JP3145619B2 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子を収容す
るための半導体素子収納用パッケージや混成集積回路基
板等に用いられる配線基板に関するものである。
るための半導体素子収納用パッケージや混成集積回路基
板等に用いられる配線基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、配線基板、例えば半導体素子収納
用パッケージを収容する半導体素子収納用パッケージに
使用される配線基板として比較的高密度の配線が可能な
積層セラミック配線基板が多用されている。この配線基
板は、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックスより
成り、その上面中央部に半導体素子を収容する凹部を有
する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から下面にか
けて導出されたタングステン、モリブデン等の高融点金
属粉末から成る配線導体とから構成されており、前記絶
縁基体の凹部底面に半導体素子をガラス、樹脂、ロウ材
等の接着剤を介して接着固定するとともに該半導体素子
の各電極を例えばボンディングワイヤ等の電気的接続手
段を介して配線導体に電気的に接続し、しかる後、前記
絶縁基体の上面に、金属やセラミックス等から成る蓋体
を絶縁基体の凹部を塞ぐようにしてガラス、樹脂、ロウ
材等の封止材を介して接合させ、絶縁基体の凹部内に半
導体素子を気密に収容することによって製品としての半
導体装置となる。
用パッケージを収容する半導体素子収納用パッケージに
使用される配線基板として比較的高密度の配線が可能な
積層セラミック配線基板が多用されている。この配線基
板は、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックスより
成り、その上面中央部に半導体素子を収容する凹部を有
する絶縁基体と、前記絶縁基体の凹部周辺から下面にか
けて導出されたタングステン、モリブデン等の高融点金
属粉末から成る配線導体とから構成されており、前記絶
縁基体の凹部底面に半導体素子をガラス、樹脂、ロウ材
等の接着剤を介して接着固定するとともに該半導体素子
の各電極を例えばボンディングワイヤ等の電気的接続手
段を介して配線導体に電気的に接続し、しかる後、前記
絶縁基体の上面に、金属やセラミックス等から成る蓋体
を絶縁基体の凹部を塞ぐようにしてガラス、樹脂、ロウ
材等の封止材を介して接合させ、絶縁基体の凹部内に半
導体素子を気密に収容することによって製品としての半
導体装置となる。
【0003】またこの従来の配線基板は、一般にセラミ
ックグリーンシート積層法によって製作され、具体的に
は、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、
酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バ
インダー、溶剤等を添加混合して泥漿状となすとともに
これを従来周知のドクターブレード法を採用しシート状
となすことによって複数のセラミックグリーンシートを
得、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な
打ち抜き加工を施すとともに配線導体となる金属ペース
トを所定パターンに印刷塗布し、最後に前記セラミック
グリーンシートを所定の順に上下に積層してセラミック
生成形体となすとともに該セラミック生成形体を還元雰
囲気中、約1600℃の高温で焼成することによって製
作される。
ックグリーンシート積層法によって製作され、具体的に
は、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、
酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バ
インダー、溶剤等を添加混合して泥漿状となすとともに
これを従来周知のドクターブレード法を採用しシート状
となすことによって複数のセラミックグリーンシートを
得、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な
打ち抜き加工を施すとともに配線導体となる金属ペース
トを所定パターンに印刷塗布し、最後に前記セラミック
グリーンシートを所定の順に上下に積層してセラミック
生成形体となすとともに該セラミック生成形体を還元雰
囲気中、約1600℃の高温で焼成することによって製
作される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の配線基板は、絶縁基体を構成する酸化アルミニウム
質焼結体等のセラミックスが硬くて脆い性質を有するた
め、搬送工程や半導体装置製作の自動ライン等において
配線基板同士が、あるいは配線基板と半導体装置製作自
動ラインの一部とが激しく衝突すると絶縁基体に欠けや
割れ、クラック等が発生し、その結果、半導体素子を気
密に収容することができず、半導体素子を長期間わたり
正常、且つ安定に作動させることができなくなるという
