CN1185027A - 清洗装置和清洗方法 - Google Patents

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Abstract

能够不受干燥处理时因清洗液产生的不良影响,而且能够使干燥室的壁厚变薄,并实现使减压用的真空泵等低输出的清洗装置和清洗方法。其构成为能够在把干燥室42与清洗槽41各自上下分离的同时,还有能利用旋转门59a和滑动门72遮蔽干燥室42的空间和清洗槽41的空间、用旋转门59a遮蔽清洗槽41中的清洗处理、用滑动门72密闭·遮蔽干燥室42中的干燥处理。

Description

清洗装置和清洗方法
本发明涉及比如在药液和冲洗液等中浸渍清洗半导体晶片和用于LCD(液晶显示器)的玻璃基片等被处理基片、并进行干燥的清洗装置和清洗方法。
例如，以LSI等半导体器件制造工序中的清洗处理为例进行说明，为了除去以往的半导体晶片(以下称为‘晶片’)的表面微粒、有机污染物、金属杂质等污物或为了腐蚀晶片表面所使用的清洗装置中，由于其中的湿式清洗装置既能有效地除去上述污物又能进行腐蚀，而且可以批量处理生产率高，所以正在广泛普及。
这种晶片清洗装置中，对于被处理体为晶片时，有进行过氨水处理、氟酸处理、硫酸处理等的药液处理、利用纯水等的水清洗处理和利用异丙醇(以下称‘IPA’)等的干燥处理的结构，例如有对按处理顺序排列的处理槽、干燥室分别供给药液、纯水、IPA的结构，比如广泛采用以50枚为单位将晶片依次在处理槽中浸渍、干燥的批量处理方式。
但是，在每次各自处理中设置的处理槽和干燥室导致装置的大型化，而且由于运送晶片的机会、即在大气中暴露的机会多，使附着污物的可能性也高。
因此，在比如特开昭64-81230号公报和特开平6-326073号等公报中披露了使处理槽和干燥室一体化、在同一容器内进行药液处理和干燥处理等的清洗装置。如图1所示，这些清洗装置的主要结构如下，在容器200的下部201中储存清洗液202等，浸渍晶片W，然后提升晶片W，在容器200的上部203中使用IPA等进行干燥处理。
可是，对于上述结构的清洗装置，在干燥处理时在容器上部残留有药液气氛，恐怕会对晶片W产生不良影响，并且由于必要同时满足液处理等和干燥处理的要求规格，所以存在设计自由度受限制、估计很难采用使清洗处理高速化和容器小形化等各种办法的问题。再有，使用上述IPA等干燥处理时，使用通常真空泵等的减压是并行进行的，但在上述结构的清洗装置中，由于必须使兼任清洗液处理等和干燥处理的容器内有较大的容积，所以存在所谓有必要增加容器的壁厚提高耐压性、并必须使用较大功率真空泵的问题。
因此，鉴于上述情况，本发明的目的在于提供在干燥处理时不受药液处理产生的不良影响的清洗装置和清洗方法。
本发明的又一目的在于提供设计自由度高、能够实现清洗处理高速化和装置小形化的清洗装置和清洗方法。
本发明的另一目的在于提供通过使容器等的容积变小、能够实现容器等薄壁化和真空泵等的低输出的清洗装置和清洗方法。
本发明的另一目的在于提供能够使干燥处理效率更高的清洗装置和清洗方法。
本发明的再一个目的在于提供能够防止被处理基片表面氧化的清洗装置和清洗方法。
此外，本发明的其他目的在于提供通过使处理槽与干燥室分开、能够防止处理液的雾沫进入干燥室、获得稳定的干燥性能的清洗装置和清洗方法。
按照本发明的第1方案，清洗装置备有：处理槽，储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片；干燥室，配置在所述处理槽上方，在与4所述处理槽之间形成用于传送被处理基片的开关自由的开口部分；传送装置，通过所述开口部分，在所述处理槽与所述干燥室之间传送被处理基片；使所述干燥室内处于有机溶剂气氛的装置。
按照本发明的第2方案，清洗装置还备有密封装置，使所述开口部分在关闭时可密闭所述干燥室。
按照本发明的第3方案，清洗装置配有：处理槽，储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片；干燥室，配置在所述处理槽上方，在与所述处理槽之间形成用于传送被处理基片的开关自由的开口部分；保存部件，保存所述被处理基片；支撑部件，从所述干燥室支撑所述保存部件，所述保存部件处于所述处理槽内时，通过所述开口部分插入处理槽；传送装置，通过所述支撑部件，在所述处理槽和所述干燥室之间传送所述保存部件；第1开关装置，开关所述开口部分，并在关闭时密闭所述干燥室；第2开关装置，开关所述开口部分，并在关闭所述开口部分时留有所述支撑部件的通过间隙；和使所述干燥室内处于有机溶剂气氛的装置。
