JP3292624B2 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を収容する
ための半導体素子収納用パッケージや混成集積回路基板
等に用いられる配線基板に関するものである。
ための半導体素子収納用パッケージや混成集積回路基板
等に用いられる配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、配線基板、例えば半導体素子を収
容する半導体素子収納用パッケージに使用される配線基
板として、比較的高密度の配線が可能な積層セラミック
ス配線基板が多用されている。この配線基板は、酸化ア
ルミニウム質焼結体等のセラミックスより成り、その上
面中央部に半導体素子を収容する凹部を有する絶縁基体
と、前記絶縁基体の凹部周辺から下面にかけて導出され
たタングステン、モリブデン等の高融点金属粉末から成
る配線導体とから構成されており、前記絶縁基体の凹部
底面に半導体素子をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を
介して接着固定するとともに該半導体素子の各電極を例
えばボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して配
線導体に電気的に接続し、しかる後、前記絶縁基体の上
面に、金属やセラミックス等から成る蓋体を絶縁基体の
凹部を塞ぐようにしてガラス、樹脂、ロウ材等の封止材
を介して接合させ、絶縁基体の凹部内に半導体素子を気
密に収容することによって製品としての半導体装置とな
る。
容する半導体素子収納用パッケージに使用される配線基
板として、比較的高密度の配線が可能な積層セラミック
ス配線基板が多用されている。この配線基板は、酸化ア
ルミニウム質焼結体等のセラミックスより成り、その上
面中央部に半導体素子を収容する凹部を有する絶縁基体
と、前記絶縁基体の凹部周辺から下面にかけて導出され
たタングステン、モリブデン等の高融点金属粉末から成
る配線導体とから構成されており、前記絶縁基体の凹部
底面に半導体素子をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を
介して接着固定するとともに該半導体素子の各電極を例
えばボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して配
線導体に電気的に接続し、しかる後、前記絶縁基体の上
面に、金属やセラミックス等から成る蓋体を絶縁基体の
凹部を塞ぐようにしてガラス、樹脂、ロウ材等の封止材
を介して接合させ、絶縁基体の凹部内に半導体素子を気
密に収容することによって製品としての半導体装置とな
る。
【０００３】またこの従来の配線基板は、一般にセラミ
ックグリーンシート積層法によって製作され、具体的に
は、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、
酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バ
インダー、溶剤等を添加混合して泥漿状となすとともに
これを従来周知のドクターブレード法を採用しシート状
とすることによって複数のセラミックグリーンシートを
得、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な
打ち抜き加工を施すとともに配線導体となる金属ペース
トを所定パターンに印刷塗布し、最後に前記セラミック
グリーンシートを所定の順に上下に積層してセラミック
生成形体となすとともに該セラミック生成形体を還元雰
囲気中、約１６００℃の高温で焼成することによって製
作される。
ックグリーンシート積層法によって製作され、具体的に
は、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、
酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バ
インダー、溶剤等を添加混合して泥漿状となすとともに
これを従来周知のドクターブレード法を採用しシート状
とすることによって複数のセラミックグリーンシートを
得、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な
打ち抜き加工を施すとともに配線導体となる金属ペース
トを所定パターンに印刷塗布し、最後に前記セラミック
グリーンシートを所定の順に上下に積層してセラミック
生成形体となすとともに該セラミック生成形体を還元雰
囲気中、約１６００℃の高温で焼成することによって製
作される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の配線基板は、絶縁基体を構成する酸化アルミニウム
質焼結体等のセラミックスが硬くて脆い性質を有するた
め、搬送工程や半導体装置製作の自動ライン等において