欠点を有していた。
来の配線基板は、絶縁基体を構成する酸化アルミニウム
質焼結体等のセラミックスが硬くて脆い性質を有するた
め、搬送工程や半導体装置製作の自動ライン等において
配線基板同士が、あるいは配線基板と半導体装置製作自
動ラインの一部とが激しく衝突すると絶縁基体に欠けや
割れ、クラック等が発生し、その結果、半導体素子を気
密に収容することができず、半導体素子を長期間わたり
正常、且つ安定に作動させることができなくなるという
欠点を有していた。
【0005】また前記配線基板の製造方法によれば、セ
ラミック生成形体を焼成する際、各セラミックグリーン
シートにおけるセラミック原料粉末の密度のバラツキに
起因してセラミック生成形体に不均一な焼成収縮が発生
して得られる配線基板に反り等の変形や寸法のバラツキ
が生じ、変形や寸法のバラツキが大きいと配線導体に断
線を招来するという欠点も有していた。
ラミック生成形体を焼成する際、各セラミックグリーン
シートにおけるセラミック原料粉末の密度のバラツキに
起因してセラミック生成形体に不均一な焼成収縮が発生
して得られる配線基板に反り等の変形や寸法のバラツキ
が生じ、変形や寸法のバラツキが大きいと配線導体に断
線を招来するという欠点も有していた。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は60
重量%乃至95重量%の無機絶縁物粉末と5重量%乃至
40重量%の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶縁物
粉末を前記熱硬化性樹脂により結合した少なくとも1枚
の絶縁基板から成る絶縁基体に、金属粉末を融点が30
0℃以下の低融点金属で接合させて、あるいは融点が3
00℃以下の低融点金属粉末を相互に溶融接合させて形
成される金属部材と、熱硬化性樹脂に導電性を有する樹
脂を配合した導電性熱硬化性樹脂とから成る配線導体を
被着させたことを特徴とするである。
重量%乃至95重量%の無機絶縁物粉末と5重量%乃至
40重量%の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶縁物
粉末を前記熱硬化性樹脂により結合した少なくとも1枚
の絶縁基板から成る絶縁基体に、金属粉末を融点が30
0℃以下の低融点金属で接合させて、あるいは融点が3
00℃以下の低融点金属粉末を相互に溶融接合させて形
成される金属部材と、熱硬化性樹脂に導電性を有する樹
脂を配合した導電性熱硬化性樹脂とから成る配線導体を
被着させたことを特徴とするである。
【0007】また本発明の配線基板の製造方法は、熱硬
化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆
体シートを準備する工程と、前記前駆体シートに導電性
熱硬化性樹脂前駆体と、融点が300℃以下の低融点金
属粉末と金属粉末または融点が300℃以下の低融点金
属粉末とを混合して成る金属ペーストを所定パターンに
印刷する工程と、前記前駆体シート及び金属ペーストの
熱硬化性樹脂前駆体を加熱し、金属ペースト中の金属粉
末を融点が300℃以下の低融点金属粉末で接合させつ
つ、或いは融点が300℃以下の低融点金属粉末を相互
に接合させつつ前記前駆体シートの熱硬化性樹脂前駆体
及び金属ペーストの導電性熱硬化性樹脂前駆体を熱硬化
させる工程と、から成ることを特徴とするものである。
化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆
体シートを準備する工程と、前記前駆体シートに導電性
熱硬化性樹脂前駆体と、融点が300℃以下の低融点金
属粉末と金属粉末または融点が300℃以下の低融点金
属粉末とを混合して成る金属ペーストを所定パターンに
印刷する工程と、前記前駆体シート及び金属ペーストの
熱硬化性樹脂前駆体を加熱し、金属ペースト中の金属粉
末を融点が300℃以下の低融点金属粉末で接合させつ
つ、或いは融点が300℃以下の低融点金属粉末を相互
に接合させつつ前記前駆体シートの熱硬化性樹脂前駆体
及び金属ペーストの導電性熱硬化性樹脂前駆体を熱硬化
させる工程と、から成ることを特徴とするものである。
【0008】本発明の配線基板によれば、絶縁基体が無
機絶縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹脂で結合するこ
とによって形成されていることから配線基板同士あるい
は配線基板と半導体装置製作自動ラインの一部とが激し
く衝突しても絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が発生
することはない。
機絶縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹脂で結合するこ
とによって形成されていることから配線基板同士あるい
は配線基板と半導体装置製作自動ラインの一部とが激し
く衝突しても絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が発生
することはない。
【0009】また本発明の配線基板によれば配線導体
