JP3323060B2 - 配線基板 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、半導体素子を収容
するための半導体素子収納用パッケージや混成集積回路
基板等に用いられる配線基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、配線基板、例えば半導体素子を収
容する半導体素子収納用パッケージに使用される配線基
板は、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックスから
成る絶縁層が複数層積層されているとともにその上面中
央部に半導体素子を収容する凹部を有する絶縁基体と、
前記絶縁基体の凹部周辺から下面にかけて導出されたタ
ングステン、モリブデン等の高融点金属粉末から成る配
線導体とから構成されており、前記絶縁基体の凹部底面
に半導体素子をガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介し
て接着固定するとともに該半導体素子の各電極（電源電
極、接地電極、信号電極）を例えばボンディングワイヤ
等の電気的接続手段を介して配線導体に電気的に接続
し、しかる後、前記絶縁基体の上面に、金属やセラミッ
クス等から成る蓋体を絶縁基体の凹部を塞ぐようにして
ガラス、樹脂、ロウ材等の封止材を介して接合させ、絶
縁基体の凹部内に半導体素子を気密に収容することによ
って製品としての半導体装置となり、配線導体の絶縁基
体下面に導出した部位を外部電気回路基板の配線導体に
接続することによって半導体素子の各電極が外部電気回
路基板に電気的に接続されることとなる。

【０００３】また、この従来の配線基板では、半導体素
子に接続される電源電圧及び接地電圧の変動によって半
導体素子に誤動作が生じないようにする目的で、絶縁基
体内部に容量素子が内蔵されており、具体的には、前記
絶縁基体内部に該絶縁基体を構成する絶縁層の一つを挟
んで互いに対向するタングステン、モリブデン等の高融
点金属粉末から成る広面積の一対の対向電極を配設する
ことにより該一対の対向電極間に静電容量素子を形成
し、前記対向電極の一方を半導体素子の電源電極に、他
方を半導体素子の接地電極に電気的に接続することによ
り半導体素子に接続される電源電圧及び接地電圧の変動
を抑制するようになっている。

【０００４】更に上記配線基板では、前記一対の対向電
極の間に挟まれる絶縁層にタングステン、モリブデン等
の高融点金属粉末を分散させ、該絶縁層の誘電率を大と
することにより一対の対向電極間に形成される容量素子
に大きな静電容量を付与する工夫もなされている。

【０００５】尚、従来の配線基板は、セラミックグリー
ンシート積層法によって製作され、具体的には、酸化ア
ルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシ
ウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダー、
溶剤等を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来
周知のドクターブレード法を採用してシート状とするこ
とによって複数のセラミックグリーンシートを得、しか
る後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き
加工を施すとともに配線導体及び対向電極となる金属ペ
ーストを所定パターンに印刷塗布し、最後に前記セラミ
ックグリーンシートを所定の順に上下に積層して生セラ
ミック成形体となすとともに該生セラミック成形体を還
元雰囲気中約１６００℃の高温で焼成することによって
製作される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の配線基板は、絶縁基体を構成する酸化アルミニウム
質焼結体等のセラミックスが硬くて脆い性質を有するた
め、搬送工程や半導体装置製作の自動ライン等において
配線基板同士が、あるいは配線基板と半導体装置製作自
動ラインの一部とが激しく衝突すると絶縁基体に欠けや
割れ、クラック等が発生し、その結果、半導体素子を気
密に収容することができず、半導体素子を長期間にわた
り正常、且つ安定に作動させることができなくなるとい
う欠点を有していた。

【０００７】更にこの従来の配線基板は、絶縁基体を構
成する酸化アルミニウム質焼結体の比誘電率がせいぜい
１０程度と低いため、絶縁基体内部に該絶縁基体を構成
する絶縁層を挟んで一対の対向電極を対向させることに
より形成される容量素子に大きな静電容量を付与するこ
とが困難であり、また前記一対の対向電極の間に挟まれ
る絶縁層にタングステン、モリブデン等高融点金属粉末
を分散させて該絶縁層の誘電率を大きなものとした場合
でも分散させる高融点金属粉末の量が増加するに従い徐
々に絶縁層の誘電率を大きなものとすることができるも
のの、絶縁層内で高融点金属粉末同士が接触して対向電
極間に電気的短絡が発生したり、あるいは容量素子の耐
電圧性が低下してしまい半導体素子を正常、且つ安定に
作動させることができないという欠点を有していた。