配線基板同士が、あるいは配線基板と半導体装置製作自
動ラインの一部とが激しく衝突すると絶縁基体に欠けや
割れ、クラック等が発生し、その結果、半導体素子を気
密に収容することができず、半導体素子を長期間にわた
り正常、且つ安定に作動させることができなくなるとい
う欠点を有していた。
来の配線基板は、絶縁基体を構成する酸化アルミニウム
質焼結体等のセラミックスが硬くて脆い性質を有するた
め、搬送工程や半導体装置製作の自動ライン等において
配線基板同士が、あるいは配線基板と半導体装置製作自
動ラインの一部とが激しく衝突すると絶縁基体に欠けや
割れ、クラック等が発生し、その結果、半導体素子を気
密に収容することができず、半導体素子を長期間にわた
り正常、且つ安定に作動させることができなくなるとい
う欠点を有していた。
【０００５】また前記配線基板の製造方法によれば、セ
ラミック生成形体を焼成する際、各セラミックグリーン
シートにおけるセラミック原料粉末の密度のバラツキに
起因してセラミック生成形体に不均一な焼成収縮が発生
して得られる配線基板に反り等の変形や寸法のバラツキ
が生じ、変形や寸法のバラツキが大きいと配線導体に断
線を招来するという欠点も有していた。
ラミック生成形体を焼成する際、各セラミックグリーン
シートにおけるセラミック原料粉末の密度のバラツキに
起因してセラミック生成形体に不均一な焼成収縮が発生
して得られる配線基板に反り等の変形や寸法のバラツキ
が生じ、変形や寸法のバラツキが大きいと配線導体に断
線を招来するという欠点も有していた。
【０００６】
【発明の目的】本発明は、かかる従来の半導体素子収納
用パッケージの欠点に鑑み案出されたものであり、その
目的は衝撃力の印加による欠けや割れ等の発生を有効に
防止し、内部に収容する半導体素子を長期間にわたり正
常、且つ安定に作動させることができる配線基板を提供
することにある。
用パッケージの欠点に鑑み案出されたものであり、その
目的は衝撃力の印加による欠けや割れ等の発生を有効に
防止し、内部に収容する半導体素子を長期間にわたり正
常、且つ安定に作動させることができる配線基板を提供
することにある。
【０００７】また本発明の他の目的は反り等の変形や寸
法のバラツキが少なく、配線導体の断線を有効に防止し
て半導体素子等の電極を外部電気回路に確実に電気的接
続することができる配線基板の製造方法を提供すること
にある。
法のバラツキが少なく、配線導体の断線を有効に防止し
て半導体素子等の電極を外部電気回路に確実に電気的接
続することができる配線基板の製造方法を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、６
０乃至９５重量％の無機絶縁物粉末と５乃至４０重量％
の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶縁物粉末を前記
熱硬化性樹脂の前駆体で結合して成る前駆体シートを半
硬化させてその複数枚を積層して熱硬化させた、前記無
機絶縁物粉末を前記熱硬化性樹脂により結合した複数枚
の絶縁基板を積層して成る絶縁基体の前記絶縁基板に、
半硬化の前記前駆体シートとともに熱硬化させた、粒径
０．０５μｍ未満の金属粉末及び粒径０．０５μｍ以上
の金属粉末を熱硬化性樹脂により結合した配線導体を被
着させて成ることを特徴とするものである。
０乃至９５重量％の無機絶縁物粉末と５乃至４０重量％
の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶縁物粉末を前記
熱硬化性樹脂の前駆体で結合して成る前駆体シートを半
硬化させてその複数枚を積層して熱硬化させた、前記無
機絶縁物粉末を前記熱硬化性樹脂により結合した複数枚
の絶縁基板を積層して成る絶縁基体の前記絶縁基板に、
半硬化の前記前駆体シートとともに熱硬化させた、粒径
０．０５μｍ未満の金属粉末及び粒径０．０５μｍ以上
の金属粉末を熱硬化性樹脂により結合した配線導体を被
着させて成ることを特徴とするものである。
【０００９】また本発明の配線基板の製造方法は、熱硬
化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆
体シートを準備する工程と、前記前駆体シートに、熱硬
化性樹脂前駆体と粒径０．０５μｍ未満の金属粉末及び
粒径０．０５μｍ以上の金属粉末を混合して成る金属ペ
ーストを所定パターンに印刷する工程と、前記前駆体シ
ートを加熱して半硬化させる工程と、前記金属ペースト
が印刷された半硬化の前記前駆体シートを複数枚上下に
積層するとともにこれを加熱して前記前駆体シート及び
所定パターンに印刷された前記金属ペーストを熱硬化さ
せる工程とから成ることを特徴とするものである。
化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して成る前駆
体シートを準備する工程と、前記前駆体シートに、熱硬
化性樹脂前駆体と粒径０．０５μｍ未満の金属粉末及び