按照本发明的第4方案，清洗装置配有：处理槽，储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片；干燥室，配置在所述处理槽上方，在与所述处理槽之间形成用于传送被处理基片的开关自由的开口部分；保存部件，保存所述被处理基片；支撑部件，它从所述干燥室支撑所述保存部件，所述保存部件处于所述处理槽内时，通过所述开口部分插入处理槽；传送装置，通过所述支撑部件，在所述处理槽和所述干燥室之间传送所述保存部件；开关装置，开关所述开口部分，并具有在关闭时密闭所述干燥室的第1模式，和在关闭所述开口部分时留有所述支撑部件的通过间隙的第2模式；和使所述干燥室内处于有机溶剂气氛的装置。
按照本发明的第5方案，清洗装置中处理槽的处理液为脱气处理过的冲洗液。
按照本发明的第6方案，清洗装置中还配有喷射装置，它配置在所述处理槽和所述干燥室之间，对从所述处理槽向所述干燥室传送的所述被处理基片喷射惰性气体。
按照本发明的第7方案，清洗装置中还配有冷却装置，冷却惰性气体。
按照本发明的第8方案，清洗装置中还配有减压装置，对所述干燥室内进行减压；喷射装置，对所述干燥室内的被处理基片喷射惰性气体。
按照本发明的第9方案，清洗装置在干燥室内还配有加热装置。
按照本发明的第10方案，清洗装置处理槽中储存的处理液为冷却的冲洗液。
按照本发明的第11方案，清洗方法包括：(a)利用从燥室支撑的保存部件保存被处理基片，并通过干燥室的下部开口部分移至设置在其下方的处理槽的工序；(b)关闭下部开口部分的工序；(c)在将处理基片从干燥室向处理槽移动之前或移动之后在处理槽中储存处理液，浸渍被处理基片的工序；(d)打开下部开口，把被处理基片从处理槽传送至干燥室的工序；(e)关闭下部开口部分的工序；(f)利用有机溶剂的气氛干燥被处理基片的工序。
按照本发明的第12方案，清洗方法中还包括：填充工序，它在所述工序(b)之前，在把所述被处理基片从清洗装置外部向所述干燥室传送后，向所述干燥室填充惰性气体。
按照本发明的第13方案，清洗方法中在所述工序(a)至工序(f)中，向所述处理槽提供惰性气体。
按照本发明的第14方案，清洗方法中在所述工序(d)之前，向所述处理槽提供含有有机溶剂的气体。
按照本发明的第15方案，清洗方法中在所述工序(d)之前和工序(d)之中，对所述处理槽提供含有有机溶剂的气体。
按照本发明的第16方案，清洗方法中在把所述被处理基片从所述干燥室向所述处理槽传送后，关闭所述下部开口部分的工序为一边留有用于从所述干燥室支撑所述保存部件的间隙一边关闭的工序。
按照本发明的第17方案，清洗方法中在把所述被处理基片从所述处理槽向所述干燥室传送后，关闭所述下部开口部分的工序为密闭所述下部开口部分的工序。
按照本发明的第18方案，清洗方法中还有喷射工序，对从所述处理槽向所述干燥室传送的所述被处理基片喷射惰性气体。
按照本发明的第19方案，清洗方法中还有喷射工序，在所述工序(f)后，一边对所述干燥室内减压，一边对所述干燥室内的所述被处理基片喷射惰性气体。
按照本发明的第20方案，清洗方法中还有在所述(b)工序和所述(d)工序之间使所述干燥室处于预定的有机溶剂的气氛的工序。
按照本发明的第21方案，清洗方法中在所述处理槽中储存的处理液为冷却的冲洗液。
按照本发明的第1方案，由于使干燥室与处理槽各自上下分离的同时，能够利用开关自由的开口部分遮蔽干燥室的空间和处理槽的空间，所以在干燥处理时能够不受因药液处理产生的不良影响。此外，由于能够分别在各自条件下设计干燥室和处理槽，所以设计的自由度高，并能够实现清洗处理的高速化和装置的小型化。再有，由于能够使干燥室内的容积变小，所以在一方面使干燥室内处于有机溶剂的气氛中进行减压的情况下，可以使干燥室和处理槽的壁厚变薄，还能够实现用于减压的真空泵等的低输出。
按照本发明的第2至第4方案，由于可以进一步实现干燥室内的密闭，所以能够使干燥室的壁厚变薄，并进一步实现用于减压的真空泵等的低输出。
按照本发明的第5方案，由于处理槽的处理液为脱气处理过的冲洗液，所以能够防止被处理基片产生氧化膜。
按照本发明的第6方案，对从处理槽向干燥室传送的被处理基片喷射惰性气体的装置起到辅助干燥被处理基片的作用，所以能够进行高效率的干燥处理。再有，按照本发明第7方案那样冷却惰性气体，利用干燥室内的有机溶剂，能够促进冷凝。
按照本发明的第8方案，由于一方面对干燥室内减压，一方面对干燥室内的被处理基片喷射惰性气体，所以能够进行高效率的干燥处理。
按照本发明的第9方案，由于利用面板加热器能够使干燥室内处于更高温，所以能够进行高效率的干燥处理。
按照本发明的第10方案，由于采用冷却的冲洗液，所以利用干燥室内的有机溶剂能够促进冷凝化。
按照本发明的第11方案，由于遮蔽从处理槽向干燥室搬送被处理基片的开口部分的空间之后进行干燥处理，所以在干燥处理时不受因药液处理产生的不良影响。此外，在干燥处理时能够进行后面的处理槽中的处理准备，所以能够提高生产率。再有，由于能够在各自的条件下分别设计干燥室和处理槽，所以设计自由度高，能够实现清洗处理的高速化和装置的进一步小形化。还有，由于能够使干燥室内的容积变小，所以在一方面使干燥室内处于有机溶剂的气氛中进行减压的情况下，可以使干燥室和处理槽的壁厚变薄，还能够实现用于减压的真空泵等的低输出。