を、金属粉末を融点が300℃以下の低融点金属で接合
させて、あるいは融点が300℃以下の低融点金属粉末
を相互に溶融接合させて形成される金属部材と導電性
で、且つ熱硬化性である樹脂とで形成したことから金属
粉末間あるいは融点が300℃以下の低融点金属粉末間
の電気的接続が確実となり、その結果、配線導体の電気
抵抗を低抵抗となすことができ、同時に配線導体の露出
する表面にメッキ金属層を良好に被着させ、配線導体の
表面をメッキ金属層で完全に被覆することができる。
を、金属粉末を融点が300℃以下の低融点金属で接合
させて、あるいは融点が300℃以下の低融点金属粉末
を相互に溶融接合させて形成される金属部材と導電性
で、且つ熱硬化性である樹脂とで形成したことから金属
粉末間あるいは融点が300℃以下の低融点金属粉末間
の電気的接続が確実となり、その結果、配線導体の電気
抵抗を低抵抗となすことができ、同時に配線導体の露出
する表面にメッキ金属層を良好に被着させ、配線導体の
表面をメッキ金属層で完全に被覆することができる。
【0010】更に本発明の配線基板は熱硬化性樹脂前駆
体と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体シートを準
備する工程と、前記前駆体シートに導電性熱硬化性樹脂
前駆体と、融点が300℃以下の低融点金属粉末と金属
粉末または融点が300℃以下の低融点金属粉末とを混
合して成る金属ペーストを所定パターンに印刷する工程
と、前記前駆体シート及び金属ペーストの熱硬化性樹脂
前駆体を加熱し、金属ペースト中の金属粉末を融点が3
00℃以下の低融点金属粉末で接合させつつ、或いは融
点が300℃以下の低融点金属粉末を相互に接合させつ
つ前記前駆体シートの熱硬化性樹脂前駆体及び金属ペー
ストの導電性熱硬化性樹脂前駆体を熱硬化させる工程と
により配線基板を製作することから焼成に伴う不均一な
収縮による変形や寸法のばらつきが発生することはな
い。
体と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体シートを準
備する工程と、前記前駆体シートに導電性熱硬化性樹脂
前駆体と、融点が300℃以下の低融点金属粉末と金属
粉末または融点が300℃以下の低融点金属粉末とを混
合して成る金属ペーストを所定パターンに印刷する工程
と、前記前駆体シート及び金属ペーストの熱硬化性樹脂
前駆体を加熱し、金属ペースト中の金属粉末を融点が3
00℃以下の低融点金属粉末で接合させつつ、或いは融
点が300℃以下の低融点金属粉末を相互に接合させつ
つ前記前駆体シートの熱硬化性樹脂前駆体及び金属ペー
ストの導電性熱硬化性樹脂前駆体を熱硬化させる工程と
により配線基板を製作することから焼成に伴う不均一な
収縮による変形や寸法のばらつきが発生することはな
い。
【0011】
【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図1は本発明の配線基板を半導体素子を
収容する半導体素子収納用パッケージに適用した場合の
一実施例を示し、1は絶縁基体、2は配線導体である。
この配線導体2を絶縁基体1に被着させたものが配線基
板となる。
細に説明する。図1は本発明の配線基板を半導体素子を
収容する半導体素子収納用パッケージに適用した場合の
一実施例を示し、1は絶縁基体、2は配線導体である。
この配線導体2を絶縁基体1に被着させたものが配線基
板となる。
【0012】前記絶縁基体1は3枚の絶縁基板1a、1
b、1cを積層することによって形成されており、その
上面の中央部に半導体素子を収容するための凹部1dを
有し、該凹部1d底面には半導体素子3が樹脂等の接着
剤を介して接着固定される。
b、1cを積層することによって形成されており、その
上面の中央部に半導体素子を収容するための凹部1dを
有し、該凹部1d底面には半導体素子3が樹脂等の接着
剤を介して接着固定される。
【0013】前記絶縁基体1を構成する3枚の絶縁基板
1a、1b、1cは例えば、酸化珪素、酸化アルミニウ
ム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸バリウム、
チタン酸ストロンチウム、酸化チタン等の無機絶縁物粉
末をエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエ
ーテル樹脂等の熱硬化性樹脂で結合することによって形
成されており、絶縁基体1を構成する3枚の絶縁基板1
a、1b、1cはその各々が無機絶縁物粉末を靱性に優
れる熱硬化性樹脂で結合することによって形成されてい
ることから絶縁基体1に外力が印加されても該外力によ
って絶縁基体1に欠けや割れ、クラック等が発生するこ
とはない。
1a、1b、1cは例えば、酸化珪素、酸化アルミニウ
ム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸バリウム、
チタン酸ストロンチウム、酸化チタン等の無機絶縁物粉
末をエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエ
ーテル樹脂等の熱硬化性樹脂で結合することによって形