粒径０．０５μｍ以上の金属粉末を混合して成る金属ペ
ーストを所定パターンに印刷する工程と、前記前駆体シ
ートを加熱して半硬化させる工程と、前記金属ペースト
が印刷された半硬化の前記前駆体シートを複数枚上下に
積層するとともにこれを加熱して前記前駆体シート及び
所定パターンに印刷された前記金属ペーストを熱硬化さ
せる工程とから成ることを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】本発明の配線基板によれば、絶縁基体が無機絶
縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹脂で結合することに
よって形成されていることから配線基板同士あるいは配
線基板と半導体装置製作自動ラインの一部とが激しく衝
突しても絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が発生する
ことはない。
縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹脂で結合することに
よって形成されていることから配線基板同士あるいは配
線基板と半導体装置製作自動ラインの一部とが激しく衝
突しても絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が発生する
ことはない。
【００１１】また本発明の配線基板によれば、配線導体
が粒径０．０５μｍ未満の金属粉末及び粒径０．０５μ
ｍ以上の金属粉末を熱硬化性樹脂で結合することによっ
て形成されており、粒径０．０５μｍ以上の金属粉末間
に粒径０．０５μｍ未満の金属粉末が入り込み、各金属
粉末間の接触が助長されて配線導体の電気抵抗が低抵抗
となる。
が粒径０．０５μｍ未満の金属粉末及び粒径０．０５μ
ｍ以上の金属粉末を熱硬化性樹脂で結合することによっ
て形成されており、粒径０．０５μｍ以上の金属粉末間
に粒径０．０５μｍ未満の金属粉末が入り込み、各金属
粉末間の接触が助長されて配線導体の電気抵抗が低抵抗
となる。
【００１２】更に本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して
成る前駆体シート、及び熱硬化性樹脂前駆体と粒径０．
０５μｍ未満の金属粉末及び粒径０．０５μｍ以上の金
属粉末を混合して成る金属ペーストを熱硬化させること
によって製作され、焼成工程がないことから不均一な焼
成収縮に起因する変形や寸法のバラツキは発生せず、そ
の結果、配線導体に断線が招来することもなく、配線導
体を介して半導体素子等の電極を外部電気回路に確実に
電気的接続することが可能となる。
ば、熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して
成る前駆体シート、及び熱硬化性樹脂前駆体と粒径０．
０５μｍ未満の金属粉末及び粒径０．０５μｍ以上の金
属粉末を混合して成る金属ペーストを熱硬化させること
によって製作され、焼成工程がないことから不均一な焼
成収縮に起因する変形や寸法のバラツキは発生せず、そ
の結果、配線導体に断線が招来することもなく、配線導
体を介して半導体素子等の電極を外部電気回路に確実に
電気的接続することが可能となる。
【００１３】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図１は本発明の配線基板を半導体素子を収容する半
導体素子収納用パッケージに適用した場合の一実施例を
示し、１は絶縁基体、２は配線導体である。この配線導
体２を絶縁基体１に被着させたものが配線基板となる。
る。図１は本発明の配線基板を半導体素子を収容する半
導体素子収納用パッケージに適用した場合の一実施例を
示し、１は絶縁基体、２は配線導体である。この配線導
体２を絶縁基体１に被着させたものが配線基板となる。
【００１４】前記絶縁基体１は３枚の絶縁基板１ａ、１
ｂ、１ｃを積層することによって形成されており、その
上面の中央部に半導体素子を収容するための凹部１ｄを
有し、該凹部１ｄ底面には半導体素子３が樹脂等の接着
材を介して接着固定される。
ｂ、１ｃを積層することによって形成されており、その
上面の中央部に半導体素子を収容するための凹部１ｄを
有し、該凹部１ｄ底面には半導体素子３が樹脂等の接着
材を介して接着固定される。
【００１５】前記絶縁基体１を構成する３枚の絶縁基板
１ａ、１ｂ、１ｃは例えば酸化珪素、酸化アルミニウ
ム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸バリウム等
の無機絶縁物粉末をエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の
熱硬化性樹脂で結合することによって形成されており、
絶縁基体１を構成する３枚の絶縁基板１ａ、１ｂ、１ｃ