按照本发明的第12和第13方案，由于使干燥室内、处理槽内预先或通过使它的整个行程都处于惰性气体的气氛环境，所以能够防止被处理基片氧化。
按照本发明的第14方案，当被处理基片进入干燥室内，被处理基片的水分可被减少至某个范围。而且剩余的水分也容易被有机溶剂置换。因此，能够进行高效率的干燥处理。
按照本发明的第16和第17方案，能够使干燥室和处理槽更明确地分离。因此，能够防止干燥处理时因药液处理产生的不良影响。此外，由于能够明确区别干燥室和处理槽的设计条件，所以能够提高设计的自由度，实现处理的高速化，并使装置的小形化变得容易。
按照本发明的第18和第19方案，由于能够实现干燥室内进一步密闭，所以能够使干燥室的壁厚进一步变薄，还能够进一步实现用于减压的真空泵等的低输出。
按照本发明的第20方案，由于被处理基片向干燥室传送以前已经使干燥室内处于有机溶剂的气氛，所以能够进行高效率的干燥处理。
按照本发明的第21方案，由于采用冷却的冲洗液，所以利用干燥室内的有机溶剂能够促进冷凝。
图1是表示以往清洗装置的概略图。
图2是表示本发明一实施例中的半导体晶片的清洗装置的斜视图。
图3是表示图2所示的清洗装置的平面图。
图4是表示图2所示的清洗装置的纵剖正视图。
图5是表示图4所示的清洗装置的纵剖侧视图。
图6是表示图4所示的清洗装置的斜视图。
图7是表示图4所示的清洗装置的上部盖附近的斜视图。
图8是表示图4所示的清洗装置盖驱动部分的概略结构图。
图9是表示图4所示的清洗装置旋转门机构的斜视图。
图10是表示图4所示的清洗装置滑动门机构的斜视图。
图11是表示图10所示的清洗装置滑动门机构的纵剖正视图。
图12是表示图4所示的清洗装置导槽的斜视图。
图13是表示图4所示的清洗装置喷嘴和排出口的斜视图。
图14是表示说明图4所示的清洗装置整流板作用的图。
图15是表示说明图4所示的清洗装置动作的处理流程图。
图16是表示说明图4所示的清洗装置动作的概略图(与图15的步骤1401对应)。
图17是表示说明图4所示的清洗装置动作的概略图(与图15的步骤1402对应)。
图18是表示说明图4所示的清洗装置动作的概略图(与图15的步骤1403对应)。
图19是表示说明图4所示的清洗装置动作的概略图(与图15的步骤1404对应)。
图20是表示说明图4所示的清洗装置动作的概略图(与图15的步骤1405对应)。
图21是表示说明图4所示的清洗装置动作的概略图(与图15的步骤1406～1409对应)。
图22是表示说明图4所示的清洗装置动作的概略图(与图15的步骤1410对应)。
图23是表示说明图4所示的清洗装置动作的概略图(与图15的步骤1411对应)。
图24是表示说明图4所示的清洗装置动作的概略图(与图15的步骤1412、1415对应)。
图25是表示说明图4所示的清洗装置动作的概略图(与图15的步骤1413对应)。
图26是表示说明图4所示的清洗装置动作的概略图(与图15的步骤1416对应)。
图27是表示说明图4所示的清洗装置动作的概略图(与图15的步骤1417对应)。
图28是表示说明图4所示的清洗装置动作的概略图(与图15的步骤1418对应)。
图29是表示本发明其他实施例中的滑动门机构的平面图。
图30是表示本发明其他实施例中的滑动门机构的平面图。
下面，参照附图，说明本发明的实施例。本实施例为适用于半导体晶片(以下称‘晶片’)的清洗处理装置的例子，首先说明清洗处理装置。如图2和图3所示，该清洗处理装置1整体由下列3个区构成：按运载器单位接收待清洗处理的晶片的送入部分2、进行晶片清洗处理的清洗处理部分3、用于按批量单位取出清洗处理后晶片的送出部分4。
在所述送入部分2中，设置等待接收装有为预定枚数，例如25枚的待清洗处理晶片的运载器5的待机部分6，和取出运载器5中的晶片，进行原样对比和单片检测等的装载器部分7，而且设有搬运臂8，用于将利用搬运等机械手等从外部送入的运载器5搬运给所述待机部分6，而且在该待机部分6和所述装载器部分7之间搬运装载器5。
在所述清洗处理部分3中，在其前侧(图2冲的正前侧)配置有3个晶片搬运装置11、12、13，此外，在其后侧形成由隔壁隔开的装有药液等处理液的罐和装有各种管道群等的管道区域14。
另一方面，在送出部分4中，设有把在清洗处理部分3中进行清洗处理的晶片装在运载器5中的卸载器部分15、等待容纳清洗处理后的晶片的运载器5的待机部分16、和在上装载器部分15和待机部分16之间，搬运运载器5的搬运臂17。