【０００８】尚、前記一対の対向電極間に挟まれる絶縁
層を例えばチタン酸バリウム磁器等の高誘電体材料で形
成し、対向電極間の電気的絶縁を保ちつつ対向電極間に
形成される容量素子の静電容量を大とすることも考えら
れるが、この場合、前記チタン酸バリウム等の高誘電体
材料は、その焼成温度や焼成雰囲気、あるいは焼成収縮
率が酸化アルミニウム質焼結体やタングステン、モリブ
デン等の高融点金属粉末の焼成温度や焼成雰囲気、ある
いは焼成収縮率と大きく異なることから酸化アルミニウ
ム質焼結体やタングステン、モリブデン等の高融点金属
粉末との同時焼成が困難であり、所定の配線基板を得る
ことができない。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、６
０乃至９５重量％の無機絶縁物粉末と５乃至４０重量％
の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶縁物粉末を熱硬
化性樹脂により結合して成る前駆体シートを複数、上下
に積層して熱硬化させた、前記無機絶縁物粉末を前記熱
硬化性樹脂により結合した複数枚の絶縁層を積層して成
る絶縁基体の前記絶縁層間に金属粉末を熱硬化性樹脂に
より結合した配線導体が被着されて成る配線基板であっ
て、前記絶縁層はその少なくとも一層が２０以上の比誘
電率を有し、且つ該比誘電率が２０以上の絶縁層の上下
面に少なくとも一対の対向電極が配設されていることを
特徴とするものであり、絶縁基体が無機絶縁物粉末を靭
性に優れる熱硬化性樹脂で結合することによって形成さ
れていることから配線基板同士あるいは配線基板と半導
体装置製作自動ラインの一部とが激しく衝突しても絶縁
基体に欠けや割れ、クラック等が発生することはなく、
また比誘電率が２０以上の絶縁層の上下面に少なくとも
一対の対向電極を配設させたことから該一対の対向電極
間に静電容量の大きな容量素子を得ることができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面に基づ
き、詳細に説明する。図１は、本発明の配線基板を半導
体素子を収容する半導体素子収納用パッケージに適用し
た場合の一実施例を示し、１は絶縁基体、２は配線導体
である。

【００１１】前記絶縁基体１は、五層の絶縁層１ａ、１
ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅが積層されて成り、その上面中央
部に半導体素子を収容するための段状の凹部Ａを有して
おり、該凹部Ａ底面には半導体素子３が樹脂等の接着剤
を介して接着固定される。

【００１２】前記絶縁基体１を構成する絶縁層１ａ、１
ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ は、酸化珪素、酸化アルミニウ
ム、窒化アルミニウム、炭化珪素、チタン酸バリウム、
チタン酸ストロンチウム、ゼオライト等の無機絶縁物粉
末をエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
ビスマレイミド樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエーテル
樹脂等の熱硬化性樹脂により結合することによって形成
されており、絶縁基体１を構成する絶縁層１ａ、１ｂ、
１ｃ、１ｄ、１ｅ はその各々が無機絶縁物粉末を靭性
に優れるエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で結合すること
によって形成されていることから絶縁基体１に外力が印
加されても該外力によって絶縁基体１に欠けや割れ、ク
ラック等が発生することはない。