はその各々が無機絶縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹
脂で結合することによって形成されていることから絶縁
基体１に外力が印加されても該外力によって絶縁基体１
に欠けや割れ、クラック等が発生することはない。
１ａ、１ｂ、１ｃは例えば酸化珪素、酸化アルミニウ
ム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸バリウム等
の無機絶縁物粉末をエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の
熱硬化性樹脂で結合することによって形成されており、
絶縁基体１を構成する３枚の絶縁基板１ａ、１ｂ、１ｃ
はその各々が無機絶縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹
脂で結合することによって形成されていることから絶縁
基体１に外力が印加されても該外力によって絶縁基体１
に欠けや割れ、クラック等が発生することはない。
【００１６】尚、前記無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で
結合して成る絶縁基体１を構成する３枚の絶縁基板１
ａ、１ｂ、１ｃは無機絶縁物粉末の含有量が６０重量％
未満であると絶縁基体１の熱膨脹係数が半導体素子３の
熱膨脹係数に対して大きく相違し、半導体素子３が作動
時に熱を発し、該熱が半導体素子３と絶縁基体１の両者
に印加されると両者間に両者の熱膨脹係数の相違に起因
する大きな熱応力が発生し、この大きな熱応力によって
半導体素子３が絶縁基体１より剥離したり、半導体素子
３に割れや欠け等が発生してしまう。また９５重量％を
超えると無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で完全に結合さ
せることができず、所定の絶縁基板１ａ、１ｂ、１ｃを
得ることができなくなる。従って、前記絶縁基体１を構
成する絶縁基板１ａ、１ｂ、１ｃはその各々の内部に含
有される無機絶縁物粉末の量が６０乃至９５重量％の範
囲に特定される。
結合して成る絶縁基体１を構成する３枚の絶縁基板１
ａ、１ｂ、１ｃは無機絶縁物粉末の含有量が６０重量％
未満であると絶縁基体１の熱膨脹係数が半導体素子３の
熱膨脹係数に対して大きく相違し、半導体素子３が作動
時に熱を発し、該熱が半導体素子３と絶縁基体１の両者
に印加されると両者間に両者の熱膨脹係数の相違に起因
する大きな熱応力が発生し、この大きな熱応力によって
半導体素子３が絶縁基体１より剥離したり、半導体素子
３に割れや欠け等が発生してしまう。また９５重量％を
超えると無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で完全に結合さ
せることができず、所定の絶縁基板１ａ、１ｂ、１ｃを
得ることができなくなる。従って、前記絶縁基体１を構
成する絶縁基板１ａ、１ｂ、１ｃはその各々の内部に含
有される無機絶縁物粉末の量が６０乃至９５重量％の範
囲に特定される。
【００１７】また前記絶縁基体１はその凹部１ｄ周辺か
ら下面にかけて配線導体２が被着形成されており、該配
線導体２は銅、銀、金等の金属粉末をエポキシ樹脂等の
熱硬化性樹脂により結合したもので形成されている。
ら下面にかけて配線導体２が被着形成されており、該配
線導体２は銅、銀、金等の金属粉末をエポキシ樹脂等の
熱硬化性樹脂により結合したもので形成されている。
【００１８】前記配線導体２は半導体素子３の電極を外
部電気回路に接続する作用を為し、絶縁基体１の凹部１
ｄ周辺部位に位置する配線導体２には半導体素子３の各
電極がボンディングワイヤ４を介して電気的に接続さ
れ、また絶縁基体１の下面に導出される部位は外部電気
回路に電気的に接続される。
部電気回路に接続する作用を為し、絶縁基体１の凹部１
ｄ周辺部位に位置する配線導体２には半導体素子３の各
電極がボンディングワイヤ４を介して電気的に接続さ
れ、また絶縁基体１の下面に導出される部位は外部電気
回路に電気的に接続される。
【００１９】前記配線導体２はまたエポキシ樹脂等の熱
硬化性樹脂により結合される金属粉末が粒径０．０５μ
ｍ未満の金属粉末と粒径０．０５μｍ以上の金属粉末と
で形成されており、粒径が０．０５μｍ以上の金属粉末
間に粒径が０．０５μｍ未満の金属粉末を入り込ませ、
各金属粉末間の接触を助長することによって配線導体２
の電気抵抗を低抵抗となしている。
硬化性樹脂により結合される金属粉末が粒径０．０５μ
ｍ未満の金属粉末と粒径０．０５μｍ以上の金属粉末と
で形成されており、粒径が０．０５μｍ以上の金属粉末
間に粒径が０．０５μｍ未満の金属粉末を入り込ませ、
各金属粉末間の接触を助長することによって配線導体２
の電気抵抗を低抵抗となしている。
【００２０】尚、前記粒径が０．０５μｍ未満の金属粉
末と粒径が０．０５μｍ以上の金属粉末とから成る配線
導体２は、全金属粉末を１００重量％としたとき、粒径