再有，在清洗处理装置1中，设有在送入部分2变空时，把运载器5搬运至送出部分4的运载器搬运部分18。运载器搬运部分18配有：设在清洗处理部分3上部的运载器传送带19、在送入部分2中由装载器7通过搬运臂8接收空运载器5将晶片装入运载器和存放未装入晶片的运载器的运载器储备部分20、在送出部分4中通过搬运臂17从运载器传送带19接收空运载器5并交给卸载器部分15的运载器交付部分(图中未示出)。
在清洗处理部分3中，从装载器部分7起，依次分别配置有：清洗、干燥晶片搬运装置11的晶片夹具21的夹具清洗·干燥处理槽22；利用药液、比如NH4/H2O2/H2O混合液清洗处理晶片表面的有机污物、金属杂质、微粒等杂质的清洗液清洗处理槽23；利用比如纯水清洗在药液清洗处理槽23中清洗后的晶片的水清洗处理槽24；利用药液、比如HCL/H2O2/H2O混合液清洗处理晶片表面除去金属污物的清洗液清洗处理槽25；利用比如去离子水清洗已在清洗液清洗处理槽25中清洗后的晶片的水洗清洗处理槽26；利用药液、比如HF/H2O混合液清洗处理晶片表面除去氧化膜，同时利用冲洗液、利用比如纯水清洗并把进行冲洗清洗后的晶片干燥的本发明的清洗装置27；清洗、干燥晶片搬运装置13的晶片夹具(图中未示)的清洗·干燥处理槽28。
再有，在装载器部分7与清洗·干燥处理槽22之间、水清洗处理槽24与药液清洗处理槽25之间、水洗清洗处理槽26与清洗装置27之间、夹具清洗·干燥处理槽28与卸载器部分15之间，分别设有隔开它们的隔板29、30、31、32。隔开的隔板29、30、31、32比如在晶片交付时利用图中省略的各自驱动部分进行沿上下方向的开关。因此，能够防止向相邻空间扩散清洗液的气氛。
下面，参照图4～图14说明本发明的清洗装置27的结构，该清洗装置27配有：储存处理液，比如HF/H2O混合液等的药液和纯水等的冲洗液，把在储存的处理液中浸渍被处理基片的晶片W用作处理槽的清洗槽41；配置在所述清洗槽41的上方对从清洗槽41传送的晶片W进行干燥处理的圆柱形状的干燥室42。
上述清洗槽41容纳下述的晶片导槽43以及保持在晶片导槽43中的比如50枚晶片。在清洗槽41底部两侧，设置有向容纳的各晶片W喷射处理液的喷嘴44、45。此外，喷嘴44、45由具有沿各晶片W的排列方向比如按与相邻晶片W之间的间距相同的节距设置喷射孔的管道构成。喷嘴44、45中，通过切换阀46的切换，从图2和图3所示的管道区域供给HF/H2O混合液等的药液和去离子水(DIW：deionized water)等冲洗液的其中之一。由图中省略的控制部分中的预定的定时控制切换阀46的切换。再有，为防止晶片氧化，最好采用脱气的DIW作为冲洗液。
此外，在上述冲洗槽41的周围，为回收从冲洗槽溢出的处理液设置有回收槽47。用回收槽回收的处理液通过切换阀48、泵49、过滤器50、切换阀51在喷嘴44、45中循环。切换阀48对用回收槽47回收的处理液进行是循环还是排出的切换。切换阀51把进行如上述那样循环的用回收槽47回收的处理液用冷却器55冷却至0℃～室温、最好把冷却至5℃温度的DIW切换给喷嘴44、45。再有，在泵49和过滤器50之间设有闸板52。此外，在清洗槽41的最下部，设有排出处理液的排出口53，利用切换阀54进行是否由排出口53排出处理液的切换。
另一方面，在干燥室42的上部和下部，分别设有进行晶片W交付的比如矩形的上部开口部分61、下部开口部分62，在上部开口部分61中配置有密闭型盖63，在下部开口部分62中设有旋转门机构60和滑动门机构64。
盖63由PVC(聚氯乙烯)和PP(聚丙烯)等树脂构成，如图6所示具有沿纵方向截断的内外形状都为圆柱的形状。因此，利用盖63的圆柱形状堵住干燥室42的内侧，防止后述喷射晶片W的氮气等气流变乱，以便对各晶片W进行均匀的氮气等喷射。此外，如图7所示，沿上述开口部分61的周围配置O型圈65，而且在上部开口部分61的两侧，设有压紧堵住上部开口部分61的固定盖63的盖固定机构59，以提高用盖63堵住上部开口部分61时的密闭性。在配置可旋转的杆56的2个位置上，设有与堵住上部开口部分61的盖63接合的接合板57，利用旋转驱动部分58旋转所述杆56使接合板57与盖63接合，由此能够把盖63压紧。
再有，在干燥室42附近，设有开关驱动盖63的盖驱动部分66。如图8所示，盖驱动部分66配有：旋转驱动在前端固定有盖63的旋转臂67的汽缸68、使这些盖63和其旋转机构能上下移动的汽缸69。盖驱动部分66首先向上方移动堵住上部开口部分61的盖63(图8①)，然后由上部开口部分61向外旋转移动盖63(图8②)，使盖63向下移动(图8③)。在用盖63堵位上部开口部分61时，就进行与此相反的动作(图8③→②→①)。