【００１３】尚、前記無機絶縁物粉末を熱硬化性樹脂で
結合して成る絶縁基体１を構成する絶縁層１ａ、１ｂ、
１ｃ、１ｄ、１ｅ は、これに含有される無機絶縁物粉
末の含有量が６０重量％未満であると絶縁基体１の熱膨
張係数が半導体素子３の熱膨張係数に対して大きく相違
し、半導体素子３が作動時に熱を発し、該熱が半導体素
子３と絶縁基体１の両者に印可されると、両者間に両者
の熱膨張係数の相違に起因する大きな熱応力が発生し、
この大きな熱応力によって半導体素子３が絶縁基体１か
ら剥離したり、半導体素子３に割れや欠けが発生してし
まう。従って、前記絶縁基体１を構成する絶縁層１ａ、
１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ は、その各々の内部に含有さ
れる無機絶縁物粉末の量が６０乃至９５重量％の範囲に
特定される。

【００１４】また前記絶縁基体１を構成する絶縁層１ａ
〜１ｅのうち少なくとも一層の絶縁層１ｄはその比誘電
率が２０以上であり、これにより後述するように絶縁層
１ｄの上下面に一対の対向電極５を配設し、該対向電極
５間に容量素子を形成した場合、容量素子の静電容量は
絶縁層１ｄの比誘電率が２０以上と高いことから極めて
大きな静電容量となすことができる。

【００１５】また前記絶縁層１ｄに含有される無機絶縁
物粉末は、電気を通さないことから、絶縁層１ｄを挟ん
で対向する対向電極５間に電気的短絡や耐電圧性の低下
が起こることは一切ない。

【００１６】前記絶縁層１ｄの比誘電率を２０以上とす
るには、絶縁層１ｄに含有させる無機絶縁物粉末として
例えばチタン酸バリウムやチタン酸ストロンチウム等の
高誘電体材料の粉末を用いることにより絶縁層１ｄの比
誘電率を２０以上とする方法が好適に採用され得る。

【００１７】前記絶縁基体１は、例えば粒径が０．１〜
１００μｍ程度の酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化ア
ルミニウム、炭化珪素、チタン酸バリウム、チタン酸ス
トロンチウム、ゼオライト等の無機絶縁物粉末にビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹
脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹
脂及びアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水
物系硬化剤等の硬化剤等を添加混合して得たペーストを
従来周知のドクターブレード法等のシート成形法を採用
してシート状となすことによって絶縁基体１における絶
縁層１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｅとなる複数枚の前駆体シー
トを得るとともに該前駆体シートのうち、絶縁層１ｃと
なる前駆体シートの下面もしくは絶縁層１ｅとなる前駆
体シート上面に、例えばチタン酸バリウム、チタン酸ス
トロンチウム等の高誘電体材料から成る無機絶縁物粉末
にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポ
キシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等のエポ
キシ樹脂及びアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、
酸無水物系硬化剤等の硬化剤等を添加混合して得たペー
ストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して所定厚み
に印刷塗布して絶縁層１ｃとなる前駆体シートの下面も
しくは絶縁層１ｅとなる前駆体シート上面に絶縁層１ｄ
と成るコーティング層を形成し、しかる後、前記前駆体
シートの各々に必要に応じて適当な打ち抜き加工を従来
周知のパンチング法を採用して施すとともに前記打ち抜
き加工が施された前駆体シートを所定の順に積層圧着
し、最後に前記積層圧着された前駆体シート及びコーテ
ィング層を約８０〜３００℃の温度で約１０秒〜２４時
間加熱し熱硬化させることによって製作される。

【００１８】尚、この場合、前記絶縁層１ｄとなるコー
ティング層は絶縁層１ｃとなる前駆体シートの下面もし
くは絶縁層１ｅとなる前駆体シート上面にスクリーン印
刷法等の印刷法により形成されることから、その厚みを
５０μｍ以下の薄いものとすることが可能であり、その
結果、絶縁層１ｄの厚みを５０μｍ以下の薄いものとし
て該絶縁層１ｄを挟んで対向する一対の電極間に形成さ
れる容量素子に大きな静電容量を付与することができ
る。

【００１９】また更に、この場合、前記絶縁層１ｄとな
るコーティング層は、他の絶縁層となる前駆体シートに
含有される樹脂及び硬化剤と同様の樹脂及び硬化剤を含
有することから、他の絶縁層となる前駆体シートと同じ
硬化条件で同時に熱硬化させることが可能であり、これ
により容量素子を構成するための対向電極５の間に挟ま
れる絶縁層１ｄを特別な困難を伴うことなく絶縁基体１
中に一体に形成することができる。