０．０５μｍ未満の金属粉末が５重量％未満、粒径０．
０５μｍ以上の金属粉末が９５重量％を超えると粒径
０．０５μｍ以上の金属粉末間の空隙に０．０５μｍ未
満の金属粉末が充分に入り込まず、配線導体２の電気抵
抗が高くなる傾向にあり、また粒径０．０５μｍ未満の
金属粉末が４０重量％を超え、粒径０．０５μｍ以上の
金属粉末が６０重量％未満となると金属粉末間の接触抵
抗が増大して配線導体２の電気抵抗が高くなる傾向にあ
る。従って、前記粒径が０．０５μｍ未満の金属粉末と
粒径が０．０５μｍ以上の金属粉末とから成る配線導体
２は、全金属粉末を１００重量％としたとき、粒径０．
０５μｍ未満の金属粉末は５乃至４０重量％の範囲に、
粒径０．０５μｍ以上の金属粉末は６０乃至９５重量％
の範囲としておくことが好ましい。
末と粒径が０．０５μｍ以上の金属粉末とから成る配線
導体２は、全金属粉末を１００重量％としたとき、粒径
０．０５μｍ未満の金属粉末が５重量％未満、粒径０．
０５μｍ以上の金属粉末が９５重量％を超えると粒径
０．０５μｍ以上の金属粉末間の空隙に０．０５μｍ未
満の金属粉末が充分に入り込まず、配線導体２の電気抵
抗が高くなる傾向にあり、また粒径０．０５μｍ未満の
金属粉末が４０重量％を超え、粒径０．０５μｍ以上の
金属粉末が６０重量％未満となると金属粉末間の接触抵
抗が増大して配線導体２の電気抵抗が高くなる傾向にあ
る。従って、前記粒径が０．０５μｍ未満の金属粉末と
粒径が０．０５μｍ以上の金属粉末とから成る配線導体
２は、全金属粉末を１００重量％としたとき、粒径０．
０５μｍ未満の金属粉末は５乃至４０重量％の範囲に、
粒径０．０５μｍ以上の金属粉末は６０乃至９５重量％
の範囲としておくことが好ましい。
【００２１】また前記配線導体２はその露出する表面に
ニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つ良導電性の金属を
メッキ法により１乃至２０μｍの厚みに層着させておく
と配線導体２の酸化腐食を有効に防止することができる
とともに配線導体２にボンディングワイヤ４を強固に電
気的接続させることができる。従って、前記配線導体２
の露出する表面にはニッケルや金等の耐蝕性に優れ、且
つ良導電性の金属をメッキ法により１乃至２０μｍの厚
みに層着させておくことが好ましい。
ニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つ良導電性の金属を
メッキ法により１乃至２０μｍの厚みに層着させておく
と配線導体２の酸化腐食を有効に防止することができる
とともに配線導体２にボンディングワイヤ４を強固に電
気的接続させることができる。従って、前記配線導体２
の露出する表面にはニッケルや金等の耐蝕性に優れ、且
つ良導電性の金属をメッキ法により１乃至２０μｍの厚
みに層着させておくことが好ましい。
【００２２】かくして上述の配線基板によれば、絶縁基
体１の凹部１ｄ底面に半導体素子３を樹脂等の接着剤を
介して接着固定するとともに半導体素子３の各電極をボ
ンディングワイヤ４を介して配線導体２に電気的に接続
し、しかる後、絶縁基体１の上面に蓋体５を樹脂等から
成る封止材を介して接合させ、絶縁基体１と蓋体５とか
ら成る容器内部に半導体素子３を気密に収容することに
よって製品としての半導体装置が完成する。
体１の凹部１ｄ底面に半導体素子３を樹脂等の接着剤を
介して接着固定するとともに半導体素子３の各電極をボ
ンディングワイヤ４を介して配線導体２に電気的に接続
し、しかる後、絶縁基体１の上面に蓋体５を樹脂等から
成る封止材を介して接合させ、絶縁基体１と蓋体５とか
ら成る容器内部に半導体素子３を気密に収容することに
よって製品としての半導体装置が完成する。
【００２３】次に前記半導体素子収納用パッケージに使
用される配線基板の製造方法について説明する。
用される配線基板の製造方法について説明する。
【００２４】まず図２（ａ）に示すように３枚の前駆体
シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃを準備する。前記３枚の
前駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃは無機絶縁物粉末
を熱硬化性樹脂前駆体で結合することによって形成され
ており、例えば粒径が０．１〜１００μｍの酸化珪素粉
末に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型
エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等の
エポキシ樹脂及びアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化
剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合してペース
ト状となし、しかる後、このペーストをシート状になす