如图9所示，旋转门机构60由旋转地配置的一对旋转门59a和各旋转门59a的旋转驱动部分59b构成。在各旋转门59a中，在关闭状态中，为形成使在清洗槽41内保持晶片W的晶片导槽43的支撑部件74(见后述)能通过的间隙，设有缺口部分59c。旋转门59a与盖63一样由PVC(聚氯乙烯)和PP(聚丙烯)等树脂构成。
如图10所示，滑动门机构64配有：在清洗槽41与干燥室42之间配置的矩形凸缘70；从设置在凸缘70中的开口部分71插拔使凸缘70的开闭的滑动门72和驱动插拔滑动门72的汽缸73。滑动门72与盖63一样由PVC(聚氯乙烯)和PP(聚丙烯)等树脂构成，下部开口部分62基本为矩形形状。此外，如图11所示，沿滑动门72表里的外周边分别配置空气夹紧密封件72a、72b，另一方面，在干燥室42下面沿空气夹紧密封件72a的内周配置O型圈72c。沿空气夹紧密封件72a的外周也可以配置O型圈72c。因此，滑动门72容纳于凸缘70内的状态时，利用空气夹紧密封件72a、72b的膨胀，分别使空气夹紧密封件72a与干燥室42的下面密封、空气夹紧密封件72b与凸缘70的底面密封，而且O型圈72c密封着滑动门72的表面，由此密闭下部开口部分62。
如图12所示，晶片导槽43在支撑部件74的下端，设有支撑比如50枚晶片W的晶片支撑部分75。由于在中央下端部上架设的中央支撑棒76和在左右两侧端部上互相平行架设的两根侧边支撑棒77、78固定在两端，所以把晶片支撑部分75的一端固定在支撑部件74的下端，另一端固定在固定部部件79中。在中央支撑棒76和侧边支撑棒77、78中，在各自纵向方向上按预定间隔设有多个比如50个晶片固定槽80，80…。晶片导槽43由耐腐蚀、耐热和高强度的优质材料、比如PEEK(聚醚乙醚酮)和Qz(石英)等构成。
此外，在晶片导槽43的上端部，固定着导槽上下棒81。如图5和图7所示，该导槽上下棒81通过设置在干燥室42上部的夹紧机构82向外侧可上下移动地突出。夹紧机构82有包围导槽上下棒81的空气夹紧密封件82a。因此，当上下驱动导槽上下棒81时，就抽取空气夹紧密封件82a中的空气，而当密闭干燥室42时，就使空气夹紧密封件82a膨胀。此外，导槽上下棒81的上端与设定在干燥室42背后的晶片导槽Z轴机构83连接。晶片导槽Z轴机构83利用上下移动导槽棒81，通过下部开口部分62，在清洗槽41和干燥室42之间传送由晶片导槽43支撑的晶片W。再有，在如图5所示的此清洗装置27的正面，配有如图3所示的晶片搬送装置13。晶片搬送装置13中设置的晶片夹具84收取来自相邻水洗清洗处理槽26的比如50枚的晶片W，交给干燥室42内的晶片导槽43，此外，从干燥室42内的晶片导槽43中接收比如50枚晶片W，交给送出部分4的卸载器部分15。
如图4和图13所示，在干燥室42内上部两侧，对干燥室42内由晶片导槽43支撑的晶片W，设有喷射向下流动的氮气等的喷嘴85，86。喷嘴85、86可由分别具有沿晶片W的排列方向按比如与相邻的晶片W之间的间隔相同的节距设置的喷出孔87的管道88构成。在喷嘴85、86中，从IPA蒸发器89通过控制阀90和过滤器91供给IPA、和加热的氮气的混合气体。在IPA蒸发器89中，通过氮气加热器92和控制阀93提供加热的氮气，从IPA箱94通过控制阀95提供IPA。在IPA箱94中，通过控制阀96补充氮气，通过控制阀97补充IPA。
另一方面，如图4和图13所示，在干燥室42内的下部两侧，设有用于排出由喷嘴85、86喷射的氮气等的排出口98、99。排出口98、99与图中省略的排气泵连接。此外，在排出口98、99中，有从干燥室42内下部的各部分均匀输入由喷嘴85、86吹出的氮气等的多个输入口100、100…，分别连通作为整流装置的整流板101、102。因此，如图14所示，从喷嘴85、86的各喷出口87喷射的氮气等通过按图中虚线所示的路线经过各晶片表面，由各整流板101、102的输入口100输入。也就是说，不会产生氮气等的混流。再有，在干燥室42内的下部，设有排出液体的排出口(图中未示)。
此外，如图4所示，在干燥室42内中部两侧，设有一对面板加热器103、104。在该面板加热器103、104中，连接面板加热器的控制器105，以进行温度控制。因此，可把干燥室42内的比如IPA控制在沸腾的温度。
再有，如图4所示，在清洗槽41与干燥室42之间，比如在清洗槽41液面上部的两侧，设有对由清洗槽41向干燥室42传送的晶片W喷射氮气的喷嘴106、107。该喷嘴106、107与上述喷嘴85、86有基本相同的结构。在喷嘴106、107中，氮气为0℃～常温，最好通过冷却器108和控制阀109提供冷却至5℃的氮气。
下面，参照图15所示的处理流程图，说明上述结构的清洗装置27的操作。再有，还要说明利用图中省略的控制部分进行的下列控制动作。
