ペルチェ素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003318455A true JP2003318455A (ja) | 2003-11-07 |
Family
ID=29534594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002117361A Pending JP2003318455A (ja) | 2002-04-19 | 2002-04-19 | ペルチェ素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003318455A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123530A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Denso Corp | 熱電変換装置およびその装置の製造方法 |
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-
2002
- 2002-04-19 JP JP2002117361A patent/JP2003318455A/ja active Pending
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