【００２０】また前記絶縁基体１には、絶縁層１ｂ上面
で凹部Ａの段上から絶縁層１ｂ〜１ｅを貫通して絶縁層
１ｅ下面に導出する、銅、銀、金等の金属粉末をエポキ
シ樹脂等の熱硬化性樹脂により結合した複数の配線導体
２が被着形成されている。

【００２１】前記配線導体２は、内部に収容する半導体
素子３を外部電気回路に電気的に接続する作用を為し、
該配線導体２で凹部Ａの段上部位には半導体素子３の電
極（電源電極、接地電極、信号電極）がボンディングワ
イヤ４を介して電気的に接続され、絶縁層１ｅ下面に導
出する部位は外部電気回路基板の配線導体に電気的に接
続される。

【００２２】前記配線導体２に含有される金属粉末は、
配線導体２に導電性を付与する作用を為し、配線導体２
における含有量が７０重量％未満では配線導体２の導電
性が悪くなる傾向にあり、また配線導体２における含有
量が９５重量％を越えると金属粉末を熱硬化性樹脂で強
固に結合することが困難となる傾向にある。従って、前
記配線導体２に含有される金属粉末は、配線導体２にお
ける含有量が７０乃至９５重量％の範囲が好ましい。

【００２３】尚、前記配線導体２に含有される金属粉末
は、その平均粒径が０．５μｍ未満であると金属粉末同
士の接触抵抗が増加して配線導体２の電気抵抗が高いも
のとなる傾向にあり、また５０μｍを越えると絶縁基体
１に所定パターンの配線導体２を一般に要求される５０
乃至２００μｍの線幅に形成するのが困難となる傾向に
ある。従って、前記配線導体２に含有される金属粉末
は、その平均粒径を０．５乃至５０μｍとしておくこと
が好ましい。

【００２４】また、前記配線導体２に含有される熱硬化
性樹脂は、前記金属粉末同士を互いに接触させた状態で
結合させるとともに配線導体２を絶縁基体１に被着させ
る作用を為し、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボ
ラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ
樹脂等のエポキシ樹脂や、フェノール樹脂、ポリイミド
樹脂、ビスマレイミド樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエ
ーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る。

【００２５】前記熱硬化性樹脂は、配線導体２における
含有量が５重量％未満では金属粉末同士を強固に結合で
きないとともに配線導体２を絶縁基体１に強固に被着さ
せることが困難となり、また配線導体２における含有量
が３０重量％を越えると金属粉末同士を十分に接触させ
ることが困難となり、配線導体２の電気抵抗が大きなも
のとなる傾向にある。従って、前記配線導体２に含有さ
れる熱硬化性樹脂は、配線導体２における含有量が５乃
至３０重量％の範囲が好ましい。

【００２６】また、前記配線導体２は、その露出する表
面にニッケル、金等の耐食性に優れ、且つ良導電性の金
属をメッキ法により１．０乃至２０．０μｍの厚みに層
着させておくと配線導体２の酸化腐食を有効に防止する
ことができるとともに配線導体２とボンディングワイヤ
４とを強固に電気的に接続させることができる。従っ
て、通常、前記配線導体２の露出する表面には、必要に
応じてニッケルや金等の耐食性に優れ、且つ良導電性の
金属がメッキ法により１．０乃至２０．０μｍの厚みに
層着される。

【００２７】尚、前記配線導体２は、例えば該配線導体
に含有される金属粉末が銅で、熱硬化性樹脂がエポキシ
樹脂から成る場合、粒径が０．１〜２０μｍ程度の銅等
粉末にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型
エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等の
エポキシ樹脂及びアミン系硬化剤、イミダゾール系硬化
剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤等を添加混合しペース
ト状となすとともに該ペーストを絶縁基体１となる前駆
体シート及びコーティング層に従来周知のスクリーン印
刷法を採用して所定パターンに印刷塗布し、これを絶縁
基体１となる前駆体シート及びコーティング層とともに
熱硬化させることによって絶縁基体１の所定位置に被着
形成される。