首先，关闭干燥室42下部的滑动门72，使旋转门59a处于开状态，打开干燥室42上部的盖63(图16，步骤1041)。接着，晶片夹具84下降至干燥室42内，干燥室42内的晶片导槽43接收晶片W(图17，步骤1402)。然后，关闭干燥室42上部的盖63，打开干燥室42下部的滑动门72(图18，步骤1403)。其中，最好使滑动门从开始就打开。之后，使支撑晶片W的晶片导槽43下降，把晶片W移送至晶片清洗槽41内(图19，步骤1404)，关闭干燥室42下部的旋转门59a(图20，步骤1405)。
这以后，在清洗槽41中，由喷嘴44、45喷出HF/H2O混合液并储存HF/H2O混合液，在储存的HF/H2O混合液中浸渍晶片W进行药液清洗(图21，步骤1406)。不用说，由喷嘴44、45喷出HF/H2O混合液在清洗槽41内形成向晶片W的对流，以促进药液清洗。其中，最好在晶片W移送至清洗槽41之前储存清洗液。接着，排出HG/H2O混合液，之后由喷嘴44、45喷出的DIW，进行冲洗处理(图21，步骤1407)。同样地，由喷嘴44、45喷出的DIW在清洗槽41内形成向晶片W的对流，以促进冲洗处理。再有，最好在排出HF/H2O混合液时，按照储存HF/H2O混合液的状态喷出DIW，慢慢地使HF/H2O混合液变稀。另一方面，在进行这样的清洗处理期间，由喷嘴85、86在干燥室42内喷射氮气，用氮气置换(图21，步骤1408)，然后由喷嘴85、86喷射IPA或IPA与氮气的混合气，使干燥室42内处于预定的IPA的气氛(图21，步骤1409)。然后，打开干燥室42下部的旋转门59a(图22，步骤1410)，升起支撑晶片W的晶片导槽43，把晶片W移至干燥室42内(图23，步骤1411)。此时，由喷嘴106、107对从清洗槽41移向干燥室42的晶片W喷射氮气。再有，在打开旋转门59a、把晶片从清洗槽41移向干燥室42前，或打开旋转门59a把晶片移送前和移送中，最好把清洗槽41中的氮气和IPA的混合气向晶片上部喷射，由此能够提高干燥效率。此外，从由干燥室42向清洗槽41移送晶片W的工序开始，至清洗后在干燥室42中干燥晶片W的工序，最好向清洗槽41内喷射氮气，使清洗槽41内常处于氮气的气氛。接着，关闭干燥室42下部的滑动门72(图24，步骤1412)，由喷嘴85、86对干燥室42内的晶片W向下喷射IPA或IPA与氮气的混合气(图25，步骤1413)。之后，在对干燥室42排气减压的同时，由喷嘴85、86对干燥室42内的晶片W向下喷射氮气(图25，步骤1414)。再有，在此情况下，既可在干燥室42内不减压时喷射氮气，也可不喷射氮气使干燥室42减压。
然后，一边喷射氮气，一边停止干燥室42内的排气，使干燥室42内恢复至常压(图25，步骤1415)。接着，打开干燥室42上部的盖63(图26，步骤1416)，晶片夹具84下降在干燥室42内，从干燥室42内的晶片导槽43接收晶片W(图27，步骤1417)，升高晶片夹具84，把晶片W搬到干燥室42的外部(图28，步骤1418)。
这样，在本实旋例的清洗装置27中，在使干燥室42与清洗槽41各自上下分离的同时，利用旋转门59a和滑动门72就能够遮蔽干燥室42的空间和清洗槽41的空间，由于有用旋转门59a遮蔽清洗槽41中的清洗处理，用滑动门72密闭·遮蔽干燥室42中的干燥处理的结构，所以不会受到干燥室42与清洗槽41之间因清洗液等产生的不良影响。此外，由于能够分别在各自条件下设计干燥室42和清洗槽41，所以可提高设计自由度，也能够实现清洗处理的高速化和装置的小型化等。例如，还能够在干燥室42内安装面板加热器103、104，加热干燥室42，以缩短干燥处理时间；也能够在清洗槽42中清洗晶片W时，对干燥室42用IPA进行置换，以缩短干燥处理时间。再有，由于与处理槽和干燥室在同一室内的以往的清洗装置相比的干燥室42能小型化，所以能够进行高效率的干燥处理。还有，由于能够使干燥室42内的容积最小，所以干燥室42的耐压性可不必象以往那种程度的要求。因此，能够使干燥室42的壁厚变薄，还能够实现用于减压的真空泵110的低输出。
此外，本发明不限于上述实施例，可在其技术思想的范围内进行各种变形。
例如，在上述实施例中，虽用两个旋转门和滑动门构成干燥室42开口部分62的开关装置，但也可以有如图29和图30所示两种方式的一个滑动门的结构。如这些图所示，滑动门111比干燥室42的开口部分62的宽度稍长，而且用于通过晶片导槽43的支撑部件74的缺口部分112与图10和图11所示的滑动门有不同之处。因此，在图15所示的步骤1404前就打开开口部分62，在步骤1405～1409之间，为使图29所示的缺口部分112重叠开口部分62，就移动滑动门111关闭开口部分62。以便在该重叠部分能够通过支撑部件74。接着，在步骤1401～1411中再次打开开口部分62，然后在步骤1412以后为完全关闭图30所示的开口部分，就移动滑动门111关闭开口部分62。在此情况下，也可使空气夹紧密封件膨胀提高密闭性。