成されており、絶縁基体1を構成する3枚の絶縁基板1
a、1b、1cはその各々が無機絶縁物粉末を靱性に優
れる熱硬化性樹脂で結合することによって形成されてい
ることから絶縁基体1に外力が印加されても該外力によ
って絶縁基体1に欠けや割れ、クラック等が発生するこ
とはない。
【0014】尚、前記無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で
結合して成る絶縁基体1を構成する3枚の絶縁基板1
a、1b、1cは無機絶縁物粉末の含有量が60重量%
未満であると絶縁基体1の熱膨張係数が半導体素子3の
熱膨張係数に対して大きく相違し、半導体素子3が作動
時に熱を発し、該熱が半導体素子3と絶縁基体1の両者
に印加されると両者間に両者の熱膨張係数の相違に起因
する大きな熱応力が発生し、この大きな熱応力によって
半導体素子3が絶縁基体1より剥離したり、半導体素子
3に割れや欠け等が発生してしまう。また95重量%を
越えると無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で完全に結合さ
せることができず、所定の絶縁基板1a、1b、1cを
得ることができなくなる。従って、前記絶縁基体1を構
成する絶縁基板1a、1b、1cはその各々の内部に含
有される無機絶縁物粉末の量が60乃至95重量%の範
囲に特定される。
結合して成る絶縁基体1を構成する3枚の絶縁基板1
a、1b、1cは無機絶縁物粉末の含有量が60重量%
未満であると絶縁基体1の熱膨張係数が半導体素子3の
熱膨張係数に対して大きく相違し、半導体素子3が作動
時に熱を発し、該熱が半導体素子3と絶縁基体1の両者
に印加されると両者間に両者の熱膨張係数の相違に起因
する大きな熱応力が発生し、この大きな熱応力によって
半導体素子3が絶縁基体1より剥離したり、半導体素子
3に割れや欠け等が発生してしまう。また95重量%を
越えると無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で完全に結合さ
せることができず、所定の絶縁基板1a、1b、1cを
得ることができなくなる。従って、前記絶縁基体1を構
成する絶縁基板1a、1b、1cはその各々の内部に含
有される無機絶縁物粉末の量が60乃至95重量%の範
囲に特定される。
【0015】また前記絶縁基体1はその凹部1d周辺か
ら下面にかけて配線導体2が被着形成されており、該配
線導体2は銅から成る金属粉末を融点が300℃以下の
錫から成る低融点金属で接合させて、或いは鉛ー錫の共
晶半田から成る融点が300℃以下の低融点金属粉末を
相互に溶融接合させて形成される金属部材と導電性で、
且つ熱硬化性である樹脂とで構成されている。
ら下面にかけて配線導体2が被着形成されており、該配
線導体2は銅から成る金属粉末を融点が300℃以下の
錫から成る低融点金属で接合させて、或いは鉛ー錫の共
晶半田から成る融点が300℃以下の低融点金属粉末を
相互に溶融接合させて形成される金属部材と導電性で、
且つ熱硬化性である樹脂とで構成されている。
【0016】前記配線導体2は半導体素子3の電極を外
部電気回路に接続する作用を為し、絶縁基体1の凹部1
d周辺部位に位置する配線導体2には半導体素子3の各
電極がボンディングワイヤ4を介して電気的に接続さ
れ、また絶縁基体1の下面に導出される部位は外部電気
回路に電気的に接続される。
部電気回路に接続する作用を為し、絶縁基体1の凹部1
d周辺部位に位置する配線導体2には半導体素子3の各
電極がボンディングワイヤ4を介して電気的に接続さ
れ、また絶縁基体1の下面に導出される部位は外部電気
回路に電気的に接続される。
【0017】前記配線導体2はまた金属粉末を融点が3
00℃以下の低融点金属で接合させて、或いは融点が3
00℃以下の低融点金属粉末を相互に溶融接合させて形
成される金属部材と導電性で、且つ熱硬化性である樹脂
とで構成されているため各金属粉末間あるいは融点が3
00℃以下の低融点金属粉末間の電気的接続が確実とな
り、その結果、配線導体2の電気抵抗を低抵抗となすこ
とができる。
00℃以下の低融点金属で接合させて、或いは融点が3
00℃以下の低融点金属粉末を相互に溶融接合させて形
成される金属部材と導電性で、且つ熱硬化性である樹脂
とで構成されているため各金属粉末間あるいは融点が3
00℃以下の低融点金属粉末間の電気的接続が確実とな
り、その結果、配線導体2の電気抵抗を低抵抗となすこ
とができる。
【0018】更に前記配線導体2は金属粉末を融点が3
00℃以下の低融点金属で接合させて、或いは融点が3
00℃以下の低融点金属粉末を相互に溶融接合させて形
成される金属部材と導電性で、且つ熱硬化性である樹脂
とで構成されているため露出する表面に良導電性で、且
つロウ材と濡れ性が良いニッケル、金等の金属を電解メ
ッキ法により所定厚みに層着させることができ、これに
よって配線導体2とボンディングワイヤ4との接合を強
固とし、半導体素子3の各電極を配線導体2にボンディ
ングワイヤ4を介して確実、強固に電気的接続すること
ができる。
00℃以下の低融点金属で接合させて、或いは融点が3