とともに約２５〜１００℃の温度で１〜６０分間加熱し
半硬化させることによって製作される。
シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃを準備する。前記３枚の
前駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃは無機絶縁物粉末
を熱硬化性樹脂前駆体で結合することによって形成され
ており、例えば粒径が０．１〜１００μｍの酸化珪素粉
末に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型
エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等の
エポキシ樹脂及びアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化
剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添加混合してペース
ト状となし、しかる後、このペーストをシート状になす
とともに約２５〜１００℃の温度で１〜６０分間加熱し
半硬化させることによって製作される。
【００２５】次に図２（ｂ）に示すように前記３枚の前
駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃのうち２枚の前駆体
シート１１ａ、１１ｂに半導体素子３を収容する凹部１
ｄとなる開口Ａ、Ａ’を、２枚の前駆体シート１１ｂ、
１１ｃに配線導体２を引き回すための貫通孔Ｂ、Ｂ’を
各々形成する。
駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃのうち２枚の前駆体
シート１１ａ、１１ｂに半導体素子３を収容する凹部１
ｄとなる開口Ａ、Ａ’を、２枚の前駆体シート１１ｂ、
１１ｃに配線導体２を引き回すための貫通孔Ｂ、Ｂ’を
各々形成する。
【００２６】前記開口Ａ、Ａ’及び貫通孔Ｂ、Ｂ’は前
駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃに従来周知のパンチ
ング加工法を施し、前駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１
ｃの各々に所定形状の孔を穿孔することによって形成さ
れる。
駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃに従来周知のパンチ
ング加工法を施し、前駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１
ｃの各々に所定形状の孔を穿孔することによって形成さ
れる。
【００２７】次に図２（ｃ）に示すように、前記前駆体
シート１１ｂ、１１ｃの上下面及び貫通孔Ｂ、Ｂ’内に
配線導体２と成る金属ペースト１２を従来周知のスリー
ン印刷法により所定パターンに印刷塗布するとともにこ
れを約２５〜１００℃の温度で１〜６０分間加熱し半硬
化させることによって製作される。
シート１１ｂ、１１ｃの上下面及び貫通孔Ｂ、Ｂ’内に
配線導体２と成る金属ペースト１２を従来周知のスリー
ン印刷法により所定パターンに印刷塗布するとともにこ
れを約２５〜１００℃の温度で１〜６０分間加熱し半硬
化させることによって製作される。
【００２８】前記金属ペースト１２としては例えば、金
属粉末として粒径０．０１μｍ、1μｍ、５μｍ、１０
μｍの混合銅粉末に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂及びアミン系硬化剤、イ
ミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添
加混合しペースト状としたものが使用される。
属粉末として粒径０．０１μｍ、1μｍ、５μｍ、１０
μｍの混合銅粉末に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂、ノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂及びアミン系硬化剤、イ
ミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤を添
加混合しペースト状としたものが使用される。
【００２９】そして最後に前記３枚の前駆体シート１１
ａ、１１ｂ、１１ｃを上下に積層するとともにこれを約
８０〜３００℃の温度で約１０秒〜２４時間加熱し、前
記前駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃと、前駆体シー
ト１１ｂ、１１ｃに所定パターンに印刷塗布された金属
ペースト１２とを完全に熱硬化させることによって図１
に示すような絶縁基体１に配線導体２を被着させた半導
体素子収納用パッケージに使用される配線基板が完成す