再有，在上述实施例中，虽采用了为惰性气体的氮气，但也可采用氩气和氦气等惰性气体。这样，不用说，通过加热能够进行更有效的干燥处理，但即使不加热也能进行干燥处理。
再有，在上述实施例中，虽采用了具有水溶性且能降低对被处理基片的去离子水表面张力的有机溶剂IPA，但除IPA等的甲醇类之外，也可采用二乙酮等的酮类和甲基甲醚、乙基甲醚等的甲醚类、乙二醇等的多价甲醇等的有机溶剂。
再有，在上述实施例中，在清洗装置27内虽有进行利用HF/H2O混合液的药液处理、利用去离子水的冲洗处理和干燥处理的装置，但至少进行干燥处理和其他一个以上处理的装置为本发明技术范围内所包含的装置。其他处理是利用HF/H2O混合液的药液处理、利用去离子水的冲洗处理、利用NH4/H2O2/H2O混合液的药液处理、利用HCl/H2O2/H2O混合液的药液处理等。因此，在本发明的清洗装置中，不用说，当然也有进行比如利用NH4/H2O2/H2O混合液的药液处理、利用HCl/H2O2/H2O混合液的清洗液处理、利用HF/H2O混合液的清洗液处理、利用去离子水的冲洗处理和干燥处理的结构。
再有，在上述实施例中，虽说明了本发明的按处理顺序连接处理槽的清洗处理装置中的组合清洗装置的例子，但本发明的清洗装置也可采用独立型装置。在此情况下，可以构成为把比如兼任装载器部分和上装载器部分的搬运部与本发明的清洗装置连接的结构。
再有，被处理基片并不限于半导体晶片，也可以是LCD基片、玻璃基片、CD基片、光掩膜、印刷基片、陶瓷基片等。
如上所述，按照本发明的清洗装置，包括：储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片的处理槽；配置在所述处理槽上方的干燥室，并在处理槽之间设有用于传送被处理基片的开关自由的开口部分；通过所述开口部分，把所述处理槽和所述干燥室之间传送被处理基片的传送装置。
由于具备使所述干燥室内处于有机溶剂的气氛，所以在干燥处理时不会受到因清洗液处理产生的不良影响，设计自由度高，能够实现清洗处理高速化和装置的小形化，而且，另一方面使干燥室内处于有机溶剂的气氛中的低压状况下，可以使干燥室和处理槽的壁厚变薄，还能够实现用于减压的真空泵等的低输出。
此外，按照本发明的清洗装置，包括：储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片的处理槽；配置在所述处理槽上方的干燥室，并在与处理槽之间设有用于传送被处理基片的开口部分；从所述干燥室支撑同时保存所述被处理基片的保存部件；通过所述开口部分，在所述处理槽和所述干燥室之间传送所述保存部件的传送装置；开关所述开口部分，关闭时密闭所述干燥室的第1开关装置；开关所述开口部分，并在关闭所述开口部分时留有用于从所述干燥室在所述处理槽内支撑所述保存部件的间隙的第2开关装置；使所述干燥室内处于有机溶剂的气氛的装置，因此可以使干燥室的壁厚变薄，还能够实现用于减压的真空泵等的低输出。
还有，按照本发明的清洗装置，包括：储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片的处理槽；配置在所述处理槽上方并在处理槽之间设有用于传送被处理基片的开口部分的干燥室；从所述干燥室支撑同时保存所述被处理基片的保存部件；通过所述开口部分，在所述处理槽和所述干燥室之间传送所述保存部件的传送装置；开关所述开口部分的开关装置，具有在关闭时密闭所述干燥室的第1模式，和在关闭所述开口部分时留有用于从所述干燥室在所述处理槽中支撑所述保存部件的间隙的第2模式；由于具备使所述干燥室内处于有机溶剂的气氛的装置，因此可以使干燥室的壁厚变薄，还能够实现用于减压的真空泵等的低输出。
此外，按照本发明的清洗方法，由于包括下列工序：(a)利用从干燥室支撑的保存部件保存被处理基片，并通过设置在干燥室下部的开口部分移至其下方的处理槽；(b)关闭下部开口部分；(c)在将处理基片从干燥室向处理槽移动前或移动后在处理槽中储存处理液，浸渍被处理基片；(d)打开下部开口，把被处理基片从处理槽传送至干燥室；(e)关闭下部开口部分；(f)利用有机溶剂的气氛干燥被处理基片，所以在干燥处理时不会受到因清洗液处理产生的不良影响，设计自由度高，能够实现清洗处理高速化和装置的小形化，而且，另一方面使干燥室内处于有机溶剂的气氛中的低压情况下，可以使干燥室和处理槽的壁厚变薄，还能够实现用于减压的真空泵等的低输出。

Claims (21)

1、清洗装置，其特征在于包括：
处理槽，储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片；
干燥室，配置在所述处理槽上方，在与所述处理槽之间形成用于传送被处理基片的开关自由的开口部分；