00℃以下の低融点金属粉末を相互に溶融接合させて形
成される金属部材と導電性で、且つ熱硬化性である樹脂
とで構成されているため露出する表面に良導電性で、且
つロウ材と濡れ性が良いニッケル、金等の金属を電解メ
ッキ法により所定厚みに層着させることができ、これに
よって配線導体2とボンディングワイヤ4との接合を強
固とし、半導体素子3の各電極を配線導体2にボンディ
ングワイヤ4を介して確実、強固に電気的接続すること
ができる。
【0019】尚、前記配線基板2の内部に含有される金
属粉末や融点が300℃以下の低融点金属粉末はその総
量が配線導体2の全重量に対し、70重量%未満となる
と低融点金属による金属粉末間の接合、或いは低融点金
属粉末同士の良好な接合が困難となって配線導体2の電
気抵抗が高くなってしまい、また95重量%を越えると
配線導体2を絶縁基体1に強固に被着させることが困難
となる傾向にある。従って、前記配線導体2に含有され
る金属粉末や融点が300℃以下の低融点金属粉末はそ
の総量が配線導体2の全重量に対し70重量%乃至95
重量%の範囲としておくことが好ましい。
属粉末や融点が300℃以下の低融点金属粉末はその総
量が配線導体2の全重量に対し、70重量%未満となる
と低融点金属による金属粉末間の接合、或いは低融点金
属粉末同士の良好な接合が困難となって配線導体2の電
気抵抗が高くなってしまい、また95重量%を越えると
配線導体2を絶縁基体1に強固に被着させることが困難
となる傾向にある。従って、前記配線導体2に含有され
る金属粉末や融点が300℃以下の低融点金属粉末はそ
の総量が配線導体2の全重量に対し70重量%乃至95
重量%の範囲としておくことが好ましい。
【0020】また前記配線導体2に含有される金属粉末
や融点が300℃以下の低融点金属粉末はその平均粒径
が0.1μm未満となると金属粉末や低融点金属粉末が
凝集して均一な分散が得られなくなり、また50μmを
越えると配線導体2の幅を一般的に要求される50μm
乃至200μmの範囲とするのが困難となる傾向にあ
る。従って、前記配線導体2に含有される金属粉末や融
点が300℃以下の低融点金属粉末はその平均粒径を
0.1μm乃至50μmの範囲としておくことが好まし
い。
や融点が300℃以下の低融点金属粉末はその平均粒径
が0.1μm未満となると金属粉末や低融点金属粉末が
凝集して均一な分散が得られなくなり、また50μmを
越えると配線導体2の幅を一般的に要求される50μm
乃至200μmの範囲とするのが困難となる傾向にあ
る。従って、前記配線導体2に含有される金属粉末や融
点が300℃以下の低融点金属粉末はその平均粒径を
0.1μm乃至50μmの範囲としておくことが好まし
い。
【0021】更に前記配線導体2を構成する導電性で、
且つ熱硬化性である樹脂としてはエポキシ樹脂やフェノ
ール樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂にポリアセ
チレン系樹脂やポリフェニレン樹脂等の導電性を有する
樹脂を配合することによって得られる。
且つ熱硬化性である樹脂としてはエポキシ樹脂やフェノ
ール樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂にポリアセ
チレン系樹脂やポリフェニレン樹脂等の導電性を有する
樹脂を配合することによって得られる。
【0022】かくして上述の配線基板によれば、絶縁基
体1の凹部1d底面に半導体素子3を樹脂等の接着剤を
介して接着固定するとともに半導体素子3の各電極をボ
ンディングワイヤ4を介して配線導体2に電気的に接続
し、しかる後、絶縁基体1の上面に蓋体5を樹脂等から
成る封止材を介して接合させ、絶縁基体1と蓋体5とか
ら成る容器内部に半導体素子3を気密に収容することに
よって製品としての半導体装置が完成する。
体1の凹部1d底面に半導体素子3を樹脂等の接着剤を
介して接着固定するとともに半導体素子3の各電極をボ
ンディングワイヤ4を介して配線導体2に電気的に接続
し、しかる後、絶縁基体1の上面に蓋体5を樹脂等から
成る封止材を介して接合させ、絶縁基体1と蓋体5とか
ら成る容器内部に半導体素子3を気密に収容することに
よって製品としての半導体装置が完成する。
【0023】次に前記半導体素子収納用パッケージに使
用される配線基板の製造方法について図2に基づき説明
する。
用される配線基板の製造方法について図2に基づき説明
する。
【0024】まず図2(a)に示すように3枚の前駆体
シート11a、11b、11cを準備する。
シート11a、11b、11cを準備する。
【0025】前記3枚の前駆体シート11a、11b、
11cは無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂前駆体で結合す
ることによって形成されており、例えば粒径が0.1〜
100μmの酸化珪素粉末に、ビスフェノールA型エポ
キシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエス
テル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂及びアミン系硬化
剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化
剤を添加混合してペースト状となし、しかる後、このペ
ーストをシート状になすとともに約25〜100℃の温
度で1〜60分間加熱し、半硬化させることによって製
作される。
11cは無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂前駆体で結合す
ることによって形成されており、例えば粒径が0.1〜
100μmの酸化珪素粉末に、ビスフェノールA型エポ
キシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエス
テル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂及びアミン系硬化
剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化
剤を添加混合してペースト状となし、しかる後、このペ
ーストをシート状になすとともに約25〜100℃の温
度で1〜60分間加熱し、半硬化させることによって製
作される。
【0026】次に図2(b)に示すように前記3枚の前
駆体シート11a、11b、11cのうち2枚の前駆体
シート11a、11bに半導体素子3を収容する凹部1
dとなる開口A、A’を、2枚の前駆体シート11b、
11cに配線導体2を引き回すための貫通孔B、B’を
各々形成する。
駆体シート11a、11b、11cのうち2枚の前駆体
シート11a、11bに半導体素子3を収容する凹部1
dとなる開口A、A’を、2枚の前駆体シート11b、
11cに配線導体2を引き回すための貫通孔B、B’を
各々形成する。
【0027】前記開口A、A’及び貫通孔B、B’は前
駆体シート11a、11b、11cに従来周知のパンチ
ング加工法を施し、前駆体シート11a、11b、11
cの各々に所定形状の孔を穿孔することによって形成さ
れる。
駆体シート11a、11b、11cに従来周知のパンチ
ング加工法を施し、前駆体シート11a、11b、11
cの各々に所定形状の孔を穿孔することによって形成さ
れる。
【0028】次に図2(c)に示すように、前記前駆体
シート11b、11cの上下面及び貫通孔B、B’内に
配線導体2となる金属ペースト12を従来周知のスクリ
ーン印刷法により所定パターンに印刷塗布するとともに
これを約25〜100℃の温度で1〜60分間加熱し半
硬化させることによって製作される。
シート11b、11cの上下面及び貫通孔B、B’内に
配線導体2となる金属ペースト12を従来周知のスクリ
ーン印刷法により所定パターンに印刷塗布するとともに
これを約25〜100℃の温度で1〜60分間加熱し半
硬化させることによって製作される。
【0029】前記金属ペースト12としては例えば、金
属粉末として粒径が0.1μm〜20μm程度の銅粉末
に、粒径が0.1μm〜20μm程度の錫から成る低融
点金属粉末を、前記銅粉末と低融点金属粉末とが重量比
で95:5〜5:95の割合に混合されたもの、或いは
粒径が1μm〜50μm程度の鉛ー錫の共晶半田から成
る低融点金属粉末に、ビスフェノールA型エポキシ樹
脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂に導電性を有するポリア
セチレン系樹脂やポリフェニレン樹脂等を配合させると
ともにアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水
物系硬化剤等の硬化剤を添加した導電性熱硬化性樹脂前
駆体を混合させてペースト状となしたものが使用され
る。
属粉末として粒径が0.1μm〜20μm程度の銅粉末
に、粒径が0.1μm〜20μm程度の錫から成る低融
点金属粉末を、前記銅粉末と低融点金属粉末とが重量比
で95:5〜5:95の割合に混合されたもの、或いは
粒径が1μm〜50μm程度の鉛ー錫の共晶半田から成
る低融点金属粉末に、ビスフェノールA型エポキシ樹
脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂に導電性を有するポリア
セチレン系樹脂やポリフェニレン樹脂等を配合させると
ともにアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水
物系硬化剤等の硬化剤を添加した導電性熱硬化性樹脂前
駆体を混合させてペースト状となしたものが使用され
る。
【0030】そして最後に前記3枚の前駆体シート11
a、11b、11cを上下に積層するとともにこれを約
300℃の温度で約10秒〜24時間加熱し、前記金属
ペースト中の銅粉末を低融点金属粉末で接合させつつ、
或いは錫から成る低融点金属粉末を相互に接合させつつ
前駆体シート11a、11b、11cの熱硬化性樹脂前
駆体と、前駆体シート11b、11cに所定パターンに
印刷塗布された金属ペースト12の導電性熱硬化性樹脂
前駆体とを完全に熱硬化させることによって図1に示す
ような絶縁基体1に配線導体2を被着させた半導体素子
収納用パッケージに使用される配線基板が完成する。こ
の場合、前記前駆体シート11a、11b、11c及び