る。この場合、前記前駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１
ｃ及び金属ペースト１２は熱硬化時に収縮することは殆
どなく、従って、得られる配線基板に変形や寸法にバラ
ツキが発生することは皆無で、配線導体に断線が招来す
ることはなく、配線導体を介して半導体素子等の電極を
外部電気回路に確実に電気的接続することが可能とな
る。
ａ、１１ｂ、１１ｃを上下に積層するとともにこれを約
８０〜３００℃の温度で約１０秒〜２４時間加熱し、前
記前駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１ｃと、前駆体シー
ト１１ｂ、１１ｃに所定パターンに印刷塗布された金属
ペースト１２とを完全に熱硬化させることによって図１
に示すような絶縁基体１に配線導体２を被着させた半導
体素子収納用パッケージに使用される配線基板が完成す
る。この場合、前記前駆体シート１１ａ、１１ｂ、１１
ｃ及び金属ペースト１２は熱硬化時に収縮することは殆
どなく、従って、得られる配線基板に変形や寸法にバラ
ツキが発生することは皆無で、配線導体に断線が招来す
ることはなく、配線導体を介して半導体素子等の電極を
外部電気回路に確実に電気的接続することが可能とな
る。
【００３０】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では本願発
明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素子収納用
パッケージに適用した場合を例に採って説明したがこれ
を混成集積回路基板等に適用してもよい。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能であり、例えば上述の実施例では本願発
明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素子収納用
パッケージに適用した場合を例に採って説明したがこれ
を混成集積回路基板等に適用してもよい。
【００３１】また上述の実施例では３枚の前駆体シート
を積層することによって配線基板を製作したが、１枚や
２枚、あるいは４枚以上の前駆体シートを使用して配線
基板を製作してもよい。
を積層することによって配線基板を製作したが、１枚や
２枚、あるいは４枚以上の前駆体シートを使用して配線
基板を製作してもよい。
【００３２】
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、絶縁基体が
無機絶縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹脂で結合する
ことによって形成されていることから配線基板同士ある
いは配線基板と半導体装置製作自動ラインの一部とが激
しく衝突しても絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が発
生することはない。
無機絶縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹脂で結合する
ことによって形成されていることから配線基板同士ある
いは配線基板と半導体装置製作自動ラインの一部とが激
しく衝突しても絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が発
生することはない。
【００３３】また本発明の配線基板によれば、配線導体
が粒径０．０５μｍ未満の金属粉末及び粒径０．０５μ
ｍ以上の金属粉末を熱硬化性樹脂で結合することによっ
て形成されており、粒径０．０５μｍ以上の金属粉末間
に粒径０．０５μｍ未満の金属粉末が入り込み、各金属
粒子間の接触が助長されて配線導体の電気抵抗が低抵抗
となる。
が粒径０．０５μｍ未満の金属粉末及び粒径０．０５μ
ｍ以上の金属粉末を熱硬化性樹脂で結合することによっ
て形成されており、粒径０．０５μｍ以上の金属粉末間
に粒径０．０５μｍ未満の金属粉末が入り込み、各金属
粒子間の接触が助長されて配線導体の電気抵抗が低抵抗
となる。
【００３４】更に本発明の配線基板の製造方法によれ
ば、熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して
成る前駆体シート、及び熱硬化性樹脂前駆体と粒径０．
０５μｍ未満の金属粉末及び粒径０．０５μｍ以上の金
属粉末を混合して成る金属ペーストを熱硬化させること
によって製作され、焼成工程がないことから不均一な焼
成収縮に起因する変形や寸法のバラツキは発生せず、そ
の結果、配線導体に断線が招来することもなく、配線導
体を介して半導体素子等の電極を外部電気回路に確実に
電気的接続することが可能となる。
ば、熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを混合して