【００２８】更に、前記絶縁基体１内部には、絶縁層１
ｄを挟んで一対の対向電極５が配設されており、該一対
の対向電極５の一方は前記配線導体２のうち半導体素子
３の電源電極に接続される配線導体２に、他方は前記配
線導体２のうち半導体素子３の接地電極に接続される配
線導体２に電気的に接続されている。

【００２９】前記一対の対向電極５は、例えば銅、銀、
金等の金属粉末をエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂により
結合して成り、該対向電極５間に、絶縁層１ｄの誘電率
及び絶縁層１ｄの厚みに応じた静電容量を有する容量素
子を形成する作用を為す。

【００３０】前記対向電極５間に挟まれた絶縁層１ｄ
は、前述したように比誘電率が２０以上と高い誘電率を
有することから、またスクリーン印刷法等の印刷技術を
採用して５０μｍ以下に薄く形成することが可能なこと
から対向電極５間に極めて大きな静電容量の容量素子を
形成することができ、この大きな静電容量の容量素子に
より半導体素子３の誤動作を有効に防止することができ
る。

【００３１】前記対向電極５に含有される金属粉末は、
対向電極に導電性を付与する作用を為し、対向電極５に
おける含有量が７０重量％未満では対向電極５の導電性
が悪くなる傾向にあり、また対向電極５における含有量
が９５重量％を越えると金属粉末を熱硬化性樹脂で強固
に結合することが困難となる傾向にある。従って、前記
対向電極５に含有される金属粉末は、対向電極５におけ
る含有量が７０乃至９５重量％の範囲が好ましい。

【００３２】尚、前記対向電極５に含有される金属粉末
は、その平均粒径が０．５μｍ未満であると金属粉末同
士の接触抵抗が増加して対向電極５の電気抵抗が高いも
のとなる傾向にある。従って、前記対向電極５に含有さ
れる金属粉末は、その平均粒径を０．５μｍ以上として
おくことが好ましい。

【００３３】また、前記対向電極５に含有される熱硬化
性樹脂は、前記金属粉末同士を互いに接触させた状態で
結合させるとともに対向電極５を絶縁基体１に被着させ
る作用を為し、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボ
ラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ
樹脂等のエポキシ樹脂や、フェノール樹脂、ポリイミド
樹脂、ビスマレイミド樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエ
ーテル樹脂等の熱硬化性樹脂から成る。

【００３４】前記熱硬化性樹脂は、対向電極５における
含有量が５重量％未満では金属粉末同士を強固に結合で
きないとともに対向電極５を絶縁基体１に強固に被着さ
せることが困難となり、また対向電極５における含有量
が３０重量％を越えると金属粉末同士を十分に接触させ
ることが困難となり、対向電極５の電気抵抗が大きなも
のとなる傾向にある。従って、前記対向電極５に含有さ
れる熱硬化性樹脂は、対向電極５における含有量が５乃
至３０重量％の範囲が好ましい。

【００３５】尚、前記対向電極５は、例えば該対向電極
５に含有される金属粉末が銅で、熱硬化性樹脂がエポキ
シ樹脂から成る場合、粒径が０．１〜２０μｍ程度の銅
等粉末にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック
型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等
のエポキシ樹脂及びアミン系硬化剤、イミダゾール系硬
化剤、酸無水物系硬化剤等の硬化剤等を添加混合しペー
スト状となすとともに該ペーストを絶縁基体１となる前
駆体シート及びコーティング層に従来周知のスクリーン
印刷法を採用して所定パターンに印刷塗布し、これを絶
縁基体１となる前駆体シート及びコーティング層ととも
に熱硬化させることによって絶縁基体１の所定位置に被
着形成される。

【００３６】かくして本発明の配線基板によれば、絶縁
基体１の凹部Ａ底面に半導体素子３を樹脂等の接着剤を
介して接着固定するとともに半導体素子３の各電極をボ
ンディングワイヤ４を介して配線導体２に電気的に接続
し、最後に前記絶縁基体１の上面に蓋体６を樹脂等から
成る封止材を介して接合させ、絶縁基体１と蓋体６とか
ら成る容器内部に半導体素子３を気密に収容することに
より製品としての半導体装置が完成する。