金属ペースト12は熱硬化時に収縮することは殆どな
く、従って、得られる配線基板に変形や寸法にバラツキ
が発生せず、配線導体2に断線が招来することはなく、
配線導体2を介して半導体素子3等の電極を外部電気回
路に確実に電気的接続することが可能となる。
a、11b、11cを上下に積層するとともにこれを約
300℃の温度で約10秒〜24時間加熱し、前記金属
ペースト中の銅粉末を低融点金属粉末で接合させつつ、
或いは錫から成る低融点金属粉末を相互に接合させつつ
前駆体シート11a、11b、11cの熱硬化性樹脂前
駆体と、前駆体シート11b、11cに所定パターンに
印刷塗布された金属ペースト12の導電性熱硬化性樹脂
前駆体とを完全に熱硬化させることによって図1に示す
ような絶縁基体1に配線導体2を被着させた半導体素子
収納用パッケージに使用される配線基板が完成する。こ
の場合、前記前駆体シート11a、11b、11c及び
金属ペースト12は熱硬化時に収縮することは殆どな
く、従って、得られる配線基板に変形や寸法にバラツキ
が発生せず、配線導体2に断線が招来することはなく、
配線導体2を介して半導体素子3等の電極を外部電気回
路に確実に電気的接続することが可能となる。
【0031】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では本発明
の配線基板を半導体素子を収容する半導体素子収納用パ
ッケージに適用した場合を例に採って説明したが、これ
を混成集積回路基板に適用してもよい。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では本発明
の配線基板を半導体素子を収容する半導体素子収納用パ
ッケージに適用した場合を例に採って説明したが、これ
を混成集積回路基板に適用してもよい。
【0032】また上述の実施例では3枚の前駆体シート
を積層することによって配線基板を製作したが、1枚や
2枚、あるいは4枚以上の前駆体シートを使用して配線
基板を製作してもよい。
を積層することによって配線基板を製作したが、1枚や
2枚、あるいは4枚以上の前駆体シートを使用して配線
基板を製作してもよい。
【0033】
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、絶縁基体が
無機絶縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹脂で結合する
ことによって形成されていることから、配線基板同士あ
るいは配線基板と半導体装置製作自動ラインの一部とが
激しく衝突しても絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が
発生することはない。
無機絶縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹脂で結合する
ことによって形成されていることから、配線基板同士あ
るいは配線基板と半導体装置製作自動ラインの一部とが
激しく衝突しても絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が
発生することはない。
【0034】また本発明の配線基板によれば、配線導体
を、金属粉末を融点が300℃以下の低融点金属で接合
させて、あるいは融点が300℃以下の低融点金属粉末
を相互に溶融接合させて形成される金属部材と、熱硬化
性樹脂に導電性を有する樹脂を配合した導電性熱硬化性
樹脂とで形成したことから、金属粉末間あるいは融点が
300℃以下の低融点金属粉末間の電気的接続が確実と
なり、その結果、配線導体の電気抵抗を低抵抗となすこ
とができ、同時に配線導体の露出する表面にメッキ金属
層を良好に被着させ、配線導体の表面をメッキ金属層で
完全に被覆することができる。
を、金属粉末を融点が300℃以下の低融点金属で接合
させて、あるいは融点が300℃以下の低融点金属粉末
を相互に溶融接合させて形成される金属部材と、熱硬化
性樹脂に導電性を有する樹脂を配合した導電性熱硬化性
樹脂とで形成したことから、金属粉末間あるいは融点が
300℃以下の低融点金属粉末間の電気的接続が確実と
なり、その結果、配線導体の電気抵抗を低抵抗となすこ
とができ、同時に配線導体の露出する表面にメッキ金属
層を良好に被着させ、配線導体の表面をメッキ金属層で
完全に被覆することができる。
【0035】更に本発明の配線基板は熱硬化性樹脂前駆
体と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体シートを準
備する工程と、前記前駆体シートに導電性熱硬化性樹脂
前駆体と、融点が300℃以下の低融点金属粉末と金属
粉末または融点が300℃以下の低融点金属粉末とを混
合して成る金属ペーストを所定パターンに印刷する工程
と、前記前駆体シート及び金属ペーストの熱硬化性樹脂
前駆体を加熱し、金属ペースト中の金属粉末を融点が3
00℃以下の低融点金属粉末で接合させつつ、或いは融
点が300℃以下の低融点金属粉末を相互に接合させつ
つ前記前駆体シートの熱硬化性樹脂前駆体及び金属ペー
ストの導電性熱硬化性樹脂前駆体を熱硬化させる工程と