成る前駆体シート、及び熱硬化性樹脂前駆体と粒径０．
０５μｍ未満の金属粉末及び粒径０．０５μｍ以上の金
属粉末を混合して成る金属ペーストを熱硬化させること
によって製作され、焼成工程がないことから不均一な焼
成収縮に起因する変形や寸法のバラツキは発生せず、そ
の結果、配線導体に断線が招来することもなく、配線導
体を介して半導体素子等の電極を外部電気回路に確実に
電気的接続することが可能となる。
【図１】本発明の配線基板を半導体素子収納用パッケー
ジに適用した場合の一実施例を示す断面図である。
ジに適用した場合の一実施例を示す断面図である。
【図２】（ａ）乃至（ｃ）は本発明の配線基板の製造方
法を説明するための各工程毎の断面図である。
法を説明するための各工程毎の断面図である。
１・・・・・・・・・・・・・絶縁基体 １ａ、１ｂ、１ｃ・・・・・・絶縁基板 ２・・・・・・・・・・・・・配線導体 １１ａ、１１ｂ、１１ｃ・・・前駆体シート １２・・・・・・・・・・・・金属ペースト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 1/02,1/03,1/09 H05K 3/12,3/46 H01L 23/12,23/14 H01B 1/00 - 1/24
Claims (2)
- 【請求項１】６０乃至９５重量％の無機絶縁物粉末と５
乃至４０重量％の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶
縁物粉末を前記熱硬化性樹脂の前駆体で結合して成る前
駆体シートを半硬化させてその複数枚を積層して熱硬化
させた、前記無機絶縁物粉末を前記熱硬化性樹脂により
結合した複数枚の絶縁基板を積層して成る絶縁基体の前
記絶縁基板に、半硬化の前記前駆体シートとともに熱硬
化させた、粒径０．０５μｍ未満の金属粉末及び粒径
０．０５μｍ以上の金属粉末を熱硬化性樹脂により結合
した配線導体を被着させて成ることを特徴とする配線基
板。 - 【請求項２】熱硬化性樹脂前駆体と無機絶縁物粉末とを
混合して成る前駆体シートを準備する工程と、前記前駆
体シートに、熱硬化性樹脂前駆体と粒径０．０５μｍ未
満の金属粉末及び粒径０．０５μｍ以上の金属粉末を混
合して成る金属ペーストを所定パターンに印刷する工程
と、前記前駆体シートを加熱して半硬化させる工程と、
前記金属ペーストが印刷された半硬化の前記前駆体シー
トを複数枚上下に積層するとともにこれを加熱して前記
前駆体シート及び所定パターンに印刷された前記金属ペ
ーストを熱硬化させる工程とから成ることを特徴とする
配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11294495A JP3292624B2 (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 配線基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11294495A JP3292624B2 (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 配線基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08307025A JPH08307025A (ja) | 1996-11-22 |
| JP3292624B2 true JP3292624B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=14599426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11294495A Expired - Fee Related JP3292624B2 (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 配線基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3292624B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10163583A (ja) * | 1996-11-27 | 1998-06-19 | Kyocera Corp | 配線基板 |
-
1995
- 1995-05-11 JP JP11294495A patent/JP3292624B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08307025A (ja) | 1996-11-22 |
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|---|---|---|---|
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