【００３７】尚、本発明は、上述の実施の形態に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であ
れば、種々の変更は可能であり、例えば上述の実施例で
は、本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素
子収納用パッケージに適用した場合を例に採って説明し
たが、例えば混成集積回路等他の用途に使用される配線
基板に適用してもよい。

【００３８】また、上述の実施の形態では、五層の絶縁
層を積層することによって配線基板を製作したが、四枚
以下、あるいは六枚以上の絶縁層を積層して配線基板を
製作してもよい。

【００３９】更に、上述の実施例では、絶縁基体は、無
機絶縁物粉末と熱硬化性樹脂とから成っていたが、これ
らに更にガラス繊維やカーボン繊維、アラミド繊維、ア
ルミナ繊維、チタン酸カリウムウィスカー、ホウ酸アル
ミニウムウィスカー等の短繊維を配合させてもよい。

【００４０】また更に、上述の実施例では配線導体及び
対向電極は、金属粉末を熱硬化性樹脂で結合することに
よって形成されていたが、金属粉末を半田等の低融点金
属及び熱硬化性樹脂により結合することにより形成され
ていても良い。この場合、配線導体及び対向電極となる
金属ペースト中に半田等の低融点金属を適宜量含有させ
ておき、該配線導体及び対向電極となる金属ペーストを
熱硬化させる前、あるいは熱硬化させるのと同時に金属
ペーストに含有された低融点金属を熔融させることによ
って金属粉末を低融点金属により結合する方法が採用さ
れ得る。

【００４１】

【発明の効果】本発明の配線基板によれば、絶縁基体
が、無機絶縁物粉末を靱性に優れる熱硬化性樹脂で結合
することにより形成されていることから、配線基板同士
あるいは配線基板と半導体装置の一部とが激しく衝突し
ても絶縁基体に欠けや割れ、クラック等が発生すること
はない。

【００４２】また本発明の配線基板によれば、比誘電率
が２０以上の絶縁層の上下面に対向する少なくとも一対
の対向電極が配設されていることから該一対の対向電極
間に静電容量の大きな容量素子を形成することができ
る。

【００４３】更に本発明の配線基板によれば、一対の対
向電極に挟まれた絶縁層が他の絶縁層上にペースト状の
絶縁材料を塗布することによって形成されていることか
ら、対向電極に挟まれた絶縁層の厚みを５０μｍ以下の
薄いものとなすことができ、これによって一対の対向電
極間に静電容量の大きな容量素子を形成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線基板を半導体素子収納用パッケー
ジに適用した場合の一実施例を示す断面図である。

【符号の説明】

１・・・・・・・絶縁基体 １ａ〜１ｅ・・・絶縁層 ２・・・・・・・配線導体 ３・・・・・・・半導体素子 ５・・・・・・・対向電極

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】６０乃至９５重量％の無機絶縁物粉末と５
   乃至４０重量％の熱硬化性樹脂とから成り、前記無機絶
   縁物粉末を前記熱硬化性樹脂により結合して成る前駆体
   シートを複数、上下に積層して熱硬化させた、前記無機
   絶縁物粉末を前記熱硬化性樹脂により結合した複数枚の
   絶縁層を積層して成る絶縁基体の前記絶縁層間に金属粉
   末を熱硬化性樹脂により結合した配線導体が被着されて
   成る配線基板であって、前記絶縁層はその少なくとも一
   層が２０以上の比誘電率を有し、且つ前記比誘電率が２
   ０以上の絶縁層の上下面に少なくとも一対の対向電極が
   配設されていることを特徴とする配線基板。
2. 【請求項２】前記一対の対向電極に挟まれた比誘電率が
   ２０以上の絶縁層は、他の絶縁層上にペースト状の絶縁
   材料を塗布することによって形成されていることを特徴
   とする請求項１に記載の配線基板。