传送装置，通过所述开口部分，在所述处理槽与所述干燥室之间传送被处理基片；
使所述干燥室内处于有机溶剂气氛的装置。
2、如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述开口部分还有在关闭时可密闭所述干燥室的密闭装置。
3、清洗装置，其特征在于包括：
处理槽，储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片；
干燥室，配置在所述处理槽上方，在与所述处理槽之间形成用于传送被处理基片的开关自由的开口部分；
保存部件，保存所述被处理基片；
支撑部件，从所述干燥室支撑所述保存部件，所述保存部件处于所述处理槽内时，通过所述开口部分插入处理槽；
传送装置，通过所述支撑部件，在所述处理槽和所述干燥室之间传送所述保存部件；
第1开关装置，开关所述开口部分，并在关闭时密闭所述干燥室；
第2开关装置，开关所述开口部分，并在关闭所述开口部分时留有所述支撑部件的通过间隙；
使所述干燥室内处于有机溶剂气氛的装置。
4、清洗装置，其特征在于包括：
处理槽，储存处理液，在储存的处理液中浸渍被处理基片；
干燥室，配置在所述处理槽上方，在与所述处理槽之间形成用于传送被处理基片的开关自由的开口部分；
保存部件，保存所述被处理基片；
支撑部件，它从所述干燥室支撑所述保存部件，所述保存部件处于所述处理槽内时，通过所述开口部分插入处理槽；
传送装置，通过所述支撑部件，在所述处理槽和所述干燥室之间传送所述保存部件；
开关装置，开关所述开口部分，具有在关闭时密闭所述干燥室的第1模式和在关闭所述开口部分时留有所述支撑部件的通过间隙的第2模式；
使所述干燥室内处于有机溶剂气氛的装置。
5、如权利要求1至4中任一项所述的清洗装置，其特征在于，所述处理槽的处理液为进行过脱气处理的冲洗液。
6、如权利要求1至5中任一项所述的清洗装置，其特征在于，还配有喷射装置，它配置在所述处理槽和所述干燥室之间，对从所述处理槽向所述干燥室传送的所述被处理基片喷射惰性气体。
7、如权利要求6所述的清洗装置，其特征在于，还配有冷却装置，冷却所述惰性气体。
8、如权利要求1至7中任一项所述的清洗装置，其特征在于，还配有减压装置，对所述干燥室内部进行减压；
喷射装置，在所述干燥室内的处理基片进入之前就喷射惰性气体。
9、如权利要求1至4中任一项所述的清洗装置，其特征在于，在所述干燥室内还配置有加热装置。
10、如权利要求1至4中任一项所述的清洗装置，其特征在于，在所述处理槽中储存的所述处理液为冷却的冲洗液。
11、清洗方法，其特征在于包括下列工序：
(a)利用从干燥室支撑的保存部件保存被处理基片，并通过干燥室下部的开口部分移至设置在其下方的处理槽中；
(b)关闭所述下部开口部分；
(c)在将所述处理基片从所述干燥室运送到所述处理槽之前或之后在所述处理槽中储存处理液，浸渍所述被处理基片；
(d)打开下部开口，把所述被处理基片从所述处理槽传送至所述干燥室；
(e)关闭所述下部开口部分；
(f)利用有机溶剂的气氛干燥被处理基片。
12、如权利要求11所述的清洗方法，其特征在于，还包括填充工序，它在所述工序(b)之前，在把所述被处理基片从清洗装置外部向所述干燥室传送后，向所述干燥室填充惰性气体。
13、如权利要求11所述的清洗方法，其特征在于，在所述工序(a)至工序(f)中，向所述处理槽提供惰性气体。
14、如权利要求11所述的清洗方法，其特征在于，在所述工序(d)之前，向所述处理槽提供含有有机溶剂的气体。
15、如权利要求11所述的清洗方法，其特征在于，在所述工序(d)之前和工序(d)之中，向所述处理槽提供含有有机溶剂的气体。
16、如权利要求11所述的清洗方法，其特征在于，在把所述被处理基片从所述干燥室向所述处理槽传送后，关闭所述下部开口部分的工序为一边留有用于从所述干燥室支撑所述保存部件的间隙一边关闭的工序。
17、如权利要求11所述的清洗方法，其特征在于，在把所述被处理基片从所述处理槽向所述干燥室传送后，关闭所述下部开口部分的工序为密闭所述下部开口部分的工序。
18、如权利要求11所述的清洗方法，其特征在于，还有喷射工序，对从所述处理槽向所述干燥室传送的所述被处理基片喷射惰性气体。
19、如权利要求11或18所述的清洗方法，其特征在于，还有喷射工序，在所述工序(f)后，一边对所述干燥室内减压，一边对所述干燥室内的所述被处理基片喷射惰性气体。
20、如权利要求11、18或19所述的清洗方法，其特征在于，还有在所述(b)工序和所述(d)工序之间使所述干燥室处于预定的有机溶剂的气氛的工序。
21、如权利要求11、18、19或20所述的清洗方法，其特征在于，在所述处理槽中储存的处理液为冷却的冲洗液。
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