により配線基板を製作することから焼成に伴う不均一な
収縮による変形や寸法のばらつきが発生することはな
い。
体と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆体シートを準
備する工程と、前記前駆体シートに導電性熱硬化性樹脂
前駆体と、融点が300℃以下の低融点金属粉末と金属
粉末または融点が300℃以下の低融点金属粉末とを混
合して成る金属ペーストを所定パターンに印刷する工程
と、前記前駆体シート及び金属ペーストの熱硬化性樹脂
前駆体を加熱し、金属ペースト中の金属粉末を融点が3
00℃以下の低融点金属粉末で接合させつつ、或いは融
点が300℃以下の低融点金属粉末を相互に接合させつ
つ前記前駆体シートの熱硬化性樹脂前駆体及び金属ペー
ストの導電性熱硬化性樹脂前駆体を熱硬化させる工程と
により配線基板を製作することから焼成に伴う不均一な
収縮による変形や寸法のばらつきが発生することはな
い。
【図1】本発明の配線基板を半導体素子収納用パッケー
ジに適用した場合の一実施例を示す断面図である。
ジに適用した場合の一実施例を示す断面図である。
【図2】(a)乃至(c)は本発明の配線基板の製造方
法を説明するための各工程毎の断面図である。
法を説明するための各工程毎の断面図である。
1・・・・・・・・・・・・・絶縁基体 1a、1b、1c・・・・・・絶縁基板 2・・・・・・・・・・・・・配線導体 11a、11b、11c・・・前駆体シート 12・・・・・・・・・・・・金属ペースト
Claims (2)
- 【請求項1】60重量%乃至95重量%の無機絶縁物粉
末と5重量%乃至40重量%の熱硬化性樹脂とから成
り、前記無機絶縁物粉末を前記熱硬化性樹脂により結合
した少なくとも1枚の絶縁基板から成る絶縁基体に、金
属粉末を融点が300℃以下の低融点金属で接合させ
て、あるいは融点が300℃以下の低融点金属粉末を相
互に溶融接合させて形成される金属部材と、熱硬化性樹
脂に導電性を有する樹脂を配合した導電性熱硬化性樹脂
とから成る配線導体を被着させた配線基板。 - 【請求項2】熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを
混合して成る前駆体シートを準備する工程と、前記前駆
体シートに導電性熱硬化性樹脂前駆体と、融点が300
℃以下の低融点金属粉末と金属粉末または融点が300
℃以下の低融点金属粉末とを混合して成る金属ペースト
を所定パターンに印刷する工程と、電気前駆体シート及
び金属ペーストの熱硬化性樹脂前駆体を加熱し、金属ペ
ースト中の金属粉末を融点が300℃以下の低融点金属
粉末で接合させつつ、或いは融点が300℃以下の低融
点金属粉末を相互に接合させつつ前記前駆体シートの熱
硬化性樹脂前駆体及び金属ペーストの導電性熱硬化性樹
脂前駆体を熱硬化させる工程と、から成ることを特徴と
する配線基板の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24446995A JP3145619B2 (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 配線基板及びその製造方法 |
US08/717,119 US5837356A (en) | 1995-09-22 | 1996-09-20 | Wiring board and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24446995A JP3145619B2 (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 配線基板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0992947A JPH0992947A (ja) | 1997-04-04 |
JP3145619B2 true JP3145619B2 (ja) | 2001-03-12 |
Family
ID=17119124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24446995A Expired - Fee Related JP3145619B2 (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 配線基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3145619B2 (ja) |
-
1995
- 1995-09-22 JP JP24446995A patent/JP3145619B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JPH0992947A (ja) | 1997-04-04 |
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---|---|---|---|
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